JP5851847B2 - Charge pump circuit, semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
本発明は、被駆動回路に正負の電圧を供給するチャージ・ポンプ回路、このチャージ・ポンプを駆動する半導体集積回路に関する。 The present invention relates to a charge pump circuit that supplies positive and negative voltages to a driven circuit, and a semiconductor integrated circuit that drives the charge pump.
図16は、ビデオアンプを駆動する既存のチャージ・ポンプ回路を示した図である。図示したチャージ・ポンプ回路は、単電源、すなわち一つの正電源下で駆動され、グランド終端される抵抗に信号を出力する回路として構成される。このようなチャージ・ポンプ回路は、例えば、特許文献1に開示されている。
図16に示した既存のチャージ・ポンプ回路は、正電源電圧(図中にVDDと記す)とグランド電圧(図中にGNDと記す)から負電源電圧(図中にVEEと記す)を発生させる。そして、正電源と負電源との間で駆動される被駆動回路により、グランド電圧を中心レベルとしてDC(直流)カット用のキャパシタを用いずに直接負荷を駆動し、信号を出力するものである。このようなチャージ・ポンプ回路では、クロック信号の第1の期間においてスイッチング素子171、173がオンされて、与えられた正電圧とグランド電圧の間にキャパシタC1が直接接続される。このとき、キャパシタC1には電荷が蓄積される。
FIG. 16 is a diagram showing an existing charge pump circuit for driving a video amplifier. The illustrated charge pump circuit is configured as a circuit that is driven by a single power source, that is, one positive power source, and outputs a signal to a resistor that is ground-terminated. Such a charge pump circuit is disclosed in
The existing charge pump circuit shown in FIG. 16 generates a negative power supply voltage (denoted as VEE in the figure) from a positive power supply voltage (denoted as VDD in the figure) and a ground voltage (denoted as GND in the figure). . Then, a driven circuit driven between a positive power source and a negative power source drives a load directly without using a DC (direct current) cut capacitor with the ground voltage as a central level, and outputs a signal. . In such a charge pump circuit, the
また、クロック信号の第2の期間においてスイッチング素子171、173がオフされると共に、スイッチング素子172、174がオンされる。このとき、負の電源電圧を発生する負電圧端子とグランド電圧との間にキャパシタC1が直接接続され、蓄積された電荷が転送される。図16に示したチャージ・ポンプ回路は、この一連の動作を繰り返し行うことによって負の電源電圧を発生させている。
Further, in the second period of the clock signal, the
しかしながら、特許文献1に記載された既存のチャージ・ポンプ回路では、ビデオアンプから出力される電圧値に関わらず、負の電源電圧としてほぼ一定の値(−VDD)の電圧が出力される。このことから、ビデオアンプは常に2VDDの出力電源の幅で動作することになり、ビデオアンプの消費電力が大きくなるという問題がある。
本発明は、このような点に鑑みて行われたものであって、電圧を出力する電源を発生し、発生された電源によって駆動回路を駆動するチャージ・ポンプ回路、このチャージ・ポンプ回路を含む半導体集積回路において、消費電力を削減することに好適なチャージ・ポンプ回路、半導体集積回路を提供することを目的とする。
However, in the existing charge pump circuit described in
The present invention has been made in view of the above points, and includes a charge pump circuit that generates a power source that outputs a voltage and drives a drive circuit with the generated power source, and the charge pump circuit. An object of the present invention is to provide a charge pump circuit and a semiconductor integrated circuit suitable for reducing power consumption in a semiconductor integrated circuit.
以上の課題を解決するため、本発明の一態様のチャージ・ポンプ回路(例えば図1、図2に示したチャージ・ポンプ回路4)は、入力電源(例えば図2に示したVDD)から電荷を供給し、正の出力電源である正出力電源(例えば図2に示したVCC)及び負の出力電源である負出力電源(例えば図2に示したVEE)を生成するチャージ・ポンプ回路であって、第1キャパシタ(例えば図2に示したキャパシタ201a)と、前記第1キャパシタに直列に接続され得る第2キャパシタ(例えば図2に示したキャパシタ201b)と、前記負出力電源から供給された電荷が保持される第3キャパシタ(例えば図2に示したキャパシタ201c)と、前記第1キャパシタ、前記第2キャパシタ、前記第3キャパシタを電気的に接続または分離するスイッチング回路(例えば図2に示したスイッチング素子202a〜202k)と、を含み、前記スイッチング回路は、前記第1キャパシタの正極側端子に、グランド端子を接続する第1スイッチング素子(例えば図2に示したスイッチング素子202e)と、前記第1キャパシタの負極側端子に、前記負出力電源を接続する第2スイッチング素子(例えば図2に示したスイッチング素子202f)と、前記第2キャパシタの正極側端子に、グランド端子を接続する第3スイッチング素子(例えば図2に示したスイッチング素子202g)と、前記第2キャパシタの負極側端子に、前記負出力電源を接続する第4スイッチング素子(例えば図2に示したスイッチング素子202h)と、を含み、前記入力電源によって供給された電荷を前記第1キャパシタに蓄積すると共に、前記第2キャパシタに蓄積された電荷を前記負出力電源に転送する第1の状態と、前記入力電源によって供給された電荷を前記第2キャパシタに蓄積すると共に、前記第1キャパシタに蓄積された電荷を前記負出力電源に転送する第2の状態と、を繰返し形成する第1のモード(例えば図5、13に示したモード2)から、前記入力電源から供給された電荷が前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタに蓄積される第3の状態と、前記第3の状態において前記第1キャパシタに蓄積された電荷が前記負出力電源に転送されると共に、前記第2キャパシタに蓄積された電荷が前記正出力電源に転送される第4の状態と、前記入力電源から供給された電荷が前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタに蓄積される第5の状態と、前記第5の状態において前記第2キャパシタに蓄積された電荷が前記負出力電源に転送されると共に、前記第1キャパシタに蓄積された電荷が前記正出力電源に転送される第6の状態と、を繰返し形成する第2のモード(例えば図5、13に示したモード1)に遷移する過程において、前記第1キャパシタと前記第3キャパシタとを並列に接続し、かつ、前記第2キャパシタを前記第3キャパシタと並列に接続する第3のモード(例えば図13に示したモード3)を形成することを特徴とする。
In order to solve the above problems, a charge pump circuit according to one embodiment of the present invention (for example, the
本発明の一態様のチャージ・ポンプ回路によれば、前記スイッチング回路が、前記第1キャパシタの正極側端子にグランド端子を接続すると共に、前記第1キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続し、前記第2キャパシタの正極側端子にグランド端子を接続すると共に前記第2キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続し、前記第3キャパシタの正極側端子に前記グランド端子を接続すると共に、前記第3キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続することが望ましい。 According to the charge pump circuit of one aspect of the present invention, the switching circuit connects the ground terminal to the positive terminal of the first capacitor and connects the negative output power source to the negative terminal of the first capacitor. And connecting the ground terminal to the positive terminal of the second capacitor, connecting the negative output power source to the negative terminal of the second capacitor, and connecting the ground terminal to the positive terminal of the third capacitor. The negative output power source is preferably connected to the negative terminal of the third capacitor.
本発明の一態様のチャージ・ポンプ回路によれば、前記第3のモードにおいて、前記第1キャパシタ、前記第2キャパシタ、前記第3キャパシタに蓄積されている電荷が平均化され、時間の経過と共に前記負出力電源から供給される電圧の絶対値が前記入力電源から供給される電圧の絶対値と略等しい状態から、前記入力電源から供給される電圧の絶対値の半分と略等しい状態に変化することが望ましい。 According to the charge pump circuit of one embodiment of the present invention, in the third mode, the charges accumulated in the first capacitor, the second capacitor, and the third capacitor are averaged, and with time, The state in which the absolute value of the voltage supplied from the negative output power supply changes from a state substantially equal to the absolute value of the voltage supplied from the input power supply to a state substantially equal to half the absolute value of the voltage supplied from the input power supply. It is desirable.
