JP5853868B2 - Evaluation device - Google Patents
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Description
本発明は、例えば電力増幅器の信号電力や信号波形などの評価に用いられる評価装置に関する。 The present invention relates to an evaluation apparatus used for evaluating signal power, signal waveform, and the like of a power amplifier, for example.
特許文献１には、高周波電力を送信する無線通信機器が開示されている。この無線通信機器は電力増幅器（以後、増幅器という）を備えている。そして、可変インピーダンス回路により増幅器からみた負荷インピーダンスを変更する。
無線通信機器に実装する前の増幅器を評価装置に実装し、増幅器の高周波特性を評価することがある。評価装置による評価における増幅器の出力側の負荷インピーダンスは、所望周波数帯域とそれ以外の周波数で近い値となる。 An amplifier before being mounted on a wireless communication device may be mounted on an evaluation device and the high frequency characteristics of the amplifier may be evaluated. The load impedance on the output side of the amplifier in the evaluation by the evaluation device is a value close to the desired frequency band and other frequencies.
しかしながら、携帯電話等の移動体通信用の無線通信機器に増幅器を実装すると、所望周波数帯域の負荷インピーダンスと所望周波数帯域外の負荷インピーダンスが異なる値となる。そのため、評価装置による評価では、無線通信機器に実装した増幅器の高周波特性を正確に評価できない問題があった。 However, when an amplifier is mounted on a wireless communication device for mobile communication such as a mobile phone, the load impedance in the desired frequency band and the load impedance outside the desired frequency band have different values. Therefore, the evaluation by the evaluation device has a problem that the high frequency characteristics of the amplifier mounted on the wireless communication device cannot be accurately evaluated.
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、無線通信機器に増幅器を実装した最終製品と近い状態で増幅器を評価できる評価装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an evaluation apparatus that can evaluate an amplifier in a state close to a final product in which the amplifier is mounted on a wireless communication device.
本願の発明に係る評価装置は、増幅器を評価する評価装置であって、高周波信号を出力して該増幅器に入力させる高周波信号発生器と、該増幅器から出力された高周波信号が入力するバンドパスフィルタと、該バンドパスフィルタの出力側に接続された可変負荷と、該高周波信号発生器の出力電力を測定する第１測定部と、該バンドパスフィルタの出力電力と波形を測定する第２測定部と、該高周波信号発生器から出力された高周波信号を移相して該増幅器に入力させる第１移相器と、該増幅器から出力された高周波信号を移相して該バンドパスフィルタに入力させる第２移相器と、を備えたことを特徴とする。
An evaluation apparatus according to the invention of the present application is an evaluation apparatus for evaluating an amplifier, which outputs a high-frequency signal and inputs the high-frequency signal to the amplifier, and a bandpass filter to which the high-frequency signal output from the amplifier is input A variable load connected to the output side of the bandpass filter, a first measurement unit for measuring the output power of the high-frequency signal generator, and a second measurement unit for measuring the output power and waveform of the bandpass filter A first phase shifter for shifting the high-frequency signal output from the high-frequency signal generator and inputting it to the amplifier; and a phase-shifting of the high-frequency signal output from the amplifier for input to the bandpass filter And a second phase shifter .
本発明によれば、増幅器の出力側にバンドパスフィルタを備えるので無線通信機器に増幅器を実装した最終製品と近い状態で増幅器を評価できる。 According to the present invention, since the band-pass filter is provided on the output side of the amplifier, the amplifier can be evaluated in a state close to the final product in which the amplifier is mounted on the wireless communication device.
