JP5747092B2 - Physical quantity sensor - Google Patents
Physical quantity sensor Download PDFInfo
- Publication number
- JP5747092B2 JP5747092B2 JP2013553303A JP2013553303A JP5747092B2 JP 5747092 B2 JP5747092 B2 JP 5747092B2 JP 2013553303 A JP2013553303 A JP 2013553303A JP 2013553303 A JP2013553303 A JP 2013553303A JP 5747092 B2 JP5747092 B2 JP 5747092B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- movable
- support
- anchor
- detection
- physical quantity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 108
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0837—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being suspended so as to only allow movement perpendicular to the plane of the substrate, i.e. z-axis sensor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
本発明は、シリコン基板から切り出すなどして形成された可動部の高さ方向への変位量を検知し、これにより、外部から作用する加速度などの物理量の測定を可能とした物理量センサに関する。 The present invention relates to a physical quantity sensor that detects the amount of displacement in the height direction of a movable part formed by cutting out from a silicon substrate and the like, thereby enabling measurement of a physical quantity such as acceleration acting from the outside.
例えば、物理量センサは、シリコン基板をエッチング処理して、高さ方向に変位可能に支持された可動部と、可動部の変位を検知するためのZ方向検知部とを備える。 For example, the physical quantity sensor includes a movable portion that is supported so as to be displaceable in the height direction by etching a silicon substrate, and a Z-direction detection portion that detects displacement of the movable portion.
本出願人は、この種の物理量センサを過去において出願している(特許文献1〜3)。例えば特許文献1には可動部が高さ方向に変位すると、可動部の変位方向とは逆方向に脚部が突出する構成が開示されている。脚部は、前記可動部の高さ方向への変位量を規制する。 The present applicant has applied for this type of physical quantity sensor in the past (Patent Documents 1 to 3). For example, Patent Document 1 discloses a configuration in which when the movable portion is displaced in the height direction, the leg portion protrudes in the direction opposite to the displacement direction of the movable portion. The leg part regulates the amount of displacement of the movable part in the height direction.
本発明者らは、従来の構成よりも検出感度を高めることができるとともに検出安定性を向上させるべく鋭意研究を重ねた。 The inventors of the present invention have made extensive studies to increase detection sensitivity and improve detection stability as compared with the conventional configuration.
したがって本発明は、上記知見から得られたものであり、特に高感度で検出安定性に優れた物理量センサを提供することを目的としている。 Therefore, the present invention has been obtained from the above knowledge, and an object of the present invention is to provide a physical quantity sensor having particularly high sensitivity and excellent detection stability.
本発明は、高さ方向に変位可能な可動部と、前記可動部の変位を検知するためのZ方向検知部とを有して構成される物理量センサにおいて、
シリコン基板には、固定支持されるアンカ部、前記可動部、及び前記アンカ部と前記可動部とにばね部を介して回動自在に連結された支持部が夫々分離して形成されており、
前記シリコン基板の中央領域に前記可動部が配置され、前記可動部のY1−Y2方向の両側に一対の第1のアンカ部が配置され、前記一対の第1のアンカ部に夫々、前記Y1−Y2方向に対して直交するX1−X2方向に延出する第1の支持部が回動自在に連結され、
前記一対の第1のアンカ部に対して前記X1−X2方向に並設された一対の第2のアンカ部が配置され、前記一対の第2のアンカ部に夫々、前記X1−X2方向に延出する第2の支持部が回動自在に連結されるとともに前記第1の支持部と並設されており、
各支持部には、前記支持部が回動して前記可動部が高さ方向に変位したときに前記可動部の変位方向に対し逆方向に変位する脚部が設けられており、
一対の前記第1の支持部に夫々設けられた第1の脚部は、前記第1のアンカ部からX1方向に向けて形成されており、一対の前記第2の支持部に夫々設けられた第2の脚部は、前記第2のアンカ部からX2方向に向けて形成されていることを特徴とするものである。The present invention relates to a physical quantity sensor configured to include a movable part that is displaceable in a height direction and a Z direction detection part for detecting the displacement of the movable part.
In the silicon substrate, an anchor part fixedly supported, the movable part, and a support part rotatably connected to the anchor part and the movable part via a spring part are separately formed,
The movable portion is disposed in a central region of the silicon substrate, a pair of first anchor portions are disposed on both sides of the movable portion in the Y1-Y2 direction, and the Y1- A first support portion extending in the X1-X2 direction orthogonal to the Y2 direction is rotatably connected,
A pair of second anchor portions arranged side by side in the X1-X2 direction with respect to the pair of first anchor portions is disposed, and each of the pair of second anchor portions extends in the X1-X2 direction. A second supporting portion to be pivotally connected and juxtaposed with the first supporting portion;
Each support portion is provided with a leg portion that is displaced in a direction opposite to the displacement direction of the movable portion when the support portion rotates and the movable portion is displaced in the height direction.
The first leg portions respectively provided on the pair of first support portions are formed in the X1 direction from the first anchor portion, and are respectively provided on the pair of second support portions. The second leg portion is formed from the second anchor portion toward the X2 direction.
本発明によれば、高さ方向への検出モードと、前記検出モード以外のモードとの固有振動数の差を大きくできる。また可動部が高さ方向に変位したときに、可動部の変位方向とは逆方向に変位して突出する脚部を設けており、脚部により可動部の変位を抑制できる。そして脚部が対向面に接触した状態では、脚部により可動部の四隅付近が支えられる形態となる。またシリコン基板の中央領域に可動部を形成し、可動部の側方に支持部を設けることで、可動部の面積を広くすることができる。これにより高感度で且つ検出安定性を得ることが可能となる。 According to the present invention, the difference in natural frequency between the detection mode in the height direction and a mode other than the detection mode can be increased. Further, when the movable portion is displaced in the height direction, a leg portion is provided that protrudes by being displaced in the direction opposite to the displacement direction of the movable portion, and the displacement of the movable portion can be suppressed by the leg portion. And in the state which the leg part contacted the opposing surface, it becomes a form which the four corner vicinity of a movable part is supported by a leg part. Further, by forming the movable part in the central region of the silicon substrate and providing the support part on the side of the movable part, the area of the movable part can be increased. This makes it possible to obtain high sensitivity and detection stability.
