JP5852090B2 - Instruction processing apparatus and instruction processing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、命令処理装置およびその命令処理方法に関する。 The present invention relates to an instruction processing device and an instruction processing method thereof.
記憶装置(メモリ)に対する書き込み命令には、記憶装置と他の装置との接続を可能なデータ幅(例えば、8バイト)の全幅のデータを書き込む全書き込み(フルストア)命令と、データの一部(例えば8バイトの中の3バイト)を書き換える部分書き込み命令があり、一般的には、部分書き込み命令の比率が多い。以下、本願では、係る部分書き込み命令を「パーシャルストア命令」と称する。このパーシャルストア命令を実行するためには、一旦、その命令によって指定するアドレスのデータを記憶装置から読み出し、部分書き込みする一部データとマージを行って、再び元の記憶装置に書き込む。 The write command for the storage device (memory) includes a full write command for writing data having a full data width (for example, 8 bytes) that allows connection between the storage device and another device, and a part of the data. There are partial write instructions for rewriting (for example, 3 bytes out of 8 bytes), and generally the ratio of partial write instructions is large. Hereinafter, in the present application, such a partial write instruction is referred to as a “partial store instruction”. In order to execute this partial store instruction, the data at the address specified by the instruction is once read from the storage device, merged with the partial data to be partially written, and written back to the original storage device.
近年、コンピュータに接続されるメモリが増大したため、メモリコントローラは、コンピュータに内蔵されたメモリを、メモリバンク(単にバンクともいう)と呼ばれる単位で管理している。メモリバンクは、メモリをある程度の容量ごとに区分けしたものである。メモリに対するアクセス要求が発生すると、メモリコントローラは、対象となるメモリバンクを選択し、選択したメモリバンクに対してだけアクセスすることで処理の効率を上げている。 In recent years, since the memory connected to the computer has increased, the memory controller manages the memory built in the computer in units called memory banks (also simply referred to as banks). The memory bank is a memory divided into a certain amount of capacity. When an access request to the memory is generated, the memory controller selects a target memory bank and increases the processing efficiency by accessing only the selected memory bank.
このような複数のメモリバンク構成を持つコンピュータにおいて、同一アドレスに対するパーシャルストア命令が頻発して発行された場合に、同一メモリバンクに対するビジー時間の増大によりメモリスループット性能が低下してしまう。これを改善する方法として、特許文献1および特許文献2は、同一アドレスに対する複数のパーシャルストア命令によって指定されたストアデータをマージすることにより、メモリアクセス回数を低減させて、メモリスループット性能の向上を図る技術を開示する。
In such a computer having a plurality of memory bank configurations, when a partial store instruction for the same address is frequently issued, the memory throughput performance deteriorates due to an increase in busy time for the same memory bank. As a method for improving this,
しかし、パーシャルストア命令の後続に同一アドレスに対するロード命令を受け付けた場合、同一バンクに対するアクセスになるため、同一バンクにおいてビジー状態が発生する。その結果、メモリを効率良く使えず、メモリスループット性能を低下させてしまう。 However, if a load instruction for the same address is received after the partial store instruction, the same bank is accessed, and a busy state occurs in the same bank. As a result, the memory cannot be used efficiently, and the memory throughput performance is reduced.
ここで、本願出願に先だって存在する関連技術としては、例えば以下の特許文献がある。 Here, as related technologies existing prior to the present application, there are, for example, the following patent documents.
特許文献3および特許文献4は、ストア命令に、同一アドレスに対するロード命令が続く場合に、ストア命令の実行を待たずにロードデータを生成する技術を開示する。 Patent Documents 3 and 4 disclose a technique for generating load data without waiting for execution of a store instruction when a load instruction for the same address follows the store instruction.
