JP5882085B2 - Emitting device, short-circuit failure determination method, and a program. - Google Patents

Emitting device, short-circuit failure determination method, and a program. Download PDF

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直士 西村
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本発明は、発光装置、ショート故障判別方法、及びプログラムに関する。 The present invention relates to a light emitting device, short-circuit failure determination method, and a program.

種々の発光素子が開発され、それらの特性を生かした発光装置が提供されている。 Various light emitting devices have been developed, light-emitting device is provided by taking advantage of their properties.
例えば、特許文献1には、窒化物半導体材料を用いた発光素子と、それを用いた発光装置とが開示されている。 For example, Patent Document 1, a light emitting device using a nitride semiconductor material, a light emitting device using the same are disclosed. また、LED(Light Emitting Diode),EL(Electoro Luminessence)素子、蛍光灯等の発光素子を用いた発光装置も広く利用されている。 Further, LED (Light Emitting Diode), EL (Electoro Luminessence) devices are also widely used light-emitting device using a light emitting element such as a fluorescent lamp.

発光装置においては、様々な原因により、発光素子の正電極と負電極の間がショートしてしまうショート故障が発生することがある。 In the light emitting device, the various causes, a short between the positive electrode and the negative electrode resulting in short circuit failure of the light emitting element may occur. 発光素子にショート故障が発生した場合、これを検知して対応をしなければならない。 If the short-circuit failure occurs in the light emitting device must be a corresponding detects this. このため、従来の発光装置の中には、ショート故障検出回路を備えるものがある。 Therefore, some conventional light emitting device are provided with a short-circuit failure detection circuit.

従来のショート故障検出回路は、発光素子の印加電圧を検出し、印加電圧が基準値を下回ると、ショート故障が発生したと検出している。 Conventional short-circuit failure detection circuit detects the voltage applied to the light emitting element, when the applied voltage falls below the reference value, is detected as short-circuit failure has occurred.

特開2006−066863号公報 JP 2006-066863 JP

発光素子に半導体発光素子(特に有機EL)を使用した場合、半導体発光素子の印加電圧はショート故障の前後であまり変化しない。 When using a semiconductor light emitting device (particularly an organic EL) to the light emitting element, the applied voltage of the semiconductor light emitting element does not change much before and after the short-circuit failure. このため、ショート故障を検出できない場合があるという問題がある。 For this reason, there is a problem in that it may not be possible to detect a short-circuit failure.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ショート故障箇所での電圧降下が小さい場合でも、ショート故障を検出することができる発光装置、ショート故障判別方法、及びプログラムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, even if the voltage drop across the short circuit failure position is small, the light emitting device capable of detecting a short-circuit failure, short-circuit failure determination method, and to provide a program for the purpose.
また、本発明は、ショート故障を確実に検出することができる発光装置、ショート故障判別方法、及びプログラムを提供することを他の目的とする。 Further, the present invention is a light emitting device that can reliably detect a short-circuit failure, a is another object to provide a short-circuit failure determination method, and a program.

上記目的を達成するために本発明の第1の観点に係る発光装置は、 The light emitting device according to a first aspect of the present invention in order to achieve the above object,
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode a light emitting unit which is constructed by connecting in series,
前記発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する発光駆動回路と、 To the light emitting portion, a light emission drive circuit for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧と逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別するショート故障判別手段と、 To the light emitting portion, by applying a reverse voltage of the drive voltage polarity opposite based on the current flowing and the applied voltage, the short-circuit failure judging means for judging whether the short-circuit failure of the light emitting diode,
を備えることを特徴とする。 Characterized in that it comprises a.

また、本発明の第2の観点に係るショート故障判別方法は、 Moreover, short-circuit failure determination method according to a second aspect of the present invention,
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する工程と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series the steps of applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する工程と、 To the light emitting portion, and a step wherein the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, which based on the current flowing and the applied voltage, to determine the short existence of a failure of the light emitting diode,
を含むことを特徴とする。 Characterized in that it comprises a.

また、本発明の第3の観点に係るプログラムは、 The program according to the third aspect of the present invention,
コンピュータを、 The computer,
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する手段、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series, means for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する手段、 To the light emitting portion, the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, based on the current flowing and the applied voltage, means for determining the presence or absence of a short-circuit failure of the light emitting diode,
として機能させることを特徴とする。 Characterized in that to function as a.

本発明によれば、ショート故障箇所での電圧降下が小さい場合でも、ショート故障を検出することができる発光装置、ショート故障判別方法、及びプログラムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide even when the voltage drop across the short circuit failure position is small, the light emitting device, short-circuit failure determination method capable of detecting a short-circuit failure, and a program.
また、本発明によれば、ショート故障を確実に検出することができる発光装置、ショート故障判別方法、及びプログラムを提供することができる。 Further, according to the present invention, it is possible to provide the light emitting device, short-circuit failure determination method capable of reliably detecting a short-circuit failure, and a program.

本発明の実施の形態に係る発光装置の回路図である。 It is a circuit diagram of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る発光素子ユニットの回路図である。 It is a circuit diagram of a light-emitting element unit according to the embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る発光装置の動作サイクルを説明する図である。 Is a diagram illustrating the operating cycle of the light-emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る発光装置の電圧・電流を説明する図である。 Is a diagram illustrating a voltage-current of the light emitting device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る発光素子ユニットがショート故障を起こしていないときの回路図である。 Light emitting unit according to the embodiment of the present invention is a circuit diagram when no cause short-circuit failure. 本発明の実施の形態に係る発光素子ユニットが一つショート故障を起こしたときの回路図である。 Light emitting unit according to the embodiment of the present invention is a circuit diagram when that caused one short-circuit failure. 本発明の実施の形態に係る発光素子ユニットが二つショート故障を起こしたときの回路図である。 Light emitting unit according to the embodiment of the present invention is a circuit diagram when that caused the two short-circuit failure. 本発明の実施の形態に係る発光素子ユニットが三つショート故障を起こしたときの回路図である。 Light emitting unit according to the embodiment of the present invention is a circuit diagram when that caused the three short-circuit failure. 本発明の実施の形態に係る制御回路のショート故障検出動作のフローチャートである。 It is a flowchart of the short-circuit failure detection operation of the control circuit according to the embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る逆電圧発生装置が発生する逆電圧の例である。 Is an example of a reverse voltage reverse voltage generating apparatus according to an embodiment of the present invention is produced.