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る評価装置を示す図である。評価装置１０は増幅器の高周波特性を評価するものである。評価装置１０は高周波信号発生器１２を備えている。高周波信号発生器１２は、高周波信号を出力して増幅器１４に入力させるために増幅器１４に接続されている。
FIG. 1 is a diagram showing an evaluation apparatus according to
増幅器１４の出力はバンドパスフィルタ１６に接続されている。バンドパスフィルタ１６は所望周波数帯域（増幅器１４を無線通信機器に実装した際に使用する周波数帯域のことをいう、以下同じ）の高周波信号だけを通過させる。バンドパスフィルタ１６としてはＳＡＷフィルタやデュプレクサなどを用いることができるがこれらに限定されない。バンドパスフィルタ１６の出力側には可変負荷１８が接続されている。可変負荷１８は、増幅器１４の出力側の負荷インピーダンスを変更するものである。
The output of the
高周波信号発生器１２の出力電力は、方向性結合器２０を介して測定器２２に入力される。方向性結合器２０と測定器２２はまとめて第１測定部と称する。第１測定部は高周波信号発生器１２の出力電力を測定する部分である。バンドパスフィルタ１６の出力電力は方向性結合器２４を介して測定器２６に入力される。また、バンドパスフィルタ１６の出力電力は方向性結合器２８を介して波形解析器３０に入力される。方向性結合器２４、２８、測定器２６、及び波形解析器３０はまとめて第２測定部と称する。第２測定部はバンドパスフィルタ１６の出力電力と波形を測定する部分である。
The output power of the high-
評価装置１０の動作を簡単に説明する。高周波信号発生器１２で発生させた高周波信号は増幅器１４で増幅される。そして、増幅器１４から出力された高周波信号はバンドパスフィルタ１６へ入力する。前述の第１測定部と第２測定部で測定を行い増幅器１４の高周波特性を評価する。その際、可変負荷１８により負荷インピーダンスを所望の値にする。
The operation of the
ここで、評価装置１０の理解を容易にするために比較例について説明する。比較例の評価装置は、図１の評価装置１０からバンドパスフィルタ１６を取り除いたものである。図２は、比較例の評価装置に関する、増幅器の出力側の負荷インピーダンスを示すスミスチャートである。バンドパスフィルタ１６がない場合は、所望周波数帯域の負荷インピーダンス（所望周波数帯域における負荷インピーダンス、以下同じ）と所望周波数帯域外の負荷インピーダンスが近い値となる。すなわち、図２においてｆで示したとおり、各周波数に対応する負荷インピーダンスがスミスチャートの中央に集まる。
Here, a comparative example will be described in order to facilitate understanding of the
このように、比較例の評価装置では所望周波数帯域の負荷インピーダンスと所望周波数帯域外の負荷インピーダンスが一致してしまうため、無線通信機器に増幅器を実装した最終製品と近い状態で増幅器を評価することができない。 Thus, in the evaluation device of the comparative example, the load impedance in the desired frequency band and the load impedance outside the desired frequency band match, so the amplifier should be evaluated in a state close to the final product in which the amplifier is mounted on the wireless communication device. I can't.
ところが、本発明の実施の形態１に係る評価装置１０ではバンドパスフィルタ１６を設けたので、所望周波数帯域の負荷インピーダンスと所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを異なるものとすることができる。図３は、本発明の実施の形態１に係る評価装置を用いた場合の増幅器の出力側の負荷インピーダンスを示すスミスチャートである。所望周波数帯域の周波数に対応する負荷インピーダンスは「通過周波数」と書かれた円内に位置する。所望周波数帯域の周波数とバンドパスフィルタ１６の通過周波数は等しい。
However, since the
図３から、所望周波数帯域の負荷インピーダンスと所望周波数帯域外の負荷インピーダンスが異なることが分かる。具体的には、所望周波数帯域の電圧定在波比（ＶＳ）は１に十分近い値、所望周波数帯域外の電圧定在波比（ＶＳ）は１０程度とすることができる。 FIG. 3 shows that the load impedance in the desired frequency band is different from the load impedance outside the desired frequency band. Specifically, the voltage standing wave ratio (VS) in the desired frequency band can be a value sufficiently close to 1, and the voltage standing wave ratio (VS) outside the desired frequency band can be about 10.
