JP5950683B2 - Multilayer substrate, printed circuit board, semiconductor package substrate, semiconductor package, semiconductor chip, semiconductor device, information processing apparatus and communication apparatus - Google Patents

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Description

この発明は、多層基板、多層基板を用いたプリント回路基板および半導体パッケージ基板、半導体パッケージ基板を用いた半導体パッケージ、再配線層を有する半導体チップおよび半導体チップをパッケージに封止した半導体デバイス、並びにプリント回路基板、半導体チップおよび半導体デバイスの少なくとも1つを用いた情報処理装置および通信装置に関する。   The present invention relates to a multilayer substrate, a printed circuit board and a semiconductor package substrate using the multilayer substrate, a semiconductor package using the semiconductor package substrate, a semiconductor chip having a rewiring layer, a semiconductor device in which the semiconductor chip is sealed in a package, and a print The present invention relates to an information processing apparatus and a communication apparatus using at least one of a circuit board, a semiconductor chip, and a semiconductor device.

樹脂製のプリント回路基板やパッケージ基板等を構成する多層基板、または半導体チップの再配線層では、GND(グランド)層または層内のGNDプレーンを基準電位として、別の層に信号配線(以下、単に「配線」とも称する)を設けた伝送線路構造となっている。ここで、高速な信号、または高い耐ノイズ性が求められる場合には、正相および逆相からなる差動信号が用いられ、配線も2本のペア配線となる。このとき、ドライバは、差動信号を出力し、レシーバは、差動振幅(正相−逆相)の正負で論理信号を識別する。   In a multi-layer substrate constituting a resin printed circuit board, a package substrate, or the like, or a semiconductor chip rewiring layer, a GND (ground) layer or a GND plane in the layer is used as a reference potential, and a signal wiring (hereinafter, referred to as a signal wiring) The transmission line structure is simply provided with “wiring”. Here, when a high-speed signal or high noise resistance is required, a differential signal having a normal phase and a reverse phase is used, and the wiring is also two pair wirings. At this time, the driver outputs a differential signal, and the receiver identifies the logic signal based on whether the differential amplitude (positive phase-negative phase) is positive or negative.

差動信号は、1Gbpsを超える高速な信号を伝送する場合、またはケーブル等で長い距離を伝送する場合に多く用いられる。そのため、低周波から、信号周波数またはその数倍までの周波数範囲で、伝送路における周波数依存性の損失が小さいことが必要である。周波数依存性の損失には、伝送路の信号導体を囲む誘電体による誘電体損失、および導体の表皮効果による導体損失がある。   A differential signal is often used when transmitting a high-speed signal exceeding 1 Gbps, or when transmitting a long distance by a cable or the like. Therefore, it is necessary that the loss of frequency dependence in the transmission line is small in a frequency range from a low frequency to a signal frequency or several times thereof. The frequency-dependent loss includes a dielectric loss due to a dielectric surrounding the signal conductor of the transmission line, and a conductor loss due to the skin effect of the conductor.

誘電体損失を低減するためには、誘電体材料の物性値である誘電正接(tanδ)の小さい材料を使用することが最も効果的である。しかしながら、誘電正接の小さい材料は、通常の誘電正接の材料よりも高価である。   In order to reduce the dielectric loss, it is most effective to use a material having a small dielectric loss tangent (tan δ) which is a physical property value of the dielectric material. However, a material having a low dielectric loss tangent is more expensive than a normal dielectric loss tangent material.

また、導体損失を低減するためには、導体抵抗の小さい材料を使用するか、導体表面を滑らか(凹凸が数μm以下、好ましくは1μm以下)にする必要がある。しかしながら、プリント回路基板やパッケージ基板の導体材料は、ほとんどが銅であって選択肢がない。また、導体表面を完全に滑らかにしても、表皮効果による抵抗増大が理論値と同程度になるだけであり、理論値よりも低減することはできない。   In order to reduce the conductor loss, it is necessary to use a material having a small conductor resistance or to make the conductor surface smooth (unevenness is several μm or less, preferably 1 μm or less). However, most of the conductive materials for printed circuit boards and package boards are copper, and there is no choice. Moreover, even if the conductor surface is completely smoothed, the increase in resistance due to the skin effect is only the same as the theoretical value, and cannot be reduced below the theoretical value.

また、差動信号は、本来コモンノイズが小さい、ひいては放射ノイズを出しにくい信号伝送方式である。しかしながら、プリント回路基板やパッケージ基板の伝送路設計、または半導体の入出力バッファ設計での非対称性により、差動振幅の一部がコモン振幅に変わるモード変換により、コモンノイズが発生する場合がある。   In addition, the differential signal is a signal transmission method in which common noise is inherently small and thus radiation noise is hardly generated. However, common noise may occur due to mode conversion in which a part of the differential amplitude is changed to the common amplitude due to asymmetry in the transmission path design of the printed circuit board or the package substrate or the semiconductor input / output buffer design.

一方、基準電位であるGNDプレーンにコモンノイズがあっても、本来差動振幅は、コモン振幅に影響されないが、上記と同じ理由により、コモン振幅の一部が差動振幅に変換され、レシーバでの差動波形を乱す場合がある。   On the other hand, even if there is common noise in the GND plane, which is the reference potential, the differential amplitude is not affected by the common amplitude. However, for the same reason as described above, a part of the common amplitude is converted into the differential amplitude, May be disturbed.

そのため、差動信号伝送を用いるメリットを十分に生かすには、半導体、パッケージ、プリント回路基板、コネクタ、半導体チップ内配線等の信号伝送経路全体で対称性を保つことが重要である。なお、高速差動信号を扱う各種規格の1つであるSerial−ATAでは、周波数ごとにモード変換に対する規制値が設けられている。   Therefore, in order to make full use of the merit of using differential signal transmission, it is important to maintain symmetry throughout the entire signal transmission path such as a semiconductor, a package, a printed circuit board, a connector, and wiring in a semiconductor chip. In Serial-ATA, which is one of various standards for handling high-speed differential signals, a restriction value for mode conversion is provided for each frequency.

しかしながら、プリント回路基板やパッケージ基板においては、伝送路は、必ずしも対称形にはならない。例えば、正相信号配線および逆相信号配線によるペア配線と、コネクタや半導体パッケージ端子、半導体チップの端子との間は、正相信号および逆相信号の各配線がばらばらになるうえに、コネクタのピンや端子の配列によっては、ペア配線端までの長さに差が生じる。   However, in a printed circuit board or a package board, the transmission path is not necessarily symmetrical. For example, between the pair wiring by the normal phase signal wiring and the negative phase signal wiring and the connector, the semiconductor package terminal, and the terminal of the semiconductor chip, the wiring of the positive phase signal and the negative phase signal is separated, and the connector Depending on the arrangement of pins and terminals, there is a difference in the length to the end of the pair wiring.

