JP5768348B2 - Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition - Google Patents

Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition Download PDF

Info

Publication number
JP5768348B2
JP5768348B2 JP2010209413A JP2010209413A JP5768348B2 JP 5768348 B2 JP5768348 B2 JP 5768348B2 JP 2010209413 A JP2010209413 A JP 2010209413A JP 2010209413 A JP2010209413 A JP 2010209413A JP 5768348 B2 JP5768348 B2 JP 5768348B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
bond
polymer precursor
groups
base generator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010209413A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011084562A (en
Inventor
麻美 片山
麻美 片山
寛子 天野
寛子 天野
俊治 福田
俊治 福田
恵維 天下井
恵維 天下井
勝哉 坂寄
勝哉 坂寄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2010209413A priority Critical patent/JP5768348B2/en
Publication of JP2011084562A publication Critical patent/JP2011084562A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5768348B2 publication Critical patent/JP5768348B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、加熱により塩基を発生する熱塩基発生剤、及び当該熱塩基発生剤を用いた高分子前駆体組成物、並びに、当該組成物を用いて作製した物品に関するものである。   The present invention relates to a thermal base generator that generates a base by heating, a polymer precursor composition using the thermal base generator, and an article produced using the composition.

高分子前駆体組成物は、例えば、電子部品、光学製品、光学部品の成形材料、層形成材料又は接着剤などに用いられてきている。
例えば、高分子材料であるポリイミドは、耐熱性、寸法安定性、絶縁特性といった性能が有機物の中でもトップクラスの性能を示すため、電子部品の絶縁材料等へ広く適用され、半導体素子の中のチップコーティング膜や、フレキシブルプリント配線板の基材などとして盛んに利用されてきている。
また、近年、ポリイミドの有する課題を解決する為に、ポリイミドと類似の加工工程が適用される低吸水性で低誘電率を示すポリベンゾオキサゾールや、基板との密着性に優れるポリベンゾイミダゾール等も精力的に研究されている。
The polymer precursor composition has been used in, for example, electronic parts, optical products, molding materials for optical parts, layer forming materials, adhesives, and the like.
For example, polyimide, which is a polymer material, exhibits top-class performance among organic materials such as heat resistance, dimensional stability, and insulation characteristics, so it is widely applied to insulating materials for electronic components. It has been actively used as a coating film, a base material for flexible printed wiring boards, and the like.
In recent years, in order to solve the problems that polyimide has, polybenzoxazole, which has low water absorption and low dielectric constant, and polybenzimidazole with excellent adhesion to the substrate, to which processing processes similar to polyimide are applied, etc. It has been studied energetically.

一般にポリイミドやポリベンゾオキサゾールやポリベンゾイミダゾールは、溶媒への溶解性に乏しく、加工が困難なため、このような高分子を所望の形状にする方法として、溶媒溶解性に優れる高分子前駆体の状態で所望の形状とし、その後、350℃〜400℃程度の高温で加熱し、熱的に安定なポリイミドやポリベンゾオキサゾールやポリベンゾイミダゾールとして層や成形品などにする場合が多い。   In general, polyimide, polybenzoxazole and polybenzimidazole have poor solubility in solvents and are difficult to process. Therefore, polymer precursors with excellent solvent solubility can be used as a method for making such polymers into a desired shape. In many cases, it is made into a desired shape in the state, and then heated at a high temperature of about 350 ° C. to 400 ° C. to form a thermally stable polyimide, polybenzoxazole, or polybenzimidazole as a layer or a molded product.

しかしながら、近年においては、電子部品や半導体装置等に用いられる材料が多様化し、十分な高分子化を達成するための高温プロセス(例えば、350℃)に耐えられない電子部品等がある。例えば、高密度実装の要求を満たすために広く使われているビルドアップ基板や、ガラスエポキシ樹脂やビスマレイミド−トリアジン樹脂をコアの基板材料として用いるパッケージ用基板においては、耐熱性がシリコン基板よりも低く、250℃以上の加熱が行えない。そのため、これらの低耐熱性基板においてもポリイミド等の高分子材料が使えるよう、従来よりも低い温度で高分子前駆体からポリイミド等の高分子に変換できる技術が望まれている。   However, in recent years, materials used for electronic components, semiconductor devices, and the like have diversified, and there are electronic components that cannot withstand high-temperature processes (for example, 350 ° C.) for achieving sufficient polymerization. For example, build-up substrates that are widely used to meet the demands of high-density packaging, and packaging substrates that use glass epoxy resin or bismaleimide-triazine resin as the core substrate material are more heat resistant than silicon substrates. It cannot be heated above 250 ° C. Therefore, a technology capable of converting a polymer precursor into a polymer such as polyimide at a lower temperature than before has been desired so that a polymer material such as polyimide can be used in these low heat resistant substrates.

イミド化の温度を低温化する技術としては、特許文献1において、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸に、200℃以下の温度で加熱することにより熱分解を起こして、2級アミンが発生する中性化合物である熱塩基発生剤を混合する技術が開示されている。しかしながら、特許文献1に具体的に開示されている熱塩基発生剤では、加熱するとアミンと同時に、必ず二酸化炭素(炭酸ガス)が発生し、アウトガスの発生原因となる。高分子塗膜からアウトガスが発生すると、高分子塗膜に“ふくれ”が生じてしまい、硬化膜強度の低下を招くといった問題となる。   As a technique for lowering the temperature of imidization, in Patent Document 1, neutralization of secondary amine is generated by causing thermal decomposition to polyamic acid, which is a polyimide precursor, at a temperature of 200 ° C. or less. A technique for mixing a thermal base generator as a compound is disclosed. However, in the thermal base generator specifically disclosed in Patent Document 1, when heated, carbon dioxide (carbon dioxide gas) is always generated simultaneously with the amine, which causes generation of outgas. When outgas is generated from the polymer coating film, “blowing” occurs in the polymer coating film, resulting in a problem that the strength of the cured film is reduced.

また、ポリイミド前駆体のポリアミック酸に、光塩基発生剤を混合し、露光後加熱することで露光によって発生した塩基の作用によって環化を進行させ、現像液に対する溶解性を低下させることで、露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度のコントラストを大きくすることでパターン形成を行い、その後にイミド化を行い、ポリイミドパターンを得る手法が報告されている(特許文献2)。   In addition, by mixing a photobase generator with the polyamic acid of the polyimide precursor and heating after exposure, the cyclization proceeds by the action of the base generated by the exposure, and the solubility in the developer is reduced, thereby exposing. There has been reported a method of obtaining a polyimide pattern by forming a pattern by increasing the contrast of the dissolution rate in the developing solution of the part and the unexposed part, followed by imidization (Patent Document 2).

上記のような感光性樹脂組成物として、光の照射により脱炭酸反応を伴うことなくアミン化合物を発生する光環化型の光塩基発生剤と、塩基反応性樹脂とを含む感光性樹脂組成物がある(特許文献3)。しかしながら、特許文献3に記載されている光塩基発生剤は、加熱のみによって塩基が発生しないものである。   As the photosensitive resin composition as described above, a photosensitive resin composition containing a photocyclization type photobase generator that generates an amine compound without decarboxylation by irradiation of light and a base reactive resin is provided. Yes (Patent Document 3). However, the photobase generator described in Patent Document 3 does not generate a base only by heating.

特開2007−056196号公報JP 2007-056196 A 特開平8−227154号公報JP-A-8-227154 特開2009−80452号公報JP 2009-80452 A

本発明は、上記実情を鑑みてなされたものであり、その目的は、加熱により塩基を発生し、且つ、アウトガスを発生し難い熱塩基発生剤を提供すること、及び、当該熱塩基発生剤を用いた、保存安定性が良好でありながら、より低温で高分子前駆体から高分子に変換でき、且つ、アウトガスを発生し難い高分子前駆体組成物を提供すること、並びに、当該組成物を用いた物品を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a thermal base generator that generates a base by heating and hardly generates outgas, and the thermal base generator. The present invention provides a polymer precursor composition that can be converted from a polymer precursor to a polymer at a lower temperature and that does not easily generate outgas, while having good storage stability, and It is to provide used articles.

本発明に係る熱塩基発生剤は、下記化学式(1)で表わされ、且つ加熱により塩基を発生することを特徴とする。   The thermal base generator according to the present invention is represented by the following chemical formula (1) and is characterized by generating a base by heating.

Figure 0005768348
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRの少なくとも1つは有機基である。R及びRにおける前記有機基は、炭化水素基、及び、炭化水素基に炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいる基、よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の結合は、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の置換基は、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アミノ基、及びアンモニオ基よりなる群から選択される少なくとも1種である(但し、R及びR少なくともいずれか1つの末端が−(C=O)−C(R)=CH又は−(C=NH)−C(R)=CH(ここでRは水素又は置換基)である場合を除く)。
は、水素、又は炭化水素基である。
、R、R及びRは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Rが水素である場合には、R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しており、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。
、R、R及びRにおける前記有機基は、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、シアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、及び、炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいる前記いずれかの基、よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の結合は、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の置換基は、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アミノ基、及びアンモニオ基よりなる群から選択される少なくとも1種である。)
Figure 0005768348
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an organic group and may be the same or different. R 1 and R 2 are bonded to form a cyclic structure. may form a, may contain a binding heteroatom. However, the organic group in .R 1 and R 2 at least one of R 1 and R 2 is an organic group, a hydrocarbon group And at least one selected from the group consisting of a bond other than a hydrocarbon group or a substituent on the hydrocarbon group, and the bond other than the hydrocarbon group is an ether bond, a thioether bond, It is at least one selected from the group consisting of a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, an imino bond, a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond. Substituents other than the hydrocarbon group are halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl Group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxy It is at least one selected from the group consisting of an imino group, a saturated or unsaturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, an aryl thioether group, an amino group, and an ammonio group (provided that R 1 And At least one of the ends of R 2 is - at (C = NH) -C (R ) = CH 2 ( wherein R is hydrogen or a substituent) - (C = O) -C (R) = CH 2 or Except in some cases).
R 3 is hydrogen or a hydrocarbon group.
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group. Group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different. Two or more of R 4 , R 5 , R 6, and R 7 may be bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure may include a hetero atom bond. However, when R 3 is hydrogen, two or more of R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure is a hetero atom bond. May be included.
The organic group in R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a cyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, Containing a bond or substituent other than an isothiocyanato group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group, and hydrocarbon group Any group is at least one selected from the group consisting of, and the bond other than the hydrocarbon group is an ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond Bond, carbonate bond, sulfonyl bond, sulfini A substituent selected from the group consisting of a bond and an azo bond, and the substituent other than the hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group , Thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo Groups, sulfonate groups, phosphino groups, phosphinyl groups, phosphono groups, phosphonate groups, hydroxyimino groups, saturated or unsaturated alkyl ether groups, saturated or unsaturated alkyl thioether groups, aryl ether groups, aryl thioether groups, amino groups, and ammo groups. It is at least one selected from the group consisting of O group. )

前記化学式(1)で表される熱塩基発生剤は、上記特定の構造を有することにより、加熱のみによって塩基性物質を発生するため、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される様々な高分子前駆体に組み合わせて用いると、より低温で高分子化が利用可能で、汎用性の高い熱塩基発生剤である。本発明に係る熱塩基発生剤は、加熱を行わなければ塩基を発生しないので、様々な高分子前駆体に組み合わせて用いると、保存安定性が高い高分子前駆体組成物を得ることができる。さらに、本発明に係る熱塩基発生剤は、後述のように、塩基を発生する際に二酸化炭素等のガスを発生することがないため、アウトガス発生に伴う問題を解決し、硬化膜の強度や外観が良好になる。   Since the thermal base generator represented by the chemical formula (1) has the above specific structure and generates a basic substance only by heating, it is heated by a basic substance or in the presence of a basic substance. When used in combination with various polymer precursors that promote the reaction to the final product, polymerization can be used at a lower temperature, and it is a versatile thermal base generator. Since the thermal base generator according to the present invention does not generate a base unless it is heated, a polymer precursor composition having high storage stability can be obtained when used in combination with various polymer precursors. Furthermore, since the thermal base generator according to the present invention does not generate a gas such as carbon dioxide when generating a base as described later, it solves the problems associated with outgassing, Appearance is improved.

また、本発明に係る高分子前駆体組成物は、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、及び、上記本発明に係る熱塩基発生剤を含有することを特徴とする。   Further, the polymer precursor composition according to the present invention includes a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by heating with a basic substance or in the presence of the basic substance, and the above-described present invention. It contains such a thermal base generator.

本発明に係る高分子前駆体組成物は、前記化学式(1)で表され且つ加熱により塩基を発生する熱塩基発生剤を、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体に組み合わせたことにより、保存安定性が良好でありながら、より低温で高分子前駆体から高分子に変換でき、且つ、アウトガスを発生し難いものである。   The polymer precursor composition according to the present invention is a final product of a thermal base generator represented by the chemical formula (1) and generating a base by heating, by heating with a basic substance or in the presence of a basic substance. Combined with a polymer precursor that promotes the reaction to the product, it can be converted from a polymer precursor to a polymer at a lower temperature and has less outgassing while having good storage stability. is there.

本発明の前記熱塩基発生剤は、熱分解開始温度が40℃以上350℃以下であることが好ましい。熱分解開始温度が高い場合には、高温プロセスに起因する回路配線等の歩留まりの低下等が懸念される。一方で、熱分解開始温度が低すぎると、保存安定性が損なわれる恐れがある。   The thermal base generator of the present invention preferably has a thermal decomposition starting temperature of 40 ° C. or higher and 350 ° C. or lower. When the thermal decomposition start temperature is high, there is a concern that the yield of circuit wiring or the like is reduced due to the high temperature process. On the other hand, if the thermal decomposition starting temperature is too low, the storage stability may be impaired.

本発明において、前記熱塩基発生剤は、発生する塩基の構造が下記式(2)で表されることが、塩基性が強く、触媒効果が大きい点から好ましい。   In the present invention, the thermal base generator is preferably represented by the following formula (2) from the viewpoint of strong basicity and large catalytic effect.

Figure 0005768348
(式(2)中、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数4〜22のシクロアルキル基である。R及びRは、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
Figure 0005768348
(In the formula (2), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent of carbon atoms which may 4-22 of having A cycloalkyl group, R 1 and R 2 may be the same or different, and R 1 and R 2 may be bonded to form a cyclic structure; May be included.)

本発明に係る高分子前駆体組成物において、前記高分子前駆体としては、エポキシ基、イソシアネート基、オキセタン基、又はチイラン基を有する化合物及び高分子、ポリシロキサン前駆体、ポリイミド前駆体、並びにポリベンゾオキサゾール前駆体よりなる群から選択される1種以上が好適に用いられる。   In the polymer precursor composition according to the present invention, examples of the polymer precursor include compounds and polymers having an epoxy group, an isocyanate group, an oxetane group, or a thiirane group, a polysiloxane precursor, a polyimide precursor, and poly One or more selected from the group consisting of benzoxazole precursors are preferably used.

本発明の一実施形態においては、高分子前駆体組成物の高分子前駆体として、ポリアミック酸のようなポリイミド前駆体、又は、ポリベンゾオキサゾール前駆体を用いることができる。このような高分子前駆体を用いると、耐熱性、寸法安定性、及び絶縁特性等の物性に優れた高分子前駆体組成物を得ることができる。前記ポリイミド前駆体は、ポリアミック酸であることが、原料の入手が容易な点から好ましい。   In one embodiment of the present invention, a polyimide precursor such as polyamic acid or a polybenzoxazole precursor can be used as the polymer precursor of the polymer precursor composition. When such a polymer precursor is used, a polymer precursor composition having excellent physical properties such as heat resistance, dimensional stability, and insulating properties can be obtained. The polyimide precursor is preferably a polyamic acid from the viewpoint of easy availability of raw materials.

また、本発明は、上記高分子前駆体組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光造形物、光学部材又は建築材料のいずれかの物品も提供する。   The present invention also provides a printed material, a paint, a sealant, an adhesive, a display device, a semiconductor device, an electronic component, a microelectromechanical system, at least a part of which is formed from the polymer precursor composition or a cured product thereof. Articles of either stereolithic objects, optical members or building materials are also provided.

本発明の熱塩基発生剤は、式(1)で表される構造を有することにより、加熱により塩基が発生し、様々な高分子前駆体に組み合わせて保存安定性が高い組成物とすることができ、且つ、アウトガスを発生し難いという効果を奏する。
本発明の高分子前駆体組成物は、前記本発明の熱塩基発生剤を用いることにより、保存安定性が良好でありながら、より低温で高分子前駆体から高分子に変換でき、且つ、アウトガスを発生し難いという効果を奏する。
さらに本発明の高分子前駆体組成物においては、酸と異なり塩基が金属の腐食を起こさないため、より信頼性の高い硬化膜を得ることが出来る。
The thermal base generator of the present invention has a structure represented by the formula (1), so that a base is generated by heating and is combined with various polymer precursors to obtain a composition having high storage stability. This produces an effect that it is difficult to generate outgas.
By using the thermal base generator of the present invention, the polymer precursor composition of the present invention can be converted from a polymer precursor to a polymer at a lower temperature while being excellent in storage stability, and is outgassed. The effect that it is hard to generate is produced.
Furthermore, in the polymer precursor composition of the present invention, unlike the acid, since the base does not cause metal corrosion, a more reliable cured film can be obtained.

以下、本発明について詳しく説明する。
なお、本発明において(メタ)アクリロイルとは、アクリロイル及び/又はメタクリロイルを意味し、(メタ)アクリルとは、アクリル及び/又はメタクリルを意味し、(メタ)アクリレートとは、アクリレート及び/又はメタクリレートを意味する。
<熱塩基発生剤>
本発明に係る熱塩基発生剤は、下記化学式(1)で表わされ、且つ加熱により塩基を発生することを特徴とする。
The present invention will be described in detail below.
In the present invention, (meth) acryloyl means acryloyl and / or methacryloyl, (meth) acryl means acryl and / or methacryl, and (meth) acrylate means acrylate and / or methacrylate. means.
<Heat base generator>
The thermal base generator according to the present invention is represented by the following chemical formula (1) and is characterized by generating a base by heating.

Figure 0005768348
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRの少なくとも1つは有機基である。Rは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基である。R、R、R及びRは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Rが水素である場合には、R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しており、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
Figure 0005768348
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an organic group and may be the same or different. R 1 and R 2 are bonded to form a cyclic structure. And at least one of R 1 and R 2 is an organic group, and R 3 is hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide. A group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, or an organic group, R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl A group, a phosphono group, a phosphonato group, an amino group, an ammonio group, or an organic group, which may be the same or different, and R 4 , R 5 , R 6, and R 7 are bonded together. A cyclic structure, which may contain a heteroatom bond, provided that R 3 is hydrogen, R 4 , R 5 , R 6 and R 7. Are bonded to each other to form a cyclic structure, and the cyclic structure may include a heteroatom bond.)

本発明の熱塩基発生剤は、常温常圧の通常の条件下では活性を示さないが、外部刺激として加熱されると、塩基を発生する剤をいう。本発明の熱塩基発生剤は加熱されるだけで塩基を発生するが、適宜電磁波が照射されることにより塩基の発生が促進されてもよいものである。   The thermal base generator of the present invention refers to an agent that does not exhibit activity under normal conditions of normal temperature and pressure, but generates a base when heated as an external stimulus. The thermal base generator of the present invention generates a base only by being heated, but generation of the base may be promoted by appropriately irradiating electromagnetic waves.

本発明に係る熱塩基発生剤は、上記特定構造を有するため、加熱により、下記式で示されるように、式(1)中の(−CR=CH−C(=O)−)部分がシス体へと異性化し、さらに環化し、塩基(NHR)を生成する。塩基の触媒作用によって、高分子前駆体が最終生成物となる際の反応が開始される温度を下げたり、高分子前駆体が最終生成物となる硬化反応を開始することができる。 Since the thermal base generator according to the present invention has the above-mentioned specific structure, the (—CR 3 ═CH—C (═O) —) moiety in the formula (1) is represented by the following formula by heating, as shown by the following formula. Isomerized to the cis form and further cyclized to produce the base (NHR 1 R 2 ). By the catalytic action of the base, the temperature at which the reaction when the polymer precursor becomes the final product can be lowered, or the curing reaction where the polymer precursor becomes the final product can be started.

Figure 0005768348
Figure 0005768348

前記化学式(1)で表される熱塩基発生剤は、上記特定の構造を有することにより、加熱のみによって塩基性物質を発生するため、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される様々な高分子前駆体に組み合わせて用いると、より低温で高分子化が利用可能で、汎用性の高い熱塩基発生剤である。本発明に係る熱塩基発生剤は、加熱を行わなければ塩基を発生しないので、様々な高分子前駆体に組み合わせて用いると、保存安定性が高い高分子前駆体組成物を得ることができる。さらに、本発明に係る熱塩基発生剤は、上記のように、塩基を発生する際に二酸化炭素等のガスを発生することがないため、アウトガス発生に伴う問題を解決し、硬化膜の強度や外観が良好になる。   Since the thermal base generator represented by the chemical formula (1) has the above specific structure and generates a basic substance only by heating, it is heated by a basic substance or in the presence of a basic substance. When used in combination with various polymer precursors that promote the reaction to the final product, polymerization can be used at a lower temperature, and it is a versatile thermal base generator. Since the thermal base generator according to the present invention does not generate a base unless it is heated, a polymer precursor composition having high storage stability can be obtained when used in combination with various polymer precursors. Furthermore, since the thermal base generator according to the present invention does not generate a gas such as carbon dioxide when generating a base as described above, it solves the problems associated with outgassing, Appearance is improved.

及びRは、それぞれ、独立に水素原子又は有機基であるが、R及びRのうち少なくとも1つは有機基である。また、NHRは、塩基(本発明においては、「塩基性物質」を単に、塩基という。)であるが、R及びRは、それぞれ、アミノ基を含まない有機基であることが好ましい。R及びRに、アミノ基が含まれてしまうと、熱塩基発生剤自体が塩基性物質となり、高分子前駆体の反応を促進してしまい、高分子前駆体組成物の安定性が悪くなる恐れがある。但し、例えば、R及びRの有機基中に存在する芳香環にアミノ基が結合している場合のように、加熱後に発生する塩基との塩基性と差が生じる場合には、R及びRの有機基にアミノ基を含まれていても用いることができる場合もある。
有機基としては、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。
及びRにおける有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合や、生成するNHRがジアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基性物質の場合等には、2価以上の有機基となり得る。
R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom or an organic group, but at least one of R 1 and R 2 is an organic group. NHR 1 R 2 is a base (in the present invention, “basic substance” is simply referred to as a base), but R 1 and R 2 are each an organic group that does not contain an amino group. Is preferred. If R 1 and R 2 contain an amino group, the thermal base generator itself becomes a basic substance, which accelerates the reaction of the polymer precursor, and the stability of the polymer precursor composition is poor. There is a fear. However, when the basicity and difference with the base generated after heating occur, for example, when an amino group is bonded to the aromatic ring present in the organic group of R 1 and R 2 , R 1 And an organic group in R 2 may be used even if it contains an amino group.
Examples of the organic group include a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. These organic groups may contain bonds and substituents other than hydrocarbon groups such as heteroatoms in the organic group, and these may be linear or branched.
The organic group in R 1 and R 2 is usually a monovalent organic group, but in the case of forming a cyclic structure described later, the generated NHR 1 R 2 is an NH group capable of forming an amide bond such as diamine. In the case of a basic substance having two or more, it can be a divalent or higher organic group.