本発明の一態様の半導体集積回路は、前記請求項1〜4のいずれか1項に記載のチャージ・ポンプ回路を含み、前記正出力電源及び前記負出力電源に基づいて生成された出力信号を負荷に供給することを特徴とする。
本発明の一態様の半導体集積回路によれば、前記出力信号と予め設定されている第1参照電圧とを比較し、比較の結果に基づいて判定信号1を出力するモード検出回路(例えば図1に示したモード検出回路7)と、前記負出力電源から出力される電圧と予め設定されている第2参照電圧とを比較し、比較の結果に基づいて判定信号2を出力する負電圧検出回路(例えば図1に示した負電圧出回路9)と、を含み、前記判定信号1と前記判定信号2の組み合わせ結果により、前記第1のモード、前記第2のモード、前記負出力電源から出力される電圧の絶対値が前記第1のモードにおける絶対値よりも減少する第3モードのいずれかで前記チャージ・ポンプ回路を動作させるように前記スイッチング回路を制御することが望ましい。
A semiconductor integrated circuit according to an aspect of the present invention includes the charge pump circuit according to any one of
According to the semiconductor integrated circuit of one embodiment of the present invention, a mode detection circuit (for example, FIG. 1) that compares the output signal with a preset first reference voltage and outputs a
上記した発明によれば、チャージ・ポンプ回路において正負の出力電源を発生させることができる。また、このようなチャージ・ポンプ回路を、スイッチング素子とキャパシタとによって構成することができる。さらに、以上のチャージ・ポンプ回路において、正負の出力電源から供給される電圧の絶対値を、入力電圧の半分にし、負荷駆動システムの消費電力を削減することができる。これは、VDD×Iの入力電力を1/2VDD×2Iの電力に変換することで、Iの入力電流から2Iの出力電流を引き出せることから説明される。 According to the above-described invention, positive and negative output power supplies can be generated in the charge pump circuit. Such a charge pump circuit can be constituted by a switching element and a capacitor. Further, in the above charge pump circuit, the absolute value of the voltage supplied from the positive and negative output power supplies can be made half of the input voltage, and the power consumption of the load drive system can be reduced. This is explained by the fact that 2I output current can be drawn from I input current by converting VDD × I input power to 1 / 2VDD × 2I power.
また、上記した発明によれば、さらに、チャージ・ポンプ回路において正負の他の出力電源を生成することができる。また、このようなチャージ・ポンプ回路を、スイッチング素子とキャパシタとによって構成することができる。さらに、以上のチャージ・ポンプ回路において、正負の出力電源から供給される電圧の絶対値を、入力電圧と同じ値にすることができる。このとき、VDD×Iの入力電力を変換することなくそのまま用いるため、消費電力削減の効果はないが、負電圧生成時に2つのキャパシタの電荷蓄積と電荷転送を相補的に行うため、従来技術のチャージ・ポンプ回路に比べて2倍の電流供給能力を有する。 Further, according to the above-described invention, it is possible to generate other positive and negative output power sources in the charge pump circuit. Such a charge pump circuit can be constituted by a switching element and a capacitor. Further, in the above charge pump circuit, the absolute value of the voltage supplied from the positive and negative output power supplies can be made the same value as the input voltage. At this time, since the input power of VDD × I is used as it is without conversion, there is no effect of reducing power consumption. However, since charge accumulation and charge transfer of the two capacitors are complementarily performed when generating a negative voltage, The current supply capacity is twice that of the charge pump circuit.
また、上記した発明によれば、チャージ・ポンプ回路によって駆動される被駆動回路から負荷へ出力される信号が比較的小さいときには出力電源から供給される電圧値を小さくし、信号が比較的大きいときには出力電源から供給される電圧値をより大きくすることができる。このため、必要に応じて負荷駆動システムの消費電力を切り替えることができる。 Further, according to the above-described invention, when the signal output from the driven circuit driven by the charge pump circuit to the load is relatively small, the voltage value supplied from the output power supply is decreased, and when the signal is relatively large. The voltage value supplied from the output power supply can be further increased. For this reason, the power consumption of a load drive system can be switched as needed.
さらに、上記した発明によれば、出力電源から供給される大小2つの電圧値を切り替える際に、電流が入力電圧を出力する電源の側に向かって逆流することを防ぐことができる。
以上のことから、消費電力を削減することに好適なチャージ・ポンプ回路、半導体集積回路を提供することができる。
Furthermore, according to the above-described invention, when switching between two large and small voltage values supplied from the output power supply, it is possible to prevent the current from flowing backward toward the power supply that outputs the input voltage.
As described above, a charge pump circuit and a semiconductor integrated circuit suitable for reducing power consumption can be provided.
以下、図を参照して本発明の一実施形態のチャージ・ポンプ回路、このチャージ・ポンプを適用した半導体集積回路を説明する。本実施形態では、チャージ・ポンプ回路を、被駆動回路であるアンプ回路に適用し、このアンプ回路によって入力信号を増幅して負荷に供給する負荷駆動システムを構成するものとして説明する。なお、本実施形態のチャージ・ポンプ回路、このチャージ・ポンプ回路を含む負荷駆動システムは、半導体集積回路として構成される。 Hereinafter, a charge pump circuit according to an embodiment of the present invention and a semiconductor integrated circuit to which the charge pump is applied will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, the charge pump circuit is applied to an amplifier circuit that is a driven circuit, and an amplifier circuit that amplifies an input signal and supplies it to a load is described. Note that the charge pump circuit of this embodiment and the load driving system including the charge pump circuit are configured as a semiconductor integrated circuit.
(回路構成)
図1は、本実施形態のチャージ・ポンプ回路を含む負荷駆動システム1を説明するためのブロック図である。負荷駆動システム1は、図1に示すように、クロック発生回路2、スイッチ制御回路3、チャージ・ポンプ回路4、アンプ回路5、モード検出回路7、負電圧検出回路9を含んで構成される。負荷6は、被駆動回路5から出力される出力信号が供給される機器である。
チャージ・ポンプ回路4は、キャパシタとスイッチング素子とを用いたチャージ・ポンプ方式によって、正の出力電圧VCCと負の出力電圧VEEを正の入力電圧VDDから生成する機能を有している。このようなチャージ・ポンプ回路4の詳細については後述するものとする。
(Circuit configuration)
FIG. 1 is a block diagram for explaining a
The
なお、本明細書では、「正の出力電源」の語句が、極性が正の出力電圧を出力する電源を指すものとし、この電源から出力される電圧を「正の出力電圧」とする。また、「負の出力電源」の語句が、極性が負の出力電圧を出力する電源を指すものとし、この電源から出力される電圧を「負の出力電圧」とする。また、「正の出力電圧」の電圧値を「VCC」とも記し、「負の出力電圧」の電圧値を「VEE」とも記す。また、入力電圧を供給する電源を「入力電源」と記し、この電源から入力される電圧を入力電圧、入力電圧の値を「VDD」とも記す。 In this specification, the phrase “positive output power supply” refers to a power supply that outputs an output voltage having a positive polarity, and a voltage output from this power supply is referred to as a “positive output voltage”. Further, the phrase “negative output power supply” refers to a power supply that outputs an output voltage having a negative polarity, and a voltage output from this power supply is referred to as “negative output voltage”. The voltage value of “positive output voltage” is also referred to as “VCC”, and the voltage value of “negative output voltage” is also referred to as “VEE”. In addition, a power supply that supplies an input voltage is referred to as an “input power supply”, a voltage input from the power supply is also referred to as an input voltage, and a value of the input voltage is also referred to as “VDD”.
