JP5907019B2 - Thin glass cutting method and thin glass - Google Patents

Thin glass cutting method and thin glass Download PDF

Info

Publication number
JP5907019B2
JP5907019B2 JP2012203278A JP2012203278A JP5907019B2 JP 5907019 B2 JP5907019 B2 JP 5907019B2 JP 2012203278 A JP2012203278 A JP 2012203278A JP 2012203278 A JP2012203278 A JP 2012203278A JP 5907019 B2 JP5907019 B2 JP 5907019B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin glass
cutting
assist gas
glass
glass substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012203278A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013075818A (en
Inventor
孝英 藤居
孝英 藤居
勢津夫 内田
勢津夫 内田
尚利 稲山
尚利 稲山
隆行 野田
隆行 野田
翔 伊東
翔 伊東
道治 江田
道治 江田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Glass Co Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Glass Co Ltd filed Critical Nippon Electric Glass Co Ltd
Priority to JP2012203278A priority Critical patent/JP5907019B2/en
Publication of JP2013075818A publication Critical patent/JP2013075818A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5907019B2 publication Critical patent/JP5907019B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Description

本発明は、500μm以下の厚みの薄板ガラス板を溶断する切断技術の改良に関する。   The present invention relates to improvement of a cutting technique for fusing a thin glass plate having a thickness of 500 μm or less.

従来、ガラス板を切断する方法としては、ガラス板の表面にダイヤモンドカッタなどでスクライブ線を形成した後、そのスクライブ線に曲げ応力を作用させて割断する方法(曲げ応力による割断)が広く用いられている。   Conventionally, as a method of cutting a glass plate, a method of forming a scribe line on the surface of the glass plate with a diamond cutter and then cleaving the scribe line by applying a bending stress (cleaving by a bending stress) is widely used. ing.

しかしながら、上記の曲げ応力を利用した切断方法の場合、切断面にクラックが形成され易く、そのクラックを起点としてガラス板が破損するという問題が生じるおそれがあった。そこで、上記の曲げ応力を利用した切断方法に代えて、レーザビームをガラス板の切断部に照射し、その照射熱によって切断部を溶融して切断する、いわゆる溶断が採用される場合もある。   However, in the case of the cutting method using the above bending stress, a crack is likely to be formed on the cut surface, and there is a concern that the glass plate may be damaged starting from the crack. Therefore, instead of the above-described cutting method using bending stress, so-called fusing may be employed in which a laser beam is irradiated onto a cutting portion of a glass plate and the cutting portion is melted and cut by the irradiation heat.

この種の溶断によるガラス板の切断方法としては、例えば特許文献1には、デフォーカスした炭酸ガスレーザ光により予備加熱を行った後に、微小点に集光した炭酸ガスレーザ光を集光した炭酸ガスレーザ光を被切断部に照射することにより溶断することが開示されている。   As a method for cutting a glass plate by this type of fusing, for example, Patent Document 1 discloses a carbon dioxide laser beam obtained by condensing a carbon dioxide laser beam focused on a minute point after preheating with a defocused carbon dioxide laser beam. It is disclosed that fusing is performed by irradiating a portion to be cut.

特開昭60−251138号公報JP-A-60-251138

ところで、特許文献1では、主として1mm以上の厚板ガラスを所定形状に切断することを課題としているが、このような厚板ガラスは、機械的強度に優れている。   By the way, in patent document 1, although it is made into the subject to mainly cut | disconnect thick glass of 1 mm or more in a predetermined shape, such thick glass is excellent in mechanical strength.

これに対し、近年、ディスプレイ用途等に用いられている薄板ガラス、特に500μm以下の厚みの薄板ガラスの場合、上記の厚板ガラスに比して、機械的強度が遥かに弱い。そのため、かかる薄板ガラスを溶断により切断する場合には次のような特有の問題が生じ得る。   On the other hand, in the case of a thin glass used for display applications in recent years, particularly a thin glass having a thickness of 500 μm or less, the mechanical strength is much weaker than that of the above thick glass. Therefore, when cutting such a thin glass plate by fusing, the following specific problems may occur.

すなわち、第一に、薄板ガラスを溶断後に分離する際に溶断端面同士が接触すると、薄板ガラスが容易に破損するという問題がある。そのため、溶断により薄板ガラスの切断部を溶融除去して、溶断後に対向する薄板ガラスの溶断端面間の隙間をある程度確保する必要がある。   That is, first, there is a problem that the thin glass is easily damaged when the melted end faces come into contact with each other when the thin glass is separated after the melting. Therefore, it is necessary to melt and remove the cut portion of the thin glass by fusing, and to secure a certain gap between the fusing end faces of the thin glass facing each other after fusing.

第二に、薄板ガラスに加えられる熱量が大きくなると、図13に示すように、溶融状態にある切断部Cが下方に垂れ下がるなどして、薄板ガラスGの溶断端面近傍に形状不良が生じるという問題がある。このような形状不良が生じると、製品として供することができずに不良品として扱わざるを得ない事態を招く。そして、このような薄板ガラスの溶断端面近傍の形状不良は、薄板ガラスの溶融除去量を増加させて溶断端面間の隙間を大きくするに連れて顕著になる。そのため、薄板ガラスの溶断端面間の隙間を過度に大きくすることはできない。更に、熱量が多くなるため、溶断端面付近のガラス温度も上昇し、歪により薄板ガラスが変形したり、破損したりするおそれがある。   Second, when the amount of heat applied to the thin glass increases, as shown in FIG. 13, the cut portion C in a molten state hangs down, and a shape defect occurs in the vicinity of the fused end surface of the thin glass G. There is. When such a shape defect occurs, the product cannot be used as a product and must be handled as a defective product. Such a defective shape in the vicinity of the cut end surface of the thin glass becomes more prominent as the amount of melt removal of the thin glass is increased to increase the gap between the cut end surfaces. Therefore, the gap between the melted end faces of the thin glass cannot be excessively increased. Furthermore, since the amount of heat increases, the glass temperature in the vicinity of the fused end surface also rises, and there is a possibility that the thin glass is deformed or broken due to strain.

したがって、薄板ガラスを溶断して切断する場合には、溶断によって形成される溶断端面間の隙間を厳格に管理する必要があるが、特許文献1を始め、従来このような観点から対策が講じられていないのが実情である。   Therefore, when the thin glass is cut by fusing, it is necessary to strictly manage the gap between the fusing end faces formed by fusing, but measures have been taken from this point of view, including Patent Document 1. The fact is not.

本発明は、以上の実情に鑑み、薄板ガラスをレーザビームの照射熱で溶断するに際し、薄板ガラスの溶断端面間の隙間を管理し、溶断端面近傍の形状を良好に維持することを技術的課題とする。   In view of the above circumstances, the present invention manages the gap between the melted end faces of the thin glass when the thin glass is melted by the irradiation heat of the laser beam, and maintains a good shape near the melted end face. And

上記の課題を解決するために創案された発明は、500μm以下の厚みの薄板ガラスの切断部にレーザビームを照射し、前記薄板ガラスを溶断する薄板ガラス切断方法であって、前記薄板ガラスの厚みをa、前記切断部で対向する前記薄板ガラスの溶断端面間の最小隙間をbとした場合に、0.1≦b/a≦2なる関係を満足するように前記最小隙間を管理することに特徴づけられる。   The invention devised to solve the above problems is a thin glass cutting method for irradiating a cutting portion of a thin glass having a thickness of 500 μm or less with a laser beam and fusing the thin glass, and the thickness of the thin glass A, and when the minimum gap between the melted end faces of the thin glass facing each other at the cutting part is b, the minimum gap is managed so as to satisfy the relationship of 0.1 ≦ b / a ≦ 2. Characterized.

このような方法によれば、薄板ガラスの厚みとの相対的な関係で、薄板ガラスの溶断端面間の隙間が厳格に管理されることから、薄板ガラスの溶断端面近傍の形状を良好に維持しつつ、溶断された薄板ガラスを安全に分離することができる。更には、歪による薄板ガラスの変形や破損を回避することが可能となる。一方、b/aが2を超えると、溶断により溶融除去される薄板ガラスの量が多くなり過ぎて、溶断端面近傍に付与される熱量が過度に大きくなる。その結果、薄板ガラスの溶断端面近傍に垂れ下がりなどの形状不良が生じたり、歪による薄板ガラスの変形や破損が発生するおそれがある。また、b/aが0.1未満になると、溶断端面同士が接近し過ぎ、分離時に溶断端面同士が接触して薄板ガラスが破損するおそれがある。   According to such a method, since the gap between the fused end faces of the thin glass is strictly managed in a relative relationship with the thickness of the thin glass, the shape in the vicinity of the fused end face of the thin glass is favorably maintained. Meanwhile, the blown thin glass can be safely separated. Furthermore, it becomes possible to avoid the deformation | transformation and damage of the sheet glass by distortion. On the other hand, if b / a exceeds 2, the amount of thin glass that is melted and removed by fusing increases too much, and the amount of heat applied to the vicinity of the fusing end surface becomes excessively large. As a result, there is a possibility that a shape defect such as sagging may occur in the vicinity of the fused end surface of the thin glass, or deformation or breakage of the thin glass due to strain may occur. Moreover, when b / a is less than 0.1, the melted end surfaces are too close to each other, and the melted end surfaces are in contact with each other at the time of separation, and the thin glass plate may be damaged.