本発明では、前記第1のアンカ部と前記第2のアンカ部との間には、前記第1の支持部と前記第2の支持部との間を連結する連結ばねが設けられていることが好ましい。これにより可動部を高さ方向により安定して平行移動させることができ、検出安定性をより効果的に向上させることができる。 In the present invention, a connecting spring for connecting the first support portion and the second support portion is provided between the first anchor portion and the second anchor portion. Is preferred. Thereby, the movable part can be translated stably in the height direction, and the detection stability can be improved more effectively.
また本発明では、前記一対の第1の支持部は、前記可動部のX2側にて連結されて一体化しており、前記一対の前記第2の支持部は、前記可動部のX1側にて連結されて一体化していることが好ましい。これにより、一対の第1の支持部及び一対の前記第2の支持部を夫々、安定して回動させることができ、可動部を高さ方向により安定して平行移動させることができる。 In the present invention, the pair of first support portions are connected and integrated on the X2 side of the movable portion, and the pair of second support portions is on the X1 side of the movable portion. It is preferable that they are connected and integrated. Thereby, a pair of 1st support part and a pair of said 2nd support part can each be rotated stably, and a movable part can be translated stably in a height direction.
また本発明では、前記可動部のY1側では、前記第1の支持部が前記第2の支持部よりも外側に位置しており、前記可動部のY2側では、前記第2の支持部が前記第1の支持部よりも外側に位置していることが好ましい。 In the present invention, the first support portion is positioned outside the second support portion on the Y1 side of the movable portion, and the second support portion is positioned on the Y2 side of the movable portion. It is preferable that it is located outside the first support portion.
また本発明では、前記可動部内には、前記可動部のX1−X2方向への変位を検知するためのX方向検知部が形成されることが好ましい。これにより、可動部の高さ方向(Z)への検知とX方向への検知の双方を行うことができる。また、可動部の高さ方向への振動性能を損なうことがなく、安定した検出精度を得ることが可能となる。また小型化を実現できる。 Moreover, in this invention, it is preferable that the X direction detection part for detecting the displacement to the X1-X2 direction of the said movable part is formed in the said movable part. Thereby, both the detection to the height direction (Z) of a movable part and the detection to a X direction can be performed. In addition, it is possible to obtain stable detection accuracy without impairing the vibration performance of the movable part in the height direction. Also, downsizing can be realized.
また本発明では、前記X方向検知部は、前記可動部と一体に形成されたX検知可動電極と、前記可動部と分離して形成されたX検知固定電極とを有し、前記X検知可動電極と前記X検知固定電極とが前記シリコン基板を加工して形成されたものであり、前記X検知可動電極及び前記X検知固定電極には夫々、Y1−Y2方向にて間隔を空けて対向する複数の電極子がX1−X2方向に列を成して構成されていることが好ましい。本発明では、X検知可動電極の端部からZ方向検知部の固定電極方向に向けて平面方向に広がる電界を発生させることができる。このためZ方向検知部にて発生する静電容量を、可動部内にX方向検知部を形成しない形態と、可動部内にX方向検知部を形成した形態とで大差なく制御でき、良好な高さ方向への検出感度を得ることができる。また本発明でのX方向検知部は面積変化方式であり、これによりX方向の変位に対する静電容量の変化の出力を良好な線形性を有した状態で得られるため、高い検出精度を得ることができ、さらに、X方向への有効検出範囲(ダイナミックレンジ)を広くできる。 In the present invention, the X direction detection unit includes an X detection movable electrode formed integrally with the movable unit, and an X detection fixed electrode formed separately from the movable unit. An electrode and the X detection fixed electrode are formed by processing the silicon substrate, and face the X detection movable electrode and the X detection fixed electrode with an interval in the Y1-Y2 direction, respectively. It is preferable that the plurality of electrode elements are arranged in a row in the X1-X2 direction. In the present invention, it is possible to generate an electric field that spreads in the plane direction from the end of the X detection movable electrode toward the fixed electrode of the Z direction detection unit. For this reason, the electrostatic capacity generated in the Z direction detection unit can be controlled with a large difference between the form in which the X direction detection part is not formed in the movable part and the form in which the X direction detection part is formed in the movable part. Detection sensitivity in the direction can be obtained. In addition, the X direction detection unit in the present invention is an area change method, so that the output of the change in capacitance with respect to the displacement in the X direction can be obtained with good linearity, so that high detection accuracy is obtained. Furthermore, the effective detection range (dynamic range) in the X direction can be widened.
本発明の構成によれば、高さ方向への検出モードと、前記検出モード以外のモードとの固有振動数の差を大きくできる。また可動部が高さ方向に変位したときに、可動部の変位方向とは逆方向に変位して突出する脚部を設けており、脚部により可動部の変位を抑制できる。そして脚部が対向面に接触した状態では、脚部により可動部の四隅付近が支えられる形態となる。またシリコン基板の中央領域に可動部を形成し、可動部の側方に支持部を設けることで、可動部の面積を広くすることができる。これにより高感度で且つ検出安定性を得ることが可能となる。 According to the configuration of the present invention, the difference in natural frequency between the detection mode in the height direction and a mode other than the detection mode can be increased. Further, when the movable portion is displaced in the height direction, a leg portion is provided that protrudes by being displaced in the direction opposite to the displacement direction of the movable portion, and the displacement of the movable portion can be suppressed by the leg portion. And in the state which the leg part contacted the opposing surface, it becomes a form which the four corner vicinity of a movable part is supported by a leg part. Further, by forming the movable part in the central region of the silicon substrate and providing the support part on the side of the movable part, the area of the movable part can be increased. This makes it possible to obtain high sensitivity and detection stability.
各図に示す物理量センサに関しては、X方向が左右方向であり、X1方向が左方向でX2方向が右方向、Y方向が前後方向であり、Y1方向が後方でX2方向が前方である。また、Y方向とX方向の双方に直交する方向が上下方向(Z方向;高さ方向)である。 Regarding the physical quantity sensor shown in each figure, the X direction is the left-right direction, the X1 direction is the left direction, the X2 direction is the right direction, the Y direction is the front-rear direction, the Y1 direction is the rear, and the X2 direction is the front. Further, the direction perpendicular to both the Y direction and the X direction is the vertical direction (Z direction; height direction).
