JP5727177B2 - ANTENNA DEVICE AND COMMUNICATION DEVICE - Google Patents

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Description

本発明は、所定の通信波長により、対向する一対の電極間での電磁界結合により情報通信を行うアンテナ装置、及び、このアンテナ装置が組み込まれた通信装置に関する。   The present invention relates to an antenna device that performs information communication by electromagnetic field coupling between a pair of electrodes facing each other at a predetermined communication wavelength, and a communication device in which the antenna device is incorporated.

近年、コンピュータや小型携帯端末等の電子機器間で、音楽、画像等のデータを、ケーブルやメディアを介さずに無線伝送にて行うシステムが開発されている。このような無線伝送システムには、数cmの近距離で最大560Mbps程度の高速転送が可能なものがある。このような高速転送可能な伝送システムの中で、TransferJet(登録商標)は、通信距離が短いが盗聴される可能性が低く、伝送速度が速いという利点がある。   In recent years, a system has been developed in which data such as music and images is transmitted wirelessly between electronic devices such as computers and small portable terminals without using cables or media. Some of such wireless transmission systems are capable of high-speed transfer of up to about 560 Mbps at a short distance of several centimeters. Among such transmission systems capable of high-speed transfer, TransferJet (registered trademark) is advantageous in that the communication distance is short but the possibility of eavesdropping is low and the transmission speed is high.

TransferJet(登録商標)では、超近距離を隔てて対応する高周波結合器の電磁界結合によりなしえるもので、その信号品質が高周波結合器の性能に依存する。例えば、特許文献1に記載された高周波結合器は、図9に示すように、一方の面にグランド202を形成したプリント基板201と、プリント基板201のもう一方の面に形成したマイクロストリップ構造のスタブ203と、結合用電極208と、この結合用電極208とスタブ203を接続する金属線207とを備える。また、特許文献1に記載された高周波結合器では、プリント基板201上に、送受信回路205も形成している。また、特許文献1には、プリント基板201上に送受信回路205が形成されていない変形例として、図10に示すような、一方の面にグランド202を形成したプリント基板201と、プリント基板201のもう一方の面に形成したマイクロストリップ構造のスタブ203と、結合用電極208と、この結合用電極208とスタブ203を接続する金属線207とを備える構成が記載されている。   TransferJet (registered trademark) can be achieved by electromagnetic field coupling of corresponding high frequency couplers at very short distances, and the signal quality depends on the performance of the high frequency coupler. For example, as shown in FIG. 9, a high frequency coupler described in Patent Document 1 has a printed circuit board 201 in which a ground 202 is formed on one surface and a microstrip structure formed on the other surface of the printed circuit board 201. The stub 203 includes a coupling electrode 208 and a metal wire 207 that connects the coupling electrode 208 and the stub 203. In the high frequency coupler described in Patent Document 1, a transmission / reception circuit 205 is also formed on the printed circuit board 201. Further, in Patent Document 1, as a modification example in which the transmission / reception circuit 205 is not formed on the printed circuit board 201, a printed circuit board 201 in which a ground 202 is formed on one surface as shown in FIG. A configuration including a microstrip structure stub 203 formed on the other surface, a coupling electrode 208, and a metal wire 207 connecting the coupling electrode 208 and the stub 203 is described.

特開2008−311816号公報JP 2008-31816 A

しかしながら、図9のように、特許文献1に記載された高周波結合器では、良好な通信を行うため、板状の結合用電極208の面積を大きくする必要があった。これは通信波長に依存した一定の長さが必要であるためと、結合強度を強くするためには結合用電極208を大きくしなければならないからである。また、金属線207は結合用電極208とスタブ203を所定の位置で接続する必要があるため、作製時に位置合わせ精度が要求される等、プロセス上の問題も生じる。   However, as shown in FIG. 9, the high-frequency coupler described in Patent Document 1 needs to increase the area of the plate-like coupling electrode 208 in order to perform good communication. This is because a certain length depending on the communication wavelength is necessary, and in order to increase the coupling strength, the coupling electrode 208 must be enlarged. In addition, since the metal wire 207 needs to connect the coupling electrode 208 and the stub 203 at a predetermined position, there is a problem in process such that alignment accuracy is required at the time of manufacture.