しかしながら、特許文献3及び4に提案されている技術は、ストア命令に関するものであり、パーシャルストア命令の後に同一アドレスに対するロード命令を受け付けた場合については考慮されていない。 However, the techniques proposed in Patent Documents 3 and 4 are related to store instructions, and are not considered when a load instruction for the same address is received after a partial store instruction.
そこで、本発明は、パーシャルストア命令の後に同一アドレスに対するロード命令を受け付けた場合のメモリスループット性能を向上することが可能な命令処理装置等の提供を主たる目的とする。 Accordingly, the main object of the present invention is to provide an instruction processing device or the like that can improve memory throughput performance when a load instruction for the same address is received after a partial store instruction.
上記の目的を達成すべく、本発明に係る命令処理装置は、以下の構成を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an instruction processing apparatus according to the present invention comprises the following arrangement.
即ち、本説明に係る命令処理装置は、
記憶領域がアドレスによって定められるメモリと、
前記メモリの特定アドレスに対するパーシャルストア命令を受けて、そのパーシャルストア命令によって指定された内容を保存するよう制御するストアマージ制御回路と、
前記パーシャルストア命令を受けた後に、前記特定アドレスに対するロード命令を受けた場合に、前記ストアマージ制御回路の制御によって保存されている前記パーシャルストア命令によって指定された内容と、前記ロード命令の内容とを基に、ストアロード命令を生成するストアロード命令生成回路とを備える
ことを特徴とする。
That is, the instruction processing device according to this description is
A memory whose storage area is determined by an address;
A store merge control circuit that receives a partial store instruction for a specific address of the memory and controls to store the content specified by the partial store instruction;
When the load instruction for the specific address is received after receiving the partial store instruction, the content specified by the partial store instruction stored under the control of the store merge control circuit, the content of the load instruction, And a store load instruction generation circuit for generating a store load instruction.
同目的を達成する本発明に係る命令処理方法は、
記憶領域がアドレスによって定められるメモリの特定アドレスに対するパーシャルストア命令を受けて、そのパーシャルストア命令によって指定された内容を記憶デバイスに保存し、
前記パーシャルストア命令を受けた後に、前記特定アドレスに対するロード命令を受けた場合に、前記記憶デバイスに保存されている前記パーシャルストア命令によって指定された内容と、前記ロード命令の内容とを基に、ストアロード命令を生成する
ことを特徴とする。
An instruction processing method according to the present invention for achieving the same object is as follows.
In response to a partial store instruction for a specific address of the memory whose storage area is determined by the address, the contents specified by the partial store instruction are stored in the storage device,
After receiving the partial store instruction, when receiving a load instruction for the specific address, based on the content specified by the partial store instruction stored in the storage device and the content of the load instruction, A store load instruction is generated.
上記の本発明によれば、パーシャルストア命令の後に同一アドレスに対するロード命令を受け付けた場合のメモリスループット性能を向上できるという効果がある。 According to the present invention described above, there is an effect that it is possible to improve the memory throughput performance when a load instruction for the same address is received after a partial store instruction.
次に、本発明を実施する形態について図面を参照して詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<第1の実施形態>
図1は、本発明の第1の実施形態に係る命令処理装置10の構成を示すブロック図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an
本実施形態に係る命令処理装置10は、ストアマージ制御回路11と、ストアロード命令生成回路12と、命令実行制御回路13と、アドレスパイプ14と、データパイプ15と、ECG16と、メモリ17と、ECC18と、セレクタ19とを有する。図1に複数示されるフリップフロップは、入力された情報を記憶する記憶部である。図1に複数示されるセレクタは、入力された複数の情報のうち、所定の条件を満たす情報を選択する回路である。
The
メモリ17は、記憶領域がアドレスによって定められる半導体記憶素子(例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory))である。
The
ストアマージ制御回路11は、上位装置(外部装置)から命令処理装置10が受け付けたパーシャルストア命令によって指定された内容を、連続した8バイトまでマージすることが可能な回路である。本実施形態では、8バイトまでマージすることを可能とするが、これに限定されない。上位装置は、例えば、演算装置である。
The store
ストアマージ制御回路11は、パーシャルストア命令によって指定された内容、または、それをマージした後の内容を表す情報を格納する情報テーブル110(図1には不図示。以下に示す図2を参照。)を備える。但し、情報テーブル110は、ストアマージ制御回路11による参照および更新が可能であれば、ストアマージ制御回路11内に設けられていなくてもよい。
The store
図2は、本発明の第1の実施形態に係る情報テーブル110を説明する図である。 FIG. 2 is a diagram illustrating the information table 110 according to the first embodiment of the present invention.