ここで、配線の長さを調整するために、配線が短くなる方のピンから、本来不要な迂回配線を設けて長さを調整する場合がある。しかしながら、配線の長さは等しくなっても、形状は対称形ではない。さらに、ペア配線を形成した後も、配線経路が一直線で済むことはほとんどなく、多層基板内でペア配線を保ちつつ、屈曲しながら経路を辿ることになる。これも厳密には、伝送路全体が対称であるとはいえない。   Here, in order to adjust the length of the wiring, there is a case where the length of the wiring is adjusted by providing a bypass wiring that is originally unnecessary from the pin on which the wiring is shortened. However, even if the wiring lengths are equal, the shape is not symmetrical. Further, even after the pair wiring is formed, the wiring path is hardly required to be a straight line, and the path is traced while being bent while keeping the pair wiring in the multilayer substrate. Strictly speaking, it cannot be said that the entire transmission line is symmetrical.

このような問題を解決するために、特に誘電体損失を低減する技術として、上下にGNDプレーンがあるストリップライン構造のプリント回路基板について、ペア配線(内層ペア配線)の間に、内層ペア配線を含む層を上下から挟む誘電体層よりも低誘電率の誘電材料を配置するものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In order to solve such a problem, as a technique for reducing dielectric loss, an inner layer pair wiring is formed between a pair wiring (inner layer pair wiring) for a printed circuit board having a strip line structure with GND planes above and below. An arrangement has been proposed in which a dielectric material having a dielectric constant lower than that of a dielectric layer sandwiching a layer to be included from above and below is disposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2009−141233号公報JP 2009-141233 A

しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
特許文献1に記載のプリント回路基板では、内層ペア配線の左右または間と、上下のGNDプレーンの何れかの方向にのみ、比誘電率や誘電正接の小さい材料が配置されているので、十分に誘電体損失を低減することができないという問題がある。また、モード変換により発生するコモンノイズについては、何等対策がないという問題もある。
However, the prior art has the following problems.
In the printed circuit board described in Patent Document 1, a material having a small relative dielectric constant and dielectric loss tangent is disposed only in the left and right or between the inner layer pair wirings and in any direction of the upper and lower GND planes. There is a problem that dielectric loss cannot be reduced. There is also a problem that no countermeasures are taken for common noise generated by mode conversion.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、誘電体損失を低減し、モード変換により発生するコモンノイズを抑制するとともに、コストの上昇を抑制することができる多層基板を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and is a multilayer substrate that can reduce dielectric loss, suppress common noise generated by mode conversion, and suppress an increase in cost. The purpose is to obtain.

この発明に係る多層基板は、差動信号を伝送する信号配線を含む配線層と、全面または部分的なグランドプレーンを含み、1つまたは2つ以上の配線層に対して上下に配置されたグランド層と、配線層とグランド層との間に設けられた誘電体層と、を備え、作動信号を伝送する信号配線は、ペア配線を構成し、誘電体層は、誘電正接の互いに異なる配線層側の第1誘電体層およびグランド層側の第2誘電体層を有し、第1誘電体層は、ペア配線の間、左右および上下を包み込んで設けられ、第1誘電体層の誘電正接は、第2誘電体層の誘電正接よりも小さいものである。 Multilayer substrate according to the present invention, a wiring layer including the signal wiring for transmitting the differential signals, viewed contains a full or partial ground plane, disposed above and below with respect to one or more wiring layers And a dielectric layer provided between the wiring layer and the ground layer. The signal wiring for transmitting the operation signal constitutes a pair wiring, and the dielectric layers are wirings having different dielectric loss tangents. A first dielectric layer on the layer side and a second dielectric layer on the ground layer side. The first dielectric layer is provided so as to enclose the left and right sides and the upper and lower sides between the pair wirings. The tangent is smaller than the dielectric tangent of the second dielectric layer.

この発明に係る多層基板によれば、配線層とグランド層との間に設けられた誘電体層は、誘電正接の互いに異なる配線層側の第1誘電体層およびグランド層側の第2誘電体層を有し、第1誘電体層の誘電正接は、第2誘電体層の誘電正接よりも小さい。
そのため、誘電体損失を低減し、モード変換により発生するコモンノイズを抑制するとともに、コストの上昇を抑制することができる。
According to the multilayer substrate of the present invention, the dielectric layer provided between the wiring layer and the ground layer includes the first dielectric layer on the wiring layer side and the second dielectric on the ground layer side having different dielectric tangents. The dielectric loss tangent of the first dielectric layer is smaller than the dielectric loss tangent of the second dielectric layer.
Therefore, it is possible to reduce dielectric loss, suppress common noise generated by mode conversion, and suppress an increase in cost.

(a)、(b)は、一般的な従来の多層基板を示す斜視図および断面図である。(A), (b) is the perspective view and sectional drawing which show a general conventional multilayer substrate. (a)、(b)は、この発明の実施の形態1に係る多層基板を電気力線とともに示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the multilayer board | substrate which concerns on Embodiment 1 of this invention with an electric force line. (a)、(b)は、この発明の実施の形態2に係る多層基板を電気力線とともに示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the multilayer board | substrate which concerns on Embodiment 2 of this invention with an electric force line. (a)、(b)は、この発明の実施の形態3に係る多層基板の基材の構成を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the structure of the base material of the multilayer substrate based on Embodiment 3 of this invention. (a)〜(d)は、この発明の実施の形態4に係る多層基板の基材の構成を示す断面図である。(A)-(d) is sectional drawing which shows the structure of the base material of the multilayer substrate based on Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態5に係る多層基板における基板配線を例示する説明図である。It is explanatory drawing which illustrates the board | substrate wiring in the multilayer substrate based on Embodiment 5 of this invention.

以下、この発明に係る多層基板の好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
この多層基板は、例えば高周波信号を伝送するプリント回路基板および半導体パッケージ基板、半導体パッケージ基板を用いた半導体パッケージ、再配線層を有する半導体チップおよび半導体デバイス、並びにプリント回路基板、半導体チップおよび半導体デバイスの少なくとも1つを用いた情報処理装置および通信装置に用いられる。
Hereinafter, preferred embodiments of a multilayer substrate according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts will be described with the same reference numerals.
This multilayer substrate includes, for example, a printed circuit board and a semiconductor package board that transmit high-frequency signals, a semiconductor package using the semiconductor package board, a semiconductor chip and a semiconductor device having a redistribution layer, and a printed circuit board, a semiconductor chip, and a semiconductor device. It is used for an information processing apparatus and a communication apparatus using at least one.

実施の形態1.
図1は、一般的な従来の多層基板における、高速信号でよく用いられるペア配線を示す斜視図および断面図である。図1(a)は、ストリップライン構造を示し、図1(b)は、マイクロストリップ構造を示している。また、これらの構造は、半導体チップの再配線層においても形成できる。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a perspective view and a cross-sectional view showing a pair wiring often used for a high-speed signal in a general conventional multilayer substrate. FIG. 1A shows a stripline structure, and FIG. 1B shows a microstrip structure. These structures can also be formed in the rewiring layer of the semiconductor chip.