上記の方法において、前記レーザビームをデフォーカスの状態で前記切断部に照射することが好ましい。   In the above method, it is preferable to irradiate the cutting portion with the laser beam in a defocused state.

すなわち、薄板ガラスが溶断の対象であるから、デフォーカスしたレーザビームであっても切断部を十分に溶断することが可能となる。そして、このようにデフォーカスしたレーザビームを切断部に照射する場合、レーザビームのエネルギー密度が、切断部に対応する位置で小さくなることから、照射位置周辺におけるエネルギーの変化量も小さくなる。そのため、ガラス板の反りや振動などによって、照射位置が多少変動したとしても、切断部に加わる照射熱が変化し難く、ほぼ同条件で溶断を実行することができるという利点がある。   That is, since the thin glass is a target to be melted, the cut portion can be sufficiently melted even with a defocused laser beam. When the laser beam thus defocused is irradiated onto the cutting part, the energy density of the laser beam is reduced at a position corresponding to the cutting part, and thus the amount of change in energy around the irradiation position is also reduced. Therefore, even if the irradiation position varies somewhat due to warpage or vibration of the glass plate, there is an advantage that the irradiation heat applied to the cutting portion hardly changes and the fusing can be executed under substantially the same conditions.

上記の方法において、前記レーザビームのスポット径が、前記薄板ガラスの溶断端面間の最小隙間よりも小さいことが好ましい。   In the above method, it is preferable that a spot diameter of the laser beam is smaller than a minimum gap between the melted end faces of the thin glass.

このようにすれば、実際に溶融除去される範囲よりも狭い範囲にレーザビームが照射される。そのため、レーザビームの照射部からの熱伝導によって、薄板ガラスの溶断端面に対してアニール処理が施されることが期待できる。したがって、このようにアニール効果がある場合には、1回のレーザビームの照射によって、薄板ガラスの溶断と溶断端面のアニール処理を同時に行うことができ、後工程等で別途アニール処理を施す必要がなくなる。   In this way, the laser beam is irradiated in a narrower range than the range that is actually melted and removed. Therefore, it can be expected that annealing treatment is performed on the cut end surface of the thin glass sheet by heat conduction from the laser beam irradiation part. Therefore, when there is an annealing effect in this way, it is possible to simultaneously perform the fusing of the thin glass and the annealing of the cut end surface by one laser beam irradiation, and it is necessary to separately carry out the annealing treatment in a subsequent process or the like. Disappear.

上記の方法において、前記溶断端面が、凸曲面をなすことが好ましい。   In the above method, it is preferable that the fusing end surface has a convex curved surface.

このようにすれば、薄板ガラスの溶断端面は、面取りを施した場合と同等以上の効果が得られ、端面強度が上がる。そのため、切断工程以後の工程に流した際に端面に欠けが生じ難くなり、取り扱いが容易になると共に歩留まりが向上するという利点がある。   If it does in this way, the effect more than equivalent to the case where chamfering is performed will be acquired and the end surface intensity | strength will raise the fusing end surface of thin glass. For this reason, there is an advantage that chipping is unlikely to occur on the end face when flowing to the process after the cutting process, and handling is facilitated and the yield is improved.

上記の方法において、前記溶断端面が、火造り面であることが好ましい。   In the above method, the fusing end surface is preferably a fire-making surface.

このようにすれば、薄板ガラスの溶断端面の表面が滑らかに連続するため、溶断端面からの発塵を防止することができる。また、このように溶断端面の表面が滑らかになると、パーティクルが入り込み難くなるため、工程での汚れを防止することもできる。   If it does in this way, since the surface of the fusing end surface of thin glass will continue smoothly, dust generation from a fusing end surface can be prevented. In addition, when the surface of the fusing end surface becomes smooth in this way, it becomes difficult for particles to enter, and thus contamination in the process can be prevented.

上記の方法において、前記溶断端面の算術平均粗さRaが、0.3μm以下であって、且つ、粗さ曲線要素の平均長さRSmが、150μm以上であることが好ましい。ここでいう算術平均粗さRa及び粗さ曲線要素の平均長さRSmは、JIS 2001に基づくものとする。   In the above method, it is preferable that the arithmetic average roughness Ra of the fusing end face is 0.3 μm or less, and the average length RSm of the roughness curve element is 150 μm or more. Here, the arithmetic average roughness Ra and the average length RSm of the roughness curve element are based on JIS 2001.

このようにすれば、薄板ガラスの溶断端面の表面が滑らかに連続するため、溶断端面からの発塵を防止することができる。また、このように溶断端面の表面が滑らかになると、パーティクルが入り込み難くなるため、工程での汚れを防止することもできる。一方、Raが0.3μmを越えたり、RSmが150μm未満となる場合には、薄板ガラスの溶断端面が粗面(ザラザラの状態)となって、溶断端面にパーティクルが入り込んで除去し難くなる。   If it does in this way, since the surface of the fusing end surface of thin glass will continue smoothly, dust generation from a fusing end surface can be prevented. In addition, when the surface of the fusing end surface becomes smooth in this way, it becomes difficult for particles to enter, and thus contamination in the process can be prevented. On the other hand, when Ra exceeds 0.3 μm or RSm is less than 150 μm, the melted end surface of the thin glass becomes a rough surface (a rough state), and particles enter the melted end surface and are difficult to remove.

上記の方法において、前記溶断端面の残留圧縮応力が、20MPa〜500MPaであることが好ましい。   In said method, it is preferable that the residual compressive stress of the said fusing end surface is 20 MPa-500 MPa.

このようにすれば、薄板ガラスの溶断端面に、圧縮応力が作用することから、溶断端面に仮にクラック等の欠陥が形成されていても、その欠陥を塞ぐ方向に力が作用する。その結果、薄板ガラスの端面強度の向上を図ることができる。更に、万一薄板ガラスの端面にクラックが生じた場合でも、そのクラックの近傍にテンション層があるので、クラックが端面に沿って進展し、平面側には進展しない。そのため、ガラス基板としての形状を維持でき、ガラス基板としての性能が損なわれることがない。一方、圧縮応力が20MPaよりも小さい場合、薄板ガラスが破損したとき、クラックの走る方向が任意となり、ガラス基板としての性能が損なわれるおそれがある。また、圧縮応力が500MPaよりも大きい場合、クラック近傍のテンション層の影響で、薄板ガラスが自爆する可能性がある。   In this way, since compressive stress acts on the fused end surface of the thin glass, even if a defect such as a crack is formed on the fused end surface, a force acts in the direction of closing the defect. As a result, the end face strength of the thin glass can be improved. Furthermore, even if a crack occurs in the end face of the thin glass plate, since the tension layer is in the vicinity of the crack, the crack progresses along the end face and does not progress to the plane side. Therefore, the shape as a glass substrate can be maintained and the performance as a glass substrate is not impaired. On the other hand, when the compressive stress is smaller than 20 MPa, when the thin glass is broken, the direction in which the cracks run becomes arbitrary, and the performance as a glass substrate may be impaired. When the compressive stress is greater than 500 MPa, the thin glass may self-destruct due to the influence of the tension layer near the crack.

上記の課題を解決するために創案された本発明は、500μm以下の厚みであり、レーザビームで溶断された溶断端面を有する薄板ガラスであって、前記溶断端面の算術平均粗さRaが、0.3μm以下であり、且つ、粗さ曲線要素の平均長さRSmが、150μm以上であることに特徴づけられる。   The present invention devised to solve the above problems is a thin glass having a thickness of 500 μm or less and having a fused end surface melted by a laser beam, and the arithmetic average roughness Ra of the fused end surface is 0. .3 μm or less, and the average length RSm of the roughness curve element is 150 μm or more.

この場合、前記溶断端面の残留圧縮応力が、20MPa〜500MPaであることが好ましい。   In this case, it is preferable that the residual compressive stress of the fusing end face is 20 MPa to 500 MPa.

以上のような本発明によれば、薄板ガラスの厚みとの相対的な関係で、薄板ガラスの溶断端面間の隙間が厳格に管理される。その結果、薄板ガラスの溶断端面近傍に形状を良好に維持することができる。また、溶断端面同士を接触させることなく、溶断された薄板ガラスを安全に分離することができる。   According to the present invention as described above, the gap between the fusing end surfaces of the thin glass is strictly managed in a relative relationship with the thickness of the thin glass. As a result, the shape can be favorably maintained in the vicinity of the cut end surface of the thin glass. Moreover, the melted thin glass can be safely separated without bringing the melted end faces into contact with each other.