以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態に係るショート故障検出機能を備える発光器具について説明する。 Hereinafter, a light emitting device will be described with a short-circuit failure detection function according to an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

(実施の形態) (Embodiment)
以下に本実施の形態に係る発光装置10の構成を説明する。 It illustrates a structure of a light-emitting device 10 according to the embodiment below.

本実施形態に係る発光装置10は、図1に示すように、発光部11、スイッチ素子12a〜12c、コイル13、コンデンサ14、還流ダイオード15、電流制限抵抗16、逆電流検出抵抗21、逆電流検出回路22、逆電圧発生装置23、制御回路24、報知部25、電源ライン26、基準電位ライン27、とから構成されている。 The light emitting device 10 according to the present embodiment, as shown in FIG. 1, the light emitting unit 11, the switch elements 12 a to 12 c, a coil 13, a capacitor 14, reflux diodes 15, current limiting resistor 16, the reverse current detector resistor 21, a reverse current detection circuit 22, the reverse voltage generator 23, a control circuit 24, the notification unit 25, a power supply line 26, the reference potential line 27, and a city.

発光部11は、3つの発光素子ユニット110 〜110 が直列に接続されて構成されている。 Emitting unit 11 includes three light emitting unit 1101 3 is configured by connecting in series. 発光素子ユニット110 〜110 を総称して発光素子ユニット110と呼ぶ。 Are collectively light emitting unit 1101 3 referred to as a light-emitting element unit 110.

各発光素子ユニット110は、図2に示すように、半導体発光素子111と整流ダイオード112とツェナーダイオード113とから構成されている。 Each light emitting unit 110, as shown in FIG. 2, and a semiconductor light emitting element 111 a rectifying diode 112 and the Zener diode 113. 各発光素子ユニット110において、整流ダイオード112は、そのカソードが半導体発光素子111のアノードに接続され、ツェナーダイオード113は、そのアノードが整流ダイオード112のアノードに接続され、カソードが半導体発光素子111のカソードに接続されている。 In each light emitting unit 110, the rectifying diode 112 has a cathode connected to the anode of the semiconductor light emitting element 111, zener diode 113 has its anode connected to the anode of the rectifier diode 112, the cathode of the cathode is a semiconductor light emitting element 111 It is connected to the.

スイッチ素子12aはN型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)から構成され、その電流路の一端(ドレイン)は、発光部11の一端(カソード)CTに接続され、他端(ソース)は、コイル13の一端とコンデンサ14の負極とに接続され、制御端子(ゲート)には、制御回路24からオン・オフ制御信号が供給されている。 Switching element 12a is composed of N-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), one end of the current path (drain) is connected to one end (cathode) CT of the light emitting portion 11, the other end (source), the coil 13 is connected to the negative electrode of one end and the capacitor 14, to the control terminal (gate), on-off control signal from the control circuit 24 is supplied.

コイル13の他端は、スイッチ素子12bの電流路の一端(ドレイン)と還流ダイオード15のアノードとに接続されている。 The other end of coil 13 is connected to one end of the current path of the switch element 12b and (drain) and the anode of the freewheeling diode 15.

発光部11の他端(アノード)ATとコンデンサ14の正極と還流ダイオード15のカソードは、基準電圧Vrefを基準として正極性のDC(直流)電圧Vccが印加された電源ライン26に接続されている。 Positive electrode and the cathode of the freewheeling diode 15 in the other end of the light emitting portion 11 (anode) AT and the capacitor 14, the positive polarity of the DC reference voltage Vref as a reference (direct current) voltage Vcc is connected to the power supply line 26 which is applied .

スイッチ素子12bはN型MOSFETから構成され、その電流路の他端(ソース)は電流制限抵抗16の一端に接続され、制御端子(ゲート)には、制御回路24からオン・オフ制御信号が供給されている。 Switching element 12b is composed of N-type MOSFET, the other end of the current path (source) is connected to one end of a current limiting resistor 16, to the control terminal (gate), supply on-off control signal from the control circuit 24 It is.

電流制限抵抗16の他端は、基準電位Vrefが印加されている基準電位ライン27に接続されている。 The other end of the current limiting resistor 16, the reference potential Vref is connected to the reference potential line 27 is applied.

スイッチ素子12cはN型MOSFETから構成され、その電流路の一端(ドレイン)は電源ライン26及び発光部11の他端(アノード)ATに接続され、他端(ソース)は、逆電圧発生装置23の負出力端T−に接続され、制御端子(ゲート)には、制御回路24からオン・オフ制御信号が供給されている。 Switching element 12c is composed of N-type MOSFET, one end of the current path (drain) is connected to the other end (anode) AT power supply line 26 and the light emitting unit 11, the other end (source) of the reverse voltage generating device 23 is connected to the negative output terminal T-, to the control terminal (gate), on-off control signal from the control circuit 24 is supplied.