そして、バンドパスフィルタ１６は所望周波数帯域の高周波信号だけを通過させるので、可変負荷１８により所望周波数帯域の負荷インピーダンスだけを変化させることができる。よって、無線通信機器に増幅器１４を実装した最終製品と近い状態で増幅器１４を評価できる。この評価には例えば通過特性の評価が含まれる。
Since the band-
ところで、ある特定の周波数における負荷インピーダンスは、バンドパスフィルタの回路構成によって変化する。図４は、バンドパスフィルタの回路構成の違いによる負荷インピーダンスの変化を示すスミスチャートである。図４Ａと図４Ｂには、異なる構成のバンドパスフィルタを採用した場合の負荷インピーダンスが示されている。 Incidentally, the load impedance at a specific frequency varies depending on the circuit configuration of the band-pass filter. FIG. 4 is a Smith chart showing a change in load impedance due to a difference in the circuit configuration of the bandpass filter. 4A and 4B show load impedances when bandpass filters having different configurations are employed.
図４Ａと図４Ｂにおける点ｆａの周波数は等しいが、バンドパスフィルタの回路構成が異なるので図４Ａの点ｆａと図４Ｂの点ｆａでは負荷インピーダンスが異なる。しかし図４Ａと図４Ｂのどちらの場合も、通過周波数の負荷インピーダンスはスミスチャートの中央に位置し、それ以外の周波数の負荷インピーダンスはスミスチャートの外側に位置している。 Although the frequency at the point fa in FIGS. 4A and 4B is the same, the load impedance is different at the point fa in FIG. 4A and the point fa in FIG. 4B because the circuit configuration of the bandpass filter is different. However, in both cases of FIG. 4A and FIG. 4B, the load impedance of the passing frequency is located at the center of the Smith chart, and the load impedances of other frequencies are located outside the Smith chart.
図５は、本発明の実施の形態１に係る評価装置の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、可変負荷４０が第２測定部の前段に位置している。すなわち、増幅器１４で増幅された高周波信号は可変負荷４０を通過し第２測定部で測定される。余剰の電力は終端４２で消費される。増幅器１４の出力側の負荷インピーダンスは可変負荷４０の状態によって決定される。この変形例の位置に可変負荷を配置しても上記の評価装置１０と同等の効果を得ることができる。なお、この変形例の場合、波形解析器３０又は測定器２６のいずれか一方は、終端の代わりに接続することができる。
FIG. 5 is a diagram showing a modified example of the evaluation apparatus according to
図６は、本発明の実施の形態１に係る評価装置の他の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、高周波信号発生器１２と増幅器１４の入力の間に入力側バンドパスフィルタ４４が接続されている。高周波信号発生器１２から出力される高周波信号には所望周波数帯域外の高周波信号もわずかに含まれる。しかし、入力側バンドパスフィルタ４４を設けることで所望周波数帯域外の高周波信号をカットできる。なお、図１に示す評価装置１０において入力側バンドパスフィルタを省略したのは部品点数削減の要求を満たすためである。
FIG. 6 is a diagram showing another modified example of the evaluation apparatus according to
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る評価装置は実施の形態１に係る評価装置と類似部分が多いので、実施の形態１に係る評価装置との相違点を中心に説明する。図７は、本発明の実施の形態２に係る評価装置を示す図である。この評価装置は、高周波信号発生器１２から出力された高周波信号を移相して増幅器１４に入力させる第１移相器５０を備える。また、増幅器１４から出力された高周波信号を移相してバンドパスフィルタ１６に入力させる第２移相器５２を備える。
Embodiment 2. FIG.
