JP5886560B2

JP5886560B2 - Driving circuit

Info

Publication number: JP5886560B2
Application number: JP2011168426A
Authority: JP
Inventors: 勲大城
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-08-01
Filing date: 2011-08-01
Publication date: 2016-03-16
Anticipated expiration: 2031-08-01
Also published as: JP2013033610A

Description

本発明は、駆動回路に関する。 The present invention relates to a drive circuit.

従来、発光ダイオードといった半導体素子を駆動する駆動回路が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a drive circuit for driving a semiconductor element such as a light emitting diode has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１には、スイッチの切り替えに応じて点灯したり消灯したりする発光ダイオードに、抵抗を並列接続する手法が示されている。この手法によれば、スイッチが被水して、スイッチの接点間にリーク電流が流れてしまった場合に、このリーク電流を抵抗に流して、発光ダイオードに流れてしまうリーク電流を小さくすることができる。このため、スイッチの接点間にリーク電流が流れてしまっても、このリーク電流により発光ダイオードが点灯してしまうのを防止することができ、発光ダイオードの誤動作を防止できる。 Patent Document 1 discloses a technique in which a resistor is connected in parallel to a light emitting diode that is turned on or off according to switching of a switch. According to this method, when the switch is flooded and a leak current flows between the contact points of the switch, the leak current flowing in the light emitting diode can be reduced by flowing the leak current through the resistor. it can. For this reason, even if a leak current flows between the contact points of the switch, it is possible to prevent the light emitting diode from being turned on by the leak current, and to prevent malfunction of the light emitting diode.

特開２００３−６３３０５号公報JP 2003-63305 A

上述の特許文献１に示されている手法では、発光ダイオードに並列接続される抵抗に、電流が常に流れる。このため、抵抗での消費電力が増加してしまい、駆動回路の消費電力も増加してしまう。また、抵抗には、抵抗値の大きい抵抗を用いる必要が出てくるが、抵抗値が大きくなるに従って、抵抗が大型化してしまうために駆動回路も大型化してしまうとともに、抵抗での消費電力がさらに増加してしまうために駆動回路の消費電力もさらに増加してしまう。 In the method disclosed in Patent Document 1 described above, a current always flows through a resistor connected in parallel to the light emitting diode. For this reason, the power consumption at the resistor increases and the power consumption of the drive circuit also increases. In addition, it is necessary to use a resistor having a large resistance value. However, as the resistance value increases, the resistor increases in size, so that the drive circuit also increases in size and the power consumption in the resistor increases. Since the power consumption is further increased, the power consumption of the drive circuit is further increased.

上述の課題を鑑み、本発明は、半導体素子を駆動する駆動回路について、大型化と、消費電力の増加と、を抑制しつつ、リーク電流による半導体素子の誤動作を防止できる駆動回路を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides a drive circuit that can prevent malfunction of a semiconductor element due to a leakage current while suppressing an increase in size and an increase in power consumption of a drive circuit that drives a semiconductor element. With the goal.

本発明は、上述の課題を解決するために、以下の事項を提案している。
（１）本発明は、スイッチ（例えば、図１のスイッチＳＷに相当）の切り替えに応じて半導体素子（例えば、図１の発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、およびＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３に相当）を駆動する駆動回路（例えば、図１の駆動回路１に相当）であって、前記スイッチの接点（例えば、図１の接点Ｊ２、Ｊ３に相当）の電圧を検出することで当該スイッチの切り替えを検出し、検出結果に応じて前記半導体素子に駆動信号を供給する制御手段（例えば、図１の制御部１０と、スイッチ検出部２１、２２と、出力部３１〜３４と、に相当）と、抵抗（例えば、図１の抵抗Ｒ１、Ｒ２に相当）と、当該抵抗に直列接続されたスイッチ素子（例えば、図１のスイッチ素子Ｑ１、Ｑ２に相当）と、を有するリーク電流対策手段と、を備え、前記制御手段は、前記スイッチ素子を制御して、前記スイッチ素子をオン状態にしている期間のうち少なくとも一部の期間において、前記スイッチの切り替えを検出し、前記スイッチ素子がオン状態であれば、前記スイッチの接点を流れる電流のうち予め定められた電流を前記抵抗で消費することを特徴とする駆動回路を提案している。 The present invention proposes the following items in order to solve the above-described problems.
(1) The present invention provides semiconductor elements (for example, light emitting diodes LED11 to LED13, LED21 to LED23, LED31 to LED33, and LED41 to LED43 in FIG. 1) in accordance with switching of a switch (for example, equivalent to the switch SW in FIG. 1), which is a drive circuit (e.g., equivalent to the drive circuit 1 of FIG. 1), and detects the voltage of the switch contacts (e.g., equivalent to the contacts J2, J3 of FIG. 1). Is equivalent to the control means (for example, the control unit 10, the switch detection units 21 and 22, and the output units 31 to 34 in FIG. 1) that detect the switching and supply the drive signal to the semiconductor element according to the detection result. ), A resistor (for example, equivalent to the resistors R1 and R2 in FIG. 1), and a switch element (for example, the switch elements Q1 and Q2 in FIG. 1) connected in series to the resistor Leakage current countermeasure means, and the control means controls the switch element, and the switch element is turned on in at least a part of a period during which the switch element is turned on. When the switching element is detected and the switch element is in the ON state, a driving circuit is proposed in which a predetermined current out of the current flowing through the contact of the switch is consumed by the resistor.

この発明によれば、スイッチの切り替えに応じて半導体素子を駆動する駆動回路に、制御手段およびリーク電流対策手段を設けた。リーク電流対策手段には、抵抗と、この抵抗に直列接続されたスイッチ素子と、を設けた。そして、制御手段により、スイッチの接点の電圧を検出することでスイッチの切り替えを検出し、検出結果に応じて半導体素子に駆動信号を供給することとした。また、制御手段により、スイッチ素子を制御して、スイッチ素子をオン状態にしている期間のうち少なくとも一部の期間において、スイッチの切り替えを検出することとした。また、スイッチ素子がオン状態であれば、スイッチの接点を流れる電流のうち予め定められた電流を抵抗で消費することとした。 According to the present invention, the control means and the leakage current countermeasure means are provided in the drive circuit that drives the semiconductor element in accordance with switching of the switch. The leakage current countermeasure means includes a resistor and a switch element connected in series with the resistor. Then, the switching of the switch is detected by detecting the voltage of the contact of the switch by the control means, and the drive signal is supplied to the semiconductor element according to the detection result. In addition, the switch means is controlled by the control means, and switching of the switch is detected in at least a part of the period in which the switch element is turned on. Further, if the switch element is in the ON state, a predetermined current out of the current flowing through the switch contact is consumed by the resistor.