図1,図2に示す物理量センサ1,19は、長方形の平板状のシリコン基板8から形成されている。すなわち、シリコン基板8に、各部材の形状に対応する平面形状のレジスト層を形成し、レジスト層が存在していない部分で、シリコン基板をディープRIE(ディープ・リアクティブ・イオン・エッチング)などのエッチング工程で切断することで、各部材を分離している。したがって、物理量センサ1を構成する各部材は、シリコン基板の表面と裏面の厚みの範囲内で構成されている。
The
物理量センサ1は微小であり、例えば長方形の長辺1a,1bの長さ寸法は1mm以下であり、例えば短辺1c,1dの長さ寸法は0.8mm以下である。さらに、厚み寸法は0.1mm以下である。
The physical quantity sensor 1 is very small. For example, the rectangular
図1に示すように、物理量センサ1は、シリコン基板8の中央領域に形成された部分が可動部2である。
As shown in FIG. 1, in the physical quantity sensor 1, the portion formed in the central region of the
図1に示すように可動部2の前後方向(Y1−Y2)の両側に第1のアンカ部6,6が配置されている。一対の第1のアンカ部6,6は前後方向で対向している(前後方向の線上に一致している)。また各第1のアンカ部6,6の左側(X1)には夫々、第2のアンカ部7,7が配置されている。一対の第2のアンカ部7,7は前後方向で対向している(前後方向の線上に一致している)。
As shown in FIG. 1,
図1に示すように、一対の第1のアンカ部6,6には夫々、左右方向(X1−X2)に延出する第1の支持部3,4が第1のばね部11,11を介して回動自在に連結されている。ここで「左右方向に延出する」とは支持部3,4の基本的な延出方向を指し、第1の支持部3のように前後方向等に折り曲がる部分があってもよい。第1のアンカ部6,6には第1のばね部11の形成領域に切欠部が形成され、その切欠部内に前後方向(Y1−Y2)に直線状に延びる第1のばね部11が、第1のアンカ部6,6と第1の支持部3,4との間を連結している。第1のばね部11は、第1のアンカ部6,6及び第1の支持部3,4と一体で形成される。第1のばね部11は、第1の支持部3,4に比べて十分に狭い幅寸法で形成され、弾性変形可能な部分となっている。一方、第1の支持部3,4の剛性は高くなっている。
As shown in FIG. 1, a pair of
図1に示すように第1の支持部3,4の第1のアンカ部6よりも左方(X1)に第1の脚部3a,4aが設けられている。第1の脚部3a,4aは可動部2の高さ方向への変位を抑制する機能を備える。
As shown in FIG. 1,
図1に示すように、前方(Y2)に位置する第1の支持部3は、第1のアンカ部6と可動部2との間を通るように折れ曲がりながら左右方向に延びて形成されている。また後方(Y1)に位置する第1の支持部4は、第1のアンカ部6の外側を通って左右方向に直線状(帯状)に形成される。
As shown in FIG. 1, the
図1に示すように一対の第1の支持部3,4は、可動部2の前方及び後方の各側方にて延在し、さらに可動部2の右側方(X2)にて前後方向(Y1−Y2)に延びる第1の連結部5に連結されて一体化している。
As shown in FIG. 1, the pair of
また図1に示すように一対の支持部3,4は夫々、可動部2と第2のばね部9,9を介して連結されている。第2のばね部9,9は、可動部2の前方側面の右側、及び後方側面の右側に夫々設けられている。
Further, as shown in FIG. 1, the pair of
図7の部分拡大平面図で示すように、第2のばね部9は、可動部2に設けられた前後方向に細長い溝10内に配置され、可動部2と第1の支持部3との間を連結している。第2のばね部9は、溝10内で前後方向(Y1−Y2)に直線状に長く形成され、また折り返されて、可動部2と第1の支持部3との間を連結している。第2のばね部9は、第1の支持部3に比べて幅寸法が十分小さく、第2のばね部9は、弾性変形可能とされている。第2のばね部9は、可動部2及び第1の支持部3と一体に形成される。
As shown in the partially enlarged plan view of FIG. 7, the
このように第1の支持部3,4は、可動部2と第1のアンカ部6とにばね部9,11を介して連結されている。ばね部9,11は捩れ変形可能とされており、これにより第1の支持部3,3を高さ方向に回動させることが可能となっている。
Thus, the
また、図1に示すように、一対の第2のアンカ部7,7には夫々、左右方向(X1−X2)に延びる第2の支持部13,14が第3のばね部15,15を介して回動自在に連結されている。第2のアンカ部7,7には第3のばね部15の形成領域に切欠部が形成され、その切欠部内に前後方向(Y1−Y2)に直線状に延びる第3のばね部15が、第2のアンカ部7と第2の支持部13,14との間を連結している。第3のばね部15は、第2のアンカ部7と第2の支持部13,14と一体で形成される。第3のばね部15は、第2の支持部13,14に比べて十分に狭い幅寸法で形成され、弾性変形可能な部分となっている。一方、第2の支持部13,14の剛性は高くなっている。
Further, as shown in FIG. 1, the pair of
図1に示すように第2の支持部13,14には第2のアンカ部7,7よりも右方(X2)に第2の脚部13a,14aが設けられている。第2の脚部13a,14aは可動部2の高さ方向への変位を抑制する機能を備える。
As shown in FIG. 1, the
図1に示すように、可動部2の前方(Y2)に位置する第2の支持部13は、第2のアンカ部7の外側を通って左右方向(X1−X2)に直線状(帯状)に延出している。
As shown in FIG. 1, the
また、可動部2の後方(Y1)に位置する第2の支持部14は、第2のアンカ部7と可動部2との間を通るように折れ曲がりながら左右方向に延びて形成されている。
Further, the
可動部2の前方(Y2)及び後方(Y1)の夫々に形成された第1の支持部3,4と第2の支持部13,14は、第1のアンカ部6及び第2のアンカ部7が介在する領域を除き、微小隙間を介して相対向した状態で左右方向に延びている。
The
可動部2の前方(Y2)に配置された第1の支持部3及び第2の支持部13と、可動部2の後方(Y1)に配置された第1の支持部4及び第2の支持部14とは互いに、可動部2(シリコン基板8)の中心Oを中心軸として180度回転させた形態と同じとなっている。このため図1に示すように、第1の支持部3は、第2の支持部14と可動部2(シリコン基板8)の中心Oを中心軸として180度回転させた形態と同じとなっており、また、第1の支持部4は、第2の支持部13と可動部2(シリコン基板8)の中心Oを中心軸として180度回転させた形態と同じとなっている。
The
図1に示すように一対の第2の支持部13,14は、可動部2の前方及び後方の各側方にて左右方向に延在し、さらに可動部2の左側方(X1)にて前後方向(Y1−Y2)に延びる第2の連結部16に連結されて一体化している。
As shown in FIG. 1, the pair of
また図1に示すように一対の第2の支持部13,14は夫々、可動部2と第4のばね部17,17を介して連結されている。第4のばね部17の形態は図7と同様である。第4のばね部17,17は、可動部2の前方側面の左側、及び後方側面の左側に夫々設けられている。
As shown in FIG. 1, the pair of
このように第2の支持部13,14は、可動部2と第2のアンカ部7とにばね部15,17を介して連結されている。ばね部15,17は捩れ変形可能とされており、これにより第2の支持部13,14を高さ方向に回動させることが可能となっている。
Thus, the