Since the evaluation apparatus according to the second embodiment of the present invention has many similar parts to the evaluation apparatus according to the first embodiment, differences from the evaluation apparatus according to the first embodiment will be mainly described. FIG. 7 is a diagram showing an evaluation apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. The evaluation apparatus includes a
移相器５０、５２は、所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変化させるために設けられている。図８は、移相器により所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変化させることを示すスミスチャートである。移相器５０、５２を用いることで、図８Ａに示す曲線（負荷インピーダンス）をスミスチャートの真ん中を中心に回転させ図８Ｂの曲線（負荷インピーダンス）とすることができる。この回転方向は矢印で示されている。
The
この回転の前後で、所望周波数帯域の負荷インピーダンスはスミスチャートの中心近傍に位置し続けるのに対し、所望周波数帯域外の負荷インピーダンスはスミスチャートの真ん中を中心に位置を変化させる。従って、所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを所望周波数帯域の負荷インピーダンスとは独立して変更することができる。 Before and after this rotation, the load impedance in the desired frequency band continues to be located near the center of the Smith chart, while the load impedance outside the desired frequency band changes its position around the middle of the Smith chart. Therefore, the load impedance outside the desired frequency band can be changed independently of the load impedance in the desired frequency band.
ここで、比較例について説明する。図９は、実施の形態２の比較例の評価装置に関するスミスチャートである。この比較例では、移相器を用いずにインピーダンスチャートに沿って負荷インピーダンスを変化させる。図９Ａに示す曲線をインピーダンスチャートに沿って移動させると、図９Ｂに示すように所望周波数帯域の負荷インピーダンスと所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを同時に変えてしまう。この移動方向は矢印で示されている。 Here, a comparative example will be described. FIG. 9 is a Smith chart relating to the evaluation apparatus of the comparative example of the second embodiment. In this comparative example, the load impedance is changed along the impedance chart without using a phase shifter. When the curve shown in FIG. 9A is moved along the impedance chart, the load impedance in the desired frequency band and the load impedance outside the desired frequency band are simultaneously changed as shown in FIG. 9B. This direction of movement is indicated by an arrow.
このように、インピーダンスチャートに沿って曲線を変化させる場合、所望周波数帯域の負荷インピーダンスを変えずに所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変えることはできない。 As described above, when the curve is changed along the impedance chart, the load impedance outside the desired frequency band cannot be changed without changing the load impedance in the desired frequency band.
しかし、本発明の実施の形態２によれば、バンドパスフィルタ１６により周波数ごとに異なる負荷インピーダンスを持たせ、移相器５０、５２により所望周波数帯域の負荷インピーダンスは変えずに所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変えることができる。よって、増幅器の評価精度を高めることができる。
However, according to the second embodiment of the present invention, the band-
図１０は、本発明の実施の形態２に係る評価装置の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、可変負荷４０を第２測定部の前段に配置したものである。なお、本発明の実施の形態２に係る評価装置は、少なくとも実施の形態１に係る評価装置と同程度の変形が可能である。
FIG. 10 is a diagram showing a modification of the evaluation apparatus according to Embodiment 2 of the present invention. In the evaluation apparatus of this modification, the
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る評価装置は実施の形態１に係る評価装置と類似部分が多いので、実施の形態１に係る評価装置との相違点を中心に説明する。図１１は、本発明の実施の形態３に係る評価装置を示す図である。この評価装置は、所望周波数帯域の高周波信号を通過させず所望周波数帯域外の高周波信号を通過させる第１バンドストップフィルタ１００を備えている。第１バンドストップフィルタ１００の一端には第１可変負荷１０２が接続されている。
Embodiment 3 FIG.