情報テーブル110は、アドレス111と、ストアデータ112と、バイトイネーブル情報113とを含む。すなわち、アドレス111と、ストアデータ112と、バイトイネーブル情報113とは、情報テーブル110において、図2に概念的に示すテーブルの如く関連付けされていることとする。
The information table 110 includes an
アドレス111は、8バイトアドレス境界のアドレス(すなわち、アドレスの末尾3ビットが000のアドレス)である。そして、このアドレスによって示される領域から連続した8バイト分の領域に、パーシャルストア命令によって指定されたアドレスが示す領域は、含まれる。
The
ストアデータ112は、アドレス111によって示される領域から連続した8バイト分の領域について、パーシャルストア命令によって指定された更新後のデータの内容である。
バイトイネーブル情報113は、ストアデータ112の有効または無効(すなわち、更新するまたは更新しない)をバイト毎に表す情報である。バイトイネーブル情報113は、ストアデータ112の1バイトの有効または無効を1ビットで表すので、本実施形態では、8ビットである。
The byte enable
命令処理装置10がパーシャルストア命令を受け付けた場合に、ストアマージ制御回路11は、情報テーブル110のアドレス111を参照することにより、指定されたアドレスが示す領域を含む8バイトアドレス境界のアドレスが存在するかを検索する。
When the
指定されたアドレスが存在した場合に、情報テーブル110の当該アドレス111を含むエントリに対して、ストアマージ制御回路11は、当該ストアデータ112に、パーシャルストア命令によって指定された更新後のデータの内容をマージ(更新)し、マージした内容にあわせて、バイトイネーブル情報113を更新する。
When the designated address exists, for the entry including the
指定されたアドレスが存在しない場合に、ストアマージ制御回路11は、情報テーブル110の未使用エントリに、パーシャルストア命令によって指定された内容を基に、アドレス111と、ストアデータ112と、バイトイネーブル情報113とを関連付けて登録する。情報テーブル110のすべてのエントリにすでに登録済みの場合に、ストアマージ制御回路11は、エントリを一つ選択し、そのエントリの内容を命令実行制御回路13へ渡し、当該エントリの内容を削除する。エントリを選択する方法は、特に限定しないが、例えば、ストアデータ112をなす8バイト分のデータすべてに対して、更新するべき値を設定済みのエントリを選択するという方法がある。ストアマージ制御回路11は、内容を削除したそのエントリに、パーシャルストア命令によって指定された内容を基に、アドレス111と、ストアデータ112と、バイトイネーブル情報113とを関連付けて登録する。
When the designated address does not exist, the store
また、命令処理装置10がロード命令を受け付けた場合に、ストアマージ制御回路11は、アドレス111が示す領域から8バイト分の領域の中に、ロード命令によって指定されたアドレスが示す領域が含まれるかを検索する。
When the
指定されたアドレスが存在した場合に、ストアマージ制御回路11は、ストアロード命令生成回路12に、検索により見つかったエントリの内容を渡し、当該エントリの内容を削除する。
When the designated address exists, the store
指定されたアドレスが存在しない場合に、ストアマージ制御回路11は、ロード命令に含まれる内容をそのまま命令実行制御回路13へ渡す。
When the designated address does not exist, the store
ストアロード命令生成回路12は、ストアマージ制御回路11から受け取ったロード命令を表す情報と、情報テーブル110(図2)に登録されていたパーシャルストア命令の内容とを基に、一つのストアロード命令を生成する回路である。
The store load
ストアロード命令は、リードモディファイライト動作を行う命令である。 The store load instruction is an instruction for performing a read-modify-write operation.