本発明の第1実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断側面である。It is a vertical side surface which shows the glass plate cutting device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第1実施形態に係るガラス板切断装置を示す平面図である。It is a top view which shows the glass plate cutting device which concerns on 1st Embodiment. 図2のX−X断面図である。It is XX sectional drawing of FIG. 第1実施形態に係るガラス板切断装置で溶断された直後のガラス基板の状態を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the state of the glass substrate immediately after fuse | melting with the glass plate cutting device which concerns on 1st Embodiment. 本発明の第2実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the glass plate cutting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the glass plate cutting device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the glass plate cutting device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the glass plate cutting device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 第5実施形態に係るガラス板切断装置の第2吸引ノズルを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the 2nd suction nozzle of the glass plate cutting device which concerns on 5th Embodiment. 本発明の第6実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the glass plate cutting device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の溶断対象となるガラス板の他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the glass plate used as the cutting object of this invention. 薄板ガラスの強度評価を行っている状態を示す図である。It is a figure which shows the state which is evaluating the intensity | strength of thin glass. 薄板ガラスを溶断により切断した場合に生じる問題点を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the problem which arises when thin glass is cut | disconnected by fusing.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下では、薄板ガラスは、厚み500μm以下のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板とするが、勿論、切断対象の薄板ガラスは、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に限定されるものではない。例えば、太陽電池用、有機EL照明用、タッチパネル用、デジタルサイネージ用等、種々の分野に利用される薄板ガラス基板や、その有機樹脂との積層体などに適用が可能である。なお、薄板ガラスの厚みは、300μm以下、特に200μm以下であることが好ましい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the thin glass is a glass substrate for a flat panel display having a thickness of 500 μm or less. Of course, the thin glass to be cut is not limited to a glass substrate for a flat panel display. For example, the present invention can be applied to a thin glass substrate used in various fields such as a solar cell, an organic EL lighting, a touch panel, and a digital signage, and a laminate with the organic resin. In addition, it is preferable that the thickness of thin glass is 300 micrometers or less, especially 200 micrometers or less.

(第1実施形態)
図1に示すように、本発明の第1実施形態に係るガラス板切断装置1は、平置き姿勢のガラス基板Gを下方から支持する支持ステージ2と、この支持ステージ2に支持されたガラス基板Gを溶断分離するレーザビーム照射器3とを備えている。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, a glass sheet cutting apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention includes a support stage 2 that supports a glass substrate G in a flat position from below, and a glass substrate that is supported by the support stage 2. And a laser beam irradiator 3 for fusing and separating G.

支持ステージ2は、ステージ本体21と、ステージ本体21の上面に沿って移動するコンベア22とを備えている。ガラス基板Gは、コンベア22の移動により切断予定線CLに沿った搬送方向下流側(図中の矢印A方向)に搬送される。このとき、ステージ本体21は、コンベア22をガイドする役割を果たす。なお、コンベア22には図示しない多数の通気孔が形成されており、この通気孔を介してガラス基板Gをコンベア22上に吸着保持しながら搬送するようになっている。勿論、ガラス基板Gを吸着せずに、コンベアによってガラス基板Gの幅方向端部を表裏両側から挟持して搬送するなど、他の搬送方法を採用してもよい。   The support stage 2 includes a stage main body 21 and a conveyor 22 that moves along the upper surface of the stage main body 21. The glass substrate G is transported downstream in the transport direction (in the direction of arrow A in the figure) along the planned cutting line CL by the movement of the conveyor 22. At this time, the stage main body 21 serves to guide the conveyor 22. The conveyor 22 is formed with a large number of ventilation holes (not shown), and the glass substrate G is conveyed and held on the conveyor 22 through the ventilation holes. Of course, other transport methods may be employed such as transporting the glass substrate G while holding the glass substrate G from both the front and back sides without adsorbing the glass substrate G.

ステージ本体21及びコンベア22は、図2に示すように、ガラス基板Gの幅方向に間隔を置いて2つに分離されており、ガラス基板Gの切断予定線CLの下方位置に非支持空間Sを有している。この非支持空間Sでは、ガラス基板Gの下面と支持ステージ2が接触しておらず、ガラス基板Gの下面が非支持空間Sに対して露出している。   As shown in FIG. 2, the stage main body 21 and the conveyor 22 are separated into two at intervals in the width direction of the glass substrate G, and the unsupported space S is positioned below the planned cutting line CL of the glass substrate G. have. In this non-supporting space S, the lower surface of the glass substrate G and the support stage 2 are not in contact, and the lower surface of the glass substrate G is exposed to the non-supporting space S.

レーザビーム照射器3は、図3に示すように、レーザビームLBを伝搬させる内部空間を有し、この空間内にレンズ31を備えている。この実施形態では、レンズ31で集光されたレーザビームLBは、微焦点に集光してガラス基板Gの上面に焦点位置FPを合わせた状態で、切断部(レーザビームLBを照射して溶断を行なっている部分)Cに照射される。そして、このレーザビームLBの照射熱によって切断予定線CLに沿ってガラス基板Gを溶断し、製品となる製品部Gaと、廃棄等され製品とならない非製品部Gbとに分離する。なお、レーザビームLBの焦点位置FPは、ガラス基板Gの厚み方向中間位置であってもよい。また、レーザビームLBの焦点位置FPをガラス基板Gの上方に設定し、レーザビームLBをデフォーカスした状態で切断部Cに照射するようにしてもよい。   As shown in FIG. 3, the laser beam irradiator 3 has an internal space for propagating the laser beam LB, and includes a lens 31 in this space. In this embodiment, the laser beam LB focused by the lens 31 is focused on a fine focus and is in a state where the focal position FP is aligned with the upper surface of the glass substrate G. The portion C) is irradiated to C. Then, the glass substrate G is melted along the planned cutting line CL by the irradiation heat of the laser beam LB, and separated into a product part Ga that is a product and a non-product part Gb that is discarded and is not a product. The focal position FP of the laser beam LB may be an intermediate position in the thickness direction of the glass substrate G. Further, the focal position FP of the laser beam LB may be set above the glass substrate G, and the cutting part C may be irradiated with the laser beam LB defocused.

更に、ガラス板切断装置1は、製品部Gaとなる側の上方位置から切断部Cに向かって斜め下方にサイドアシストガスA1を噴射するサイドアシストガス噴射ノズル4を備えている。このサイドアシストガスA1は、ドロスなどの溶融異物を非製品部Gb側へ吹き飛ばす役割を果たす。   Furthermore, the glass plate cutting device 1 includes a side assist gas injection nozzle 4 that injects the side assist gas A1 obliquely downward from the upper position on the side that becomes the product part Ga toward the cutting part C. The side assist gas A1 plays a role of blowing molten foreign matters such as dross to the non-product part Gb side.

以上のように構成されたガラス板切断装置1の動作を説明する。   Operation | movement of the glass plate cutting device 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

図1及び図2に示すように、支持ステージ2のコンベア22によってガラス基板Gを搬送し、搬送経路上に静止状態で配置されたレーザビーム照射器3から照射されるレーザビームLBをガラス基板Gの切断予定線CLに沿って走査する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the glass substrate G is transported by the conveyor 22 of the support stage 2, and the laser beam LB irradiated from the laser beam irradiator 3 placed in a stationary state on the transport path is used as the glass substrate G. Scan along the planned cutting line CL.

そして、このようにレーザビームLBを照射しながら、図3に示すように、ガラス基板Gの製品部Gaとなる側の上方位置に配置されたサイドアシストガス噴射ノズル4からガラス基板Gの切断予定線CL上に位置する切断部Cに向かって斜め下方にサイドアシストガスA1を噴射する。これにより、切断部Cから溶融異物が除去され、溶断が効率的に行なわれる。また、溶融異物が非製品部Gb側へ吹き飛ばされるので、製品部Gaに溶融異物が付着する事態を防止することができる。ここで、「溶融異物」は、ガラス基板Gの溶断時に発生するドロス等の異物を意味し、溶融状態にあるもの、固化状態にあるものの双方を含む。   Then, while irradiating the laser beam LB in this manner, as shown in FIG. 3, the glass substrate G is scheduled to be cut from the side assist gas injection nozzle 4 disposed at the upper position on the side that becomes the product portion Ga of the glass substrate G. The side assist gas A1 is injected obliquely downward toward the cutting portion C located on the line CL. Thereby, a molten foreign material is removed from the cutting part C, and fusing is performed efficiently. Moreover, since the molten foreign material is blown off to the non-product part Gb side, the situation where a molten foreign material adheres to the product part Ga can be prevented. Here, “molten foreign matter” means foreign matters such as dross generated when the glass substrate G is melted, and includes both those in a molten state and those in a solidified state.

また、ガラス基板Gの上方空間において、ガラス基板Gに対してガスを噴射する手段は、サイドアシストガス噴射ノズル4のみである。そして、このサイドアシストガス噴射ノズル4は、ガラス基板Gの切断部Cに対してサイドアシストガスA1を斜めに噴射するので、ガラス基板Gの切断部Cに対して真上から略鉛直に噴射する場合(例えば、センターアシストガスを噴射する場合)に比べて、溶融状態にある切断部C近傍を下方に押圧する力は作用し難い。そのため、溶融状態にあるガラス基板Gの切断部C近傍の下方への垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部Cの垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスA1によって切断部Cに生じる溶融異物は非製品部Gbとなる側に優先的に飛散するため、製品部Gaの溶断端面Ga1に溶融異物が溜まり難くなる。   In addition, the side assist gas injection nozzle 4 is the only means for injecting gas to the glass substrate G in the space above the glass substrate G. And since this side assist gas injection nozzle 4 injects side assist gas A1 diagonally with respect to the cutting part C of the glass substrate G, it injects substantially perpendicularly with respect to the cutting part C of the glass substrate G from right above. Compared to the case (for example, when the center assist gas is injected), the force that presses down the vicinity of the cutting portion C in the molten state is less likely to act. Therefore, it is possible to prevent the glass substrate G in a molten state from drooping downward in the vicinity of the cut portion C. And in the state which prevented the dripping of the cutting part C in this way, since the molten foreign material which arises in the cutting part C by side assist gas A1 is scattered preferentially to the side used as the non-product part Gb, the fusing end surface of the product part Ga It is difficult for molten foreign matter to accumulate in Ga1.

