JP5918278B2 - 応力に関連した温度測定誤差を除去するように構成されたマイクロワイヤ温度センサおよびそのセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2011年3月9日に出願され、出願番号が第61/464,682号であり、参照によってその全内容が本書に組み込まれた仮出願の利益を請求する。
発明の技術分野
本発明は、広く、熱処理の経過中の材料の温度(例えば、硬化前または硬化後の温度範囲)を正確に検出するために、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)、他の硬化性ポリマー、エラストマー、ゴムコンパウンド、セラミック材料、セメント、またはコンクリートのような熱処理可能または硬化可能な材料の内部に部分的または完全に埋め込まれるように特別に設計された、改善されたマイクロワイヤ温度センサに関する。より具体的には、本発明は、マイクロワイヤの再磁化応答に感知可能なほどの磁気的偏りを与えない材料で形成されかつ実質的に剛性のある端部が閉じた保護チューブの内部に収容されて内包された少なくとも1つの温度検出用プライマリマイクロワイヤを有するようなセンサに関し、好ましい形態では、温度検出用プライマリマイクロワイヤ、および/またはキャリブレーションマイクロワイヤ、および/またはリファレンスマイクロワイヤを含む複数のマイクロワイヤが保護チューブの内部に配置される。保護チューブの使用は、より正確な温度検出を行なうために、材料の加熱または硬化中に材料の中に創出された応力からマイクロワイヤを隔離する。さらに、歪みは、材料の硬化後の最終寸法が(例えば、収縮によって)開始時の寸法と異なることによって引き起こされ、所定のあらゆる温度でマイクロワイヤの再磁化応答を変化させるので、不正確な温度測定を引き起こす場合があり、これらの保護チューブは、マイクロワイヤがそのような歪みを生じないようにする。最後に、これらの保護チューブは、材料の硬化後の加熱または冷却中の伸縮による応力からマイクロワイヤを隔離するので、硬化後のいつでも材料または部品の正確な温度測定ができるようになる。
「磁気素子の温度センサ」と名称を付けられた米国特許公開第2007/0263699号、「マイクロワイヤコントロールのオートクレーブおよび方法」と名称を付けられた第2008/0175753号、および「磁気素子の温度センサ」と名称を付けられた第2010/0322283号には、マイクロワイヤ温度センサおよびそのようなセンサと共に使用される温度検出装置全体の一般的構成および動作が記載されている。大まかに言えば、これらのマイクロワイヤセンサは、少なくとも1つの温度検出用マイクロワイヤを含み、そのマイクロワイヤは、アモルファスまたはナノ結晶の合金コアを長尺なワイヤまたはリボンの形態で、そのコアを取り囲むガラスシースまたはコーティングと共に有する(’753公報の図1を参照すること)。マイクロワイヤが加えられた交番磁界の影響下での特徴的な再磁化応答を示し、さらにマイクロワイヤの再磁化応答が設定点温度よりも下または上で著しく異なるような設定点温度(通常、キュリー温度またはキュリー温度よりも下の領域の中の温度のあらゆる数値)を有するように、そのような温度検出用マイクロワイヤの合金コアは、注意深く設計される。再磁化応答は、定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスによって定義される。マイクロワイヤのキュリー温度に到達すると同時に、検出された応答の電圧は、ゼロまたは略ゼロになる。
本発明は、上記の問題を解消し、CFRP複合材料、他の硬化性ポリマー、エラストマー、ゴムコンパウンド、セラミック材料、セメント、またはコンクリートのような材料の熱硬化または硬化の経過中の非常に正確な温度情報を与える改善された埋め込み可能な温度センサを提供する。さらに、これらのセンサは、硬化プロセスによって先行技術のセンサの中に永続的に引き起こされた応力に起因した誤差を防ぐので、硬化後のいつでも非常に正確な温度情報を与えられるという効果がある。
次に、図面について説明すると、本発明の改善された耐応力性のセンサ10は、マイクロワイヤアセンブリ14を収容する、端部が閉じた外側の保護チューブ12で広く構成される。アセンブリ14は、少なくとも1つの温度検出用プライマリマイクロワイヤ16、および特徴的には、少なくとも1つ、より好ましくは、2つの異なる追加のマイクロワイヤを有し、その追加のマイクロワイヤのそれぞれは、個別の機能を果たす。具体的には、追加のマイクロワイヤは、リファレンスマイクロワイヤ18および/またはキャリブレーションマイクロワイヤ20を有する。従って、各アセンブリ14は、温度検出用プライマリマイクロワイヤ16、および好ましくはリファレンスマイクロワイヤ18またはキャリブレーションマイクロワイヤ20のいずれか、あるいは両方を常に含む。