また、R及びRは、それらが結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。
R 1 and R 2 may be bonded to form a cyclic structure.
The cyclic structure is a combination of two or more selected from the group consisting of saturated or unsaturated alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings, and the alicyclic hydrocarbons, heterocycles, and condensed rings. The structure which becomes may be sufficient.

前記R及びRの有機基中の炭化水素基以外の結合としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。 The bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 1 and R 2 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired. An ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, and an ester bond Amide bond, urethane bond, imino bond (-N = C (-R)-, -C (= NR)-, where R is a hydrogen atom or an organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl bond, azo bond Etc. From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C (— R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or an organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond.

前記R及びRの有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素は、炭化水素基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
前記R及びRの有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
The substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R 1 and R 2 is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired. A halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, Isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group Acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, and Arylthioether group, a Amino group (-NH2, -NHR, -NRR ': wherein, R and R' are each independently a hydrocarbon group). The hydrogen contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon group. Further, the hydrocarbon group contained in the substituent may be any of linear, branched, and cyclic.
Examples of the substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R 1 and R 2 include a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, an isothiocyanato group, Silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group , A phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, a hydroxyimino group, a saturated or unsaturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, and an aryl thioether group.

生成する塩基はNHRであるため、1級アミン、2級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。またアミンには、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、NHRが環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。 Since the base to be generated is NHR 1 R 2 , primary amines, secondary amines, or heterocyclic compounds can be mentioned. The amine includes an aliphatic amine and an aromatic amine, respectively. In addition, the heterocyclic compound here means that NHR 1 R 2 has a cyclic structure and has aromaticity. Non-aromatic heterocyclic compounds that are not aromatic heterocyclic compounds are included here in aliphatic amines as alicyclic amines.

更に、生成するNHRは、アミド結合を形成可能なNH基を1つだけ有するモノアミン等の塩基だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基であってもよい。生成するNHRがNH基を2つ以上有する塩基の場合としては、前記式(1)のR及び/又はRの1つ以上の末端に、アミド結合を形成可能なNH基を有する塩基を加熱により発生するような熱潜在性部位が更に結合している構造が挙げられる。上記熱潜在性部位としては、前記式(1)のR及び/又はRの1つ以上の末端に、式(1)のR及び/又はRを除いた残基が更に結合している構造が挙げられる。 Further, the NHR 1 R 2 to be generated is not only a base such as monoamine having only one NH group capable of forming an amide bond, but also two or more NH groups capable of forming an amide bond such as diamine, triamine, and tetraamine. It may be a base. In the case where the generated NHR 1 R 2 is a base having two or more NH groups, an NH group capable of forming an amide bond is formed at one or more terminals of R 1 and / or R 2 in the formula (1). Examples include a structure in which a heat latent site that generates a base having heat is further bonded. As the thermal latent site, a residue other than R 1 and / or R 2 in the formula (1) is further bonded to one or more terminals of R 1 and / or R 2 in the formula (1). Structure.

生成するNHRのうち、脂肪族1級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、tert−ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、tert−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、2−オクタンアミン、2,4,4−トリメチルペンタン−2−アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。 Among the generated NHR 1 R 2 , aliphatic primary amines include methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, n-butylamine, sec-butylamine, tert-butylamine, pentylamine, isoamylamine, tert-pentylamine. , Cyclopentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, cycloheptaneamine, octylamine, 2-octaneamine, 2,4,4-trimethylpentan-2-amine, cyclooctylamine and the like.

芳香族1級アミンとしては、アニリン、2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、及び4−アミノフェノール等が挙げられる。   Examples of the aromatic primary amine include aniline, 2-aminophenol, 3-aminophenol, and 4-aminophenol.

脂肪族2級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン等が挙げられ、中でも脂環式アミンが好ましい。   Aliphatic secondary amines include dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diisopropylamine, dibutylamine, ethylmethylamine, aziridine, azetidine, pyrrolidine, piperidine, azepan, azocan, methylaziridine, dimethylaziridine, methylazetidine, dimethyl Examples thereof include azetidine, trimethylazetidine, methylpyrrolidine, dimethylpyrrolidine, trimethylpyrrolidine, tetramethylpyrrolidine, methylpiperidine, dimethylpiperidine, trimethylpiperidine, tetramethylpiperidine, pentamethylpiperidine and the like, among which alicyclic amine is preferable.

芳香族2級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びN−フェニル−1−ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なNH基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は1価の有機基)を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。   Aromatic secondary amines include methylaniline, diphenylamine, and N-phenyl-1-naphthylamine. In addition, as an aromatic heterocyclic compound having an NH group capable of forming an amide bond, an imino bond (—N═C (—R) —, —C (═NR) — Here, R preferably has a hydrogen atom or a monovalent organic group), and examples thereof include imidazole, purine, triazole, and derivatives thereof.

アミド結合を形成可能なNH基を2つ以上有する塩基としてはエチレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、1,4−ブタンジアミン、1,5−ペンタンジアミン、1,6−ヘキサンジアミン、1,7−ヘプタンジアミン、1,8−オクタンジアミン、1,9−ノナンジアミン、1,10−デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン;1−ブチル−1,2−エタンジアミン、1,1−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1−エチル−1,4−ブタンジアミン、1,2−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、1,4−ジメチル−1,4−ブタンジアミン、2,3−ジメチル−1,4−ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン;ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン等の一般式NH(CHCHNH)Hで示されるポリエチレンアミン類;クロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン;p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミン、m−キシリレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ジアミン;ベンゼントリアミン、メラミン、2,4,6−トリアミノピリミジン等のトリアミン;2,4,5,6−テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。 Bases having two or more NH groups capable of forming an amide bond include ethylenediamine, 1,3-propanediamine, 1,4-butanediamine, 1,5-pentanediamine, 1,6-hexanediamine, 1,7- Linear aliphatic alkylenediamines such as heptanediamine, 1,8-octanediamine, 1,9-nonanediamine, 1,10-decanediamine; 1-butyl-1,2-ethanediamine, 1,1-dimethyl-1 , 4-butanediamine, 1-ethyl-1,4-butanediamine, 1,2-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,3-dimethyl-1,4-butanediamine, 1,4-dimethyl-1 Branched aliphatic alkylenediamines such as 1,4-butanediamine and 2,3-dimethyl-1,4-butanediamine; diethylenetriamine, triethylenetetra Emissions, polyethylene amines represented by tetraethylenepentamine general formula NH 2 (CH 2 CH 2 NH ) , such as n H; cyclohexane diamine, methylcyclohexane diamine, isophorone diamine, norbornane dimethylamine, tricyclodecane dimethylamine, Men Cycloaliphatic diamines such as sendiamine; aromatic diamines such as p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-xylylenediamine, m-xylylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone; benzenetriamine And triamines such as melamine and 2,4,6-triaminopyrimidine; and tetraamines such as 2,4,5,6-tetraaminopyrimidine.

及びRの位置に導入される置換基によって、生成する塩基の熱物性や塩基性度が異なる。
高分子前駆体から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基性物質の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に1級アミンよりは2級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。
また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が塩基性が強いため好ましい。
Depending on the substituents introduced at the positions of R 1 and R 2 , the thermal properties and basicity of the generated base are different.
Catalytic action, such as lowering the reaction start temperature for the reaction from the polymer precursor to the final product, is more effective as a catalyst with a basic substance having a higher basicity, and a lower temperature with a smaller amount of addition. Reaction to the final product is possible. In general, secondary amines have higher basicity than primary amines, and their catalytic effect is greater.
In addition, aliphatic amines are preferred over aromatic amines because they are more basic.

また、本発明で発生する塩基が、熱塩基発生剤としての感度が高くなる点から2級アミン及び/又は複素環式化合物であることが好ましく、特に2級アミンであることが好ましい。これは、2級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。 In addition, the base generated in the present invention is preferably a secondary amine and / or a heterocyclic compound, and particularly preferably a secondary amine, from the viewpoint of increasing the sensitivity as a thermal base generator. It is presumed that this is because the use of a secondary amine or a heterocyclic compound eliminates active hydrogen at the amide bond site, thereby changing the electron density and improving the sensitivity of isomerization.

また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、R及びRの有機基は、それぞれ独立に炭素数1〜20が好ましく、更に炭素数1〜12が好ましく、特に炭素数1〜8であることが好ましい。 Further, from the viewpoint of the thermophysical properties of the leaving base and the basicity, the organic groups of R 1 and R 2 each independently preferably have 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and particularly carbon. It is preferable that it is number 1-8.

発生する2級アミン及び/又は複素環式化合物の構造としては、中でも、下記式(2)で表されることが好ましい。   The structure of the secondary amine and / or heterocyclic compound generated is preferably represented by the following formula (2).

Figure 0005768348
(式(2)中、R及びRは、それぞれ独立に、有機基であり、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数4〜22のシクロアルキル基である。R及びRは、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
Figure 0005768348
(In Formula (2), R 1 and R 2 are each independently an organic group, an optionally substituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an optionally substituted carbon. A cycloalkyl group having a number of 4 to 22. R 1 and R 2 may be the same or different, and R 1 and R 2 may combine to form a cyclic structure; And may contain a bond of a heteroatom.)

式(2)のR及びRにおいて、アルキル基は直鎖でも分岐でも良い。アルキル基としては更に炭素数1〜12であることが好ましく、シクロアルキル基としては更に炭素数4〜10であることが好ましい。また、R及びRが結合して置換基を有しても良い炭素数4〜14の環状構造となっている脂環式アミンも好ましい。また、R及びRが結合して置換基を有しても良い炭素数2〜12の環状構造となっている複素環式化合物も好ましい。 In R 1 and R 2 of formula (2), the alkyl group may be linear or branched. The alkyl group preferably further has 1 to 12 carbon atoms, and the cycloalkyl group preferably further has 4 to 10 carbon atoms. Further, the alicyclic amine has a cyclic structure of R 1 and R 2 are bonded carbon atoms which may have a substituent 4-14 also preferred. Moreover, heterocyclic compounds become R 1 and R 2 are bonded which may have a substituent ring structure having 2 to 12 carbon atoms are also preferred.

式(1)において、Rは、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基である。
本発明においては特に、式(1)中のRが、水素ではなく、上記特定の官能基である場合には、R〜Rの全てが水素であっても、加熱のみによって塩基を発生する。これは、式(1)中のRが、水素ではなく、上記特定の官能基である場合には、Rの立体障害による効果によって、式(1)中の(−CR=CH−C(=O)−)部分がシス体へと異性化しやすくなり、加熱のみによって塩基を発生するのではないかと推定される。式(1)中のRが、水素ではなく、上記特定の官能基である場合には、Rが水素の場合と比べて、有機溶剤に対する溶解性が向上したり、高分子前駆体との親和性が向上するといった効果も期待できる。例えば、Rが、アルキル基やアリール基等の有機基である場合、有機溶剤に対する溶解性が向上する。また、例えばRがフッ素等のハロゲンである場合、フッ素等のハロゲンを含有する高分子前駆体との親和性が向上する。また、例えばRがシリル基やシラノール基を有する場合、ポリシロキサン前駆体との親和性が向上する。
In Formula (1), each R 3 is independently hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, A phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, or an organic group.
In the present invention, in particular, when R 3 in formula (1) is not hydrogen but the specific functional group described above, even if all of R 4 to R 7 are hydrogen, the base is formed only by heating. Occur. This is because when R 3 in formula (1) is not hydrogen but the specific functional group described above, (—CR 3 ═CH— in formula (1) is due to the effect of steric hindrance of R 3. It is presumed that the C (= O)-) moiety is easily isomerized into a cis isomer and a base is generated only by heating. When R 3 in the formula (1) is not hydrogen but the specific functional group described above, the solubility in an organic solvent is improved as compared with the case where R 3 is hydrogen, or a polymer precursor and The effect of improving the affinity of can also be expected. For example, when R 3 is an organic group such as an alkyl group or an aryl group, the solubility in an organic solvent is improved. For example, when R 3 is a halogen such as fluorine, the affinity with a polymer precursor containing a halogen such as fluorine is improved. For example, when R 3 has a silyl group or a silanol group, the affinity with the polysiloxane precursor is improved.

ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
有機基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。Rにおける有機基は、通常、1価の有機基である。
前記Rの有機基中の炭化水素基以外の結合としては、特に限定されず、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−、ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、アゾ結合等が挙げられる。耐熱性の点から、有機基中の炭化水素基以外の結合としては、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合(−N=C(−R)−、−C(=NR)−:ここでRは水素原子又は有機基)、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合が好ましい。
Examples of the halogen include fluorine, chlorine, bromine and the like.
The organic group is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired, and is a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a saturated or unsaturated halogenated alkyl group. , Cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group, etc. Is mentioned. These organic groups may contain bonds and substituents other than hydrocarbon groups such as heteroatoms in the organic group, and these may be linear or branched. The organic group in R 3 is usually a monovalent organic group.
The bond other than the hydrocarbon group in the organic group of R 3 is not particularly limited, and is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired. An ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, Ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond (—N═C (—R) —, —C (═NR) —, where R is a hydrogen atom or an organic group), carbonate bond, sulfonyl bond, sulfinyl bond, An azo bond etc. are mentioned. From the viewpoint of heat resistance, the bond other than the hydrocarbon group in the organic group includes an ether bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, and an imino bond (—N═C (— R)-, -C (= NR)-: where R is a hydrogen atom or an organic group), a carbonate bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond.

前記Rの有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、本発明の効果が損なわれない限り、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR’:ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。上記置換基に含まれる水素は、炭化水素基によって置換されていても良い。また、上記置換基に含まれる炭化水素基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
中でも、Rの有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
The substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R 3 is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired. A halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, Cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group , Sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, and aryl thioether group , Amino group (-NH 2, —NHR, —NRR ′: R and R ′ are each independently a hydrocarbon group. The hydrogen contained in the substituent may be substituted with a hydrocarbon group. Further, the hydrocarbon group contained in the substituent may be any of linear, branched, and cyclic.
Among them, the substituent other than the hydrocarbon group in the organic group of R 3 includes a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, an isothiocyanato group, and a silyl group. , Silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group Group, phosphono group, phosphonato group, hydroxyimino group, saturated or unsaturated alkyl ether group, saturated or unsaturated alkyl thioether group, aryl ether group, and aryl thioether group are preferred.

としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数1〜10のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数4〜13のシクロアルキル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数4〜13のシクロアルケニル基;フェノキシメチル基、2−フェノキシエチル基、4−フェノキシブチル基等の炭素数7〜16のアリールオキシアルキル基(−ROAr基);ベンジル基、3−フェニルプロピル基等の炭素数7〜20のアラルキル基;シアノメチル基、β−シアノエチル基等のシアノ基をもつ炭素数2〜11のアルキル基;ヒドロキシメチル基等の水酸基をもつ炭素数1〜10のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基、アセトアミド基、ベンゼンスルホナミド基(CHSONH−)等の炭素数2〜11のアミド基、メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数1〜10のアルキルチオ基(−SR基)、アセチル基、ベンゾイル基等の炭素数1〜10のアシル基、メトキシカルボニル基、アセトキシ基等の炭素数2〜11のエステル基(−COOR基及び−OCOR基)、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリル基等の炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基(−SCH)であることが好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。 R 3 includes, for example, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group; a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group; a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group. C4-C13 cycloalkenyl group; C7-C16 aryloxyalkyl group (-ROAr group) such as phenoxymethyl group, 2-phenoxyethyl group, 4-phenoxybutyl group; benzyl group, 3-phenylpropyl An aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms such as a group; an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group such as a cyanomethyl group and a β-cyanoethyl group; an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group such as a hydroxymethyl group , a methoxy group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms such as an ethoxy group, acetamido group, benzenesulfonyl cyanamide group (C 6 H SO 2 NH 2 -) amide group having 2 to 11 carbon atoms such as a methylthio group, an alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms such as an ethylthio group (-SR group), 1 to 10 carbon atoms such as an acetyl group, a benzoyl group Aryl groups having 2 to 11 carbon atoms such as acyl groups, methoxycarbonyl groups, and acetoxy groups (-COOR groups and -OCOR groups), phenyl groups, naphthyl groups, biphenyl groups, tolyl groups and the like. Group, electron donating group and / or electron withdrawing group substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, electron donating group and / or electron withdrawing group substituted benzyl group, cyano group and methylthio group (- SCH 3 ) is preferred. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.

次に、R、R、R及びRは、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。R〜Rにおける有機基は、通常、1価の有機基であるが、後述する環状構造を形成する場合等には、2価以上の有機基となり得る。
但し、上記Rが水素である場合には、R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しており、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良いものである。
Next, R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are each independently hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, A sulfonato group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, an amino group, an ammonio group, or an organic group, which may be the same or different. Two or more of R 4 , R 5 , R 6, and R 7 may be bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure may include a hetero atom bond. The organic group in R 4 to R 7 is usually a monovalent organic group, but may form a divalent or higher organic group when forming a cyclic structure described later.
However, when R 3 is hydrogen, R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are combined with each other to form a cyclic structure, and the cyclic structure is a heteroatom. It may contain bonds.

上記Rが水素である場合には、R、R、R及びRのいずれかの2つ以上が結合して環状構造を形成することにより、R、R、R及びRが結合しているベンゼン環の電子状態が変化するため、式(1)中の(−CR=CH−C(=O)−)部分がシス体へと異性化しやすくなり、加熱のみによって塩基を発生するのではないかと推定される。 When R 3 is hydrogen, two or more of R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are bonded to form a cyclic structure, thereby allowing R 4 , R 5 , R 6 and Since the electronic state of the benzene ring to which R 7 is bonded changes, the (—CR 3 ═CH—C (═O) —) moiety in the formula (1) is easily isomerized into a cis isomer, and only heating is performed. It is presumed that a base is generated.

〜Rにおけるハロゲン、有機基、有機基中の炭化水素基以外の結合、及び、有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、前記Rで記載したものと同様のものを用いることができる。 As the substituents other than the halogen, the organic group, the hydrocarbon group in the organic group, and the substituent other than the hydrocarbon group in the organic group in R 4 to R 7 , the same as those described in the above R 3 can be used. Can be used.

また、上記Rが水素である場合には、R〜Rは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しているものであるが、当該環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる2種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、R〜Rは、それらの2つ以上が結合して、R〜Rが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、インデン等の縮合環炭化水素や、キサンテン、チオキサントン等の縮合複素環化合物を形成していても良い。 When R 3 is hydrogen, two or more of R 4 to R 7 are bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure is saturated or unsaturated. The structure may be a combination of two or more selected from the group consisting of alicyclic hydrocarbons, heterocyclic rings, and condensed rings, and alicyclic hydrocarbons, heterocyclic rings, and condensed rings. For example, R 4 to R 7 may be a condensed ring such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, fluorene, indene and the like, in which two or more of them are bonded and share the atoms of the benzene ring to which R 4 to R 7 are bonded A condensed heterocyclic compound such as hydrocarbon, xanthene, and thioxanthone may be formed.

〜Rの2つ以上が結合して環状構造を形成している構造としては、例えば、以下の構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the structure in which two or more of R 4 to R 7 are bonded to form a cyclic structure include the following structures, but are not limited thereto.

Figure 0005768348
(式中、R及びR、並びに、R、R、R及びRは、それぞれ式(1)と同様である。Rは、環状構造に更に有していてもよい置換基を表し、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基である。mは0又は1以上の整数である。m個のRは、同一であっても異なっていても良い。Xは、2つの酸素原子と結合可能な連結基である。)
Figure 0005768348
(In the formula, R 1 and R 2 , and R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are the same as those in formula (1), respectively. R 8 may be further substituted in the cyclic structure. Represents a group, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, amino group, An ammonio group or an organic group, m is 0 or an integer of 1 or more, m R 8 s may be the same or different, and X is a linking group capable of binding to two oxygen atoms. .)

上記化学式におけるXは、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状の飽和又は不飽和脂肪族、或いは芳香族炭化水素基、ヘテロ原子を含んでいてもよく、置換基を有していてもよいケイ素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のケイ素−ケイ素二重結合を含んでいてもよいケイ化水素基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、スルホニル結合、及び、スルフィニル結合よりなる群から選ばれる連結基であることが好ましい。例えば、Xとしては、−CH−、−CHR−、−CR(OR)−(ここで、Rはアルキル基)、−(CH−等の置換基を有していても良いアルキレン基、−CH=CH−、オルトフェニレン基、−SiH−などを挙げることができる。 X in the above chemical formula may contain a hetero atom, and may have a substituent, a linear, branched or cyclic, saturated or unsaturated aliphatic or aromatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. A hydrogen silicide group which may contain a hetero atom, may have a substituent, and may contain a linear, branched or cyclic silicon-silicon double bond having 1 to 20 silicon atoms, ether A linking group selected from the group consisting of a bond, a thioether bond, a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, a sulfonyl bond, and a sulfinyl bond is preferable. For example, as X, alkylene which may have a substituent such as —CH 2 —, —CHR—, —CR (OR) — (where R is an alkyl group), — (CH 2 ) n —, etc. Group, —CH═CH—, orthophenylene group, —SiH 2 — and the like.

上記Rが水素である場合には、R〜Rは、それらの2つ以上が結合して、R〜Rが結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン、インデン等の縮合環炭化水素や、キサンテン、チオキサントン等の縮合複素環化合物を形成していることが、電子状態の変化が大きくなり塩基発生温度が下がる点から好ましい。
また、上記Rが水素である場合には、R〜Rは、酸素や硫黄等のヘテロ原子を含む、複素環式化合物を形成していることが、電子状態の変化が大きくなり塩基発生温度が下がる点から、好ましい。
When R 3 is hydrogen, R 4 to R 7 are bonded to each other, and two or more of them are bonded to each other and share a benzene ring atom to which R 4 to R 7 are bonded to share naphthalene, anthracene, It is preferable that condensed ring hydrocarbons such as phenanthrene, fluorene and indene, and condensed heterocyclic compounds such as xanthene and thioxanthone are formed from the viewpoint that the change in the electronic state becomes large and the base generation temperature is lowered.
When R 3 is hydrogen, R 4 to R 7 form a heterocyclic compound containing a heteroatom such as oxygen or sulfur. This is preferable from the viewpoint that the generation temperature is lowered.

