JP5758229B2 - Magnetic field detector - Google Patents

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Description

本発明は、磁気インピーダンス効果素子を用いて磁界を検出する磁界検出装置に関するものである。   The present invention relates to a magnetic field detection device that detects a magnetic field using a magneto-impedance effect element.

この種の磁界検出装置として、下記特許文献に開示された磁界検出装置（磁界検出回路）が知られている。この磁界検出装置は、磁気インピーダンス効果素子である磁性体と、磁性体に対して並列に接続された可変抵抗および交流電流源からなる直列回路と、非反転入力端子が接地されて反転型増幅回路として構成されたオペアンプとを備えている。この場合、磁性体は、交流電流の通電によって生じる周方向の磁束の時間変化に対する電圧（以下、「磁気インピーダンス効果出力電圧」ともいう）を、外部印加磁界によって変化させる。また、磁性体は、この磁気インピーダンス効果出力電圧と共に、磁性体の抵抗成分に交流電流が流れることで発生する電圧と共に出力する。オペアンプの反転入力端子には、このようにして磁性体から出力される電圧、および可変抵抗の中間端子に発生する電圧がそれぞれ抵抗を介して入力される。   As this type of magnetic field detection device, a magnetic field detection device (magnetic field detection circuit) disclosed in the following patent document is known. This magnetic field detection device includes a magnetic body which is a magneto-impedance effect element, a series circuit composed of a variable resistor and an AC current source connected in parallel to the magnetic body, and an inverting amplifier circuit whose non-inverting input terminal is grounded The operational amplifier comprised as follows. In this case, the magnetic body changes a voltage (hereinafter, also referred to as “magnetic impedance effect output voltage”) with respect to the temporal change of the magnetic flux in the circumferential direction caused by energization of the alternating current by an externally applied magnetic field. Further, the magnetic body outputs the magnetic impedance effect output voltage together with a voltage generated by an alternating current flowing through the resistance component of the magnetic body. The voltage output from the magnetic material in this way and the voltage generated at the intermediate terminal of the variable resistor are input to the inverting input terminal of the operational amplifier via the resistors, respectively.

この磁界検出回路では、オペアンプにおいて、磁性体から出力される電圧のうちの抵抗成分に交流電流が流れることで発生する電圧が、可変抵抗に発生する電圧で相殺される。このため、磁気インピーダンス効果出力電圧のみがオペアンプから出力される。したがって、この磁気インピーダンス効果出力電圧に基づいて、外部印加磁界の強さを検出することが可能となっている。   In this magnetic field detection circuit, in the operational amplifier, the voltage generated by the alternating current flowing in the resistance component of the voltage output from the magnetic material is canceled by the voltage generated in the variable resistor. For this reason, only the magneto-impedance effect output voltage is output from the operational amplifier. Therefore, it is possible to detect the strength of the externally applied magnetic field based on the magnetoimpedance effect output voltage.

特開平１０−１０２１５号公報（第２−４頁、第４図）Japanese Patent Laid-Open No. 10-10215 (page 2-4, FIG. 4)

ところが、上記の磁界検出回路には、以下の解決すべき課題が存在している。すなわち、この磁界検出回路では、測定しようとする磁界の発生場所の近くに電圧の変動する外部導体が存在しているときには、この発生場所に配置した磁気インピーダンス効果素子である磁性体がこの外部導体と容量結合する場合があり、この場合には、変動する外部導体の電圧の影響を受けて磁性体の電圧も変動する。しかしながら、この磁界検出回路では、この外部導体との容量結合に基づいて磁性体に発生する電圧の変動については、相殺することができない。このため、この磁界検出回路には、電圧の変動する外部導体と容量結合する場所での外部印加磁界を正確に測定することができないという解決すべき課題が存在している。   However, the magnetic field detection circuit has the following problems to be solved. That is, in this magnetic field detection circuit, when there is an external conductor whose voltage fluctuates near the place where the magnetic field to be measured is present, the magnetic body, which is a magneto-impedance effect element disposed at this place, is used as the external conductor. In this case, the voltage of the magnetic material also varies under the influence of the varying voltage of the outer conductor. However, in this magnetic field detection circuit, fluctuations in voltage generated in the magnetic body based on capacitive coupling with the outer conductor cannot be canceled out. For this reason, this magnetic field detection circuit has a problem to be solved that an externally applied magnetic field cannot be accurately measured at a place where capacitive coupling is performed with an external conductor whose voltage varies.

