JP5814498B2 - High frequency module - Google Patents
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Description
本発明は、携帯電話などの無線端末のフロントエンド部に用いられる高周波モジュールに係り、特に、高周波モジュールの出力側のクロストークおよびディファレンシャル特性を改善した高周波モジュールに関する。 The present invention relates to a high-frequency module used in a front end portion of a wireless terminal such as a mobile phone, and more particularly to a high-frequency module with improved crosstalk and differential characteristics on the output side of the high-frequency module.
携帯電話などの無線端末では現在多数の無線通信方式が用いられている。最近では、下記特許文献１に記載されているように、１つの無線端末で複数の無線通信方式に対応できるマルチモード、マルチバンド対応の無線端末の開発が盛んに行なわれるようになった。マルチモード、マルチバンド対応の無線端末では、そのフロントエンド部分においてＲＦスイッチ（高周波信号の経路を切り替えるためのスイッチ）およびＲＦフィルタ（高周波信号の通過帯域を選択するためのフィルタ）を組み合わせたフィルタバンクモジュールと称されるモジュールが用いられる。 Many wireless communication systems are currently used in wireless terminals such as mobile phones. Recently, as described in Patent Document 1 described below, development of multi-mode and multi-band compatible wireless terminals capable of supporting a plurality of wireless communication systems with one wireless terminal has been actively conducted. In a multi-mode, multi-band compatible wireless terminal, a filter bank that combines an RF switch (switch for switching a high-frequency signal path) and an RF filter (a filter for selecting a high-frequency signal passband) at the front end portion A module called a module is used.
現在用いられているフィルタバンクモジュールは、各無線通信方式に対応するＲＦフィルタを複数並べ、アンテナポートとＲＦフィルタとの間に切り替えスイッチを設けて無線通信方式ごとにその切り替えスイッチを切り替えるようになっている。
従来のフィルタバンクモジュールでは、ＲＦフィルタからの出力をそのままＲＦトランシーバＩＣのような後段の回路に接続している。しかし、次世代のチップセットでは、世界各国の複数の規格の周波数に対応でき、かつ小型化を図るため、ＲＦフィルタからの出力をそのまま後段の回路に接続するのではなく、ＲＦフィルタと後段の回路との間に切り替えスイッチを設ける。つまり、フィルタバンクモジュールの出力側に切り替えスイッチを設け、複数の周波数バンドに対応できるような構成が必要とされている。 In the conventional filter bank module, the output from the RF filter is directly connected to a subsequent circuit such as an RF transceiver IC. However, in the next-generation chipset, in order to cope with the frequencies of multiple standards around the world and to reduce the size, the output from the RF filter is not directly connected to the subsequent circuit, but the RF filter and the subsequent stage are not connected. A changeover switch is provided between the circuit. In other words, a configuration is required in which a changeover switch is provided on the output side of the filter bank module so that it can handle a plurality of frequency bands.
また、ＲＦトランシーバＩＣのＲＦフィルタ側からの入力はディファレンシャル対応になっているため、フィルタバンクモジュールを二つの周波数のディファレンシャル対応とした場合には、図１に示すように、その出力側には４つの切り替えスイッチ（ＴＲＩＮ１＋、ＴＲＩＮ１−、ＴＲＩＮ２＋、ＴＲＩＮ２−）が必要になる。なお、この図では、切り替えスイッチをＦＥＴで構成している。 Also, since the input from the RF filter side of the RF transceiver IC is differential-compatible, when the filter bank module is differential-compatible with two frequencies, as shown in FIG. Two changeover switches (TRIN1 +, TRIN1-, TRIN2 +, TRIN2-) are required. In this figure, the changeover switch is constituted by an FET.