図1,図6に示すように、第1のアンカ部6と第2のアンカ部7との間には左右方向(X1−X2)に間隔を空けて前後方向(Y1−Y2)に延びる隙間20が形成されている。そして、この隙間20内に、第1の支持部3と第2の支持部4との間を連結する連結ばね21が設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 6, a gap extending in the front-rear direction (Y1-Y2) with a space in the left-right direction (X1-X2) between the
図6に示すように連結ばね21は前後方向(Y1−Y2)に直線状に細長く形成される。連結ばね21は弾性変形可能とされている。
As shown in FIG. 6, the connecting
図1に示すように、連結ばね21は、可動部2(シリコン基板8)の中心Oを通る前後方向(Y1−Y2)の線上に位置している。また、図1に示すように連結ばね21と第1のばね部11との間の左右方向(X1−X2)の距離、及び連結ばね21と第3のばね部15との間の左右方向(X1−X2)の距離は同じとなっている。
As shown in FIG. 1, the connecting
図1等で示した第1のアンカ部6及び第2のアンカ部7は、図8に示す固定部(支持基板)30に固定支持される。この固定部30は例えばシリコン基板であり、各アンカ部6、7と固定部30との間には図示しない酸化絶縁層(SiO2層)が介在している。固定部30、酸化絶縁層、及び図1に示す可動部2、支持部3,4,13,14、アンカ部6,7及び各ばねを構成するシリコン基板8は、例えばSOI基板である。The
図1に示す可動部2、各支持部3,4,13,14及び各アンカ部6,7は夫々分離して形成されている。このうち、各アンカ部6,7と固定部30との間には上記した酸化絶縁層が介在し、各アンカ部6,7が固定部30に固定支持された状態になっているが、可動部2及び各支持部3,4,13,14と、固定部30との間には酸化絶縁層は存在せず、可動部2及び各支持部3,4,13,14と固定部30との間は空間となっている。
The
図8に示すように、物理量センサ1には、可動部2と高さ方向にて離れた一方に固定部30と他方に対向部40が設けられる。対向部40の表面には固定電極41が設けられる。固定電極41と可動部2とは高さ方向(Z)にて相対向している。
As shown in FIG. 8, the physical quantity sensor 1 is provided with a fixed
対向部40は例えばシリコン基板であり、固定電極41は、対向部40の表面40aに絶縁層を介して導電性金属材料をスパッタしまたはメッキすることで形成されている。
The facing
また、可動部2の表面(下面)2aには、固定電極41に対面する可動電極(図示しない)が絶縁層を介してスパッタやメッキ工程で形成されている。あるいは、可動部2が、低抵抗シリコン基板などの導電性材料で形成されている場合には、可動部2それ自体を可動電極として使用することが可能である。
A movable electrode (not shown) facing the fixed
図1に示す実施形態では、可動部2内に可動部2の左右方向(X1−X2)への変位を検知するためのX方向検知部50,51が形成されている。
In the embodiment shown in FIG. 1,
X方向検知部50,51について図9の部分拡大平面図を用いて説明する。図9は図1に示すX方向検知部50の一部を拡大したものである。図1、図9(a)に示す符号52は可動電極で、符号53は固定電極である。
The
図1,図9(a)に示すように固定電極53は固定支持されたアンカ部54と、アンカ部54の両側から左右方向(X1−X2)に延出する延出部55,55と、各延出部55,55の前後方向の両側から前後方向(Y1−Y2)に延出する複数本の支持部56(図9(a)に符号を付した)と、各支持部56から左方向(X1)に短く突出し、かつ前後方向(Y1−Y2)に所定の間隔を空けて配置された複数本の櫛歯状の固定電極子57と、を有して構成される。アンカ部54はアンカ部6,7と同様、固定部30に支持固定されており、各延出部55,55から延出する支持部55は、後述する高さ方向(Z)への加速度が作用しても変位しない。なお図9(a)には、2本の固定電極子57にのみ符号を付した。
As shown in FIGS. 1 and 9A, the fixed
また図1に示すように、可動部2と一体となって可動電極52が形成されている。可動電極52には、図9(a)に示すように、前後方向(Y1−Y2)に延出する複数の支持部60が形成されている。各支持部60は、可動部2の内側側面から一体となって且つ固定電極53の各支持部56と左右方向(X1−X2)に間隔を空けて配置されている。また図9(a)に示すように、各支持部60の右側面から右方向(X2)に短く突出した複数本の可動電極子61が固定電極子57と前後方向(Y1−Y2)に交互に配置されている。なお図9(a)には、2本の可動電極子61にのみ符号を付した。
Further, as shown in FIG. 1, a
図9(b)は可動部2が左方向(X1)に移動した状態を示す。これにより、可動電極子61と固定電極子57との間の対向面積が図9(a)の基準状態よりも減少し、静電容量が小さくなる。
FIG. 9B shows a state in which the
なお図1に示す実施形態では、図1の左側に配置されたX方向検知部50と右側に配置されたX方向検知部51とでは、可動電極子61と固定電極子57との位置関係が逆になっており、X方向検知部50にて静電容量が増加すれば、X方向検知部51にて静電容量が減少し、また、X方向検知部51にて静電容量が増加すれば、X方向検知部52にて静電容量が減少する。これにより、X方向検知部50により得られた静電容量変化と、X方向検知部51により得られた静電容量変化により差動出力を得ることができる。
In the embodiment shown in FIG. 1, the positional relationship between the
図2は第2の実施形態における物理量センサ19の平面図である。図2では、図1と異なって可動部2内にX方向検知部50,51が形成されておらず平面となっている。すなわち図10の物理量センサは可動部2の高さ方向への変位のみを検出するものである。そのほか、図1と同じ符号が付された箇所は図1と同じ部分を指す。なお図2では各ばね部を簡易的に図示した。またばね部9,17の形成位置は図1と異なった位置としたが、図1において図2のばね部9,17の位置としてもよいし、図2において図1のばね部9,17の位置としてもよい。
FIG. 2 is a plan view of the
図3は図2に示す物理量センサの静止状態における斜視図であり、図4、図5は物理量センサに高さ方向への加速度が作用した際の動作状態における斜視図である。なお図1の物理量センサにおいても図3ないし図5と同様の静止状態、動作状態となる。 3 is a perspective view of the physical quantity sensor shown in FIG. 2 in a stationary state, and FIGS. 4 and 5 are perspective views of the physical quantity sensor in an operating state when acceleration in the height direction acts on the physical quantity sensor. Note that the physical quantity sensor in FIG. 1 is also in a stationary state and an operating state similar to those in FIGS.