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、外部導体と容量結合した状態においても外部印加磁界を正確に検出し得る磁界検出装置を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and a main object of the present invention is to provide a magnetic field detection device capable of accurately detecting an externally applied magnetic field even in a state of capacitive coupling with an external conductor.

上記目的を達成すべく請求項１記載の磁界検出装置は、一端が抵抗を介して接地された磁気インピーダンス効果素子と、前記磁気インピーダンス効果素子の他端から当該磁気インピーダンス効果素子に交流電流を供給する電流源と、非反転入力端子が前記磁気インピーダンス効果素子の前記他端に接続されると共に反転入力端子がコンデンサを介して前記磁気インピーダンス効果素子の前記一端に接続され、前記反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続されて前記コンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力するオペアンプを有する電流電圧変換部と、前記電流電圧変換部から出力される前記電圧を検波することにより、前記磁気インピーダンス効果素子に加わる外部印加磁界の大きさに応じて変化する検波電圧を出力する検波部とを備えている。   In order to achieve the above object, a magnetic field detection device according to claim 1, wherein a magneto-impedance effect element having one end grounded via a resistor and an alternating current is supplied to the magneto-impedance effect element from the other end of the magneto-impedance effect element And a non-inverting input terminal connected to the other end of the magneto-impedance effect element, and an inverting input terminal connected to the one end of the magneto-impedance effect element via a capacitor, the inverting input terminal and the output By detecting the voltage output from the current-voltage converter, a current-voltage converter having an operational amplifier that is connected to a terminal and connected to a feedback resistor and converts the current flowing in the capacitor into a voltage and outputs the voltage. A detector that outputs a detection voltage that changes in accordance with the magnitude of an externally applied magnetic field applied to the magneto-impedance effect element. It is equipped with a.

請求項２記載の磁界検出装置は、請求項１記載の磁界検出装置において、前記磁気インピーダンス効果素子のインダクタと前記コンデンサとが並列共振回路を構成し、当該並列共振回路の共振周波数が前記交流電流の周波数に規定されている。   The magnetic field detection device according to claim 2 is the magnetic field detection device according to claim 1, wherein the inductor and the capacitor of the magneto-impedance effect element form a parallel resonance circuit, and the resonance frequency of the parallel resonance circuit is the alternating current. The frequency is specified.

請求項１記載の磁界検出装置では、一端が磁気インピーダンス効果素子に接続され、かつ他端が電流電圧変換部のオペアンプにおける反転入力端子に接続されたコンデンサを備え、電流電圧変換部が、コンデンサの両端の各電圧の差分に応じてコンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力する。   The magnetic field detection device according to claim 1, further comprising a capacitor having one end connected to the magneto-impedance effect element and the other end connected to an inverting input terminal of the operational amplifier of the current-voltage conversion unit. The current flowing in the capacitor is converted into a voltage according to the difference between the voltages at both ends and output.

したがって、この磁界検出装置によれば、磁気インピーダンス効果素子が外部導体と容量結合して、磁気インピーダンス効果素子の電圧が外部導体の電圧の変動の影響を受けて変動したとしても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧のみを検出して、外部印加磁界の大きさに応じてのみ変化する検波電圧を出力することができる。   Therefore, according to this magnetic field detection device, even if the magneto-impedance effect element is capacitively coupled to the external conductor, and the voltage of the magneto-impedance effect element fluctuates due to the fluctuation of the voltage of the external conductor, Only a magneto-impedance effect output voltage that changes with a change in strength can be detected, and a detection voltage that changes only in accordance with the magnitude of the externally applied magnetic field can be output.

また、請求項２記載の磁界検出装置では、磁気インピーダンス効果素子のインダクタとコンデンサとが並列共振回路を構成し、このインダクタのインダクタンス値とコンデンサの静電容量値とで規定される並列共振回路の共振周波数が交流電流の周波数に規定されているため、わずかな外部印加磁界の強さの変化が、コンデンサに流れる電流の大きな変化、ひいては検波電圧の大きな変化に変換される。したがって、この磁界検出装置によれば、外部印加磁界の強さのわずかな変化を高感度で検出して、検波電圧として出力することができる。   In the magnetic field detection device according to claim 2, the inductor and the capacitor of the magneto-impedance effect element form a parallel resonance circuit, and the parallel resonance circuit defined by the inductance value of the inductor and the capacitance value of the capacitor. Since the resonance frequency is defined as the frequency of the alternating current, a slight change in the strength of the externally applied magnetic field is converted into a large change in the current flowing through the capacitor, and thus a large change in the detection voltage. Therefore, according to this magnetic field detection device, a slight change in the strength of the externally applied magnetic field can be detected with high sensitivity and output as a detection voltage.

