JP5779355B2 - 薄膜ウエハレベルパッケージ - Google Patents
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Description
基板上に犠牲層を形成する工程と、
犠牲層中に、犠牲層により隔てられ、犠牲層の全膜厚を通って形成された少なくとも2つの閉ループのトレンチを形成する工程であって、少なくとも2つのトレンチは、内部トレンチと外部トレンチとを有し、内部トレンチは、内部トレンチ中にチャンバ領域を形成する工程と、
それらの少なくとも2つのトレンチを充填する層を形成して、これによりアンカーフレームを形成し、充填された内部および外部のトレンチがアンカーフレームの内壁と外壁を形成する工程と、
充填されたトレンチ、充填されたトレンチの間の領域、およびチャンバ領域を覆う層を形成して、これにより膜層を形成する工程と、
少なくともチャンバ領域から犠牲層を除去して、これによりアンカーフレームの内壁内に、膜と基板との間のチャンバを形成する工程とを含む。
Claims (16)
- 基板、膜、および膜を支持し膜と基板とを接続するアンカーフレームを含む薄膜ウエハレベルパッケージであって、
アンカーフレームは内壁と外壁とを有し、これにより内壁の内側の、基板と膜との間にチャンバを有し、
アンカーフレームは、少なくとも1つのキャビティまたは少なくとも1つのキャビティのグループを、内壁と外壁との間に含み、キャビティまたはキャビティのグループがチャンバを囲む薄膜ウエハレベルパッケージ。 - アンカーフレームが、少なくとも2つの閉ループの壁を含み、キャビティが、2つの隣り合う閉ループの壁の間の空間により形成される請求項1に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- それらの閉ループの壁が、同軸である請求項2に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- それらの閉ループの壁が、同じ幅を有する請求項2または3に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- キャビティが、碁盤状のキャビティとして形成される請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- 碁盤状のキャビティが、相互接続されている請求項5に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- 膜とアンカーフレームとが、同じ材料から形成される請求項1〜6のいずれかに記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- 材料が、シリコン−ゲルマニウムである請求項7に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- アンカーフレーム中の、少なくとも1つのキャビティまたは少なくとも1つのキャビティのグループが、アンカーフレームの材料とは異なる材料で充填される請求項1〜8のいずれかに記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- アンカーフレームの材料とは異なる材料が、シリコン酸化物である請求項9に記載の薄膜ウエハレベルパッケージ。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の薄膜ウエハレベルパッケージを含むマイクロエレクトロニクスデバイス。
- 薄膜ウエハレベルパッケージが、チャンバ中に含まれるMEMデバイスを封止する請求項11に記載のマイクロエレクトロデバイス。
- 薄膜ウエハレベルパッケージを基板上に作製する方法であって、
基板上に犠牲層を形成する工程と、
犠牲層中に、間隔を隔て、犠牲層の全膜厚を通って、少なくとも2つの閉ループのトレンチを形成する工程であって、少なくとも2つの閉ループのトレンチは内部トレンチと外部トレンチとを含み、内部トレンチはチャンバ領域を内部トレンチ内に形成する工程と、
少なくとも2つのトレンチを充填する層を形成してこれによりアンカーフレームを形成し、充填された内部トレンチと外部トレンチは、アンカーフレームの内壁と外壁を形成する工程と、
充填されたトレンチ、充填されたトレンチの間の領域、およびチャンバ領域を覆う層を形成する工程と、
少なくともチャンバ領域から犠牲層を除去して、これによりアンカーフレームの内壁の中に、膜と基板との間のチャンバを形成する工程と、を含む薄膜ウエハレベルパッケージの製造方法。 - 更に、膜層の形成前に、犠牲層の上および充填されたトレンチの上に、Ti−TiN中間層を形成する工程を含む請求項13に記載の製造方法。
- 少なくとも2つの閉ループトレンチを形成する工程が、それらの閉ループトレンチを接続する複数のトレンチを形成する工程を含む請求項13または14に記載の製造方法。
- 充填層および覆う層が、同時に形成される請求項13〜15のいずれかに記載の製造方法。
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