更に、上記のようにガラス基板Gを溶断すれば、ガラス基板Gの切断部Cの一部が溶融除去され、製品部Gaの溶断端面Ga1と、非製品部Gbの溶断端面Gb1との間には隙間が形成される。そのため、この隙間の分だけ製品部Gaの溶断端面Ga1と、非製品部Gbの溶断端面Gb1とが離間しているので、溶断端面Ga1,Gb1同士が接触して破損する事態を防止しつつ、製品部Gaと非製品部Gbとを円滑に分離できる。   Furthermore, if the glass substrate G is melted as described above, a part of the cut portion C of the glass substrate G is melted and removed, and between the melted end surface Ga1 of the product part Ga and the melted end surface Gb1 of the non-product part Gb. A gap is formed. Therefore, since the melted end face Ga1 of the product part Ga and the melted end face Gb1 of the non-product part Gb are separated by the gap, the situation where the melted end faces Ga1 and Gb1 are in contact with each other and damaged is prevented. The product part Ga and the non-product part Gb can be separated smoothly.

詳細には、図4に示すように、ガラス基板Gの厚みをaとし、溶断後における製品部Gaの溶断端面Ga1と非製品部Gbの溶断端面Gb1との間の最小隙間をbとした場合に、0.1≦b/a≦2なる関係を満足する最小隙間bを溶断により形成するように管理されている。このようにすれば、ガラス基板Gの厚みとの相対的な関係で、製品部Gaの溶断端面Ga1と非製品部Gbの溶断端面Gb1間の隙間が厳格に管理されることから、製品部Gaの溶断端面Ga1近傍の形状を良好に維持しつつ、製品部Gaと非製品部Gbを安全に分離することができる。すなわち、b/aが2を超えると、溶断により溶融除去される薄板ガラスGの量が多くなり過ぎて、製品部Gaの溶断端面Gb1に形状不良が生じるおそれがある。更には、歪による薄板ガラスの変形や破損のおそれもある。一方、b/aが0.1未満になると、溶断端面Ga1,Gb1同士が接近し過ぎ、分離時に溶断端面Ga1,Gb1同士が接触して製品部Ga(又は非製品部Gb)が破損するおそれがある。   In detail, as shown in FIG. 4, when the thickness of the glass substrate G is a, and the minimum gap between the melted end surface Ga1 of the product part Ga and the melted end face Gb1 of the non-product part Gb after the melting is b In addition, the minimum gap b satisfying the relationship of 0.1 ≦ b / a ≦ 2 is controlled by fusing. In this way, the gap between the melted end face Ga1 of the product part Ga and the melted end face Gb1 of the non-product part Gb is strictly managed in a relative relationship with the thickness of the glass substrate G. The product part Ga and the non-product part Gb can be safely separated while maintaining the shape in the vicinity of the fusing end face Ga1. That is, when b / a exceeds 2, the amount of the thin glass G that is melted and removed by fusing increases too much, and there is a risk that a defective shape occurs in the fusing end surface Gb1 of the product part Ga. Furthermore, there is a risk of deformation or breakage of the thin glass due to strain. On the other hand, if b / a is less than 0.1, the fusing end faces Ga1 and Gb1 are too close to each other, and the fusing end faces Ga1 and Gb1 come into contact with each other at the time of separation and the product part Ga (or the non-product part Gb) may be damaged. There is.

ここで、最小隙間bの大きさを調整する方法としては、(1)レーザビームLBの出力パワーを変更する、(2)ガラス基板Gに対するスポット径の大きさを変更する、(3)ガラス基板Gの表面(上面)に対するサイドアシストガスA1の仮想中心線L1の傾斜角α1(図3を参照)を変更する、(4)サイドアシストガスA1などのガラス基板Gに供給されるガスの噴射圧を変更する、(5)レーザビームのパルス幅やパターンを変更する、などの溶断条件の変更が挙がられる。   Here, as a method of adjusting the size of the minimum gap b, (1) changing the output power of the laser beam LB, (2) changing the size of the spot diameter with respect to the glass substrate G, (3) the glass substrate (4) Injection pressure of gas supplied to the glass substrate G, such as the side assist gas A1, to change the inclination angle α1 (see FIG. 3) of the virtual center line L1 of the side assist gas A1 with respect to the surface (upper surface) of G And (5) changing the fusing conditions such as changing the pulse width and pattern of the laser beam.

レーザビームLB及びサイドアシストガスA1の諸条件は、以下の通りである。なお、レーザビームLB及びサイドアシストガスA1の諸条件は、勿論、これに限定されるものではない。   Various conditions of the laser beam LB and the side assist gas A1 are as follows. Of course, the conditions of the laser beam LB and the side assist gas A1 are not limited to these.

レーザビームLBのスポット径は、図4の最小隙間bよりも小さく設定される。   The spot diameter of the laser beam LB is set smaller than the minimum gap b in FIG.

レーザビームLBの照射エネルギーは、ガラス基板Gの上面において、100〜100000[W/mm2]に設定される。 The irradiation energy of the laser beam LB is set to 100 to 100,000 [W / mm 2 ] on the upper surface of the glass substrate G.

サイドアシストガスA1の噴射圧は、0.01〜0.5[MPa]に設定される。   The injection pressure of the side assist gas A1 is set to 0.01 to 0.5 [MPa].

サイドアシストガスA1の傾斜角α1は、25°〜60°、好ましくは30°〜50°、より好ましくは35°〜45°に設定される。すなわち、ガラス基板Gの表面に対するサイドアシストガスA1の傾斜角が25°未満であると、サイドアシストガスA1がガラス基板Gに浅く入射し過ぎて、切断部CにサイドアシストガスA1を効率よく供給できないという問題が生じるおそれがある。一方、ガラス基板Gの表面に対するサイドアシストガスA1の傾斜角が60°を超えると、サイドアシストガスA1がガラス基板Gに深く入射し過ぎて、切断部C近傍を下方に押圧する力が大きくなるおそれがある。したがって、サイドアシストガスA1の傾斜角α1は上記数値範囲内であることが好ましく、この範囲であれば、サイドアシストガスA1を切断部Cに効率よく供給しつつ、サイドアシストガスA1が切断部C近傍を下方に押圧する力を適切に抑えることができる。   The inclination angle α1 of the side assist gas A1 is set to 25 ° to 60 °, preferably 30 ° to 50 °, more preferably 35 ° to 45 °. That is, when the inclination angle of the side assist gas A1 with respect to the surface of the glass substrate G is less than 25 °, the side assist gas A1 is excessively shallowly incident on the glass substrate G, and the side assist gas A1 is efficiently supplied to the cutting part C. There is a risk that it may not be possible. On the other hand, when the inclination angle of the side assist gas A1 with respect to the surface of the glass substrate G exceeds 60 °, the side assist gas A1 is excessively incident on the glass substrate G, and the force for pressing the vicinity of the cutting portion C downward increases. There is a fear. Therefore, the inclination angle α1 of the side assist gas A1 is preferably within the above numerical range, and within this range, the side assist gas A1 is efficiently supplied to the cutting part C, and the side assist gas A1 is supplied to the cutting part C. The force which presses the vicinity downward can be suppressed appropriately.

なお、製品部Gaへの溶融異物の付着を防止する観点からは、サイドアシストガスA1の傾斜角α1は、15°〜45°に設定されることが好ましい。したがって、製品部Gaの溶断端面Ga1の形状と製品部Gaへの溶融異物の付着とを考慮した場合には、サイドアシストガスA1の傾斜角α1は、25°〜45°に設定されることが好ましい。   Note that, from the viewpoint of preventing adhesion of molten foreign matter to the product part Ga, the inclination angle α1 of the side assist gas A1 is preferably set to 15 ° to 45 °. Therefore, when considering the shape of the fused end face Ga1 of the product part Ga and the adhesion of the molten foreign matter to the product part Ga, the inclination angle α1 of the side assist gas A1 may be set to 25 ° to 45 °. preferable.

サイドアシストガスA1の指向方向は、切断部C近傍であればよい。例えば、図示例では、サイドアシストガスA1の仮想中心線L1が、切断部Cと交差するようにしているが、仮想中心線L1が、切断部Cよりも製品部Gaとなる側でガラス基板Gの上面や下面と交差するようにしてもよい。   The directing direction of the side assist gas A1 may be in the vicinity of the cutting part C. For example, in the illustrated example, the virtual center line L1 of the side assist gas A1 intersects with the cutting part C, but the glass center G is closer to the product part Ga than the cutting part C. You may make it cross | intersect the upper surface and lower surface of.