磁界検出装置１の構成を示す構成図である。1 is a configuration diagram showing a configuration of a magnetic field detection device 1. FIG.

以下、磁界検出装置１の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the magnetic field detection device 1 will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、磁界検出装置１の構成について、図面を参照して説明する。   First, the configuration of the magnetic field detection device 1 will be described with reference to the drawings.

磁界検出装置１は、図１に示すように、磁気インピーダンス効果素子２、抵抗３、電流源４、コンデンサ５、電流電圧変換部６、検波部７および増幅部８を備えている。   As shown in FIG. 1, the magnetic field detection device 1 includes a magneto-impedance effect element 2, a resistor 3, a current source 4, a capacitor 5, a current-voltage converter 6, a detector 7, and an amplifier 8.

磁気インピーダンス効果素子２は、一例として、アモルファス磁性線で構成されている。また、磁気インピーダンス効果素子２は、一端が抵抗３を介して接地され、他端に電流源４から後述の交流電流Ｓ１が供給される。なお、本例では発明の理解を容易にするため、磁気インピーダンス効果素子２の抵抗成分は無視できるものとする。このため、磁気インピーダンス効果素子２は、交流電流Ｓ１が供給されている状態において外部印加磁界の強さが変化したときには、この外部印加磁界の強さの変化に応じてインダクタンス値を変化させることで、磁気インピーダンス効果出力電圧（交流電流Ｓ１の通電によって生じる周方向の磁束の時間変化に対する電圧）Ｖ１のみを出力する（発生させる）ものとする。   The magneto-impedance effect element 2 is comprised by the amorphous magnetic wire as an example. In addition, one end of the magneto-impedance effect element 2 is grounded via a resistor 3, and an AC current S <b> 1 described later is supplied from the current source 4 to the other end. In this example, in order to facilitate understanding of the invention, the resistance component of the magneto-impedance effect element 2 can be ignored. Therefore, the magneto-impedance effect element 2 changes the inductance value according to the change in the strength of the externally applied magnetic field when the strength of the externally applied magnetic field changes in the state where the alternating current S1 is supplied. It is assumed that only the magneto-impedance effect output voltage (voltage with respect to the temporal change of the magnetic flux in the circumferential direction caused by energization of the alternating current S1) V1 is output (generated).

電流源４は、数十ＭＨｚ（例えば、１０ＭＨｚ〜２０ＭＨｚ）の交流電流（高周波電流）Ｓ１を出力する。また、電流源４における交流電流Ｓ１が出力される出力端子（図示せず）は、磁気インピーダンス効果素子２の他端、および電流電圧変換部６を構成する後述のオペアンプにおける非反転入力端子に接続されている。コンデンサ５は、一端が磁気インピーダンス効果素子２の一端に接続されると共に、他端が電流電圧変換部６を構成する後述のオペアンプにおける反転入力端子に接続されている。   The current source 4 outputs an alternating current (high-frequency current) S1 of several tens of MHz (for example, 10 MHz to 20 MHz). Further, an output terminal (not shown) from which the alternating current S1 is output in the current source 4 is connected to the other end of the magneto-impedance effect element 2 and a non-inverting input terminal in an operational amplifier (to be described later) constituting the current-voltage converter 6. Has been. One end of the capacitor 5 is connected to one end of the magneto-impedance effect element 2, and the other end is connected to an inverting input terminal of an operational amplifier (described later) constituting the current-voltage conversion unit 6.