一方、上記Rが水素以外の置換基である場合には、R〜Rとしては、全て水素原子でもよく、特に制限されない。R〜Rのいずれかが置換基を有する場合の置換基としては、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数4〜13のシクロアルキル基、炭素数4〜13のシクロアルケニル基、炭素数7〜16のアリールオキシアルキル基(−ROAr基)、炭素数7〜20のアラルキル基、シアノ基をもつ炭素数2〜11のアルキル基、水酸基をもつ炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数2〜11のアミド基、炭素数1〜10のアルキルチオ基(−SR基)、炭素数1〜10のアシル基、炭素数2〜11のエステル基、炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換した炭素数6〜20のアリール基、電子供与性基及び/又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基(−SCH)等が好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。 On the other hand, when R 3 is a substituent other than hydrogen, all of R 4 to R 7 may be hydrogen atoms and are not particularly limited. When any of R 4 to R 7 has a substituent, the substituent includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 13 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 4 to 13 carbon atoms, and carbon. An aryloxyalkyl group having 7 to 16 carbon atoms (-ROAr group), an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 11 carbon atoms having a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a hydroxyl group, carbon C1-C10 alkoxy group, C2-C11 amide group, C1-C10 alkylthio group (-SR group), C1-C10 acyl group, C2-C11 ester group, Carbon An aryl group having 6 to 20 atoms, an electron donating group and / or an electron withdrawing group substituted with an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an electron donating group and / or a benzyl group with an electron withdrawing group substituted, or a cyano group And methylthio group ( SCH 3), etc. are preferable. The alkyl moiety may be linear, branched or cyclic.

また、化学式(1)で表される構造は、幾何異性体が存在するが、トランス体のみを用いることが好ましい。しかし、合成および精製工程および保管時などにおいて幾何異性体であるシス体が混ざる可能性もあり、この場合トランス体とシス体の混合物を用いても良いが、溶解性コントラストを高められる点から、シス体の割合が10%未満であることが好ましい。   Further, the structure represented by the chemical formula (1) has a geometric isomer, but it is preferable to use only the trans isomer. However, cis isomers that are geometric isomers may be mixed during synthesis and purification steps and storage, and in this case, a mixture of trans isomer and cis isomer may be used. It is preferable that the ratio of cis-isomer is less than 10%.

上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤において、熱で一番分解しやすい結合はアミド結合であるため、熱分解がすなわちアミン発生となる。従って、上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤は、熱分解開始温度が40℃以上350℃以下であることが好ましい。熱分解開始温度が高い場合には、高温プロセスに起因する回路配線等の歩留まりの低下等が懸念される。一方で、熱分解開始温度が低すぎると、保存安定性が損なわれる恐れがある。   In the thermal base generator represented by the chemical formula (1), the bond that is most easily decomposed by heat is an amide bond. Therefore, the thermal base generator represented by the chemical formula (1) preferably has a thermal decomposition starting temperature of 40 ° C. or higher and 350 ° C. or lower. When the thermal decomposition start temperature is high, there is a concern that the yield of circuit wiring or the like is reduced due to the high temperature process. On the other hand, if the thermal decomposition starting temperature is too low, the storage stability may be impaired.

なお、本発明において、化学式(1)で表される熱塩基発生剤の熱分解開始温度は、以下の固体状態、又は溶液中において測定された熱分解温度のうち最も低い温度をいう。
固体状態としては、化学式(1)で表される熱塩基発生剤の5%重量減少温度を指標とする。ここで5%重量減少温度とは、熱重量分析装置を用いて重量減少を測定した時に、サンプルの重量が初期重量から5%減少した時点(すなわち、サンプル重量が初期の95%となった時点)の温度である。
また、溶液中としては、化学式(1)で表される熱塩基発生剤の2mg/mL溶液のNMR測定において、塩基を10モル%発生する温度を指標とする。塩基を10モル%発生する温度は、例えば、熱塩基発生剤を、重DMSO等の重水素化溶媒に2mg/mL溶かしてNMR測定用溶液を調製して、順次加熱した試料を作製する。当該順次加熱した試料を、NMR装置(例えば、400MHzのNMR装置、具体例:日本電子(株)製、JEOL JNM−LA400WB)を用いて、H−NMR測定を行い、熱塩基発生剤から発生した塩基量(モル%)を測定することによって得られる。
In the present invention, the thermal decomposition starting temperature of the thermal base generator represented by the chemical formula (1) refers to the lowest temperature among the thermal decomposition temperatures measured in the following solid state or solution.
As a solid state, 5% weight reduction temperature of the thermal base generator represented by the chemical formula (1) is used as an index. Here, the 5% weight loss temperature is the time when the weight of the sample is reduced by 5% from the initial weight when the weight loss is measured using a thermogravimetric analyzer (that is, when the weight of the sample becomes 95% of the initial weight). ) Temperature.
In the solution, the temperature at which 10 mol% of base is generated is used as an index in NMR measurement of a 2 mg / mL solution of the thermal base generator represented by the chemical formula (1). Regarding the temperature at which 10 mol% of base is generated, for example, a thermal base generator is dissolved in a deuterated solvent such as deuterated DMSO at 2 mg / mL to prepare a solution for NMR measurement, and a sample that is sequentially heated is prepared. The sequentially heated sample is subjected to 1 H-NMR measurement using an NMR apparatus (eg, 400 MHz NMR apparatus, specific example: JEOL JNM-LA400WB, manufactured by JEOL Ltd.) and generated from a thermal base generator. It is obtained by measuring the amount of base (mol%) obtained.

上記固体状態での5%重量減少温度は、上記溶液中での熱分解温度よりも高くなる傾向がある。また、上記固体状態での5%重量減少温度は、高分子前駆体と熱塩基発生剤からなる塗膜において発生された塩基により高分子前駆体の反応が開始する温度よりも高くなる傾向がある。これは、式(1)中の(−CR=CH−C(=O)−)部分がシス体へ異性化するための分子の回転には、ある程度の空間が必要だが、単体で固体状態での熱塩基発生剤はその空間が確保され難いためではないかと推定される。高分子前駆体組成物として塗膜中で用いられる際には、熱塩基発生剤は高分子前駆体中に分散されているため、高分子前駆体組成物中での熱塩基発生剤の熱分解温度は、上記単体での固体状態での熱分解温度よりも溶液中の熱分解温度の方により近いのではないかと推定される。 The 5% weight loss temperature in the solid state tends to be higher than the thermal decomposition temperature in the solution. Further, the 5% weight loss temperature in the solid state tends to be higher than the temperature at which the reaction of the polymer precursor is initiated by the base generated in the coating film composed of the polymer precursor and the thermal base generator. . This is because a certain amount of space is required for the rotation of the molecule for isomerization of the (—CR 3 ═CH—C (═O) —) moiety in the formula (1) into a cis isomer, It is presumed that the thermal base generator in is because it is difficult to secure the space. When used as a polymer precursor composition in a coating film, the thermal base generator is dispersed in the polymer precursor, so that the thermal base generator is thermally decomposed in the polymer precursor composition. It is estimated that the temperature is closer to the thermal decomposition temperature in the solution than the thermal decomposition temperature in the solid state of the single substance.

上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤において、熱分解開始温度は、組み合わせる高分子前駆体により、適宜調整されることが好ましい。上記化学式(1)で表される熱分解開始温度は、上記置換基R並びにR〜Rを適宜選択することにより、調整することができる。
例えば、高分子前駆体として、ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体と組み合わせて用いる場合には、上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤において、熱分解開始温度が100℃以上350℃以下であることが好ましく、更に150℃以上250℃以下であることが好ましい。ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体の場合、塗膜を形成する際にN−メチル−2−ピロリドンなどの高沸点溶媒を用いる必要があるが、このように5%重量減少温度が高い場合には残留溶媒の影響が少なくなるような乾燥条件で塗膜を形成することができる。
一方、高分子前駆体として、エポキシ基、イソシアネート基、オキセタン基、又はチイラン基を有する化合物及び高分子、ポリシロキサン前駆体と組み合わせて用いる場合には、上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤において、熱分解開始温度が40℃以上200℃以下であることが好ましく、更に50℃以上150℃以下であることが好ましい。エポキシ基、イソシアネート基、オキセタン基、又はチイラン基を有する化合物及び高分子、ポリシロキサン前駆体の場合、上記のポリイミド前駆体等と比べて硬化に必要な温度が低いため、塩基が発生する温度は比較的低温であることが好ましいからである。
In the thermal base generator represented by the chemical formula (1), the thermal decomposition starting temperature is preferably adjusted as appropriate depending on the polymer precursor to be combined. The thermal decomposition starting temperature represented by the chemical formula (1) can be adjusted by appropriately selecting the substituent R 3 and R 4 to R 7 .
For example, when the polymer precursor is used in combination with a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, in the thermal base generator represented by the chemical formula (1), the thermal decomposition start temperature is 100 ° C. or higher and 350 ° C. It is preferable that it is below, Furthermore, it is preferable that it is 150 to 250 degreeC. In the case of a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor, it is necessary to use a high boiling point solvent such as N-methyl-2-pyrrolidone when forming a coating film. Can form a coating film under dry conditions that reduce the influence of the residual solvent.
On the other hand, when the polymer precursor is used in combination with a compound having a epoxy group, an isocyanate group, an oxetane group, or a thiirane group, and a polymer or a polysiloxane precursor, the thermal base represented by the above chemical formula (1). In the generator, the thermal decomposition starting temperature is preferably 40 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and more preferably 50 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. In the case of compounds and polymers having an epoxy group, an isocyanate group, an oxetane group, or a thiirane group, and a polysiloxane precursor, the temperature required for curing is lower than the above polyimide precursor, etc. This is because a relatively low temperature is preferable.

また、発生する塩基の沸点が25℃以上であることが、室温での取り扱い性が良好になることから好ましい。発生する塩基の沸点が25℃以上でない場合には、塗膜とした際に、特に乾燥時に生成したアミンが蒸発しやすくなってしまうため作業が困難となる恐れがある。また、発生する塩基を、膜中に残存しない硬化促進剤として用いる場合には、発生する塩基の350℃における重量減少が80%以上であると、硬化後の高分子中に塩基が残存するのを抑制しやすい点から好ましい。但し、発生する塩基を、膜中に残存する架橋剤乃至硬化剤として用いる場合は、発生する塩基の上記重量減少は問題にならない。   Moreover, it is preferable that the boiling point of the generated base is 25 ° C. or more because the handleability at room temperature is improved. When the boiling point of the generated base is not 25 ° C. or higher, when it is used as a coating film, the amine generated during drying tends to evaporate, which may make the operation difficult. When the generated base is used as a curing accelerator that does not remain in the film, if the weight loss of the generated base at 350 ° C. is 80% or more, the base remains in the cured polymer. It is preferable because it is easy to suppress the above. However, when the generated base is used as a crosslinking agent or a curing agent remaining in the film, the weight reduction of the generated base is not a problem.

前記式(1)で表される熱塩基発生剤を用いる際の、塩基を発生させるための加熱温度としては、組み合わせる高分子前駆体や目的により適宜選択され、特に限定されない。反応速度を高くし、効率よく塩基を発生させる点から、塩基を発生させるための加熱温度としては、30℃以上であることが好ましく、更に好ましくは60℃以上、より更に好ましくは100℃以上、特に好ましくは120℃以上である。
また、前記式(1)で表される熱塩基発生剤の塩基発生以外の分解を防ぐために、300℃以下で加熱することが好ましい。
The heating temperature for generating a base when using the thermal base generator represented by the formula (1) is appropriately selected depending on the polymer precursor to be combined and the purpose, and is not particularly limited. From the viewpoint of increasing the reaction rate and generating the base efficiently, the heating temperature for generating the base is preferably 30 ° C. or higher, more preferably 60 ° C. or higher, still more preferably 100 ° C. or higher, Especially preferably, it is 120 degreeC or more.
Moreover, in order to prevent decomposition | disassembly other than base generation | occurrence | production of the thermal base generator represented by said Formula (1), it is preferable to heat at 300 degrees C or less.

本発明の前記式(1)で表される熱塩基発生剤の合成方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
前記式(1)のRに置換基を導入する場合、まず、各置換基を導入したヒドロキシフェニル−(C=O)−R(例えば、Rがメチル基の場合は、各置換基を導入した2’−ヒドロキシフェニルメチルケトン)の合成を行う。たとえば、対応する置換基を有するフェノールに、Friedel-Craftsアシル化反応を行うことで、各置換基を導入したヒドロキシフェニル−(C=O)−Rの合成できる。次に、各置換基を導入したヒドロキシフェニル−(C=O)−Rに、wittig反応、Knoevenagel反応、又はPerkin反応を行うことで、各置換基を導入した桂皮酸誘導体の合成を行う。そして、上記各置換基を導入した桂皮酸誘導体に、適宜選択されたアミンや塩基性物質を縮合し、目的物を得ることができる。
Examples of the method for synthesizing the thermal base generator represented by the formula (1) of the present invention include the following methods.
When introducing a substituent into R 3 of the formula (1), first, hydroxyphenyl- (C═O) —R 3 into which each substituent is introduced (for example, when R 3 is a methyl group, 2'-hydroxyphenylmethylketone) is synthesized. For example, by carrying out Friedel-Crafts acylation reaction to a phenol having a corresponding substituent, it is possible to synthesize hydroxyphenyl- (C═O) —R 3 into which each substituent is introduced. Next, a cinnamic acid derivative into which each substituent is introduced is synthesized by performing a wittig reaction, a Knoevenagel reaction, or a Perkin reaction on hydroxyphenyl- (C═O) —R 3 into which each substituent is introduced. Then, an appropriately selected amine or basic substance can be condensed with the cinnamic acid derivative into which each of the above substituents is introduced to obtain the target product.

また、前記式(1)のRが水素原子の場合、まず、各置換基を導入したヒドロキシベンズアルデヒドの合成を行う。各置換基を導入したヒドロキシベンズアルデヒドの合成は、対応する置換基を有するフェノールにDuff反応やVilsmeier−Haack反応を行うことで合成できる。次に、各置換基を導入したヒドロキシベンズアルデヒドに、上記と同様にして各置換基を導入した桂皮酸誘導体の合成を行う。そして、上記各置換基を導入した桂皮酸誘導体に、適宜選択されたアミンや塩基性物質を縮合し、目的物を得ることができる。
本発明の熱塩基発生剤の合成方法はこれに限定されるものではない。本発明の熱塩基発生剤は、複数の従来公知の合成ルートを組み合わせて合成することができる。
When R 3 in the formula (1) is a hydrogen atom, first, hydroxybenzaldehyde into which each substituent is introduced is synthesized. The synthesis of hydroxybenzaldehyde into which each substituent is introduced can be synthesized by performing Duff reaction or Vilsmeier-Haack reaction on the phenol having the corresponding substituent. Next, a cinnamic acid derivative in which each substituent is introduced into hydroxybenzaldehyde into which each substituent is introduced is synthesized in the same manner as described above. Then, an appropriately selected amine or basic substance can be condensed with the cinnamic acid derivative into which each of the above substituents is introduced to obtain the target product.
The method for synthesizing the thermal base generator of the present invention is not limited to this. The thermal base generator of the present invention can be synthesized by combining a plurality of conventionally known synthesis routes.

<高分子前駆体組成物>
本発明に係る高分子前駆体組成物は、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、及び、前記本発明に係る下記化学式(1)で表わされ且つ加熱により塩基を発生する熱塩基発生剤を含有することを特徴とする。
<Polymer precursor composition>
The polymer precursor composition according to the present invention includes a polymer precursor whose reaction to the final product is promoted by heating with a basic substance or in the presence of a basic substance, and the following according to the present invention: It is represented by the chemical formula (1) and contains a thermal base generator that generates a base by heating.

Figure 0005768348
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRの少なくとも1つは有機基である。Rは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、又は有機基である。R、R、R及びRは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Rが水素である場合には、R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しており、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
Figure 0005768348
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an organic group and may be the same or different. R 1 and R 2 are bonded to form a cyclic structure. And at least one of R 1 and R 2 is an organic group, and R 3 is hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide. A group, a silyl group, a silanol group, a nitro group, a nitroso group, a sulfino group, a sulfo group, a sulfonate group, a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphono group, a phosphonato group, or an organic group, R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl A group, a phosphono group, a phosphonato group, an amino group, an ammonio group, or an organic group, which may be the same or different, and R 4 , R 5 , R 6, and R 7 are bonded together. A cyclic structure, which may contain a heteroatom bond, provided that R 3 is hydrogen, R 4 , R 5 , R 6 and R 7. Are bonded to each other to form a cyclic structure, and the cyclic structure may include a heteroatom bond.)

上述のように、前記式(1)で表される熱塩基発生剤は、上記特定の構造を有することにより、加熱により(−CR=CH−C(=O)−)部分がシス体へと異性化し、さらに加熱されることにより塩基(NHR)を発生する。また、高分子前駆体は、前記熱塩基発生剤から発生した塩基の作用によって最終生成物への反応が促進される。その結果、本発明の高分子前駆体組成物は、保存安定性が良好でありながら、より低温で高分子前駆体から高分子に変換でき、且つ、アウトガスを発生し難いという効果を奏する。本発明の高分子前駆体組成物は、反応に要する処理温度を低減できる為、プロセスへの負荷や製品への熱によるダメージを低減することが可能である。また、使用される塩基は、酸と異なり、金属の腐食を起こさないため、より信頼性の高い硬化膜を得ることが出来る。なお、より低温で高分子前駆体から高分子に変換する態様には、塩基の作用のみによって高分子に変換する態様も含まれる。 As described above, the thermal base generator represented by the formula (1) has the above specific structure, so that the (—CR 3 ═CH—C (═O) —) moiety is converted into a cis isomer by heating. And the base (NHR 1 R 2 ) is generated by further heating. In addition, the polymer precursor is promoted to react with the final product by the action of the base generated from the thermal base generator. As a result, the polymer precursor composition of the present invention has an effect that it can be converted from a polymer precursor to a polymer at a lower temperature and does not easily generate outgas, while having good storage stability. Since the polymer precursor composition of the present invention can reduce the processing temperature required for the reaction, it is possible to reduce the load on the process and the damage to the product due to heat. Moreover, since the base used does not cause metal corrosion unlike an acid, a more reliable cured film can be obtained. In addition, the aspect which converts into a polymer only by the effect | action of a base is also contained in the aspect converted into a polymer from a polymer precursor at lower temperature.

本発明の高分子前駆体組成物は、典型的には、非感光性樹脂組成物乃至熱硬化性樹脂組成物として用いられる。しかしながら、高分子前駆体自体に感光性部位を有するか、感光性成分を更に添加する場合には、感光性樹脂組成物として機能してもよい。   The polymer precursor composition of the present invention is typically used as a non-photosensitive resin composition or a thermosetting resin composition. However, when the polymer precursor itself has a photosensitive portion or a photosensitive component is further added, it may function as a photosensitive resin composition.

以下、本発明に係る高分子前駆体組成物の構成成分を説明するが、本発明に係る高分子前駆体組成物に用いられる熱塩基発生剤については、上記本発明に係る熱塩基発生剤と同様のものを用いることができるので、ここでの説明を省略する。従って、高分子前駆体、並びに、必要に応じて適宜含むことができるその他の成分について順に説明する。
熱塩基発生剤及び高分子前駆体としては、1種単独で用いても良いし、2種以上混合して用いても良い。
Hereinafter, components of the polymer precursor composition according to the present invention will be described. The thermal base generator used in the polymer precursor composition according to the present invention is the same as the thermal base generator according to the present invention. Since the same thing can be used, description here is abbreviate | omitted. Therefore, the polymer precursor and other components that can be appropriately included as necessary will be described in order.
As the thermal base generator and the polymer precursor, one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used.

<高分子前駆体>
本発明の高分子前駆体組成物に用いる高分子前駆体とは、反応により最終的に目的の物性を示す高分子となる物質を意味し、当該反応には分子間反応及び分子内反応がある。高分子前駆体自体は、比較的低分子の化合物であっても高分子化合物であってもよい。
また、本発明の高分子前駆体は、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される化合物である。ここで、高分子前駆体が、塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される態様には、高分子前駆体が塩基性物質の作用のみによって最終生成物に変化する態様のみならず、塩基性物質の作用によって高分子前駆体の最終生成物への反応温度が、塩基性物質の作用がない場合に比べて低下するような態様が含まれる。
<Polymer precursor>
The polymer precursor used in the polymer precursor composition of the present invention means a substance that finally becomes a polymer showing the desired physical properties by reaction, and the reaction includes intermolecular reaction and intramolecular reaction. . The polymer precursor itself may be a relatively low molecular compound or a high molecular compound.
The polymer precursor of the present invention is a compound whose reaction to the final product is promoted by a basic substance or by heating in the presence of the basic substance. Here, in the aspect in which the polymer precursor is accelerated by the basic substance or by heating in the presence of the basic substance, the reaction to the final product is accelerated only by the action of the basic substance. In addition to the mode of changing to the final product, the mode includes the mode in which the reaction temperature of the polymer precursor to the final product is lowered by the action of the basic substance as compared to the case where there is no action of the basic substance. .

本発明の高分子前駆体としては、上記の様な塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進されるものであれば特に制限なく使用が可能である。下記に代表的な例を挙げるが、これらに限定されるものではない。   The polymer precursor of the present invention can be used without particular limitation as long as the reaction to the final product is promoted by the basic substance as described above or by heating in the presence of the basic substance. is there. The following are typical examples, but the invention is not limited to these.

[分子間反応により高分子となる高分子前駆体]
分子間反応により目的の高分子となる高分子前駆体としては、反応性置換基を有し重合反応をする化合物及び高分子、又は、分子間に結合を形成する反応(架橋反応)をする化合物及び高分子がある。当該反応性置換基としては、エポキシ基、オキセタン基、チイラン基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、シラノール基等が挙げられる。また、高分子前駆体には、分子間で加水分解・重縮合する化合物も含まれ、反応性置換基には、ポリシロキサン前駆体の−SiX(ここで、Xはアルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、及びハロゲンよりなる群から選択される加水分解性基)も挙げられる。
[Polymer precursor that becomes polymer by intermolecular reaction]
Examples of the polymer precursor that becomes a target polymer by intermolecular reaction include a compound having a reactive substituent and a polymerization reaction and a polymer, or a compound that forms a bond (crosslinking reaction) between molecules. And polymers. Examples of the reactive substituent include an epoxy group, an oxetane group, a thiirane group, an isocyanate group, a hydroxyl group, and a silanol group. In addition, the polymer precursor includes a compound that undergoes hydrolysis and polycondensation between molecules, and the reactive substituent includes -SiX of the polysiloxane precursor (where X is an alkoxy group, an acetoxy group, an oxime). And a hydrolyzable group selected from the group consisting of a group, an enoxy group, an amino group, an aminoxy group, an amide group, and a halogen).