Since the evaluation apparatus according to Embodiment 3 of the present invention has many similar parts to the evaluation apparatus according to
第１バンドストップフィルタ１００の他端には第１電力合成器１０４が接続されている。第１電力合成器１０４は、第１バンドストップフィルタ１００の他端の高周波信号と高周波信号発生器１２の出力する高周波信号を合成して増幅器１４に入力させるものである。
A
さらに、本発明の実施の形態３に係る評価装置は、所望周波数帯域の高周波信号を通過させず所望周波数帯域外の高周波信号を通過させる第２バンドストップフィルタ１０６を有する。第２バンドストップフィルタ１０６の一端には第２可変負荷１０８が接続されている。
Furthermore, the evaluation apparatus according to Embodiment 3 of the present invention includes a second
第２バンドストップフィルタ１０６の他端には第２電力合成器１１０が接続されている。第２電力合成器１１０は、第２バンドストップフィルタ１０６の他端の高周波信号と増幅器１４の出力する高周波信号を合成してバンドパスフィルタ１６に入力させるものである。
A
本発明の実施の形態３に係る評価装置は、可変負荷１０２により増幅器１４の入力側で所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変化させることができる。さらに、第２可変負荷１０８により増幅器の出力側で所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを変化させることができる。所望周波数帯域の負荷インピーダンスについては、可変負荷１８により変化させることができる。従って本発明の実施の形態３に係る評価装置によれば、所望周波数帯域と所望周波数帯域外の負荷インピーダンスを独立に変化させることができる。
The evaluation apparatus according to Embodiment 3 of the present invention can change the load impedance outside the desired frequency band on the input side of the
図１２は、本発明の実施の形態３に係る評価装置の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、可変負荷４０を第２測定部の前段に配置したものである。なお、本発明の実施の形態３に係る評価装置は、少なくとも実施の形態１に係る評価装置と同程度の変形が可能である。
FIG. 12 is a diagram showing a modified example of the evaluation apparatus according to Embodiment 3 of the present invention. In the evaluation apparatus of this modification, the
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る評価装置は実施の形態１に係る評価装置と類似部分が多いので、実施の形態１に係る評価装置との相違点を中心に説明する。図１３は、本発明の実施の形態４に係る評価装置を示す図である。この評価装置は、長さの異なる複数の高周波線路１５０を備えている。
Embodiment 4 FIG.
Since the evaluation device according to the fourth embodiment of the present invention has many similar parts to the evaluation device according to the first embodiment, differences from the evaluation device according to the first embodiment will be mainly described. FIG. 13 is a diagram showing an evaluation apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. This evaluation apparatus includes a plurality of high-
複数の高周波線路１５０は、スイッチ１５２、１５４によりいずれか１本が選択される。つまり、スイッチ１５２、１５４は複数の高周波線路１５０のいずれかの高周波線路を高周波信号発生器１２と増幅器１４の入力の間に直列に接続する。スイッチ１５２、１５４は制御部１７０により制御される。
One of the plurality of high-
増幅器１４の出力側にも長さの異なる複数の高周波線路１６０を備えている。そして、スイッチ１６２、１６４は複数の高周波線路１６０のいずれかの高周波線路を増幅器１４とバンドパスフィルタ１６の間に直列に接続する。スイッチ１６２、１６４は、制御部１７０により制御される。
A plurality of high-
所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相は高周波線路の長さによって変化する。本発明の実施の形態４に係る評価装置によれば、スイッチ１５２、１５４、１６２、１６４により高周波線路の長さを変えて所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変化させることができる。
The phase of the load impedance outside the desired frequency band varies depending on the length of the high frequency line. According to the evaluation apparatus according to Embodiment 4 of the present invention, the length of the high-frequency line can be changed by the
図１４は、本発明の実施の形態４に係る評価装置の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、可変負荷４０を第２測定部の前段に配置したものである。なお、本発明の実施の形態４に係る評価装置は、少なくとも実施の形態１に係る評価装置と同程度の変形が可能である。
FIG. 14 is a diagram showing a modification of the evaluation apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. In the evaluation apparatus of this modification, the
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係る評価装置は実施の形態４に係る評価装置と類似部分が多いので、実施の形態４に係る評価装置との相違点を中心に説明する。図１５は、本発明の実施の形態５に係る評価装置を示す図である。この評価装置の複数の高周波線路は長さの異なる複数のマイクロストリップ線路２００及び長さの異なる複数のマイクロストリップ線路２０２で形成されている。
Embodiment 5 FIG.