図3に示すように、物理量センサが静止状態のときに、表面全体と裏面全体が夫々、同一面上に位置しており、表面及び裏面から突出する部分がない図3に示す静止状態において可動部2と固定部30との間の間隔は、例えば、1〜5μm程度である。また、可動部2と対向部40との間の間隔は、可動部2と固定部30との間の間隔と同程度かあるいはそれよりも狭く設定される。
As shown in FIG. 3, when the physical quantity sensor is in a stationary state, the entire front surface and the entire back surface are located on the same surface, and there is no portion protruding from the front surface and the back surface. The space | interval between the
本実施形態の物理量センサは、外部から力(加速度等)が作用していないときに、ばね部の弾性復元力により、図3に示すように、全ての部分の表面が同一平面となった状態を維持している。 In the physical quantity sensor of this embodiment, when no force (acceleration, etc.) is applied from the outside, the surface of all the parts is in the same plane as shown in FIG. 3 due to the elastic restoring force of the spring part. Is maintained.
物理量センサに外部から例えば加速度が高さ方向に与えられると、加速度は、可動部2及び各アンカ部6,7に作用する。このとき、可動部2は慣性力によって絶対空間内で留まろうとし、その結果、各アンカ部6,7に対して可動部2が加速度の作用方向と逆の方向へ相対的に移動する。
For example, when acceleration is applied to the physical quantity sensor from the outside in the height direction, the acceleration acts on the
図4は、アンカ部6,7、固定部30及び対向部40に対して下向きの加速度が作用したときの動作を示している。このとき、可動部2は慣性力により図3の静止状態の位置から上方向へ向けて変位すべく、第1支持部3,4及び第2支持部13,14が高さ方向に回動する。この回動動作時、各ばね部が捩れ変形する。
FIG. 4 shows an operation when downward acceleration is applied to the
図4に示すように、各支持部3,4,13,14の脚部3a,4a,13a,14aは下方に変位し、各脚部3a,4a,13a,14aの先端は可動部2よりも下方に突出する。
As shown in FIG. 4, the
脚部3a,4a,13a,14aの突出量が大きくなると、図8に示すように、可動部2が固定部30の表面30aに当接するよりも先に、脚部3a,4a,13a,14aの先端部が対向部40の表面(ストッパ面)40aに当接し、可動部2が図8の状態よりもさらに上方に変位できなくなり、可動部2の変位が抑制される。このように各脚部3a,4a,13a,14aと対向部40の表面(ストッパ面)40aとで可動部2の変位を抑制するストッパ機構が構成されている。
When the protruding amount of the
図5は、アンカ部6,7、固定部30及び対向部40に対して上向きの加速度が作用したときの動作を示している。このとき、可動部2は慣性力により図3の静止状態の位置から下方向へ向けて変位すべく、第1支持部3,4及び第2支持部13,14が高さ方向に回動する。この回動動作時、各ばね部が捩れ変形する。
FIG. 5 shows an operation when upward acceleration is applied to the
図5に示すように、各支持部3,4,13,14の脚部3a,4a,13a,14aは上方に変位し、各脚部3a,4a,13a,14aの先端は、可動部2よりも上方に突出する。
As shown in FIG. 5, the
本実施形態では、可動部2と、対向部40に設けられた固定電極41との間の静電容量変化により、加速度等の物理量を検出することが可能となっている。
In the present embodiment, a physical quantity such as acceleration can be detected by a change in capacitance between the
本実施形態の可動部2の支持機構により可動部2を高さ方向(Z)に効果的に平行移動させることが出来る。
The
特に本実施形態によれば、高さ方向(Z)への検出モードと、検出モード以外のモードとの固有振動数の差を効果的に大きくできる。ここで、「検出モード以外のモード」には、前後方向(Y1−Y2)への振動、前後方向や左右方向、さらには前後方向と左右方向の双方に対して斜めに傾く対角線方向を軸とした回転モード、面内回転モード等が含まれる。このように高さ方向(Z)への検出モードと、検出モード以外のモードとの固有振動数の差を効果的に大きくできるから、検出モード時に、検出モード以外のモードが加わっても、可動部2を高さ方向に安定して平行移動させることができる。
In particular, according to the present embodiment, the difference in natural frequency between the detection mode in the height direction (Z) and a mode other than the detection mode can be effectively increased. Here, the “modes other than the detection mode” include vibration in the front-rear direction (Y1-Y2), front-rear direction, left-right direction, and diagonal direction inclined obliquely with respect to both the front-rear direction and left-right direction. Rotation mode, in-plane rotation mode, and the like. Since the difference in natural frequency between the detection mode in the height direction (Z) and the mode other than the detection mode can be effectively increased in this way, even if a mode other than the detection mode is added during the detection mode, it is movable. The
また、本実施形態では、大きな加速度が作用した場合等に、各支持部3,4,13,14の各脚部3a,4a,13a,14aを対向部40の表面40aに当接させることができ、これにより可動部2の変位を抑制できる。そして本実施形態では、脚部3a,4a、13a、14aの先端(対向部40の表面40aとの当接部)が可動部2の四隅付近に位置するため、図8の当接状態において、可動部2の姿勢を安定にできる。
In the present embodiment, the
また本実施形態では、シリコン基板8の中央領域に可動部2を形成し、可動部2の側方に支持部3,4,13,14を設けた構成としたことで、可動部2の面積を広くできる。よって固定電極41との間で生じる静電容量を大きくできる。また図8のように、各脚部3a,4a、13a、14aの先端が対向部40の表面40aに当接するため、脚部により、簡単なストッパ兼スティッキング防止構造を実現できる。
In the present embodiment, the
なお図8では、対向部40の表面40aが平坦面となっているが、例えば、各脚部3a,4a、13a、14aの先端が当接する位置の表面40aを突出させて可動部2の高さ方向(Z)への変位量を規制したり、あるいは表面40aからの突起の面積を小さくするなどして、各脚部と対向部40との接触面積がより小さくなるように構成することもできる。
以上により高感度で検出安定性に優れた物理量センサにできる。In FIG. 8, the
As described above, a physical quantity sensor with high sensitivity and excellent detection stability can be obtained.