電流電圧変換部６は、一例として、オペアンプ６ａおよび帰還抵抗６ｂを備えている。オペアンプ６ａは、反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗６ｂが接続されている。また、オペアンプ６ａは、非反転入力端子に電流源４の出力端子が接続され、反転入力端子にコンデンサ５の他端が接続されている。また、オペアンプ６ａは、出力端子が検波部７の入力端子（図示せず）に接続されている。   As an example, the current-voltage converter 6 includes an operational amplifier 6a and a feedback resistor 6b. In the operational amplifier 6a, a feedback resistor 6b is connected between the inverting input terminal and the output terminal. In the operational amplifier 6a, the output terminal of the current source 4 is connected to the non-inverting input terminal, and the other end of the capacitor 5 is connected to the inverting input terminal. The operational amplifier 6 a has an output terminal connected to an input terminal (not shown) of the detection unit 7.

この構成により、電流電圧変換部６は、コンデンサ５の一端に発生する電圧Ｖａと他端に発生する電圧Ｖｂとの差分（Ｖｂ−Ｖａ）に応じて、コンデンサ５に流れる電流Ｉ１を電圧Ｖｉに変換して出力する。この場合、コンデンサ５の他端に接続されているオペアンプ６ａの反転入力端子は、バーチャルショート状態の非反転入力端子を介して磁気インピーダンス効果素子２の他端と同電位に規定される。これにより、磁気インピーダンス効果素子２のインダクタとコンデンサ５とは等価的に並列共振回路を構成する。また、並列共振回路は、外部印加磁界の強さがゼロのときの磁気インピーダンス効果素子２のインダクタンス値と、コンデンサ５の静電容量値とで規定される並列共振周波数が交流電流Ｓ１の周波数と一致またはその近傍となるように構成されている。   With this configuration, the current-voltage converter 6 changes the current I1 flowing through the capacitor 5 to the voltage Vi according to the difference (Vb−Va) between the voltage Va generated at one end of the capacitor 5 and the voltage Vb generated at the other end. Convert and output. In this case, the inverting input terminal of the operational amplifier 6a connected to the other end of the capacitor 5 is regulated to the same potential as the other end of the magneto-impedance effect element 2 via the non-inverting input terminal in the virtual short state. Thereby, the inductor and the capacitor 5 of the magneto-impedance effect element 2 equivalently constitute a parallel resonance circuit. In the parallel resonance circuit, the parallel resonance frequency defined by the inductance value of the magneto-impedance effect element 2 when the strength of the externally applied magnetic field is zero and the capacitance value of the capacitor 5 is the frequency of the alternating current S1. It is comprised so that it may correspond or its vicinity.

検波部７は、電圧Ｖｉを検波（本例では、包絡線検波）して、検波電圧Ｖｄを出力する。増幅部８は、この検波電圧Ｖｄを増幅して出力電圧Ｖｏｕｔとして出力する。   The detection unit 7 detects the voltage Vi (envelope detection in this example) and outputs a detection voltage Vd. The amplifying unit 8 amplifies the detection voltage Vd and outputs it as an output voltage Vout.

次に、磁界検出装置１の動作について説明する。   Next, the operation of the magnetic field detection device 1 will be described.

磁気インピーダンス効果素子２が外部導体１１と容量結合していない状態において、電流源４から磁気インピーダンス効果素子２に対して交流電流Ｓ１が供給されているときには、磁気インピーダンス効果素子２は、外部印加磁界によって変化する磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１を発生させる。この場合、コンデンサ５の一端（磁気インピーダンス効果素子２の一端に接続されている端部）に発生する電圧Ｖａを基準としたときに、磁気インピーダンス効果素子２の他端には、電圧（Ｖａ＋Ｖ１）が発生する。   When the magneto-impedance effect element 2 is not capacitively coupled to the external conductor 11 and the alternating current S1 is supplied from the current source 4 to the magneto-impedance effect element 2, the magneto-impedance effect element 2 A magneto-impedance effect output voltage V1 that varies according to is generated. In this case, when the voltage Va generated at one end of the capacitor 5 (the end connected to one end of the magneto-impedance effect element 2) is used as a reference, the other end of the magneto-impedance effect element 2 has a voltage (Va + V1). Will occur.

この電圧（Ｖａ＋Ｖ１）はオペアンプ６ａの非反転入力端子に印加されるが、オペアンプ６ａでは非反転入力端子と反転入力端子とはバーチャルショート状態であるため、電圧（Ｖａ＋Ｖ１）は、電圧Ｖｂとしてコンデンサ５の他端に印加される。   This voltage (Va + V1) is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 6a. However, since the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the operational amplifier 6a are in a virtual short state, the voltage (Va + V1) is the voltage Vb. Applied to the other end.