反応性置換基を有し重合反応をする化合物としては、例えば、1個以上のエポキシ基を有する化合物、1個以上のオキセタン基を有する化合物、及び1個以上のチイラン基を有する化合物が挙げられる。
反応性置換基を有し重合反応をする高分子としては、例えば、2個以上のエポキシ基を有する高分子(エポキシ樹脂)、2個以上のオキセタン基を有する高分子、及び2個以上のチイラン基を有する高分子が挙げられる。下記に特にエポキシ基を有する化合物及び高分子について具体的に説明するが、オキセタン基、チイラン基を有する化合物及び高分子についても同様に用いることが可能である。
Examples of the compound having a reactive substituent and undergoing a polymerization reaction include a compound having one or more epoxy groups, a compound having one or more oxetane groups, and a compound having one or more thiirane groups. .
Examples of the polymer that has a reactive substituent and undergoes a polymerization reaction include a polymer having two or more epoxy groups (epoxy resin), a polymer having two or more oxetane groups, and two or more thiiranes. And a polymer having a group. The compounds and polymers having an epoxy group are specifically described below, but compounds and polymers having an oxetane group and a thiirane group can also be used in the same manner.

(エポキシ基を有する化合物及び高分子)
上記1個以上のエポキシ基を有する化合物及び高分子としては、分子内に1個以上のエポキシ基を有するものであれば特に制限なく、従来公知のものを使用できる。
前記熱塩基発生剤は、一般的には分子内に1個以上のエポキシ基を有する化合物の硬化触媒としての機能も有する。
(Compound having epoxy group and polymer)
The compound and polymer having one or more epoxy groups are not particularly limited as long as they have one or more epoxy groups in the molecule, and conventionally known compounds can be used.
The thermal base generator generally has a function as a curing catalyst for a compound having one or more epoxy groups in the molecule.

分子内に1個以上のエポキシ基を有する化合物又は分子内に2個以上のエポキシ基を有する高分子(エポキシ樹脂)を用いる場合は、エポキシ基との反応性を有する官能基を分子内に二つ以上有する化合物を併用してもよい。ここでエポキシ基との反応性を有する官能基とは、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、メルカプト基、1級又は2級の芳香族アミノ基等が挙げられる。これらの官能基は、3次元硬化性を考慮して、一分子中に2つ以上有することが特に好ましい。
また、重量平均分子量3,000〜100,000のポリマー側鎖に上記官能基を導入したものを用いることが好ましい。3,000未満では膜強度の低下及び硬化膜表面にタック性が生じ、不純物等が付着しやすくなる恐れがある。また、100,000より大きいと粘度が増大する恐れがあり好ましくない。
When using a compound having one or more epoxy groups in the molecule or a polymer (epoxy resin) having two or more epoxy groups in the molecule, two functional groups having reactivity with the epoxy group are contained in the molecule. Two or more compounds may be used in combination. Here, examples of the functional group having reactivity with an epoxy group include a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a mercapto group, a primary or secondary aromatic amino group, and the like. It is particularly preferable to have two or more of these functional groups in one molecule in consideration of three-dimensional curability.
Moreover, it is preferable to use what introduce | transduced the said functional group into the polymer side chain of weight average molecular weight 3,000-100,000. If it is less than 3,000, film strength is lowered and tackiness is caused on the surface of the cured film, which may cause impurities and the like to easily adhere. On the other hand, if it exceeds 100,000, the viscosity may increase, which is not preferable.

分子内に1個以上のエポキシ基を有する高分子としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられ、ビスフェノールAとエピクロルヒドリンから誘導されるビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールFとエピクロルヒドリンから誘導されるビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ジフェニルエーテル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、3官能型エポキシ樹脂や4官能型エポキシ樹脂等の多官能型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂等があり、これらのエポキシ樹脂はハロゲン化されていてもよく、水素添加されていてもよい。市販されているエポキシ樹脂製品としては、例えばジャパンエポキシレジン株式会社製のJERコート828、1001、801N、806、807、152、604、630、871、YX8000、YX8034、YX4000、DIC株式会社製のエピクロン830、EXA835LV、HP4032D、HP820、株式会社ADEKA製のEP4100シリーズ、EP4000シリーズ、EPUシリーズ、ダイセル化学株式会社製のセロキサイドシリーズ(2021、2021P、2083、2085、3000等)、エポリードシリーズ、EHPEシリーズ、新日鐵化学社製のYDシリーズ、YDFシリーズ、YDCNシリーズ、YDBシリーズ、フェノキシ樹脂(ビスフェノール類とエピクロルヒドリンより合成されるポリヒドロキシポリエーテルで両末端にエポキシ基を有する;YPシリーズ等)、ナガセケムテックス社製のデナコールシリーズ、共栄社化学社製のエポライトシリーズ等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらのエポキシ樹脂は、2種以上を併用してもよい。これらの中で、他の各種のエポキシ化合物と比較すると分子量の異なるグレードが広く入手可能で、接着性や反応性等を任意に設定できる点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。   Examples of the polymer having one or more epoxy groups in the molecule include epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins derived from bisphenol A and epichlorohydrin, bisphenol F type epoxy derived from bisphenol F and epichlorohydrin. Resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bisphenol F novolak type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, diphenyl ether type epoxy resin, hydroquinone type epoxy resin, Polyfunctional epoxy resins such as naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, trifunctional type epoxy resin and tetrafunctional type epoxy resin, There are lysidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, hydantoin type epoxy resins, isocyanurate type epoxy resins, aliphatic chain epoxy resins, etc. These epoxy resins may be halogenated and hydrogenated. It may be. As commercially available epoxy resin products, for example, JER Coat 828, 1001, 801N, 806, 807, 152, 604, 630, 871, YX8000, YX8034, YX4000 manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., Epicron manufactured by DIC Corporation 830, EXA835LV, HP4032D, HP820, EP4100 series, EP4000 series, EPU series, manufactured by ADEKA Co., Ltd., Celoxide series (2021, 2021P, 2083, 2085, 3000, etc.) manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., Eporide series, EHPE Series, YD series, YDF series, YDCN series, YDB series, phenoxy resin (polyethylene synthesized from bisphenols and epichlorohydrin) B carboxymethyl having an epoxy group at both ends with polyether; YP series, etc.), Nagase ChemteX Corporation of Denacol series manufactured by Kyoeisha but Chemical Co. Epo light series, and the like are not limited thereto. Two or more of these epoxy resins may be used in combination. Among these, bisphenol-type epoxy resins are preferable because grades having different molecular weights are widely available as compared with other various epoxy compounds, and adhesiveness and reactivity can be arbitrarily set.

一方、分子間で架橋反応をする化合物としては、例えば、分子内に2個以上のイソシアネート基を有する化合物及び分子内に2個以上のヒドロキシル基を有する化合物の組み合わせが挙げられ、当該イソシアネート基とヒドロキシル基との反応により、分子間にウレタン結合が形成され高分子となり得る。
分子間で架橋反応をする高分子としては、例えば、分子内に2個以上のイソシアネート基を有する高分子(イソシアネート樹脂)と分子内に2個以上のヒドロキシル基を有する高分子(ポリオール)の組み合わせが挙げられる。
また、分子間で架橋反応をする化合物と高分子の組み合わせを用いても良い。例えば、分子内に2個以上のイソシアネート基を有する高分子(イソシアネート樹脂)と分子内に2個以上のヒドロキシル基を有する化合物の組み合わせ、及び、分子内に2個以上のイソシアネート基を有する化合物と分子内に2個以上のヒドロキシル基を有する高分子(ポリオール)の組み合わせ等が挙げられる。
On the other hand, examples of the compound that crosslinks between molecules include a combination of a compound having two or more isocyanate groups in the molecule and a compound having two or more hydroxyl groups in the molecule. By the reaction with the hydroxyl group, a urethane bond is formed between the molecules, and the polymer can be formed.
As a polymer that undergoes a cross-linking reaction between molecules, for example, a combination of a polymer having two or more isocyanate groups in the molecule (isocyanate resin) and a polymer having two or more hydroxyl groups in the molecule (polyol) Is mentioned.
A combination of a compound that undergoes a cross-linking reaction between molecules and a polymer may be used. For example, a combination of a polymer (isocyanate resin) having two or more isocyanate groups in the molecule and a compound having two or more hydroxyl groups in the molecule, and a compound having two or more isocyanate groups in the molecule Examples include a combination of polymers (polyols) having two or more hydroxyl groups in the molecule.

(イソシアネート基を有する化合物及び高分子)
イソシアネート基をもつ化合物及び高分子としては、分子内に2個以上のイソシアネート基を有するものであれば特に制限なく、公知のものを使用できる。このような化合物としては、p−フェニレンジイソシアネート、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等に代表される低分子化合物の他に、オリゴマー、重量平均分子量3,000以上のポリマーの側鎖又は末端にイソシアネート基が存在する高分子を用いてもよい。
(Compounds and polymers having isocyanate groups)
As the compound and polymer having an isocyanate group, any known compound can be used without particular limitation as long as it has two or more isocyanate groups in the molecule. As such a compound, in addition to low molecular weight compounds represented by p-phenylene diisocyanate, 2,4-toluene diisocyanate, 2,6-toluene diisocyanate, 1,5-naphthalene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, oligomers, A polymer having an isocyanate group in the side chain or terminal of a polymer having a weight average molecular weight of 3,000 or more may be used.

(ヒドロキシル基を有する化合物及び高分子)
前記イソシアネート基を持つ化合物及び高分子は、通常、分子内にヒドロキシル基を持つ化合物と組み合わせて用いられる。このようなヒドロキシル基を有する化合物としては、分子内に2個以上のヒドロキシル基を有するものであれば特に制限なく、公知のものを使用できる。このような化合物としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジグリセリン、ペンタエリスリトール等の低分子化合物の他に、重量平均分子量3,000以上のポリマーの側鎖又は末端にヒドロキシル基が存在する高分子を用いてもよい。
(Compounds having a hydroxyl group and polymers)
The compound and polymer having an isocyanate group are usually used in combination with a compound having a hydroxyl group in the molecule. The compound having such a hydroxyl group is not particularly limited as long as it has two or more hydroxyl groups in the molecule, and known compounds can be used. As such a compound, in addition to low molecular weight compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, glycerin, diglycerin and pentaerythritol, a polymer having a weight average molecular weight of 3,000 or more has a hydroxyl group in the side chain or terminal. A molecule may be used.

(ポリシロキサン前駆体)
分子間で加水分解・重縮合する化合物としては、たとえばポリシロキサン前駆体が挙げられる。
ポリシロキサン前駆体としては、YnSiX(4−n)(ここで、Yは置換基を有していても良いアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、フェニル基、または水素を示し、Xはアルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、及びハロゲンよりなる群から選択される加水分解性基を示す。nは0〜3までの整数である。) で示される有機ケイ素化合物及び当該有機ケイ素化合物の加水分解重縮合物が挙げられる。中でも、上記式においてnが0〜2であるものが好ましい。また、シリカ分散オリゴマー溶液の調製がし易く入手も容易な点から、上記加水分解性基としては、アルコキシ基であるものが好ましい。
上記有機ケイ素化合物としては、特に制限なく、公知のものを使用できる。例えば、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリt−ブトキシシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、ジメチルジクロルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、フッ素系シランカップリング剤として知られたフルオロアルキルシラン、および、それらの加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物;並びに、それらの混合物を挙げることができる。
(Polysiloxane precursor)
Examples of the compound that undergoes hydrolysis and polycondensation between molecules include polysiloxane precursors.
As the polysiloxane precursor, YnSiX (4-n) (wherein Y represents an alkyl group, fluoroalkyl group, vinyl group, phenyl group, or hydrogen which may have a substituent, and X represents an alkoxy group. , An acetoxy group, an oxime group, an enoxy group, an amino group, an aminoxy group, an amide group, and a hydrolyzable group selected from the group consisting of halogens, where n is an integer from 0 to 3. Examples include organosilicon compounds and hydrolyzed polycondensates of the organosilicon compounds. Among these, those in which n is 0 to 2 in the above formula are preferable. Further, from the viewpoint that the silica-dispersed oligomer solution is easily prepared and easily available, the hydrolyzable group is preferably an alkoxy group.
There is no restriction | limiting in particular as said organosilicon compound, A well-known thing can be used. For example, trimethoxysilane, triethoxysilane, methyltrichlorosilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltriisopropoxysilane, methyltrit-butoxysilane, ethyltribromosilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane , N-propyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrabutoxysilane, dimethoxydiethoxysilane, dimethyldichlorosilane, dimethyldimethoxysilane , Diphenyldimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-mercaptopropylmethyldiethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, β- (3 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, fluoroalkylsilanes known as fluorine-based silane coupling agents, and their hydrolysis condensates or cohydrolysis condensates; and mixtures thereof.

[分子内閉環反応により高分子となる高分子前駆体]
分子内閉環反応によって最終的に目的の物性を示す高分子となる高分子前駆体としてはポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体等がある。これらの前駆体は2種類以上の別々に合成した高分子前駆体の混合物でもよい。
以下、本発明の好ましい高分子前駆体であるポリイミド前駆体とポリベンゾオキサゾール前駆体について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[Polymer precursor that becomes polymer by intramolecular ring-closing reaction]
Examples of the polymer precursor that finally becomes a polymer that exhibits the desired physical properties by the intramolecular ring-closing reaction include a polyimide precursor and a polybenzoxazole precursor. These precursors may be a mixture of two or more separately synthesized polymer precursors.
Hereinafter, although the polyimide precursor and polybenzoxazole precursor which are the preferable polymer precursors of this invention are demonstrated, this invention is not limited to these.

(ポリイミド前駆体)
ポリイミド前駆体としては、下記化学式(3)で表される繰り返し単位を有するポリアミック酸が好適に用いられる。
(Polyimide precursor)
As the polyimide precursor, a polyamic acid having a repeating unit represented by the following chemical formula (3) is preferably used.

Figure 0005768348
(式(3)中、Rは4価の有機基である。R10は2価の有機基である。R11及びR12は、水素原子、又は1価の有機基である。nは1以上の自然数である。)
Figure 0005768348
(In Formula (3), R 9 is a tetravalent organic group. R 10 is a divalent organic group. R 11 and R 12 are a hydrogen atom or a monovalent organic group. (It is a natural number of 1 or more.)

11及びR12が1価の有機基である場合としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、及び、これらにエーテル結合を含有したC2nOC2m+1などで表される構造等を挙げることができる。
ポリイミド前駆体としては、R11及びR12が水素原子であるようなポリアミック酸が、アルカリ現像性の点から好適に用いられる。
Examples of the case where R 11 and R 12 are monovalent organic groups include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, aryl groups, and C n H 2n OC m H 2m + 1 containing an ether bond in these groups. The structure represented can be mentioned.
As the polyimide precursor, a polyamic acid in which R 11 and R 12 are hydrogen atoms is preferably used from the viewpoint of alkali developability.

なお、Rの4価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、R10の2価はアミンと結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。 In addition, although the tetravalence of R 9 shows only the valence for bonding with an acid, it may have another substituent. Similarly, the divalent value of R 10 indicates only the valence for bonding with the amine, but may have other substituents.

ポリアミック酸は、酸二無水物とジアミンを溶液中で混合するのみで得られるので、1段階の反応で合成することができ、合成が容易で低コストで入手できるので好ましい。
また、用いる高分子前駆体がポリアミック酸である場合、塩基性物質の触媒効果によりイミド化に要する温度が低くても十分な為、最終キュア温度を300℃未満、更に好ましくは250℃以下まで下げることが可能である。従来のポリアミック酸はイミド化するために最終キュア温度を300℃以上とする必要があった為、用途が制限されていたが、最終キュア温度を下げることが可能になったことによって、より広範囲の用途に適用が可能である。
Polyamic acid is preferable because it can be obtained by simply mixing acid dianhydride and diamine in a solution, so that it can be synthesized by a one-step reaction, and can be synthesized easily and at low cost.
Further, when the polymer precursor to be used is a polyamic acid, it is sufficient even if the temperature required for imidization is low due to the catalytic effect of the basic substance, so the final curing temperature is lowered to less than 300 ° C, more preferably to 250 ° C or less. It is possible. In order to imidize the conventional polyamic acid, the final cure temperature had to be 300 ° C. or higher, so the use was limited. However, it became possible to lower the final cure temperature, so a wider range Applicable to usage.

ポリアミック酸は、酸二無水物とジアミンの反応により得られるが、最終的に得られるポリイミドに優れた耐熱性及び寸法安定性を付与する点から、前記化学式(3)において、R又はR10が芳香族化合物であることが好ましく、R及びR10が芳香族化合物であることがより好ましい。またこのとき、前記化学式(3)のRにおいて、当該Rに結合している4つの基((−CO−)(−COOH))は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。同様に、前記化学式(3)のR10において、当該R10に結合している2つの基((−NH−))は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。 Polyamic acid is obtained by the reaction of acid dianhydride and diamine. From the viewpoint of imparting excellent heat resistance and dimensional stability to the finally obtained polyimide, R 9 or R 10 in the chemical formula (3). Is preferably an aromatic compound, and R 9 and R 10 are more preferably aromatic compounds. At this time, in R 9 of the chemical formula (3), four groups ((—CO—) 2 (—COOH) 2 ) bonded to R 9 may be bonded to the same aromatic ring. May be bonded to different aromatic rings. Similarly, in R 10 of the chemical formula (3), two groups ((—NH—) 2 ) bonded to R 10 may be bonded to the same aromatic ring or bonded to different aromatic rings. You may do it.

また、前記化学式(3)で表されるポリアミック酸は、単一の繰り返し単位からなるものでも、2種以上の繰り返し単位から成るものでもよい。   The polyamic acid represented by the chemical formula (3) may be composed of a single repeating unit or may be composed of two or more kinds of repeating units.

本発明のポリイミド前駆体を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、(1)酸二無水物とジアミンから前駆体であるポリアミド酸を合成する手法。(2)酸二無水物に1価のアルコールやアミノ化合物、エポキシ化合物等を反応させ合成した、エステル酸やアミド酸モノマーのカルボン酸に、ジアミノ化合物やその誘導体を反応させてポリイミド前駆体を合成する手法などが挙げられるがこれに限定されない。   As a method for producing the polyimide precursor of the present invention, a conventionally known method can be applied. For example, (1) A method of synthesizing a polyamic acid as a precursor from an acid dianhydride and a diamine. (2) A polyimide precursor is synthesized by reacting a carboxylic acid such as an ester acid or an amic acid monomer with a monohydric alcohol, an amino compound, or an epoxy compound synthesized with an acid dianhydride. However, the method is not limited to this.

本発明のポリイミド前駆体を得るための反応に適用可能な酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、1,4−ビス〔(3,4−ジカルボキシ)ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、   Examples of the acid dianhydride applicable to the reaction for obtaining the polyimide precursor of the present invention include ethylene tetracarboxylic dianhydride, butane tetracarboxylic dianhydride, cyclobutane tetracarboxylic dianhydride, and methylcyclobutane. Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as tetracarboxylic dianhydride and cyclopentanetetracarboxylic dianhydride; pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride 2,2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,3 ′, 3,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic Acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid Anhydride, 2,2 ′, 6,6′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3- Dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1-bis (2,3-di Carboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxy) Phenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoropropane dianhydride, , 3-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 1,4-bis [(3,4-dicarboxy) benzoyl] benzene dianhydride, 2,2-bis {4- [ 4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride,

2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}プロパン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、4,4’−ビス〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、4,4’−ビス〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}ケトン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルホン二無水物、ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}スルフィド二無水物、2,2−ビス{4−〔4−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス{4−〔3−(1,2−ジカルボキシ)フェノキシ〕フェニル}−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、m−ターフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、p−ターフェニル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは2種以上混合して用いられる。そして、特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,6,6’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物が挙げられる。 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} propane dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride Bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, 4,4′-bis [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, 4,4′-bis [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] biphenyl dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis { 4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} ketone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarbo Cis) phenoxy] phenyl} sulfone dianhydride, bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) Phenoxy] phenyl} sulfide dianhydride, 2,2-bis {4- [4- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride 2,2-bis {4- [3- (1,2-dicarboxy) phenoxy] phenyl} -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride, 2,3,6 , 7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetraca Boronic acid dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic Acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride, pyridinetetracarboxylic dianhydride, sulfonyldiphthalic anhydride , Aromatic tetra such as m-terphenyl-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic dianhydride, p-terphenyl-3,3 ′, 4,4′-tetracarboxylic dianhydride Examples thereof include carboxylic dianhydrides. These may be used alone or in combination of two or more. And as a particularly preferred tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetra Carboxylic dianhydride, 2,2 ′, 6,6′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 2,2-bis (3,4-di Carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane dianhydride.

併用する酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物や、脂環骨格を有する酸二無水物を用いると、透明性を損なわずに溶解性や熱膨張率等の物性を調整することが可能である。また、ピロメリット酸無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミドの線熱膨張係数が小さくなるが、透明性の向上を阻害する傾向があるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。   Using acid dianhydride with fluorine introduced or acid dianhydride having an alicyclic skeleton as the acid dianhydride to be used in combination adjusts physical properties such as solubility and thermal expansion without losing transparency. Is possible. Also, rigid acid dianhydrides such as pyromellitic acid anhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, etc. If used, the linear thermal expansion coefficient of the finally obtained polyimide becomes small, but it tends to inhibit the improvement of transparency, so it may be used in combination while paying attention to the copolymerization ratio.