逆電流検出抵抗21は、その一端が発光部11の他端(カソード)CTとスイッチ素子12aの接続ノードに接続され、その他端は、逆電圧発生装置23の正出力端T+に接続され、制御回路26からオン・オフ制御信号が供給されている。 Reverse current detector resistor 21 has one end connected to a connection node between the other end (cathode) CT and the switching element 12a of the light emitting portion 11, the other end is connected to the positive output terminal of the inverse voltage generator 23 T +, control oN-oFF control signal is supplied from the circuit 26.

逆電流検出回路22は、逆流検出抵抗21の両端の電圧を検出することにより、電流I21が流れたことを検出し、検出信号SDを制御回路24に供給する。 Reverse current detector circuit 22 detects the voltage across the reverse current detection resistor 21 detects that the current I21 flows, and supplies a detection signal SD to the control circuit 24.

逆電圧発生装置23は、制御回路24の制御に従って、出力端子T−とT+の間にのこぎり波状に変化する逆方向電圧Vsweepを発生し、逆流検出抵抗21とスイッチ素子12cを介して、発光部11に印加する。 Reverse voltage generator 23, under the control of the control circuit 24 generates a reverse voltage Vsweep that changes sawtooth waveform between the output terminal T- and T +, via a reverse current detection resistor 21 and the switching element 12c, the light emitting portion It applied to the 11. 逆方向電圧Vsweepは、点灯時に発光部11に印加される電圧とは逆極性の電圧であり、半導体発光素子111を逆バイアスする電圧である。 Reverse voltage Vsweep is the voltage applied to the light emitting portion 11 at the time of lighting the voltage of the opposite polarity, a voltage to reverse bias the semiconductor light emitting element 111.

制御回路24は、プロセッサ、プログラムを記憶したメモリなどから構成され、ボリューム24aを備え、プログラムを実行することにより、スイッチ素子12a〜12cと逆電圧発生装置23を制御し、逆電流検出回路22からの検出信号に応答して、全体を制御する。 The control circuit 24 includes a processor, consists such as a memory storing a program, comprising a volume 24a, by executing a program, and controls the switching element 12a~12c opposite voltage generator 23, the reverse current detector circuit 22 in response to the detection signal, for controlling the whole.

より具体的には、制御回路24は、図3(a)に示すように、点灯処理と短絡検出処理とを繰り返す。 More specifically, the control circuit 24, as shown in FIG. 3 (a), repeats the lighting process and the short circuit detection process.
短絡検出処理を行う短絡検出処理期間TDは十分に短い時間、例えば、利用者が発光部11の消灯を知覚できない程度の継続時間、例えば、10m秒程度に設定される。 Short circuit detecting processing period TD is sufficiently short time for the short circuit detection process, for example, the duration of the degree to which the user is unable to perceive the extinction of the light emitting portion 11, for example, on the order of 10m sec. 一方、発光部11の短絡を検出するのに適した周期、例えば、1分程度に設定され、その間は点灯処理を行う点灯期間TLとなる。 Meanwhile, the period suitable for detecting a short circuit of the light emitting portion 11, for example, set to about 1 minute, during which a lighting period TL that performs lighting processing.

制御回路24は、図2(b)と(d)に示すように、点灯処理期間TLの間、スイッチ素子12aにハイレベルのゲート信号を供給して、スイッチ素子12aをオンし、スイッチ素子12cにローレベルのゲート信号を供給して、スイッチ素子12cをオフする。 Control circuit 24, as shown in FIG. 2 (b) and (d), during the lighting process period TL, supplies a gate signal at a high level to the switching element 12a, and turns on the switch element 12a, the switch element 12c by supplying a gate signal of a low level, it turns off the switching element 12c. 一方、制御回路24は、短絡検出期間TDの間、スイッチ素子12aにローレベルのゲート信号を供給して、スイッチ素子12aをオフし、スイッチ素子12cにハイレベルのゲート信号を供給して、スイッチ素子12cをオンする。 On the other hand, the control circuit 24, during the short detection period TD, and supplies a gate signal of a low level to the switching element 12a, turning off the switch element 12a, and supplies a gate signal at a high level to the switching element 12c, switch to turn on the element 12c.

また、制御回路24は、図2(c)に示すように、点灯処理期間TLの間、スイッチ素子12bに、ボリューム24aの値に対応するデューティのオン・オフ信号を繰り返し供給し、スイッチ素子12bを断続的にオン・オフし、ボリューム24aが指示する明るさで、発光部11を点灯する。 Further, the control circuit 24, as shown in FIG. 2 (c), during the lighting process period TL, the switch element 12b, and repeatedly supplies the duty on-off signal corresponding to the value of the volume 24a, the switch element 12b intermittently turned on and off, the volume 24a is in brightness for instructing to turn on the light-emitting unit 11.

また、制御回路24は、図2(e)に示すように、短絡検出期間TDの間、逆電圧発生装置23に、のこぎり波状の電圧を発生させ、逆電流検出回路22の検出電流から、発光部11の半導体発光素子111(111 〜111 )のショート故障を検出する。 Further, the control circuit 24, as shown in FIG. 2 (e), during the short detection period TD, the reverse voltage generator 23 generates a sawtooth voltage, the detection current of the reverse current detector circuit 22, light emission detecting a short circuit failure of the semiconductor light emitting element 111 parts 11 (111 1 to 111 3). なお、ショート故障検出の詳細は、後述する。 The details of short-circuit failure detection will be described later.
制御回路24は、ショート故障を検出した場合には、報知部26を制御して、その旨を報知する。 The control circuit 24, when detecting a short-circuit failure, and controls the notifying unit 26 to notify the fact.

報知部25は、LED(Light Emitting Diode)、スピーカなどから構成され、制御回路24の制御に従って、発光部11を構成する半導体発光素子111にショート故障が発生していること、その数などを報知する。 Notification unit 25, LED (Light Emitting Diode), is composed of a speaker, under the control of the control circuit 24, the short circuit failure in the semiconductor light emitting element 111 constituting the light emitting portion 11 has occurred, the notification and the number to.