図1において、この多層基板は、基板の誘電体材料1、GND層またはその層内に設けられたGNDプレーン20(以下、代表して「GNDプレーン20」と称する)、および配線層30から構成されている。配線層30は、差動信号の正相信号配線および逆相信号配線となる配線301、302を有している。ここで、GNDプレーン20は、穴のない完全なプレーンであっても、多層構造形成時の制約等からメッシュ構造となっていてもかまわない。   In FIG. 1, the multilayer substrate includes a dielectric material 1 of the substrate, a GND layer or a GND plane 20 (hereinafter, referred to as “GND plane 20”) provided in the layer, and a wiring layer 30. Has been. The wiring layer 30 includes wirings 301 and 302 that are a positive-phase signal wiring and a negative-phase signal wiring for differential signals. Here, even if the GND plane 20 is a complete plane without a hole, it may have a mesh structure due to restrictions at the time of forming a multilayer structure.

なお、ストリップライン構造とは、配線層30の上下に、GNDプレーン20を有する層があり、その間が基材の誘電体で満たされている構造を意味する。また、マイクロストリップ構造とは、配線層30に対して、上下の何れか一方にのみGNDプレーン20を有する層があり、その間が基材の誘電体で満たされていて、かつ配線層30の反対側には基材やGNDプレーン20がない、または多少の厚みの基材があるがGNDプレーン20がない構造を意味する。また、それぞれの構造で形成したペア配線を、ストリップラインペア配線およびマイクロストリップペア配線と称する。マイクロストリップ構造の基板では、GNDプレーン20がない表面にソルダレジストが塗布されることが多いが、ここでは省略する。   The stripline structure means a structure in which layers having the GND plane 20 are provided above and below the wiring layer 30 and the space between the layers is filled with the dielectric material of the base material. In addition, the microstrip structure includes a layer having the GND plane 20 on only one of the upper and lower sides of the wiring layer 30, and the space between the layers is filled with the dielectric material of the base material, and is opposite to the wiring layer 30. This means that there is no substrate or GND plane 20 on the side, or there is a substrate with some thickness but no GND plane 20. Moreover, the pair wiring formed with each structure is called a stripline pair wiring and a microstrip pair wiring. In a microstrip structure substrate, a solder resist is often applied to the surface where the GND plane 20 is not provided, but is omitted here.

従来は、何れの構造においても、1種類の基板材料を用いていた。そのため、誘電体損失を低減して、GHzを超える高速信号で配線長を伸ばしたり、信号速度を上げたりするためには、基材をすべて誘電正接の小さい材料にする必要があり、基板が高価であった。また、基材をすべて低誘電正接にしてしまうと、モード変換により発生したコモンノイズも、減衰しにくかった。   Conventionally, in any structure, one kind of substrate material has been used. Therefore, in order to reduce the dielectric loss, increase the wiring length with a high-speed signal exceeding GHz, or increase the signal speed, it is necessary to make the base material a material with a small dielectric loss tangent, and the substrate is expensive. Met. Moreover, if all the base materials are made to have a low dielectric loss tangent, the common noise generated by the mode conversion is difficult to attenuate.

図2は、この発明の実施の形態1に係る多層基板または半導体チップの再配線層を電気力線とともに示す断面図である。図2では、多層基板のストリップラインペア配線と垂直な面の断面図に、電気力線40の外観を重ねて示している。図2(a)は、差動モードの場合を示し、図2(b)は、コモンモードの場合を示している。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing the rewiring layer of the multilayer substrate or semiconductor chip according to the first embodiment of the present invention together with the lines of electric force. In FIG. 2, the appearance of the electric lines of force 40 is shown superimposed on a cross-sectional view of a plane perpendicular to the strip line pair wiring of the multilayer substrate. FIG. 2A shows the case of the differential mode, and FIG. 2B shows the case of the common mode.

また、図2において、基材の誘電体材料は、誘電正接の小さい誘電体層10および誘電正接の大きい誘電体層11から構成されている。なお、その他の構成は、図1に示したものと同様なので、説明を省略する。   In FIG. 2, the dielectric material of the base material is composed of a dielectric layer 10 having a small dielectric loss tangent and a dielectric layer 11 having a large dielectric loss tangent. Other configurations are the same as those shown in FIG.

図2(a)の差動モードは、差動信号の論理値が1、すなわち左の配線301がHigh、右の配線302がLow(いずれもGNDプレーン20よりも高い電位)の場合を示している。電位が高い左の配線301から出る電気力線40は、多層基板のGNDプレーン20に達するものと、右の配線302に達するものとがある。また、電位が低い右側の配線302の電気力線40は、左の配線301から来るものと、GNDプレーン20に達するものとがある。   The differential mode in FIG. 2A shows a case where the logical value of the differential signal is 1, that is, the left wiring 301 is High and the right wiring 302 is Low (both potentials higher than the GND plane 20). Yes. The electric lines of force 40 coming out of the left wiring 301 having a high potential may reach the GND plane 20 of the multilayer substrate and may reach the right wiring 302. Further, the electric lines of force 40 of the right wiring 302 having a low potential may come from the left wiring 301 and may reach the GND plane 20.

また、図2(b)のコモンモードの場合、左右の配線301、302は、ともにGNDプレーン20よりも高い同電位となり、左右の配線301、302から出る電気力線40は、すべて多層基板のGNDプレーン20に達する。   In the common mode of FIG. 2B, the left and right wirings 301 and 302 are both at the same potential as that of the GND plane 20, and the electric lines of force 40 coming from the left and right wirings 301 and 302 are all of the multilayer board. It reaches the GND plane 20.

図2に示した多層基板では、2つのGNDプレーン20の間の基材が、誘電正接の大きい部分と小さい部分との多層構造となっていて、かつ配線層30を含むその上下に誘電正接の小さい基材が配置されている。   In the multilayer substrate shown in FIG. 2, the base material between the two GND planes 20 has a multilayer structure of a portion having a large dielectric loss tangent and a portion having a small dielectric loss tangent, and the dielectric tangent is formed above and below the wiring layer 30. A small substrate is placed.

このような構造としたことで、差動モードの場合には、電気力線40の一部が誘電正接の小さい誘電体層10の中だけを通過することになるので、誘電体損失が緩和される。この効果は、先行技術に対して2倍以上である。一方、コモンモードの場合には、すべての電気力線40が誘電体損失の大きい誘電体層11を必ず通過するので、差動モードに比べて、誘電体損失があまり緩和されない。   By adopting such a structure, in the differential mode, a part of the electric lines of force 40 pass only through the dielectric layer 10 having a small dielectric loss tangent, so the dielectric loss is alleviated. The This effect is more than twice that of the prior art. On the other hand, in the case of the common mode, all the electric lines of force 40 always pass through the dielectric layer 11 having a large dielectric loss, so that the dielectric loss is not reduced much compared to the differential mode.