このように、フィルタバンクモジュールを二つの周波数のディファレンシャル対応とした場合、図のように出力端子に至る配線には必ず交差する場所１０Ａ、１０Ｂが存在する。これを図２のように１つの基板上に形成すると、０．１〜２μｍ程度の非常に薄い絶縁膜によって交差する配線間が絶縁されるため、この交差する場所１０Ａ、１０Ｂで交差する配線間にクロストークノイズが発生し高周波特性を劣化させるという問題がある。 As described above, when the filter bank module is differentially compatible with two frequencies, there are places 10A and 10B that always intersect in the wiring to the output terminal as shown in the figure. When this is formed on a single substrate as shown in FIG. 2, the crossing lines are insulated by a very thin insulating film of about 0.1 to 2 μm. In other words, there is a problem that crosstalk noise is generated and high frequency characteristics are deteriorated.
一方、クロストークノイズの発生を回避するために、交差する場所１０Ａ、１０Ｂの部分を、ワイヤーボンディングなど外部からワイヤーを用いて跨ぎ配線を行った場合には、ワイヤーの長さの相違から生じる信号の遅延時間の相違によりディファレンシャル特性が悪化してしまうという問題がある。 On the other hand, in order to avoid the occurrence of crosstalk noise, when crossing portions 10A and 10B where crossing is performed using wires from the outside such as wire bonding, a signal generated due to a difference in wire length There is a problem that the differential characteristics deteriorate due to the difference in the delay time.
本発明は、以上のような従来の技術の問題点を解消するためになされたものであり、高周波モジュールの出力側のクロストークおよびディファレンシャル特性が改善された高周波モジュールの提供を目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module having improved crosstalk and differential characteristics on the output side of the high-frequency module.
上記目的を達成するための本発明に係る高周波モジュールは、複数の入力端子を出力端子に接続する一部分の配線が含まれた第１基板と、前記一部分の配線と隔てて交差され前記入力端子または前記出力端子を接続する配線、および、前記一部分の配線と交差されずに前記入力端子を接続する配線を含み、複数のフィルタ素子が配置される第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを一定の距離隔てて電気的に接続するバンプと、を有し、前記複数のフィルタ素子の出力端子から前記出力端子までの配線の距離は同一であることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a high-frequency module according to the present invention includes a first substrate including a part of wiring that connects a plurality of input terminals to an output terminal, and the input terminal or wiring connecting said output terminal, and the saw including a wiring connecting the input terminal without being intersects the portion of the wiring, and a second substrate having a plurality of filter elements are arranged, and the first substrate second has a bump for electrically connecting the second substrate spaced a predetermined distance, the distance wiring from the output terminal of said plurality of filter elements to said output terminal is characterized by the same.
そして、第１基板は、前記第１基板に配置される配線に接続されるスイッチを含むスイッチ基板であり、前記スイッチは複数の入力端子を出力端子に選択的に接続し、前記複数のフィルタ素子は弾性波フィルタであり、第２基板は、入力した信号とこの信号の位相を１８０°ずらした信号の二つの信号を出力する弾性波フィルタが取り付けられた弾性波フィルタ基板である。 The first substrate is a switch substrate including a switch connected to a wiring disposed on the first substrate, and the switch selectively connects a plurality of input terminals to an output terminal, and the plurality of filter elements Is an acoustic wave filter, and the second substrate is an acoustic wave filter substrate to which an acoustic wave filter that outputs two signals, an input signal and a signal whose phase is shifted by 180 °, is attached.
また、第１基板の配線と第２基板の配線とは、バンプによって１０μｍ〜５０μｍの距離を隔てて接続されている。 Further, the wiring on the first substrate and the wiring on the second substrate are connected by a bump at a distance of 10 μm to 50 μm.
さらに、第１基板と第２基板とがバンプで接続されることによって形成される、複数の入力端子から出力端子までの各々の配線の距離は全て同一の距離である。 Furthermore, the distances of the respective wirings from the plurality of input terminals to the output terminals formed by connecting the first substrate and the second substrate with bumps are the same distance .
本発明によれば、第１基板と第２基板にそれぞれ形成された配線の内互いに交差する配線は別々の基板に形成し、第１基板の配線と第２基板の配線とを一定の距離隔てて電気的に接続しているので、互いに交差する配線間に生じるクロストークノイズを減少させることができる。 According to the present invention, among the wirings formed on the first substrate and the second substrate, wirings that intersect each other are formed on separate substrates, and the wirings on the first substrate and the wirings on the second substrate are separated by a certain distance. Therefore, crosstalk noise generated between wirings that cross each other can be reduced.