すなわち、ストアロード命令は、初めに、誤り訂正符号(ECC:Error Correcting Code)を生成するために、該当するアドレスのデータを読み出して、その読み出したデータに書き込むべきデータをマージ(更新)する。それから、ストアロード命令は、マージしたデータに、誤り訂正符号を付加して、メモリ17に書き込むことにより、ストアロード命令の実行を完了する。誤り訂正符号を用いた誤り訂正の方法は、公知の技術を使用すればよい。
That is, the store load instruction first reads data at a corresponding address and merges (updates) data to be written into the read data in order to generate an error correcting code (ECC). Then, the store load instruction completes execution of the store load instruction by adding an error correction code to the merged data and writing it in the
命令実行制御回路13は、メモリ17を対象として、ストアロード命令を実行するよう制御する回路である。
The instruction
また、命令実行制御回路13は、メモリ17のビジー状態を管理する回路である。命令実行制御回路13は、バンク単位に発行しているリクエストにかかる時間を保持している。命令実行制御回路13は、その保持している時間を参照することにより、アクセス対象のメモリバンクにおいてビジー状態であるか否かを判断する。判断した結果がビジー状態でなければ、命令実行制御回路13は、メモリ17にアクセスする。ビジー状態の場合は、命令実行制御回路13は、この回路内において、ビジー状態が解消されるまで待機する。
The instruction
ECG(誤り訂正符号生成回路)16は、メモリ17にデータを書き込む際、ストアデータ(即ち、メモリ17に書き込むべきデータ)に付加する誤り訂正符号を生成する回路である。ECC18は、メモリ17からデータを読み出した際、データ訂正可能な場合は訂正、訂正不可の場合はエラーを検出する回路である。ECC18は、データ訂正の際のECC単位(データ訂正単位)を、パーシャルストア命令によって指定された内容をマージしたバイト数にあわせればよい。本実施形態では、パーシャルストア命令によって指定された内容を、連続した8バイトまでマージするとしたため、ECC単位(データ訂正単位)は、8バイトである。
The ECG (error correction code generation circuit) 16 is a circuit that generates an error correction code to be added to store data (that is, data to be written to the memory 17) when data is written to the
アドレスパイプ14は、パーシャルストア命令およびストアロード命令の場合に、メモリ17からデータを読み出したアドレスを、そのアドレスにデータを書き戻すタイミングまで保存するための回路である。
The
データパイプ15は、ストアデータを保存する回路と、ロードデータ(メモリ17から読み出したデータ)をストアデータにモディファイする回路(以下、モディファイ回路という)を含む。モディファイ回路は、バイトイネーブル情報113を基に、ロードデータに対してモディファイすることにより、ストアデータを作成する。
The
セレクタ19は、ストアロード命令を実行した場合に使用する回路である。セレクタ19は、データパイプ15にてモディファイしたデータを選択し、ロードデータとして上位装置へ返却する。
The
次に、本実施形態の動作について、アドレスA番地から8バイト分の領域のうち、先頭から3バイトに、”XXX”なるデータをパーシャルストアする命令を例に説明する。ストアマージ制御回路11は、このパーシャル命令の内容を、図2に示す情報テーブル110において1つめのエントリに示すように、アドレス111に”A”、ストアデータ112に”XXX−−−−−”、バイトイネーブル情報113に0xE0を関連付けて登録する。なお、”−”の部分は、参照しないため、どのような値でもよい。また、”0x”は、後ろに続く英数字が16進数で表記されていることを示す。
Next, the operation of the present embodiment will be described by taking as an example an instruction for partial store of data “XXX” in the 3 bytes from the beginning of the area of 8 bytes from address A. The store
この後、命令処理装置10がA番地に対するロード命令を受け付けると、情報テーブル110のアドレス111を参照して、アドレス111が”A”であるエントリを検索する。検索した結果、1つめのエントリに登録されたパーシャルストア命令のアドレス111が”A”であるため、1つめのエントリの内容を、ストアロード命令生成回路12に渡し、当該エントリの内容を削除する。