サイドアシストガスA1としては、例えば、酸素(又は空気)、水蒸気、二酸化炭素、窒素、アルゴンなどのガスを単独又は他ガスと混同した状態で用いる。また、サイドアシストガスA1は、熱風として噴射してもよい。   As the side assist gas A1, for example, a gas such as oxygen (or air), water vapor, carbon dioxide, nitrogen, and argon is used alone or mixed with other gases. Further, the side assist gas A1 may be injected as hot air.

以上のようにして溶断されたガラス基板Gは、次のような特徴を有する。   The glass substrate G fused as described above has the following characteristics.

第一に、図4に示すように、製品部Gaの溶断端面Ga1の形状が、略円弧状の良好な凸曲面形状となる。付言すれば、製品部Gaの溶断端面Ga1は、火造り面で構成される。なお、非製品部Gbの溶断端面Gb1には、サイドアシストガスA1によって吹き飛ばされた溶融異物(ドロスなど)が付着し、溶断端面Gb1の形状が、略円弧状から逸脱する場合もある。   First, as shown in FIG. 4, the shape of the fused end surface Ga <b> 1 of the product portion Ga is a good convex curved surface shape having a substantially arc shape. If it adds, the fusing end surface Ga1 of the product part Ga will be comprised with a fire-making surface. Note that molten foreign matter (such as dross) blown off by the side assist gas A1 adheres to the fused end surface Gb1 of the non-product portion Gb, and the shape of the fused end surface Gb1 may deviate from a substantially arc shape.

第二に、製品部Gaの溶断端面Ga1の算術平均粗さRaが、0.3μm以下で、且つ、粗さ曲線要素の平均長さRSmが、150μm以上となる。ここで、Raの下限値およびRSmの上限値について説明するならば、Raは限りなく零に近いことが望ましく、RSmは限りなく無限大に近いことが望ましい。しかしながら、実用上は加工設備等による限界があるため、Raの下限値やRSmの上限値を規定する意義は乏しい。そのため、上記では、Raの下限値とRSmの上限値を設けていない。   Secondly, the arithmetic average roughness Ra of the cut end face Ga1 of the product part Ga is 0.3 μm or less, and the average length RSm of the roughness curve element is 150 μm or more. Here, if the lower limit value of Ra and the upper limit value of RSm are described, Ra is preferably as close to zero as possible, and RSm is preferably as close as possible to infinity. However, since there is a limit due to processing equipment and the like in practice, it is not meaningful to define the lower limit value of Ra and the upper limit value of RSm. Therefore, in the above, the lower limit value of Ra and the upper limit value of RSm are not provided.

第三に、製品部Gaの溶断端面Ga1の残留圧縮応力が、20MPa〜500MPaとなる。   Third, the residual compressive stress of the fused end face Ga1 of the product part Ga is 20 MPa to 500 MPa.

(第2実施形態)
図5に示すように、本発明の第2実施形態に係るガラス板切断装置1は、第1実施形態に係るガラス板切断装置1の構成に、更に、センターアシストガス噴射ノズル5を付加したものである。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 5, the glass plate cutting device 1 according to the second embodiment of the present invention is obtained by adding a center assist gas injection nozzle 5 to the configuration of the glass plate cutting device 1 according to the first embodiment. It is. Hereinafter, description of common points will be omitted, and only differences will be described.

センターアシストガス噴射ノズル5は、レーザビーム照射器3の先端部に接続されており、レーザビーム照射器3の内部空間(レンズ31よりも下方の空間)にセンターアシストガスA2を供給する。レーザビーム照射器3の内部空間に供給されたセンターアシストガスA2は、レーザビーム照射器3の先端からガラス基板Gの切断部Cに向かって真下に噴射される。すなわち、レーザビーム照射器3の先端からは、レーザビームLBが出射されると共に、センターアシストガスA2が噴射される。センターアシストガスA2は、ガラス基板Gを溶断する際に生じる溶融異物をガラス基板Gの切断部Cから除去する役割と、その溶融異物からレーザビーム照射器3のレンズ31等の光学部品を保護する役割、更には、レンズの熱を冷却する役割を果たす。   The center assist gas injection nozzle 5 is connected to the tip of the laser beam irradiator 3 and supplies the center assist gas A2 to the internal space of the laser beam irradiator 3 (the space below the lens 31). The center assist gas A2 supplied to the internal space of the laser beam irradiator 3 is jetted directly from the front end of the laser beam irradiator 3 toward the cutting portion C of the glass substrate G. That is, the laser beam LB is emitted from the tip of the laser beam irradiator 3, and the center assist gas A2 is injected. The center assist gas A2 protects optical parts such as the lens 31 of the laser beam irradiator 3 from the role of removing the molten foreign matter generated when the glass substrate G is melted from the cutting portion C of the glass substrate G. It also plays a role of cooling the heat of the lens.

そして、サイドアシストガスA1の噴射圧をP1、センターアシストガスA2の噴射圧をP2とした場合に、P2/P1は0〜2に設定される。詳細には、例えば、センターアシストガスA2の噴射圧は、0〜0.02[MPa]に設定され、サイドアシストガスA1の噴射圧は、0.01〜0.5[MPa]に設定される。そして、好ましくは、サイドアシストガスA1の噴射圧が、センターアシストガスA2の噴射圧よりも大きく設定される。例えば、P2/P1は、0.1〜0.5に設定される。この場合、センターアシストガスA2の噴射圧は、レーザビーム照射器3のレンズ31等の光学部品を溶融異物から保護できる程度の圧力に設定することが好ましい。   When the injection pressure of the side assist gas A1 is P1 and the injection pressure of the center assist gas A2 is P2, P2 / P1 is set to 0-2. Specifically, for example, the injection pressure of the center assist gas A2 is set to 0 to 0.02 [MPa], and the injection pressure of the side assist gas A1 is set to 0.01 to 0.5 [MPa]. . Preferably, the injection pressure of the side assist gas A1 is set larger than the injection pressure of the center assist gas A2. For example, P2 / P1 is set to 0.1 to 0.5. In this case, the injection pressure of the center assist gas A2 is preferably set to a pressure that can protect the optical components such as the lens 31 of the laser beam irradiator 3 from molten foreign matter.

このようにすれば、センターアシストガスA2の噴射圧が相対的に弱められることから、主として、サイドアシストガスA1によって切断部Cに生じる溶融異物を吹き飛ばすことになる。このサイドアシストガスA1は、製品部Gaとなる側の上方位置から切断部Cに向かって斜め下方に噴射されることから、センターアシストガスA2に比べて、溶融状態にあるガラス基板Gの切断部C近傍を下方に押圧する力は弱い。したがって、サイドアシストガスA1の噴射圧を、センターアシストガスA2の噴射圧よりも大きくすることで、溶融状態にあるガラス板Gの切断部Cの垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部Cの垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスA1によって切断部Cに生じる溶融異物は非製品部Gbとなる側に優先的に飛散するため、製品部Gaの溶断端面Ga1に溶融異物が溜まり難くなる。したがって、図4に示した場合と同様に、製品部Gaの溶断端面Ga1の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。   In this way, since the injection pressure of the center assist gas A2 is relatively weakened, the molten foreign matter generated mainly in the cutting part C by the side assist gas A1 is blown off. Since the side assist gas A1 is injected obliquely downward from the upper position on the side that becomes the product part Ga toward the cutting part C, the cutting part of the glass substrate G in a molten state as compared with the center assist gas A2. The force for pressing the vicinity of C downward is weak. Therefore, by making the injection pressure of the side assist gas A1 larger than the injection pressure of the center assist gas A2, it is possible to prevent the cutting portion C of the glass plate G in the molten state from drooping. And in the state which prevented the dripping of the cutting part C in this way, since the molten foreign material which arises in the cutting part C by side assist gas A1 is scattered preferentially to the side used as the non-product part Gb, the fusing end surface of the product part Ga It is difficult for molten foreign matter to accumulate in Ga1. Therefore, similarly to the case shown in FIG. 4, the shape of the fused end surface Ga1 of the product part Ga can be maintained in a good shape having a substantially arc shape.

サイドアシストガスA1とセンターアシストガスA2は、同種のガスであってもよいし、異種のガスであってもよい。   The side assist gas A1 and the center assist gas A2 may be the same type of gas or different types of gas.

(第3実施形態)
図6に示すように、本発明の第3実施形態に係るガラス板切断装置1が、第1〜2実施形態に係るガラス板切断装置1と相違するところは、ガラス基板Gの下方空間に、補助サイドアシストガス噴射ノズル6を備えている点にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。なお、図示例では、センターアシストガス噴射ノズル5を設けているが省略してもよい。
(Third embodiment)
As shown in FIG. 6, the glass plate cutting device 1 according to the third embodiment of the present invention is different from the glass plate cutting device 1 according to the first and second embodiments in the space below the glass substrate G. The auxiliary side assist gas injection nozzle 6 is provided. Hereinafter, description of common points will be omitted, and only differences will be described. In the illustrated example, the center assist gas injection nozzle 5 is provided, but may be omitted.

補助サイドアシストガス噴射ノズル6は、ガラス基板Gの製品部Gaとなる側の下方位置に配置され、切断部Cに向かって斜め上方に補助サイドアシストガスA3を噴射する。   The auxiliary side assist gas injection nozzle 6 is disposed at a lower position on the side of the glass substrate G that becomes the product part Ga, and injects the auxiliary side assist gas A3 obliquely upward toward the cutting part C.