このように、ストリップラインペア配線において、周波数依存性がある誘電体損失について、差動モードの場合は、コモンモードの場合よりも小さくすることができる。これにより、差動振幅に対する高周波損失を小さくすることができ、一方で、差動信号伝送ではノイズとしかならないコモン振幅を減衰しやすくすることができる。また、差動信号の伝送特性を良くするために、基板全体を誘電正接の小さい材料で製作する場合と比べて、基材コストを抑制することができる。   As described above, in the stripline pair wiring, the frequency-dependent dielectric loss can be made smaller in the differential mode than in the common mode. Thereby, the high frequency loss with respect to differential amplitude can be made small, On the other hand, the common amplitude which becomes only noise in differential signal transmission can be easily attenuated. Further, in order to improve the transmission characteristics of the differential signal, the substrate cost can be suppressed as compared with the case where the entire substrate is made of a material having a small dielectric loss tangent.

なお、この実施の形態1では、ペア配線を同一層の左右に並べたが、配線層を2層にして上下に並べてもよい。また、相対的に誘電正接の大きい材料と小さい材料との2種類を使用したが、他に1種類以上の中間の大きさの誘電正接を持つ誘電体を間に挟んでもよい。さらに、GNDプレーン20と誘電正接の大きい誘電体層との間に、再度、誘電正接の小さい層や大きい層、または中間の層を設けてもよい。これら3点は、以降の実施の形態においても、同様である。   In the first embodiment, the pair wirings are arranged on the left and right of the same layer. However, the wiring layers may be arranged on the upper and lower sides with two wiring layers. In addition, two types of materials, a material having a relatively large dielectric loss tangent and a material having a relatively small dielectric loss tangent, are used. Alternatively, one or more types of dielectrics having a dielectric loss tangent having an intermediate size may be sandwiched therebetween. Furthermore, a layer having a small dielectric tangent, a layer having a large dielectric tangent, or an intermediate layer may be provided again between the GND plane 20 and the dielectric layer having a large dielectric tangent. These three points are the same in the following embodiments.

以上のように、実施の形態1によれば、1つまたは2つ以上の配線層に対して、グランド層が上下に配置されている多層基板において、配線層とグランド層との間に設けられた誘電体層は、誘電正接の互いに異なる配線層側の第1誘電体層およびグランド層側の第2誘電体層を有し、第1誘電体層の誘電正接は、第2誘電体層の誘電正接よりも小さい。
そのため、誘電体損失を低減し、モード変換により発生するコモンノイズを抑制するとともに、コストの上昇を抑制することができる。
As described above, according to the first embodiment, with respect to one or more wiring layers, the multi-layer substrate in which the ground layers are arranged above and below is provided between the wiring layer and the ground layer. The dielectric layer has a first dielectric layer on the wiring layer side and a second dielectric layer on the ground layer side having different dielectric tangents, and the dielectric tangent of the first dielectric layer is the same as that of the second dielectric layer. Less than dielectric loss tangent.
Therefore, it is possible to reduce dielectric loss, suppress common noise generated by mode conversion, and suppress an increase in cost.

実施の形態2.
図3は、この発明の実施の形態2に係る多層基板または半導体チップの再配線層を電気力線とともに示す断面図である。図3では、多層基板のマイクロストリップペア配線と垂直な面の断面図に、電気力線40の外観を重ねて示している。図3(a)は、差動モードの場合を示し、図3(b)は、コモンモードの場合を示している。なお、その他の構成は、図2に示したものと同様なので、説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
3 is a cross-sectional view showing a rewiring layer of a multilayer substrate or a semiconductor chip according to Embodiment 2 of the present invention together with lines of electric force. In FIG. 3, the external appearance of the electric lines of force 40 is shown superimposed on a cross-sectional view of a plane perpendicular to the microstrip pair wiring of the multilayer substrate. 3A shows the case of the differential mode, and FIG. 3B shows the case of the common mode. Other configurations are the same as those shown in FIG.

図3(a)の差動モードは、差動信号の論理値が1、すなわち左の配線301がHigh、右の配線302がLow(いずれもGNDプレーン20よりも高い電位)の場合を示している。電位が高い左の配線301から出る電気力線40は、多層基板のGNDプレーン20に達するものと、多層基板の誘電体内を通って右の配線302に達するものと、上空を通って右の配線302に達するものと、図示した範囲では上空に伸びるものとがある。また、電位が低い右側の配線302の電気力線40は、左の配線301から来るものと、GNDプレーン20に達するものと、図示した範囲では上空から来るものとがある。   The differential mode of FIG. 3A shows a case where the logical value of the differential signal is 1, that is, the left wiring 301 is High and the right wiring 302 is Low (both potentials higher than the GND plane 20). Yes. The electric lines of force 40 coming out of the left wiring 301 having a high potential reach the GND plane 20 of the multilayer substrate, reach the right wiring 302 through the dielectric of the multilayer substrate, and pass through the sky to the right wiring. There are those that reach 302 and those that extend above in the illustrated range. Also, the electric lines of force 40 of the right wiring 302 having a low potential come from the left wiring 301, reach the GND plane 20, and come from the sky in the illustrated range.

また、図3(b)のコモンモードの場合、左右の配線301、302は、ともにGNDプレーン20よりも高い同電位となり、左右の配線301、302から出る電気力線40は、多層基板のGNDプレーン20に達するものと、図示した範囲では上空に伸びるものとがある。   In the common mode of FIG. 3B, the left and right wirings 301 and 302 are both at the same potential as that of the GND plane 20, and the electric lines of force 40 coming out of the left and right wirings 301 and 302 are connected to the GND of the multilayer substrate. There are those that reach the plane 20 and those that extend upward in the illustrated range.

図3に示した多層基板では、2つのGNDプレーン20の間の基材が、誘電正接の大きい部分と小さい部分との多層構造となっていて、かつ配線層30の下に誘電正接の小さい基材が配置されている。   In the multilayer substrate shown in FIG. 3, the base material between the two GND planes 20 has a multilayer structure of a portion having a large dielectric loss tangent and a portion having a small dielectric loss tangent, and is a base having a small dielectric loss tangent below the wiring layer 30. The material is arranged.

このような構造としたことで、差動モードの場合には、基材を通る電気力線40の一部は、誘電正接の小さい誘電体層10の中だけを通過することになるので、誘電体損失が緩和される。一方、コモンモードの場合には、基板のGNDプレーン20に達するすべての電気力線40が誘電体損失の大きい誘電体層11を必ず通過するので、差動モードに比べて、誘電体損失があまり緩和されない。   With this structure, in the differential mode, a part of the electric force lines 40 passing through the base material passes only through the dielectric layer 10 having a small dielectric loss tangent. Body loss is alleviated. On the other hand, in the common mode, all electric lines of force 40 reaching the GND plane 20 of the substrate always pass through the dielectric layer 11 having a large dielectric loss, so that the dielectric loss is less than that in the differential mode. Not relaxed.