また、第２基板に入力端子から出力端子までの距離を同一にする配線を含むので入力端子から出力端子までの信号の伝搬時間を揃えることができ、ディファレンシャル特性を劣化させることがない。 In addition, since the second substrate includes wiring that makes the distance from the input terminal to the output terminal the same, the propagation time of the signal from the input terminal to the output terminal can be made uniform, and the differential characteristics are not deteriorated.
以下に、本発明に係る高周波モジュールを図面に基づいて詳細に説明する。 Below, the high frequency module concerning the present invention is explained in detail based on a drawing.
図３は本発明に係る高周波モジュールの全体構成を概念的に示した図である。 FIG. 3 is a diagram conceptually showing the overall configuration of the high-frequency module according to the present invention.
高周波モジュール１００は、入力部２０と、フィルタ部３０と、出力部４０とで構成される。 The high frequency module 100 includes an input unit 20, a filter unit 30, and an output unit 40.
入力部２０はスイッチ２２を備え、スイッチ２２はたとえばＦＥＴなどの半導体スイッチが用いられる。 The input unit 20 includes a switch 22, and a semiconductor switch such as an FET is used as the switch 22.
フィルタ部３０は二つの弾性波フィルタ３２Ａ、３２Ｂを備え、弾性波フィルタ３２Ａ、３２Ｂはたとえば表面弾性波フィルタが用いられる。弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂとはスイッチ２２によって選択できる。弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂとはそれぞれ異なる周波数特性を有し通過させることができる周波数帯が異なっている。弾性波フィルタ３２Ａ、３２Ｂはそれぞれ二つの出力端子を有している。一方の出力端子と他方の出力端子からは相互に１８０°位相のずれた信号が出力される。したがって、両方の出力端子の信号を合成すると、ノイズ成分が相殺され歪みの少ない信号が得られる。フィルタ部３０はいわゆるディファレンシャル対応になっている。 The filter unit 30 includes two acoustic wave filters 32A and 32B. For example, surface acoustic wave filters are used as the acoustic wave filters 32A and 32B. The elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B can be selected by the switch 22. The elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B have different frequency characteristics and different frequency bands that can be passed. Each of the acoustic wave filters 32A and 32B has two output terminals. One output terminal and the other output terminal output signals that are 180 ° out of phase with each other. Therefore, when signals from both output terminals are combined, a noise component is canceled and a signal with less distortion is obtained. The filter unit 30 is so-called differential compatible.
出力部４０はスイッチ４２Ａ、４２Ｂを備え、スイッチ４２Ａ、４２Ｂも入力部２０と同様たとえばＦＥＴなどの半導体スイッチが用いられる。スイッチ４２Ａ、４２Ｂは、スイッチ２２と同期して動作する。したがって、スイッチ２２が弾性波フィルタ３２Ａ側に切り替わったときにはスイッチ４２Ａ、４２Ｂも弾性波フィルタ３２Ａ側に切り替わり、スイッチ２２が弾性波フィルタ３２Ｂ側に切り替わったときにはスイッチ４２Ａ、４２Ｂも弾性波フィルタ３２Ｂ側に切り替わる。スイッチ４２Ａ、４２Ｂは、弾性波フィルタ３２Ａ、３２Ｂそれぞれから出力される１８０°位相のずれた信号を出力端子に出力する。 The output unit 40 includes switches 42A and 42B, and the switches 42A and 42B are semiconductor switches such as FETs as in the input unit 20. The switches 42A and 42B operate in synchronization with the switch 22. Therefore, when the switch 22 is switched to the elastic wave filter 32A side, the switches 42A and 42B are also switched to the elastic wave filter 32A side, and when the switch 22 is switched to the elastic wave filter 32B side, the switches 42A and 42B are also moved to the elastic wave filter 32B side. Switch. The switches 42A and 42B output, to the output terminals, signals that are output from the elastic wave filters 32A and 32B, respectively, that are 180 ° out of phase.