また、本明細書では、電圧値VCCの出力電圧を出力する電源を図中に「VCC」の符号で示し、電圧値VEEの出力電圧を出力する電源を図中に「VEE」の符号で示し、電圧値VDDの入力電圧を供給する電源を図中に「VDD」の符号で示す。また、本明細書において、チャージ・ポンプに出力電圧を出力させることと、チャージ・ポンプに出力電源を発生させることとは、同様の意味を持つ。さらに、実施形態の記載中、適宜「正の出力電圧」、「負の出力電圧」を、単に「出力電圧」とも記す。 Further, in this specification, a power source that outputs an output voltage having a voltage value VCC is indicated by a symbol “VCC” in the drawing, and a power source that outputs an output voltage having a voltage value VEE is indicated by a symbol “VEE” in the drawing. A power supply for supplying an input voltage having a voltage value VDD is indicated by a symbol “VDD” in the figure. In this specification, outputting the output voltage to the charge pump and generating the output power supply to the charge pump have the same meaning. Furthermore, in the description of the embodiments, “positive output voltage” and “negative output voltage” are also simply referred to as “output voltage” as appropriate.
上記した構成のうち、クロック発生回路2は、水晶振動子、セラミック振動子などの振動子を備え、チャージ・ポンプ回路4の有するスイッチング素子のオン、オフを制御する4種類のクロック信号CLK1、CLK2、CLK3、CLK4を発生する機能を有している。なお、CLK1〜CLK4は、同じ周期及び同じ振幅の信号であり、CLK1から順次highとなる。このとき、他の3つの信号は、lowとなっている。
In the configuration described above, the
スイッチ制御回路3は、クロック信号CLK1〜CLK4に基づいてスイッチ制御信号SW1〜SW11を生成し、チャージ・ポンプ回路4に出力する。スイッチ制御信号SW1〜SW11は、チャージ・ポンプ回路4に設けられた複数のスイッチング素子をそれぞれ制御する信号である。また、スイッチ制御回路3には、後述するモード判定信号Mが入力される。スイッチ制御回路3は、クロック信号CLK1〜CLK4とモード判定信号Mに基づいて、スイッチのオン、オフを制御するスイッチ制御信号SW1〜SW11をチャージ・ポンプ回路4に供給する。
The switch control circuit 3 generates switch control signals SW1 to SW11 based on the clock signals CLK1 to CLK4 and outputs the switch control signals SW1 to SW11 to the
チャージ・ポンプ回路4は、スイッチの切替えによって出力電圧VCC、VEEを出力し、出力された出力電圧VCC、VEEはアンプ回路5に供給される。アンプ回路5は、供給された出力電圧VCC、VEEと、入力信号SIN及びレベル調整電圧Vrから出力信号SOUTを出力する。出力信号SOUTが出力される端子は負荷6に出力される。
また、チャージ・ポンプ回路4は、3つのモードのスイッチング方式によって動作することが可能である。モード検出回路7は、チャージ・ポンプ回路4が動作すべきモードを検出する。このため、モード検出回路7は、出力信号SOUT、出力電圧VCC、VEEを入力し、出力信号SOUT、出力電圧VCC、VEEに基づいてモード判定信号Mを生成する。モード判定信号Mは、スイッチ制御回路3に入力され、スイッチ制御回路3は、モード判定信号Mにしたがってスイッチ制御信号SW1〜SW11を生成する。
The
Further, the
モード判定信号Mがローレベル(以下、lowと記す)のとき、チャージ・ポンプ回路4はモード1で動作する。このとき、出力電圧VCC、VEEの絶対値は入力電圧VDDの略半分に等しい。モード判定信号がハイレベル(以下、highと記す)のとき、チャージ・ポンプ回路4は、モード2で動作する。このとき出力される出力電圧VCC、VEEの絶対値は、入力電圧VDDに略等しい。
When the mode determination signal M is at a low level (hereinafter referred to as low), the
ただし、本実施形態は、モード1において、出力電圧VCC、VEEの絶対値が入力電圧VDDの略半分に等しくなる構成に限定されるものではなく、モード1において、出力電圧VCC、VEEの絶対値がモード2における出力電圧VCC、VEEの絶対値、あるいは入力電圧VDDの絶対値よりも小さくなればよい。
負電圧検出回路9は、負の出力電圧VEEを検出してある参照電圧VEEtと比較し、負電圧判定信号をスイッチ制御回路3に出力する。この負電圧判定信号は、VEEよりもVEEtが低い場合はlow、VEEよりもVEEtが高い場合はhighとなる。そして、モード2による動作中にモード判定信号Mがlowになった場合、チャージ・ポンプ回路4は、モード3で動作する。
However, the present embodiment is not limited to the configuration in which the absolute values of the output voltages VCC and VEE are equal to substantially half of the input voltage VDD in the
The negative
アンプ回路5は、OPアンプ(operational amplifier)を含んで構成される反転増幅回路であって、反転入力端子(図中に「−」の記号を付して示す)に入力された入力信号SINと、非反転入力端子(図中に「+」の記号を付して示す)に入力されたオフセット電圧のレベル調整電圧Vrとの差分の信号を反転増幅した出力信号SOUTを出力する機能を有している。 The amplifier circuit 5 is an inverting amplifier circuit including an OP amplifier (operational amplifier), and includes an input signal SIN input to an inverting input terminal (indicated by a symbol “−” in the drawing). Has a function of outputting an output signal SOUT obtained by inverting and amplifying a signal of a difference from the level adjustment voltage Vr of the offset voltage input to a non-inverting input terminal (indicated by a symbol “+” in the drawing) ing.
負荷6は、アンプ回路5から出力される出力信号SOUTによって駆動される被駆動回路である。負荷6としては、例えばスピーカやヘッドホン等が該当する。このとき、入力信号SINは音声入力信号である。また、負荷6には、スピーカやヘッドホン等を駆動するバッファ回路等も該当する。
図2は、図1に示したチャージ・ポンプ回路4の構成をより詳細に示した回路図である。図2に示したチャージ・ポンプ回路4は、キャパシタ201a〜201cと、スイッチング素子202a〜202kとを含んで構成される。また、図2中にVDDを付して示した端子は入力電圧VDDと接続されている端子である。VCCを付して示した端子は正の出力電圧VCCと接続されている端子であり、VEEを付して示した端子は負の出力電圧VEEと接続されている端子である。
The load 6 is a driven circuit that is driven by the output signal SOUT output from the amplifier circuit 5. As the load 6, for example, a speaker, a headphone, or the like is applicable. At this time, the input signal SIN is an audio input signal. Further, the load 6 corresponds to a buffer circuit for driving a speaker, headphones, or the like.
FIG. 2 is a circuit diagram showing in more detail the configuration of the
本実施形態では、入力電源と接続されている端子を端子VDD、正の出力電圧を出力する端子を端子VCC、負の出力電圧を出力する端子を端子VEEとして以降の説明をする。また、端子VDDと「接続されている」とは、入力電圧VDDと電気的に接続されていることを意味し、端子VCCと「接続されている」とは、出力電圧VCCと電気的に接続されていることを意味する。さらに、端子VEEと「接続されている」とは、出力電圧VEEと電気的に接続されていることを意味している。 In the present embodiment, the following description will be made assuming that the terminal connected to the input power supply is the terminal VDD, the terminal that outputs the positive output voltage is the terminal VCC, and the terminal that outputs the negative output voltage is the terminal VEE. Further, “connected” to the terminal VDD means that it is electrically connected to the input voltage VDD, and “connected” to the terminal VCC means that it is electrically connected to the output voltage VCC. Means that Furthermore, “connected” to the terminal VEE means that it is electrically connected to the output voltage VEE.