更に、この実施形態では、製品部Ga側のステージ本体21の非支持空間Sに面する側面部21aが、上方が下方よりもガラス基板Gの切断部Cに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。そして、このテーパ面をなす側面部21aによって、補助サイドアシストガス噴射ノズル6から噴射される補助サイドアシストガスA3を斜め上方に案内し、ガラス基板Gの切断部Cに供給するようになっている。なお、図示例では、非製品部Gb側のステージ本体21の非支持空間Sに面する側面部21aも、上方が下方よりもガラス基板Gの切断部Cに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。勿論、製品部Ga側のステージ本体21の側面部21aのみをテーパ面としてもよい。   Further, in this embodiment, the side surface portion 21a facing the non-supporting space S of the stage main body 21 on the product portion Ga side has a tapered surface that is inclined so that the upper portion is closer to the cutting portion C of the glass substrate G than the lower portion. There is no. The side surface portion 21a having a tapered surface guides the auxiliary side assist gas A3 injected from the auxiliary side assist gas injection nozzle 6 obliquely upward, and supplies the auxiliary side assist gas A3 to the cutting portion C of the glass substrate G. . In the illustrated example, the side surface portion 21a facing the non-supporting space S of the stage main body 21 on the non-product portion Gb side is also tapered so that the upper portion is closer to the cutting portion C of the glass substrate G than the lower portion. There is no. Of course, only the side surface portion 21a of the stage main body 21 on the product portion Ga side may be a tapered surface.

以上のようにすれば、サイドアシストガスA1とサイドアシストガスA3によって、ガラス基板Gの切断部Cに生じた溶融異物を、非製品部Gbとなる側に効率よく吹き飛ばすことが可能となる。また、ガラス基板Gの下面に補助サイドアシストガスA3が作用することから、ガラス基板Gの切断部C近傍を下方から支持する効果も期待でき、切断部C近傍の垂れ下がり防止に寄与するものと考えられる。   If it carries out as mentioned above, it will become possible to blow away the fusion | melting foreign material which arose in the cutting part C of the glass substrate G to the non-product part Gb side efficiently by side assist gas A1 and side assist gas A3. Further, since the auxiliary side assist gas A3 acts on the lower surface of the glass substrate G, an effect of supporting the vicinity of the cut portion C of the glass substrate G from below can be expected, and it is considered that it contributes to prevention of drooping in the vicinity of the cut portion C. It is done.

補助サイドアシストガスA3の噴射圧は、例えば、0.01〜0.5[MPa]に設定される。   The injection pressure of the auxiliary side assist gas A3 is set to 0.01 to 0.5 [MPa], for example.

ガラス基板Gの裏面(下面)に対する補助サイドアシストガスA3の傾斜角α2は、15°〜70°、好ましくは20°〜60°、より好ましくは25°〜45°に設定される。   The inclination angle α2 of the auxiliary side assist gas A3 with respect to the back surface (lower surface) of the glass substrate G is set to 15 ° to 70 °, preferably 20 ° to 60 °, more preferably 25 ° to 45 °.

補助サイドアシストガスA3の指向方向は、切断部C近傍であればよい。例えば、図示例では、補助サイドアシストガスA3の仮想中心線L2が、切断部Cと交差するようにしているが、仮想中心線L2が、切断部Cよりも製品部Gaとなる側でガラス基板Gの上面や下面と交差するようにしてもよい。   The directing direction of the auxiliary side assist gas A3 may be in the vicinity of the cutting part C. For example, in the illustrated example, the virtual center line L2 of the auxiliary side assist gas A3 intersects with the cutting part C, but the glass center is closer to the product part Ga than the cutting part C. You may make it cross | intersect the upper surface and lower surface of G.

補助サイドアシストガスA3は、サイドアシストガスA1と同種のガスであってもよいし、異種のガスであってもよい。   The auxiliary side assist gas A3 may be the same type of gas as the side assist gas A1 or a different type of gas.

なお、この第3実施形態では、サイドアシストガスA1と補助サイドアシストガスA3は、同時にガラス基板Gの切断部Cに噴射するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Gの切断部Cが貫通するまでは、サイドアシストガスA1で切断部Cの溶融異物を吹き飛ばし、ガラス基板Gの切断部Cが貫通した後は、サイドアシストガスA1を止めて、補助サイドアシストガスA3で切断部Cの溶融異物を吹き飛ばすようにしてもよい。   In the third embodiment, the side assist gas A1 and the auxiliary side assist gas A3 are simultaneously injected to the cutting part C of the glass substrate G, but the present invention is not limited to this. For example, until the cutting part C of the glass substrate G penetrates, the molten foreign matter of the cutting part C is blown off with the side assist gas A1, and after the cutting part C of the glass substrate G penetrates, the side assist gas A1 is stopped, You may make it blow off the molten foreign material of the cutting part C with auxiliary side assist gas A3.

(第4実施形態)
図7に示すように、本発明の第4実施形態に係るガラス板切断装置1が、第3実施形態に係るガラス板切断装置1と相違するところは、補助サイドアシストガスA3の供給方法にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
(Fourth embodiment)
As shown in FIG. 7, the glass plate cutting device 1 according to the fourth embodiment of the present invention is different from the glass plate cutting device 1 according to the third embodiment in the supply method of the auxiliary side assist gas A3. . Hereinafter, description of common points will be omitted, and only differences will be described.

第4実施形態では、支持ステージ2のステージ本体21に、斜め上方に向かって延在し、一端が非支持空間Sに連通するガス流通路21bが形成されている。このガス流通路21bの他端には、補助サイドアシストガス噴射ノズル6の噴射口が接続されている。補助サイドアシストガス噴射ノズル6から噴射された補助サイドアシストガスA3を、ガス流通路21bを通じて斜め上方に誘導して非支持空間Sに開放し、ガラス基板Gの切断部Cに供給する。   In the fourth embodiment, a gas flow passage 21 b that extends obliquely upward and has one end communicating with the non-support space S is formed in the stage main body 21 of the support stage 2. The injection port of the auxiliary side assist gas injection nozzle 6 is connected to the other end of the gas flow passage 21b. The auxiliary side assist gas A3 injected from the auxiliary side assist gas injection nozzle 6 is guided obliquely upward through the gas flow passage 21b to open to the non-supporting space S, and is supplied to the cutting part C of the glass substrate G.

(第5実施形態)
図8に示すように、本発明の第5実施形態に係るガラス板切断装置1が、第3実施形態に係るガラス板切断装置1と相違するところは、溶断過程で生じる溶融異物を吸引する構成を備えている点にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
(Fifth embodiment)
As shown in FIG. 8, the glass plate cutting device 1 according to the fifth embodiment of the present invention is different from the glass plate cutting device 1 according to the third embodiment in that the molten foreign matter generated in the fusing process is sucked. It is in the point equipped with. Hereinafter, description of common points will be omitted, and only differences will be described.

すなわち、非製品部Gbとなる側の上方位置に配置された第1吸引ノズル7と、非製品部Gbとなる側の下方位置に配置された第2吸引ノズル8とを備えている。   That is, the first suction nozzle 7 disposed at the upper position on the side to be the non-product part Gb and the second suction nozzle 8 disposed at the lower position on the side to be the non-product part Gb are provided.

第1吸引ノズル7は、その仮想中心線L3を切断部Cに指向させた状態で、サイドアシストガス噴射ノズル4と向かい合うように配置され、ガラス基板Gの上方空間の溶融異物を吸引する。ガラス基板Gの表面(上面)に対する第1吸引ノズル7の仮想中心線L3の傾斜角β1は、α1±15°以内、好ましくは、α1±10°以内、より好ましくはα1±5°以内の範囲に設定される。   The first suction nozzle 7 is disposed so as to face the side assist gas injection nozzle 4 in a state where the virtual center line L3 is directed to the cutting part C, and sucks molten foreign matter in the space above the glass substrate G. The inclination angle β1 of the virtual center line L3 of the first suction nozzle 7 with respect to the surface (upper surface) of the glass substrate G is within a range of α1 ± 15 °, preferably within α1 ± 10 °, more preferably within a range of α1 ± 5 °. Set to

一方、第2吸引ノズル8は、その吸引口を上方に指向させた状態で、補助サイドアシストガス噴射ノズル6と向かい合うように配置されており、ガラス基板Gの下方空間、換言すれば、非支持空間Sの溶融異物を吸引する。ここで、第2吸引ノズル8を、切断部Cの真下から非製品部Gb側に偏倚させて配置しているのは、サイドアシストガスA1や補助サイドアシストガスA3によって、溶融異物が非支持空間S内において非製品部Gb側に吹き飛ばされながら下降するからである。   On the other hand, the second suction nozzle 8 is disposed so as to face the auxiliary side assist gas injection nozzle 6 with its suction port directed upward, in other words, the lower space of the glass substrate G, in other words, unsupported. The melted foreign matter in the space S is sucked. Here, the second suction nozzle 8 is arranged so as to be biased toward the non-product part Gb side from directly below the cutting part C because the molten foreign matter is not supported by the side assist gas A1 or the auxiliary side assist gas A3. It is because it descends while being blown away to the non-product part Gb side in S.