本発明は特に高周波モジュール１００の出力部４０の配線を工夫して出力端子に出力される信号のクロストークおよびディファレンシャル特性を改善するものである。 The present invention particularly improves the crosstalk and differential characteristics of the signal output to the output terminal by devising the wiring of the output section 40 of the high-frequency module 100.
図４は本発明に係る高周波モジュール１００の具体的な構成を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing a specific configuration of the high-frequency module 100 according to the present invention.
高周波モジュール１００はスイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０とを有する。 The high frequency module 100 includes a switch substrate 50 and an elastic wave filter substrate 60.
スイッチ基板５０はそのアクティブ領域（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ）に図３に示したスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを備えている。スイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂは半導体スイッチである。スイッチ基板５０の表面には図３に示した弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子をスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを介してスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子に接続するための配線の一部分が形成されている。 The switch board 50 includes the switch 42A and the switch 42B shown in FIG. 3 in its active area (Active Area). The switches 42A and 42B are semiconductor switches. A part of the wiring for connecting the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B shown in FIG. 3 to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B through the switch 42A and the switch 42B is provided on the surface of the switch substrate 50. Is formed.
弾性波フィルタ基板６０は弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂを備えている。弾性波フィルタ基板６０の表面には図３に示した弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子をスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを介してスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子に接続するために必要となる、スイッチ基板５０には形成されていない部分の配線が形成される。弾性波フィルタ基板６０に形成される配線はスイッチ基板５０に形成されている配線と交差する部分および弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子からスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子までの距離を等しくするために必用となる部分の配線である。 The elastic wave filter substrate 60 includes an elastic wave filter 32A and an elastic wave filter 32B. The surface of the elastic wave filter substrate 60 is necessary for connecting the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B shown in FIG. 3 to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B via the switch 42A and the switch 42B. In other words, a portion of the wiring not formed on the switch substrate 50 is formed. The wiring formed on the elastic wave filter substrate 60 has a portion intersecting with the wiring formed on the switch substrate 50 and the distance from the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B. It is a wiring of a part necessary for equalization.
スイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０の配線は複数のバンプ７０Ａ〜７０Ｄによって電気的に接続される。スイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０の配線がバンプ７０Ａ〜７０Ｄで接続されると、弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子からスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子までの配線が繋がる。 The wiring of the switch substrate 50 and the elastic wave filter substrate 60 is electrically connected by a plurality of bumps 70A to 70D. When the wirings of the switch substrate 50 and the elastic wave filter substrate 60 are connected by the bumps 70A to 70D, the wirings from the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B are connected.
スイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０との距離はバンプ７０Ａ〜７０Ｄによって１０μｍ〜５０μｍ離れることになる。弾性波フィルタ基板６０の配線はスイッチ基板５０の配線と交差する部分に形成してあるので、交差する配線間のクロストークノイズが軽減される。 The distance between the switch substrate 50 and the acoustic wave filter substrate 60 is 10 μm to 50 μm away by the bumps 70A to 70D. Since the wiring of the elastic wave filter substrate 60 is formed at a portion intersecting with the wiring of the switch substrate 50, crosstalk noise between the intersecting wirings is reduced.
また、弾性波フィルタ基板６０に形成される配線は弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子からスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子までの距離を等しくするために必用となる部分にも形成している。このため、ディファレンシャル対応となっている弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂから出力される信号がスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子まで達する時間が同一になり、信号の位相ズレがなくなる。このため、スイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子において、位相が１８０°ずれた信号を得ることができ、ディファレンシャル特性を劣化させることがない。 Further, the wiring formed on the elastic wave filter substrate 60 is also formed in a portion necessary for equalizing the distances from the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B. ing. For this reason, the time required for the signals output from the differential acoustic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B to reach the output terminals of the switch 42A and the switch 42B is the same, and the phase shift of the signal is eliminated. For this reason, at the output terminals of the switch 42A and the switch 42B, a signal whose phase is shifted by 180 ° can be obtained, and the differential characteristics are not deteriorated.