本実施形態では、スイッチング素子202d〜202iをNチャンネル型のMOSトランジスタによって構成しているが、本実施形態はNチャンネル型のMOSトランジスタによってスイッチング素子202d〜202iを構成することに限定されるものでなく、Pチャンネル型のMOSトランジスタを使ってスイッチング素子202d〜202iを構成することも可能である。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、スイッチング素子202a〜202c、202j、202kをPチャンネル型のMOSトランジスタによって構成している。しかし、本実施形態はPチャンネル型のMOSトランジスタによってスイッチング素子202a〜202c、202j、202kを構成することに限定されるものでなく、Nチャンネル型のMOSトランジスタを使ってスイッチング素子202a〜202c、202j、202kを構成することも可能である。
In the present embodiment, the
キャパシタ201aの正極側の端子はスイッチング素子202a、スイッチング素子202eのドレイン端子にそれぞれ電気的に接続され、スイッチング素子202aのソース端子は端子VDDに接続され、スイッチング素子202eのソース端子はグランドGNDに電気的に接続されている。
また、キャパシタ201aの負極側の端子は、スイッチング素子202bのソース端子とスイッチング素子202f及びスイッチング素子202iのドレイン端子にそれぞれ電気的に接続され、スイッチング素子202bのドレイン端子は端子VCCに接続されている。スイッチング素子202fのソース端子は端子VEEに接続され、スイッチング素子202iのソース端子はグランドGNDに電気的に接続されている。
The positive terminal of the
Further, the negative terminal of the
キャパシタ201bの正極側の端子は、スイッチング素子202c、202g、202jのドレイン端子にそれぞれ電気的に接続されている。スイッチング素子202cのソース端子は端子VCCに接続され、スイッチング素子202gのソース端子はグランドGNDに電気的に接続され、スイッチング素子202jのソース端子は端子VDDに接続されている。
The positive terminal of the
キャパシタ201bの負極側の端子は、スイッチング素子202d、202hのドレイン端子にそれぞれ電気的に接続され、スイッチング素子202dのソース端子はグランドGNDに電気的に接続され、スイッチング素子202hのソース端子は端子VEEに接続されている。
キャパシタ201cの正極側の端子は、グランドGNDに電気的に接続され、負極側の端子は、端子VEEに接続されている。スイッチング素子202kのソース端子は端子VDDに接続され、そのドレイン端子は端子VCCに接続されている。なお、グランドGNDの電位はグランド電位(0[V])に保たれている。
The negative electrode side terminal of the
The positive terminal of the
図3(a)は、図1に示したモード検出回路7の構成をより具体的に説明するための図である。モード検出回路7は、減算回路701a、701b、コンパレータ回路702a、702b、OR回路703を備えている。そして、減算回路701aで正の出力電圧VCCとアンプ回路5の出力信号SOUTの差分電圧を検出する。また、減算回路701bで出力信号SOUTと負の出力電圧VEEの差分電圧を検出する。さらに、コンパレータ回路702a、702bを用いてそれぞれの差分電圧を予め設定されている参照電圧と比較する。
FIG. 3A is a diagram for more specifically explaining the configuration of the
OR回路703は、コンパレータ回路702a、702bによって検出された2つの比較結果を演算し、どちらかの差分電圧が所定の参照電圧を下回ったときにモード判定信号Mをlowからhighに切り替える。モード検出回路7における負の出力電圧VEE、正の出力電圧VCCとアンプ回路5からの出力信号SOUTとの関係を、図3(b)に示す。図3(b)に示した例では、負の出力電圧VEE、正の出力電圧VCCと出力信号SOUTの差分電圧を参照電圧と比較しているが、出力信号SOUTの電圧を直接参照電圧と比較することも可能である。
The OR
図4(a)は、出力信号SOUTの電圧を直接参照電圧と比較する場合のモード検出回路7の構成をより具体的に示す図である。図4(a)に示したモード検出回路7は、減算回路801a、801b、コンパレータ回路802a、802b、OR回路803を備えている。そして、減算回路801aでグランド電圧GNDとアンプ回路5の出力信号SOUTの差分電圧を検出する。また、減算回路801bで出力信号SOUTとグランド電圧GNDの差分電圧を検出する。さらに、コンパレータ回路802a、802bを用いてそれぞれの差分電圧を予め設定されている参照電圧と比較する。
FIG. 4A is a diagram more specifically showing the configuration of the
OR回路803は、コンパレータ回路802a、802bによって検出された2つの比較結果を演算し、どちらかの差分電圧が所定の参照電圧を上回ったときにモード判定信号Mをlowからhighに切り替える。モード検出回路7におけるグランド電圧GNDとアンプ回路5からの出力信号SOUTとの関係を、図4(b)に示す。
以上説明した負荷駆動システム1では、モード検出回路7が、正の出力電圧VCC、負の出力電圧VEE、出力信号SOUTを検出し、出力信号SOUTの振幅が小さく、モード1で問題なく動作可能な範囲ではチャージ・ポンプ回路4をモード1で動作させる。一方、出力信号SOUTの振幅が大きく、モード1で動作させると出力信号SOUTがクリップする等の不具合が生じる範囲ではチャージ・ポンプ回路4をモード2で動作させる。
The OR
In the
このような動作により、本実施形態のチャージ・ポンプ回路4は、出力信号SOUTの状態に応じてモード1とモード2とを自動で切り替えることができる。このことから、チャージ・ポンプ回路4で発生する正の出力電圧VCC及び負の出力電圧VEEは、出力信号SOUTを問題なく出力できるように、図5のように適時変化するようになる。
図6は、出力信号SOUTの大きさと負荷駆動システムが消費する電流IDDとの関係を、上記したモード1、モード2とで比較して示す図である。被駆動回路(アンプ回路5)は、モード1ではVDDの電圧幅で動作するのに対し、モード2では2VDDの電圧幅で動作する。このため、モード1ではモード2での消費電流の半分しか消費しないことになる。これは、モード1ではVDD×Iの入力電力を1/2VDD×2Iの電力に変換することで、入力電流Iから2Iの出力電流を引き出せることによって説明される。
With such an operation, the
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the magnitude of the output signal SOUT and the current IDD consumed by the load driving system in the
つまり、モード1は、負荷駆動システムの消費電力をモード2に対して半減することが可能となる。このため、本実施形態では、モード1で問題なく動作可能な範囲では、できるだけモード1で動作させることにより、負荷駆動システムの消費電力を削減することが可能となる。
図7(a)は、図1に示した負電圧検出回路9の構成をより具体的に説明するための図である。負電圧検出回路9は、コンパレータ回路1601を備えており、負の出力電圧VEEを予め設定されている参照電圧VEEtと比較する。負電圧検出回路9におけるグランド電圧GND、負の出力電圧VEE、参照電圧VEEt間の関係を、図7(b)に示す。図7(b)に示した例では、出力電圧VEEが時間と共に上昇しているが、出力電圧VEEが参照電圧VEEtを越えると、負電圧検出回路9の出力である負電圧判定信号がlowとなる。負電圧判定信号lowの出力により、チャージ・ポンプ回路4は、モード1に遷移する。
また、チャージ・ポンプ回路4は、モード3での動作中、負の出力電圧VEEよりも参照電圧VEEtが低くなる前に出力信号SOUTの振幅が大きくなってモード判定信号Mがhighになった場合、再びモード2に遷移する。
That is,
FIG. 7A is a diagram for more specifically explaining the configuration of the negative
Further, when the
(動作)
次に、本実施形態のチャージ・ポンプ回路4の動作を、モード1と、モード2と、モード3とに分けて説明する。
・モード1
図8−1、8−2は、モード1におけるチャージ・ポンプ回路4の動作状態を説明するための図である。図9は、モード1におけるクロック信号CLK1〜4と、チャージ・ポンプ回路に入力されるスイッチ制御信号SW1〜SW11とを示した図である。SW1〜SW11はそれぞれスイッチング素子202a〜202kの制御信号に対応しており、highのときにスイッチがONを、LowのときにスイッチがOFFしていることを表す。図示したように、クロック信号CLK1〜4は全て位相が異なるパルス信号である。
(Operation)
Next, the operation of the
・
FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining the operation state of the
スイッチ制御信号SW1〜SW8のうち、スイッチ制御信号SW1、SW2は同相のパルス信号であり、スイッチ制御信号SW3、SW4は同相のパルス信号である。また、スイッチ制御信号SW5、SW6は同相のパルス信号であり、スイッチ制御信号SW7、SW8は同相のパルス信号である。さらに、スイッチ制御信号SW1、SW2とスイッチ制御信号SW5、SW6は差動対をなし、スイッチ制御信号SW3、SW4とスイッチ制御信号SW7、SW8は差動対をなす。スイッチ制御信号SW9、SW10、SW11は常に一定の値を有する信号であり、全て常にlowである。 Of the switch control signals SW1 to SW8, the switch control signals SW1 and SW2 are in-phase pulse signals, and the switch control signals SW3 and SW4 are in-phase pulse signals. The switch control signals SW5 and SW6 are in-phase pulse signals, and the switch control signals SW7 and SW8 are in-phase pulse signals. Further, the switch control signals SW1 and SW2 and the switch control signals SW5 and SW6 form a differential pair, and the switch control signals SW3 and SW4 and the switch control signals SW7 and SW8 form a differential pair. The switch control signals SW9, SW10, and SW11 are signals that always have a constant value, and are all always low.