また本実施形態では図1,図2,図6に示すように、可動部2の前方(Y2)及び後方(Y1)に形成された夫々の第1の支持部3,4と第2の支持部13,14同士が連結ばね21によって連結されている。連結ばね21を設けることで、連結ばね21により連結された第1の支持部3,4と、第2の支持部13,14との間で回動状態が同等となるように規制でき、第1の支持部3,4に設けられた第1の脚部3a,4aと、第2の支持部13,14に設けられた第2の脚部13a,14aとを可動部2に対し上方あるいは下方の同方向に突出量のばらつきを小さく安定して突出させることができる。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 1, 2 and 6, the
また本実施形態では、図1,図2等に示すように一対の第1の支持部3,4が可動部2の右方側(X2)にて連結されて一体化しており、また、一対の第2の支持部13,14が可動部2の左方側(X1)にて連結されて一体化している。これにより、一対の第1の支持部3,4及び一対の第2の支持部13,14を夫々、一緒に回動させることができ、これにより可動部2を高さ方向に、より安定して平行移動させることができ、検出安定性をより効果的に向上させることができる。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, etc., the pair of
また本実施形態では、可動部2の後方(Y1)では、第1の支持部4が第2の支持部14よりも外側に位置し、可動部2の前方(Y2)では、第2の支持部13が第1の支持部3よりも外側に位置している。上記したように、可動部2の後方(Y1)に位置する第1の支持部4及び第2の支持部14と、可動部2の前方(Y2)に位置する第1の支持部3及び第2の支持部13とでは互いに可動部2(シリコン基板8)の中心Oを中心軸として180度回転させた形状と一致している。これにより、シリコン基板8内に可動部2と、可動部2の両側に、アンカ部6,7、一対の第1の支持部3,4及び一対の第2の支持部13,14とを効率良く配置でき、物理量センサの小型化を実現できる。
Moreover, in this embodiment, the
また図1に示す実施形態では、可動部2内にX方向検知部50,51を設けたことで、可動部2の高さ方向(Z)への変位の検知と、左右方向(X1−X2)への変位の検知の双方を小型の物理量センサにより得ることができる。なお本実施形態では、可動部2と各支持部3,4,13,14との間を連結するばね部9,17が前後方向(Y1−Y2)に細長く形成されており、可動部2が前後方向に変位しにくくなっている。したがって図1に示す実施形態の物理量センサ1によれば、可動部2の高さ方向の変位と左右方向(X1−X2)の変位を安定して検知することが可能になっている。
In the embodiment shown in FIG. 1, by providing the X
また、可動部2内にX方向検知部50,51を設けたことで、可動部2の高さ方向への振動性能を損なうことがない。後述する実験では、検出モード以外のモードの固有振動数と高さ方向への検出モードの固有振動数との差を広げることができ、可動部2を安定して高さ方向や左右方向に変位させることができ、優れた検出安定性を得ることができる。
Further, since the X
また図10は可動電極子61及びZ方向検知部としての固定電極41との部分縦断面図である。図10には一つの可動電極子61のみを図示した。図10に示すように可動電極子61の下面(端部)61aから所定のギャップGを介して対向する固定電極41に向けて電界Eが可動電極子61の幅よりも広がって発生していることがわかる。このため図1や図9に示すように可動部2内にX方向検知部50,51を設けることで微小隙間が可動部2内に形成されるが、前記微小隙間内では、電界Eが固定電極41に向けて広がって生じているために、可動部2内にX方向検知部が形成されていない形態と比べて、静電容量の低下を低く抑えることができ、あるいは、可動部2内にX方向検知部が形成されていない形態とほぼ同等の静電容量を得ることができる。
FIG. 10 is a partial vertical cross-sectional view of the
またX方向検知部50,51を平行平板式でなく、面積変化式による静電容量変化を捉えることで、左右方向(X1−X2)の変位に対する静電容量の変化の出力を良好な線形性を有した状態で得られるため、高い検出精度を得ることができ、さらに、左右方向(X1−X2)への有効検出範囲(ダイナミックレンジ)を広くできる。
In addition, the
特に、X方向検知部50,51では固定電極53と可動電極52において複数本の支持部56,60を設け、各支持部56,60から複数本の固定電極子57及び複数本の可動電極子61を設けることで、可動部2が左右方向(X1−X2)に移動した際の面積変化領域を増やすことができ、左右方向への検出感度を向上させることができる。
In particular, in the X
本実施形態では、可動部2と、対向部40に設けられた固定電極41との間の静電容量変化により、加速度等の物理量を検出することが可能であるが、検知部の構成は静電容量式に限定するものではない。ただし静電容量式としたことで簡単で且つ高精度な検知部の構成を実現できる。
In the present embodiment, it is possible to detect a physical quantity such as acceleration by a change in capacitance between the
本実施形態は加速度センサのみならず角速度センサ、衝撃センサ等、物理量センサ全般に適用可能である。 This embodiment is applicable not only to acceleration sensors but also to general physical quantity sensors such as angular velocity sensors and impact sensors.
(実験1:実施例と比較例における複数モードでの固有振動数の実験)
図11ないし図13は比較例の物理量センサの構成である。図11は平面図、図12、図13は斜視図である。(Experiment 1: Experiments of natural frequencies in multiple modes in Examples and Comparative Examples)
11 to 13 show the configuration of the physical quantity sensor of the comparative example. 11 is a plan view, and FIGS. 12 and 13 are perspective views.
比較例に示す物理量センサ100は、実施例(図1)の物理量センサ1と異なって可動部101の内側にアンカ部102〜104及び支持部105〜108が設けられている。可動部101、アンカ部102〜104及び支持部105〜108は夫々分離して形成されている。また符号109〜120はばね部である。
The
図11に示すように、支持部105,107には夫々、脚部105a,107aが設けられている。
As shown in FIG. 11, the
図12は静止状態であり、高さ方向に加速度が作用すると可動部101が高さ方向に変位し、図13に示すように脚部105a,107aが可動部101とは逆方向に変位して脚部105a,107aの先端が突出する。
FIG. 12 shows a stationary state. When acceleration is applied in the height direction, the
図1に示す実施例1と、上記した比較例を用いて、異なる複数モードにおける固有振動数(KHz)を求めた。 Using Example 1 shown in FIG. 1 and the above-described comparative example, natural frequencies (KHz) in different plural modes were obtained.