そして、第1吸引ノズル7及び第2吸引ノズル8は、サイドアシストガスA1及び補助サイドアシストガスA3によって非製品部Gb側に吹き飛ばされた溶融異物を吸引する。このようにすれば、サイドアシストガスA1及び補助サイドアシストガスA3によって切断部Cから吹き飛ばした溶融異物が、周辺空間に浮遊して再び製品部Gaに付着するという事態を確実に防止することができる。   The first suction nozzle 7 and the second suction nozzle 8 suck the molten foreign matter blown to the non-product part Gb side by the side assist gas A1 and the auxiliary side assist gas A3. In this way, it is possible to reliably prevent the molten foreign matter blown off from the cutting part C by the side assist gas A1 and the auxiliary side assist gas A3 from floating in the surrounding space and adhering to the product part Ga again. .

なお、この第5実施形態では、第1吸引ノズル7と第2吸引ノズル8によって、同時に溶融異物を吸引するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Gの切断部Cが貫通するまでは、第1吸引ノズル7で溶融異物を吸引し、ガラス基板Gの切断部Cが貫通した後は、第2吸引ノズル8で溶融異物の溶融異物を吸引するようにしてもよい。また、第1吸引ノズル7を省略して、第2吸引ノズル8のみで溶融異物を吸引するようにしてもよい。   In the fifth embodiment, the molten foreign matter is simultaneously sucked by the first suction nozzle 7 and the second suction nozzle 8, but the present invention is not limited to this. For example, the molten foreign matter is sucked by the first suction nozzle 7 until the cutting portion C of the glass substrate G penetrates, and the molten foreign matter is melted by the second suction nozzle 8 after the cutting portion C of the glass substrate G penetrates. You may make it attract | suck a foreign material. Alternatively, the first suction nozzle 7 may be omitted, and the molten foreign matter may be sucked only by the second suction nozzle 8.

ここで、ガラス基板Gの下方空間に配置された第2吸引ノズル8は、図9に示すように、ガラス基板Gの切断予定線CL方向に沿って長尺な吸引口81を有する。これは、ガラス基板Gの下方空間において、溶融異物が切断予定線CL方向に沿った広範囲に飛散する傾向があるためである。なお、レーザビーム照射器3等によるスペース上の制約がなければ、ガラス基板Gの上方空間に配置された第1吸引ノズル7も、切断予定線CLの延在方向に沿って長尺な吸引口を有するようにしてもよい。   Here, the 2nd suction nozzle 8 arrange | positioned in the downward space of the glass substrate G has the elongate suction opening 81 along the cutting plan line CL direction of the glass substrate G, as shown in FIG. This is because, in the space below the glass substrate G, the molten foreign matter tends to scatter over a wide area along the direction of the planned cutting line CL. If there is no space restriction by the laser beam irradiator 3 or the like, the first suction nozzle 7 disposed in the upper space of the glass substrate G is also a long suction port along the extending direction of the planned cutting line CL. You may make it have.

(第6実施形態)
勿論、図10に示すように、第4実施形態に係るガラス板切断装置1(図7を参照)に、第1吸引ノズル7および第2吸引ノズル8を配置してもよい。
(Sixth embodiment)
Of course, as shown in FIG. 10, you may arrange | position the 1st suction nozzle 7 and the 2nd suction nozzle 8 to the glass plate cutting device 1 (refer FIG. 7) which concerns on 4th Embodiment.

なお、本発明は、上記第1〜6実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。   In addition, this invention is not limited to the said 1st-6th embodiment, A various deformation | transformation is possible.

例えば、ガラス基板Gをオーバーフローダウンドロー法などで成形した場合、図11に示すように、ガラス基板Gの幅方向中央部の厚みよりも、ガラス基板Gの幅方向両端部の厚みが相対的に分厚くなる。そして、幅方向中央部が製品部Gaとされ、幅方向両端部が非製品部(耳部と称される)Gbとされる。したがって、本発明に係る切断方法及び切断装置を、このようなガラス基板Gの非製品部Gbとなる耳部の除去に利用してもよい。   For example, when the glass substrate G is formed by the overflow downdraw method or the like, the thickness of both end portions in the width direction of the glass substrate G is relatively larger than the thickness of the center portion in the width direction of the glass substrate G as shown in FIG. It becomes thick. And the width direction center part is made into the product part Ga, and the width direction both ends are made into the non-product part (it calls an ear | edge part) Gb. Therefore, the cutting method and the cutting device according to the present invention may be used for removing the ear portion that becomes the non-product portion Gb of the glass substrate G.

また、上記の実施形態では、溶断分離された薄板ガラスGの一方が製品部Gaで、他方が非製品部Gbの場合を説明したが、双方を製品部Gaとする場合にも、本発明を適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where one of the thin glass sheets G that has been cut and separated is the product part Ga and the other is the non-product part Gb has been described. Can be applied.

本発明の有用性を実証するために対比試験を行った。   A comparison test was conducted to demonstrate the usefulness of the present invention.

この対比試験の試験条件は次のとおりである。まず、図3に示した態様で、アシストガスを吹き付けながら、縦300mm×横300mmの大きさの薄板ガラスの切断部に対して、波長10.6μmのCO2レーザを照射して、薄板ガラスを溶断して切断する。次に、このように溶断された薄板ガラスの溶断端面近傍に対して、二次加工(例えば、レーザによるアニールや電気加熱によるアニール)することでアニール処理を施す。このような一連の切断工程を、薄板ガラスの厚みaと、溶断端面間の最小隙間bを変化させて行う。そして、それぞれの切断工程を経て溶断された薄板ガラスについて、(1)溶断端面の擦れの状態、(2)溶断端面の形状、(3)強度をそれぞれ検査した。なお、溶断された薄板ガラスの強度は、図12に示すように、それぞれの薄板ガラスGを順次、二枚の板状体9で挟み且つU字状に50mm/分の速度で長手方向に曲げが生じるように押し曲げていく二点曲げにより強度を評価した。この評価は、押し曲げにより破壊したときの二枚の板状体9の間隔に基づいて破壊強度を算出する。これらの試験結果は、下記に示すとおりである。 The test conditions for this comparison test are as follows. First, in the form shown in FIG. 3, while blowing the assist gas, the cut glass glass having a size of 300 mm in length and 300 mm in width is irradiated with a CO 2 laser having a wavelength of 10.6 μm to obtain the thin glass. Cut by cutting. Next, an annealing treatment is performed by performing secondary processing (for example, annealing by laser or annealing by electric heating) on the vicinity of the cut end surface of the thin glass thus blown. Such a series of cutting steps is performed by changing the thickness a of the thin glass and the minimum gap b between the fusing end faces. And about the thin glass blown through each cutting process, (1) The state of rubbing of a fusing end surface, (2) Shape of a fusing end surface, (3) Strength was inspected, respectively. As shown in FIG. 12, the strength of the melted thin glass is such that each thin glass G is sequentially sandwiched between two plate bodies 9 and bent in the longitudinal direction in a U-shape at a speed of 50 mm / min. The strength was evaluated by two-point bending in which it was pushed and bent so as to generate. In this evaluation, the breaking strength is calculated based on the distance between the two plate-like bodies 9 when they are broken by pushing and bending. The test results are as shown below.

Figure 0005907019
Figure 0005907019

Figure 0005907019
Figure 0005907019

以上の表1及び表2によれば、b/aが0.1以上のとき、分離時に薄板ガラスの溶断端面同士の接触により生じる擦れが全くないか、或いは実質的に問題にならない程度に抑えることが可能であることが認識できる。そのため、このような範囲に管理すれば、分離時に薄板ガラスの溶断端面同士が接触して破損するという事態を確実に低減することができる。   According to Table 1 and Table 2 above, when b / a is 0.1 or more, there is no rubbing caused by contact between the melted end surfaces of the thin glass at the time of separation, or it is suppressed to a level that does not substantially cause a problem. It can be recognized that it is possible. Therefore, if it manages in such a range, the situation where the fusion | melting end surfaces of thin glass will contact and break at the time of isolation | separation can be reduced reliably.

また、b/aが2以下のとき、薄板ガラスの溶断端面の形状が良好に維持されることが認識できる。そのため、このような範囲に管理すれば、薄板ガラスの製品品位が低下したり、或いは、後工程で溶断端面を起点として薄板ガラスが破損するという事態を確実に低減することができる。   Moreover, when b / a is 2 or less, it can recognize that the shape of the fusing end surface of thin glass is maintained favorable. Therefore, if it manages in such a range, the situation that the product quality of thin glass will fall or the thin glass will be damaged starting from a fusing end face in a post process can be reduced reliably.

したがって、0.1≦b/a≦2なる関係を満足するように、最小隙間bを管理すれば、薄板ガラスの溶断端面近傍の形状を良好に維持しつつ、分離時やその後の工程で薄板ガラスが破損するという事態を確実に低減できる。なお、このような作用効果は、溶断するためにレーザビームを照射する以外に、予備加熱やアニール処理を要することなく享受できる。   Therefore, if the minimum gap b is managed so as to satisfy the relationship of 0.1 ≦ b / a ≦ 2, the shape of the thin glass sheet is maintained at the time of separation or in the subsequent process while maintaining the shape near the fusing end surface of the thin glass. It is possible to reliably reduce the situation where the glass is broken. Such an effect can be enjoyed without requiring preheating or annealing treatment other than irradiating a laser beam for fusing.