一方、アミン成分も、1種類のジアミン単独で、または2種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は限定されず、p−フェニレンジアミン、
m−フェニレンジアミン、o−フェニレンジアミン、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)プロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ジ(3−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ジ(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2−(3−アミノフェニル)−2−(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,1−ジ(3−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,1−ジ(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1−(3−アミノフェニル)−1−(4−アミノフェニル)−1−フェニルエタン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノベンゾイル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−α,α−ジトリフルオロメチルベンジル)ベンゼン、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゾニトリル、2,6−ビス(3−アミノフェノキシ)ピリジン、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフィド、
On the other hand, the amine component can also be used alone or in combination of two or more diamines. The diamine component used is not limited, p-phenylenediamine,
m-phenylenediamine, o-phenylenediamine, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl sulfide, 3,4′-diaminodiphenyl Sulfide, 4,4′-diaminodiphenylsulfide, 3,3′-diaminodiphenylsulfone, 3,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 3,3′-diaminobenzophenone, 4,4 ′ -Diaminobenzophenone, 3,4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-di (3-aminophenyl) propane, 2 , 2-Di (4-aminophenyl) propa 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2,2-di (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2, 2-di (4-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) -1,1,1, 3,3,3-hexafluoropropane, 1,1-di (3-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,1-di (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1- (3-amino Phenyl) -1- (4-aminophenyl) -1-phenylethane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3 -Aminophenoxy) benzene, 1,4- (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,4-bis (3-aminobenzoyl) benzene, 1, 4-bis (4-aminobenzoyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1 , 4-bis (3-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (3-amino-α, α -Ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,3-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 1,4-bis (3-amino-α, α-ditrifluoromethylben) L) benzene, 1,4-bis (4-amino-α, α-ditrifluoromethylbenzyl) benzene, 2,6-bis (3-aminophenoxy) benzonitrile, 2,6-bis (3-aminophenoxy) Pyridine, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (4 -Aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfide,

ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,3−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、1,4−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−α,α−ジメチルベンジル]ベンゼン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)ベンゾイル]ジフェニルエーテル、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ベンゾフェノン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−α,α−ジメチルベンジル)フェノキシ]ジフェニルスルホン、4,4’−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェノキシ]ジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジビフェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−フェノキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4−ビフェノキシベンゾフェノン、6,6’−ビス(3−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン、6,6’−ビス(4−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン等の芳香族アミン; Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-amino) Phenoxy) phenyl] ether, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (3-Aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3 3,3-hexafluoropropane, 1,3-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] ben 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl] benzene, 1,3-bis [4- (3-amino Phenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,3-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (3-aminophenoxy) -Α, α-dimethylbenzyl] benzene, 1,4-bis [4- (4-aminophenoxy) -α, α-dimethylbenzyl] benzene, 4,4'-bis [4- (4-aminophenoxy) benzoyl ] Diphenyl ether, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) phenoxy] benzophenone, 4,4′-bis [4- (4-amino-α, α-dimethylbenzen) ) Phenoxy] diphenylsulfone, 4,4′-bis [4- (4-aminophenoxy) phenoxy] diphenylsulfone, 3,3′-diamino-4,4′-diphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4 , 4′-Dibiphenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-phenoxybenzophenone, 3,3′-diamino-4-biphenoxybenzophenone, 6,6′-bis (3-aminophenoxy) -3,3 Such as 3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane, 6,6′-bis (4-aminophenoxy) -3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiindane, etc. Aromatic amines;

1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アミノブチル)テトラメチルジシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン、α,ω−ビス(3−アミノブチル)ポリジメチルシロキサン、ビス(アミノメチル)エーテル、ビス(2−アミノエチル)エーテル、ビス(3−アミノプロピル)エーテル、ビス(2−アミノメトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(2−アミノエトキシ)エチル]エーテル、ビス[2−(3−アミノプロトキシ)エチル]エーテル、1,2−ビス(アミノメトキシ)エタン、1,2−ビス(2−アミノエトキシ)エタン、1,2−ビス[2−(アミノメトキシ)エトキシ]エタン、1,2−ビス[2−(2−アミノエトキシ)エトキシ]エタン、エチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、ジエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、エチレンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,11−ジアミノウンデカン、1,12−ジアミノドデカン等の脂肪族アミン;   1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, 1,3-bis (4-aminobutyl) tetramethyldisiloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane, α, ω -Bis (3-aminobutyl) polydimethylsiloxane, bis (aminomethyl) ether, bis (2-aminoethyl) ether, bis (3-aminopropyl) ether, bis (2-aminomethoxy) ethyl] ether, bis [ 2- (2-aminoethoxy) ethyl] ether, bis [2- (3-aminoprotoxy) ethyl] ether, 1,2-bis (aminomethoxy) ethane, 1,2-bis (2-aminoethoxy) ethane 1,2-bis [2- (aminomethoxy) ethoxy] ethane, 1,2-bis [2- (2-aminoethoxy) ethoxy] ethane Ethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, diethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, triethylene glycol bis (3-aminopropyl) ether, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1 , 5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12 -Aliphatic amines such as diaminododecane;

1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,3−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,2−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,3−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、1,4−ジ(2−アミノエチル)シクロヘキサン、ビス(4−アミノシクロへキシル)メタン、2,6−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、2,5−ビス(アミノメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン等の脂環式ジアミンが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。   1,2-diaminocyclohexane, 1,3-diaminocyclohexane, 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,3-di (2-aminoethyl) cyclohexane, 1,4 -Di (2-aminoethyl) cyclohexane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, 2,6-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 2,5-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] Alicyclic diamines such as heptane. Examples of guanamines include acetoguanamine, benzoguanamine, and the like, and some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of the diamine are fluoro group, methyl group, methoxy group, trifluoromethyl group, or trifluoromethoxy group. Diamines substituted with substituents selected from the group can also be used.

さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−4’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか1種又は2種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。   Furthermore, depending on the purpose, any one or two or more of the ethynyl group, benzocyclobuten-4′-yl group, vinyl group, allyl group, cyano group, isocyanate group, and isopropenyl group serving as a crosslinking point, Even if it introduce | transduces into some or all of the hydrogen atoms on the aromatic ring of diamine as a substituent, it can be used.

ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、p−フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、最終的に得られるポリイミドは低膨張率となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に2つアミノ基が結合しているジアミンとして、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、1,4−ジアミノナフタレン、1,5−ジアミノナフタレン、2、6−ジアミノナフタレン、2,7−ジアミノナフタレン、1,4―ジアミノアントラセンなどが挙げられる。   The diamine can be selected depending on the desired physical properties. If a rigid diamine such as p-phenylenediamine is used, the finally obtained polyimide has a low expansion coefficient. Rigid diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 1,4-diaminonaphthalene, 1,5-diaminonaphthalene, 2, 6 as diamines in which two amino groups are bonded to the same aromatic ring. -Diaminonaphthalene, 2,7-diaminonaphthalene, 1,4-diaminoanthracene and the like can be mentioned.

さらに、2つ以上の芳香族環が単結合により結合し、2つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式(4)により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。   In addition, diamines in which two or more aromatic rings are bonded by a single bond, and two or more amino groups are each bonded directly or as part of a substituent on a separate aromatic ring, for example, There exists what is represented by following formula (4). Specific examples include benzidine and the like.

Figure 0005768348
(化学式(4)中、aは1以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。)
Figure 0005768348
(In the chemical formula (4), a is a natural number of 1 or more, and the amino group is bonded to the meta position or the para position with respect to the bond between the benzene rings.)

さらに、上記式(4)において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。
具体例としては、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジトリフルオロメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。
Furthermore, in the above formula (4), it is also possible to use a diamine having a substituent at a position where the amino group on the benzene ring is not substituted without being involved in the bond with another benzene ring. These substituents are organic groups, but they may be bonded to each other.
Specific examples include 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-ditrifluoromethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dichloro-4,4′-diamino. Biphenyl, 3,3′-dimethoxy-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl and the like can be mentioned.

最終的に得られるポリイミドを光導波路、光回路部品として用いる場合には、芳香環の置換基としてフッ素を導入すると1μm以下の波長の電磁波に対しての透過率を向上させることができる。   When the finally obtained polyimide is used as an optical waveguide or an optical circuit component, the transmittance for electromagnetic waves having a wavelength of 1 μm or less can be improved by introducing fluorine as a substituent of the aromatic ring.

一方、ジアミンとして、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、最終的に得られるポリイミドの弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させることができる。
ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の60モル%、好ましくは40モル%を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いても良い。
On the other hand, when a diamine having a siloxane skeleton such as 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane is used as the diamine, the elastic modulus of the finally obtained polyimide is lowered and the glass transition temperature is lowered. be able to.
Here, the selected diamine is preferably an aromatic diamine from the viewpoint of heat resistance. However, depending on the desired physical properties, the diamine may be an aliphatic diamine or siloxane within a range not exceeding 60 mol%, preferably not exceeding 40 mol%. Non-aromatic diamines such as diamines may be used.

一方、ポリイミド前駆体を合成するには、例えば、アミン成分として4,4’−ジアミノジフェニルエーテルをN−メチルピロリドンなどの有機極性溶媒に溶解させた溶液を冷却しながら、そこへ等モルの3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を徐々に加え撹拌し、ポリイミド前駆体溶液を得ることができる。
このようにして合成されるポリイミド前駆体は、最終的に得られるポリイミドに耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び/又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が50モル%以上、特に70モル%以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が40モル%以上、特に60モル%以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドであることが特に好ましい。
On the other hand, in order to synthesize a polyimide precursor, for example, while cooling a solution in which 4,4′-diaminodiphenyl ether as an amine component is dissolved in an organic polar solvent such as N-methylpyrrolidone, 3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride is gradually added and stirred to obtain a polyimide precursor solution.
The polyimide precursor synthesized in this way has a copolymerization ratio of the aromatic acid component and / or aromatic amine component as large as possible when the final polyimide obtained is required to have heat resistance and dimensional stability. Is preferred. Specifically, the proportion of the aromatic acid component in the acid component constituting the repeating unit of the imide structure is preferably 50 mol% or more, particularly preferably 70 mol% or more, and the amine component constituting the repeating unit of the imide structure The proportion of the aromatic amine component in the total is preferably 40 mol% or more, particularly preferably 60 mol% or more, and particularly preferably a wholly aromatic polyimide.

<ポリベンゾオキサゾール前駆体>
本発明に用いられるポリベンゾオキサゾール前駆体としては、下記化学式(5)で表される繰り返し単位を有するポリアミドアルコールが好適に用いられる。
<Polybenzoxazole precursor>
As the polybenzoxazole precursor used in the present invention, a polyamide alcohol having a repeating unit represented by the following chemical formula (5) is preferably used.

ポリアミドアルコールは、従来公知の方法で合成することが可能で、例えば、ジカルボン酸ハロゲン化物などのジカルボン酸誘導体とジヒドロキシジアミンとを有機溶媒中で付加反応することにより得られる。   Polyamide alcohol can be synthesized by a conventionally known method. For example, it can be obtained by addition reaction of a dicarboxylic acid derivative such as a dicarboxylic acid halide and dihydroxydiamine in an organic solvent.

Figure 0005768348
(化学式(5)中、R13は2価の有機基である。R14は4価の有機基である。nは1以上の自然数である。)
Figure 0005768348
(In the chemical formula (5), R 13 is a divalent organic group. R 14 is a tetravalent organic group. N is a natural number of 1 or more.)

なお、R13の2価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、R14の4価はアミン及びヒドロキシル基と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。 In addition, although the divalent value of R 13 indicates only the valence for bonding with an acid, it may have another substituent. Similarly, the tetravalent value of R 14 indicates only the valency for bonding with an amine and a hydroxyl group, but may have other substituents.

前記化学式(5)で表される繰り返し単位を有するポリアミドアルコールは、最終的に得られるポリベンゾオキサゾールに優れた耐熱性及び寸法安定性を付与する点から、前記化学式(5)において、R13及びR14が芳香族化合物であることが好ましく、R13及びR14が芳香族化合物であることがより好ましい。またこのとき、前記化学式(5)のR13において、当該R13に結合している2つの基(−CO−)は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。同様に、前記化学式(5)のR14において、当該R14に結合している4つの基((−NH−)(−OH))は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。 The polyamide alcohol having a repeating unit represented by the chemical formula (5) gives excellent heat resistance and dimensional stability to the finally obtained polybenzoxazole. In the chemical formula (5), R 13 and R 14 is preferably an aromatic compound, and R 13 and R 14 are more preferably aromatic compounds. At this time, in R 13 of the chemical formula (5), two groups (—CO—) 2 bonded to the R 13 may be bonded to the same aromatic ring or bonded to different aromatic rings. May be. Similarly, in R 14 of the chemical formula (5), four groups ((—NH—) 2 (—OH) 2 ) bonded to R 14 may be bonded to the same aromatic ring, It may be bonded to different aromatic rings.

また、前記化学式(5)で表されるポリアミドアルコールは、単一の繰り返し単位からなるものでも、2種以上の繰り返し単位からなるものでもよい。   The polyamide alcohol represented by the chemical formula (5) may be composed of a single repeating unit or may be composed of two or more kinds of repeating units.

上記ポリベンゾオキサゾール前駆体を得るための反応に適用可能なジカルボン酸およびその誘導体としては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、4,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,4’−ベンゾフェノンジカルボン酸、3,3’−ベンゾフェノンジカルボン酸、4,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,4’−ビフェニルジカルボン酸、3,3’−ビフェニルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、3,3’−ジフェニルエーテルジカルボン酸、4,4’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,4’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、3,3’−ジフェニルスルホンジカルボン酸、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピリデン二安息香酸、4,4’−ジカルボキシジフェニルアミド、1,4−フェニレンジエタン酸、1,1−ビス(4−カルボキシフェニル)−1−フェニル−2,2,2−トリフルオロエタン、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラフェニルジシロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)テトラメチルジシロキサン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−カルボキシフェニル)メタン、5−t−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,2−ビス−(p−カルボキシフェニル)プロパン、4,4’−(p−フェニレンジオキシ)二安息香酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸、もしくはこれらの酸ハロゲン化物、およびヒドロキシベンゾトリアゾール等との活性エステル体などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。これらは単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。   Examples of the dicarboxylic acid and its derivatives applicable to the reaction for obtaining the polybenzoxazole precursor include phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4′-benzophenone dicarboxylic acid, and 3,4′-benzophenone dicarboxylic acid. Acid, 3,3′-benzophenone dicarboxylic acid, 4,4′-biphenyl dicarboxylic acid, 3,4′-biphenyl dicarboxylic acid, 3,3′-biphenyl dicarboxylic acid, 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid, 3,4 '-Diphenyl ether dicarboxylic acid, 3,3'-diphenyl ether dicarboxylic acid, 4,4'-diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 3,4'-diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 3,3'-diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 4,4'- Hexafluoroisopropylidene dibenzoic acid, 4 4′-dicarboxydiphenylamide, 1,4-phenylenediethanoic acid, 1,1-bis (4-carboxyphenyl) -1-phenyl-2,2,2-trifluoroethane, bis (4-carboxyphenyl) Tetraphenyldisiloxane, bis (4-carboxyphenyl) tetramethyldisiloxane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, bis (4-carboxyphenyl) methane, 5-t-butylisophthalic acid, 5-bromoisophthalic acid, 5 -Fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,2-bis- (p-carboxyphenyl) propane, 4,4 '-(p-phenylenedioxy) dibenzoic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, or These acid halides and active esters with hydroxybenzotriazole, etc. It can be exemplified, but the invention is not limited thereto. These may be used alone or in combination of two or more.

また、ヒドロキシジアミンの具体例としては、例えば、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、1,4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジアミノ−2,4−ジヒドロキシベンゼン、3−ジアミノ−4,6−ジヒドロキシベンゼンなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらは単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。   Specific examples of hydroxydiamine include, for example, 3,3′-dihydroxybenzidine, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenylsulfone, bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) methane, 2,2- Bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis- (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) Hexafluoropropane, bis- (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis- (4-amino-3- Droxyphenyl) propane, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybenzophenone, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenyl ether 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 1,4-diamino-2,5-dihydroxybenzene, 1,3-diamino-2,4-dihydroxybenzene, 3-diamino-4,6- Examples thereof include, but are not limited to, dihydroxybenzene. These may be used alone or in combination of two or more.

ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体等の高分子前駆体の重量平均分子量は、その用途にもよるが、3,000〜1,000,000の範囲であることが好ましく、5,000〜500,000の範囲であることがさらに好ましく、10,000〜500,000の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が3,000未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミド等の高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が1,000,000を超えると粘度が上昇し、溶解性も低下しやすく、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
ここで用いている分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体などの高分子前駆体そのものの分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後のものでも良い。
The weight average molecular weight of a polymer precursor such as a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is preferably in the range of 3,000 to 1,000,000, although it depends on the application, 5,000 to 500. Is more preferably in the range of 10,000 to 500,000. When the weight average molecular weight is less than 3,000, it is difficult to obtain sufficient strength when a coating film or film is used. In addition, the strength of the film is reduced when heat treatment or the like is performed to obtain a polymer such as polyimide. On the other hand, when the weight average molecular weight exceeds 1,000,000, the viscosity increases, the solubility tends to decrease, and it is difficult to obtain a coating film or film having a smooth surface and a uniform film thickness.
The molecular weight used here is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC), which may be the molecular weight of a polymer precursor itself such as a polyimide precursor, or chemical imidization with acetic anhydride or the like. It may be after processing.

なお、ポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体合成時における溶媒は、極性溶媒が望ましく、代表的なものとして、N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等があり、これらの溶媒は単独であるいは2種類以上を組み合わせて用いられる。この他にも溶媒として組合せて用いられるものとしてベンゼン、ベンゾニトリル、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ブチロラクトン、キシレン、トルエン、シクロヘキサノン等の非極性溶媒が挙げられ、これらの溶媒は、原料の分散媒、反応調節剤、あるいは生成物からの溶媒の揮散調節剤、皮膜平滑剤などとして使用される。   In addition, the solvent at the time of the polyimide precursor or polybenzoxazole precursor synthesis is preferably a polar solvent, and representative examples thereof include N-methyl-2-pyrrolidone, N-acetyl-2-pyrrolidone, and N, N-dimethylformamide. , N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylformamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoamide, pyridine, dimethylsulfone, tetramethylenesulfone, dimethyltetra Examples include methylene sulfone, diethylene glycol dimethyl ether, cyclopentanone, γ-butyrolactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, and these solvents are used alone or in combination of two or more. In addition to these, non-polar solvents such as benzene, benzonitrile, 1,4-dioxane, tetrahydrofuran, butyrolactone, xylene, toluene, cyclohexanone, and the like can be used as a solvent. It is used as a reaction regulator, a volatilization regulator of a solvent from the product, a film smoothing agent, and the like.

<その他の成分>
本発明に係る高分子前駆体組成物は、前記化学式(1)で表される熱塩基発生剤と、1種類以上の高分子前駆体と、溶媒の単純な混合物であってもよいが、さらに、光又は熱硬化性成分、高分子前駆体以外の非重合性バインダー樹脂、その他の成分を配合して、高分子前駆体組成物を調製してもよい。
<Other ingredients>
The polymer precursor composition according to the present invention may be a simple mixture of the thermal base generator represented by the chemical formula (1), one or more polymer precursors, and a solvent. The polymer precursor composition may be prepared by blending a light or thermosetting component, a non-polymerizable binder resin other than the polymer precursor, and other components.

高分子前駆体組成物を溶解、分散又は希釈する溶剤としては、各種の汎用溶剤を用いることが出来る。また、前駆体としてポリアミド酸を用いる場合には、ポリアミド酸の合成反応により得られた溶液をそのまま用い、そこに必要に応じて他の成分を混合しても良い。   Various general-purpose solvents can be used as a solvent for dissolving, dispersing or diluting the polymer precursor composition. Moreover, when using polyamic acid as a precursor, you may use the solution obtained by the synthesis reaction of polyamic acid as it is, and may mix other components there as needed.

使用可能な汎用溶剤としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類(いわゆるセロソルブ類);メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル(例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類;エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類;塩化メチレン、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエチレン、1−クロロプロパン、1−クロロブタン、1−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセトアミド等のアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−アセチル−2−ピロリドンなどのピロリドン類;γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等のラクトン類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどのスルホン類、ヘキサメチルフォスホアミド等のリン酸アミド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ピリジン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは組み合わせて用いられる。   Examples of general-purpose solvents that can be used include ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol dimethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol mono Glycol monoethers (so-called cellosolves) such as ethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether; methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, etc. Ketones; ethyl acetate, butyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, acetate esters of the above glycol monoethers (for example, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate), propylene Esters such as glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, dimethyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate; alcohols such as ethanol, propanol, butanol, hexanol, cyclohexanol, ethylene glycol, diethylene glycol, glycerin; methylene chloride, 1,1-dichloroethane, 1,2-dichloroethylene, 1-chloropropane, 1-chlorobutane, 1-chloropentane, chlorobenzene, bromobenzene, o- Halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene and m-dichlorobenzene; N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide and the like Amides of N; pyrrolidones such as N-methyl-2-pyrrolidone and N-acetyl-2-pyrrolidone; lactones such as γ-butyrolactone and α-acetyl-γ-butyrolactone; sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, Examples include sulfones such as tetramethylene sulfone and dimethyltetramethylene sulfone, phosphoric acid amides such as hexamethylphosphoamide, and other organic polar solvents, and aromatics such as benzene, toluene, xylene, and pyridine. Hydrocarbons and their Other organic nonpolar solvents are also included. These solvents are used alone or in combination.

中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等の極性溶媒、トルエン等の芳香族炭化水素類、及び、これらの溶媒からなる混合溶媒が好適なものとして挙げられる。   Among them, polar solvents such as propylene glycol monomethyl ether, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, ethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, toluene, etc. Aromatic hydrocarbons and mixed solvents composed of these solvents are preferred.

光硬化性成分としては、エチレン性不飽和結合を1つ又は2つ以上有する化合物を用いることができ、例えば、アミド系モノマー、(メタ)アクリレートモノマー、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、ポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー、エポキシ(メタ)アクリレート、及びヒドロキシル基含有(メタ)アクリレート、スチレン等の芳香族ビニル化合物を挙げることができる。また、ポリイミド前駆体が、ポリアミック酸等のカルボン酸成分を構造内に有する場合には、3級アミノ基を有するエチレン性不飽和結合含有化合物を用いると、ポリイミド前駆体のカルボン酸とイオン結合を形成し、高分子前駆体組成物としたときの露光部、未露光部の溶解速度のコントラストが大きくなる。   As the photocurable component, a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds can be used. For example, an amide monomer, a (meth) acrylate monomer, a urethane (meth) acrylate oligomer, a polyester (meth) Aromatic vinyl compounds such as acrylate oligomers, epoxy (meth) acrylates, hydroxyl group-containing (meth) acrylates, and styrene can be exemplified. In addition, when the polyimide precursor has a carboxylic acid component such as polyamic acid in the structure, the use of an ethylenically unsaturated bond-containing compound having a tertiary amino group causes the carboxylic acid of the polyimide precursor to have an ionic bond. When the polymer precursor composition is formed, the contrast of the dissolution rate of the exposed area and the unexposed area is increased.

このようなエチレン性不飽和結合を有する光硬化性化合物を用いる場合には、さらに光ラジカル発生剤を添加してもよい。光ラジカル発生剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル及びベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとそのアルキルエーテル;アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1,1−ジクロロアセトフェノン、1−ヒドロキシアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン及び2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパン−1−オン等のアセトフェノン;2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン、2−ターシャリ−ブチルアントラキノン、1−クロロアントラキノン及び2−アミルアントラキノン等のアントラキノン;2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン及び2,4−ジイソピルチオキサントン等のチオキサントン;アセトフェノンジメチルケタール及びベンジルジメチルケタール等のケタール;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のモノアシルホスフィンオキシドあるいはビスアシルホスフィンオキシド類;ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類;並びにキサントン類等が挙げられる。   When using a photocurable compound having such an ethylenically unsaturated bond, a photoradical generator may be further added. Examples of the photo radical generator include benzoin such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether and alkyl ethers thereof; acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2 Acetophenones such as phenylacetophenone, 1,1-dichloroacetophenone, 1-hydroxyacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone and 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiary-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone and 2-amylanthraquinone; 2,4-dimethyl Thioxanthone such as luthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyldimethyl ketal; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide Monoacylphosphine oxides or bisacylphosphine oxides; benzophenones such as benzophenone; and xanthones.

本発明の高分子前駆体組成物には、本発明の効果を妨げない限り、本発明の熱塩基発生剤の補助的な役割として、光によって酸又は塩基を発生させる感光性成分を加えても良い。また、塩基増殖剤や増感剤を加えてもよい。   As long as the effect of the present invention is not hindered, a photosensitive component that generates an acid or a base by light can be added to the polymer precursor composition of the present invention as an auxiliary role of the thermal base generator of the present invention. good. Further, a base proliferating agent or a sensitizer may be added.