次に、上記構成を有する発光装置10の動作を説明する。 Next, the operation of the light emitting device 10 having the above structure.

主電源をオンすると、制御回路24は、所定の初期化動作を実行し、続いて、期間TLの間、点灯処理を行う。 When turning on the main power supply, the control circuit 24 performs a predetermined initializing operation, followed by a period TL, performs lighting process. この点灯処理において、制御回路24は、スイッチ素子12aをオンし、スイッチ素子12cをオフする。 In this lighting process, the control circuit 24 turns on the switching element 12a, and turns off the switching element 12c.

また、制御回路24は、スイッチ素子12bを、ボリューム24aの値に対応するデューティで、オン・オフする。 Further, the control circuit 24, a switching element 12b, a duty corresponding to the value of the volume 24a, on and off.

スイッチ素子12bがオンされている期間、電源ライン26→アノードAT→発光部11→カソードCT→スイッチ素子12a→コイル13→スイッチ素子12b→電流制限抵抗16→基準電位ライン27と電流が流れる。 Period the switching element 12b is turned on, the power supply line 26 → anode AT → emitting unit 11 → the cathode CT → switching element 12a → coil 13 → switching element 12b → the current limiting resistor 16 → the reference potential line 27 and the current flows. 発光部11を流れる電流は、順方向電圧が印加されるため、各発光素子ユニット110(110 〜110 )の各半導体発光素子111を流れ、各半導体発光素子111は発光する。 The current flowing through the light emitting section 11, since the forward voltage is applied, the respective semiconductor light emitting elements 111 of the light emitting device unit 110 (1101 3) flows, each of the semiconductor light emitting element 111 emits light. なお、整流ダイオード112(112 〜112 )とツェナーダイオード113(113 〜113 )との直流回路には、整流ダイオード112(112 〜112 )の逆方向電圧が印加されるため、電流は流れない。 Note that the DC circuit of the rectifier diode 112 (112 1 to 112 3) and zener diode 113 (113 1 to 113 3), since the reverse voltage of the rectifier diode 112 (112 1 to 112 3) is applied, current does not flow.

続いて、スイッチ12bがオフされると、それまでの電流路は遮断され、それまでの電流の流れが停止する。 Subsequently, when the switch 12b is turned off, the current path to it is cut off, the flow of current until it stops. 一方、コイル13に蓄積されたエネルギーにより、コイル13→還流ダイオード15→電源ライン26→アノードAT→発光部11→カソードCT→スイッチ素子12a→コイル13と電流が流れる。 On the other hand, the energy accumulated in the coil 13, the coil 13 → return diode 15 → power supply line 26 → anode AT → emitting unit 11 → the cathode CT → switching element 12a → the coil 13 and the current flows. また、コンデンサ14→電源ライン26→アノードAT→発光部11→カソードCT→スイッチ素子12a→コンデンサ14と電流が流れる。 The capacitor 14 → power supply line 26 → anode AT → emitting unit 11 → the cathode CT → switching element 12a → capacitor 14 and current flows. また、電圧の変動はコンデンサ14によりある程度抑えられる。 The change of voltage is suppressed to some extent by the capacitor 14. このため、コイル13及びコンデンサ14に蓄積されたエネルギーが消費されるまで、発光部11に電流が流れる。 Therefore, until the energy stored in the coil 13 and the capacitor 14 is consumed, a current flows to the light emitting unit 11. 発光部11を流れる電流は、各発光素子ユニット110の各半導体発光素子111を流れ、各半導体発光素子111は発光する。 The current flowing through the light emitting section 11, the respective semiconductor light emitting elements 111 of the light emitting device unit 110 flows, each of the semiconductor light emitting element 111 emits light.

このような動作を繰り返すことにより発光部11は発光する。 Emitting unit 11 by repeating such an operation to emit light. 発光部11で消費されるエネルギーは、ボリューム24aの指示値を調整することにより調整される。 Energy consumed by the light emitting portion 11 is adjusted by adjusting the indication of the volume 24a.

上述の動作が繰り返され、点灯期間TLが終了すると、制御回路24は、図3(b)、(d)に示すように、スイッチ素子12aをオフし、スイッチ素子12cをオンする。 The above-described operation is repeated and the lighting period TL is completed, the control circuit 24, as shown in FIG. 3 (b), (d), turning off the switch element 12a, turning on the switch element 12c.

続いて、制御回路24は、逆電圧発生装置23をオンする。 Subsequently, the control circuit 24 turns on the reverse voltage generator 23. これにより、逆電圧発生装置23は、図4(a)に示すような、発光部11のカソードCTに正極性で、アノードATに負極性となる、のこぎり波状に徐々に大きくなる逆方向電圧Vsweepを発生する。 Thus, the reverse voltage generating device 23, as shown in FIG. 4 (a), a positive polarity to the cathode CT of the light emitting portion 11, a negative polarity to the anode AT, gradually increases the reverse voltage Vsweep the sawtooth the occur. 逆電流検出回路22は、逆電流検出抵抗21を流れる電流I21を検出すると、制御回路24に検出信号SDを出力する。 Reverse current detector circuit 22 detects the current I21 flowing through the reverse current detecting resistor 21, and outputs a detection signal SD to the control circuit 24.