保護チューブ12は、内部のマイクロワイヤアセンブリ14を保護するのに十分な構造的完全性を有しかつ略ゼロまたはゼロの磁化を有するあらゆる材料で形成される。重要なのは、チューブ12が温度検出中にマイクロワイヤの再磁化応答を変化させないように、アセンブリ14を形成するマイクロワイヤに磁気的偏りを与えないことである。チューブ12に適した材料は、常磁性金属、略ゼロまたはゼロの磁化を有する合金、ガラス、セラミックス、および高温合成樹脂ポリマーを含む。チューブ12の製作に使用される最も好ましい材料は、メムリコーポレーションから合金BBチューブとしてチューブ形態で市販されている超弾性形状記憶合金のニチノール金属(NiTi)である。この材料が好ましいのは、ねじれにくく、さらにその形状の変化の影響を受けにくいからである。図示されたチューブ12は、内径0.007インチ(0.18mm)かつ外径0.010インチ(0.25mm)のニチノールチュービングBB(製品番号DM5408)で形成された。保護チューブは、好ましくは約20〜45mm、より好ましくは約25〜35mm、最も好ましくは約32mmの長さを有する。マイクロワイヤアセンブリ14が切断されたチューブの内部に配置された後、そのチューブの端部が、圧着、はんだ付け、ろう付け、接着、またはレーザシーリングによって閉じられるが、保護チューブの内部への異物の侵入を防ぐのに十分なシールが設けられさえすれば、チューブを閉じる方法は重要ではない。
マイクロワイヤ16の機能は、温度センサによって測定されるように望まれた温度範囲の少なくとも一部にわたって、好ましくは実質的に全温度範囲の全体にわたって、加えられた交番磁界の影響下での、磁気的に影響されやすく温度に敏感な再磁化応答を設けることである。この応答は、定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスによって定義され、マイクロワイヤ16の設定点温度(一般的には、キュリー温度)よりも上と下とで異なる。通常、これらの応答は、検出用アンテナおよびそのアンテナに結合された検出装置によって鋭い電圧パルスとして検出可能である。検出された電圧パルスは、外部の交番磁界によって応答信号が要求された際のマイクロワイヤの再磁化(1つの双安定の磁気分極から別の磁気分極への磁気極性の急激な変化)によってもたらされる。ピーク電圧振幅、パルス形状、および持続時間のような検出された電圧パルスの検出可能なパラメータは、マイクロワイヤ16の温度と共に変化する(これらの同じ検出現象は、本書に開示された他のマイクロワイヤにも当てはまる)。通常、マイクロワイヤ16は、室温よりも下からマイクロワイヤ16のキュリー温度(通常、400℃よりも低い)までの温度にわたって機能するであろう。マイクロワイヤ16を使用して材料の熱処理(例えば、熱硬化)中の温度を検出する場合には、その温度の範囲は、対応した温度範囲または特に関心のある範囲の一部になるであろう。
リファレンスマイクロワイヤ18は、形状、直径、および長さがプライマリマイクロワイヤ16に類似し、ガラスコーティングされたアモルファスまたはナノ結晶の合金として同様に製作されるので、ワイヤまたはリボン50およびガラスコーティング52を有する。リファレンスマイクロワイヤ18およびプライマリマイクロワイヤ16の間の相違点は、プライマリマイクロワイヤ16と比較して異なる合金を使用したことに起因するそれらの磁気特性の中に存在する。
キャリブレーションマイクロワイヤ20は、形状、直径、および長さがプライマリマイクロワイヤ16に同様に類似し、長尺なアモルファスまたはナノ結晶の合金ワイヤまたはリボン54および周囲のガラスコーティング56を有する。マイクロワイヤ20は、プライマリマイクロワイヤ16の設定点温度以下のキュリー温度を有し、設定されたキュリー温度は、プライマリマイクロワイヤ16のキュリー温度よりも著しく低いのが好ましい。キャリブレーションマイクロワイヤ20は、加えられた交番磁界の影響下での特徴的な再磁化応答を、その設定点温度よりも上と下とで定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスの形態で同様に有する。
図3は、プライマリマイクロワイヤ16およびリファレンスマイクロワイヤ18を有する2ワイヤのマイクロワイヤアセンブリ14を示すのに対して、図2は、マイクロワイヤ16、リファレンスマイクロワイヤ18、およびキャリブレーションマイクロワイヤ20を有する好ましい3ワイヤのマイクロワイヤアセンブリ14aを示す。いずれの場合でも、アセンブリ14または14aは、保護チューブ12の内部に収容され、それによって2ワイヤのマイクロワイヤセンサ10(図3)または3ワイヤのマイクロワイヤセンサ10a(図2)を生じる。
図4は、本発明の改善されたセンサ10を使用し、図1に示されたグラフ表示のテストに類似した方法で行なわれたテストのグラフ表示である。具体的には、二硫化モリブデン粉末のドライ潤滑剤で覆われかつニチノールチューブ12に内包されたマイクロワイヤアセンブリ14を有する2ワイヤのマイクロワイヤ温度センサ10は、タイプEの熱電対に対して比較テストされた。センサ10および熱電対が、CFRP複合材料パネルの同じ層の内部に埋め込まれ、次に、パネルが、従来通り熱硬化された。硬化中に、センサ10および熱電対から導出された温度データが収集された。「TC001」と表示された曲線は、熱電対から導出されたデータであったのに対して、「チャンネル1」の曲線は、センサ10から推定された温度データであった。図4の接近したテスト結果は、マイクロワイヤセンサが、熱電対と比較して基本的に同一の温度データを与えたことを裏付けている。