本発明に係る樹脂組成物に加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。   In order to impart processing characteristics and various functionalities to the resin composition according to the present invention, various organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be blended. For example, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon, and layered silicate, and these may have a porous or hollow structure. The function or form includes pigments, fillers, fibers, and the like.

本発明に係る高分子前駆体組成物において、前記高分子前駆体(固形分)は、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の点から、高分子前駆体組成物の固形分全体に対し、30重量%以上、50重量%以上含有することが好ましい。
前記化学式(1)で表される熱塩基発生剤は、高分子前駆体組成物に含まれる高分子前駆体の固形分に対し、通常、0.1〜95重量%、好ましくは0.5〜60重量%の範囲内で含有させる。0.1重量%未満であると硬化が十分でない恐れがあり、95重量%を超えると最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくい。
エポキシ系化合物と組み合わせる場合など、硬化剤として用いられる場合には、硬化の程度にもよるが通常、0.1〜95重量%、好ましくは0.5〜60重量%の範囲内で含有させる。
一方、硬化促進剤として用いられる場合には、少量の添加で硬化が可能となり、前記化学式(1)で表される熱塩基発生剤は、高分子前駆体組成物に含まれる高分子前駆体の固形分に対し、通常、0.1〜30重量%、好ましくは0.5〜20重量%の範囲内で含有させることが好ましい。
なお、高分子前駆体組成物の固形分とは、溶剤以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。
In the polymer precursor composition according to the present invention, the polymer precursor (solid content) is the entire solid content of the polymer precursor composition from the viewpoint of film physical properties of the obtained pattern, particularly film strength and heat resistance. The content is preferably 30% by weight or more and 50% by weight or more.
The thermal base generator represented by the chemical formula (1) is usually 0.1 to 95% by weight, preferably 0.5 to 0.5% based on the solid content of the polymer precursor contained in the polymer precursor composition. It is contained within the range of 60% by weight. If it is less than 0.1% by weight, curing may not be sufficient, and if it exceeds 95% by weight, the properties of the finally obtained resin cured product are hardly reflected in the final product.
When used as a curing agent, such as when combined with an epoxy compound, it is usually contained in the range of 0.1 to 95% by weight, preferably 0.5 to 60% by weight, depending on the degree of curing.
On the other hand, when used as a curing accelerator, curing is possible with a small amount of addition, and the thermal base generator represented by the chemical formula (1) is a polymer precursor contained in the polymer precursor composition. It is preferable to make it contain 0.1 to 30 weight% normally with respect to solid content, Preferably it is 0.5 to 20 weight%.
In addition, solid content of a polymer precursor composition is all components other than a solvent, and a liquid monomer component is also contained in solid content.

また、その他の溶剤以外の任意成分の配合割合は、高分子前駆体組成物の固形分全体に対し、0.1重量%〜95重量%の範囲が好ましい。0.1重量%未満だと、添加物を添加した効果が発揮されにくく、95重量%を超えると、最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくい。   Moreover, the blending ratio of optional components other than the other solvent is preferably in the range of 0.1% by weight to 95% by weight with respect to the entire solid content of the polymer precursor composition. When the amount is less than 0.1% by weight, the effect of adding the additive is hardly exhibited, and when it exceeds 95% by weight, the properties of the finally obtained resin cured product are not easily reflected in the final product.

本発明に係る高分子前駆体組成物は、さまざまなコーティングプロセスや成形プロセスに用いられて、フィルムや3次元的形状の成形物を作製することができる。   The polymer precursor composition according to the present invention can be used in various coating processes and molding processes to produce films and molded articles having a three-dimensional shape.

本発明の高分子前駆体組成物の一実施形態としてポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体を高分子前駆体として用いた場合、得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールは、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の特性を確保する点から、当該ポリイミド及びポリベンゾオキサゾールの窒素中で測定した5%重量減少温度は、250℃以上が好ましく、300℃以上がさらに好ましい。特に、はんだリフローの工程を通るような電子部品等の用途に用いる場合は、5%重量減少温度が300℃以下であると、はんだリフローの工程で発生した分解ガスにより気泡等の不具合が発生する恐れがある。   When a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor is used as a polymer precursor as an embodiment of the polymer precursor composition of the present invention, the resulting polyimide and polybenzoxazole have heat resistance, dimensional stability, insulation. From the viewpoint of securing properties such as property, the 5% weight loss temperature measured in nitrogen of the polyimide and polybenzoxazole is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher. In particular, when used in applications such as electronic parts that pass through the solder reflow process, if the 5% weight loss temperature is 300 ° C. or less, defects such as bubbles occur due to the decomposition gas generated in the solder reflow process. There is a fear.

本発明の高分子前駆体組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールのガラス転移温度は、耐熱性の観点からは高ければ高いほど良いが、光導波路のように熱成形プロセスが考えられる用途においては、120℃〜450℃程度のガラス転移温度を示すことが好ましく、200℃〜380℃程度のガラス転移温度を示すことがさらに好ましい。
ここで本発明におけるガラス転移温度は、高分子前駆体組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールをフィルム形状にすることが出来る場合には、動的粘弾性測定によって、tanδ(tanδ=損失弾性率(E”)/貯蔵弾性率(E’))のピーク温度から求められる。動的粘弾性測定としては、例えば、粘弾性測定装置Solid Analyzer RSA II(Rheometric Scientific社製)によって、周波数3Hz、昇温速度5℃/minにより行うことができる。高分子前駆体組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールをフィルム形状にできない場合には、示差熱分析(DTA)のベースラインの変曲点の温度で判断する。
The glass transition temperature of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the polymer precursor composition of the present invention is preferably as high as possible from the viewpoint of heat resistance, but in applications where a thermoforming process is considered, such as an optical waveguide. The glass transition temperature is preferably about 120 ° C. to 450 ° C., more preferably about 200 ° C. to 380 ° C.
Here, the glass transition temperature in the present invention is tan δ (tan δ = loss elastic modulus) by dynamic viscoelasticity measurement when polyimide and polybenzoxazole obtained from the polymer precursor composition can be formed into a film shape. (E ″) / storage elastic modulus (E ′)). The dynamic viscoelasticity measurement is performed by using, for example, a viscoelasticity measuring apparatus Solid Analyzer RSA II (manufactured by Rheometric Scientific) at a frequency of 3 Hz. When the polyimide and polybenzoxazole obtained from the polymer precursor composition cannot be formed into a film shape, the temperature at the inflection point of the baseline of differential thermal analysis (DTA) can be performed. Judge with.

本発明の高分子前駆体組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールの寸法安定性の観点から、線熱膨張係数は60ppm以下が好ましく、40ppm以下がさらに好ましい。半導体素子等の製造プロセスにおいてシリコンウェハ上に膜を形成する場合には、密着性、基板のそりの観点から20ppm以下がさらに好ましい。
本発明における線熱膨張係数とは、本発明で得られる高分子前駆体組成物から得られるポリイミド及びポリベンゾオキサゾールのフィルムの熱機械分析装置(TMA)によって求めることができる。熱機械分析装置(例えば、Thermo Plus TMA8310((株)リガク製)によって、昇温速度を10℃/min、評価サンプルの断面積当たりの加重が同じになるように引張り加重を1g/25,000μmとして得られる。
From the viewpoint of dimensional stability of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the polymer precursor composition of the present invention, the linear thermal expansion coefficient is preferably 60 ppm or less, and more preferably 40 ppm or less. In the case of forming a film on a silicon wafer in a manufacturing process of a semiconductor element or the like, 20 ppm or less is more preferable from the viewpoint of adhesion and warpage of the substrate.
The linear thermal expansion coefficient in this invention can be calculated | required with the thermomechanical analyzer (TMA) of the film of the polyimide and polybenzoxazole obtained from the polymer precursor composition obtained by this invention. Using a thermomechanical analyzer (for example, Thermo Plus TMA8310 (manufactured by Rigaku Corporation), the heating rate is 10 ° C./min, and the tensile load is 1 g / 25,000 μm so that the weight per cross-sectional area of the evaluation sample is the same. 2 is obtained.

以上に述べたように、本発明によれば、高分子前駆体に上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤を混合するだけという簡便な手法で、より低温で高分子前駆体から高分子に変換でき、且つ、アウトガスを発生し難い、様々な用途に適用可能な高分子前駆体組成物を得ることができる。
化学式(1)で表される熱塩基発生剤を構成する芳香族成分含有カルボン酸、並びに、塩基性物質は比較的安価に入手することが可能なので、高分子前駆体組成物としての価格も抑えられる。
本発明に係る高分子前駆体組成物は、上記化学式(1)で表される熱塩基発生剤により、多種多様な高分子前駆体の最終生成物への反応促進に適用することができ、最終的に得られる高分子の構造を広範囲から選択することができる。
また、電磁波の照射により発生したアミンなどの塩基性物質の触媒効果により、例えばポリイミド前駆体やポリベンゾオキサゾール前駆体から最終生成物へのイミド化などの環化等の反応に要する処理温度を低減できる為、プロセスへの負荷や製品への熱によるダメージを低減することが可能である。
更に、アウトガスを発生し難いことから、アウトガス発生に伴う問題を解決し、硬化膜の強度や外観が良好になる。
As described above, according to the present invention, it is possible to remove the polymer precursor from the polymer precursor at a lower temperature by a simple method of simply mixing the polymer precursor with the thermal base generator represented by the chemical formula (1). It is possible to obtain a polymer precursor composition that can be converted into molecules and hardly generate outgas and can be applied to various uses.
Since the aromatic component-containing carboxylic acid constituting the thermal base generator represented by the chemical formula (1) and the basic substance can be obtained at a relatively low price, the price as a polymer precursor composition is also suppressed. It is done.
The polymer precursor composition according to the present invention can be applied to promote the reaction of a wide variety of polymer precursors to the final product by the thermal base generator represented by the chemical formula (1). The polymer structure obtained can be selected from a wide range.
Also, due to the catalytic effect of amines and other basic substances generated by electromagnetic wave irradiation, the processing temperature required for reactions such as cyclization such as imidation from polyimide precursors or polybenzoxazole precursors to final products is reduced. Therefore, it is possible to reduce the load on the process and damage to the product due to heat.
Furthermore, since it is difficult to generate outgas, the problems associated with outgas generation are solved, and the strength and appearance of the cured film are improved.

本発明に係る高分子前駆体組成物は、耐熱性、寸法安定性、絶縁性等の特性が有効とされる広範な分野、製品、例えば、塗料、印刷インキ、シール剤、又は接着剤、或いは、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム(Micro Electro Mechanical System(MEMS))、光学部材又は建築材料の形成材料として好適に用いられる。例えば具体的には、電子部品の形成材料としては、封止材料、層形成材料として、プリント配線基板、層間絶縁膜、配線被覆膜等に用いることができる。また、表示装置の形成材料としては、層形成材料や画像形成材料として、カラーフィルター、フレキシブルディスプレイ用フィルム、レジスト材料、配向膜等に用いることができる。また、半導体装置の形成材料としては、レジスト材料、バッファーコート膜のような層形成材料等に用いることができる。また、光学部品の形成材料としては、光学材料や層形成材料として、ホログラム、光導波路、光回路、光回路部品、反射防止膜等に用いることができる。また、建築材料としては、塗料、コーティング剤等に用いることができる。   The polymer precursor composition according to the present invention can be used in a wide range of fields, products such as paints, printing inks, sealants, or adhesives, in which properties such as heat resistance, dimensional stability, and insulation are effective. It is suitably used as a forming material for display devices, semiconductor devices, electronic components, micro electro mechanical systems (MEMS), optical members or building materials. For example, specifically, as a forming material for an electronic component, a sealing material and a layer forming material can be used for a printed wiring board, an interlayer insulating film, a wiring covering film, and the like. Moreover, as a forming material of a display device, a layer forming material or an image forming material can be used for a color filter, a film for flexible display, a resist material, an alignment film, and the like. Further, as a material for forming a semiconductor device, a resist material, a layer forming material such as a buffer coat film, or the like can be used. Further, as a material for forming an optical component, it can be used as an optical material or a layer forming material for a hologram, an optical waveguide, an optical circuit, an optical circuit component, an antireflection film, or the like. Moreover, as a building material, it can use for a coating material, a coating agent, etc.

また、本発明によれば、前記本発明に係る高分子前駆体組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光学部材又は建築材料のいずれかの物品が提供される。   Further, according to the present invention, a printed material, a paint, a sealant, an adhesive, a display device, a semiconductor device, and an electronic component, at least partly formed of the polymer precursor composition according to the present invention or a cured product thereof. Articles of either microelectromechanical systems, optical components or building materials are provided.

以下、本発明について実施例を示して具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。尚、実施例中、部は特に特定しない限り重量部を表す。製造された熱塩基発生剤は、H NMR測定(日本電子(株)製、JEOL JNM−LA400WB)により、化学構造を確認した。
また、以下に示す装置を用いて各測定、実験を行った。
5%重量減少温度測定:(株)島津製作所製、示差熱・熱重量同時測定装置DTG−60
赤外線吸収スペクトル測定:バリアン・テクノロジーズ・ジャパン・リミテッド社製、FTS 7000
塗膜の加熱:アズワン(株)製、HOT PLATE EC−1200(本実施例中、ホットプレートと記載することがある)
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. These descriptions do not limit the present invention. In the examples, parts represent parts by weight unless otherwise specified. The manufactured thermal base generator confirmed the chemical structure by 1 H NMR measurement (JEOL JNM-LA400WB, manufactured by JEOL Ltd.).
Moreover, each measurement and experiment were performed using the apparatus shown below.
5% weight loss temperature measurement: manufactured by Shimadzu Corporation, simultaneous differential heat / thermogravimetric measurement device DTG-60
Infrared absorption spectrum measurement: FTS 7000, manufactured by Varian Technologies Japan Limited
Heating of the coating film: As One Co., Ltd., HOT PLATE EC-1200 (may be described as a hot plate in this example)

(合成例1:ポリイミド前駆体の合成)
ジ(4−アミノフェニル)エーテル10.0g(50mmol)を300mLの3つ口フラスコに投入し、105.4mLの脱水されたN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)に溶解させ窒素気流下、氷浴で冷却しながら撹拌した。そこへ、少しずつ3,3’,4,4’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物14.7g(50mmol)を添加し、添加終了後、氷浴中で5時間撹拌し、その溶液を、脱水されたジエチルエーテルによって再沈殿し、その沈殿物を室温で減圧下、17時間乾燥し、重量平均分子量10,000のポリアミド酸(ポリイミド前駆体(1))を白色固体として定量的に得た。
(Synthesis Example 1: Synthesis of polyimide precursor)
Di (4-aminophenyl) ether (10.0 g, 50 mmol) was put into a 300 mL three-necked flask, dissolved in 105.4 mL of dehydrated N, N-dimethylacetamide (DMAc), and an ice bath under a nitrogen stream. The mixture was stirred while cooling. Thereto, 14.7 g (50 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride was added little by little. After completion of the addition, the mixture was stirred in an ice bath for 5 hours, and the solution was dehydrated. The precipitate was re-precipitated with diethyl ether, and the precipitate was dried at room temperature under reduced pressure for 17 hours to quantitatively obtain a polyamic acid (polyimide precursor (1)) having a weight average molecular weight of 10,000 as a white solid.

(製造例1:熱塩基発生剤(1)の合成)
100mLフラスコ中、炭酸カリウム2.00gをメタノール15mLに加えた。50mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウム ブロミド(東京化成工業(株)製)2.67g(6.2mmol)、2−ヒドロキシ−1−ナフトアルデヒド1.07g(6.2 mmol)(東京化成工業(株)製)をメタノール10mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、TLCにより反応の終了を確認したうえでろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を50mL加え1時間撹拌した。反応終了後、ろ過によりトリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで3−(2−ヒドロキシ−1−ナフタレニル)−アクリル酸を1.20g得た。続いて、100 mL三口フラスコ中、3−(2−ヒドロキシ−1−ナフタレニル)−アクリル酸1.00g(4.67mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン20mLに溶解し、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製) 1.07g(5.60mmol)を加えた。30分後、ピペリジン0.65ml(5.60mmol)(東京化成工業(株)製)を加え室温で一晩攪拌した。反応液を濃縮し、クロロホルムで抽出、希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で洗浄し、ろ過することにより、下記化学式(6)で表される熱塩基発生剤(1)を480mg得た。
(Production Example 1: Synthesis of thermal base generator (1))
In a 100 mL flask, 2.00 g of potassium carbonate was added to 15 mL of methanol. In a 50 mL flask, 2.67 g (6.2 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 1.07 g (6.2 mmol) of 2-hydroxy-1-naphthaldehyde (Tokyo) Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 10 mL of methanol and slowly dropped into a well-stirred potassium carbonate solution. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by TLC, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 50 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour. After completion of the reaction, triphenylphosphine oxide was removed by filtration, and then concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 1.20 g of 3- (2-hydroxy-1-naphthalenyl) -acrylic acid. Subsequently, in a 100 mL three-necked flask, 1.00 g (4.67 mmol) of 3- (2-hydroxy-1-naphthalenyl) -acrylic acid was dissolved in 20 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran, and 1-ethyl-3- (3- 1.07 g (5.60 mmol) of dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, piperidine 0.65 ml (5.60 mmol) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred overnight at room temperature. The reaction solution was concentrated, extracted with chloroform, washed with dilute hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and brine, and filtered to obtain 480 mg of a thermal base generator (1) represented by the following chemical formula (6).

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(製造例2:熱塩基発生剤(2)の合成)
500mLナスフラスコ中、セサモール(東京化成工業(株)製)10.0g(72.4mmol)、ヘキサメチレンテトラミン(東京化成工業(株)製)15.2g(109mmol、1.5eq)をトリフルオロ酢酸(関東化学(株)製)100mlに溶解し、95℃で10時間反応を行った。反応終了後、氷浴下で1規定塩酸200mlを添加し15分間撹拌した。撹拌終了後、クロロホルムで抽出し、塩酸・飽和食塩水で洗浄を行うことにより6−ヒドロキシ−3,4−メチレンジオキシベンズアルデヒドを2.38g(14.3mmol)得た。
続いて、200mLフラスコ中、炭酸カリウム2.00gをメタノール20mLに加えた。100mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウムブロミド(東京化成工業(株)製)6.15g(14.3mmol)、6−ヒドロキシ−3,4−メチレンジオキシベンズアルデヒドを2.38g(14.3mmol)をメタノール25mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、薄層クロマトグラフィーにより反応の終了を確認したうえで、ろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を30mL加え終夜で撹拌した。反応終了後、沈殿物をろ過により除き、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで2−ヒドロキシ−4,5−メチレンジオキシケイ皮酸を2.90g(13.9mmol)得た。
続いて、窒素雰囲気下、100mL三口フラスコ中、2−ヒドロキシ−4,5−メチレンジオキシケイ皮酸2.90g(13.9mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン40mLに溶解し、氷浴下で1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製)3.20g(16.7mmol、1.2eq)を加えた。30分後、ピペリジン(東京化成工業(株)製)1.65ml(16.7mmol、1.2eq)を加えたのち終夜で攪拌した。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。クロロホルムで抽出した後、炭酸水素水溶液、1N塩酸、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥を行った。シリカゲルカラムクマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール100/1〜50/1)により精製することにより下記化学式(7)で表される熱塩基発生剤(2)を485mg(1.76mmol)得た。
(Production Example 2: Synthesis of thermal base generator (2))
In a 500 mL eggplant flask, 10.0 g (72.4 mmol) of sesamol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 15.2 g (109 mmol, 1.5 eq) of hexamethylenetetramine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were mixed with trifluoroacetic acid. It was dissolved in 100 ml (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and reacted at 95 ° C. for 10 hours. After completion of the reaction, 200 ml of 1N hydrochloric acid was added in an ice bath and stirred for 15 minutes. After completion of the stirring, the mixture was extracted with chloroform and washed with hydrochloric acid / saturated saline to obtain 2.38 g (14.3 mmol) of 6-hydroxy-3,4-methylenedioxybenzaldehyde.
Subsequently, 2.00 g of potassium carbonate was added to 20 mL of methanol in a 200 mL flask. In a 100 mL flask, 6.15 g (14.3 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2.38 g (14.14) of 6-hydroxy-3,4-methylenedioxybenzaldehyde. 3 mmol) was dissolved in 25 mL of methanol and slowly added dropwise to a well-stirred potassium carbonate solution. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by thin layer chromatography, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 30 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the precipitate was removed by filtration, and concentrated hydrochloric acid was added dropwise to make the reaction solution acidic. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 2.90 g (13.9 mmol) of 2-hydroxy-4,5-methylenedioxycinnamic acid.
Subsequently, 2.90 g (13.9 mmol) of 2-hydroxy-4,5-methylenedioxycinnamic acid was dissolved in 40 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran in a 100 mL three-necked flask under a nitrogen atmosphere, and 1- 3.20 g (16.7 mmol, 1.2 eq) of ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, 1.65 ml (16.7 mmol, 1.2 eq) of piperidine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and dissolved in water. After extraction with chloroform, the mixture was washed with an aqueous hydrogen carbonate solution, 1N hydrochloric acid and saturated brine, and dried over sodium sulfate. By purifying by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol 100/1 to 50/1), 485 mg (1.76 mmol) of a thermal base generator (2) represented by the following chemical formula (7) was obtained.

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(製造例3:熱塩基発生剤(3)の合成)
100mLフラスコ中、炭酸カリウム2.00gをメタノール15mLに加えた。50mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウム ブロミド(東京化成工業(株)製)2.67g(6.2mmol)、1−ヒドロキシ−2−ナフトアルデヒド1.07g(6.2 mmol)(東京化成工業(株)製)をメタノール10mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、TLCにより反応の終了を確認したうえでろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を50mL加え1時間撹拌した。反応終了後、ろ過によりトリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで3−(1−ヒドロキシ−2−ナフタレニル)−アクリル酸を1.31g得た。続いて、100 mL三口フラスコ中、3−(1−ヒドロキシ−2−ナフタレニル)−アクリル酸1.00g(4.67mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン20mLに溶解し、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製) 1.07g(5.60mmol)を加えた。30分後、ピペリジン0.65ml(5.60mmol)(東京化成工業(株)製)を加え室温で一晩攪拌した。反応液を濃縮し、クロロホルムで抽出、希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で洗浄し、ろ過することにより、下記化学式(8)で表される熱塩基発生剤(3)を520mg得た。
(Production Example 3: Synthesis of thermal base generator (3))
In a 100 mL flask, 2.00 g of potassium carbonate was added to 15 mL of methanol. In a 50 mL flask, 2.67 g (6.2 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 1.07 g (6.2 mmol) of 1-hydroxy-2-naphthaldehyde (Tokyo) Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in 10 mL of methanol and slowly dropped into a well-stirred potassium carbonate solution. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by TLC, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 50 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour. After completion of the reaction, triphenylphosphine oxide was removed by filtration, and then concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 1.31 g of 3- (1-hydroxy-2-naphthalenyl) -acrylic acid. Subsequently, in a 100 mL three-necked flask, 1.00 g (4.67 mmol) of 3- (1-hydroxy-2-naphthalenyl) -acrylic acid was dissolved in 20 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran, and 1-ethyl-3- (3- 1.07 g (5.60 mmol) of dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, piperidine 0.65 ml (5.60 mmol) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred overnight at room temperature. The reaction solution was concentrated, extracted with chloroform, washed with dilute hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and brine, and filtered to obtain 520 mg of a thermal base generator (3) represented by the following chemical formula (8).