このように、マイクロストリップペア配線において、周波数依存性がある誘電体損失について、差動モードの場合は、コモンモードの場合よりも小さくすることができる。これにより、差動振幅に対する高周波損失を小さくすることができ、一方で、差動信号伝送ではノイズとしかならないコモン振幅を減衰しやすくすることができる。また、差動信号の伝送特性を良くするために、基板全体を誘電正接の小さい材料で製作する場合と比べて、基材コストを抑制することができる。   As described above, in the microstrip pair wiring, the frequency-dependent dielectric loss can be made smaller in the differential mode than in the common mode. Thereby, the high frequency loss with respect to differential amplitude can be made small, On the other hand, the common amplitude which becomes only noise in differential signal transmission can be easily attenuated. Further, in order to improve the transmission characteristics of the differential signal, the substrate cost can be suppressed as compared with the case where the entire substrate is made of a material having a small dielectric loss tangent.

以上のように、実施の形態2によれば、1つまたは2つ以上の配線層に対して、グランド層が片側に配置されている多層基板において、配線層とグランド層との間に設けられた誘電体層は、誘電正接の互いに異なる配線層側の第1誘電体層およびグランド層側の第2誘電体層を有し、第1誘電体層の誘電正接は、第2誘電体層の誘電正接よりも小さい。
そのため、誘電体損失を低減し、モード変換により発生するコモンノイズを抑制するとともに、コストの上昇を抑制することができる。
As described above, according to the second embodiment, one or two or more wiring layers are provided between the wiring layer and the ground layer in the multilayer substrate in which the ground layer is arranged on one side. The dielectric layer has a first dielectric layer on the wiring layer side and a second dielectric layer on the ground layer side having different dielectric tangents, and the dielectric tangent of the first dielectric layer is the same as that of the second dielectric layer. Less than dielectric loss tangent.
Therefore, it is possible to reduce dielectric loss, suppress common noise generated by mode conversion, and suppress an increase in cost.

なお、一般的な多層基板では、基板表面に誘電正接の比較的大きな保護膜(例えば、ソルダレジスト)を設けることがある。この場合には、若干効果が弱まるものの、同様の効果を得ることができる。逆に、保護膜の誘電正接が小さければ、効果減少が緩和される。   In a general multilayer substrate, a protective film (eg, a solder resist) having a relatively large dielectric loss tangent may be provided on the substrate surface. In this case, although the effect is slightly weakened, the same effect can be obtained. On the other hand, if the dielectric loss tangent of the protective film is small, the effect reduction is mitigated.

実施の形態3.
図4は、この発明の実施の形態3に係る多層基板の基材の構成を示す断面図である。図4では、多層誘電体を製造する際の、基板材料の積層構成の一部を示している。図4(a)は、一般的な厚膜基板の場合を示し、図4(b)は、誘電体層と導体層とを順次積層可能なビルドアップ基板の場合を示している。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the base material of the multilayer substrate according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 4 shows a part of the laminated structure of the substrate material when the multilayer dielectric is manufactured. FIG. 4A shows the case of a general thick film substrate, and FIG. 4B shows the case of a build-up substrate in which a dielectric layer and a conductor layer can be sequentially stacked.

ここで、基板材料としては、ガラスと樹脂とを組み合わせた第1樹脂含有ガラス繊維基板材料、第1樹脂含有ガラス繊維基板材料とはガラスと樹脂との組み合わせが異なる第2樹脂含有ガラス繊維基板材料、樹脂のみの第1基板材料、および第1基板材料とは材質の異なる樹脂のみの第2基板材料のうち、何れか2種類以上を組み合わせたものを用いる。   Here, as the substrate material, a first resin-containing glass fiber substrate material in which glass and resin are combined, and a second resin-containing glass fiber substrate material in which the combination of glass and resin is different from the first resin-containing glass fiber substrate material. A combination of any two or more of the first substrate material made of resin and the second substrate material made only of resin different from the first substrate material is used.

また、図4において、多層誘電体は、両面ともに銅箔がない低誘電正接材料100、片面に配線が形成された低誘電正接材料101、両面ともに銅箔がない高誘電正接材料110、および片面に銅箔がある高誘電正接材料111から製造される。   In FIG. 4, the multilayer dielectric includes a low dielectric loss tangent material 100 having no copper foil on both sides, a low dielectric loss tangent material 101 having wiring formed on one side, a high dielectric loss tangent material 110 having no copper foil on both sides, and a single side. It is manufactured from a high dielectric loss tangent material 111 having a copper foil.

図4(a)の一般的な厚膜基板の場合、片面銅箔付高誘電正接材料111の銅箔は、GNDプレーン20として用いられる。これは、初めから片面にのみ銅箔がある材料を用いるか、または両面に銅箔がある材料の片面に対して、エッチング工程で銅をすべて取り除いて用いる。   In the case of the general thick film substrate of FIG. 4A, the copper foil of the high dielectric loss tangent material 111 with the single-sided copper foil is used as the GND plane 20. In this method, a material having a copper foil only on one side is used from the beginning, or all the copper is removed in an etching process on one side of a material having a copper foil on both sides.

また、両面ともに銅箔がない低誘電正接材料100は、初めから両面ともに銅箔がない材料を用いるか、または両面あるいは片面に銅箔がある材料に対して、エッチング工程で銅をすべて取り除いて用いる。   In addition, the low dielectric loss tangent material 100 having no copper foil on both sides uses a material that does not have a copper foil on both sides from the beginning, or removes all copper from the material having a copper foil on both sides or one side in an etching process. Use.

また、片面に配線が形成された低誘電正接材料101は、初めから片面にのみ銅箔がある材料に対して、エッチング工程で配線を形成して用いるか、または両面に銅箔がある材料に対して、エッチング工程で片面に配線を形成し、反対面の銅をすべて取り除いて用いる。   In addition, the low dielectric loss tangent material 101 having the wiring formed on one side is used by forming the wiring in the etching process with respect to the material having the copper foil only on one side from the beginning, or the material having the copper foil on both sides. On the other hand, wiring is formed on one side in an etching process, and all copper on the opposite side is removed and used.

なお、図中の点線は、エッチングで銅を取り除いた範囲を示し、図4(a)に示した一般的な厚膜基板では、すべての材料について、片面に銅箔がある材料を使用した場合を示している。   In addition, the dotted line in a figure shows the range which removed copper by etching, and in the general thick film board | substrate shown to Fig.4 (a), when the material which has copper foil on one side is used about all the materials Is shown.