図8−1(a)は、クロックCLK1がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示した図であり、図8−1(b)は、クロックCLK2がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示した図である。図8−2(c)は、クロックCLK3がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示した図であり、図8−2(d)は、クロックCLK4がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示した図である。ただし、図8−1、8−2では、スイッチング素子を構成するMOSトランジスタの極性は図3において説明したとおりである。
FIG. 8-1 (a) is a diagram illustrating the on / off states of the
図示したように、クロック発生回路2から出力されるクロック信号CLK1がhighのとき、チャージ・ポンプ回路4において、スイッチング素子202a〜202dがオンされ、スイッチング素子202e〜202kがオフされる。このとき、端子VDD−スイッチング素子202a−キャパシタ201a−スイッチング素子202b−スイッチング素子202c−キャパシタ201b−スイッチング素子202d−GNDのパスが構成されて、直列に接続されたキャパシタ201a、201bが充電される。
As illustrated, when the clock signal CLK1 output from the
また、クロック信号CLK2がhighのとき、チャージ・ポンプ回路4において、スイッチング素子202c〜202fがオンされ、スイッチング素子202a、202b、202g〜202kがオフされる。このとき、GND−スイッチング素子202e−キャパシタ201a−スイッチング素子202f−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成され、キャパシタ201aに蓄積された電荷がキャパシタ201cへと転送される。このとき、出力電圧VCCの電圧はキャパシタ201bによって保持される。
When the clock signal CLK2 is high, in the
クロック信号CLK3がhighのとき、チャージ・ポンプ回路4においては、スイッチング素子202a〜202dがオンされ、スイッチング素子202e〜202kがオフされる。このとき、クロック信号CLK1がhighの場合と同様に、端子VDD−スイッチング素子202a−キャパシタ201a−スイッチング素子202b−スイッチング素子202c−キャパシタ201b−スイッチング素子202d−GNDのパスが構成され、キャパシタ201a、201bが充電される。
When the clock signal CLK3 is high, in the
クロック信号CLK4がhighのとき、チャージ・ポンプ回路4において、スイッチング素子202a、202b、202g、202hがオンされ、スイッチング素子202c〜202f、スイッチング素子202i〜202kがオフされる。このとき、GND−スイッチング素子202g−キャパシタ201b−スイッチング素子202h−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成され、キャパシタ201bに蓄積された電荷がキャパシタ201cへと転送される。このとき、出力電圧VCCの電圧はキャパシタ201aによって保持される。
When the clock signal CLK4 is high, in the
なお、以上の説明において、スイッチング素子202b、202d、202f、202h、202iは、負電圧領域でパスをオン、オフするために適切にレベルシフトされて用いられる。
上記した4状態の切り替えを、クロック信号CLK1〜CLK4の切り替えタイミングに応じて繰り返し、継続して行うことにより、本実施形態は、グランド端子GNDと端子VCCとの間に、入力電圧VDDと同じ極性であって、かつ値が入力電圧VDDの略半分の電圧と同じレベルの電圧を出力する電源を発生させることができる。また、グランド端子GNDと端子VEEとの間に、入力電圧VDDと極性が反対であって、かつ値が入力電圧VDDの略半分の電圧を出力する電源を発生させることができる。
In the above description, the switching
By repeating the switching of the four states described above according to the switching timing of the clock signals CLK1 to CLK4, and continuously performing this, the present embodiment has the same polarity as the input voltage VDD between the ground terminal GND and the terminal VCC. In addition, it is possible to generate a power supply that outputs a voltage whose value is substantially the same level as the voltage that is approximately half the input voltage VDD. In addition, a power supply can be generated between the ground terminal GND and the terminal VEE, which is opposite in polarity to the input voltage VDD and outputs a voltage whose value is approximately half of the input voltage VDD.