本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、良好な通信特性と機械的強度との両立を実現可能にしつつ、結合用電極の小型化に有利な構造を有するアンテナ装置を提供することを目的とする。また、本発明は、このアンテナ装置が組み込まれた通信装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of such circumstances, and an antenna device having a structure advantageous for downsizing of a coupling electrode while realizing both good communication characteristics and mechanical strength can be realized. The purpose is to provide. Another object of the present invention is to provide a communication device in which this antenna device is incorporated.

上述した課題を解決するための手段として、本発明に係るアンテナ装置は、所定の通信波長により、対向する一対の電極間で電磁界結合することで情報通信を行うアンテナ装置であって、誘電体の一方の面にグランド層が形成された基板と、基板のグランド層が形成された面と対向した面に2次元的に形成された配線からなり、当該アンテナ装置と対向する位置に配置された他のアンテナ装置の電極と電磁界結合されて通信可能となる結合用電極を備え、結合用電極は、複数の折り返し部を有し、通信波長の略半分の長さの配線からなり、配線のうち、一方の端部が信号の入出力端と接続され、他方の端部が基板に形成されたグランド層と電気的に接続される構造を有することを特徴とする。 As a means for solving the above-described problems, an antenna device according to the present invention is an antenna device that performs information communication by electromagnetic coupling between a pair of electrodes facing each other at a predetermined communication wavelength. And a wiring formed two-dimensionally on a surface of the substrate opposite to the surface on which the ground layer is formed, and disposed at a position facing the antenna device. A coupling electrode that is electromagnetically coupled to an electrode of another antenna device to enable communication, and the coupling electrode includes a plurality of folded portions, and includes a wiring having a length that is approximately half the communication wavelength. Of these, one end is connected to a signal input / output end, and the other end is electrically connected to a ground layer formed on the substrate.

また、本発明に係る通信装置は、所定の通信波長により、対向する位置に配置された他の通信装置の電極間での電磁界結合で情報通信を行う通信装置であって、誘電体の一方の面にグランド層が形成された基板と、基板のグランド層が形成された面と対向した面に2次元的に形成された配線からなり、当該アンテナ装置と対向する位置に配置された他のアンテナ装置の電極と電磁界結合されて通信可能となる結合用電極と、グランド層と、配線の一方の端部と、それぞれ電気的に接続され、信号の送受信処理を行う送受信処理部とを備え、結合用電極は、複数の折り返し部を有し、通信波長の略半分の長さの配線からなり、配線のうち、送受信処理部と接続されていない端部が基板に形成されたグランド層と電気的に接続される構造を有することを特徴とする。 The communication device according to the present invention is a communication device that performs information communication by electromagnetic field coupling between electrodes of another communication device arranged at an opposite position by a predetermined communication wavelength, and one of the dielectrics And a wiring formed in a two-dimensional manner on a surface of the substrate opposite to the surface on which the ground layer is formed, and is disposed at a position facing the antenna device. A coupling electrode that is electromagnetically coupled to an electrode of an antenna device to enable communication, a ground layer, and one end portion of a wiring are electrically connected to each other, and a transmission / reception processing unit that performs signal transmission / reception processing is provided. The coupling electrode has a plurality of folded portions, and is composed of a wiring having a length approximately half of the communication wavelength, and of the wiring, a ground layer formed on the substrate with an end not connected to the transmission / reception processing unit, Having an electrically connected structure And wherein the door.

本発明は、結合用電極が、グランド層が形成された面と対向した面に、複数の折り返し部を有するように形成された配線からなり、配線のうち、一方の端部が信号の入出力端と接続され、他方の端部がグランド層と電気的に接続されているので、良好な機械的強度と、アンテナ装置全体の小型化とを実現することができる。また、本発明は、配線の長さが通信波長の略半分の長さであり、一方の端部が信号の入出力端と接続され、他方の端部がグランド層と接続されているので、配線の中央部で信号レベルが高い状態となることで効率よく基板の厚さ方向に電界の縦波を放出することで、対向する位置に配置された他の結合用電極との間の結合強度が強くなり、良好な通信特性を実現することができる。   In the present invention, the coupling electrode includes a wiring formed so as to have a plurality of folded portions on a surface opposite to the surface on which the ground layer is formed, and one end of the wiring is input / output of a signal. Since it is connected to the end and the other end is electrically connected to the ground layer, it is possible to realize good mechanical strength and downsizing of the entire antenna device. In the present invention, the length of the wiring is approximately half of the communication wavelength, one end is connected to the signal input / output end, and the other end is connected to the ground layer. The strength of the coupling between the coupling electrode and other coupling electrodes arranged at opposite positions by efficiently emitting a longitudinal wave of the electric field in the thickness direction of the substrate by having a high signal level at the center of the wiring Becomes stronger and good communication characteristics can be realized.

以上のように、本発明は、良好な通信特性と機械的強度との両立を実現可能しつつ、装置全体の小型化を図ることができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the size of the entire apparatus while realizing both good communication characteristics and mechanical strength.

本発明が適用されたアンテナ装置が組み込まれる通信システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the communication system with which the antenna device to which this invention was applied is integrated. 本発明が適用されたアンテナ装置である第1の実施形態に係る高周波結合器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency coupler which concerns on 1st Embodiment which is an antenna device to which this invention was applied. 第1の実施形態に係る高周波結合器において、高周波結合器間での通信状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the communication state between high frequency couplers in the high frequency coupler which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る高周波結合器での中心断面での電界解析結果を示す電界分布図である。It is an electric field distribution map which shows the electric field analysis result in the central section in the high frequency coupler concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る高周波結合器の電極面上1mmでの電界解析結果を示す電界分布図である。It is an electric field distribution diagram which shows the electric field analysis result in 1 mm on the electrode surface of the high frequency coupler concerning a 1st embodiment. 第1の実施形態に係る高周波結合器と基準結合器間の結合強度の解析結果を示す周波数特性図である。It is a frequency characteristic figure which shows the analysis result of the coupling strength between the high frequency coupler concerning a 1st embodiment, and a standard coupler. 本発明が適用されたアンテナ装置である変形例に係る高周波結合器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency coupler which concerns on the modification which is an antenna apparatus with which this invention was applied. 変形例に係る高周波結合器と基準結合器間の結合強度の解析結果を示す周波数特性図である。It is a frequency characteristic figure which shows the analysis result of the coupling strength between the high frequency coupler which concerns on a modification, and a reference | standard coupler. 従来例に係る高周波結合器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency coupler which concerns on a prior art example. 従来例に係る高周波結合器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the high frequency coupler which concerns on a prior art example.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

<通信システム>
本発明が適用されたアンテナ装置は、対向する一対の電極間での電磁界結合により情報通信を行う装置であって、例えば図1に示すような、560Mbps程度の高速転送を可能とする通信システム100に組み込まれて使用されるものである。
<Communication system>
An antenna device to which the present invention is applied is a device that performs information communication by electromagnetic coupling between a pair of opposed electrodes, and is a communication system that enables high-speed transfer of about 560 Mbps, for example, as shown in FIG. 100 is used by being incorporated.

通信システム100は、2つのデータ通信を行う通信装置101、105から構成される。ここで、通信装置101は、結合用電極103を有する高周波結合器102と、送受信回路部104とを備える。また、通信装置105は、結合用電極107を有する高周波結合器106と、送受信回路部108とを備える。   The communication system 100 includes communication devices 101 and 105 that perform two data communications. Here, the communication apparatus 101 includes a high-frequency coupler 102 having a coupling electrode 103 and a transmission / reception circuit unit 104. In addition, the communication device 105 includes a high-frequency coupler 106 having a coupling electrode 107 and a transmission / reception circuit unit 108.

図1に示すように通信装置101、105のそれぞれが備える高周波結合器102、106を向かい合わせて配置すると、2つの結合用電極103、107が1つのコンデンサとして動作し、全体としてバンドパスフィルタのように動作することによって、2つの高周波結合器102、106の間で、例えば560Mbps程度の高速転送を実現するための4〜5GHz帯域の高周波信号を効率よく伝達することができる。   As shown in FIG. 1, when the high-frequency couplers 102 and 106 provided in each of the communication devices 101 and 105 are arranged to face each other, the two coupling electrodes 103 and 107 operate as one capacitor, and the band-pass filter as a whole. By operating in this way, a high-frequency signal in the 4 to 5 GHz band for realizing high-speed transfer of, for example, about 560 Mbps can be efficiently transmitted between the two high-frequency couplers 102 and 106.

ここで、高周波結合器102、106がそれぞれ持つ送受信用の結合用電極103、107は、例えば3cm程度離間して対向して配置され、電界結合が可能である。   Here, the transmitting and receiving coupling electrodes 103 and 107 included in the high-frequency couplers 102 and 106 are arranged to face each other with a distance of, for example, about 3 cm, and can be coupled to each other.

通信システム100において、例えば、高周波結合器102に接続された送受信回路部104は、上位アプリケーションから送信要求が生じると、送信データに基づいて高周波送信信号を生成し、結合用電極103から結合用電極107へ信号を伝搬する。そして、受信側の高周波結合器106に接続された送受信回路部108は、受信した高周波信号を復調及び復号処理して、再現したデータを上位アプリケーションへ渡す。   In the communication system 100, for example, the transmission / reception circuit unit 104 connected to the high-frequency coupler 102 generates a high-frequency transmission signal based on the transmission data when a transmission request is generated from a higher-level application, and the coupling electrode 103 generates a coupling electrode. The signal is propagated to 107. Then, the transmission / reception circuit unit 108 connected to the reception-side high-frequency coupler 106 demodulates and decodes the received high-frequency signal, and passes the reproduced data to the higher-level application.

なお、本発明が適用されるアンテナ装置は、上述した4〜5GHz帯域の高周波信号を伝達するものに限定されず、他の周波数帯の信号伝達にも適用可能であるが、以下の具体例では、4〜5GHz帯域の高周波信号を伝達対象として説明する。   The antenna device to which the present invention is applied is not limited to the above-described one that transmits a high frequency signal in the 4 to 5 GHz band, and can be applied to signal transmission in other frequency bands. A high frequency signal in the 4 to 5 GHz band will be described as a transmission target.

<高周波結合器>
このような通信システム100に組み込まれるアンテナ装置として、図2に示すような高周波結合器1について説明する。
<High frequency coupler>
As an antenna device incorporated in such a communication system 100, a high-frequency coupler 1 as shown in FIG. 2 will be described.

図2では、配線15の接続状態をわかりやすくするために誘電体基板11を透過させて示している。   In FIG. 2, the dielectric substrate 11 is shown through to make the connection state of the wiring 15 easy to understand.

図2に示すように、高周波結合器1は、誘電体基板11の一方の面11aに結合用電極18として機能する配線15と、面11aと対向した他方の面11bにグランド12が形成された構造となっている。   As shown in FIG. 2, the high frequency coupler 1 has a wiring 15 functioning as a coupling electrode 18 on one surface 11a of a dielectric substrate 11, and a ground 12 formed on the other surface 11b opposite to the surface 11a. It has a structure.

また、結合用電極18は、その配線15の一端が、上述した送受信回路部104との接続部となる接続端子部19となり、配線15の他端が接続用スルーホール14を介してグランド12と接続される。結合用電極18は、複数の折り返し部を有する形状、いわゆる九十九折り形状又はミアンダ形状の配線15で形成されており、配線15の配線長が通信波長の略半分の長さに調整されている。   Further, in the coupling electrode 18, one end of the wiring 15 becomes a connection terminal portion 19 that becomes a connection portion with the transmission / reception circuit portion 104 described above, and the other end of the wiring 15 is connected to the ground 12 via the connection through hole 14. Connected. The coupling electrode 18 is formed of a so-called ninety-nine-fold or meander-shaped wiring 15 having a plurality of folded portions, and the wiring length of the wiring 15 is adjusted to be approximately half the communication wavelength. Yes.