Since the evaluation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention has many similar parts to the evaluation apparatus according to Embodiment 4, differences from the evaluation apparatus according to Embodiment 4 will be mainly described. FIG. 15 shows an evaluation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. The plurality of high-frequency lines of this evaluation apparatus are formed of a plurality of
複数のマイクロストリップ線路２００、２０２はそれぞれ基板２０４、２０６の上に形成されている。本発明の実施の形態５に係る評価装置によれば、スイッチ１５２、１５４で複数のマイクロストリップ線路２００のなかのいずれかのマイクロストリップ線路を選択できる。また、スイッチ１６２、１６４で複数のマイクロストリップ線路２０２のなかのいずれかのマイクロストリップ線路を選択できる。
The plurality of
このようにマイクロストリップ線路の長さを任意に選択することで、所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変化させることができる。また複数のマイクロストリップ線路２００は基板２０４に形成され、複数のマイクロストリップ線路２０２は基板２０６に形成したので評価装置を小型化できる。
Thus, the phase of the load impedance outside the desired frequency band can be changed by arbitrarily selecting the length of the microstrip line. Since the plurality of
図１６は、本発明の実施の形態５に係る評価装置の変形例を示す図である。複数のマイクロストリップ線路２００とスイッチ１５２、１５４は１枚の基板２０８に搭載されている。よって評価装置を小型化できる。この構成は増幅器１４の入力側か出力側の少なくとも一方に採用することができる。なお複数のマイクロストリップ線路は、複数の高周波線路でもよい。
FIG. 16 is a diagram showing a modified example of the evaluation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. A plurality of
図１７は、本発明の実施の形態５に係る評価装置の別の変形例を示す図である。複数の高周波線路はチップ部品２１０で形成されている。チップ部品２１０は回路毎に所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変化させるように設計されている。この場合、スイッチ１５２、１５４でチップ部品２１０の回路を切り替えて所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変化させる。この構成は増幅器１４の入力側か出力側の少なくとも一方に採用することができる。
FIG. 17 is a diagram showing another modified example of the evaluation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. A plurality of high-frequency lines are formed by the
図１８は、本発明の実施の形態５に係る評価装置の別の変形例を示す図である。この変形例の評価装置は、可変負荷４０を第２測定部の前段に配置したものである。なお、本発明の実施の形態５に係る評価装置は、少なくとも実施の形態１に係る評価装置と同程度の変形が可能である。
FIG. 18 is a diagram showing another modified example of the evaluation apparatus according to Embodiment 5 of the present invention. In the evaluation apparatus of this modification, the
実施の形態６．
本発明の実施の形態６に係る評価装置は実施の形態４に係る評価装置と類似部分が多いので、実施の形態４に係る評価装置との相違点を中心に説明する。図１９は、本発明の実施の形態６に係る評価装置を示す図である。この評価装置の複数の高周波線路１５０とスイッチ１５２、１５４は１枚の基板３００に搭載されている。また、複数の高周波線路１６０とスイッチ１６２、１６４とバンドパスフィルタ１６は、１枚の基板３０２に搭載されている。
Embodiment 6 FIG.