なお、より安定した品位を要求する場合は、溶断直後にレーザ等によるアニール処理を施してもよい。   In addition, when more stable quality is requested | required, you may perform the annealing process by a laser etc. immediately after fusing.

上記実施例8〜10で形成された溶断端面の算術平均粗さRaは、0.08〜0.18μmで、粗さ曲線要素の平均長さRSmは、250〜400μmであり、溶断端面の汚れの除去を容易に行うことができた。一方、薄板ガラスをスクライブ線に沿って折り割りした後にダイヤ研磨を施した割断端面を比較例として挙げると、その割断端面は、Raが0.4〜0.6μmで且つRSmが80〜140μmであり、割断端面の汚れを十分に除去することができなかった。   The arithmetic average roughness Ra of the cut end face formed in Examples 8 to 10 is 0.08 to 0.18 μm, the average length RSm of the roughness curve element is 250 to 400 μm, and the fusing end face is dirty. Could be easily removed. On the other hand, when a cleaved end face obtained by performing diamond polishing after breaking a thin glass plate along a scribe line is given as a comparative example, the cleaved end face has an Ra of 0.4 to 0.6 μm and an RSm of 80 to 140 μm. In addition, the dirt on the cleaved end face could not be removed sufficiently.

また、上記実施例1〜10で形成された溶断端面の圧縮歪(残留圧縮応力)は、80〜180MPaであった。端面に傷を入れて、クラックを発生させると、エッジに沿ってクラックが進展し、ガラス基板としての性能を損なうことがなかった。一方、比較例として作製したレーザ割断された薄板ガラスの端面の圧縮歪は、0〜15MPaであり、傷を入れてクラックを発生させると、クラックが面方向に進展して薄板ガラスが2つに割れ、ガラス基板としての性能を失うに至った。   Moreover, the compressive strain (residual compressive stress) of the fusing end surface formed in Examples 1 to 10 was 80 to 180 MPa. When the end face was scratched to generate a crack, the crack progressed along the edge, and the performance as a glass substrate was not impaired. On the other hand, the compression strain of the end face of the laser-cleaved thin glass produced as a comparative example is 0 to 15 MPa, and when cracks are generated by generating scratches, the crack progresses in the plane direction and the thin glass becomes two. It broke and ended up losing its performance as a glass substrate.

1 ガラス板切断装置
2 支持ステージ
21 ステージ本体
22 コンベア
3 レーザビーム照射器
31 レンズ
4 サイドアシストガス噴射ノズル
5 センターアシストガス噴射ノズル
6 補助サイドアシストガス噴射ノズル
7 第1吸引ノズル
8 第2吸引ノズル
A1 サイドアシストガス
A2 センターアシストガス
A3 補助サイドアシストガス
C 切断部
G ガラス基板
Ga 製品部
Ga1 溶断端面
Gb 非製品部
Gb1 溶断端面
LB レーザビーム
S 非支持空間
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass plate cutting device 2 Support stage 21 Stage main body 22 Conveyor 3 Laser beam irradiation device 31 Lens 4 Side assist gas injection nozzle 5 Center assist gas injection nozzle 6 Auxiliary side assist gas injection nozzle 7 1st suction nozzle 8 2nd suction nozzle A1 Side assist gas A2 Center assist gas A3 Auxiliary side assist gas C Cutting part G Glass substrate Ga Product part Ga1 Fusing end face Gb Non-product part Gb1 Fusing end face LB Laser beam S Unsupported space

Claims (7)

500μm以下の厚みの薄板ガラスの切断部にレーザビームを照射し、前記薄板ガラスを溶断する薄板ガラス切断方法であって、
前記薄板ガラスの厚みをa、前記切断部で対向する前記薄板ガラスの溶断端面間の最小隙間をbとした場合に、0.1≦b/a≦2なる関係を満足するように前記最小隙間を管理することを特徴とする薄板ガラスの切断方法。
A thin glass cutting method of irradiating a cutting portion of a thin glass having a thickness of 500 μm or less with a laser beam and fusing the thin glass,
When the thickness of the thin glass is a and the minimum clearance between the melted end faces of the thin glass facing each other at the cutting portion is b, the minimum gap is set so as to satisfy the relationship of 0.1 ≦ b / a ≦ 2. A method of cutting a thin glass, characterized by managing the glass.
前記レーザビームをデフォーカスの状態で前記切断部に照射することを特徴とする請求項1に記載の薄板ガラスの切断方法。 The method for cutting thin sheet glass according to claim 1, characterized in that irradiating the cutting portion in a state of defocusing the laser beam. 前記レーザビームのスポット径が、前記最小隙間よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の薄板ガラスの切断方法。   The method for cutting a thin glass according to claim 1 or 2, wherein a spot diameter of the laser beam is smaller than the minimum gap. 前記溶断端面が、凸曲面をなすことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄板ガラスの切断方法。   The thin glass cutting method according to any one of claims 1 to 3, wherein the fusing end surface forms a convex curved surface. 前記溶断端面が、火造り面であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄板ガラスの切断方法。   The thin glass cutting method according to any one of claims 1 to 4, wherein the fusing end surface is a fire-making surface. 前記溶断端面の算術平均粗さRaが、0.3μm以下であり、且つ、粗さ曲線要素の平均長さRSmが、150μm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄板ガラスの切断方法。   6. The arithmetic average roughness Ra of the fusing end face is 0.3 μm or less, and the average length RSm of the roughness curve element is 150 μm or more. 6. A method for cutting thin glass as described in 1. 前記溶断端面の残留圧縮応力が、20MPa〜500MPaであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の薄板ガラスの切断方法。   The thin glass cutting method according to any one of claims 1 to 6, wherein a residual compressive stress of the fusing end face is 20 MPa to 500 MPa.
JP2012203278A 2011-09-15 2012-09-14 Thin glass cutting method and thin glass Active JP5907019B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012203278A JP5907019B2 (en) 2011-09-15 2012-09-14 Thin glass cutting method and thin glass

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011202140 2011-09-15
JP2011202140 2011-09-15
JP2012203278A JP5907019B2 (en) 2011-09-15 2012-09-14 Thin glass cutting method and thin glass

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013075818A JP2013075818A (en) 2013-04-25
JP5907019B2 true JP5907019B2 (en) 2016-04-20

Family

ID=48479589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012203278A Active JP5907019B2 (en) 2011-09-15 2012-09-14 Thin glass cutting method and thin glass

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5907019B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5975344B2 (en) * 2012-11-13 2016-08-23 日本電気硝子株式会社 Laser cutting method for sheet glass
TW201509648A (en) * 2013-04-30 2015-03-16 Nippon Electric Glass Co Glass film laminated body and manufacturing method of electronic component
WO2014178405A1 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 日本電気硝子株式会社 Glass film laminate, and production method for electronic device
JP6312476B2 (en) * 2014-03-19 2018-04-18 三菱重工業株式会社 Laser cutting device
JP6811697B2 (en) * 2017-09-22 2021-01-13 三菱重工業株式会社 Laser cutting device and laser cutting method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215736A (en) * 1988-02-20 1989-08-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Cutting of thin glass plate
JP3077462B2 (en) * 1993-09-01 2000-08-14 日立電線株式会社 How to cut glass
JP5691148B2 (en) * 2008-10-01 2015-04-01 日本電気硝子株式会社 Glass roll, glass roll manufacturing apparatus, and glass roll manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013075818A (en) 2013-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5861864B2 (en) Glass plate cutting method and glass plate cutting device
WO2013039229A1 (en) Glass plate cutting method and glass plate cutting device
JP5907019B2 (en) Thin glass cutting method and thin glass
TWI629249B (en) Method for cutting tempered glass sheets
KR101581992B1 (en) Method for Separating a Sheet of Brittle Material
WO2013039230A1 (en) Method for cutting glass sheet
JP5824998B2 (en) Glass plate cutting method and glass plate cutting device
KR101223490B1 (en) Method for dividing brittle material substrate
KR20150120384A (en) Apparatus and methods for continuous laser cutting of flexible glass
JPWO2014077117A1 (en) Sheet glass manufacturing method and manufacturing apparatus
TW201529503A (en) Chamfering method of glass substrate and laser processing device
TW201328808A (en) Glass plate cutting method
JP5825551B2 (en) Glass plate cutting method and glass plate cutting device
TW201619078A (en) Thermal barriers to guide glass cutting and prevent crackout
JP6222439B2 (en) Method for cleaving glass film and method for producing film-like glass
JP5884691B2 (en) Glass plate cutting method
JP2017019704A (en) Method and apparatus for cutting hard fragile plate
JP5993684B2 (en) Method for dividing brittle material substrate and scribing apparatus
JP5995195B2 (en) Sheet glass cutting method
KR20140034343A (en) Substrate cutting apparatus and method
JP2014065629A (en) Dividing method and scribing device of brittle material substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20151030

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160223

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5907019

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150