一方、図4(b)の一般的なビルドアップ基板の場合、両面ともに銅箔がない高誘電正接材料110は、初めから両面ともに銅箔がない材料を用いるか、または両面あるいは片面に銅箔がある材料に対して、エッチング工程で銅をすべて取り除いて用いる。   On the other hand, in the case of the general build-up substrate of FIG. 4B, the high dielectric loss tangent material 110 having no copper foil on both sides is made of a material having no copper foil on both sides, or the copper foil on both sides or one side. For some materials, all copper is removed in the etching process.

また、このビルドアップ基板では、誘電体層と導体層とが1層ずつ積み重ねられる。ここで、厚膜基板と同様に、高誘電正接材料と低誘電正接材料との間は、銅箔が取り除かれている。また、最下段の片面全面銅箔は、その下の高誘電正接材料とのセット(片面銅箔付高誘電正接材料111)となるが、ここは、低誘電正接材料とのセットであってもよい。   In this build-up substrate, the dielectric layer and the conductor layer are stacked one by one. Here, like the thick film substrate, the copper foil is removed between the high dielectric loss tangent material and the low dielectric loss tangent material. Moreover, although the lowermost single-sided copper foil is a set with a high dielectric loss tangent material (high dielectric loss tangent material 111 with single-sided copper foil), this is a set with a low dielectric loss tangent material. Good.

以上のように、実施の形態3によれば、上述した積層順序を含む構成で1枚の基板を製作することにより、その基板の多層構造の中に、図2に示した構造が構成される。また、図3に示した構造に対して、同様の手法を適用することができる。そのため、従来の基板製造工法のままで、この発明に係る構造を実現することができ、基板製造コストを上昇させることなく、差動モードで低損失かつコモンモードを減衰させる基板を実現することができる。   As described above, according to the third embodiment, the structure shown in FIG. 2 is configured in the multilayer structure of the substrate by manufacturing one substrate with the configuration including the above-described stacking order. . A similar method can be applied to the structure shown in FIG. Therefore, the structure according to the present invention can be realized with the conventional substrate manufacturing method as it is, and it is possible to realize a substrate that has low loss in the differential mode and attenuates the common mode without increasing the substrate manufacturing cost. it can.

実施の形態4.
図5は、この発明の実施の形態4に係る多層基板の基材の構成を示す断面図である。図5では、多層誘電体の、樹脂を含有したガラス繊維からなる基板材料の構造と、積層構造とを示している。
Embodiment 4 FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the base material of the multilayer substrate according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 5 shows a structure of a multilayer dielectric substrate material made of glass fibers containing a resin and a laminated structure.

図5において、誘電正接の小さい誘電体層10または誘電正接の大きい誘電体層11にガラス繊維50が含まれている。なお、その他の構成は、図1に示したものと同様なので、説明を省略する。図5(a)は、樹脂の誘電正接がガラス繊維の誘電正接よりも小さい場合を示し、図5(b)は、逆にガラス繊維の誘電正接が樹脂の誘電正接よりも小さい場合を示している。   In FIG. 5, the glass fiber 50 is contained in the dielectric layer 10 having a small dielectric loss tangent or the dielectric layer 11 having a large dielectric loss tangent. Other configurations are the same as those shown in FIG. 5A shows a case where the dielectric loss tangent of the resin is smaller than the dielectric loss tangent of the glass fiber, and FIG. 5B shows the case where the dielectric loss tangent of the glass fiber is smaller than the dielectric loss tangent of the resin. Yes.

図5(a)、(b)の何れの場合も、すべて両面に銅箔があるガラス繊維50入りの基板材料で例示した。また、配線層30に近い方、すなわち図5(a)では、樹脂のみの部分、図5(b)では、樹脂を含有したガラス繊維50の部分が、低誘電正接になっている。   In both cases of FIGS. 5A and 5B, all are exemplified by the substrate material containing glass fiber 50 having copper foil on both sides. Further, the portion closer to the wiring layer 30, that is, the resin-only portion in FIG. 5A, and the glass fiber 50 portion containing the resin in FIG. 5B are low dielectric loss tangents.

このような構造としたことで、従来の材料であっても、基板材料において、誘電正接の大きい厚み部分と小さい厚み部分とを、1枚の材料で作ることが可能となる。これにより、基板材料の枚数、および積層工程を減らすことができ、基板コストを低減することができる。   With such a structure, even with a conventional material, it is possible to make a thick portion with a large dielectric loss tangent and a small thickness portion with a single material in the substrate material. Thereby, the number of substrate materials and the stacking process can be reduced, and the substrate cost can be reduced.

また、図5(c)、(d)は、ガラス繊維50の両面の樹脂の厚みが同じ場合の例を示しており、図5(c)は、樹脂の誘電正接がガラス繊維50の誘電正接よりも小さい場合を示し、図5(d)は、逆にガラス繊維50の誘電正接が樹脂の誘電正接よりも小さい場合を示している。   FIGS. 5C and 5D show examples in which the thicknesses of the resin on both surfaces of the glass fiber 50 are the same. FIG. 5C shows the dielectric loss tangent of the glass fiber 50. 5D shows the case where the dielectric loss tangent of the glass fiber 50 is smaller than the dielectric loss tangent of the resin.

図5(c)、(d)の何れの場合も、すべて両面に銅箔があるガラス繊維50入りの基板材料で例示した。また、配線層30に近い方、すなわち図5(c)では、樹脂のみの部分、図5(d)では、樹脂を含有したガラス繊維50の部分が、低誘電正接になっている。   In both cases of FIGS. 5C and 5D, all are exemplified by the substrate material containing glass fiber 50 having copper foil on both sides. Further, the portion closer to the wiring layer 30, that is, the resin-only portion in FIG. 5C, and the glass fiber 50 portion containing the resin in FIG. 5D are low dielectric loss tangents.

このように、ガラス繊維50の両面で樹脂の厚みを同じにすることにより、基板製造工程での反り応力を低減することができ、基板製造コストを低減することができる。さらに、この実施の形態4では、1種類の基材を用いているので、基板製造工程および製造後の基板の反りや基材境界でのはがれの危険を低減することができ、信頼性の高い基板を得ることができる。   Thus, by making the resin thickness the same on both surfaces of the glass fiber 50, the warpage stress in the substrate manufacturing process can be reduced, and the substrate manufacturing cost can be reduced. Further, in the fourth embodiment, since one kind of base material is used, the risk of peeling at the substrate manufacturing process and substrate warpage after manufacturing and at the base material boundary can be reduced, and the reliability is high. A substrate can be obtained.