このため、スイッチの切り替えを検出する期間では、スイッチの接点を流れる電流のうち予め定められた電流が、抵抗で消費される。したがって、スイッチの接点間に流れてしまうリーク電流を予め想定し、上述の予め定められた電流を、想定したリーク電流以上にすることで、スイッチの接点間にリーク電流が流れてしまっても、このリーク電流を抵抗で消費することができる。これによれば、スイッチの接点間にリーク電流が流れてしまっても、スイッチの接点の電圧が変動してしまうのを抑制できる。よって、リーク電流によるスイッチの切り替えの誤検出を防止できるので、リーク電流による半導体素子の誤動作を防止できる。 For this reason, during the period for detecting switch switching, a predetermined current out of the current flowing through the contact of the switch is consumed by the resistor. Therefore, assuming a leakage current that flows between the contact points of the switch in advance, even if a leakage current flows between the contact points of the switch by making the above-described predetermined current more than the assumed leakage current, This leakage current can be consumed by the resistor. According to this, even if a leakage current flows between the contact points of the switch, it is possible to suppress the fluctuation of the voltage at the contact point of the switch. Therefore, erroneous detection of switch switching due to leakage current can be prevented, and malfunction of the semiconductor element due to leakage current can be prevented.

また、抵抗に電流が流れるのは、スイッチ素子をオン状態にしている期間である。このため、リーク電流による半導体素子の誤動作を防止するための抵抗に電流が流れる期間を短縮することができるので、この抵抗での消費電力の増加を抑制できる。したがって、駆動回路の消費電力の増加を抑制できる。 Further, the current flows through the resistor during the period when the switch element is in the ON state. For this reason, since the period during which the current flows through the resistor for preventing malfunction of the semiconductor element due to the leakage current can be shortened, an increase in power consumption at the resistor can be suppressed. Therefore, an increase in power consumption of the drive circuit can be suppressed.

また、上述のようにリーク電流による半導体素子の誤動作を防止するための抵抗に電流が流れる期間を短縮することができるので、この抵抗に、抵抗値の大きい抵抗を用いる必要がない。このため、抵抗の大型化を防止して駆動回路の大型化を防止できるとともに、抵抗での消費電力の増加をさらに抑制して駆動回路の消費電力の増加をさらに抑制できる。 In addition, as described above, the period during which current flows through the resistor for preventing malfunction of the semiconductor element due to leakage current can be shortened, so that it is not necessary to use a resistor having a large resistance value. For this reason, it is possible to prevent an increase in the size of the resistor and prevent an increase in the size of the drive circuit, and to further suppress an increase in power consumption at the resistor and further suppress an increase in power consumption of the drive circuit.

（２）本発明は、（１）の駆動回路について、前記抵抗で消費される予め定められた電流は、前記スイッチの接点間を流れるリーク電流以上であることを特徴とする駆動回路を提案している。 (2) The present invention proposes a drive circuit characterized in that, in the drive circuit of (1), a predetermined current consumed by the resistor is equal to or greater than a leak current flowing between the contacts of the switch. ing.

この発明によれば、（１）の駆動回路において、抵抗で消費される予め定められた電流を、スイッチの接点間を流れるリーク電流以上にした。このため、スイッチの接点間にリーク電流が流れてしまっても、このリーク電流を抵抗で消費することができる。したがって、上述した効果と同様の効果を奏することができる。 According to the present invention, in the drive circuit of (1), the predetermined current consumed by the resistor is set to be equal to or greater than the leakage current flowing between the switch contacts. For this reason, even if a leak current flows between the contacts of the switch, the leak current can be consumed by the resistor. Therefore, the same effects as those described above can be achieved.

（３）本発明は、スイッチ（例えば、図２のスイッチＳＷに相当）の切り替えに応じて半導体素子（例えば、図２の発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、およびＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３に相当）を駆動する駆動回路（例えば、図２の駆動回路１Ａに相当）であって、前記スイッチの接点（例えば、図２の接点Ｊ２、Ｊ３に相当）の電圧を検出することで当該スイッチの切り替えを検出し、検出結果に応じて前記半導体素子に駆動信号を供給する制御手段（例えば、図２の制御部１０と、スイッチ検出部２１Ａ、２２Ａと、出力部３１〜３４と、に相当）と、抵抗（例えば、図２の抵抗Ｒ３、Ｒ４に相当）と、当該抵抗に直列接続されたスイッチ素子（例えば、図２のスイッチ素子Ｑ３、Ｑ４に相当）と、を有するリーク電流対策手段と、を備え、前記制御手段は、前記スイッチ素子を制御して、前記スイッチ素子をオン状態にしている期間のうち少なくとも一部の期間において、前記スイッチの切り替えを検出し、前記スイッチ素子がオン状態であれば、前記抵抗を介して前記スイッチの接点に予め定められた電圧を印加することを特徴とする駆動回路を提案している。 (3) The present invention provides semiconductor elements (for example, light emitting diodes LED11 to LED13, LED21 to LED23, LED31 to LED33, and LED41 to LED43 in FIG. 2) in accordance with switching of a switch (for example, equivalent to the switch SW in FIG. 2). 2), which is a drive circuit (e.g., equivalent to the drive circuit 1A of FIG. 2), and detects the voltage of the switch contacts (e.g., equivalent to the contacts J2, J3 of FIG. 2). Is equivalent to control means (for example, the control unit 10, the switch detection units 21A and 22A, and the output units 31 to 34 in FIG. 2) that detects the switching of the semiconductor element and supplies a drive signal to the semiconductor element according to the detection result. ), A resistor (for example, equivalent to the resistors R3 and R4 in FIG. 2), and a switch element (for example, the switch element Q in FIG. 2) connected in series to the resistor. , Corresponding to Q4), and the control means controls the switch element, and at least a part of the period in which the switch element is in an on state, A drive circuit is proposed that detects switching of the switch and applies a predetermined voltage to a contact of the switch via the resistor when the switch element is in an ON state.

この発明によれば、スイッチの切り替えに応じて半導体素子を駆動する駆動回路に、制御手段およびリーク電流対策手段を設けた。リーク電流対策手段には、抵抗と、この抵抗に直列接続されたスイッチ素子と、を設けた。そして、制御手段により、スイッチの接点の電圧を検出することでスイッチの切り替えを検出し、検出結果に応じて半導体素子に駆動信号を供給することとした。また、制御手段により、スイッチ素子を制御して、スイッチ素子をオン状態にしている期間のうち少なくとも一部の期間において、スイッチの切り替えを検出することとした。また、スイッチ素子がオン状態であれば、抵抗を介してスイッチの接点に予め定められた電圧を印加することとした。 According to the present invention, the control means and the leakage current countermeasure means are provided in the drive circuit that drives the semiconductor element in accordance with switching of the switch. The leakage current countermeasure means includes a resistor and a switch element connected in series with the resistor. Then, the switching of the switch is detected by detecting the voltage of the contact of the switch by the control means, and the drive signal is supplied to the semiconductor element according to the detection result. In addition, the switch means is controlled by the control means, and switching of the switch is detected in at least a part of the period in which the switch element is turned on. Further, when the switch element is in the ON state, a predetermined voltage is applied to the switch contact via a resistor.

