JP5892280B2 - ラジカル反応による無歪精密加工方法 - Google Patents
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Description
なお、以下の説明で参照する図は、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。
(実施形態1)
図2は、被加工面の状態を示し、(a)は被加工物の一部を加工電極側から視認した平面図、(b)は(a)のA−A切断面を示す断面図である。図2(a)、(b)から、被加工物20の上面21には複数の凹部が形成されている。凹部は、エッチング加工等により形成される。これら複数の凹部は、1mm2〜2mm2程度の面積とし、基準面22からの平均厚さは数μmである。本実施形態では、これら複数の凹部の底面が被加工面である。
本実施形態の目的は、これら凹部の基準面22からの厚さを均一に加工することである。
図3は、本実施形態に係る加工方法の主たる工程を示すフロー説明図、図4は、各工程の被加工物を表す部分平面図及び部分断面図である。なお、凹部31〜36を代表例示して説明する。まず、被加工物20に形成された凹部31〜36の基準面22からの厚さを厚さ測定器8により測定する(図4(a),(b)、S10)。厚さ測定は、凹部31〜36の平面形状のほぼ中央(重心位置)の一箇所を測定する。この際、厚さの測定位置を座標系で特定する。例示した凹部厚さを、凹部31がT1、凹部32がT2、凹部33がT3、凹部34がT4、凹部35がT5、凹部36がT6とする。
(実施例1)
図6は、実施例1に係るMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)構造体の一部を示す断面図である。図6に示すMEMS構造体50は、半導体基板60にMOSFET70とビーム80が形成された共振子を例示している。なお、MEMS構造体50は、ウエハー上に多数個配列されている。
(実施形態2)
(実施例2)
図8は、実施例2に係るスタンパーを模式的に示す断面図である。スタンパー加工は、ほぼ平坦の樹脂からなる基板90を表面に凹凸を有するスタンパー91を型押し成形するものである。
Claims (4)
- 複数の凹凸面が形成された被加工物と加工電極とを相対的に走査させて、複数の凹面ま
たは凸面を加工するラジカル反応による無歪精密加工方法であって、
複数の凹面の基準面からの厚さ、または複数の凸面の基準面からの厚さを所定の座標位
置でそれぞれ個別に測定する工程と、
これらの測定値を前記複数の凹面または前記複数の凸面毎に前記加工電極の走査方向に
連続する近似曲線を作成する工程と、
前記近似曲線に基づき基準面からの加工後目標厚さを設定する工程と、
前記近似曲線に基づき任意の座標位置の基準面からの厚さを算出し、前記任意の座標位
置の厚さと前記加工後目標厚さとの差を加工量として算出する工程と、
前記加工量に基づき、前記加工電極の走査速度を算出する工程と、
を有し、
前記走査速度に基づき加工時間を制御することを特徴とするラジカル反応による無歪精
密加工方法。 - 請求項1に記載のラジカル反応による無歪精密加工方法において、
前記複数の凹面または前記複数の凸面の基準面からの厚さは、それぞれの被加工面のほ
ぼ中央の一点で測定することを特徴とするラジカル反応による無歪精密加工方法。 - 請求項1に記載のラジカル反応による無歪精密加工方法において、
前記加工量が、前記算出された加工量に加工上の厚さ変動量を加えた値であることを特
徴とするラジカル反応による無歪精密加工方法。 - 請求項1に記載のラジカル反応による無歪精密加工方法において、
前記近似曲線を作成する工程は、前記複数の凸面の基準面からの厚さデータを用いて第
1近似曲線を作成する工程と、前記複数の凹面の基準面からの厚さデータを用いて第2近
似曲線を作成する工程と、前記第1近似曲線と前記第2近似曲線とを合成して第3近似曲
線を作成する工程と、を含み、
前記加工後目標厚さを設定する工程では、加工後目標厚さを前記第3近似曲線に基づいて設定し、
前記加工量を算出する工程は、前記第3近似曲線に基づき任意の座標位置の基準面から
の厚さを算出するステップと、前記任意の座標位置の厚さと前記加工後目標厚さとの差を加工量として算出するステップと、を含むことを特徴とするラジカル反応による無歪精密加工方法。
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