Thereafter, when the
ストアロード命令生成回路12は、渡されたパーシャルストア命令の内容と、そのパーシャルストア命令の内容が渡される起因となったロード命令とを基に、一つのストアロード命令を生成する。
The store load
命令実行制御回路13は、そのストアロード命令について、アドレスを表す情報をアドレスパイプ14に、ストアデータとイネーブル情報とをデータパイプ15に保存する。
The instruction
次に、命令実行制御回路13は、メモリ17がビジー状態でないことを確認して、そのストアロード命令の実行のために、まず、メモリA番地から、データを読み出す。
Next, the instruction
ECC18は、読み出したデータに対して、ECCチェックを行い、誤りを訂正する。その訂正後のデータに対して、モディファイ回路は、データパイプ15に保存してあったストアデータ(”XXX−−−−−”)とバイトイネーブル情報(0xE0)とを基に、モディファイする。すなわち、先頭から3バイト分のデータをストアデータの先頭から3バイト分の内容(”XXX”)で書き換える。
The
ECG16は、その書き換え後のデータに誤り訂正符号を付加する。
The
その誤り訂正符号付加後のデータを、命令実行制御回路13は、アドレスパイプ14に保存していたアドレスであるA番地に対して書き込む。
The instruction
また、セレクタ19は、モディファイ後のデータを、ロードデータとして、上位装置へ返却する。
The
以上、説明したように、第1の実施形態には、パーシャルストア命令の後に同一アドレスに対するロード命令を受け付けた場合のメモリスループット性能を向上できるという効果がある。 As described above, the first embodiment has an effect of improving the memory throughput performance when a load instruction for the same address is received after a partial store instruction.
その理由は、メモリ17の同一アドレスに対するパーシャルストア命令とロード命令の実行が必要な場合に、本実施形態に係る命令処理装置10は、それらの命令を基に一つのストアロード命令を生成し、生成したストアロード命令を実行するからである。すなわち、本実施形態に係る命令処理装置10によれば、図3のタイムチャートに示すように、パーシャルストア命令とロード命令とを個々にメモリ17に対し動作していた場合の時間よりも、パーシャルストア命令とロード命令とを基に生成したストアロード命令によれば、背景技術と比較して命令実行に要する時間を短縮できる。
The reason is that, when execution of a partial store instruction and a load instruction for the same address in the
10 命令処理装置
11 ストアマージ制御回路
12 ストアロード命令生成回路
13 命令実行制御回路
14 アドレスパイプ
15 データパイプ
16 ECG
17 メモリ
18 ECC
19 セレクタ
110 情報テーブル
111 アドレス
112 ストアデータ
113 バイトイネーブル情報
DESCRIPTION OF
17
19
Claims (8)
前記メモリの特定アドレスに対するパーシャルストア命令を受けて、そのパーシャルストア命令によって指定された内容を保存するよう制御するストアマージ制御回路と、
前記パーシャルストア命令を受けた後に、前記特定アドレスに対するロード命令を受けた場合に、前記ストアマージ制御回路の制御によって保存されている前記パーシャルストア命令によって指定された内容と、前記ロード命令の内容とを基に、ストアロード命令を生成するストアロード命令生成回路とを備える
ことを特徴とする命令処理装置。 A memory whose storage area is determined by an address;
A store merge control circuit that receives a partial store instruction for a specific address of the memory and controls to store the content specified by the partial store instruction;
When the load instruction for the specific address is received after receiving the partial store instruction, the content specified by the partial store instruction stored under the control of the store merge control circuit, the content of the load instruction, And a store load instruction generation circuit for generating a store load instruction based on the instruction processing apparatus.