図５は本発明に係る高周波モジュールの具体的な構成を示す図である。 FIG. 5 is a diagram showing a specific configuration of the high-frequency module according to the present invention.
第１基板であるスイッチ基板５０の表面にはＩＮ１−とＩＮ２−の入力端子が接続されるコ字状の配線５２とＯＵＴ＋の出力端子が接続されるＴ字状の配線５４が形成される。これらの配線は、図３に示した弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子をスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを介してスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子に接続するための配線の一部分である。加えて、スイッチ基板５０の表面にはバンプ７０Ｅ、７０Ｉを接続するためのパッドも形成される。 A U-shaped wiring 52 to which the input terminals IN1- and IN2- are connected and a T-shaped wiring 54 to which the output terminal OUT + is connected are formed on the surface of the switch substrate 50 which is the first substrate. These wirings are a part of wiring for connecting the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B shown in FIG. 3 to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B via the switch 42A and the switch 42B. In addition, pads for connecting the bumps 70E and 70I are also formed on the surface of the switch substrate 50.
コ字状の配線５２およびＴ字状の配線５４の途中にはＩＮ１−とＩＮ１＋をＯＵＴ−とＯＵＴ＋に接続するためのスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを設けている。同様に、ＩＮ２−とＩＮ２＋をＯＵＴ−とＯＵＴ＋に接続するためのスイッチ４２Ｃ、スイッチ４２Ｄを設けている。コ字状の配線５２およびＴ字状の配線５４はスイッチ基板５０のみに形成されているので、スイッチ４２Ａ〜スイッチ４２Ｄもスイッチ基板５０に設けている。 In the middle of the U-shaped wiring 52 and the T-shaped wiring 54, a switch 42A and a switch 42B are provided for connecting IN1- and IN1 + to OUT- and OUT +. Similarly, a switch 42C and a switch 42D are provided for connecting IN2- and IN2 + to OUT- and OUT +. Since the U-shaped wiring 52 and the T-shaped wiring 54 are formed only on the switch board 50, the switches 42 </ b> A to 42 </ b> D are also provided on the switch board 50.
第２基板である弾性波フィルタ基板６０のスイッチ基板５０と対向する面にはバンプ７０Ｅ、７０Ｆ間を接続するＩ字状の配線６２、バンプ７０Ｇ、７０Ｈ間を接続するＩ字状の配線６４、バンプ７０Ｉ、７０Ｊ間を接続するＩ字状の配線６６が形成される。これらの配線は、図３に示した弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子をスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂを介してスイッチ４２Ａ、スイッチ４２Ｂの出力端子に接続するために必要となる、スイッチ基板５０には形成されていない部分の配線である。弾性波フィルタ基板６０に形成される配線はスイッチ基板５０に形成されている配線と交差する部分および弾性波フィルタ３２Ａと弾性波フィルタ３２Ｂの出力端子から出力端子ＯＵＴ−、ＯＵＴ＋までの距離を等しくするために必用となる部分の配線である。 An I-shaped wiring 62 for connecting the bumps 70E and 70F, an I-shaped wiring 64 for connecting the bumps 70G and 70H on the surface of the elastic wave filter substrate 60, which is the second substrate, facing the switch substrate 50, An I-shaped wiring 66 for connecting the bumps 70I and 70J is formed. These wiring lines are necessary for connecting the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B shown in FIG. 3 to the output terminals of the switch 42A and the switch 42B via the switch 42A and the switch 42B. 50 is a portion of the wiring not formed. The wiring formed on the elastic wave filter substrate 60 is made equal to the portion intersecting with the wiring formed on the switch substrate 50 and the distance from the output terminals of the elastic wave filter 32A and the elastic wave filter 32B to the output terminals OUT− and OUT +. Therefore, the wiring is necessary for the purpose.