これにより、電流電圧変換部６は、差分（Ｖｂ−Ｖａ）、すなわち電圧Ｖ１（＝Ｖｂ−Ｖａ＝Ｖａ＋Ｖ１−Ｖａ）に応じてコンデンサ５に流れる電流Ｉ１を電圧Ｖｉに変換して出力する。検波部７は、この電圧Ｖｉを検波して、磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１にのみ応じて変化する検波電圧Ｖｄを出力し、増幅部８は、この検波電圧Ｖｄを増幅して出力電圧Ｖｏｕｔとして出力する。したがって、磁界検出装置１は、磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１にのみ応じて変化する出力電圧Ｖｏｕｔ、つまり、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。   Thereby, the current-voltage converter 6 converts the current I1 flowing through the capacitor 5 into the voltage Vi according to the difference (Vb−Va), that is, the voltage V1 (= Vb−Va = Va + V1−Va), and outputs the voltage Vi. The detection unit 7 detects the voltage Vi and outputs a detection voltage Vd that changes only in accordance with the magneto-impedance effect output voltage V1, and the amplification unit 8 amplifies the detection voltage Vd and outputs it as an output voltage Vout. To do. Therefore, the magnetic field detection device 1 outputs the output voltage Vout that changes only in accordance with the magnetic impedance effect output voltage V1, that is, the output voltage Vout that changes only in accordance with the externally applied magnetic field.

また、この磁界検出装置１では、外部印加磁界の強さがゼロのときの磁気インピーダンス効果素子２のインダクタンス値とコンデンサ５の静電容量値で規定される磁気インピーダンス効果素子２とコンデンサ５の並列共振回路の共振周波数が交流電流Ｓ１の周波数と一致またはその近傍となるように構成されている。このため、この磁界検出装置１では、わずかな外部印加磁界の強さの変化を、コンデンサ５に流れる電流Ｉ１の大きな変化として、電圧Ｖｉの大きな変化、ひいては出力電圧Ｖｏｕｔの大きな変化として検出することが可能となっている。つまり、この磁界検出装置１では、わずかな外部印加磁界の強さの変化を高感度で検出することが可能となっている。   In this magnetic field detection device 1, the parallel impedance of the magneto-impedance effect element 2 and the capacitor 5 defined by the inductance value of the magneto-impedance effect element 2 and the capacitance value of the capacitor 5 when the strength of the externally applied magnetic field is zero. The resonance frequency of the resonance circuit is configured to be equal to or close to the frequency of the alternating current S1. For this reason, in this magnetic field detection device 1, a slight change in the intensity of the externally applied magnetic field is detected as a large change in the voltage Vi as a large change in the current I1 flowing through the capacitor 5, and consequently a large change in the output voltage Vout. Is possible. That is, the magnetic field detection device 1 can detect a slight change in the intensity of the externally applied magnetic field with high sensitivity.

一方、この状態において、磁気インピーダンス効果素子２が外部導体１１と容量結合したときには、磁気インピーダンス効果素子２全体の電位は、外部導体１１の電圧の変動の影響を受けて変動する。この場合、この外部導体１１の電圧の変動に起因する磁気インピーダンス効果素子２の電位の変動分が電圧Ｖ２であるときには、この電圧Ｖ２は、コンデンサ５の一端に発生する電圧Ｖａに重畳すると共に、磁気インピーダンス効果素子２の他端に発生する電圧（Ｖａ＋Ｖ１）にも重畳する。また、この電圧（Ｖａ＋Ｖ１）への電圧Ｖ２の重畳により、磁気インピーダンス効果素子２の他端に接続されたオペアンプ６ａの非反転入力端子とバーチャルショート状態となるオペアンプ６ａの反転入力端子の電圧Ｖｂにも電圧Ｖ２が重畳する。   On the other hand, in this state, when the magneto-impedance effect element 2 is capacitively coupled to the outer conductor 11, the potential of the entire magneto-impedance effect element 2 fluctuates due to the fluctuation of the voltage of the outer conductor 11. In this case, when the fluctuation of the potential of the magneto-impedance effect element 2 due to the fluctuation of the voltage of the outer conductor 11 is the voltage V2, the voltage V2 is superimposed on the voltage Va generated at one end of the capacitor 5, and This is also superimposed on the voltage (Va + V1) generated at the other end of the magneto-impedance effect element 2. Further, by superimposing the voltage V2 on this voltage (Va + V1), the non-inverting input terminal of the operational amplifier 6a connected to the other end of the magneto-impedance effect element 2 and the voltage Vb of the inverting input terminal of the operational amplifier 6a that is in a virtual short state. Also, the voltage V2 is superimposed.