このため、スイッチの切り替えを検出する期間では、スイッチの接点に電圧が印加されることとなる。したがって、スイッチの接点間に流れてしまうリーク電流を予め想定し、このリーク電流によるスイッチの接点の電圧変動を予め想定した上で、スイッチの接点の電圧を制御手段で検出することで、リーク電流によるスイッチの切り替えの誤検出を防止できるので、リーク電流による半導体素子の誤動作を防止できる。 For this reason, a voltage is applied to the contact point of the switch in the period for detecting the switching of the switch. Therefore, the leakage current that flows between the contact points of the switch is assumed in advance, and the voltage fluctuation at the contact point of the switch due to this leakage current is assumed in advance, and the leakage current is detected by the control means by the control means. Therefore, it is possible to prevent erroneous detection of the switching of the switch, and thus it is possible to prevent malfunction of the semiconductor element due to leakage current.

また、抵抗に電流が流れるのは、スイッチ素子をオン状態にしている期間である。このため、抵抗に電流が流れる期間を短縮することができるので、抵抗での消費電力の増加を抑制できる。したがって、駆動回路の消費電力の増加を抑制できる。 Further, the current flows through the resistor during the period when the switch element is in the ON state. For this reason, since the period during which current flows through the resistor can be shortened, an increase in power consumption at the resistor can be suppressed. Therefore, an increase in power consumption of the drive circuit can be suppressed.

また、上述のように抵抗に電流が流れる期間を短縮することができるので、この抵抗に、抵抗値の大きい抵抗を用いる必要がない。このため、抵抗の大型化を防止して駆動回路の大型化を防止できるとともに、抵抗での消費電力の増加をさらに抑制して駆動回路の消費電力の増加をさらに抑制できる。 In addition, as described above, the period during which current flows through the resistor can be shortened, so that it is not necessary to use a resistor having a large resistance value. For this reason, it is possible to prevent an increase in the size of the resistor and prevent an increase in the size of the drive circuit, and to further suppress an increase in power consumption at the resistor and further suppress an increase in power consumption of the drive circuit.

（４）本発明は、（３）の駆動回路について、前記スイッチ素子がオン状態である期間に前記スイッチの接点に印加される電圧は、前記スイッチの接点間にリーク電流が流れることによる前記スイッチの接点の降下電圧より高いことを特徴とする駆動回路を提案している。 (4) In the drive circuit according to (3), the voltage applied to the contact of the switch during the period in which the switch element is in the on state is the switch caused by a leak current flowing between the contact of the switch. Has proposed a drive circuit characterized in that it is higher than the voltage drop across the contacts.

この発明によれば、（３）の駆動回路において、スイッチ素子がオン状態である期間にスイッチの接点に印加される電圧は、スイッチの接点間にリーク電流が流れることによるスイッチの接点の降下電圧より高いものとした。このため、スイッチの接点間にリーク電流が流れている場合には、スイッチの接点の電圧が基準電位点の電圧より高くなる。一方、スイッチの切り替えによりスイッチがオフ状態である場合には、スイッチの接点の電圧が基準電位点の電圧に等しくなる。したがって、スイッチの切り替えによるスイッチのオフ状態を的確に検出することができ、上述した効果と同様の効果を奏することができる。 According to the present invention, in the driving circuit of (3), the voltage applied to the contact of the switch during the period when the switch element is in the ON state is the drop voltage of the contact of the switch due to the leakage current flowing between the switch contacts Higher. For this reason, when a leak current flows between the contact points of the switch, the voltage at the contact point of the switch becomes higher than the voltage at the reference potential point. On the other hand, when the switch is turned off by switching the switch, the voltage at the contact of the switch becomes equal to the voltage at the reference potential point. Accordingly, it is possible to accurately detect the off state of the switch due to the switching of the switch, and it is possible to achieve the same effect as described above.

本発明によれば、半導体素子を駆動する駆動回路について、大型化と、消費電力の増加と、を抑制しつつ、リーク電流による半導体素子の誤動作を防止できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the malfunction of the semiconductor element by a leakage current can be prevented, suppressing the enlargement and the increase in power consumption about the drive circuit which drives a semiconductor element.

本発明の第１実施形態に係る駆動回路の回路図である。1 is a circuit diagram of a drive circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態に係る駆動回路の回路図である。It is a circuit diagram of the drive circuit concerning a 2nd embodiment of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態における構成要素は適宜、既存の構成要素などとの置き換えが可能であり、また、他の既存の構成要素との組合せを含む様々なバリエーションが可能である。したがって、以下の実施形態の記載をもって、特許請求の範囲に記載された発明の内容を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the constituent elements in the following embodiments can be appropriately replaced with existing constituent elements, and various variations including combinations with other existing constituent elements are possible. Accordingly, the description of the following embodiments does not limit the contents of the invention described in the claims.

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る駆動回路１の回路図である。駆動回路１は、スイッチＳＷの切り替えに応じて、発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、およびＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３を点灯させたり消灯させたりする。 <First Embodiment>
FIG. 1 is a circuit diagram of a drive circuit 1 according to the first embodiment of the present invention. The drive circuit 1 turns on and off the light emitting diodes LED11 to LED13, LED21 to LED23, LED31 to LED33, and LED41 to LED43 in accordance with switching of the switch SW.

［駆動回路１の構成］
駆動回路１は、制御部１０と、スイッチ検出部２１、２２と、出力部３１〜３４と、電源回路４０と、抵抗Ｒ１、Ｒ２と、ＮＰＮ型トランジスタで構成されるスイッチ素子Ｑ１、Ｑ２と、を備える。 [Configuration of Drive Circuit 1]
The drive circuit 1 includes a control unit 10, switch detection units 21 and 22, output units 31 to 34, a power supply circuit 40, resistors R1 and R2, and switch elements Q1 and Q2 configured by NPN transistors, Is provided.

スイッチＳＷは、接点Ｊ１〜Ｊ３の３つの接点を有しており、切り替えにより、接点Ｊ１と接点Ｊ２とを接続したり、接点Ｊ１と接点Ｊ３とを接続したり、接点Ｊ１を接点Ｊ２と接点Ｊ３とのどちらにも接続させなかったりすることができる。スイッチＳＷの切り替えは、例えば操縦者により行われる。 The switch SW has three contacts J1 to J3. By switching, the switch J1 and the contact J2 are connected, the contact J1 and the contact J3 are connected, the contact J1 is connected to the contact J2 and the contact J2. It can be connected to neither of J3. The switch SW is switched by, for example, a driver.