実施例1及び比較例におけるモード1は高さ方向(Z)への検出モードである。実施例1におけるモード2は左右方向(X1−X2)への検出モードである。また実施例1におけるモード3〜モード6は、検出モード以外のモードであり、前後方向(Y1−Y2)への振動モード、前後方向及び左右方向を軸とした回転モード、面内回転モードである。実施例1のモード3〜モード6については、固有振動数が低いモード順に並べた。
Mode 1 in Example 1 and the comparative example is a detection mode in the height direction (Z).
また、比較例におけるモード2〜モード6は、検出モード以外のモードであり、左右方向(X1−X2)及び前後方向(Y1−Y2)への振動モード、前後方向及び左右方向を軸とした回転モード、面内回転モードである。比較例のモード2〜モード6については、固有振動数が低いモード順に並べた。
In addition,
実施例1は、高さ方向(Z)及び左右方向(X)への可動部の変位を検出する構成である。図14に示すように、比較例においても、検出モード以外であるモード2〜モード6での固有振動数は、検出モードであるモード1よりも高くなり、固有振動数差を得ることができるとわかった。よって比較例の構成においても、可動部の高さ方向への変位を適切に検出することができる。ただし実施例1のほうが比較例よりも検出モード以外であるモード3〜モード6での固有振動数は高くなり、検出モードとの固有振動数差を広げることができるとわかった。
Example 1 is a structure which detects the displacement of the movable part to a height direction (Z) and a left-right direction (X). As shown in FIG. 14, in the comparative example, the natural frequency in
また、実施例1では、左右方向(X)への検出モードであるモード2と、検出モード以外であるモード3〜モード6との固有振動数差を、モード1の場合と同様に大きくすることができた。
Further, in the first embodiment, the natural frequency difference between the
このように実施例1では、検出モードと検出モード以外のモードとの固有振動数差を大きくでき、優れた検出安定性を得ることができるとわかった。 Thus, in Example 1, it turned out that the natural frequency difference between detection modes and modes other than a detection mode can be enlarged, and the outstanding detection stability can be acquired.
続いて図10に示す実施例2(高さ方向検知のみ)と、上記した比較例を用いて、異なる複数モードにおける固有振動数(KHz)を求めた。 Subsequently, using Example 2 (only height direction detection) shown in FIG. 10 and the above-described comparative example, natural frequencies (KHz) in different plural modes were obtained.
実施例2及び比較例におけるモード1は高さ方向(Z)への検出モードである。また実施例2及び比較例におけるモード2〜モード6は、検出モード以外のモードであり、左右方向(X1−X2)及び前後方向(Y1−Y2)への振動モード、前後方向及び左右方向を軸とした回転モード、面内回転モードである。実施例2及び比較例のモード2〜モード6については、固有振動数が低いモード順に並べた。
Mode 1 in Example 2 and the comparative example is a detection mode in the height direction (Z). Further,
図15に示す比較例の結果は図14と同じである。図15に示すように、実施例2と比較例とを対比すると、検出モード以外であるモード2〜モード6での固有振動数はいずれも実施例1のほうが高いことがわかった。この結果、これら検出モード以外のモード2〜6と、高さ方向の検出モードであるモード1との固有振動数差は、実施例2のほうが比較例よりも大きくなることがわかった。
The result of the comparative example shown in FIG. 15 is the same as FIG. As shown in FIG. 15, comparing Example 2 and the comparative example, it was found that the natural frequencies in
このように実施例2では、検出モードと検出モード以外のモードとの固有振動数差を大きくでき、優れた検出安定性を得ることができるとわかった。 As described above, in Example 2, it was found that the natural frequency difference between the detection mode and a mode other than the detection mode can be increased, and excellent detection stability can be obtained.
(実験2:実施例1におけるギャップと静電容量の実験)
実験では図1に示す実施例1(高さ方向及び左右方向の検知部を備える)の物理量センサを用い、図10に示すギャップGを変化させてZ方向検知部における静電容量を求めた。また図10に示す実施例2(高さ方向の検知部のみ備える)の物理量センサを用い、図10に示すギャップGを変化させてZ方向検知部における静電容量を求めた。(Experiment 2: Experiment of gap and capacitance in Example 1)
In the experiment, the physical quantity sensor of Example 1 (including the height direction and right and left direction detection units) shown in FIG. 1 was used, and the capacitance in the Z direction detection unit was obtained by changing the gap G shown in FIG. Further, using the physical quantity sensor of Example 2 (provided only with the height direction detection unit) shown in FIG. 10, the gap G shown in FIG. 10 was changed to obtain the capacitance in the Z direction detection unit.
その実験結果が図16に示されている。実施例1と実施例2との静電容量差は非常に小さく、実施例1のように、可動部内にX方向検知部を設けても、高さ方向(Z)への検知を高感度で行うことが可能であるとわかった。 The experimental results are shown in FIG. The capacitance difference between Example 1 and Example 2 is very small, and even in the case where the X direction detection unit is provided in the movable part as in Example 1, the detection in the height direction (Z) is highly sensitive. I found it possible to do it.