Since the evaluation apparatus according to Embodiment 6 of the present invention has many similar parts to the evaluation apparatus according to Embodiment 4, differences from the evaluation apparatus according to Embodiment 4 will be mainly described. FIG. 19 is a diagram showing an evaluation apparatus according to Embodiment 6 of the present invention. A plurality of high-
このように複数部品を１枚の基板に搭載することで評価装置を小型化できる。なお複数の高周波線路１５０、１６０としては、実施の形態５で説明したマイクロストリップ線路や回路部品などを用いてもよい。
In this way, the evaluation apparatus can be downsized by mounting a plurality of components on a single substrate. As the plurality of high-
図２０は、本発明の実施の形態６に係る評価装置の変形例を示す図である。この評価装置は、複数の高周波線路１６０とスイッチ１６２、１６４とバンドパスフィルタ１６と可変負荷４００を搭載する１枚の基板４１０を備えている。可変負荷４００は、複数の端子を有し端子の接続に応じて負荷が変化する負荷変更用回路４０２を備えている。スイッチ４０４、４０６は、負荷変更用回路４０２の複数の端子のいずれかをバンドパスフィルタ１６と終端４２の間に直列に接続させる。
FIG. 20 is a diagram showing a modified example of the evaluation apparatus according to Embodiment 6 of the present invention. This evaluation apparatus includes a
従って、可変負荷４００の負荷インピーダンスはスイッチ４０４、４０６で切り替え可能となっている。可変負荷４００はマイクロストリップ線路やチップ部品等で構成される。この変形例の構成によれば可変負荷４００をバンドパスフィルタ１６等と同じ基板に実装したので評価装置の小型化が可能である。なお、本発明の実施の形態６に係る評価装置は、少なくとも実施の形態１に係る評価装置と同程度の変形が可能である。
Therefore, the load impedance of the
ところで、実施の形態４−６に係る評価装置では、増幅器１４の入力側と出力側の両方について、所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変える構成とした。しかしながら、必要に応じていずれか一方のみについて所望周波数帯域外の負荷インピーダンスの位相を変えることとしてもよい。
By the way, in the evaluation apparatus according to Embodiment 4-6, the phase of the load impedance outside the desired frequency band is changed on both the input side and the output side of the
１０ 評価装置、 １２ 高周波信号発生器、 １４ 増幅器、 １６ バンドパスフィルタ、 １８ 可変負荷、 ２０，２４，２８ 方向性結合器、 ２２，２６ 測定器、 ３０ 波形解析器、 ４０ 可変負荷、 ４２ 終端、 ４４ 入力側バンドパスフィルタ、 ５０，５２ 移相器、 １００，１０６ バンドストップフィルタ、 １０２，１０８ 可変負荷、 １０４，１１０ 電力合成器、 １５０，１６０ 複数の高周波線路、 １５２，１５４，１６２，１６４ スイッチ、 １７０ 制御部、 ２００，２０２ 複数のマイクロストリップ線路、 ２１０ チップ部品、 ４００ 可変負荷、 ４０２ 負荷変更用回路、 ４０４，４０６ スイッチ
DESCRIPTION OF
Claims (9)
高周波信号を出力して前記増幅器に入力させる高周波信号発生器と、
前記増幅器から出力された高周波信号が入力するバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタの出力側に接続された可変負荷と、
前記高周波信号発生器の出力電力を測定する第１測定部と、
前記バンドパスフィルタの出力電力と波形を測定する第２測定部と、
前記高周波信号発生器から出力された高周波信号を移相して前記増幅器に入力させる第１移相器と、
前記増幅器から出力された高周波信号を移相して前記バンドパスフィルタに入力させる第２移相器と、を備えたことを特徴とする評価装置。 An evaluation device for evaluating an amplifier,
A high-frequency signal generator that outputs a high-frequency signal and inputs the high-frequency signal to the amplifier;
A band-pass filter to which a high-frequency signal output from the amplifier is input;
A variable load connected to the output side of the bandpass filter;
A first measuring unit for measuring output power of the high-frequency signal generator;
A second measuring unit for measuring the output power and waveform of the bandpass filter ;
A first phase shifter that phase-shifts a high-frequency signal output from the high-frequency signal generator and inputs the phase to the amplifier;
An evaluation apparatus comprising: a second phase shifter that shifts a phase of a high-frequency signal output from the amplifier and inputs the phase of the high-frequency signal to the bandpass filter .
