JP5792546B2 - 導電体パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による導電体パターンの形成方法について図1乃至図3を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による導電体パターンの形成方法について図4及び図5を用いて説明する。図1乃至図3に示す第1実施形態による導電体パターンの形成方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態によるタッチパネル及びその製造方法について図6及び図7を用いて説明する。
本発明の第4実施形態によるタッチパネル及びその製造方法について図8及び図9を用いて説明する。図6及び図7に示す第3実施形態によるタッチパネル及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
12,12H,12L,32,42…金属酸化物膜
14…試料ステージ
16…導電性ペースト
18…探針
20…電源装置
22…高抵抗領域
24,34,44…導電体パターン
50…スペーサ
60…絶縁基板
Claims (5)
- 基体上に、第1の比抵抗を有する金属酸化物膜を形成する工程と、
前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第1の電圧を印加しながら、前記金属酸化物膜の表面を前記電極で走査することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記金属酸化物膜の表面側に、前記第1の比抵抗よりも高い第2の比抵抗を有する高抵抗領域を形成する工程と、
前記金属酸化物膜に電極を接触又は所定の距離まで近づけ、この状態で前記電極と前記金属酸化物膜との間に第2の電圧を印加しながら、前記金属酸化物膜の表面を前記電極で走査することにより、前記金属酸化物膜の比抵抗を局所的に変化させ、前記高抵抗領域の表面側に、前記第2の比抵抗よりも低い第3の比抵抗を有する導電体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする導電体パターンの形成方法。 - 請求項1記載の導電体パターンの形成方法において、
前記電極と前記金属酸化物膜との相対的位置を変化しながら前記第1の電圧又は前記第2の電圧を印加する
ことを特徴とする導電体パターンの形成方法。 - 請求項1又は2記載の導電体パターンの形成方法において、
前記第1の電圧と前記第2の電圧の極性が逆である
ことを特徴とする導電体パターンの形成方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の導電体パターンの形成方法において、
前記基体は、絶縁性材料により形成されている
ことを特徴とする導電体パターンの形成方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の導電体パターンの形成方法において、
前記金属酸化物膜は、ニッケル酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、セリウム酸化物、マグネシウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウム酸化物、スズ酸化物、タングステン酸化物、ニオブ酸化物、クロム酸化物、マンガン酸化物、アルミニウム酸化物、バナジウム酸化物、コバルト酸化物及び銅酸化物を含む群から選択される少なくとも一の酸化物を含む
ことを特徴とする導電体パターンの形成方法。
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