電界ベクトルを調べてみると、図10のように電界が櫛歯状電極の下面から固定電極の方向に向って広がっていることがわかった。この結果、可動部2内にX方向検知部を設けることで微小隙間が形成されても、前記微小隙間内は櫛歯状電極の下面から広がった電界が作用して電荷密度を上げることができ、図16のようにX方向検知部を備えない実施例2と大差ない静電容量が得られたものと考えられる。
Examination of the electric field vector revealed that the electric field spreads from the lower surface of the comb-like electrode toward the fixed electrode as shown in FIG. As a result, even if a minute gap is formed by providing the X-direction detector in the
ただしX方向検知部の構成としては、並行平板型などとすると可動部2内に形成される空間が大きくなったり、また前記空間内を電界の広がりでカバーしきれないことがある。したがって、図1,図9に示したように、X方向検知部の可動電極側と固定電極側とで多数の櫛歯状電極が微小隙間を空けて対向し、可動部2が左右方向に可動したときに櫛歯状電極間の対向面積の変化により静電容量が変化する構成とすることが、高感度にでき好適である。
However, if the X-direction detection unit is configured to be a parallel plate type or the like, the space formed in the
1、19 物理量センサ
2 可動部
3、4 第1の支持部
3a、4a 第1の脚部
6、7 第1のアンカ部
8 シリコン基板
9、11,15、17 ばね部
13、14 第2の支持部
13a、14a 第2の脚部
21 連結ばね
30 固定部
40 対向部
41、53 固定電極
50、51 X方向検知部
52 可動電極
54 アンカ部
57 固定電極子
61 可動電極子DESCRIPTION OF
Claims (5)
シリコン基板には、固定支持されるアンカ部、前記可動部、及び前記アンカ部と前記可動部とにばね部を介して回動自在に連結された支持部が夫々分離して形成されており、
前記シリコン基板の中央領域に前記可動部が配置され、前記可動部のY1−Y2方向の両側に一対の第1のアンカ部が配置され、前記一対の第1のアンカ部に夫々、前記Y1−Y2方向に対して直交するX1−X2方向に延出する第1の支持部が回動自在に連結され、
前記一対の第1のアンカ部に対して前記X1−X2方向に並設された一対の第2のアンカ部が配置され、前記一対の第2のアンカ部に夫々、前記X1−X2方向に延出する第2の支持部が回動自在に連結されるとともに前記第1の支持部と並設されており、
各支持部には、前記支持部が回動して前記可動部が高さ方向に変位したときに前記可動部の変位方向に対し逆方向に変位する脚部が設けられており、
一対の前記第1の支持部に夫々設けられた第1の脚部は、前記第1のアンカ部からX1方向に向けて形成されており、一対の前記第2の支持部に夫々設けられた第2の脚部は、前記第2のアンカ部からX2方向に向けて形成されており、
前記第1のアンカ部と前記第2のアンカ部との間には、前記第1の支持部と前記第2の支持部との間を連結する連結ばねが設けられていることを特徴とする物理量センサ。In a physical quantity sensor configured to include a movable part displaceable in the height direction and a Z-direction detection part for detecting displacement of the movable part,
In the silicon substrate, an anchor part fixedly supported, the movable part, and a support part rotatably connected to the anchor part and the movable part via a spring part are separately formed,
The movable portion is disposed in a central region of the silicon substrate, a pair of first anchor portions are disposed on both sides of the movable portion in the Y1-Y2 direction, and the Y1- A first support portion extending in the X1-X2 direction orthogonal to the Y2 direction is rotatably connected,
A pair of second anchor portions arranged side by side in the X1-X2 direction with respect to the pair of first anchor portions is disposed, and each of the pair of second anchor portions extends in the X1-X2 direction. A second supporting portion to be pivotally connected and juxtaposed with the first supporting portion;
Each support portion is provided with a leg portion that is displaced in a direction opposite to the displacement direction of the movable portion when the support portion rotates and the movable portion is displaced in the height direction.
The first leg portions respectively provided on the pair of first support portions are formed in the X1 direction from the first anchor portion, and are respectively provided on the pair of second support portions. The second leg is formed in the X2 direction from the second anchor part,
A connecting spring for connecting the first support portion and the second support portion is provided between the first anchor portion and the second anchor portion. Physical quantity sensor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013553303A JP5747092B2 (en) | 2012-01-11 | 2013-01-10 | Physical quantity sensor |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012003511 | 2012-01-11 | ||
JP2012003511 | 2012-01-11 | ||
JP2013553303A JP5747092B2 (en) | 2012-01-11 | 2013-01-10 | Physical quantity sensor |
PCT/JP2013/050262 WO2013105591A1 (en) | 2012-01-11 | 2013-01-10 | Physical quantity sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013105591A1 JPWO2013105591A1 (en) | 2015-05-11 |
JP5747092B2 true JP5747092B2 (en) | 2015-07-08 |
Family
ID=48781535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013553303A Expired - Fee Related JP5747092B2 (en) | 2012-01-11 | 2013-01-10 | Physical quantity sensor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5747092B2 (en) |
WO (1) | WO2013105591A1 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6845670B1 (en) * | 2003-07-08 | 2005-01-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Single proof mass, 3 axis MEMS transducer |
WO2009125510A1 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 三菱電機株式会社 | Acceleration sensor |
WO2010001947A1 (en) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | アルプス電気株式会社 | Capacitance detection type movable sensor |
JP5089807B2 (en) * | 2009-06-03 | 2012-12-05 | アルプス電気株式会社 | Physical quantity sensor |
-
2013
- 2013-01-10 JP JP2013553303A patent/JP5747092B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-10 WO PCT/JP2013/050262 patent/WO2013105591A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013105591A1 (en) | 2013-07-18 |
JPWO2013105591A1 (en) | 2015-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8333113B2 (en) | Triaxial acceleration sensor | |
JP5193300B2 (en) | Capacitance detection type movable sensor | |
JP2007298405A (en) | Electrostatic capacity type sensor | |
JP4600345B2 (en) | Capacitive sensor | |
JP2014115080A (en) | Physical quantity sensor | |
JP5747092B2 (en) | Physical quantity sensor | |
JP4770646B2 (en) | Input device and information processing device | |
WO2011111539A1 (en) | Physical quantity sensor | |
JP5654904B2 (en) | Capacitance type acceleration sensor | |
JP4600344B2 (en) | Capacitive sensor | |
JP5898571B2 (en) | MEMS sensor | |
JP5081692B2 (en) | Physical quantity sensor | |
JP2011247714A (en) | Semiconductor physical quantity sensor | |
JP2014115081A (en) | Physical quantity sensor | |
JP5089807B2 (en) | Physical quantity sensor | |
JP6175868B2 (en) | MEMS equipment | |
WO2009099123A1 (en) | Physical quantity sensor and method of manufacturing same | |
JP4775412B2 (en) | Semiconductor physical quantity sensor | |
JP6167842B2 (en) | Capacitive sensor | |
US20180057352A1 (en) | Micromechanical component | |
JP2006145505A (en) | Tilt-measuring sensor | |
JP2014115082A (en) | Physical quantity sensor | |
WO2012160845A1 (en) | Mems sensor | |
TWI580967B (en) | Monolithic z-axis displacement cmos mems accelerometer | |
JP2010203859A (en) | Sensor for detecting amount of dynamics |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5747092 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |