JP5740222B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び、対向基板に関する。   Embodiments described herein relate generally to a method for manufacturing a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a counter substrate.

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。   Liquid crystal display devices are utilized in various fields as display devices for OA equipment such as personal computers and televisions, taking advantage of features such as light weight, thinness, and low power consumption. In recent years, liquid crystal display devices are also used as mobile terminal devices such as mobile phones, display devices such as car navigation devices and game machines.

近年では、Fringe Field Switching(FFS)モードやIn−Plane Switching(IPS)モードの液晶表示パネルが実用化されている。このようなFFSモードやIPSモードの液晶表示パネルは、画素電極及び共通電極を備えたアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を保持した構成である。対向基板には、導電膜がほとんど配置されていないため、外部からの電界をシールドするための構成が提案されている。   In recent years, liquid crystal display panels in a fringe field switching (FFS) mode and an in-plane switching (IPS) mode have been put into practical use. Such an FFS mode or IPS mode liquid crystal display panel has a configuration in which a liquid crystal layer is held between an array substrate including a pixel electrode and a common electrode and a counter substrate. Since the conductive film is hardly arranged on the counter substrate, a configuration for shielding an electric field from the outside has been proposed.

特開2009−116309号公報JP 2009-116309 A

本実施形態の目的は、歩留まり及び表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び、対向基板を提供することにある。   An object of the present embodiment is to provide a manufacturing method of a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a counter substrate capable of suppressing a decrease in yield and display quality.

本実施形態によれば、
第1絶縁基板上において、複数の画素に亘って形成した共通電極と、各画素に形成した画素電極と、を備えた第1基板を用意し、第2絶縁基板の外面に形成した第1導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成した誘電体薄膜と、を備えた第2基板を用意し、前記第2基板の前記誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜し、前記配向膜材料に配向処理を施し、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる、ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法が提供される。
According to this embodiment,
A first substrate having a common electrode formed over a plurality of pixels and a pixel electrode formed in each pixel is prepared on a first insulating substrate, and a first conductive layer formed on the outer surface of the second insulating substrate is prepared. A second substrate comprising a layer and a dielectric thin film formed on the inner surface of the second insulating substrate, and forming an alignment film material on the dielectric thin film of the second substrate; There is provided a method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that an orientation treatment is performed on a material, and the first substrate and the second substrate are bonded together.

本実施形態によれば、
第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板上において複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、第2絶縁基板と、前記第2絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記第2絶縁基板の内面に形成された誘電体薄膜と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
A first insulating substrate; a common electrode formed over a plurality of pixels on the first insulating substrate; an insulating film covering the common electrode; and the common electrode formed on each pixel on the insulating film; A first substrate having a pixel electrode facing each other and having a slit formed thereon, a first alignment film covering the pixel electrode, a second insulating substrate, and an organic conductive layer formed on an outer surface of the second insulating substrate And a dielectric thin film formed on the inner surface of the second insulating substrate, and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate. A liquid crystal display device is provided.

本実施形態によれば、
液晶表示装置を構成する対向基板であって、絶縁基板と、前記絶縁基板の外面に形成された有機導電層と、前記絶縁基板の内面に形成されたブラックマトリクス及びカラーフィルタと、前記ブラックマトリクス及び前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、前記オーバーコート層を覆う配向膜と、を備えたことを特徴とする対向基板が提供される。
According to this embodiment,
A counter substrate constituting a liquid crystal display device, comprising: an insulating substrate; an organic conductive layer formed on an outer surface of the insulating substrate; a black matrix and a color filter formed on an inner surface of the insulating substrate; There is provided a counter substrate comprising an overcoat layer covering the color filter and an alignment film covering the overcoat layer.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel constituting the liquid crystal display device of the present embodiment. 図2は、図1に示した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel shown in FIG. 図3は、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法を説明するためのフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart for explaining a method of manufacturing the liquid crystal display panel of this embodiment. 図4は、本実施形態の液晶表示パネルの製造方法を説明するための概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the present embodiment.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel LPN constituting the liquid crystal display device of the present embodiment.

すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、アレイ基板(第1基板)ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板(第2基板)CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えて構成されている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている(但し、m及びnは正の整数)。   That is, the liquid crystal display device includes an active matrix type liquid crystal display panel LPN. The liquid crystal display panel LPN is held between an array substrate (first substrate) AR, a counter substrate (second substrate) CT arranged to face the array substrate AR, and the array substrate AR and the counter substrate CT. And a liquid crystal layer LQ. Such a liquid crystal display panel LPN includes an active area ACT for displaying an image. The active area ACT is composed of a plurality of pixels PX arranged in a matrix of m × n (where m and n are positive integers).

アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線G(G1〜Gn)及びn本の容量線C(C1〜Cn)、第1方向Xに交差する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線S(S1〜Sm)、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたm×n個のスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続されたm×n個の画素電極PE、容量線Cの一部であり画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。保持容量CSは、容量線Cと画素電極PEとの間に形成される。   In the active area ACT, the array substrate AR includes n gate wirings G (G1 to Gn) and n capacitance lines C (C1 to Cn) that extend in the first direction X in the first direction X, respectively. M source lines S (S1 to Sm) each extending along the intersecting second direction Y, and mxn switching elements electrically connected to the gate line G and the source line S in each pixel PX SW, m × n pixel electrodes PE electrically connected to the switching element SW in each pixel PX, a common electrode CE which is a part of the capacitor line C and faces the pixel electrode PE, and the like. The storage capacitor CS is formed between the capacitor line C and the pixel electrode PE.

共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。   The common electrode CE is formed in common across the plurality of pixels PX. The pixel electrode PE is formed in an island shape in each pixel PX.

各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第1駆動回路GDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第2駆動回路SDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、第3駆動回路CDに接続されている。これらの第1駆動回路GD、第2駆動回路SD、及び、第3駆動回路CDは、アレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源として、駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。   Each gate line G is drawn outside the active area ACT and is connected to the first drive circuit GD. Each source line S is drawn outside the active area ACT and connected to the second drive circuit SD. Each capacitance line C is drawn outside the active area ACT and connected to the third drive circuit CD. The first drive circuit GD, the second drive circuit SD, and the third drive circuit CD are formed on the array substrate AR and connected to the drive IC chip 2. In the illustrated example, the driving IC chip 2 is mounted on the array substrate AR outside the active area ACT of the liquid crystal display panel LPN as a signal source necessary for driving the liquid crystal display panel LPN.

本実施形態において、駆動ICチップ2は、アクティブエリアACTに画像を表示する画像表示モードにおいて各画素PXの画素電極PEに画像信号を書き込むのに必要な制御を行う画像信号書込回路2Aを備えている。なお、この駆動ICチップ2は、画像信号書込回路2Aの他に、検出面において物体の接触を検出するタッチセンシングモードにおいて静電容量タッチセンシング用配線の静電容量(例えば、静電容量タッチセンシング用配線として容量線Cとソース配線Sとの間の静電容量)の変化を検出する検出回路2Bを備えていても良い。   In the present embodiment, the driving IC chip 2 includes an image signal writing circuit 2A that performs control necessary for writing an image signal to the pixel electrode PE of each pixel PX in an image display mode in which an image is displayed in the active area ACT. ing. In addition to the image signal writing circuit 2A, the drive IC chip 2 has a capacitance (for example, a capacitance touch) of a capacitance touch sensing wiring in a touch sensing mode for detecting contact of an object on the detection surface. You may provide the detection circuit 2B which detects the change of the electrostatic capacitance between the capacitive line C and the source wiring S) as a sensing wiring.

また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界(例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界)を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。   Further, the liquid crystal display panel LPN of the illustrated example has a configuration applicable to the FFS mode or the IPS mode, and includes a pixel electrode PE and a common electrode CE on the array substrate AR. In the liquid crystal display panel LPN having such a configuration, a horizontal electric field (for example, an electric field substantially parallel to the main surface of the substrate in the fringe electric field) formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE is mainly used. The liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer LQ are switched.

図2は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。   FIG. 2 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel LPN shown in FIG.

すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面(すなわち対向基板CTに対向する面)10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。   That is, the array substrate AR is formed by using a first insulating substrate 10 having light transparency such as a glass substrate. The array substrate AR includes a switching element SW, a common electrode CE, a pixel electrode PE, and the like on an inner surface (that is, a surface facing the counter substrate CT) 10A of the first insulating substrate 10.

ここに示したスイッチング素子SWは、薄膜トランジスタ(TFT)である。このスイッチング素子SWは、ポリシリコン半導体層やアモルファスシリコン半導体層を備えている。このようなスイッチング素子SWは、第1絶縁膜11によって覆われている。   The switching element SW shown here is a thin film transistor (TFT). The switching element SW includes a polysilicon semiconductor layer and an amorphous silicon semiconductor layer. Such a switching element SW is covered with the first insulating film 11.

共通電極CEは、第1絶縁膜11の上に形成されている。この共通電極CEは、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。画素電極PEは、第2絶縁膜12の上に形成さている。この画素電極PEは、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを介してスイッチング素子SWに接続されている。また、この画素電極PEは、第2絶縁膜12を介して共通電極CEと向かい合うスリットPSLを有している。これらの共通電極CE及び画素電極PEは、ともに透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などによって形成されている。画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。   The common electrode CE is formed on the first insulating film 11. The common electrode CE is covered with the second insulating film 12. The second insulating film 12 is also disposed on the first insulating film 11. The pixel electrode PE is formed on the second insulating film 12. The pixel electrode PE is connected to the switching element SW through a contact hole that penetrates the first insulating film 11 and the second insulating film 12. Further, the pixel electrode PE has a slit PSL facing the common electrode CE through the second insulating film 12. Both the common electrode CE and the pixel electrode PE are formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode PE is covered with the first alignment film AL1. The first alignment film AL1 is disposed on the surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the array substrate AR.

一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面(すなわちアレイ基板ARに対向する面)30Aに、誘電体薄膜として、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。   On the other hand, the counter substrate CT is formed using a second insulating substrate 30 having optical transparency such as a glass substrate. The counter substrate CT has a black matrix 31, a color filter 32, an overcoat layer 33, and the like that partition each pixel PX as a dielectric thin film on the inner surface (that is, the surface facing the array substrate AR) 30 A of the second insulating substrate 30. It has.

ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面において、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面に形成され、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料は赤色画素に対応して配置され、同様に、青色に着色された樹脂材料は青色画素に対応して配置され、緑色に着色された樹脂材料は緑色画素に対応して配置されている。   The black matrix 31 is formed on the inner surface of the second insulating substrate 30 so as to face the gate wiring G and the source wiring S provided on the array substrate AR, and further to the wiring section such as the switching element SW. The color filter 32 is formed on the inner surface of the second insulating substrate 30 and is formed of a resin material colored in a plurality of different colors, for example, three primary colors such as red, blue, and green. The resin material colored red is arranged corresponding to the red pixel. Similarly, the resin material colored blue is arranged corresponding to the blue pixel, and the resin material colored green corresponds to the green pixel. Are arranged.

オーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31及びカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。   The overcoat layer 33 covers the black matrix 31 and the color filter 32. The overcoat layer 33 flattens the unevenness of the surfaces of the black matrix 31 and the color filter 32. Such an overcoat layer 33 is covered with the second alignment film AL2. The second alignment film AL2 is disposed on the surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the counter substrate CT.

上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTとの間には、図示しないスペーサ(例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ)が配置され、これにより、所定のギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、所定のギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。   The array substrate AR and the counter substrate CT as described above are arranged so that the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 face each other. At this time, a spacer (not shown) (for example, a columnar spacer integrally formed on one substrate with a resin material) is disposed between the array substrate AR and the counter substrate CT, thereby forming a predetermined gap. Is done. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together with a sealing material in a state where a predetermined gap is formed. The liquid crystal layer LQ is composed of a liquid crystal composition including liquid crystal molecules enclosed in a gap formed between the first alignment film AL1 of the array substrate AR and the second alignment film AL2 of the counter substrate CT. .

このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には図示しないバックライトが配置される。液晶表示パネルLPNの一方の外面、すなわちアレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、液晶表示パネルLPNの他方の外面、すなわち対向基板CTを構成する第2絶縁基板30の外面30Bには、導電層CDF及び第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。   A backlight (not shown) is arranged on the back side of the liquid crystal display panel LPN having such a configuration. A first optical element OD1 including a first polarizing plate PL1 is arranged on one outer surface of the liquid crystal display panel LPN, that is, the outer surface 10B of the first insulating substrate 10 constituting the array substrate AR. The second optical element OD2 including the conductive layer CDF and the second polarizing plate PL2 is disposed on the other outer surface of the liquid crystal display panel LPN, that is, the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 constituting the counter substrate CT. .

導電層CDFは、透明な導電層であり、外部からの不所望な電荷の液晶表示パネルLPNへの侵入を防止する帯電防止層(あるいは、シールド電極)として機能する。このような導電層CDFは、第2絶縁基板30の外面30Bに直接形成されていても良いし、第2偏光板PL2などの表面に形成されていてもよい。   The conductive layer CDF is a transparent conductive layer, and functions as an antistatic layer (or shield electrode) that prevents undesired charges from entering the liquid crystal display panel LPN from the outside. Such a conductive layer CDF may be directly formed on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30, or may be formed on the surface of the second polarizing plate PL2.

第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、基板主面と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理されている。このため、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない状態では、液晶層LQに含まれる液晶分子は、面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向に初期配向する。画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成された状態では、液晶分子は、面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。   The first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are aligned in directions parallel to each other in a plane parallel to the main surface of the substrate. Therefore, in a state where no electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules included in the liquid crystal layer LQ are aligned in the plane with the alignment layers AL1 and AL2. Initial orientation in the processing direction. In a state where a fringe electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules are aligned in a different direction from the initial alignment direction in the plane.

上記の構成の液晶表示パネルLPNにおいては、アレイ基板ARは各種電極や各種配線を備えている一方で、対向基板CTは電極を備えておらず、ブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33、第2配向膜AL2といった誘電体薄膜を備えている。このため、対向基板CTは、アレイ基板ARよりも帯電しやすい。この点については、発明者は、以下の実験を行って確認した。   In the liquid crystal display panel LPN having the above configuration, the array substrate AR is provided with various electrodes and various wirings, while the counter substrate CT is not provided with electrodes, and the black matrix 31, the color filter 32, and the overcoat layer 33. And a dielectric thin film such as a second alignment film AL2. For this reason, the counter substrate CT is more easily charged than the array substrate AR. About this point, the inventor confirmed by performing the following experiment.

すなわち、互いに貼り合わせる前のアレイ基板AR及び対向基板CTについて、それぞれ強制的に帯電させるための放電処理を施し、それぞれの表面電位の推移を測定した。アレイ基板ARに放電処理を施したところ、強制的に帯電させようとしても、アレイ基板の表面電位はほぼゼロボルトで推移し、大きな変化はなかった。対向基板CTについては、放電処理を施したところ、瞬時にプラス電位あるいはマイナス電位に帯電し、時間の経過に伴って対向基板CTの表面電位が減衰していく様子が確認された。また、この対向基板CTの表面電位及びその減衰率は、対向基板CTを構成する誘電体薄膜の材料に依存することが確認された。この実験により、対向基板CTはアレイ基板ARよりも帯電しやすいことが確認された。   That is, the array substrate AR and the counter substrate CT before being bonded to each other were subjected to a discharge process for forcibly charging them, and the transition of the surface potential of each was measured. When the array substrate AR was subjected to a discharge treatment, the surface potential of the array substrate was maintained at almost zero volts even when it was forcibly charged, and there was no significant change. When the counter substrate CT was subjected to the discharge treatment, it was confirmed that the surface potential of the counter substrate CT was attenuated as time passed, and the surface potential of the counter substrate CT was attenuated as time passed. Further, it was confirmed that the surface potential of the counter substrate CT and the attenuation rate thereof depend on the material of the dielectric thin film that constitutes the counter substrate CT. From this experiment, it was confirmed that the counter substrate CT is more easily charged than the array substrate AR.

このような対向基板CTを製造する過程で対向基板CTが帯電した場合、アレイ基板ARと貼り合わせた際に、対向基板CTに蓄積された電荷が閉じ込められてしまい、外部に電荷を逃がすことができなくなってしまう。対向基板CTに蓄積された電荷が局在化すると、対向基板CTの誘電体薄膜の誘電分極が発生する。   When the counter substrate CT is charged in the process of manufacturing the counter substrate CT, the charge accumulated in the counter substrate CT is confined when bonded to the array substrate AR, and the charge may be released to the outside. It becomes impossible. When the electric charge accumulated in the counter substrate CT is localized, dielectric polarization of the dielectric thin film of the counter substrate CT occurs.

例えば、第2配向膜AL2は、本来、配向処理方向に沿って液晶分子を配向させる配向規制力を有している。しかしながら、第2配向膜AL2において局所的に誘電分極が発生した場合、その領域では配向処理方向とは異なる方向に液晶分子を配向させる配向規制力が生じるおそれがある。このため、液晶層LQにおいて、液晶分子の配向が局所的に乱れる配向不良を発生し、表示ムラを誘発するおそれがある。この現象については、発明者は、以下の実験を行って確認した。   For example, the second alignment film AL2 originally has an alignment regulating force that aligns liquid crystal molecules along the alignment treatment direction. However, when local dielectric polarization occurs in the second alignment film AL2, there may be an alignment regulating force that aligns liquid crystal molecules in a direction different from the alignment processing direction in that region. For this reason, in the liquid crystal layer LQ, alignment defects in which the alignment of liquid crystal molecules is locally disturbed may occur, and display unevenness may be induced. The inventor confirmed this phenomenon by conducting the following experiment.

すなわち、表示ムラが確認された液晶表示パネルLPNを分解し、対向基板CTを取り出し、洗浄して液晶材料を除去する。そして、この対向基板CTを帯電させた場合と帯電させなかった場合とで、それぞれ対向基板CTの上に液晶材料を滴下し、偏光顕微鏡により液晶分子の配向状態を観察した。   That is, the liquid crystal display panel LPN in which display unevenness is confirmed is disassembled, the counter substrate CT is taken out, and washed to remove the liquid crystal material. The liquid crystal material was dropped on the counter substrate CT when the counter substrate CT was charged and when it was not charged, and the alignment state of the liquid crystal molecules was observed with a polarizing microscope.

対向基板CTを帯電させなかった場合、偏光面がクロスニコルの状況下の偏光顕微鏡により観察したところ、良好な暗視野が観察された。これにより、対向基板CTの上の液晶分子は、第2配向膜AL2の本来の配向規制力によって配向処理方向に沿って揃って配向していることが確認された。   When the counter substrate CT was not charged, a good dark field was observed when the polarizing plane was observed with a polarizing microscope under the condition of crossed Nicols. Thereby, it was confirmed that the liquid crystal molecules on the counter substrate CT were aligned along the alignment processing direction by the original alignment regulating force of the second alignment film AL2.

一方、対向基板CTを帯電させた場合、偏光面がクロスニコルの状況下の偏光顕微鏡により観察したところ、帯電直後に、液晶分子が種々の方向に配向する配向不良を発生してしまい、光漏れが確認された。また、対向基板CTの表面電位は、時間の経過とともに減衰するが、十分に表面電位が減衰した後であっても、局所的に液晶分子の配向不良が残り、画素内に微小な輝点(微輝点)が確認された。   On the other hand, when the counter substrate CT is charged, the polarization plane is observed with a polarizing microscope under a crossed Nicols condition. Immediately after the charging, alignment defects in which liquid crystal molecules are aligned in various directions occur, and light leakage occurs. Was confirmed. Further, although the surface potential of the counter substrate CT is attenuated as time elapses, even after the surface potential is sufficiently attenuated, the alignment defect of the liquid crystal molecules remains locally, and a minute bright spot (in the pixel) (Bright spot) was confirmed.

このような微輝点の発生メカニズムは以下のように推測される。まず、対向基板CTが一旦帯電したのに伴って、第2配向膜AL2に誘電分極が発生し、液晶分子の配向不良が発生する。液晶分子が本来配向すべき配向方向とは異なる方向に配向した領域は、光漏れが生ずる。そして、このような第2配向膜AL2の一部の微小な領域で発生した誘電分極は、表面電位の減衰とは無関係に維持されてしまう。誘電分極が生じた微少な領域では、時間が経過しても液晶分子の配向不良が緩和しにくく、光漏れの状態が継続し、微小な輝点として観察されたものと推測される。   The generation mechanism of such a bright spot is presumed as follows. First, as the counter substrate CT is once charged, dielectric polarization occurs in the second alignment film AL2, and alignment failure of liquid crystal molecules occurs. Light leakage occurs in a region in which the liquid crystal molecules are aligned in a direction different from the alignment direction that should be aligned. The dielectric polarization generated in such a small region of the second alignment film AL2 is maintained regardless of the attenuation of the surface potential. In a very small region where dielectric polarization occurs, it is presumed that the alignment failure of the liquid crystal molecules is difficult to alleviate over time, and the light leakage state continues and is observed as a fine bright spot.

上記のような発明者による実験から、対向基板CTは、アレイ基板ARと貼り合わせる前の段階で、できるだけ帯電を防止する(あるいは、例え帯電したとしても十分に除電しておく)必要がある。そこで、本実施形態では、以下のような方法で液晶表示パネルLPNを製造した。   From the experiments by the inventors as described above, it is necessary to prevent the counter substrate CT from being charged as much as possible (or to be sufficiently discharged even if it is charged) before it is bonded to the array substrate AR. Therefore, in the present embodiment, the liquid crystal display panel LPN is manufactured by the following method.

図3は、本実施形態の液晶表示パネルLPNの製造方法を説明するためのフローチャートである。   FIG. 3 is a flowchart for explaining a manufacturing method of the liquid crystal display panel LPN of this embodiment.

まず、第1絶縁基板10の上にスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PE、第1配向膜AL1などを備えたアレイ基板ARを用意する(ST1)。   First, an array substrate AR including a switching element SW, a common electrode CE, a pixel electrode PE, a first alignment film AL1, and the like is prepared on the first insulating substrate 10 (ST1).

一方で、第2絶縁基板30の外面30Bに形成した第1導電層CDF1、及び、第2絶縁基板30の内面30Aに形成したブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などの誘電体薄膜を備えた対向基板CTを用意する(ST2)。このとき、第1導電層CDF1と誘電体薄膜との形成順序は特に問わないが、誘電体薄膜を形成する過程での帯電を防止するためには、誘電体薄膜の形成に先立って第1導電層CDF1を形成することが有効である。   On the other hand, dielectric thin films such as the first conductive layer CDF1 formed on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 and the black matrix 31, the color filter 32, and the overcoat layer 33 formed on the inner surface 30A of the second insulating substrate 30. The counter substrate CT provided with is prepared (ST2). At this time, the formation order of the first conductive layer CDF1 and the dielectric thin film is not particularly limited, but in order to prevent charging in the process of forming the dielectric thin film, the first conductive layer is formed prior to the formation of the dielectric thin film. It is effective to form the layer CDF1.

このような第1導電層CDF1は、例えば、有機導電層であり、対向基板CTを用意する工程において、第2絶縁基板30の外面30Bにコーティングすることによって形成する。有機導電層を形成するための材料としては、例えば、導電性物質であるポリチオフェンにバインダ樹脂及び分散剤を混合したものなどが適用可能である。このような材料をコーティングすることによって形成した第1導電層CDF1の膜厚は、例えば0.2〜0.3μmである。なお、第1導電層CDF1は、接地されるなど特定の端子と電気的に接続してもよいが、局所的な帯電を防止する(あるいは電荷を均一化する)という意味では電気的にフローティング状態であっても良い。   The first conductive layer CDF1 is an organic conductive layer, for example, and is formed by coating the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 in the step of preparing the counter substrate CT. As a material for forming the organic conductive layer, for example, a material obtained by mixing a binder resin and a dispersant with polythiophene, which is a conductive substance, is applicable. The film thickness of the first conductive layer CDF1 formed by coating such a material is, for example, 0.2 to 0.3 μm. The first conductive layer CDF1 may be electrically connected to a specific terminal such as being grounded. However, the first conductive layer CDF1 is in an electrically floating state in order to prevent local charging (or equalize charge). It may be.

そして、このようにして用意した対向基板CTを搬送系に導入し、必要に応じて洗浄工程などに導入する。   Then, the counter substrate CT prepared in this way is introduced into the transport system, and is introduced into the cleaning process or the like as necessary.

続いて、対向基板CTの誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜する(ST3)。このような配向膜材料としては、例えば、ポリイミドなどが適用可能である。その後、成膜した配向膜材料を焼成する。   Subsequently, an alignment film material is formed on the dielectric thin film of the counter substrate CT (ST3). As such an alignment film material, for example, polyimide or the like is applicable. Thereafter, the formed alignment film material is fired.

続いて、配向膜材料に配向処理を施す(ST4)。配向処理としては、ラビング処理であっても良いし、光配向処理であっても良い。これにより、所定の方向に配向処理された第2配向膜AL2を形成する。このような第2配向膜AL2も誘電体薄膜の一つである。そして、第2配向膜AL2まで形成済みの対向基板CTを洗浄工程などに導入する。   Subsequently, an alignment process is performed on the alignment film material (ST4). The alignment process may be a rubbing process or a photo-alignment process. Thereby, the second alignment film AL2 subjected to the alignment process in a predetermined direction is formed. Such a second alignment film AL2 is also one of the dielectric thin films. Then, the counter substrate CT that has already been formed up to the second alignment film AL2 is introduced into a cleaning process or the like.

続いて、アレイ基板ARと対向基板CTとをシール材を用いて貼り合わせる(ST5)。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる前に、アレイ基板ARまたは対向基板CTに適量の液晶材料を滴下して封入することで形成しても良いし、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせた後に、シール材によって形成された液晶注入口から液晶材料を注入することで形成しても良い。   Subsequently, the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together using a sealing material (ST5). The liquid crystal layer LQ may be formed by dropping a suitable amount of liquid crystal material into the array substrate AR or the counter substrate CT before the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together. It may be formed by injecting a liquid crystal material from a liquid crystal injection port formed by a sealing material after being bonded to the counter substrate CT.

図3に示した製造過程において、対向基板CTを製造し、アレイ基板ARと貼り合わせるまでの基板搬送を含む全工程で、第2絶縁基板30に形成された第1導電層CDF1により、対向基板CTの帯電を防止することが可能となる、あるいは、対向基板CTにおける電荷の局在化を防止することが可能となる。このため、イオナイザーなどの設備を増強する必要がなく、設備投資を抑制することが可能となる。   In the manufacturing process shown in FIG. 3, the counter substrate CT is formed by the first conductive layer CDF <b> 1 formed on the second insulating substrate 30 in all steps including manufacturing the counter substrate CT and bonding the substrate to the array substrate AR. It becomes possible to prevent electrification of CT or to localize charges in the counter substrate CT. For this reason, it is not necessary to reinforce equipment such as an ionizer, and capital investment can be suppressed.

図4は、本実施形態の液晶表示パネルLPNの製造方法を説明するための概略断面図である。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the liquid crystal display panel LPN of this embodiment.

すなわち、(a)で示した工程では、まず、第1配向膜AL1まで形成済みのアレイ基板AR、及び、第2配向膜AL2まで形成済みの対向基板CTを用意する。用意した対向基板CTは、第2絶縁基板30の外面30Bに第1導電層CDF1を備えている。そして、(b)で示した工程では、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に液晶層LQを保持した状態で、アレイ基板ARと対向基板CTとを貼り合わせる。   That is, in the step shown in (a), first, an array substrate AR formed up to the first alignment film AL1 and a counter substrate CT formed up to the second alignment film AL2 are prepared. The prepared counter substrate CT includes a first conductive layer CDF1 on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30. Then, in the step shown in (b), the array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together while the liquid crystal layer LQ is held between the array substrate AR and the counter substrate CT.

そして、(c)で示した工程では、アレイ基板ARを構成する第1絶縁基板10及び対向基板CTを構成する第2絶縁基板30を研磨する。このとき、当然のことながら、第2絶縁基板30の外面30Bの第1導電層CDF1も除去する。このような研磨は、機械的研磨であっても良いし、化学的研磨であっても良く、これらを組み合わせても良い。このような研磨により、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは、研磨前の半分以下となる。例えば、研磨前の第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは0.5mmであり、研磨後の第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30の厚さは0.2mmである。   In the step shown in (c), the first insulating substrate 10 constituting the array substrate AR and the second insulating substrate 30 constituting the counter substrate CT are polished. At this time, as a matter of course, the first conductive layer CDF1 on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 is also removed. Such polishing may be mechanical polishing, chemical polishing, or a combination thereof. By such polishing, the thickness of the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 30 becomes half or less before the polishing. For example, the thickness of the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 30 before polishing is 0.5 mm, and the thickness of the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 30 after polishing is 0.2 mm.

そして、(d)で示した工程では、第2絶縁基板30の外面30Bに透明な第2導電層CDF2を形成する。この第2導電層CDF2は、上記の第1導電層CDF1と同様の有機導電層であっても良いし、画素電極PEなどを形成するITOやIZOを用いて形成しても良い。このようにして形成した第2導電層CDF2は、図2を参照して説明した導電層CDFに相当する。   In the step shown in (d), a transparent second conductive layer CDF2 is formed on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30. The second conductive layer CDF2 may be an organic conductive layer similar to the first conductive layer CDF1, or may be formed using ITO or IZO for forming the pixel electrode PE or the like. The second conductive layer CDF2 thus formed corresponds to the conductive layer CDF described with reference to FIG.

これにより、液晶表示パネルLPNが完成する。このような工程を経て製造した液晶表示パネルLPNの厚さは、(b)で示した段階の厚さよりも、第1絶縁基板10及び第2絶縁基板30を研磨した分だけ薄い。   Thereby, the liquid crystal display panel LPN is completed. The thickness of the liquid crystal display panel LPN manufactured through such processes is thinner than the thickness at the stage shown in FIG. 5B by the amount of polishing of the first insulating substrate 10 and the second insulating substrate 30.

図4に示した製造過程においては、研磨工程を除いて、第2絶縁基板30の外面30Bには第1導電層CDF1または第2導電層CDF2が形成されているため、対向基板CTの帯電を防止することが可能となる、あるいは、対向基板CTにおける電荷の局在化を防止することが可能となる。   In the manufacturing process shown in FIG. 4, since the first conductive layer CDF1 or the second conductive layer CDF2 is formed on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 except for the polishing step, the counter substrate CT is charged. It becomes possible to prevent or localize electric charges in the counter substrate CT.

したがって、このようにして製造した液晶表示パネルLPNにおいては、対向基板CTの誘電体薄膜の誘電分極に起因した配向不良の発生を抑制することが可能となる。これにより、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能となる。   Therefore, in the liquid crystal display panel LPN manufactured in this way, it is possible to suppress the occurrence of alignment failure due to the dielectric polarization of the dielectric thin film of the counter substrate CT. Thereby, it is possible to suppress a decrease in yield and a decrease in display quality.

また、上記した製造過程において、第2絶縁基板30の外面30Bに形成される第1導電層CDF1は、その表面抵抗値が1GΩ/□以下であることが望ましい。図3及び図4に示した一連の工程を経て液晶表示パネルLPNを形成する場合、第1導電層CDF1は、研磨工程で除去される。換言すると、第1導電層CDF1は、対向基板CTを製造する工程から研磨工程に至る間に対向基板CTの帯電防止あるいは電荷の局在化防止を実現するものである。これらを実現するためには、第1導電層CDF1は、対向基板CTに侵入した電荷を面内に拡散する程度の導電性を有していれば良く、発明者が検討したところでは、比較的高抵抗であっても許容されることが確認され、種々の実験の結果、第1導電層CDF1の表面抵抗値の上限値を1GΩ/□に設定した。   In the manufacturing process described above, the first conductive layer CDF1 formed on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 preferably has a surface resistance value of 1 GΩ / □ or less. When the liquid crystal display panel LPN is formed through the series of steps shown in FIGS. 3 and 4, the first conductive layer CDF1 is removed in the polishing step. In other words, the first conductive layer CDF1 realizes prevention of charging of the counter substrate CT or prevention of localization of electric charges during the period from the manufacturing process of the counter substrate CT to the polishing process. In order to realize these, the first conductive layer CDF1 only needs to have a conductivity sufficient to diffuse the charge that has entered the counter substrate CT into the surface. It was confirmed that even a high resistance was acceptable, and as a result of various experiments, the upper limit value of the surface resistance value of the first conductive layer CDF1 was set to 1 GΩ / □.

本実施形態で説明した液晶表示パネルLPNの製造方法は、大型基板を用いて複数の液晶表示パネルLPNを一括形成するいわゆる多面取りを採用した場合にも適用可能である。   The manufacturing method of the liquid crystal display panel LPN described in the present embodiment is also applicable to a case where so-called multiple chamfering in which a plurality of liquid crystal display panels LPN are collectively formed using a large substrate is employed.

すなわち、図3に示した一連の工程は、マザー基板を用いて行う。ステップST1では、アレイ基板を形成するための第1マザー基板を用意する。この第1マザー基板は、複数のアレイ基板に対応した第1有効領域を有している。第1有効領域のそれぞれは、画素電極や共通電極などを備えている。   That is, the series of steps shown in FIG. 3 is performed using a mother substrate. In step ST1, a first mother substrate for forming an array substrate is prepared. The first mother substrate has a first effective area corresponding to a plurality of array substrates. Each of the first effective areas includes a pixel electrode, a common electrode, and the like.

ステップST2では、対向基板を形成するための第2マザー基板を用意する。この第2マザー基板は、複数の対向基板に対応した第2有効領域を有している。第2有効領域のそれぞれは、ブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などの誘電体薄膜を備えている。第2マザー基板の外面には、第1導電層CDF1が形成されている。   In step ST2, a second mother substrate for forming a counter substrate is prepared. The second mother substrate has a second effective area corresponding to a plurality of counter substrates. Each of the second effective regions includes a dielectric thin film such as a black matrix 31, a color filter 32, and an overcoat layer 33. A first conductive layer CDF1 is formed on the outer surface of the second mother substrate.

ステップST3及びステップST4では、第2マザー基板の各第2有効領域に形成した誘電体薄膜の上に第2配向膜AL2を形成する。そして、ステップST5では、第1マザー基板と第2マザー基板とを貼り合わせたマザー基板対を作成する。   In step ST3 and step ST4, the second alignment film AL2 is formed on the dielectric thin film formed in each second effective region of the second mother substrate. In step ST5, a mother substrate pair in which the first mother substrate and the second mother substrate are bonded together is created.