・モード2
次に、本実施形態のチャージ・ポンプ回路で行われるモード2の動作を説明する。
図10は、モード2におけるチャージ・ポンプ回路4の動作状態を説明するための図である。図10(a)はクロック信号CLK1またはクロック信号CLK3がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示している。図10(b)はクロック信号CLK2またはクロック信号CLK4がhighのときのスイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示している。図10では、スイッチング素子を構成するMOSトランジスタの極性は図3において説明したとおりである。
・
Next, the operation of
FIG. 10 is a diagram for explaining the operating state of the
図11は、モード2におけるクロック信号CLK1〜CLK4と、チャージ・ポンプ回路4に入力されるスイッチ制御信号SW1〜SW11と、を示した図である。SW1〜SW11はそれぞれスイッチング素子202a〜202kの制御信号に対応しており、highのときにスイッチがONを、lowのときにスイッチがOFFしていることを表す。図11に示したクロック信号CLK1〜CLK4は、図9に示したクロック信号CLK1〜CLK4と同じである。ただし、モード2では、スイッチ制御回路3がクロックCLK1〜CLK4に基づいて出力するスイッチ制御信号SW1〜SW11がモード1と相違する。
FIG. 11 is a diagram showing clock signals CLK1 to CLK4 in
つまり、モード2のスイッチ制御信号SW1〜SW11のうち、スイッチ制御信号SW4〜SW6、スイッチ制御信号SW10は同位相の信号であり、スイッチ制御信号SW1、スイッチ制御信号7〜9は同位相の信号である。そして、スイッチ制御信号SW4〜SW6、SW10と、スイッチ制御信号SW1、スイッチ制御信号SW7〜SW9とは差動対をなす。スイッチ制御信号SW2、SW3、SW11は全て一定の値を有する信号であり、SW2とSW3は常にlow、SW11は常にhighである。
That is, among the switch control signals SW1 to SW11 in
このようなモード2では、クロック信号CLK1またはCLK3がhighのとき、スイッチング素子202a、スイッチング素子202g〜202i、スイッチング素子202kがオンされ、スイッチング素子202b〜202f、スイッチング素子202jがオフされる。
また、クロック信号CLK2またはCLK4がhighのとき、スイッチング素子202d〜202f、スイッチング素子202j、202kがオンされ、スイッチング素子202a〜202c、202g〜202iがオフされる。ただし、スイッチング素子202b、202d、202f、202h、202iは負電圧領域でパスをオン、オフするために適切にレベルシフトされて用いられる。
In
When the clock signal CLK2 or CLK4 is high, the
モード2のチャージ・ポンプ回路は、スイッチング素子202a、スイッチング素子202g〜202iがオンのとき、端子VDD−スイッチング素子202a−キャパシタ201a−スイッチング素子202i−GNDのパスが構成される。このとき、キャパシタ201aが充電される。
また、スイッチング素子202a、スイッチング素子202g〜202iがオンのとき、GND−スイッチング素子202g−キャパシタ201b−スイッチング素子202h−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成される。このとき、キャパシタ201bに蓄積された電荷がキャパシタ201cへと転送される。
In the
When the
また、スイッチング素子202d〜202f、スイッチング素子202jがオンのとき、端子VDD−スイッチング素子202j−キャパシタ201b−スイッチング素子202d−GNDのパスが構成されてキャパシタ201bが充電される。さらに、スイッチング素子202d〜202f、スイッチング素子202jがオンのとき、GND−スイッチング素子202e−キャパシタ201a−スイッチング素子202f−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成される。このとき、キャパシタ201aに蓄積された電荷はキャパシタ201cへと転送される。
When the
また、スイッチング素子202kは常にオンしており、端子VDD−スイッチング素子202k−端子VCCのパスが構成され、端子VCCは端子VDDと略同電位となる。
モード2では、以上の2状態を、クロック信号CLK1〜CLK4の切り替えタイミングに応じて繰り返し、継続して行うことによってグランド端子GNDと端子VCCとの間に、入力電圧VDDと同じ極性であって、かつ値が入力電圧VDDと略同じレベルの電圧を出力する電源を発生させることができる。また、グランド端子GNDと端子VEEとの間に、入力電圧VDDと極性が反対であって、かつ値が入力電圧VDDと略同じレベルの電圧を出力する電源を発生させることができる。このとき、キャパシタ201aとキャパシタ201bとが相補的に動作することで、本実施形態は、図16に示した従来技術のチャージ・ポンプ回路に比べて電流供給能力が大きいチャージ・ポンプ回路4を提供することができる。
Further, the switching
In
また、上記したモード1とモード2において各状態が順次繰り返されることにより、本実施形態のチャージ・ポンプ回路4には、出力電圧VCC、VEEが発生する。特にモード1における出力電圧VCC、VEEとモード2における出力電圧VEEは上昇と下降がバランスする電圧領域で微小な上下を繰り返す。しかし、発生した出力電圧VCC、VEEの微小な上下は、チャージ・ポンプ回路4が適切な容量値のキャパシタ201a〜201cを備えることによって吸収することができる。
Further, by sequentially repeating each state in the above-described
なお、キャパシタ201a〜201cの適切な容量値はチャージ・ポンプ回路4によって駆動される負荷6の大きさ等に依存して決まり、一般に、0.01[μF]〜100[μF]、好ましくは0.1[μF]〜10[μF]、より好ましくは略1[μF]となる。
図1に示したアンプ回路5は、チャージ・ポンプ回路4で生成されると共に供給される正の出力電圧VCCと負の出力電圧VEEとによって駆動される。駆動により、アンプ回路5は、入力信号SINを、レベル調整電圧Vrを中心に反転増幅し、グランド電圧(0[V])中心の出力信号SOUTを出力する。この構成によって、出力信号SOUTをグランド電圧の上下の電圧範囲にわたって出力し、負荷6を十分に駆動できるものとなる。
Appropriate capacitance values of the
The amplifier circuit 5 shown in FIG. 1 is driven by a positive output voltage VCC and a negative output voltage VEE generated and supplied by the
・モード3
上記したように、負荷駆動システムをモード1とモード2だけで動作させると、モード2からモード1へ遷移した直後、正の出力電圧VCCが低くなり、被駆動回路が正常に動作しない場合がある。さらに、モード2からモード1へ遷移した直後、入力電圧VDD側に向かって電流が逆流する場合がある。これは、モード1ではキャパシタ201a〜201cの各電圧が入力電圧VDDの略半分になるが、モード2ではキャパシタ201a〜201cの各電圧が入力電圧VDDと略等しくなるために起こる現象である。
・ Mode 3
As described above, when the load driving system is operated only in the
例えば、モード2からモード1へ遷移した直後に、キャパシタ201a〜201cの各電圧が入力電圧VDDと略等しいままモード1の動作をさせたとする。この場合、図8−2(d)に示したように、クロックCLK4がhighのとき、正の出力電圧VCCは略0Vとなり、被駆動回路の正の電源電圧が確保できず、正常な動作ができない恐れがある。
また、図8−1(a)と図8−2(c)に示すように、クロックCLK1またはクロックCLK3がhighのとき、キャパシタ201aとキャパシタ201bが入力電圧VDDとグランドGND間に直列に接続されることで、2つのキャパシタの合計電圧は入力電圧VDDの2倍と略等しい値になる。このとき、合計電圧が入力電圧VDDを越えることから、入力電圧VDDに電流の逆流が起こる恐れがある。
For example, immediately after the transition from
Further, as shown in FIGS. 8-1 (a) and 8-2 (c), when the clock CLK1 or the clock CLK3 is high, the
一般的に、入力電圧VDDを生成する電源回路(DC/DCコンバータなど)は、電流を外部に供給するように設計されているため、電流を引き込むことには適していない。このため、出力電圧を供給する回路は、大きい電流を引き込む場合に異常発熱して破損する可能性がある。このような現象は、モード2からモード1への遷移においてのみ懸念され、モード1からモード2への遷移においては問題となることはない。
Generally, a power supply circuit (such as a DC / DC converter) that generates an input voltage VDD is designed to supply current to the outside, and is not suitable for drawing current. For this reason, the circuit that supplies the output voltage may be damaged due to abnormal heat generation when a large current is drawn. Such a phenomenon is concerned only at the transition from
モード3は、上記した懸念点を防ぐため、モード2からモード1へ遷移する場合の中間のモードとなる。モード3では、図3に示したキャパシタ201a〜201cを放電させることで、各キャパシタの電圧を、入力電圧VDDと略等しい状態から減少させることができる。また、モード3では、各キャパシタの電圧が入力電圧VDDの半分と略等しい状態になったことを検知した後にモード1に遷移させることで、チャージ・ポンプ回路4を正常にモード1で動作させることができ、上記のような懸念点を防ぐことが可能となる。
Mode 3 is an intermediate mode when transitioning from
図12(a)、(b)は、モード3における負荷駆動システムの動作を説明するための図である。図12(a)は、モード1、モード2、モード3の遷移状態を説明するための図である。図12(b)は、モード判定信号Mと負電圧判定信号の関係を示した表である。図12(b)に示した表から分かるように、モード判定信号Mがhighのときは、負電圧判定信号によらず負荷駆動システムの動作モードはモード2となる。モード判定信号Mがlowであって、かつ、負電圧判定信号がlowのときに負荷駆動システムの動作モードがモード1となり、モード判定信号Mがlowであって、かつ、負電圧判定信号がhighのとき、動作モードがモード3となる。
12A and 12B are diagrams for explaining the operation of the load driving system in mode 3. FIG. FIG. 12A is a diagram for explaining the transition states of
モード1からモード2への遷移は、図12(a)に示した遷移aのみによって起こるが、モード2からモード1への遷移は、遷移cと遷移dの二段階によって起こる。このため、モード2からモード1への遷移は、モード3を経由して起こることになる。つまり、モード2において、出力信号SOUTの振幅が小さくなってモード判定信号Mがhighからlowになると、図12(a)の遷移cのように、チャージ・ポンプ回路4は、中間のモードとしてモード3に遷移する。その後、負の出力電圧VEEが参照電圧VEEtよりも高くなって負電圧判定信号がhighからlowになると、遷移dのように、モード1に遷移する。
The transition from
モード2からモード3に遷移する直前のモード2において、チャージ・ポンプ回路4は、クロック信号CLK1〜CLK4のうちのどのクロック信号によって生じる状態でも、問題なく動作することができる。また、モード3からモード1に遷移した直後のモード1において、チャージ・ポンプ回路4は、クロック信号CLK1〜CLK4のうちのどのクロック信号によって生じる状態でも、問題なく動作することができる。
In the
図13は、図12に示したモードの遷移の際の、正の出力電圧VCC、負の出力電圧VEE、出力信号SOUTの時間変化を説明するための図である。図13から明らかなように、モード3における正の出力電圧VCCは入力電圧VDDと略同じであるが、出力電圧VEEは時間の経過と共に上昇する。これは、被駆動回路から負電源側に流れ込む電流によるものであり、この電流の大きさによって出力電圧VEEが上昇するスピードは変化する。つまり、負電源側に流れ込む電流が大きければ出力電圧VEEの上昇は速くなり、負電源側に流れ込む電流が小さければ出力電圧VEEの上昇は遅くなる。 FIG. 13 is a diagram for explaining temporal changes in the positive output voltage VCC, the negative output voltage VEE, and the output signal SOUT at the time of the mode transition shown in FIG. As is apparent from FIG. 13, the positive output voltage VCC in mode 3 is substantially the same as the input voltage VDD, but the output voltage VEE increases with time. This is due to the current flowing from the driven circuit to the negative power supply side, and the speed at which the output voltage VEE rises varies depending on the magnitude of this current. That is, if the current flowing into the negative power supply side is large, the output voltage VEE increases rapidly, and if the current flowing into the negative power supply side is small, the output voltage VEE increases slowly.