スイッチＳＷの接点Ｊ１には、２次電池ＢＴの正極が接続される。２次電池ＢＴの正極には、電源回路４０を介して制御部１０も接続される。２次電池ＢＴの負極には、基準電位点が接続される。 The positive electrode of the secondary battery BT is connected to the contact J1 of the switch SW. The control unit 10 is also connected to the positive electrode of the secondary battery BT via the power supply circuit 40. A reference potential point is connected to the negative electrode of the secondary battery BT.

スイッチＳＷの接点Ｊ２には、スイッチ検出部２１が接続されるとともに、抵抗Ｒ１の一端が接続される。抵抗Ｒ１の他端には、スイッチ素子Ｑ１のコレクタが接続され、スイッチ素子Ｑ１のエミッタには、基準電位点が接続される。スイッチ素子Ｑ１のベースと、スイッチ検出部２１とには、制御部１０が接続される。 The switch SW 21 is connected to the contact J2 of the switch SW and one end of the resistor R1 is connected to the contact J2. The other end of the resistor R1 is connected to the collector of the switch element Q1, and the emitter of the switch element Q1 is connected to a reference potential point. The control unit 10 is connected to the base of the switch element Q1 and the switch detection unit 21.

スイッチＳＷの接点Ｊ３には、スイッチ検出部２２が接続されるとともに、抵抗Ｒ２の一端が接続される。抵抗Ｒ２の他端には、スイッチ素子Ｑ２のコレクタが接続され、スイッチ素子Ｑ２のエミッタには、基準電位点が接続される。スイッチ素子Ｑ２のベースと、スイッチ検出部２２とには、制御部１０が接続される。 The switch detector 22 is connected to the contact J3 of the switch SW, and one end of the resistor R2 is connected to the contact J3 of the switch SW. The other end of the resistor R2 is connected to the collector of the switch element Q2, and the emitter of the switch element Q2 is connected to a reference potential point. The control unit 10 is connected to the base of the switch element Q2 and the switch detection unit 22.

制御部１０には、出力部３１を介して、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３が接続されるとともに、出力部３２を介して、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３が接続される。また、制御部１０には、出力部３３を介して、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３が接続されるとともに、出力部３４を介して、直列接続された発光ダイオードＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３が接続される。 The control unit 10 is connected to the light emitting diodes LED11 to LED13 connected in series via the output unit 31, and is connected to the light emitting diodes LED21 to LED23 connected in series via the output unit 32. The control unit 10 is connected to the light emitting diodes LED31 to LED33 connected in series via the output unit 33, and is connected to the light emitting diodes LED41 to LED43 connected in series via the output unit 34. .

［駆動回路１の動作］
以上の構成を備える駆動回路１は、スイッチ検出部２１、２２により、スイッチＳＷの切り替えを検出する。 [Operation of Drive Circuit 1]
In the drive circuit 1 having the above configuration, the switch detection units 21 and 22 detect switching of the switch SW.

具体的には、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されている場合には、２次電池ＢＴの正極と接点Ｊ２とが導通する。スイッチ検出部２１は、接点Ｊ２の電圧を検出し、接点Ｊ２の電圧が予め定められた第１の閾値電圧以上であれば、スイッチ検出部２１は、第１のオン状態検出信号を制御部１０に送信する。ここで、第１の閾値電圧は、２次電池ＢＴの充電電圧より低く設定されるものとする。 Specifically, when the contact J1 and the contact J2 of the switch SW are connected, the positive electrode of the secondary battery BT and the contact J2 are conducted. The switch detection unit 21 detects the voltage at the contact J2, and if the voltage at the contact J2 is equal to or higher than a predetermined first threshold voltage, the switch detection unit 21 sends the first on-state detection signal to the control unit 10. Send to. Here, the first threshold voltage is set lower than the charging voltage of the secondary battery BT.

また、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ３とが接続されている場合には、２次電池ＢＴの正極と接点Ｊ３とが導通する。スイッチ検出部２２は、接点Ｊ３の電圧を検出し、接点Ｊ３の電圧が予め定められた第２の閾値電圧以上であれば、スイッチ検出部２２は、第２のオン状態検出信号を制御部１０に送信する。ここで、第２の閾値電圧は、２次電池ＢＴの充電電圧より低く設定されるものとする。 Further, when the contact J1 and the contact J3 of the switch SW are connected, the positive electrode of the secondary battery BT and the contact J3 are conducted. The switch detection unit 22 detects the voltage at the contact J3. If the voltage at the contact J3 is equal to or higher than a predetermined second threshold voltage, the switch detection unit 22 sends the second on-state detection signal to the control unit 10. Send to. Here, the second threshold voltage is set lower than the charging voltage of the secondary battery BT.

制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１、Ｑ２をスイッチングさせる。また、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１がオン状態である期間のうち少なくとも一部の期間において、第１のオン状態検出信号の受信の有無を判別し、スイッチ素子Ｑ２がオン状態である期間のうち少なくとも一部の期間において、第２のオン状態検出信号の受信の有無を判別する。 The control unit 10 switches the switch elements Q1 and Q2. In addition, the control unit 10 determines whether or not the first on-state detection signal is received in at least a part of the period in which the switch element Q1 is in the on-state, and the switch element Q2 in the period in which the switch element Q2 is in the on-state. Whether or not the second on-state detection signal is received is determined in at least a part of the period.

スイッチ素子Ｑ１がオン状態である期間において、第１のオン状態検出信号を受信していると判別した場合には、制御部１０は、出力部３１、３２に対する発光命令信号の送信を開始する。そして、スイッチ素子Ｑ１がオン状態で、かつ、出力部３１、３２に対して発光命令信号を送信中である期間において、第１のオン状態検出信号を受信していないと判別した場合には、制御部１０は、出力部３１、３２に対する発光命令信号の送信を終了する。出力部３１は、発光命令信号を受信している期間に、発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３に電流を供給して、これら発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３を発光させる。出力部３２は、発光命令信号を受信している期間に、発光ダイオードＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３に電流を供給して、これら発光ダイオードＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３を発光させる。 When it is determined that the first on-state detection signal is received during the period in which the switch element Q1 is in the on-state, the control unit 10 starts transmitting the light emission command signal to the output units 31 and 32. When it is determined that the first on-state detection signal is not received in the period in which the switch element Q1 is in the on-state and the light emission command signal is being transmitted to the output units 31 and 32, The control unit 10 ends the transmission of the light emission command signal to the output units 31 and 32. The output unit 31 supplies current to the light emitting diodes LED11 to LED13 to emit light from the light emitting diodes LED11 to LED13 during a period in which the light emission command signal is received. The output unit 32 supplies current to the light emitting diodes LED21 to LED23 during the period in which the light emission command signal is received, and causes the light emitting diodes LED21 to LED23 to emit light.

以上によれば、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１をオン状態にしている期間にのみ、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ２とが導通しているか否かを判別し、発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３および発光ダイオードＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３の状態を切り替えることとなる。 As described above, the control unit 10 determines whether or not the contact J1 and the contact J2 of the switch SW are in conduction only during the period when the switch element Q1 is in the ON state, and the light emitting diodes LED11 to LED13 and the light emitting diodes The states of the diodes LED21 to LED23 are switched.

また、スイッチ素子Ｑ２がオン状態である期間において、第２のオン状態検出信号を受信していると判別した場合には、制御部１０は、出力部３３、３４に対する発光命令信号の送信を開始する。そして、スイッチ素子Ｑ２がオン状態で、かつ、出力部３３、３４に対して発光命令信号を送信中である期間において、第２のオン状態検出信号を受信していないと判別した場合には、制御部１０は、出力部３３、３４に対する発光命令信号の送信を終了する。出力部３３は、発光命令信号を受信している期間に、発光ダイオードＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３に電流を供給して、これら発光ダイオードＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３を発光させる。出力部３４は、発光命令信号を受信している期間に、発光ダイオードＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３に電流を供給して、これら発光ダイオードＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３を発光させる。 Further, when it is determined that the second on-state detection signal is received during the period when the switch element Q2 is in the on-state, the control unit 10 starts transmission of the light emission command signal to the output units 33 and 34. To do. When it is determined that the second on-state detection signal is not received in a period in which the switch element Q2 is on and the light emission command signal is being transmitted to the output units 33 and 34, The control unit 10 ends the transmission of the light emission command signal to the output units 33 and 34. The output unit 33 supplies current to the light emitting diodes LED31 to LED33 to emit light from the light emitting diodes LED31 to LED33 during a period in which the light emission command signal is received. The output unit 34 supplies current to the light emitting diodes LED41 to LED43 to emit light from the light emitting diodes LED41 to LED43 during a period in which the light emission command signal is received.

以上によれば、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ２をオン状態にしている期間にのみ、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ３とが導通しているか否かを判別し、発光ダイオードＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３および発光ダイオードＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３の状態を切り替えることとなる。 As described above, the control unit 10 determines whether or not the contact J1 and the contact J3 of the switch SW are in conduction only during the period when the switch element Q2 is in the ON state, and the light emitting diodes LED31 to LED33 and the light emitting diodes The states of the diodes LED41 to LED43 are switched.

なお、スイッチ素子Ｑ１がオン状態である期間では、抵抗Ｒ１およびオン状態のスイッチ素子Ｑ１を介して、スイッチＳＷの接点Ｊ２と基準電位点とが導通する。このため、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されていないにもかかわらず接点Ｊ２に電流が流れている場合、すなわち接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れている場合には、このリーク電流以上の電流が抵抗Ｒ１を流れる。ここで、抵抗Ｒ１の抵抗値は、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れてしまった場合に、このリーク電流を抵抗Ｒ１で消費できるように設定される。抵抗Ｒ１の抵抗値の設定方法について、以下に説明する。 Note that, during the period in which the switch element Q1 is in the on state, the contact J2 of the switch SW and the reference potential point are electrically connected via the resistor R1 and the on state switch element Q1. For this reason, when the current flows through the contact J2 even though the contact J1 and the contact J2 of the switch SW are not connected, that is, when the leak current flows between the contact J1 and the contact J2. A current greater than this leakage current flows through the resistor R1. Here, the resistance value of the resistor R1 is set so that when the leak current flows between the contact J1 and the contact J2, the leak current can be consumed by the resistor R1. A method for setting the resistance value of the resistor R1 will be described below.

例えば、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間に流れることが想定されるリーク電流が１００ｍＡであり、スイッチ検出部２１で用いる上述の第１の閾値電圧が５Ｖである場合について検討する。この場合、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れている状態において、接点Ｊ２の電圧が５Ｖ未満となる必要がある。このため、抵抗Ｒ１の抵抗値を、以下の式（１）に示すように、５０Ω以下に設定する必要がある。 For example, a case where the leakage current assumed to flow between the contact J1 and the contact J2 is 100 mA and the first threshold voltage used in the switch detection unit 21 is 5 V will be considered. In this case, the voltage at the contact J2 needs to be less than 5V in a state where a leakage current flows between the contact J1 and the contact J2. For this reason, it is necessary to set the resistance value of the resistor R1 to 50Ω or less as shown in the following formula (1).

抵抗Ｒ２の抵抗値についても、上述の抵抗Ｒ１の抵抗値と同様に、接点Ｊ１と接点Ｊ３との間にリーク電流が流れてしまった場合、このリーク電流を抵抗Ｒ２で消費できるように設定される。 Similarly to the resistance value of the resistor R1, the resistance value of the resistor R2 is set so that when the leakage current flows between the contact J1 and the contact J3, the leakage current can be consumed by the resistor R2. The

また、制御部１０によるスイッチ素子Ｑ１のスイッチング周期およびオンデューティの設定方法について、以下に説明する。 A method for setting the switching cycle and on-duty of the switch element Q1 by the control unit 10 will be described below.

例えば、上述のように、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間に流れることが想定されるリーク電流が１００ｍＡであり、スイッチ検出部２１で用いる上述の第１の閾値電圧が５Ｖである場合であって、２次電池ＢＴの充電電圧が１２Ｖである場合について検討する。この場合、抵抗Ｒ１での消費電力は、以下の式（２）に示すように、２．８８Ｗとなる。 For example, as described above, the leakage current assumed to flow between the contact J1 and the contact J2 is 100 mA, and the first threshold voltage used in the switch detection unit 21 is 5V. Consider the case where the charging voltage of the secondary battery BT is 12V. In this case, the power consumption at the resistor R1 is 2.88 W as shown in the following equation (2).

ここで、抵抗Ｒ１の容量が０．５Ｗであるものとすると、スイッチ素子Ｑ１のオンデューティを、以下の式（３）に示すように、１７％以下に設定する必要がある。 Here, assuming that the capacitance of the resistor R1 is 0.5 W, it is necessary to set the on-duty of the switch element Q1 to 17% or less as shown in the following formula (3).

また、スイッチＳＷの応答性を考慮するとスイッチ素子Ｑ１のスイッチング周期が１００ｍｓｅｃ以下であることが好ましい場合には、例えば、スイッチ素子Ｑ１のスイッチング周期を１０ｍｓｅｃとし、スイッチ素子Ｑ１のオンデューティを１５％に設定すればよいこととなる。 If it is preferable that the switching cycle of the switch element Q1 is 100 msec or less in consideration of the responsiveness of the switch SW, for example, the switching cycle of the switch element Q1 is set to 10 msec, and the on-duty of the switch element Q1 is set to 15%. This should be set.

スイッチ素子Ｑ２のスイッチング周期およびオンデューティについても、上述のスイッチ素子Ｑ１のスイッチング周期およびオンデューティと同様に設定される。 The switching cycle and on-duty of switch element Q2 are also set in the same manner as the switching cycle and on-duty of switch element Q1 described above.

以上の駆動回路１によれば、以下の効果を奏することができる。 According to the above drive circuit 1, the following effects can be produced.

スイッチＳＷの切り替えを検出する期間、すなわち第１のオン状態検出信号の受信の有無を制御部１０が判別する期間では、駆動回路１は、スイッチ素子Ｑ１をオン状態にして、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れてしまった場合に、このリーク電流を抵抗Ｒ１で消費する。このため、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れてしまっても、接点Ｊ２の電圧が上昇してしまうのを抑制できる。また、スイッチＳＷの切り替えを検出する期間、すなわち第２のオン状態検出信号の受信の有無を制御部１０が判別する期間では、駆動回路１は、スイッチ素子Ｑ２をオン状態にして、接点Ｊ１と接点Ｊ３との間にリーク電流が流れてしまった場合に、このリーク電流を抵抗Ｒ２で消費する。このため、接点Ｊ１と接点Ｊ３との間にリーク電流が流れてしまっても、接点Ｊ３の電圧が上昇してしまうのを抑制できる。以上によれば、リーク電流によるスイッチＳＷの切り替えの誤検出を防止できるので、リーク電流による発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、およびＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３の誤動作を防止できる。 In the period for detecting the switching of the switch SW, that is, the period in which the control unit 10 determines whether or not the first on-state detection signal is received, the drive circuit 1 turns on the switch element Q1 to turn on the contact J1 and the contact J2. When a leakage current flows between the two, the leakage current is consumed by the resistor R1. For this reason, even if leakage current flows between the contact J1 and the contact J2, it can suppress that the voltage of the contact J2 rises. In addition, in the period for detecting the switching of the switch SW, that is, the period in which the control unit 10 determines whether or not the second on-state detection signal is received, the drive circuit 1 turns on the switch element Q2 to connect the contact J1. When a leak current flows between the contact J3, the leak current is consumed by the resistor R2. For this reason, even if leak current flows between the contact J1 and the contact J3, it can suppress that the voltage of the contact J3 rises. According to the above, since erroneous detection of switching of the switch SW due to leakage current can be prevented, malfunction of the light emitting diodes LED11 to LED13, LED21 to LED23, LED31 to LED33, and LED41 to LED43 due to leakage current can be prevented.

また、抵抗Ｒ１に電流が流れるのは、スイッチ素子Ｑ１をオン状態にしている期間であり、抵抗Ｒ２に電流が流れるのは、スイッチ素子Ｑ２をオン状態にしている期間である。このため、抵抗Ｒ１に電流が流れる期間と、抵抗Ｒ２に電流が流れる期間と、を短縮することができるので、抵抗Ｒ１、Ｒ２での消費電力の増加を抑制できる。したがって、駆動回路１の消費電力の増加を抑制できる。 Further, the current flows through the resistor R1 during the period when the switch element Q1 is turned on, and the current flows through the resistor R2 during the period when the switch element Q2 is turned on. For this reason, since the period during which current flows through the resistor R1 and the period during which current flows through the resistor R2 can be shortened, an increase in power consumption at the resistors R1 and R2 can be suppressed. Therefore, an increase in power consumption of the drive circuit 1 can be suppressed.

また、上述のように抵抗Ｒ１、Ｒ２に電流が流れる期間を短縮することができるので、抵抗Ｒ１、Ｒ２に、抵抗値の大きい抵抗を用いる必要がない。このため、抵抗Ｒ１、Ｒ２の大型化を防止して駆動回路１の大型化を防止できるとともに、抵抗Ｒ１、Ｒ２での消費電力の増加をさらに抑制して駆動回路１の消費電力の増加をさらに抑制できる。 Further, as described above, the period during which current flows through the resistors R1 and R2 can be shortened, so that it is not necessary to use resistors having a large resistance value for the resistors R1 and R2. Therefore, it is possible to prevent the resistors R1 and R2 from increasing in size and prevent the drive circuit 1 from increasing in size, and to further suppress the increase in power consumption in the resistors R1 and R2 and further increase the power consumption of the drive circuit 1. Can be suppressed.

＜第２実施形態＞
図２は、本発明の第２実施形態に係る駆動回路１Ａの回路図である。駆動回路１Ａは、図１に示した本発明の第１実施形態に係る駆動回路１とは、スイッチ検出部２１、２２の代わりにスイッチ検出部２１Ａ、２２Ａを備える点と、抵抗Ｒ１、Ｒ２の代わりに抵抗Ｒ３、Ｒ４を備える点と、スイッチ素子Ｑ１、Ｑ２の代わりにスイッチ素子Ｑ３、Ｑ４を備える点と、が異なる。なお、駆動回路１Ａにおいて、駆動回路１と同一構成要件については、同一符号を付し、その説明を省略する。 Second Embodiment
FIG. 2 is a circuit diagram of a drive circuit 1A according to the second embodiment of the present invention. The drive circuit 1A is different from the drive circuit 1 according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 in that the switch detection units 21A and 22A are provided instead of the switch detection units 21 and 22, and the resistors R1 and R2 The difference is that the resistors R3 and R4 are provided instead, and the switch elements Q3 and Q4 are provided instead of the switch elements Q1 and Q2. In the drive circuit 1A, the same components as those of the drive circuit 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

［駆動回路１Ａの構成］
スイッチＳＷの接点Ｊ１には、２次電池ＢＴの負極が接続される。 [Configuration of Drive Circuit 1A]
The negative electrode of the secondary battery BT is connected to the contact J1 of the switch SW.

スイッチＳＷの接点Ｊ２には、スイッチ検出部２１Ａと、ＮＰＮ型トランジスタで構成されるスイッチ素子Ｑ３のエミッタと、が接続される。スイッチ素子Ｑ３のコレクタには、抵抗Ｒ３を介して２次電池ＢＴの正極が接続される。 Connected to the contact J2 of the switch SW is the switch detector 21A and the emitter of the switch element Q3 formed of an NPN transistor. The positive electrode of the secondary battery BT is connected to the collector of the switch element Q3 via the resistor R3.

スイッチＳＷの接点Ｊ３には、スイッチ検出部２２Ａと、ＮＰＮ型トランジスタで構成されるスイッチ素子Ｑ４のエミッタと、が接続される。スイッチ素子Ｑ４のコレクタには、抵抗Ｒ４を介して２次電池ＢＴの正極が接続される。 Connected to the contact J3 of the switch SW are the switch detector 22A and the emitter of the switch element Q4 formed of an NPN transistor. The positive electrode of the secondary battery BT is connected to the collector of the switch element Q4 via the resistor R4.

［駆動回路１Ａの動作］
以上の構成を備える駆動回路１Ａは、スイッチ検出部２１Ａ、２２Ａにより、スイッチＳＷの切り替えを検出する。 [Operation of Drive Circuit 1A]
The drive circuit 1A having the above configuration detects switching of the switch SW by the switch detection units 21A and 22A.

具体的には、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されている場合には、２次電池ＢＴの負極と接点Ｊ２とが導通する。スイッチ検出部２１Ａは、接点Ｊ２の電圧を検出し、接点Ｊ２の電圧が予め定められた第３の閾値電圧以下であれば、スイッチ検出部２１Ａは、第１のオン状態検出信号を制御部１０に送信する。 Specifically, when the contact J1 and the contact J2 of the switch SW are connected, the negative electrode of the secondary battery BT and the contact J2 are conducted. The switch detection unit 21A detects the voltage at the contact J2, and if the voltage at the contact J2 is equal to or lower than a predetermined third threshold voltage, the switch detection unit 21A sends the first on-state detection signal to the control unit 10. Send to.

また、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ３とが接続されている場合には、２次電池ＢＴの負極と接点Ｊ３とが導通する。スイッチ検出部２２Ａは、接点Ｊ３の電圧を検出し、接点Ｊ３の電圧が予め定められた第４の閾値電圧以下であれば、スイッチ検出部２２Ａは、第２のオン状態検出信号を制御部１０に送信する。 Further, when the contact J1 and the contact J3 of the switch SW are connected, the negative electrode of the secondary battery BT and the contact J3 are conducted. The switch detection unit 22A detects the voltage at the contact J3. If the voltage at the contact J3 is equal to or lower than a predetermined fourth threshold voltage, the switch detection unit 22A sends the second on-state detection signal to the control unit 10. Send to.

なお、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れる場合には、接点Ｊ２の電圧が降下する。このため、抵抗Ｒ３の抵抗値は、接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されている場合に、リーク電流が流れることによる接点Ｊ２の降下電圧より、抵抗Ｒ３およびオン状態のスイッチ素子Ｑ３を介して接点Ｊ２に印加される電圧が高くなるように設定される。これによれば、接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されておらず、かつ、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れていない場合には、接点Ｊ２の電圧が基準電位点の電圧に等しくなり、接点Ｊ１と接点Ｊ２との間にリーク電流が流れている場合には、接点Ｊ２の電圧が基準電位点の電圧より高くなる。これによれば、リーク電流の有無にかかわらず、接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されていない場合を的確に検出することができる。 Note that when a leak current flows between the contact J1 and the contact J2, the voltage at the contact J2 drops. For this reason, the resistance value of the resistor R3 is determined by the contact voltage via the resistor R3 and the on-state switch element Q3 from the voltage drop of the contact J2 due to leakage current flowing when the contact J1 and the contact J2 are connected. The voltage applied to J2 is set to be high. According to this, when the contact J1 and the contact J2 are not connected and no leakage current flows between the contact J1 and the contact J2, the voltage at the contact J2 becomes the voltage at the reference potential point. When the leakage current is flowing between the contact J1 and the contact J2, the voltage at the contact J2 becomes higher than the voltage at the reference potential point. According to this, it is possible to accurately detect the case where the contact J1 and the contact J2 are not connected regardless of the presence or absence of leakage current.

抵抗Ｒ４の抵抗値についても、上述の抵抗Ｒ３の抵抗値と同様に、接点Ｊ１と接点Ｊ３とが接続されている場合に、リーク電流が流れることによる接点Ｊ３の降下電圧より、抵抗Ｒ４およびオン状態のスイッチ素子Ｑ４を介して接点Ｊ３に印加される電圧が高くなるように設定される。これによれば、リーク電流の有無にかかわらず、接点Ｊ１と接点Ｊ３とが接続されていない場合を的確に検出することができる。 As for the resistance value of the resistor R4, similarly to the resistance value of the resistor R3 described above, when the contact J1 and the contact J3 are connected, the resistor R4 and the on-state are determined from the voltage drop of the contact J3 due to the leakage current flowing. The voltage applied to the contact J3 through the switch element Q4 in the state is set to be high. According to this, it is possible to accurately detect the case where the contact J1 and the contact J3 are not connected regardless of the presence or absence of the leakage current.

以上の駆動回路１Ａによれば、駆動回路１と同様の効果を奏することができる。 According to the above drive circuit 1A, the same effect as the drive circuit 1 can be obtained.

本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications and applications can be made without departing from the gist of the present invention.

例えば、上述の各実施形態では、半導体素子として発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、およびＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３を例に説明したが、これに限らない。例えば、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）や無機ＥＬなどの半導体を用いた発光素子であってもよいし、ＭＯＳＦＥＴやトランジスタといった半導体を用いたスイッチ素子であってもよい。 For example, in each of the above-described embodiments, the light emitting diodes LED11 to LED13, LED21 to LED23, LED31 to LED33, and LED41 to LED43 are described as semiconductor elements, but the present invention is not limited thereto. For example, a light emitting element using a semiconductor such as an organic EL (Electro Luminescence) or an inorganic EL may be used, or a switching element using a semiconductor such as a MOSFET or a transistor may be used.

また、上述の各実施形態において、スイッチＳＷは２次電池ＢＴの正極または負極に接続されるものとしたが、この２次電池ＢＴを直流電源に置き換えてもよい。 In each of the above embodiments, the switch SW is connected to the positive electrode or the negative electrode of the secondary battery BT. However, the secondary battery BT may be replaced with a DC power source.

また、上述の各実施形態において、制御部１０は、第１のオン状態検出信号の受信の有無の判別を、スイッチ素子Ｑ１がオン状態である期間のうち、少なくとも一部の期間において行うこととした。具体的には、例えば、第１のオン状態検出信号の受信の有無の判別を、スイッチ素子Ｑ１がオン状態である期間のうち、全ての期間において継続的に行ってもよいし、一部の期間において継続的に行ってもよいし、全ての期間において断続的に複数回行ってもよい。また、例えば、スイッチ素子Ｑ１がオン状態になった直後に行ってもよいし、スイッチ素子Ｑ１がオン状態であれば、スイッチ素子Ｑ１がオン状態になってから多少遅れたタイミングで行ってもよい。第２のオン状態検出信号の受信の有無の判別についても、上述の第１のオン状態検出信号の受信の有無の判別と同様に、スイッチ素子Ｑ２がオン状態である期間のうち、全ての期間において継続的に行ってもよいし、一部の期間において継続的に行ってもよいし、全ての期間において断続的に複数回行ってもよい。また、例えば、スイッチ素子Ｑ２がオン状態になった直後に行ってもよいし、スイッチ素子Ｑ２がオン状態であれば、スイッチ素子Ｑ２がオン状態になってから多少遅れたタイミングで行ってもよい。 Further, in each of the above-described embodiments, the control unit 10 determines whether or not the first on-state detection signal is received during at least a part of the period in which the switch element Q1 is in the on-state. did. Specifically, for example, the determination of whether or not the first on-state detection signal is received may be continuously performed in all periods of the period in which the switch element Q1 is in the on-state, You may carry out continuously in a period, and may carry out several times intermittently in all the periods. Further, for example, it may be performed immediately after the switch element Q1 is turned on, or may be performed at a slightly delayed timing after the switch element Q1 is turned on if the switch element Q1 is turned on. . As for the determination of the presence / absence of reception of the second on-state detection signal, as in the determination of the presence / absence of reception of the first on-state detection signal, all of the periods in which the switch element Q2 is in the on state are also included. May be performed continuously, may be performed continuously during a part of the period, or may be performed intermittently a plurality of times during the entire period. Further, for example, it may be performed immediately after the switch element Q2 is turned on, or may be performed at a slightly delayed timing after the switch element Q2 is turned on if the switch element Q2 is turned on. .

また、上述の各実施形態において、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のスイッチングと、スイッチ素子Ｑ２のスイッチングと、を同期させ、スイッチ素子Ｑ１のオンタイミングと、スイッチ素子Ｑ２のオンタイミングと、を同一にするとともに、スイッチ素子Ｑ１のオフタイミングと、スイッチ素子Ｑ２のオフタイミングと、を同一にしてもよい。また、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のスイッチングと、スイッチ素子Ｑ２のスイッチングと、を同期させ、スイッチ素子Ｑ１のオンタイミングと、スイッチ素子Ｑ２のオフタイミングと、を同一にするとともに、スイッチ素子Ｑ１のオフタイミングと、スイッチ素子Ｑ２のオンタイミングと、を同一にしてもよい。 Further, in each of the above-described embodiments, the control unit 10 synchronizes the switching of the switching element Q1 and the switching of the switching element Q2, and the on-timing of the switching element Q1 and the on-timing of the switching element Q2 are the same. In addition, the off timing of the switch element Q1 and the off timing of the switch element Q2 may be the same. Further, the control unit 10 synchronizes the switching of the switching element Q1 and the switching of the switching element Q2, makes the on-timing of the switching element Q1 and the off-timing of the switching element Q2 the same, and the switching element Q1 May be the same as the OFF timing of the switch element Q2.

また、上述の各実施形態において、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のスイッチングと、スイッチ素子Ｑ２のスイッチングと、を非同期で行ってもよい。 Further, in each of the above-described embodiments, the control unit 10 may perform switching of the switch element Q1 and switching of the switch element Q2 asynchronously.

また、上述の各実施形態において、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のオン幅と、スイッチ素子Ｑ２のオン幅と、を同一にしてもよいし、異ならせてもよい。また、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のオンデューティと、スイッチ素子Ｑ２のオンデューティと、を同一にしてもよいし、異ならせてもよい。また、制御部１０は、スイッチ素子Ｑ１のスイッチング周波数と、スイッチ素子Ｑ２のスイッチング周波数と、を同一にしてもよいし、異ならせてもよい。 In each of the above-described embodiments, the control unit 10 may make the ON width of the switch element Q1 and the ON width of the switch element Q2 the same or different. Further, the control unit 10 may make the on-duty of the switch element Q1 and the on-duty of the switch element Q2 the same or different. Further, the control unit 10 may make the switching frequency of the switching element Q1 and the switching frequency of the switching element Q2 the same or different.

また、上述の各実施形態において、制御部１０は、第１のオン状態検出信号を受信していると判別してから、第１のオン状態検出信号を受信していないと判別するまで、出力部３１、３２に対して発光命令信号を継続して送信することとしたが、これに限らない。例えば、第１のオン状態検出信号を受信していると判別してから、第１のオン状態検出信号を受信していないと判別するまで、出力部３１、３２に対して発光命令信号を所定の周期でパルス状に送信してもよい。これによれば、スイッチＳＷの接点Ｊ１と接点Ｊ２とが接続されている状態において、発光ダイオードＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３および発光ダイオードＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３を点滅させることができる。出力部３３、３４に対する発光命令信号についても、出力部３１、３２に対する発光命令信号と同様に、所定の周期でパルス状に送信してもよい。 In each of the above-described embodiments, the control unit 10 outputs until it is determined that the first on-state detection signal is not received after it is determined that the first on-state detection signal is received. Although the light emission command signal is continuously transmitted to the units 31 and 32, the present invention is not limited to this. For example, a predetermined light emission command signal is output to the output units 31 and 32 from when it is determined that the first on-state detection signal is received until it is determined that the first on-state detection signal is not received. You may transmit in a pulse form with the period of. According to this, in a state where the contact J1 and the contact J2 of the switch SW are connected, the light emitting diodes LED11 to LED13 and the light emitting diodes LED21 to LED23 can be blinked. Similarly to the light emission command signal for the output units 31 and 32, the light emission command signal for the output units 33 and 34 may be transmitted in a pulse form at a predetermined cycle.

１、１Ａ；駆動回路
１０；制御部
２１、２１Ａ、２２、２２Ａ；スイッチ検出部
３１〜３４；出力部
４０；電源回路
ＢＴ；２次電池
Ｊ１〜Ｊ３；接点
ＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１３、ＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２３、ＬＥＤ３１〜ＬＥＤ３３、ＬＥＤ４１〜ＬＥＤ４３；発光ダイオード
Ｑ１〜Ｑ４；スイッチ素子
Ｒ１〜Ｒ４；抵抗
ＳＷ；スイッチ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A; Drive circuit 10; Control part 21, 21A, 22, 22A; Switch detection part 31-34; Output part 40; Power supply circuit BT; Secondary battery J1-J3; Contact LED11-LED13, LED21-LED23, LED31 LED33, LED41 to LED43; light emitting diodes Q1 to Q4; switch elements R1 to R4; resistor SW; switch

Claims

A drive circuit that drives a semiconductor element in response to switching of a switch and controls power supply to a load not connected to the switch ,
Control means for detecting switching of the switch by detecting a voltage of a contact of the switch, and supplying a drive signal to the semiconductor element according to a detection result;
And resistance, possess a switch element connected in series to the resistor, the, and a leakage current protection means connected to said switch,
The control means controls the switch element, and there is at least a part of a period in which the switch element is in an ON state, and the switching of the switch is detected only in the part of the period ,
When the switch element is in an ON state, a predetermined current out of the current flowing through the contact of the switch is consumed by the resistor.

The drive circuit according to claim 1, wherein the predetermined current consumed by the resistor is equal to or greater than a leak current flowing between the contacts of the switch.

A drive circuit that drives a semiconductor element in response to switching of a switch and controls power supply to a load not connected to the switch ,
Control means for detecting switching of the switch by detecting a voltage of a contact of the switch, and supplying a drive signal to the semiconductor element according to a detection result;
And resistance, possess a switch element connected in series to the resistor, the, and a leakage current protection means connected to said switch,
The control means controls the switch element, and there is at least a part of a period in which the switch element is in an ON state, and the switching of the switch is detected only in the part of the period ,
If the switch element is in an ON state, a predetermined voltage is applied to the contact of the switch through the resistor.

4. The voltage applied to the contact of the switch during a period in which the switch element is on is higher than a drop voltage of the contact of the switch due to leakage current flowing between the contact of the switch. The driving circuit described in 1.