ここで、整流ダイオード112の順方向電圧をVf、ツェナーダイオード113の降伏電圧をVzとする。 Here, the forward voltage of the rectifier diode 112 Vf, the breakdown voltage of the zener diode 113 and Vz. 全ての半導体発光素子111が正常であるとすると、逆電圧発生装置23の出力電圧が3・(Vf+Vz)を超えるまで電流が流れず、逆方向電圧Vsweepが3・(Vf+Vz)を超えると、整流ダイオード112の印加電圧とツェナーダイオード113の印加電圧との和が整流ダイオード112の順方向電圧Vfとツェナーダイオード113の降伏電圧Vzとの和を超えるため、図4(a)、(b)、図5に示すように、整流ダイオード112とツェナーダイオード113の直列回路に電流が流れ、逆電流検出抵抗21に電流I21が流れ始める。 When all of the semiconductor light emitting element 111 is to be normal, no current flows until the output voltage of the reverse voltage generator 23 exceeds 3 · (Vf + Vz), the reverse voltage Vsweep exceeds 3 · (Vf + Vz), rectification since the sum of the applied voltage between the applied voltage and the Zener diode 113 of diode 112 exceeds the sum of the breakdown voltage Vz of the forward voltage Vf and the Zener diode 113 of the rectifier diode 112, FIG. 4 (a), (b), FIG. as shown in 5, the rectifying diode 112 and current flows through the series circuit of the Zener diode 113, a current I21 starts to flow through the reverse current detecting resistor 21. このため、逆電流検出回路22は、図4(a)、(c)に示すように、逆方向電圧Vsweepが3・(Vf+Vz)を超えると、検出信号SDを出力する。 Therefore, the reverse current detector circuit 22, FIG. 4 (a), the as shown in (c), when the reverse voltage Vsweep exceeds 3 · (Vf + Vz), and outputs a detection signal SD.

一方、図6に示すように、3つの半導体発光素子111の2つが正常で、1つがショート状態にあるとすると(ここでは、111 とする)、図4(a)、(d)に示すように、逆電圧発生装置23の出力する逆方向電圧Vsweepが2・(Vf+Vz)を超えるまで電流が流れず、逆方向電圧Vsweepが2・(Vf+Vz)を超えると、整流ダイオード112の印加電圧とツェナーダイオード113の印加電圧との和が整流ダイオード112の順方向電圧Vfとツェナーダイオード113の降伏電圧Vzとの和を超えるため、逆電流検出抵抗21に電流I21が流れ始める。 On the other hand, as shown in FIG. 6, two of the three semiconductor light emitting element 111 is normal, when one is referred to as being short-circuited (here, 111 2), shown in FIG. 4 (a), (d) as such, reverse voltage Vsweep outputting of the reverse voltage generator 23 current does not flow to over 2 · (Vf + Vz), the reverse voltage Vsweep exceeds 2 · (Vf + Vz), the voltage applied to the rectifier diode 112 since the sum of the applied voltage of the zener diode 113 exceeds the sum of the breakdown voltage Vz of the forward voltage Vf and the Zener diode 113 of the rectifier diode 112, a current I21 starts to flow through the reverse current detecting resistor 21. このため、逆電流検出回路22は、図4(a)、(e)に示すように、逆方向電圧Vsweepが2・(Vf+Vz)を超えると、検出信号SDを出力する。 Therefore, the reverse current detector circuit 22, FIG. 4 (a), the (e), the the reverse voltage Vsweep exceeds 2 · (Vf + Vz), and outputs a detection signal SD.

さらに、図7に示すように、3つの半導体発光素子111の1つが正常で、2つがショート状態にあるとすると(ここでは、111 、111 とする)、図4(a)、(f)に示すように、逆電圧発生装置23の出力電圧が(Vf+Vz)を超えるまで電流が流れず、電圧が1・(Vf+Vz)を超えると、整流ダイオード112の印加電圧とツェナーダイオード113の印加電圧との和が整流ダイオード112の順方向電圧Vfとツェナーダイオード113の降伏電圧Vzとの和を超え、逆電流検出抵抗21に電流I21が流れ始める。 Furthermore, as shown in FIG. 7, one of the three semiconductor light emitting element 111 is normal, two are When in a short state (here, 111 2, 111 3), FIG. 4 (a), (f as shown in), the output voltage of the reverse voltage generator 23 (Vf + Vz) no current flows to over, when the voltage exceeds 1 · (Vf + Vz), the applied voltage of the applied voltage and the Zener diode 113 of the rectifier diode 112 sum of exceeds the sum of the breakdown voltage Vz of the forward voltage Vf and the Zener diode 113 of the rectifier diode 112 starts a current I21 to the reverse current detecting resistor 21 flows. このため、逆電流検出回路22は、図4(a)、(g)に示すように、逆方向電圧Vsweepが(Vf+Vz)を超えると、検出信号SDを出力する。 Therefore, the reverse current detector circuit 22, as shown in FIG. 4 (a), (g), the reverse voltage Vsweep exceeds (Vf + Vz), and outputs a detection signal SD.

さらに、図8に示すように、3つの半導体発光素子111が全てショート状態にあるとすると、図4(a)、(h)に示すように、逆電圧発生装置23の逆方向電圧Vsweepが出力されると、直ちに逆電流検出抵抗21に電流I21が流れ始める。 Furthermore, as shown in FIG. 8, the three semiconductor light emitting elements 111 are all in short state, FIG. 4 (a), the as shown in (h), the reverse voltage Vsweep reverse voltage generator 23 is output When the current I21 starts to flow through the reverse current detecting resistor 21 immediately. このため、逆電流検出回路22は、図4(a)、(i)に示すように、逆方向電圧Vsweepが出力されると、直ちに、検出信号SDを出力する。 Therefore, the reverse current detector circuit 22, as shown in FIG. 4 (a), (i), when the reverse voltage Vsweep is output immediately outputs the detection signal SD.