前記パーシャルストア命令を受けた後であって前記ロード命令を受ける前に、前記アドレスに対する第二のパーシャルストア命令を受けた場合に、その第二のパーシャルストア命令によって指定された内容を、保存済みの前記パーシャルストア命令によって指定された内容にマージしてから保存するよう制御する
ことを特徴とする請求項1記載の命令処理装置。 The store merge control circuit includes:
After receiving the partial store instruction and before receiving the load instruction, when the second partial store instruction for the address is received, the contents specified by the second partial store instruction are stored. The instruction processing apparatus according to claim 1, wherein the instruction processing apparatus controls to be stored after being merged with the content specified by the partial store instruction.
前記パーシャルストア命令の処理対象である前記メモリのアドレスと、
前記パーシャルストア命令によって更新すべき内容を含む前記メモリに1回でアクセス可能な長さを有するデータと、
前記データのうち、前記パーシャルストア命令により更新すべき位置を示す情報とを、
前記パーシャルストア命令によって指定された内容を基に保存する
ことを特徴とする請求項1または2記載の命令処理装置。 The store merge control circuit includes:
An address of the memory to be processed by the partial store instruction;
Data having a length accessible to the memory including the contents to be updated by the partial store instruction at a time;
Among the data , information indicating a position to be updated by the partial store instruction,
3. The instruction processing apparatus according to claim 1, wherein the instruction processing apparatus stores the contents based on contents designated by the partial store instruction.
ことを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の命令処理装置。 The instruction processing apparatus according to claim 1, further comprising an instruction execution control circuit that executes the store load instruction for the memory.
前記メモリのビジー状態を管理し、前記ストアロード命令の処理対象である前記メモリがビジー状態の場合には、そのビジー状態が解消されるまで待機した後に、前記ストアロード命令を実行する
ことを特徴とする請求項4記載の命令処理装置。 The instruction execution control circuit includes:
The busy state of the memory is managed, and when the memory to be processed by the store load instruction is busy, the store load instruction is executed after waiting until the busy state is resolved. The instruction processing apparatus according to claim 4 .
前記パーシャルストア命令を受けた後に、前記特定アドレスに対するロード命令を受けた場合に、前記記憶デバイスに保存されている前記パーシャルストア命令によって指定された内容と、前記ロード命令の内容とを基に、ストアロード命令を生成する
ことを特徴とする命令処理方法。 In response to a partial store instruction for a specific address of the memory whose storage area is determined by the address, the contents specified by the partial store instruction are stored in the storage device,
After receiving the partial store instruction, when receiving a load instruction for the specific address, based on the content specified by the partial store instruction stored in the storage device and the content of the load instruction, An instruction processing method characterized by generating a store load instruction.
ことを特徴とする請求項6記載の命令処理方法。 When receiving a second partial store instruction for the address after receiving the partial store instruction and before receiving the load instruction, the contents designated by the second partial store instruction are stored in the memory. 7. The instruction processing method according to claim 6, wherein the instruction is stored after being merged with the content specified by the partial store instruction stored in the device.
前記パーシャルストア命令によって更新すべき内容を含む前記メモリに1回でアクセス可能な長さを有するデータと、
前記データのうち、前記パーシャルストア命令により更新すべき位置を示す情報とを、
前記パーシャルストア命令によって指定された内容を基に保存する
ことを特徴とする請求項6または7記載の命令処理方法。
An address of the memory to be processed by the partial store instruction;
Data having a length accessible to the memory including the contents to be updated by the partial store instruction at a time;
Among the data , information indicating a position to be updated by the partial store instruction,
The instruction processing method according to claim 6 or 7, wherein the instruction is stored based on contents designated by the partial store instruction.
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