JP5845606B2 - 電子顕微鏡に用いる絞り装置及びその製造方法 - Google Patents
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図1は、本発明の一実施形態に係る電子顕微鏡に用いる絞り装置の構成を示す概要図である。
Claims (5)
- シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、
前記シリコン酸化膜は、一部の領域において他の部分よりも薄い状態であり、
前記自立薄膜は、前記一部の領域において前記シリコン酸化膜に支持され、前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。 - 前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、厚みが0.1μm以上1.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。
- 前記自立薄膜は、シリコン窒化膜を含み、前記シリコン窒化膜は、前記シリコン酸化膜の一部に支持され、前記シリコン窒化膜と前記シリコン酸化膜の一部の合計の厚みが0.25μm以上5.0μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。
- 前記一部の領域は、円形の領域であることを特徴とする請求項2または3に記載の電子顕微鏡に用いる絞り装置。
- シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、
前記シリコン酸化膜上に、前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有する薄膜を形成し、
前記薄膜上に第1のマスクを形成し、
前記第1のマスクをエッチングマスクとして、前記薄膜及び前記シリコン酸化膜に第1のエッチングを行い、
前記第1のエッチングが行われた前記シリコン基板に第2のマスクを形成し、
前記第2のマスクをエッチングマスクとして前記シリコン基板を厚さ方向にエッチングする第2のエッチングを行い、
前記シリコン酸化膜の一部をハーフエッチングすることで、他の部分よりも薄い状態の前記シリコン酸化膜に支持された自立薄膜を形成する
ことを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置の製造方法。
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