スイッチ基板５０の表面と弾性波フィルタ基板６０の表面には以上のような配線が施されているため、スイッチ基板５０の表面と弾性波フィルタ基板６０とをバンプ７０Ｅ〜７０Ｊを介して接続すると、配線５４と配線６４および配線５２と配線６６の間隔がバンプの高さ分２０μｍ〜３０μｍだけ離れることになって、配線５４と配線６４との間のクロストークノイズおよび配線５２と配線６６との間のクロストークノイズが、図２に示した配線の構成に比較して減少する。 Since the wiring as described above is applied to the surface of the switch substrate 50 and the surface of the elastic wave filter substrate 60, when the surface of the switch substrate 50 and the elastic wave filter substrate 60 are connected via the bumps 70E to 70J, The distances between the wiring 54 and the wiring 64 and between the wiring 52 and the wiring 66 are separated by the height of the bump by 20 μm to 30 μm. The crosstalk noise is reduced as compared with the wiring configuration shown in FIG.
また、入力端子ＩＮ１＋から出力端子ＯＵＴ＋までの距離と入力端子ＩＮ１−から出力端子ＯＵＴ−までの距離が配線６２とバンプ７０Ｅ、７０Ｆを設けたことによって同じになる。このため、出力端子ＯＵＴ＋、ＯＵＴ−において、位相が１８０°ずれた信号を得ることができ、ディファレンシャル特性を劣化させることがない。 Further, the distance from the input terminal IN1 + to the output terminal OUT + is the same as the distance from the input terminal IN1- to the output terminal OUT- by providing the wiring 62 and the bumps 70E and 70F. For this reason, a signal whose phase is shifted by 180 ° can be obtained at the output terminals OUT + and OUT−, and the differential characteristics are not deteriorated.
図６は図２の構成を採用した場合の信号の減衰量と図５の構成を採用した場合の信号の減衰量を比較した図である。 FIG. 6 is a diagram comparing the signal attenuation when the configuration of FIG. 2 is employed and the signal attenuation when the configuration of FIG. 5 is employed.
本発明（図５）の構成を採用した場合には、図２の構成を採用した場合と比較して通過特性Ｓ２１の通過帯域における挿入損失が５ｄＢ程度改善されている。クロストークノイズの大きさと信号の通過帯域における挿入損失との間には相関があるので、信号の挿入損失が改善されたということはクロストークノイズも減少したということであり、クロストークノイズの大きさが改善されていることは明らかである。 When the configuration of the present invention (FIG. 5) is adopted, the insertion loss in the pass band of the pass characteristic S21 is improved by about 5 dB compared to the case of adopting the configuration of FIG. Since there is a correlation between the magnitude of the crosstalk noise and the insertion loss in the signal passband, the improvement in the signal insertion loss means that the crosstalk noise has also been reduced. It is clear that there is an improvement.
以上、本実施形態によれば、スイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０にそれぞれ形成された配線の内互いに交差する配線は別々の基板に形成し、スイッチ基板５０の配線と弾性波フィルタ基板６０の配線とを一定の距離隔てて電気的に接続しているので、互いに交差する配線間に生じるクロストークノイズを減少させることができる。 As described above, according to the present embodiment, among the wirings formed on the switch substrate 50 and the acoustic wave filter substrate 60, the wirings that intersect each other are formed on separate substrates, and the wiring of the switch substrate 50 and the acoustic wave filter substrate 60 are formed. Since the wiring is electrically connected at a certain distance, crosstalk noise generated between the wirings crossing each other can be reduced.
また、半導体スイッチ基板５０と弾性波フィルタ基板６０に、出力側の半導体スイッチの入力端子ＩＮ１−、ＩＮ１＋、ＩＮ２−、ＩＮ２＋から出力端子ＯＵＴ−、ＯＵＴ＋までの距離を同一にする配線を形成しているので、それぞれの入力端子ＩＮ１−、ＩＮ１＋、ＩＮ２−、ＩＮ２＋からそれぞれの出力端子ＯＵＴ−、ＯＵＴ＋までの信号の伝搬時間を揃えることができ、ディファレンシャル特性を劣化させることがない。 Also, wirings are formed on the semiconductor switch substrate 50 and the acoustic wave filter substrate 60 so that the distances from the input terminals IN1-, IN1 +, IN2-, IN2 + of the output-side semiconductor switch to the output terminals OUT-, OUT + are the same. Therefore, the signal propagation times from the respective input terminals IN1-, IN1 +, IN2-, IN2 + to the respective output terminals OUT-, OUT + can be made uniform, and the differential characteristics are not deteriorated.