実施の形態5.
図6は、この発明の実施の形態5に係る多層基板における基板配線を例示する説明図である。図6において、この基板配線は、BGA(Ball Grid Array)パッケージ用パッド60、コネクタピン(図示せず)が挿入されるコネクタピン用スルーホール70、正相信号配線301および逆相信号配線302からなる一組のペア配線80、並びに別の正相信号配線301および逆相信号配線302からなる一組のペア配線81から構成されている。
Embodiment 5 FIG.
FIG. 6 is an explanatory view illustrating substrate wiring in a multilayer substrate according to Embodiment 5 of the present invention. In FIG. 6, the substrate wiring includes a BGA (Ball Grid Array) package pad 60, a connector pin through hole 70 into which a connector pin (not shown) is inserted, a normal phase signal wiring 301 and a reverse phase signal wiring 302. And a pair of pair wirings 81 composed of another normal phase signal wiring 301 and a reverse phase signal wiring 302.

ペア配線80では、コネクタピンおよびコネクタピン用スルーホール70を介して、別の基板からBGAパッケージ用パッド60へ信号が伝送されている。また、ペア配線81では、逆にBGAパッケージ用パッド60から、コネクタピン用スルーホール70およびコネクタピンを介して、別の基板へ信号が伝送されている。いずれのペア配線80、81でも、BGAパッケージ用パッド60やコネクタピン用スルーホール70からペア配線80、81を形成するまでは、受信側のみ等長処理され、送信側はされていない。   In the pair wiring 80, a signal is transmitted from another substrate to the BGA package pad 60 through the connector pin and the connector pin through hole 70. On the other hand, in the pair wiring 81, a signal is transmitted from the BGA package pad 60 to another substrate via the connector pin through hole 70 and the connector pin. In any of the pair wirings 80 and 81, the equal length processing is performed only on the reception side and the transmission side is not performed until the pair wirings 80 and 81 are formed from the BGA package pad 60 and the connector pin through hole 70.

一般的に、ペア配線80、81を形成するまでの正相信号と逆相信号との長さが異なると、差動振幅の一部がコモン振幅に変わるモード変換が発生し、GNDバウンス等のコモンノイズが誘発され、それが基板上で共振すると、コモンノイズの周波数で大きな放射ノイズが発生する。   In general, when the lengths of the normal phase signal and the reverse phase signal until the pair wirings 80 and 81 are formed are different, a mode conversion in which a part of the differential amplitude is changed to the common amplitude is generated. When common noise is induced and resonates on the substrate, large radiation noise is generated at the frequency of the common noise.

そのため、ペア配線80、81を形成するまでの正相信号と逆相信号との配線(引き出し線)の長さをそろえるのが望ましい。しかしながら、このためには、個別の引き出し線をわざわざ遠回りさせる必要があり、本来は不要な配線領域を占めてしまう。また、差動信号が多数ある場合には、他の信号の配線引き出しを困難にする場合がある。さらに、基板の設計に時間を要し、開発コストの上昇を招くことになる。   For this reason, it is desirable to align the lengths of the wirings (leading lines) of the normal phase signal and the negative phase signal until the pair wirings 80 and 81 are formed. However, for this purpose, it is necessary to bother the individual lead lines and occupy an originally unnecessary wiring area. In addition, when there are a large number of differential signals, it may be difficult to draw out other signals. Furthermore, it takes time to design the substrate, leading to an increase in development cost.

これに対して、上記実施の形態1〜4で示した多層基板であれば、送信側でのモード変換で発生したコモンノイズは、伝搬中に減衰し、共振が発生しにくい。そのため、送信側の引き出し線における等長処理が不要となり、余計な配線領域を必要とせず、さらに基板設計に要する時間をも短縮することができる。   On the other hand, in the multilayer substrates shown in the first to fourth embodiments, common noise generated by mode conversion on the transmission side is attenuated during propagation, and resonance hardly occurs. This eliminates the need for equal length processing in the transmission line on the transmission side, eliminates the need for an extra wiring area, and further reduces the time required for board design.

なお、受信側のパッケージ基板、または受信側のコネクタに接続された別の基板も、上記実施の形態1〜4で示した基板であれば、受信側の引き出し線における等長処理が不要となり、さらに設計に要する時間と開発コストを削減することができる。また、この形態は、半導体チップ内の再配線層に対しても、同じ効果を得ることができる。   If the receiving-side package substrate or another substrate connected to the receiving-side connector is also the substrate shown in the first to fourth embodiments, equal length processing in the receiving-side lead line is not necessary. Furthermore, design time and development costs can be reduced. Further, this embodiment can obtain the same effect on the rewiring layer in the semiconductor chip.

1 誘電体材料、10 誘電正接の小さい誘電体層、11 誘電正接の大きい誘電体層、20 GNDプレーン、30 配線層、40 電気力線、50 ガラス繊維、60 BGAパッケージ用パッド、70 コネクタピン用スルーホール、80、81 ペア配線、100 両面ともに銅箔がない低誘電正接材料、101 片面に配線が形成された低誘電正接材料、110 両面ともに銅箔がない高誘電正接材料、111 片面に銅箔がある高誘電正接材料、301 正相信号配線、302 逆相信号配線。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric material, 10 Dielectric layer with a small dielectric loss tangent, 11 Dielectric layer with a large dielectric loss tangent, 20 GND plane, 30 Wiring layer, 40 Electric field lines, 50 Glass fiber, 60 BGA package pad, 70 For connector pins Through hole, 80, 81 pair wiring, 100 Low dielectric loss tangent material without copper foil on both sides, 101 Low dielectric loss tangent material with wiring formed on one side, 110 High dielectric loss tangent material without copper foil on both sides, 111 Copper on one side High dielectric loss tangent material with foil, 301 positive phase signal wiring, 302 reverse phase signal wiring.

Claims (15)