図14は、モード3におけるチャージ・ポンプ回路4の動作状態を説明するための図である。図14は、スイッチング素子202a〜202kのオン、オフの状態を示している。図14中に示したスイッチング素子を構成するMOSトランジスタの極性は、図2において説明したとおりである。モード3では、図14から明らかなように、キャパシタ201aとキャパシタ201cとが並列になっていて、キャパシタ201bとキャパシタ201cとが並列になっている。
FIG. 14 is a diagram for explaining the operating state of
図15は、モード3におけるクロック信号CLK1〜4と、チャージ・ポンプ回路に入力されるスイッチ制御信号SW1〜SW11とを示した図である。SW1〜SW11は、それぞれスイッチング素子202a〜202kの制御信号に対応しており、highのときにスイッチがONを、lowのときにスイッチがOFFしていることを表す。
図15に示したクロック信号CLK1〜CLK4は、図9に示したクロック信号CLK1〜CLK4と同じである。ただし、モード3では、スイッチ制御回路3がクロック信号CLK1〜CLK4に基づいて出力するスイッチ制御信号SW1〜SW11がクロック信号CLK1〜4には依存せず固定である。このような点で、モード3は、モード1、モード2と相違する。つまり、モード3において、スイッチ制御信号SW1〜SW11は、全て一定の値を有する信号である。具体的には、SW1、SW2、SW3、SW4、SW9、SW10は常にlow、SW5、SW6、SW7、SW8、SW11は常にhighである。
FIG. 15 is a diagram showing clock signals CLK1 to CLK4 in mode 3 and switch control signals SW1 to SW11 input to the charge pump circuit. SW1 to SW11 correspond to the control signals of the
The clock signals CLK1 to CLK4 shown in FIG. 15 are the same as the clock signals CLK1 to CLK4 shown in FIG. However, in mode 3, the switch control signals SW1 to SW11 output from the switch control circuit 3 based on the clock signals CLK1 to CLK4 are fixed without depending on the clock signals CLK1 to CLK4. In this respect, mode 3 is different from
このようなモード3では、クロック信号CLK1〜CLK4によらず、スイッチング素子202e〜202h、スイッチング素子202kがオンされ、スイッチング素子202a〜202d、スイッチング素子202i〜202jがオフされる。ただし、スイッチング素子202b、202d、202f、202h、202iは負電圧領域でパスをオン、オフするために適切にレベルシフトされて用いられる。
In such mode 3, regardless of the clock signals CLK1 to CLK4, the
モード3では、チャージ・ポンプ回路のスイッチング素子202e〜202hが常にオンすることから、GND−スイッチング素子202e−キャパシタ201a−スイッチング素子202f−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成されると同時に、GND−スイッチング素子202g−キャパシタ201b−スイッチング素子202h−キャパシタ201c−GNDの閉ループが構成される。このとき、キャパシタ201aに蓄積された電荷がキャパシタ201cへと転送されると同時に、キャパシタ201bに蓄積された電荷がキャパシタ201cへと転送され、キャパシタ201a〜201cの電圧は略等しくなる。
In mode 3, since the
また、スイッチング素子202kは常にオンしており、端子VDD−スイッチング素子202k−端子VCCのパスが構成され、端子VCCは端子VDDと略同電位となる。
モード3では、以上の状態を、クロック信号CLK1〜CLK4によらず維持することによってグランド端子GNDと端子VCCとの間に、入力電圧VDDと同じ極性であって、かつ値が入力電圧VDDと略同じレベルの電圧を出力する電源を発生させることができる。また、グランド端子GNDと端子VEEとの間に、入力電圧VDDと極性が反対であって、かつ値が入力電圧VDDと略同じレベルの電圧を出力する電源を発生させることができる。
Further, the switching
In mode 3, the above state is maintained regardless of the clock signals CLK1 to CLK4, so that the same polarity as that of the input voltage VDD is present between the ground terminal GND and the terminal VCC, and the value is substantially the same as the input voltage VDD. A power supply that outputs the same level of voltage can be generated. Further, it is possible to generate a power supply that outputs a voltage having a polarity opposite to that of the input voltage VDD and having a value substantially equal to the input voltage VDD between the ground terminal GND and the terminal VEE.
このとき、被駆動回路からの電流が負の出力電圧VEEを供給する電源に流れ込むことによって、各キャパシタの電圧は時間の経過と共に減少し、負の出力電圧VEEが上昇する。負の出力電圧VEEの絶対値で考えると、時間の経過と共に負の出力電圧VEEの絶対値が入力電圧VDDと略等しい状態から減少する方向に変化する。このとき、負電圧検出回路を用いて、負の出力電圧VEEがある参照電圧VEEtを越えるのを検知することで、参照電圧VEEtを越えたところでモード1に遷移させることができる。この参照電圧は、−1/2VDDにすることが好ましいが、他の電圧でも問題なく動作させることができる。
At this time, the current from the driven circuit flows into the power supply that supplies the negative output voltage VEE, so that the voltage of each capacitor decreases with time and the negative output voltage VEE increases. Considering the absolute value of the negative output voltage VEE, the absolute value of the negative output voltage VEE changes from a state substantially equal to the input voltage VDD with a lapse of time. At this time, by using the negative voltage detection circuit to detect that the negative output voltage VEE exceeds a certain reference voltage VEEt, it is possible to shift to
また、モード3において、再びモード2に遷移したとき、遷移した直後のモード2の状態は、クロック信号CLK1〜CLK4のうちのどの状態でも問題なく動作することができる。
また、上記実施形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、上記の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。また、上記の説明で用いる図面は、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺は実際のものとは異なる模式図である。
Further, when the mode 3 is changed again to the
The above embodiments are preferable specific examples of the present invention, and various technically preferable limitations are given. However, the scope of the present invention is described in particular in the above description to limit the present invention. As long as there is no, it is not restricted to these forms. In the drawings used in the above description, for convenience of illustration, the vertical and horizontal scales of members or parts are schematic views different from actual ones.