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(製造例4:熱塩基発生剤(4)の合成)
Journal of Heterocyclic Chemistry (1987), 24(3), 565-9.に記載の方法に従って、2-ヒドロキシ-1-アントラセンカルボキシアルデヒド(2-hydroxy-1-Anthracenecarboxaldehyde)を合成した。
100mLフラスコ中、炭酸カリウム2.00gをメタノール15mLに加えた。50mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウム ブロミド(東京化成工業(株)製)2.67g(6.2mmol)、2-ヒドロキシ-1-アントラセンカルボキシアルデヒド1.38g(6.2 mmol)をメタノール10mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、TLCにより反応の終了を確認したうえでろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を50mL加え1時間撹拌した。反応終了後、ろ過によりトリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで3−(2−ヒドロキシ−1−アントラセニル)−アクリル酸を1.19g得た。続いて、100 mL三口フラスコ中、3−(2−ヒドロキシ−1−アントラセニル)−アクリル酸1.00g(3.78mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン20mLに溶解し、1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製) 0.87g(4.54mmol)を加えた。30分後、ピペリジン0.53ml(4.54mmol)(東京化成工業(株)製)を加え室温で一晩攪拌した。反応液を濃縮し、クロロホルムで抽出、希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、食塩水で洗浄し、ろ過することにより、下記化学式(9)で表される熱塩基発生剤(4)を380mg得た。
(Production Example 4: Synthesis of thermal base generator (4))
2-hydroxy-1-Anthracenecarboxaldehyde was synthesized according to the method described in Journal of Heterocyclic Chemistry (1987), 24 (3), 565-9.
In a 100 mL flask, 2.00 g of potassium carbonate was added to 15 mL of methanol. In a 50 mL flask, 2.67 g (6.2 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 1.38 g (6.2 mmol) of 2-hydroxy-1-anthracenecarboxaldehyde were added. Dissolved in 10 mL of methanol and slowly added dropwise to a well-stirred potassium carbonate solution. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by TLC, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 50 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred for 1 hour. After completion of the reaction, triphenylphosphine oxide was removed by filtration, and then concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 1.19 g of 3- (2-hydroxy-1-anthracenyl) -acrylic acid. Subsequently, 1.00 g (3.78 mmol) of 3- (2-hydroxy-1-anthracenyl) -acrylic acid was dissolved in 20 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran in a 100 mL three-necked flask, and 1-ethyl-3- (3- 0.87 g (4.54 mmol) of dimethylaminopropyl) carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, 0.53 ml (4.54 mmol) of piperidine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred overnight at room temperature. The reaction solution was concentrated, extracted with chloroform, washed with dilute hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and brine, and filtered to obtain 380 mg of a thermal base generator (4) represented by the following chemical formula (9).

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(製造例5:熱塩基発生剤(5)の合成)
Catalysis Communications (2008), 9(5), 645-649を参考にして、2-ヘキシル-1,3-ベンゾジオキソールを合成した。
アルゴン気流下、200 ml四つ口フラスコに2-ヘキシル-1,3-ベンゾジオキソール (10.31 g, 50 mmol)、四酢酸鉛(東京化成工業(株)) (30.5 g, 55.0 mmol、1.1eq)、DMF(100 ml)を入れて撹拌し、80℃で5時間反応させた。反応終了後、放冷し、酢酸エチル、水を加えて抽出した。得られた有機相を全て併せ、水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、濃縮した。続いて、1N水酸化ナトリウム水溶液を50 ml加え終夜で撹拌した。反応終了後、酢酸エチル、抽出した。得られた有機相を全て併せ、水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別後、濃縮し、得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで2−ヘキシルベンゾ[d][1,3]ジオキソール−5−オール(2-hexylbenzo[d][1,3]dioxol-5-ol)を1.3g得た。
100mLナスフラスコ中、2−ヘキシルベンゾ[d][1,3]ジオキソール−5−オール1.0g(4.50mmol)、ヘキサメチレンテトラミン(東京化成工業(株)製)0.94g(6.75mmol、1.5eq)をトリフルオロ酢酸(関東化学(株)製)10mlに溶解し、95℃で10時間反応を行った。反応終了後、氷浴下で1規定塩酸20mlを添加し15分間撹拌した。撹拌終了後、クロロホルムで抽出し、塩酸・飽和食塩水で洗浄を行うことにより2−ヘキシル−6−ヒドロキシベンゾ[d][1,3]ジオキソール−5−カルボアルデヒド(2-hexyl-6-hydroxybenzo[d][1,3]dioxole-5-carbaldehyde)を0.52g得た。
(Production Example 5: Synthesis of thermal base generator (5))
2-hexyl-1,3-benzodioxole was synthesized with reference to Catalysis Communications (2008), 9 (5), 645-649.
In a 200 ml four-necked flask under an argon stream, 2-hexyl-1,3-benzodioxole (10.31 g, 50 mmol), lead tetraacetate (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (30.5 g, 55.0 mmol) 1.1 eq) and DMF (100 ml) were added, and the mixture was stirred and reacted at 80 ° C. for 5 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was allowed to cool and extracted by adding ethyl acetate and water. All of the obtained organic phases were combined, washed with water and saturated brine, and dried over sodium sulfate. The desiccant was filtered off and concentrated. Subsequently, 50 ml of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred overnight. After completion of the reaction, ethyl acetate was extracted. All of the obtained organic phases were combined, washed with water and saturated brine, and dried over sodium sulfate. The desiccant was filtered off and concentrated, and the resulting crude product was purified by silica gel column chromatography to give 2-hexylbenzo [d] [1,3] dioxol-5-ol (2-hexylbenzo [d] [ 1,3] dioxol-5-ol) was obtained.
In a 100 mL eggplant flask, 1.0 g (4.50 mmol) of 2-hexylbenzo [d] [1,3] dioxol-5-ol, 0.94 g (6.75 mmol) of hexamethylenetetramine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) , 1.5 eq) was dissolved in 10 ml of trifluoroacetic acid (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) and reacted at 95 ° C. for 10 hours. After completion of the reaction, 20 ml of 1N hydrochloric acid was added in an ice bath and stirred for 15 minutes. After the completion of stirring, the mixture is extracted with chloroform and washed with hydrochloric acid / saturated saline to give 2-hexyl-6-hydroxybenzo [d] [1,3] dioxol-5-carbaldehyde (2-hexyl-6-hydroxybenzo). 0.52 g of [d] [1,3] dioxole-5-carbaldehyde) was obtained.

続いて、100mLフラスコ中、炭酸カリウム0.50gをメタノール10mLに加えた。100mLフラスコ中、エトキシカルボニルメチル(トリフェニル)ホスホニウムブロミド(東京化成工業(株)製)0.86g(2.0mmol)、2−ヘキシル−6−ヒドロキシベンゾ[d][1,3]ジオキソール−5−カルボアルデヒドを0.5g(2.0mmol)をメタノール25mLに溶解し、よく撹拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下した。3時間撹拌した後、薄層クロマトグラフィーにより反応の終了を確認したうえで、ろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を30mL加え終夜で撹拌した。反応終了後、沈殿物をろ過により除き、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで桂皮酸誘導体Aを0.45g得た。
続いて、窒素雰囲気下、100mL三口フラスコ中、桂皮酸誘導体A0.40g(1.37mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン10mLに溶解し、氷浴下で1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製)0.30g(1.64mmol、1.2eq)を加えた。30分後、ピペリジン(東京化成(株)製)0.16ml(1.64mmol、1.2eq)を加えたのち終夜で攪拌した。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。クロロホルムで抽出した後、炭酸水素水溶液、1N塩酸、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥を行った。シリカゲルカラムクマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール100/1〜50/1)により精製することにより下記化学式(10)で表される熱塩基発生剤(5)を32mg得た。
Subsequently, 0.50 g of potassium carbonate was added to 10 mL of methanol in a 100 mL flask. In a 100 mL flask, 0.86 g (2.0 mmol) of ethoxycarbonylmethyl (triphenyl) phosphonium bromide (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 2-hexyl-6-hydroxybenzo [d] [1,3] dioxole-5 -Carbaldehyde (0.5 g, 2.0 mmol) was dissolved in 25 mL of methanol and slowly added dropwise to a well-stirred potassium carbonate solution. After stirring for 3 hours, the completion of the reaction was confirmed by thin layer chromatography, followed by filtration to remove potassium carbonate and concentration under reduced pressure. After concentration, 30 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the precipitate was removed by filtration, and concentrated hydrochloric acid was added dropwise to make the reaction solution acidic. The precipitate was collected by filtration and washed with a small amount of chloroform to obtain 0.45 g of cinnamic acid derivative A.
Subsequently, 0.40 g (1.37 mmol) of cinnamic acid derivative A was dissolved in 10 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran in a 100 mL three-necked flask under a nitrogen atmosphere, and 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) was dissolved in an ice bath. Carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 0.30 g (1.64 mmol, 1.2 eq) was added. After 30 minutes, 0.16 ml (1.64 mmol, 1.2 eq) of piperidine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and dissolved in water. After extraction with chloroform, the mixture was washed with an aqueous hydrogen carbonate solution, 1N hydrochloric acid and saturated brine, and dried over sodium sulfate. By purifying by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol 100/1 to 50/1), 32 mg of a thermal base generator (5) represented by the following chemical formula (10) was obtained.

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(製造例6:熱塩基発生剤(6)の合成)
100mLフラスコ中、(トリフェニルホスホラニリデン)酢酸エチル(東京化成工業(株)製)2.56(7.34mmol)、2’−ヒドロキシアセトフェノン(東京化成工業(株)製)2.56g(7.34mmol、1.0eq)をトルエン20mLに溶解し、80℃で3時間撹拌した。薄層クロマトグラフィーにより反応の終了を確認したうえで、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した後、水、飽和塩化アンモニウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥した。濃縮後、シリカゲルカラムクロムトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン/酢酸エチル 2/1(体積比))により精製した。
続いて、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を15mL加え終夜で撹拌した。反応終了後、沈殿物をろ過により除き、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にしたのち、クロロホルムで抽出し濃縮し、桂皮酸誘導体Bを580mg(3.25mmol)得た。
続いて、窒素雰囲気下、100mL三口フラスコ中、桂皮酸誘導体B0.50g(2.80mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン10mLに溶解し、氷浴下で1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製)0.64g(3.4mmol、1.2eq)を加えた。30分後、ピペリジン(東京化成(株)製)0.33ml(3.4mmol、1.2eq)を加えたのち終夜で攪拌した。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。クロロホルムで抽出した後、炭酸水素水溶液、1N塩酸、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥を行ったのち、濃縮することで下記化学式(11)で表される熱塩基発生剤(6)を272mg(1.04mmol)得た。
(Production Example 6: Synthesis of thermal base generator (6))
In a 100 mL flask, ethyl (triphenylphosphoranylidene) acetate (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 2.56 (7.34 mmol), 2'-hydroxyacetophenone (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 2.56 g (7 .34 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 20 mL of toluene and stirred at 80 ° C. for 3 hours. After confirming the completion of the reaction by thin layer chromatography, a saturated aqueous ammonium chloride solution was added, extracted with chloroform, washed with water and a saturated aqueous ammonium chloride solution, and then dried over anhydrous magnesium sulfate. After concentration, the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent hexane / ethyl acetate 2/1 (volume ratio)).
Subsequently, 15 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the precipitate was removed by filtration, concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution, extracted with chloroform and concentrated to obtain 580 mg (3.25 mmol) of cinnamic acid derivative B.
Subsequently, 0.50 g (2.80 mmol) of cinnamic acid derivative B was dissolved in 10 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran in a 100 mL three-necked flask under a nitrogen atmosphere, and 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) was dissolved in an ice bath. 0.64 g (3.4 mmol, 1.2 eq) of carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, piperidine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (0.33 ml, 3.4 mmol, 1.2 eq) was added, followed by stirring overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and dissolved in water. Extraction with chloroform, washing with an aqueous hydrogen carbonate solution, 1N hydrochloric acid and saturated brine, drying over sodium sulfate, and concentration are performed to concentrate a thermal base generator (6) represented by the following chemical formula (11) 272 mg (1.04 mmol) was obtained.

Figure 0005768348
(製造例7:熱塩基発生剤(7)の合成)
100mLフラスコ中、(トリフェニルホスホラニリデン)酢酸エチル(東京化成工業(株)製)2.56(7.34mmol)、2’−ヒドロキシ−4’−メトキシアセトフェノン(東京化成工業(株)製)1.22g(7.34mmol、1.0eq)をトルエン20mLに溶解し、80℃で3時間撹拌した。薄層クロマトグラフィーにより反応の終了を確認したうえで、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出した後、水、飽和塩化アンモニウム水溶液にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用い乾燥した。濃縮後、シリカゲルカラムクロムトグラフィー(展開溶媒 ヘキサン/酢酸エチル 2/1(体積比))により精製した。
続いて、1Nの水酸化ナトリウム水溶液を15mL加え終夜で撹拌した。反応終了後、沈殿物をろ過により除き、濃塩酸を滴下し反応液を酸性にしたのち、クロロホルムで抽出し濃縮し、桂皮酸誘導体Cを520mg得た。
続いて、窒素雰囲気下、100mL三口フラスコ中、桂皮酸誘導体C0.49g(2.80mmol)を脱水テトラヒドロキシフラン10mLに溶解し、氷浴下で1−エチル−3−(3−ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩(東京化成工業(株)製)0.64g(3.4mmol、1.2eq)を加えた。30分後、ピペリジン(東京化成(株)製)0.33ml(3.4mmol、1.2eq)を加えたのち終夜で攪拌した。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。クロロホルムで抽出した後、炭酸水素水溶液、1N塩酸、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムにて乾燥を行ったのち、濃縮することで下記化学式(12)で表される熱塩基発生剤(7)を152mg得た。
Figure 0005768348
(Production Example 7: Synthesis of thermal base generator (7))
In a 100 mL flask, ethyl (triphenylphosphoranylidene) acetate (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 2.56 (7.34 mmol), 2′-hydroxy-4′-methoxyacetophenone (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) 1.22 g (7.34 mmol, 1.0 eq) was dissolved in 20 mL of toluene and stirred at 80 ° C. for 3 hours. After confirming the completion of the reaction by thin layer chromatography, a saturated aqueous ammonium chloride solution was added, extracted with chloroform, washed with water and a saturated aqueous ammonium chloride solution, and then dried over anhydrous magnesium sulfate. After concentration, the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent hexane / ethyl acetate 2/1 (volume ratio)).
Subsequently, 15 mL of 1N aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred overnight. After completion of the reaction, the precipitate was removed by filtration, concentrated hydrochloric acid was added dropwise to acidify the reaction solution, extracted with chloroform and concentrated to obtain 520 mg of cinnamic acid derivative C.
Subsequently, 0.49 g (2.80 mmol) of cinnamic acid derivative C was dissolved in 10 mL of dehydrated tetrahydroxyfuran in a 100 mL three-necked flask under a nitrogen atmosphere, and 1-ethyl-3- (3-dimethylaminopropyl) was dissolved in an ice bath. 0.64 g (3.4 mmol, 1.2 eq) of carbodiimide hydrochloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added. After 30 minutes, piperidine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (0.33 ml, 3.4 mmol, 1.2 eq) was added, followed by stirring overnight. After completion of the reaction, the reaction solution was concentrated and dissolved in water. Extraction with chloroform, washing with an aqueous hydrogen carbonate solution, 1N hydrochloric acid and saturated brine, drying over sodium sulfate, and concentration are performed to concentrate a thermal base generator (7) represented by the following chemical formula (12) 152 mg was obtained.

Figure 0005768348
(製造例8:塩基発生剤(8)の合成)
製造例7において、2’−ヒドロキシ−4’−メトキシアセトフェノンを用いる代わりに、1’−ヒドロキシ−2’−アセトナフトン(東京化成工業(株)製)を用いて、製造例7と同様にして、ケイ皮酸の合成を行うことで桂皮酸誘導体Dを得た。続いて、製造例7において、桂皮酸誘導体Cの代わりに桂皮酸誘導体Dを用いることでアミド化反応を行い、シリカゲルカラムクマトグラフィー(展開溶媒:クロロホルム/メタノール100/1〜50/1)により精製することにより下記化学式(13)で表される塩基発生剤(8)を得た。
Figure 0005768348
(Production Example 8: Synthesis of base generator (8))
In Production Example 7, instead of using 2′-hydroxy-4′-methoxyacetophenone, 1′-hydroxy-2′-acetonaphthone (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was used in the same manner as in Production Example 7, Cinnamic acid derivative D was obtained by synthesizing cinnamic acid. Subsequently, in Production Example 7, an amidation reaction was performed using cinnamic acid derivative D instead of cinnamic acid derivative C, and purification was performed by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol 100/1 to 50/1). As a result, a base generator (8) represented by the following chemical formula (13) was obtained.

Figure 0005768348
Figure 0005768348

[熱塩基発生剤の評価]
合成した熱塩基発生剤(1)〜(8)について、熱分解開始温度について以下の測定を行い評価した。
(1)固体状態の5%重量減少温度
熱塩基発生剤(1)〜(8)について(株)島津製作所製、示差熱・熱重量同時測定装置DTG−60を用いて、昇温速度10℃/minの条件で5%重量減少温度を測定した。各熱塩基発生剤の5%重量減少温度の結果を表1に示す。
(2)溶液中の10モル%塩基発生温度
熱塩基発生剤(1)〜(8)についてそれぞれ1mgを、NMR管中で重ジメチルスルホキシド0.5μLに溶解させ、2mg/mLのNMR測定用溶液をそれぞれ調製した。調製した試料をそれぞれ、温めたオイルバスを用いて10分間加熱したのち、NMR測定を行った。オイルバスは10℃毎に上昇させ、10℃毎にNMR測定を行った。
各熱塩基発生剤の10モル%塩基発生温度を、各熱塩基発生剤の熱分解開始温度と決定した。
[Evaluation of thermal base generator]
The synthesized thermal base generators (1) to (8) were evaluated by measuring the thermal decomposition starting temperature as follows.
(1) Solid-state 5% weight loss temperature Thermal base generators (1) to (8) Using Shimadzu Corp., simultaneous differential heat / thermogravimetric measuring device DTG-60, temperature rising rate 10 ° C The 5% weight loss temperature was measured under the conditions of / min. The results of the 5% weight loss temperature of each thermal base generator are shown in Table 1.
(2) 10 mol% base generation temperature in the solution 1 mg of each of the hot base generators (1) to (8) was dissolved in 0.5 μL of heavy dimethyl sulfoxide in an NMR tube, and a 2 mg / mL solution for NMR measurement Were prepared respectively. Each of the prepared samples was heated for 10 minutes using a warmed oil bath, and then subjected to NMR measurement. The oil bath was raised every 10 ° C., and NMR measurement was performed every 10 ° C.
The 10 mol% base generation temperature of each thermal base generator was determined as the thermal decomposition start temperature of each thermal base generator.

Figure 0005768348
Figure 0005768348

(実施例1:高分子前駆体組成物(1)の調製)
下記に示す組成の高分子前駆体組成物(1)を調製した。
・ポリイミド前駆体(1):100重量部
・熱塩基発生剤(1):15重量部
・溶剤(NMP(N−メチルピロリドン)):843重量部
(Example 1: Preparation of polymer precursor composition (1))
A polymer precursor composition (1) having the composition shown below was prepared.
Polyimide precursor (1): 100 parts by weight Thermal base generator (1): 15 parts by weight Solvent (NMP (N-methylpyrrolidone)): 843 parts by weight

(実施例2〜8:高分子前駆体組成物(2)〜(8)の調製)
実施例1において、熱塩基発生剤(1)の代わりに、熱塩基発生剤(2)〜(8)を用いて、高分子前駆体組成物(2)〜(8)を調製した。
(Examples 2 to 8: Preparation of polymer precursor compositions (2) to (8))
In Example 1, polymer precursor compositions (2) to (8) were prepared using thermal base generators (2) to (8) instead of the thermal base generator (1).

(比較例1:比較高分子前駆体組成物(1)の調製)
実施例1において熱塩基発生剤(1)を加えなかった以外は、実施例1と同様にして、比較高分子前駆体組成物(1)を調製した。
(Comparative Example 1: Preparation of comparative polymer precursor composition (1))
A comparative polymer precursor composition (1) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thermal base generator (1) was not added in Example 1.

(塗膜の作成)
高分子前駆体組成物(1)〜(8)及び比較高分子前駆体組成物(1)を、それぞれ、クロムめっきされたガラス上に最終膜厚4μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で10分間乾燥させて、高分子前駆体組成物(1)〜(8)及び比較高分子前駆体組成物(1)の塗膜を1枚ずつ得た。その後、それぞれの塗膜について、160℃で10分間加熱した。
(Creation of coating film)
The polymer precursor compositions (1) to (8) and the comparative polymer precursor composition (1) were each spin-coated on a chrome-plated glass so as to have a final film thickness of 4 μm. It was made to dry for 10 minutes on a hotplate, and the coating film of polymer precursor composition (1)-(8) and comparative polymer precursor composition (1) was obtained 1 sheet at a time. Thereafter, each coating film was heated at 160 ° C. for 10 minutes.

<高分子前駆体組成物の評価>
加熱後のサンプルのサンプルに対し赤外線吸収スペクトル測定を行い、イミド化率を求めた。熱塩基発生剤を添加した高分子前駆体組成物(1)〜(8)の塗膜ではイミド化率が下記表2で表されるように高かったのに対し、熱塩基発生剤を添加しなかった比較高分子前駆体組成物(1)の塗膜ではイミド化率が0.40であり、熱塩基発生剤の添加により高分子前駆体から高分子への変換が促進されていることが明らかとなった。
なおイミド化率は、脱水環化によりポリイミド前駆体からポリイミドへ変換された場合に出現する、C=O伸縮運動に由来する1774cm−1の吸収強度と、イミド化後も変化しないベンゼン環のC−C伸縮運動に由来する1500cm−1の吸収強度を用いて、1774cm−1と1500cm−1の吸収強度比から算出される。
<Evaluation of polymer precursor composition>
An infrared absorption spectrum measurement was performed on the sample after heating to obtain an imidization ratio. In the coating films of the polymer precursor compositions (1) to (8) to which the thermal base generator was added, the imidization rate was high as shown in Table 2 below, whereas the thermal base generator was added. The coating film of the comparative polymer precursor composition (1) that did not have an imidation ratio of 0.40 clearly shows that the conversion of the polymer precursor to the polymer is promoted by the addition of the thermal base generator. became.
Note that the imidization rate appears when the polyimide precursor is converted to polyimide by dehydration cyclization, the absorption intensity of 1774 cm −1 derived from C═O stretching motion, and the C of the benzene ring that does not change after imidization. using absorption intensity of 1500 cm -1 derived from -C stretching movement, it is calculated from the absorption intensity ratio of 1774 cm -1 and 1500 cm -1.