このようにして、電圧Ｖａ，Ｖｂの双方に電圧Ｖ２が重畳するため、電流電圧変換部６は、差分（Ｖｂ−Ｖａ）に応じてコンデンサ５に流れる電流Ｉ１を電圧Ｖｉに変換することにより、電圧Ｖ２を相殺した状態で、磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１に応じてコンデンサ５に流れる電流Ｉ１を電圧Ｖｉに変換して出力する。検波部７は、この電圧Ｖｉを検波して、検波電圧Ｖｄを出力し、増幅部８は、この検波電圧Ｖｄを増幅して出力電圧Ｖｏｕｔとして出力する。したがって、磁界検出装置１は、磁気インピーダンス効果素子２が外部導体１１と容量結合することによって、磁気インピーダンス効果素子２の電位が電圧Ｖ２で変動している状態においても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１を高感度で検出して、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Ｖｏｕｔを出力する。   In this way, since the voltage V2 is superimposed on both the voltages Va and Vb, the current-voltage converter 6 converts the current I1 flowing through the capacitor 5 into the voltage Vi according to the difference (Vb−Va). In a state where the voltage V2 is canceled, the current I1 flowing through the capacitor 5 is converted into the voltage Vi in accordance with the magnetoimpedance effect output voltage V1 and output. The detection unit 7 detects this voltage Vi and outputs a detection voltage Vd, and the amplification unit 8 amplifies the detection voltage Vd and outputs it as an output voltage Vout. Therefore, the magnetic field detection device 1 has the strength of the externally applied magnetic field even in the state where the potential of the magneto-impedance effect element 2 varies with the voltage V2 due to the capacitive coupling of the magneto-impedance effect element 2 and the external conductor 11. A magneto-impedance effect output voltage V1 that changes with the change is detected with high sensitivity, and an output voltage Vout that changes only by an externally applied magnetic field is output.

このように、この磁界検出装置１では、一端が磁気インピーダンス効果素子２に接続され、かつ他端が電流電圧変換部６のオペアンプ６ａにおける反転入力端子に接続されたコンデンサ５を備え、電流電圧変換部６が、コンデンサ５の他端（オペアンプ６ａのバーチャルショートによって磁気インピーダンス効果素子２の他端と同電位となる端部）における電圧Ｖｂとコンデンサの一端における電圧Ｖａとの差分（Ｖｂ−Ｖａ）に応じてコンデンサ５に流れる電流Ｉ１を電圧Ｖｉに変換して出力する。   As described above, the magnetic field detection device 1 includes the capacitor 5 having one end connected to the magneto-impedance effect element 2 and the other end connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 6a of the current-voltage conversion unit 6, The part 6 is the difference (Vb−Va) between the voltage Vb at the other end of the capacitor 5 (the end that becomes the same potential as the other end of the magneto-impedance effect element 2 due to a virtual short of the operational amplifier 6a) and the voltage Va at one end of the capacitor. Accordingly, the current I1 flowing through the capacitor 5 is converted into a voltage Vi and output.

したがって、この磁界検出装置１によれば、磁気インピーダンス効果素子２が外部導体１１と容量結合して、磁気インピーダンス効果素子２の電圧が外部導体１１の電圧の変動の影響を受けて変動したとしても、外部印加磁界の強さの変化に伴って変化する磁気インピーダンス効果出力電圧Ｖ１のみを検出して、外部印加磁界によってのみ変化する出力電圧Ｖｏｕｔを出力することができる。   Therefore, according to the magnetic field detection device 1, even if the magneto-impedance effect element 2 is capacitively coupled to the outer conductor 11, the voltage of the magneto-impedance effect element 2 is affected by the fluctuation of the voltage of the outer conductor 11. Only the magneto-impedance effect output voltage V1 that changes with the change in the strength of the externally applied magnetic field can be detected, and the output voltage Vout that changes only by the externally applied magnetic field can be output.