Claims (10)
- 端部が閉じた外側のチューブと、
前記チューブに内包され、かつ加えられた交番磁界の影響下での再磁化応答を有し、かつ選定された温度範囲にわたって材料の温度を検出するように動作可能な、長尺な、磁気的に影響を受ける温度検出用プライマリマイクロワイヤと、を含み、
前記プライマリマイクロワイヤの再磁化応答は、定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスによって定義され、かつプライマリマイクロワイヤの設定点温度よりも上と下とで異なり、前記プライマリマイクロワイヤの設定点温度は、前記プライマリマイクロワイヤのキュリー温度以下であり、
前記チューブは、前記材料の加熱中に前記材料によって前記チューブの上にかけられる力を防ぎ、前記チューブの内部にある前記プライマリマイクロワイヤを変形させないようにすることが可能である材料温度センサ。 - 前記チューブの内部に複数のマイクロワイヤがある請求項1に記載のセンサ。
- 前記複数のマイクロワイヤは、マイクロワイヤの束を形成するために共に接着される請求項2に記載の温度センサ。
- 前記チューブの内部にキャリブレーションマイクロワイヤおよび/またはリファレンスマイクロワイヤがある請求項2または3に記載のセンサ。
- 前記チューブは、常磁性金属、略ゼロまたはゼロの磁化を有する合金、ガラス、セラミックス、および合成樹脂ポリマーから成る群から選択された材料で形成される請求項1〜4のいずれか1項に記載のセンサ。
- 前記チューブは、前記プライマリマイクロワイヤよりも大きい内容積を有するサイズであり、それによって前記プライマリマイクロワイヤは、前記チューブの内部の限られた範囲内を自由に動くことができる請求項1〜5のいずれか1項に記載の温度センサ。
- 端部が閉じた外側のチューブと、
前記チューブの内部にあるセンサアセンブリと、を有し、前記センサアセンブリは、
加えられた交番磁界の影響下での再磁化応答を有し、かつ選定された温度範囲にわたって材料の温度を検出するように動作可能な、長尺な、磁気的に影響を受ける温度検出用プライマリマイクロワイヤと、
前記加えられた交番磁界の影響下での前記プライマリマイクロワイヤの前記再磁化応答と異なる再磁化応答を有する、長尺な、磁気的に影響を受けるリファレンスマイクロワイヤと、を含み、
前記プライマリマイクロワイヤの再磁化応答は、定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスによって定義され、かつプライマリマイクロワイヤの設定点温度よりも上と下とで異なり、前記プライマリマイクロワイヤのパルスは、電圧パルスとして検出可能であり、前記プライマリマイクロワイヤの設定点温度は、前記プライマリマイクロワイヤのキュリー温度以下であり、
前記温度範囲内の任意の所定の材料の温度で検出された前記プライマリマイクロワイヤの電圧パルスの経時的積分は、第1の大きさを有し、
前記リファレンスマイクロワイヤの再磁化応答は、定義された継続時間の磁界摂動の少なくとも1つの短い検出可能なパルスによって定義され、前記リファレンスマイクロワイヤのパルスは、電圧パルスとして検出可能であり、前記リファレンスマイクロワイヤの再磁化応答は、前記温度範囲の全体にわたって実質的に一定であり、
前記所定の材料の温度で検出された前記リファレンスマイクロワイヤの電圧パルスの経時的積分は、第2の大きさを有し、
前記第1と前記第2の大きさの商は、前記材料の温度を決定するための一部に使用される係数値を生じ、
前記チューブは、前記材料の硬化中に前記材料によって前記チューブの上にかけられる力を防ぎ、前記チューブの内部にある前記センサアセンブリを変形させないようにすることが可能である材料温度センサ。 - 前記プライマリおよび前記リファレンスマイクロワイヤは、マイクロワイヤの束を形成するために共に接着され、前記束は、前記材料の硬化中に前記チューブの内部での前記プライマリおよび前記リファレンスマイクロワイヤの相対的位置を維持するように動作可能である請求項7に記載の温度センサ。
- 前記チューブは、前記センサアセンブリよりも大きい内容積を有するサイズであり、それによって前記センサアセンブリは、前記チューブの内部の限られた範囲内を自由に動くことができる請求項7または8に記載の温度センサ。
- 前記チューブは、常磁性金属、略ゼロまたはゼロの磁化を有する合金、ガラス、セラミックス、および合成樹脂ポリマーから成る群から選択された材料で形成される請求項7〜9のいずれか1項に記載の温度センサ。
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