以上のように、上記実施形態では、四つの入力端子を二つの出力端子に切り替える構成を例として説明したが、本発明は以上の実施形態に拘わらず、複数の入力端子を複数の出力端子に切り替える構成においても応用することができる。つまり、交差する配線を上下に位置される基板にそれぞれ分けて形成し、また、入力端子と出力端子との間の距離が同一になるように配線するという技術的思想を有する具体例は全て本発明の技術的範囲に含まれる。 As described above, in the above-described embodiment, the configuration in which four input terminals are switched to two output terminals has been described as an example. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and a plurality of input terminals are converted into a plurality of output terminals. The present invention can also be applied in a switching configuration. In other words, all the specific examples having the technical idea of forming the intersecting wirings separately on the substrates positioned above and below and wiring so that the distance between the input terminal and the output terminal are the same are all in this book. It is included in the technical scope of the invention.
本発明は、携帯電話などの無線端末のフロントエンド部に適用することができる。 The present invention can be applied to a front end unit of a wireless terminal such as a mobile phone.
２０ 入力部、
２２ スイッチ、
３０ フィルタ部、
３２Ａ、３２Ｂ 弾性波フィルタ、
４０ 出力部、
４２Ａ〜４２Ｄ スイッチ、
５０ スイッチ基板、
５２、５４、５５、５６ スイッチ基板上配線、
６０ 弾性波フィルタ基板、
６２、６４、６６ 弾性波フィルタ基板上配線、
７０Ａ〜７０Ｊ バンプ、
１００ 高周波モジュール。
20 input section,
22 switches,
30 filter section,
32A, 32B elastic wave filter,
40 output section,
42A-42D switch,
50 switch board,
52, 54, 55, 56 Wiring on switch board,
60 elastic wave filter substrate,
62, 64, 66 Wiring on elastic wave filter substrate,
70A ~ 70J Bump,
100 High frequency module.
Claims (4)
前記一部分の配線と隔てて交差され前記入力端子または前記出力端子を接続する配線、および、前記一部分の配線と交差されずに前記入力端子を接続する配線を含み、複数のフィルタ素子が配置される第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを一定の距離隔てて電気的に接続するバンプと、を有し、
前記複数のフィルタ素子の出力端子から前記出力端子までの配線の距離は同一であることを特徴とする高周波モジュール。 A first substrate including a portion of wiring for connecting a plurality of input terminals to an output terminal;
Wirings are cross separating said portion of the wiring connecting the input terminal and the output terminal, and, seen including a wiring connecting the input terminal without being intersects the portion of wire, a plurality of filter elements are arranged and a second substrate that,
A bump for electrically connecting the first substrate and the second substrate at a predetermined distance;
RF module, wherein the distance wiring to the output terminal from the output terminal of said plurality of filter elements are identical.
前記第１基板に配置される配線に接続されるスイッチを含むスイッチ基板であり、前記スイッチは前記複数の入力端子を前記出力端子に選択的に接続し、
前記複数のフィルタ素子は弾性波フィルタであり、
前記第２基板は、
入力した信号と前記信号の位相を１８０°ずらした信号の二つの信号を出力する前記弾性波フィルタが取り付けられた弾性波フィルタ基板であることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。 The first substrate is
A switch substrate including a switch connected to the wiring disposed on the first substrate, wherein the switch selectively connecting the plurality of input terminals to said output terminal,
The plurality of filter elements are elastic wave filters,
The second substrate is
RF module according to claim 1, wherein the acoustic wave filter for outputting the two signals of the input signal with a phase of 180 ° shifted signal of the signal is an elastic wave filter substrate attached.
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