また、この磁界検出装置１では、磁気インピーダンス効果素子２のインダクタとコンデンサ５とが並列共振回路を構成し、このインダクタのインダクタンス値とコンデンサ５の静電容量値とで規定される並列共振回路の共振周波数が交流電流Ｓ１の周波数に規定されているため、わずかな外部印加磁界の強さの変化が、コンデンサ５に流れる電流Ｉ１の大きな変化、ひいては出力電圧Ｖｏｕｔの大きな変化に変換される。したがって、この磁界検出装置１によれば、外部印加磁界の強さのわずかな変化を高感度で検出して、出力電圧Ｖｏｕｔとして出力することができる。   In the magnetic field detection device 1, the inductor of the magneto-impedance effect element 2 and the capacitor 5 constitute a parallel resonance circuit, and the parallel resonance circuit defined by the inductance value of the inductor and the capacitance value of the capacitor 5 is used. Since the resonance frequency is defined as the frequency of the alternating current S1, a slight change in the intensity of the externally applied magnetic field is converted into a large change in the current I1 flowing through the capacitor 5, and thus a large change in the output voltage Vout. Therefore, according to the magnetic field detection device 1, a slight change in the strength of the externally applied magnetic field can be detected with high sensitivity and output as the output voltage Vout.

なお、上記の構成に限定されない。例えば、検波部７から出力される検波電圧Ｖｄの振幅で十分な場合には、増幅部８を設けることなく、この検波電圧Ｖｄを出力電圧として出力する構成を採用することもできる。   In addition, it is not limited to said structure. For example, when the amplitude of the detection voltage Vd output from the detection unit 7 is sufficient, a configuration in which the detection voltage Vd is output as an output voltage without providing the amplification unit 8 may be employed.

１ 磁界検出装置
２ 磁気インピーダンス効果素子
３ 抵抗
４ 電流源
５ コンデンサ
６ 電流電圧変換部
６ａ オペアンプ
６ｂ 帰還抵抗
７ 検波部
Ｓ１ 交流電流
Ｖｄ 検波電圧 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magnetic field detection apparatus 2 Magneto-impedance effect element 3 Resistance 4 Current source 5 Capacitor 6 Current-voltage conversion part 6a Operational amplifier 6b Feedback resistance 7 Detection part S1 AC current Vd Detection voltage

Claims (2)

一端が抵抗を介して接地された磁気インピーダンス効果素子と、
前記磁気インピーダンス効果素子の他端から当該磁気インピーダンス効果素子に交流電流を供給する電流源と、
非反転入力端子が前記磁気インピーダンス効果素子の前記他端に接続されると共に反転入力端子がコンデンサを介して前記磁気インピーダンス効果素子の前記一端に接続され、前記反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続されて前記コンデンサに流れる電流を電圧に変換して出力するオペアンプを有する電流電圧変換部と、
前記電流電圧変換部から出力される前記電圧を検波することにより、前記磁気インピーダンス効果素子に加わる外部印加磁界の大きさに応じて変化する検波電圧を出力する検波部とを備えている磁界検出装置。 A magneto-impedance effect element having one end grounded via a resistor;
A current source for supplying an alternating current to the magneto-impedance effect element from the other end of the magneto-impedance effect element;
A non-inverting input terminal is connected to the other end of the magneto-impedance effect element, and an inverting input terminal is connected to the one end of the magneto-impedance effect element via a capacitor, between the inverting input terminal and the output terminal. A current-voltage conversion unit having an operational amplifier which is connected to a feedback resistor and converts the current flowing in the capacitor into a voltage and outputs the voltage;
A magnetic field detection apparatus comprising: a detection unit that outputs a detection voltage that changes according to the magnitude of an externally applied magnetic field applied to the magneto-impedance effect element by detecting the voltage output from the current-voltage conversion unit . 前記磁気インピーダンス効果素子のインダクタと前記コンデンサとが並列共振回路を構成し、当該並列共振回路の共振周波数が前記交流電流の周波数に規定されている請求項１記載の磁界検出装置。   The magnetic field detection apparatus according to claim 1, wherein an inductor of the magneto-impedance effect element and the capacitor constitute a parallel resonance circuit, and a resonance frequency of the parallel resonance circuit is defined as a frequency of the alternating current.
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