差動信号を伝送する信号配線を含む配線層と、
全面または部分的なグランドプレーンを含み、1つまたは2つ以上の前記配線層に対して上下に配置されたグランド層と、
前記配線層と前記グランド層との間に設けられた誘電体層と、を備え、
前記作動信号を伝送する前記信号配線は、ペア配線を構成し、
前記誘電体層は、
誘電正接の互いに異なる前記配線層側の第1誘電体層および前記グランド層側の第2誘電体層を有し、
前記第1誘電体層は、前記ペア配線の間、左右および上下を包み込んで設けられ、
前記第1誘電体層の誘電正接は、前記第2誘電体層の誘電正接よりも小さい
ことを特徴とする多層基板。
A wiring layer including signal wiring for transmitting a differential signal;
Look containing a full or partial ground plane, a ground layer disposed up and down with respect to one or more of the wiring layers,
A dielectric layer provided between the wiring layer and the ground layer,
The signal wiring for transmitting the operation signal constitutes a pair wiring,
The dielectric layer is
A first dielectric layer on the wiring layer side and a second dielectric layer on the ground layer side having different dielectric loss tangents,
The first dielectric layer is provided so as to wrap around the left and right and top and bottom between the pair wirings,
A multilayer substrate, wherein a dielectric loss tangent of the first dielectric layer is smaller than a dielectric loss tangent of the second dielectric layer.
前記第1誘電体層および前記第2誘電体層からなる前記誘電体層は、誘電正接の互いに異なる複数の基板材料を積層した構造を有している
ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
It said first dielectric layer and the dielectric layer made of the second dielectric layer, according to claim 1, characterized in that it has a structure obtained by stacking a plurality of different substrate materials to each other of the dielectric loss tangent Multilayer board.
前記誘電正接の互いに異なる複数の基板材料は、ガラスと樹脂とを組み合わせた第1樹脂含有ガラス繊維基板材料、前記第1樹脂含有ガラス繊維基板材料とはガラスと樹脂との組み合わせが異なる第2樹脂含有ガラス繊維基板材料、樹脂のみの第1基板材料、および前記第1基板材料とは材質の異なる樹脂のみの第2基板材料のうち、何れか2種類以上の組み合わせである
ことを特徴とする請求項に記載の多層基板。
The plurality of substrate materials having different dielectric loss tangents are a first resin-containing glass fiber substrate material in which glass and resin are combined, and the first resin-containing glass fiber substrate material is different in a combination of glass and resin. It is a combination of any two or more of a glass fiber substrate material containing material, a first substrate material made of resin only, and a second substrate material made of resin different from the first substrate material. Item 3. The multilayer substrate according to Item 2 .
前記第1誘電体層および前記第2誘電体層からなる前記誘電体層は、樹脂含有ガラス繊維であって、ガラス繊維の厚さ方向の片面または両面に樹脂のみの厚みを積み増して形成された1種類または2種類以上の基板材料を、2枚以上積み重ねた構造を有している
ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
The dielectric layer composed of the first dielectric layer and the second dielectric layer is a resin-containing glass fiber, and is formed by increasing the thickness of only the resin on one or both sides in the thickness direction of the glass fiber. The multilayer substrate according to claim 1, wherein the multilayer substrate has a structure in which one or two or more types of substrate materials are stacked.
記ペア配線は、前記ペア配線の両端で、信号受信側のペア配線端から先の正相と逆相との配線長がほぼ等しく、信号送信側のペア配線端から先の正相と逆相との配線長に差がある配線形状を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項までの何れか1項に記載の多層基板。
Before Symbol pair wiring, the both ends of the pair wiring, substantially equal wiring lengths of the previous positive phase and negative phase from pair wiring end of the signal receiving side, a positive phase above the pair wiring terminal of the signal transmitting side and the opposite The multilayer substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the multilayer substrate has a wiring shape having a difference in wiring length with a phase.
記ペア配線は、前記ペア配線の両端で、信号送信側のペア配線端から先の正相と逆相との配線長がほぼ等しく、信号受信側のペア配線端から先の正相と逆相との配線長に差がある配線形状を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項までの何れか1項に記載の多層基板。
Before Symbol pair wiring, the both ends of the pair wiring, substantially equal wiring length is the previous positive phase and negative phase from pair wiring terminal of the signal transmitting side, ahead of the positive phase from the pair wiring end of the signal receiving side and the opposite The multilayer substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the multilayer substrate has a wiring shape having a difference in wiring length with a phase.
記ペア配線は、前記ペア配線の両端のそれぞれで、ペア配線端から正相と逆相との配線長に差がある配線形状を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項までの何れか1項に記載の多層基板。
Before Symbol pair wiring at each of both ends of the pair wiring, from claim 1, characterized in that the pair wiring end having a wiring shape having a difference in the wiring length between the positive phase and the negative phase to claim 4 The multilayer substrate according to any one of the above.
請求項1から請求項までの何れか1項に記載の多層基板を用いたことを特徴とするプリント回路基板。 Printed circuit board characterized by using the multilayer substrate according to any one of claims 1 to 7. 請求項1から請求項までの何れか1項に記載の多層基板を用いたことを特徴とする半導体パッケージ基板。 A semiconductor package substrate using the multilayer substrate according to any one of claims 1 to 7 . 請求項に記載の半導体パッケージ基板を用いたことを特徴とする半導体パッケージ。 A semiconductor package using the semiconductor package substrate according to claim 9 . 差動信号を伝送する信号配線を含む配線層と、
全面または部分的なグランドプレーンを含み、1つまたは2つ以上の前記配線層に対して上下に配置されたグランド層と、
前記配線層と前記グランド層との間に設けられた誘電体層と、を備え、
前記作動信号を伝送する前記信号配線は、ペア配線を構成し、
前記誘電体層は、
誘電正接の互いに異なる前記配線層側の第1誘電体層および前記グランド層側の第2誘電体層を有し、
前記第1誘電体層は、前記ペア配線の間、左右および上下を包み込んで設けられ、
前記第1誘電体層の誘電正接は、前記第2誘電体層の誘電正接よりも小さい
ことを特徴とする半導体チップ。
A wiring layer including signal wiring for transmitting a differential signal;
Look containing a full or partial ground plane, a ground layer disposed up and down with respect to one or more of the wiring layers,
A dielectric layer provided between the wiring layer and the ground layer,
The signal wiring for transmitting the operation signal constitutes a pair wiring,
The dielectric layer is
A first dielectric layer on the wiring layer side and a second dielectric layer on the ground layer side having different dielectric loss tangents,
The first dielectric layer is provided so as to wrap around the left and right and top and bottom between the pair wirings,
A semiconductor chip, wherein a dielectric loss tangent of the first dielectric layer is smaller than a dielectric loss tangent of the second dielectric layer.
前記第1誘電体層および前記第2誘電体層からなる前記誘電体層は、誘電正接の互いに異なる複数の誘電体材料を積層した構造を有している
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体チップ。
The dielectric layer made of the first dielectric layer and said second dielectric layer, to claim 11, characterized in that it has a plurality of different dielectric materials have a layered structure of dielectric loss tangent The semiconductor chip described.
請求項に記載の半導体パッケージ基板、および請求項11または請求項12に記載の半導体チップの少なくとも1つを用いたことを特徴とする半導体デバイス。 A semiconductor device using at least one of the semiconductor package substrate according to claim 9 and the semiconductor chip according to claim 11 or 12 . 請求項に記載のプリント回路基板、請求項11または請求項12に記載の半導体チップ、および請求項13に記載の半導体デバイスの少なくとも1つを用いたことを特徴とする情報処理装置。 An information processing apparatus using at least one of the printed circuit board according to claim 8 , the semiconductor chip according to claim 11 or claim 12 , and the semiconductor device according to claim 13 . 請求項に記載のプリント回路基板、請求項11または請求項12に記載の半導体チップ、および請求項13に記載の半導体デバイスの少なくとも1つを用いたことを特徴とする通信装置。 Printed circuit board according to claim 8, the communication device characterized by using at least one of the semiconductor devices according to the semiconductor chip, and claim 13 of claim 11 or claim 12.
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