また、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
本発明は、被駆動回路を駆動して負荷に電力を供給するチャージ・ポンプ回路であって、消費電力の削減が望まれる構成に係るものであれば、どのようなチャージ・ポンプ回路及び、それを駆動するための半導体集積回路にも適用することができる。 The present invention relates to a charge pump circuit that drives a driven circuit and supplies power to a load, and any charge pump circuit, and any charge pump circuit, as long as it relates to a configuration in which power consumption is desired to be reduced. The present invention can also be applied to a semiconductor integrated circuit for driving.
1 負荷駆動システム
2 クロック発生回路
3 スイッチ制御回路
4 チャージ・ポンプ回路
5 アンプ回路
6 負荷
7 モード検出回路
9 負電圧検出回路
171〜174 スイッチング素子
201a〜201c キャパシタ
202a〜202k スイッチング素子
701a、701b、801a、801b 減算回路
702a,702b, 802a,802b, 1601 コンパレータ回路
703,803 OR回路
DESCRIPTION OF
Claims (5)
第1キャパシタと、
前記第1キャパシタに直列に接続され得る第2キャパシタと、
前記負出力電源から供給された電荷が保持される第3キャパシタと、
前記第1キャパシタ、前記第2キャパシタ、前記第3キャパシタを電気的に接続または分離するスイッチング回路と、を含み、
前記スイッチング回路は、前記第1キャパシタの正極側端子に、グランド端子を接続する第1スイッチング素子と、前記第1キャパシタの負極側端子に、前記負出力電源を接続する第2スイッチング素子と、前記第2キャパシタの正極側端子に、グランド端子を接続する第3スイッチング素子と、前記第2キャパシタの負極側端子に、前記負出力電源を接続する第4スイッチング素子と、を含み、
前記入力電源によって供給された電荷を前記第1キャパシタに蓄積すると共に、前記第2キャパシタに蓄積された電荷を前記負出力電源に転送する第1の状態と、前記入力電源によって供給された電荷を前記第2キャパシタに蓄積すると共に、前記第1キャパシタに蓄積された電荷を前記負出力電源に転送する第2の状態と、を繰返し形成する第1のモードから、
前記入力電源から供給された電荷が前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタに蓄積される第3の状態と、前記第3の状態において前記第1キャパシタに蓄積された電荷が前記負出力電源に転送されると共に、前記第2キャパシタに蓄積された電荷が前記正出力電源に転送される第4の状態と、前記入力電源から供給された電荷が前記第1キャパシタ及び前記第2キャパシタに蓄積される第5の状態と、前記第5の状態において前記第2キャパシタに蓄積された電荷が前記負出力電源に転送されると共に、前記第1キャパシタに蓄積された電荷が前記正出力電源に転送される第6の状態と、を繰返し形成する第2のモードに遷移する過程において、
前記第1キャパシタと前記第3キャパシタとを並列に接続し、かつ、前記第2キャパシタを前記第3キャパシタと並列に接続する第3のモードを形成することを特徴とするチャージ・ポンプ回路。 A charge pump circuit that supplies electric charge from an input power source and generates a positive output power source that is a positive output power source and a negative output power source that is a negative output power source,
A first capacitor;
A second capacitor that may be connected in series with the first capacitor;
A third capacitor for holding electric charge supplied from the negative output power source;
A switching circuit that electrically connects or disconnects the first capacitor, the second capacitor, and the third capacitor;
The switching circuit includes: a first switching element that connects a ground terminal to a positive terminal of the first capacitor; a second switching element that connects the negative output power source to a negative terminal of the first capacitor; A third switching element that connects a ground terminal to the positive terminal of the second capacitor; and a fourth switching element that connects the negative output power source to the negative terminal of the second capacitor;
The first state in which the electric charge supplied by the input power source is accumulated in the first capacitor and the electric charge accumulated in the second capacitor is transferred to the negative output power source, and the electric charge supplied by the input power source is From the first mode of repeatedly forming the second state of accumulating in the second capacitor and transferring the electric charge accumulated in the first capacitor to the negative output power source,
Transfer to a third state and said third electric charge accumulated in the first capacitor in the state of the negative output power charge supplied from the input power is accumulated in the first capacitor and the second capacitor while it is the fourth state in which the second charge stored in the capacitor is transferred to the positive output power, the charge supplied from the input power is accumulated in the first capacitor and the second capacitor a fifth state, the conjunction fifth charge accumulated in the second capacitor in the state is transferred to the negative output power, the charges accumulated in the first capacitor is transferred to the positive output power in the process of transition to a second mode for forming repeated with the sixth state, and
A charge pump circuit comprising: a third mode in which the first capacitor and the third capacitor are connected in parallel, and the second capacitor is connected in parallel with the third capacitor.
前記第1キャパシタの正極側端子にグランド端子を接続すると共に、前記第1キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続し、前記第2キャパシタの正極側端子にグランド端子を接続すると共に前記第2キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続し、前記第3キャパシタの正極側端子に前記グランド端子を接続すると共に、前記第3キャパシタの負極側端子に前記負出力電源を接続することを特徴とする請求項1に記載のチャージ・ポンプ回路。 The switching circuit is
A ground terminal is connected to a positive terminal of the first capacitor, a negative output power source is connected to a negative terminal of the first capacitor, a ground terminal is connected to a positive terminal of the second capacitor, and the first terminal Connecting the negative output power source to the negative terminal of the second capacitor, connecting the ground terminal to the positive terminal of the third capacitor, and connecting the negative output power source to the negative terminal of the third capacitor. 2. The charge pump circuit according to claim 1, wherein
前記第1キャパシタ、前記第2キャパシタ、前記第3キャパシタに蓄積されている電荷が平均化され、時間の経過と共に前記負出力電源から供給される電圧の絶対値が、前記入力電源から供給される電圧の絶対値と略等しい状態から、前記入力電源から供給される電圧の絶対値の半分と略等しい状態に変化することを特徴とする請求項1又は2に記載のチャージ・ポンプ回路。 In the third mode,
The electric charges accumulated in the first capacitor, the second capacitor, and the third capacitor are averaged, and the absolute value of the voltage supplied from the negative output power supply is supplied from the input power supply over time. 3. The charge pump circuit according to claim 1, wherein the charge pump circuit changes from a state substantially equal to the absolute value of the voltage to a state substantially equal to half of the absolute value of the voltage supplied from the input power supply.
前記負出力電源から出力される電圧と予め設定されている第2参照電圧とを比較し、比較の結果に基づいて判定信号2を出力する負電圧検出回路と、
を含み、
前記判定信号1と前記判定信号2の組み合わせ結果により、
前記第1のモード、前記第2のモード、前記負出力電源から出力される電圧の絶対値が前記第1のモードにおける絶対値よりも減少する第3モードのいずれかで前記チャージ・ポンプ回路を動作させるように前記スイッチング回路を制御することを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路。 A mode detection circuit that compares the output signal with a preset first reference voltage and outputs a determination signal 1 based on a result of the comparison;
A negative voltage detection circuit that compares a voltage output from the negative output power source with a preset second reference voltage and outputs a determination signal 2 based on a result of the comparison;
Including
According to the combination result of the determination signal 1 and the determination signal 2,
The charge pump circuit in any one of the first mode, the second mode, and a third mode in which an absolute value of a voltage output from the negative output power source is smaller than an absolute value in the first mode. The semiconductor integrated circuit according to claim 4 , wherein the switching circuit is controlled to operate.
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