高周波信号を出力して前記増幅器に入力させる高周波信号発生器と、 A high-frequency signal generator for outputting a high-frequency signal to be input to the amplifier;
前記増幅器から出力された高周波信号が入力するバンドパスフィルタと、 A band-pass filter to which a high-frequency signal output from the amplifier is input;
前記バンドパスフィルタの出力側に接続された可変負荷と、 A variable load connected to the output side of the bandpass filter;
前記高周波信号発生器の出力電力を測定する第１測定部と、 A first measuring unit for measuring output power of the high-frequency signal generator;
前記バンドパスフィルタの出力電力と波形を測定する第２測定部と、 A second measuring unit for measuring the output power and waveform of the bandpass filter;
所望周波数帯域の高周波信号を通過させず所望周波数帯域外の高周波信号を通過させる第１バンドストップフィルタと、 A first band stop filter that allows high-frequency signals outside the desired frequency band to pass without passing high-frequency signals in the desired frequency band;
前記第１バンドストップフィルタの一端に接続された第１可変負荷と、 A first variable load connected to one end of the first band stop filter;
前記第１バンドストップフィルタの他端の高周波信号と前記高周波信号発生器の出力する高周波信号を合成して前記増幅器に入力させる第１電力合成器と、 A first power combiner that synthesizes a high-frequency signal at the other end of the first band stop filter and a high-frequency signal output from the high-frequency signal generator and inputs the synthesized signal to the amplifier;
所望周波数帯域の高周波信号を通過させず所望周波数帯域外の高周波信号を通過させる第２バンドストップフィルタと、 A second band stop filter that allows high-frequency signals outside the desired frequency band to pass without passing high-frequency signals in the desired frequency band;
前記第２バンドストップフィルタの一端に接続された第２可変負荷と、 A second variable load connected to one end of the second band stop filter;
前記第２バンドストップフィルタの他端の高周波信号と前記増幅器の出力する高周波信号を合成して前記バンドパスフィルタに入力させる第２電力合成器と、を備えたことを特徴とする評価装置。 An evaluation apparatus comprising: a second power combiner that combines a high-frequency signal at the other end of the second band stop filter and a high-frequency signal output from the amplifier and inputs the resultant signal to the band-pass filter.
高周波信号を出力して前記増幅器に入力させる高周波信号発生器と、 A high-frequency signal generator for outputting a high-frequency signal to be input to the amplifier;
前記増幅器から出力された高周波信号が入力するバンドパスフィルタと、 A band-pass filter to which a high-frequency signal output from the amplifier is input;
前記バンドパスフィルタの出力側に接続された可変負荷と、 A variable load connected to the output side of the bandpass filter;
前記高周波信号発生器の出力電力を測定する第１測定部と、 A first measuring unit for measuring output power of the high-frequency signal generator;
前記バンドパスフィルタの出力電力と波形を測定する第２測定部と、 A second measuring unit for measuring the output power and waveform of the bandpass filter;
長さの異なる複数の高周波線路と、 A plurality of high-frequency lines of different lengths;
前記複数の高周波線路のいずれかの高周波線路を前記増幅器と前記バンドパスフィルタの間に直列に接続するスイッチと、 A switch for connecting a high-frequency line of any of the plurality of high-frequency lines in series between the amplifier and the band-pass filter;
前記スイッチを制御する制御部と、を備えたことを特徴とする評価装置。 An evaluation apparatus comprising: a control unit that controls the switch.
前記可変負荷は、 The variable load is
複数の端子を有し、端子の接続に応じて負荷が変化する負荷変更用回路と、 A load changing circuit which has a plurality of terminals and the load changes according to the connection of the terminals;
前記複数の端子のいずれかを前記バンドパスフィルタと終端の間に直列に接続させるスイッチと、を備えたことを特徴とする請求項３に記載の評価装置。 The evaluation apparatus according to claim 3, further comprising: a switch that connects any of the plurality of terminals in series between the band-pass filter and a terminal.
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