そして、図4に示した一連の工程を経たマザー基板対を割断し、単個の液晶表示パネルLPNを切り出す。このようにして製造した液晶表示パネルLPNについても、上記の例と同様に、誘電分極に起因した配向不良の発生を抑制することが可能となり、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能となる。   Then, the mother substrate pair that has undergone the series of steps shown in FIG. 4 is cleaved to cut out a single liquid crystal display panel LPN. In the liquid crystal display panel LPN manufactured in this way, as in the above example, it is possible to suppress the occurrence of alignment failure due to dielectric polarization, and to suppress the decrease in yield and display quality. It becomes possible.

また、図3に示したステップST2において、既に薄板化された第2絶縁基板30を用いて対向基板CTを用意する場合には、(c)で示した研磨工程を省略しても良い。この場合、第1導電層CDF1は、除去されることなくそのまま第2絶縁基板30の外面30Bに残り、帯電防止膜となる。このため、(d)で示した第2導電層の形成工程を省略できる。この場合、第1導電層CDF1は、透明な導電層を適用する。   In addition, in step ST2 shown in FIG. 3, when the counter substrate CT is prepared using the already-thinned second insulating substrate 30, the polishing step shown in (c) may be omitted. In this case, the first conductive layer CDF1 remains on the outer surface 30B of the second insulating substrate 30 without being removed, and becomes an antistatic film. For this reason, the formation process of the 2nd conductive layer shown in (d) can be omitted. In this case, a transparent conductive layer is applied as the first conductive layer CDF1.

以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まりの低下及び表示品位の低下を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法、液晶表示装置、及び、対向基板を提供することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, a liquid crystal display device, and a counter substrate that can suppress a decrease in yield and a decrease in display quality.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   In addition, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

LPN…液晶表示パネル AR…アレイ基板 CT…対向基板
ACT…アクティブエリア PX…画素
SW…スイッチング素子
PE…画素電極 PSL…スリット
CE…共通電極
LQ…液晶層
OD1…第1光学素子 OD2…第2光学素子
CDF…導電層(CDF1…第1導電層 CDF2…第2導電層)
LPN ... Liquid crystal display panel AR ... Array substrate CT ... Counter substrate ACT ... Active area PX ... Pixel SW ... Switching element PE ... Pixel electrode PSL ... Slit CE ... Common electrode LQ ... Liquid crystal layer OD1 ... First optical element OD2 ... Second optical Element CDF ... conductive layer (CDF1 ... first conductive layer CDF2 ... second conductive layer)

Claims (5)

第1絶縁基板上において、複数の画素に亘って形成した共通電極と、各画素に形成した画素電極と、を備えた第1基板を複数備えた第1マザー基板を用意し、
第2絶縁基板の外面に形成した第1導電層と、前記第1導電層を形成した後に前記第2絶縁基板の内面に形成した誘電体薄膜と、を備えた第2基板を複数備えた第2マザー基板を用意し、
前記第2マザー基板の前記誘電体薄膜上に配向膜材料を成膜し、
前記配向膜材料に配向処理を施し、
前記第1マザー基板と前記第2マザー基板とを貼り合わせ
前記貼り合わせの後に前記第1マザー基板及び前記第2マザー基板を研磨し、前記第1導電層を除去するとともに前記第1絶縁基板及び前記第2絶縁基板のそれぞれの厚さを研磨前の半分以下にすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
On the first insulating substrate, a first mother substrate including a plurality of first substrates including a common electrode formed over a plurality of pixels and a pixel electrode formed in each pixel is prepared,
A first substrate comprising a plurality of second substrates each including a first conductive layer formed on the outer surface of the second insulating substrate and a dielectric thin film formed on the inner surface of the second insulating substrate after forming the first conductive layer . Prepare two mother boards ,
Forming an alignment film material on the dielectric thin film of the second mother substrate;
An alignment treatment is performed on the alignment film material,
The first mother substrate and the second mother substrate are bonded together ,
After the bonding, the first mother substrate and the second mother substrate are polished, the first conductive layer is removed, and the thickness of each of the first insulating substrate and the second insulating substrate is reduced to a half before polishing. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
前記第1導電層は、有機導電層であることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first conductive layer is an organic conductive layer. 前記第1導電層は、その表面抵抗値が1GΩ/□以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first conductive layer has a surface resistance value of 1 GΩ / □ or less. 前記貼り合わせの前に前記第1マザー基板または前記第2マザー基板に液晶材料を滴下する、または、前記貼り合わせの後に前記第1マザー基板と前記第2マザー基板との間に液晶材料を注入することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。 A liquid crystal material is dropped on the first mother substrate or the second mother substrate before the bonding, or a liquid crystal material is injected between the first mother substrate and the second mother substrate after the bonding. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein: さらに、前記研磨の後に、前記第2絶縁基板の外面に透明な第2導電層を形成することを特徴とする請求項に記載の液晶表示装置の製造方法。 2. The method of manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1 , further comprising forming a transparent second conductive layer on the outer surface of the second insulating substrate after the polishing.
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