制御回路24は、逆電流検出回路22からの検出信号SDを受信すると、その時点で、逆電圧発生装置23が発生している逆方向電圧Vsweepを特定し、上記いずれの電圧に相当するかを判別する。 The control circuit 24 receives the detection signal SD from the reverse current detector circuit 22, whether at that time, to identify the reverse voltage Vsweep reverse voltage generating device 23 has occurred, corresponding to the one of the voltage discrimination to.

制御回路24は、判別した電圧から、ショート故障発生の有無とショートしている半導体発光素子111の数を判別する。 The control circuit 24, the discriminated voltage, to determine the number of semiconductor light emitting elements 111 are shorted and the presence or absence of short-circuit failure.

制御回路24は、ショート故障が存在する場合には、報知部25を駆動して、ショート故障の有無、ショートしている半導体発光素子111の数を報知する。 The control circuit 24, when a short-circuit failure exists, and drives the notification unit 25, the presence or absence of short-circuit failure, notifies the number of semiconductor light emitting elements 111 are shorted.

一方、制御回路24は、ショート故障が存在しない場合には、再び、スイッチ素子12cをオフし、スイッチ素子12aをオンし、点灯処理を実行する。 On the other hand, the control circuit 24, when a short-circuit failure does not exist, again, turns off the switching element 12c, and turns on the switching element 12a, executes the lighting process.

こうして、制御回路24は、点灯処理中に周期的にショート故障の有無を判別し、ショート故障を検出すると、ユーザにその旨を報知する。 Thus, the control circuit 24 periodically determines the presence or absence of short-circuit failure during lighting process, upon detecting a short-circuit failure, to notify the user of such a situation. 従って、容易に且つ確実にショート故障を検出することができる。 Therefore, it is possible to detect easily and reliably short-circuit failure.

制御回路24のショート故障検出動作をまとめると、図9に示すようになる。 To summarize the short-circuit failure detection operation of the control circuit 24, as shown in FIG.
制御回路24は、通常時には、点灯処理を実行し(ステップS1)、ショート故障検出タイミングになると(ステップS2:YES)、スイッチ素子12aをオフ、スイッチ12素子cをオンに切り替え(ステップS3)、逆電圧発生装置23に逆電圧Vsweepを発生させる(ステップS4)。 The control circuit 24 is in the normal, run the lighting process (step S1), the becomes a short-circuit failure detection timing (step S2: YES), it switches the switch element 12a off, turns on the switch 12 elements c (step S3), and generating a reverse voltage Vsweep reversed voltage generator 23 (step S4).

続いて、制御回路24は、逆電流検出回路22が電流I23を検出して検出信号SDが出力されたタイミングで、逆電圧Vsweepの電圧を特定する(ステップS5)。 Subsequently, the control circuit 24 at the timing at which the reverse current detector circuit 22 is a detection signal SD to detect the current I23 is output to identify the voltage of the reverse voltage VSWEEP (step S5).

制御回路24は、ステップS5にて特定した電圧から、ショート故障の有無を判別する(ステップS6)。 The control circuit 24, the voltage specified in step S5, it is determined whether the short-circuit failure (step S6). 特定した電圧が、i・(Vz+Vf)より大きく、(i+1)・(Vz+Vf)より小さければ、ショート故障が存在し、(発光素子ユニット110の接続数N−i)個の半導体発光素子111が故障していると判別する。 It is specified voltage greater than i · (Vz + Vf), (i + 1) · smaller than (Vz + Vf), there are short-circuit failure, pieces of the semiconductor light emitting element 111 (the number of connections N-i of the light emitting unit 110) has failed and to determine it is.
例えば、N=10で、2(Vz+Vf)より大きく、3・(Vz+Vf)より小さければ、ショート故障が存在し、(10−2)=8個の半導体発光素子111が故障していると判別する。 For example, in N = 10, greater than 2 (Vz + Vf), it is smaller than 3 · (Vz + Vf), short circuit failure exists, it is determined to be failure (10-2) = 8 of the semiconductor light emitting element 111 .

制御回路24は、故障有りと判別した場合には(ステップS6;YES)、報知部25による報知処理を行う(ステップS7)。 The control circuit 24, when it is judged a failure there and, performing a notification process by (step S6 YES), the notification unit 25 (step S7). なお、点灯を継続するか、消灯するかは任意である。 In addition, it wants to continue on, or off is optional.

一方、ショート故障を検出しなかった場合には(ステップS6;NO)、スイッチ素子12aをオン、スイッチ素子12cをオフして(ステップS8)、点灯処理を実行する(ステップS1)。 On the other hand, if it does not detect a short circuit failure (step S6; NO), the switching element 12a on and off the switching element 12c (step S8), and executes a lighting process (Step S1).

なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。 The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications and applications are possible.
例えば、上記実施の形態では、発光素子ユニット110を3個直列に接続する例を示したが、2個以下でも、4個以上でも任意である。 For example, in the above embodiment, an example of connecting the light emitting unit 110 to the three serially, be two or less, and optionally also 4 or more. 逆電圧発生装置23は、発光素子ユニット110の接続数Nに応じて、0〜N・(Vz+Vf)以上の逆電圧を発生する。 Reverse voltage generating device 23, depending on the connection speed N of the light emitting device unit 110, generates a 0~N · (Vz + Vf) or reverse voltage.

また、上記実施の形態では、逆電圧発生装置23は、のこぎり波状の電圧を発生していたが、図10に例示するように、0、(Vz+Vf)+α、2(Vz+Vf)+α、3(Vz+Vf)+α、...、N(Vz+Vf)+α、というような階段状に変化する電圧を発生してもよい。 In the above embodiment, the reverse voltage generating device 23, which had occurred the sawtooth voltage, as illustrated in FIG. 10, 0, (Vz + Vf) + α, 2 (Vz + Vf) + α, 3 (Vz + Vf ) + α, ..., N (Vz + Vf) + α, a stepwise voltage changes may occur such as that. なお、0<α<(Vz+Vf)である。 It should be noted, is 0 <α <(Vz + Vf).

また、ショート故障が発生しているか否かのみを検出し、故障した発光素子ユニット110の数を検出しないという条件ならば、1つの逆電圧(N−1)・(vz+Vf)+αのみを発生するようにしてもよい。 Further, only detects whether short circuit failure has occurred, if the condition that does not detect the number of the failed light-emitting element unit 110, one of the reverse voltage (N-1) · (vz + Vf) + α only occur it may be so. この逆電圧を印加して、逆電流I21が流れなければ、ショート故障は存在しない。 The reverse voltage is applied, if the reverse current I21 flows, short-circuit failure is not present.

また、上記実施の形態では、通常の点灯処理の間に、ショート故障検出動作を行ったが、例えば、点灯時や消灯時に1回検出動作を行い、点灯中は、ショート故障の検出を行わないようにしてもよい。 In the above embodiment, during normal lighting processing has been performed shortcircuit failure detection operation, for example, performed once detection operation or when unlit lit, the lit, not detected the short circuit failure it may be so.

また、上記実施の形態では、スイッチ素子12a〜12cは、MOSFETにより構成されているが、MOSFET以外の任意のスイッチを使用可能である。 In the above embodiment, the switch element 12a~12c is configured by MOSFET, it is possible to use any switch other than MOSFET.
制御回路24として、プロセッサとプログラムから構成される例を示したが、ハードウエア構成、例えば、ロジック回路などから構成されてもよい。 As the control circuit 24, an example is shown comprised of a processor and a program, hardware configuration, for example, may consist such as a logic circuit.

また、上記実施の形態では、スイッチング動作により、発光部11に供給するエネルギーを調整することにより、調光する構成を例示したが、他の構成を採用してもよい。 In the above embodiment, by a switching operation, by adjusting the energy supplied to the light emitting unit 11, the configuration of dimming has been illustrated, it may employ other configurations.

また、上記実施の形態では、発光装置10が制御回路24を備えていたが、制御回路24を発光装置10から分離させてもよい。 In the above embodiment, although the light emitting device 10 is equipped with a control circuit 24, the control circuit 24 may be separated from the light emitting device 10. この場合、発光装置10に外部のコンピュータを接続し、このコンピュータがショート故障検出動作を実行させるプログラムを備えるようにしてもよい。 In this case, the external computer connected to the light emitting device 10, the computer may include a program for executing the short-circuit failure detecting operation.

上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。 Some or all of the above-described embodiment, can be described as the following notes, not limited to the following.

(付記1) (Note 1)
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode a light emitting unit which is constructed by connecting in series,
前記発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する発光駆動回路と、 To the light emitting portion, a light emission drive circuit for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧と逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別するショート故障判別手段と、 To the light emitting portion, by applying a reverse voltage of the drive voltage polarity opposite based on the current flowing and the applied voltage, the short-circuit failure judging means for judging whether the short-circuit failure of the light emitting diode,
を備えることを特徴とする発光装置。 Emitting apparatus comprising: a.

(付記2) (Note 2)
前記ショート故障判別手段は、前記ツェナーダイオードの降伏電圧をVz、前記整流ダイオードの順方向電圧をVfとしたときに、(N−1)・(Vz+Vf)より大きくN・(Vz+Vf)より小さい電圧を前記発光部に印加し、電流が流れたときに、ショート故障が存在すると判別する、ことを特徴とする付記1に記載の発光装置。 The short-circuit failure determining means, Vz the breakdown voltage of the Zener diode, the forward voltage of the rectifier diode is taken as Vf, the greater N · (Vz + Vf) is less than the voltage from the (N-1) · (Vz + Vf) wherein it is applied to the light emitting portion, when the current flows, it is determined that short-circuit failure is present, the light-emitting device according to note 1, wherein the.

(付記3) (Note 3)
前記ショート故障判別手段は、i・(Vz+Vf)+α (0<α<(Vz+Vf))の電圧を印加し(iは0と正の整数)、電流が流れたときに、ショート故障が存在し、故障カ所が(N−i)個であると判別する、ことを特徴とする付記2に記載の発光装置。 The short-circuit failure determining means, i · (Vz + Vf) + α by applying a voltage (0 <α <(Vz + Vf)) (i is 0 and a positive integer), when a current flows, short-circuit failure is present, fault locations is determined to be in an (N-i) pieces, the light emitting device according to note 2, wherein the.

(付記4) (Note 4)
前記ショート故障判別手段は、のこぎり波状又は階段状の電圧を印加する、ことを特徴とする付記2又は3に記載の発光装置。 The short-circuit failure judging means applies a sawtooth or staircase voltage, that the light-emitting device according to note 2, wherein the.

(付記5) (Note 5)
前記発光駆動回路と前記ショート故障判別手段とを、選択的に、前記発光部に接続する接続切り替え手段を備える、ことを特徴とする付記1乃至4のいずれか1つに記載の発光装置。 Wherein a light-emitting driver circuit and the short-circuit failure judging means, selectively, comprising a connection switching means for connecting to the light emitting unit, that the luminous device according to any one of Appendices 1 to 4, characterized in.

(付記6) (Note 6)
前記発光ダイオードは、有機EL(Electro Luminescence)素子から構成されている、ことを特徴とする付記1乃至5のいずれか1つに記載の発光装置。 The light emitting diode, light-emitting device according to any one of Appendices 1 to 5, characterized in that, and an organic EL (Electro Luminescence) element.

(付記7) (Note 7)
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する工程と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series the steps of applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する工程と、 To the light emitting portion, and a step wherein the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, which based on the current flowing and the applied voltage, to determine the short existence of a failure of the light emitting diode,
を含むことを特徴とするショート故障判別方法。 Short-circuit failure determination method characterized by including the.

(付記8) (Note 8)
コンピュータを、 The computer,
発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する手段、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series, means for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する手段、 To the light emitting portion, the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, based on the current flowing and the applied voltage, means for determining the presence or absence of a short-circuit failure of the light emitting diode,
として機能させることを特徴とするプログラム。 Program for causing to function as.

10 …発光装置11 …発光部12a …スイッチ素子12b …スイッチ素子12c …スイッチ素子13 …コイル14 …コンデンサ15 …還流ダイオード16 …電流制限抵抗21 …逆電流検出抵抗22 …逆電流検出回路23 …逆電圧発生装置24 …制御回路24a …ボリューム25 …報知部26 …電源ライン27 …基準電位ライン110 …発光素子ユニット111 …半導体発光素子112 …整流ダイオード113 …ツェナーダイオード 10 ... light-emitting device 11 ... light-emitting portions 12a ... switch element 12b ... switching element 12c ... switching device 13 ... coil 14 ... condenser 15 ... wheeling diode 16 ... current limiting resistor 21 ... reverse current detector resistor 22 ... reverse current detector circuit 23 ... inverse voltage generator 24 ... control circuit 24a ... volume 25 ... notification unit 26 ... power supply line 27 ... reference potential line 110 ... light emitting unit 111 ... semiconductor light-emitting element 112 ... rectifying diode 113 ... Zener diode

Claims (8)

  1. 発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode a light emitting unit which is constructed by connecting in series,
    前記発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する発光駆動回路と、 To the light emitting portion, a light emission drive circuit for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
    前記発光部に、前記駆動電圧と逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別するショート故障判別手段と、 To the light emitting portion, by applying a reverse voltage of the drive voltage polarity opposite based on the current flowing and the applied voltage, the short-circuit failure judging means for judging whether the short-circuit failure of the light emitting diode,
    を備えることを特徴とする発光装置。 Emitting apparatus comprising: a.
  2. 前記ショート故障判別手段は、前記ツェナーダイオードの降伏電圧をVz、前記整流ダイオードの順方向電圧をVfとしたときに、(N−1)・(Vz+Vf)より大きくN・(Vz+Vf)より小さい電圧を前記発光部に印加し、電流が流れたときに、ショート故障が存在すると判別する、ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The short-circuit failure determining means, Vz the breakdown voltage of the Zener diode, the forward voltage of the rectifier diode is taken as Vf, the greater N · (Vz + Vf) is less than the voltage from the (N-1) · (Vz + Vf) wherein it is applied to the light emitting portion, when the current flows, it is determined that short-circuit failure is present, the light-emitting device according to claim 1, characterized in that.
  3. 前記ショート故障判別手段は、i・(Vz+Vf)+α (0<α<(Vz+Vf))の電圧を印加し(iは0と正の整数)、電流が流れたときに、ショート故障が存在し、故障カ所が(N−i)個であると判別する、ことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 The short-circuit failure determining means, i · (Vz + Vf) + α by applying a voltage (0 <α <(Vz + Vf)) (i is 0 and a positive integer), when a current flows, short-circuit failure is present, fault locations is determined to be in an (N-i) pieces, the light emitting device according to claim 2, characterized in that.
  4. 前記ショート故障判別手段は、のこぎり波状又は階段状の電圧を印加する、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の発光装置。 The short-circuit failure judging means applies a sawtooth or stepped voltage, the light emitting device according to claim 2 or 3, characterized in that.
  5. 前記発光駆動回路と前記ショート故障判別手段とを、選択的に、前記発光部に接続する接続切り替え手段を備える、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。 Wherein the light emission drive circuit and said short-circuit failure judging means, selectively, the includes a connection switching means for connecting the light emitting unit, that the luminous device according to any one of claims 1 to 4, characterized in.
  6. 前記発光ダイオードは、有機EL(Electro Luminescence)素子から構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting diode, an organic EL (Electro Luminescence) and a device, that the luminous device according to any one of claims 1 to 5, characterized in.
  7. 発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する工程と、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series the steps of applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
    前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する工程と、 To the light emitting portion, and a step wherein the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, which based on the current flowing and the applied voltage, to determine the short existence of a failure of the light emitting diode,
    を含むことを特徴とするショート故障判別方法。 Short-circuit failure determination method characterized by including the.
  8. コンピュータを、 The computer,
    発光ダイオードと、該発光ダイオードに並列に接続され、前記発光ダイオードと同一方向に接続されたツェナーダイオードと逆方向に接続された整流ダイオードとの直列回路と、から構成される発光素子ユニットをN個直列に接続して構成された発光部に、前記発光ダイオードに順方向電圧が印加される駆動電圧を印加する手段、 A light emitting diode, is connected in parallel to the light emitting diode, N pieces and a series circuit, the light emitting unit composed of the light emitting diode in the same direction to a connected zener diode opposite direction to the connected rectifier diode the light emitting portion which is formed by connecting in series, means for applying a driving voltage to the forward voltage is applied to the light emitting diode,
    前記発光部に、前記駆動電圧とは逆極性の逆方向電圧を印加し、印加電圧と流れた電流とに基づいて、前記発光ダイオードのショート故障の有無を判別する手段、 To the light emitting portion, the application of a reverse voltage of opposite polarity to the drive voltages, based on the current flowing and the applied voltage, means for determining the presence or absence of a short-circuit failure of the light emitting diode,
    として機能させることを特徴とするプログラム。 Program for causing to function as.
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