Figure 0005768348
(実施例9:高分子前駆体組成物(9)の調製)
本発明に係る熱塩基発生剤(7)を用いて、下記に示す組成の高分子前駆体組成物(9)を調製した。
・エポキシ樹脂(YP50EK35(フェノキシ樹脂)、35重量%メチルエチルケトン溶液 新日鐵化学社製):100重量部
・熱塩基発生剤(7):35重量部
Figure 0005768348
(Example 9: Preparation of polymer precursor composition (9))
Using the thermal base generator (7) according to the present invention, a polymer precursor composition (9) having the following composition was prepared.
Epoxy resin (YP50EK35 (phenoxy resin), 35% by weight methyl ethyl ketone solution manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.): 100 parts by weight Thermal base generator (7): 35 parts by weight

高分子前駆体組成物(9)を、ガラス上に最終膜厚0.5μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で15分間乾燥させて、樹脂組成物の塗膜を得た。その後、150℃で60分間加熱した。加熱した塗膜をイソプロパノールとクロロホルムの混合溶液(イソプロパノール:クロロホルム=4:1(体積比))に室温で10分間浸漬したところ、上記混合溶液に溶解せず、エポキシ樹脂が硬化したことが明らかになった。   The polymer precursor composition (9) was spin-coated on glass so as to have a final film thickness of 0.5 μm and dried on a hot plate at 80 ° C. for 15 minutes to obtain a coating film of a resin composition. . Then, it heated at 150 degreeC for 60 minutes. When the heated coating film was immersed in a mixed solution of isopropanol and chloroform (isopropanol: chloroform = 4: 1 (volume ratio)) for 10 minutes at room temperature, it was revealed that the epoxy resin was cured without dissolving in the mixed solution. became.

(比較例2:比較高分子前駆体組成物(2)の調製)
実施例9において熱塩基発生剤(7)を加えなかった以外は、実施例9と同様にして、比較高分子前駆体組成物(2)を調製した。
(Comparative Example 2: Preparation of comparative polymer precursor composition (2))
A comparative polymer precursor composition (2) was prepared in the same manner as in Example 9, except that the thermal base generator (7) was not added in Example 9.

調製した比較高分子前駆体組成物(2)を用いて、高分子前駆体組成物(9)と同様に塗膜を作成し、ガラス上に最終膜厚0.5μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で15分間乾燥させて、比較性高分子前駆体組成物(2)の塗膜を得た。その後、150℃で60分間加熱した。加熱した塗膜をイソプロパノールとクロロホルムの混合溶液(イソプロパノール:クロロホルム=4:1(体積比))に室温で10分間浸漬したところ、塗膜が溶解した。   Using the prepared comparative polymer precursor composition (2), a coating film was prepared in the same manner as the polymer precursor composition (9), and spin-coated on glass to a final film thickness of 0.5 μm. The film was dried on a hot plate at 80 ° C. for 15 minutes to obtain a coating film of the comparative polymer precursor composition (2). Then, it heated at 150 degreeC for 60 minutes. When the heated coating film was immersed in a mixed solution of isopropanol and chloroform (isopropanol: chloroform = 4: 1 (volume ratio)) at room temperature for 10 minutes, the coating film was dissolved.

(実施例10:高分子前駆体組成物(10)の調製)
イソシアナート樹脂としてヘキサメチレンジイソシアナート(関東化学製)100重量部、水酸基を持つ樹脂としてポリテトラヒドロフラン(アルドリッチ製)150重量部、塩基発生剤(7)10重量部、テトラヒドロフラン500重量部からなる高分子前駆体組成物(10)を調製した。
(Example 10: Preparation of polymer precursor composition (10))
Highly composed of 100 parts by weight of hexamethylene diisocyanate (manufactured by Kanto Chemical) as an isocyanate resin, 150 parts by weight of polytetrahydrofuran (manufactured by Aldrich) as a resin having a hydroxyl group, 10 parts by weight of a base generator (7), and 500 parts by weight of tetrahydrofuran. A molecular precursor composition (10) was prepared.

高分子前駆体組成物(10)をクロムめっきされたガラス上に最終膜厚が0.5μmになるようにスピンコートし、60℃のホットプレート上で5分間乾燥させて、高分子前駆体組成物の塗膜を1枚得た。得られた塗膜に対し、120℃で10分間加熱し、室温まで冷却したところ、低弾性の固形物が得られ、イソシアナート基と水酸基との硬化が進行したことを確認した。   The polymer precursor composition (10) was spin-coated on chrome-plated glass so that the final film thickness was 0.5 μm, and dried on a hot plate at 60 ° C. for 5 minutes to obtain a polymer precursor composition. One coating film was obtained. When the obtained coating film was heated at 120 ° C. for 10 minutes and cooled to room temperature, a low-elasticity solid was obtained, and it was confirmed that curing of the isocyanate group and the hydroxyl group had proceeded.

(合成例2:金属アルコキシド縮合物の合成)
冷却管をつけた100mlのフラスコにフェニルトリエトキシシラン5g、トリエトキシシラン10g、アンモニア水0.05g、水5ml及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート50mlを加えた。半円形型のメカニカルスターラーを用いて溶液を撹拌し、マントルヒーターを用いて70℃で6時間反応させた。次いでエバポレーターを用いて水との縮合反応で生成したエタノールと残留水とを除去した。反応終了後、フラスコを室温になるまで放置し、アルコキシシランの縮合物(アルコキシシラン縮合物(1))を調製した。
(Synthesis Example 2: Synthesis of metal alkoxide condensate)
To a 100 ml flask equipped with a condenser, 5 g of phenyltriethoxysilane, 10 g of triethoxysilane, 0.05 g of ammonia water, 5 ml of water and 50 ml of propylene glycol monomethyl ether acetate were added. The solution was stirred using a semicircular type mechanical stirrer and reacted at 70 ° C. for 6 hours using a mantle heater. Subsequently, ethanol and residual water produced by the condensation reaction with water were removed using an evaporator. After completion of the reaction, the flask was left to reach room temperature to prepare an alkoxysilane condensate (alkoxysilane condensate (1)).

(実施例11:高分子前駆体組成物(11)の調製)
上記合成例2で得られたアルコキシシラン縮合物(1) 100重量部と、塩基発生剤(7) 10重量部とを混合した後、溶剤であるテトラヒドロフラン500重量部に溶解させ、高分子前駆体組成物(11)を調製した。
(Example 11: Preparation of polymer precursor composition (11))
After mixing 100 parts by weight of the alkoxysilane condensate (1) obtained in Synthesis Example 2 above and 10 parts by weight of the base generator (7), the polymer precursor is dissolved in 500 parts by weight of tetrahydrofuran as a solvent. Composition (11) was prepared.

高分子前駆体組成物(11)をクロムめっきされたガラス2枚の上に、それぞれ最終膜厚が0.5μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で5分間乾燥させて、高分子前駆体組成物の塗膜を得た。その後、120℃で30分間加熱した。加熱前後のサンプルに対してそれぞれ、赤外線吸収スペクトル測定を行った。その結果、加熱後のサンプルについては、重合したことを示すSi-O-Si結合に帰属される1020cm-1のピークが出現し、原料を示すSi-OCH3に帰属される2850cm-1と850cm-1のピークは加熱前のサンプルよりも減少した。これらにより、本願の熱塩基発生剤を用いて、加熱を行うと塩基が発生し、アルコキシシラン縮合物の重合を促進することが明らかになった。 The polymer precursor composition (11) was spin-coated on two chrome-plated glasses so that the final film thickness was 0.5 μm, and dried on an 80 ° C. hot plate for 5 minutes, A coating film of the polymer precursor composition was obtained. Then, it heated at 120 degreeC for 30 minutes. Infrared absorption spectrum measurement was performed on each sample before and after heating. As a result, for the sample after heating, a peak of 1020 cm -1 attributed to the Si-O-Si bond indicating polymerization appeared, and 2850 cm -1 and 850 cm attributed to Si-OCH 3 indicating the raw material. The peak at -1 decreased from the sample before heating. Thus, it has been clarified that, when the heating is performed using the thermal base generator of the present application, a base is generated and the polymerization of the alkoxysilane condensate is promoted.

(比較例3:比較高分子前駆体組成物(3)の調製)
実施例11において熱塩基発生剤(7)を加えなかった以外は、実施例11と同様にして、比較高分子前駆体組成物(3)を調製した。
(Comparative Example 3: Preparation of comparative polymer precursor composition (3))
A comparative polymer precursor composition (3) was prepared in the same manner as in Example 11 except that the thermal base generator (7) was not added in Example 11.

調製した比較高分子前駆体組成物(3)を用いて、高分子前駆体組成物(11)と同様に塗膜を作成し、ガラス上に最終膜厚0.5μmになるようにスピンコートし、80℃のホットプレート上で5分間乾燥させて、比較性高分子前駆体組成物(3)の塗膜を得た。その後120℃で30分間加熱した。加熱前後のサンプルに対してそれぞれ、赤外線吸収スペクトル測定を行った。その結果、重合したことを示すSi-O-Si結合に帰属される1020cm-1のピークが出現せず、原料を示すSi-OCH3に帰属される2850cm-1と850cm-1のピーク強度は加熱前とほぼ変化がなかった。 Using the prepared comparative polymer precursor composition (3), a coating film was prepared in the same manner as the polymer precursor composition (11), and spin-coated on glass to a final film thickness of 0.5 μm. The film was dried on an 80 ° C. hot plate for 5 minutes to obtain a coating film of the comparative polymer precursor composition (3). Then, it heated at 120 degreeC for 30 minutes. Infrared absorption spectrum measurement was performed on each sample before and after heating. As a result, it does not appear that the peak of the of 1020 cm -1 attributed to Si-O-Si bond indicates the polymerization was, the peak intensity of 2850 cm -1 and 850 cm -1 attributed to Si-OCH 3 showing the raw material There was almost no change from before heating.

Claims (8)

下記化学式(1)で表わされ、且つ加熱により塩基を発生することを特徴とする、熱塩基発生剤。
Figure 0005768348
(式(1)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、R及びRの少なくとも1つは有機基である。R及びRにおける前記有機基は、炭化水素基、及び、炭化水素基に炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいる基、よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の結合は、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の置換基は、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アミノ基、及びアンモニオ基よりなる群から選択される少なくとも1種である(但し、R及びR少なくともいずれか1つの末端が−(C=O)−C(R)=CH又は−(C=NH)−C(R)=CH(ここでRは水素又は置換基)である場合を除く)。
は、水素、又は炭化水素基である。
、R、R及びRは、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は有機基であり、同一であっても異なっていても良い。R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Rが水素である場合には、R、R、R及びRは、それらの2つ以上が結合して環状構造を形成しており、当該環状構造はヘテロ原子の結合を含んでいても良い。
、R、R及びRにおける前記有機基は、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、シアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、ヒドロキシイミノ基、及び、炭化水素基以外の結合や置換基を含んでいる前記いずれかの基、よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の結合は、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合、カーボネート結合、スルホニル結合、スルフィニル結合、及びアゾ結合よりなる群から選択される少なくとも1種であり、当該炭化水素基以外の置換基は、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シアノ基、イソシアノ基、シアナト基、イソシアナト基、チオシアナト基、イソチオシアナト基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、カルボキシル基、カルボキシラート基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ヒドロキシイミノ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アミノ基、及びアンモニオ基よりなる群から選択される少なくとも1種である。)
A thermal base generator represented by the following chemical formula (1) and generating a base by heating.
Figure 0005768348
(In Formula (1), R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an organic group and may be the same or different. R 1 and R 2 are bonded to form a cyclic structure. may form a, may contain a binding heteroatom. However, the organic group in .R 1 and R 2 at least one of R 1 and R 2 is an organic group, a hydrocarbon group And at least one selected from the group consisting of a bond other than a hydrocarbon group or a substituent on the hydrocarbon group, and the bond other than the hydrocarbon group is an ether bond, a thioether bond, It is at least one selected from the group consisting of a carbonyl bond, a thiocarbonyl bond, an ester bond, an amide bond, a urethane bond, an imino bond, a carbonate bond, a sulfonyl bond, a sulfinyl bond, and an azo bond. Substituents other than the hydrocarbon group are halogen atom, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, cyano group, isocyano group, cyanato group, isocyanato group, thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl Group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group, phosphono group, phosphonate group, hydroxy It is at least one selected from the group consisting of an imino group, a saturated or unsaturated alkyl ether group, a saturated or unsaturated alkyl thioether group, an aryl ether group, an aryl thioether group, an amino group, and an ammonio group (provided that R 1 And At least one of the ends of R 2 is - at (C = NH) -C (R ) = CH 2 ( wherein R is hydrogen or a substituent) - (C = O) -C (R) = CH 2 or Except in some cases).
R 3 is hydrogen or a hydrocarbon group.
R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are hydrogen, halogen, hydroxyl group, mercapto group, sulfide group, silyl group, silanol group, nitro group, nitroso group, sulfino group, sulfo group, sulfonate group, phosphino group, phosphinyl group. Group, phosphono group, phosphonate group, amino group, ammonio group or organic group, which may be the same or different. Two or more of R 4 , R 5 , R 6, and R 7 may be bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure may include a hetero atom bond. However, when R 3 is hydrogen, two or more of R 4 , R 5 , R 6 and R 7 are bonded to form a cyclic structure, and the cyclic structure is a hetero atom bond. May be included.
The organic group in R 4 , R 5 , R 6 and R 7 is a saturated or unsaturated alkyl group, a saturated or unsaturated cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a cyano group, a cyanato group, an isocyanato group, a thiocyanato group, Containing a bond or substituent other than an isothiocyanato group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, hydroxyimino group, and hydrocarbon group Any group is at least one selected from the group consisting of, and the bond other than the hydrocarbon group is an ether bond, thioether bond, carbonyl bond, thiocarbonyl bond, ester bond, amide bond, urethane bond, imino bond Bond, carbonate bond, sulfonyl bond, sulfini A substituent selected from the group consisting of a bond and an azo bond, and the substituent other than the hydrocarbon group is a halogen atom, a hydroxyl group, a mercapto group, a sulfide group, a cyano group, an isocyano group, a cyanato group, an isocyanato group , Thiocyanato group, isothiocyanato group, silyl group, silanol group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, carbamoyl group, thiocarbamoyl group, nitro group, nitroso group, carboxyl group, carboxylate group, acyl group, acyloxy group, sulfino group, sulfo Groups, sulfonate groups, phosphino groups, phosphinyl groups, phosphono groups, phosphonate groups, hydroxyimino groups, saturated or unsaturated alkyl ether groups, saturated or unsaturated alkyl thioether groups, aryl ether groups, aryl thioether groups, amino groups, and ammo groups. It is at least one selected from the group consisting of O group. )
熱分解開始温度が40℃以上350℃以下であることを特徴とする、請求項1に記載の熱塩基発生剤。   The thermal base generator according to claim 1, wherein the thermal decomposition starting temperature is 40 ° C. or higher and 350 ° C. or lower. 発生する塩基の構造が下記式(2)で表される熱塩基発生剤である、請求項1又は2に記載の熱塩基発生剤。
Figure 0005768348
(式(2)中、R及びRは、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭素数1〜20のアルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数4〜22のシクロアルキル基である。R及びRは、同一であっても異なっていても良い。R及びRは、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。)
The thermal base generator according to claim 1 or 2, wherein the structure of the generated base is a thermal base generator represented by the following formula (2).
Figure 0005768348
(In the formula (2), R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent of carbon atoms which may 4-22 of having A cycloalkyl group, R 1 and R 2 may be the same or different, and R 1 and R 2 may be bonded to form a cyclic structure; May be included.)
塩基性物質によって又は塩基性物質の存在下での加熱によって最終生成物への反応が促進される高分子前駆体、及び、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の熱塩基発生剤を含有することを特徴とする、高分子前駆体組成物。   A polymer precursor whose reaction to a final product is accelerated by heating in the presence of a basic substance or in the presence of a basic substance, and the thermal base generator according to any one of claims 1 to 3. A polymer precursor composition containing the polymer precursor composition. 前記高分子前駆体が、エポキシ基、イソシアネート基、オキセタン基、又はチイラン基を有する化合物及び高分子、ポリシロキサン前駆体、ポリイミド前駆体、並びにポリベンゾオキサゾール前駆体よりなる群から選択される1種以上を含むことを特徴とする、請求項4に記載の高分子前駆体組成物。   The polymer precursor is selected from the group consisting of a compound and polymer having an epoxy group, an isocyanate group, an oxetane group, or a thiirane group, a polysiloxane precursor, a polyimide precursor, and a polybenzoxazole precursor. The polymer precursor composition according to claim 4, comprising the above. 前記高分子前駆体が、ポリイミド前駆体又はポリベンゾオキサゾール前駆体であることを特徴とする、請求項4又は5に記載の高分子前駆体組成物。   The polymer precursor composition according to claim 4 or 5, wherein the polymer precursor is a polyimide precursor or a polybenzoxazole precursor. 塗料、印刷インキ、シール剤、又は接着剤、或いは、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光学部材又は建築材料の形成材料として用いられる、請求項4乃至6のいずれか一項に記載の高分子前駆体組成物。   It is used as a forming material for paints, printing inks, sealants or adhesives, or display devices, semiconductor devices, electronic components, microelectromechanical systems, optical members or building materials. A polymer precursor composition as described in 1. above. 請求項4乃至7のいずれか一項に記載の高分子前駆体組成物又はその硬化物により少なくとも一部分が形成されている、印刷物、塗料、シール剤、接着剤、表示装置、半導体装置、電子部品、微小電気機械システム、光学部材又は建築材料のいずれかの物品。   Printed matter, paint, sealant, adhesive, display device, semiconductor device, electronic component, at least part of which is formed of the polymer precursor composition according to any one of claims 4 to 7 or a cured product thereof. An article of any of the electromechanical systems, optical components or building materials.
JP2010209413A 2009-09-17 2010-09-17 Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition Active JP5768348B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010209413A JP5768348B2 (en) 2009-09-17 2010-09-17 Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009215752 2009-09-17
JP2009215752 2009-09-17
JP2010209413A JP5768348B2 (en) 2009-09-17 2010-09-17 Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011084562A JP2011084562A (en) 2011-04-28
JP5768348B2 true JP5768348B2 (en) 2015-08-26

Family

ID=44077781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010209413A Active JP5768348B2 (en) 2009-09-17 2010-09-17 Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5768348B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5621735B2 (en) * 2010-09-03 2014-11-12 信越化学工業株式会社 Pattern forming method and chemically amplified positive resist material
JP5965129B2 (en) * 2011-11-01 2016-08-03 旭化成株式会社 Photobase generator and photosensitive resin composition containing the same
TWI644979B (en) * 2014-06-27 2018-12-21 日商富士軟片股份有限公司 Thermosetting resin composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor element
CN108473679B (en) * 2016-01-15 2020-12-11 东丽株式会社 Cured film and method for producing same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020094938A1 (en) * 2000-11-08 2002-07-18 The Procter & Gamble Company Photo-labile pro-fragrance conjugates
JP2007056196A (en) * 2005-08-26 2007-03-08 Tokyo Institute Of Technology Polyimide precursor composition, method for producing polyimide film and semiconductor device
WO2007118130A2 (en) * 2006-04-06 2007-10-18 Glaxo Group Limited Antibacterial agents
JP5071803B2 (en) * 2007-09-03 2012-11-14 学校法人東京理科大学 Photosensitive resin composition
JP5747431B2 (en) * 2008-03-31 2015-07-15 大日本印刷株式会社 Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and base generator
JP5515560B2 (en) * 2008-09-30 2014-06-11 大日本印刷株式会社 Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and photolatent resin curing accelerator
JP5598031B2 (en) * 2009-03-11 2014-10-01 大日本印刷株式会社 Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP5505036B2 (en) * 2009-03-31 2014-05-28 大日本印刷株式会社 Base generator, resin composition, pattern forming material comprising the resin composition, pattern forming method using the resin composition, and article
JP5644274B2 (en) * 2009-08-31 2014-12-24 大日本印刷株式会社 Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP5609224B2 (en) * 2010-04-09 2014-10-22 大日本印刷株式会社 Thin film transistor substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011084562A (en) 2011-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5516574B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
KR101552464B1 (en) Base-generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern formation method using the photosensitive resin composition, and article
JP4853594B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and base generator
JP5712926B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP5505036B2 (en) Base generator, resin composition, pattern forming material comprising the resin composition, pattern forming method using the resin composition, and article
JP5644274B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP2011052214A (en) Base generator, photosensitive resin composition, material for forming pattern including the photosensitive resin composition, and method for forming pattern, and article using the photosensitive resin composition
JP7232241B2 (en) Novel compound, photopolymerization initiator comprising said compound, and photosensitive resin composition containing said photopolymerization initiator
JP5768348B2 (en) Thermal base generator, polymer precursor composition, and article using the composition
JP2011089119A (en) Base generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, method for forming pattern and article using the photosensitive resin composition
JP5515560B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method, article using the photosensitive resin composition, and photolatent resin curing accelerator
JP5581775B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, method for producing relief pattern using the photosensitive resin composition, and article
JP5598031B2 (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern forming material comprising the photosensitive resin composition, pattern forming method and article using the photosensitive resin composition
JP2012093744A (en) Photosensitive resin composition, material for forming pattern comprising the photosensitive resin composition, method for manufacturing relief pattern using the photosensitive resin composition, and article using the composition
JP2012092328A (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern formation material comprising the photosensitive resin composition, and method for producing relief pattern and article using the composition
JP7218073B2 (en) Novel compound, photopolymerization initiator comprising said compound, and photosensitive resin composition containing said photopolymerization initiator
JP2012241064A (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern formation material comprising the photosensitive resin composition, and method for producing relief pattern and article using the composition
JP2011089116A (en) Base generating agent, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, method for forming pattern and article using the photosensitive resin composition
JP2021181406A (en) Novel compound, photopolymerization initiator containing the compound, and photosensitive resin composition containing the photopolymerization initiator
JP2012211276A (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern-forming material comprising the photosensitive resin composition, method of producing relief pattern by using the photosensitive resin composition, and molded article
JP2012092329A (en) Base generator, photosensitive resin composition, pattern formation material comprising the photosensitive resin composition, and method for producing relief pattern and article using the composition
KR20160027189A (en) Photosensitive resin composition, relief pattern film thereof, method for producing relief pattern film, electronic component or optical product including relief pattern film, and adhesive including photosensitive resin composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130712

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20140715

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132

Effective date: 20150324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150501

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150608

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5768348

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150