このような構成からなる結合用電極18では、下記の評価から明らかなように、接続端子部19から通信波長の1/4離れた位置、すなわち、配線15の中央部15aで、信号レベルが高い状態となり、この部分の電荷と、グランド12を介して反対側の鏡像電荷とが電気双極子として機能する。したがって、結合用電極18では、効率よく基板の厚さ方向に電界の縦波を放出することができ、結果として、対向する位置に配置された他の結合用電極との間の結合強度が強くなり、良好な通信特性を実現することができる。   As is apparent from the following evaluation, the coupling electrode 18 having such a configuration has a high signal level at a position that is a quarter of the communication wavelength from the connection terminal portion 19, that is, at the central portion 15 a of the wiring 15. The electric charge in this portion and the mirror image charge on the opposite side via the ground 12 function as an electric dipole. Therefore, the coupling electrode 18 can efficiently emit a longitudinal wave of the electric field in the thickness direction of the substrate, and as a result, the coupling strength between the coupling electrodes disposed at the opposing positions is high. Thus, good communication characteristics can be realized.

このような構成からなる高周波結合器1は、次のような製造工程によって製造される。まず、誘電体基板11の両面に、導電部材として、例えば銅箔を貼り付けた両面銅箔基板のうち、一方の面11bをグランド12として用い、他方の面11aの銅箔の一部をエッチング処理により取り除き、ミアンダ形状の配線15から構成される結合用電極18を形成する。   The high-frequency coupler 1 having such a configuration is manufactured by the following manufacturing process. First, out of a double-sided copper foil substrate in which a copper foil is pasted as a conductive member on both surfaces of the dielectric substrate 11, one surface 11b is used as a ground 12, and a part of the copper foil on the other surface 11a is etched. The coupling electrode 18 composed of the meander-shaped wiring 15 is formed by removing the processing.

続いて、配線15の一端にドリルあるいはレーザー加工によりホールを形成し、そのホールをメッキ処理、あるいは導電性ペースト等の導電性材料を充填することで接続用スルーホール14を完成させる。この工程により、誘電体基板11の面11aに形成された結合用電極18を構成する配線15と、誘電体基板11の他方の面11bのグランド12が電気的に接続される。さらに、結合用電極18を構成する配線15のうち、グランド12と接続されていないもう一方の端は接続端子部19となり、上述した送受信回路部104との接続手段に適合する形状に加工することによって、高周波結合器1を完成させる。   Subsequently, a hole is formed at one end of the wiring 15 by drilling or laser processing, and the connecting through hole 14 is completed by plating the hole or filling a conductive material such as a conductive paste. By this step, the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 formed on the surface 11a of the dielectric substrate 11 and the ground 12 of the other surface 11b of the dielectric substrate 11 are electrically connected. Furthermore, the other end of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 that is not connected to the ground 12 becomes the connection terminal portion 19 and is processed into a shape suitable for the connection means with the transmission / reception circuit portion 104 described above. Thus, the high frequency coupler 1 is completed.

上記の製造工程により、高周波結合器1は、一枚の両面銅箔基板を処理することで作製可能であり、一方の面11bの全面がグランド12となっているため、配線15とグランド12とを接続する際に、両面のパターンの位置合わせをする必要がなく、配線15の一端に接して接続用スルーホール14を設けることで容易に接続でき、簡易なプロセスにて作製することができる。   By the above manufacturing process, the high-frequency coupler 1 can be manufactured by processing one double-sided copper foil substrate. Since the entire surface of one surface 11b is the ground 12, the wiring 15 and the ground 12 It is not necessary to align the patterns on both sides when connecting the wires, and the connection through holes 14 are provided in contact with one end of the wiring 15 so that they can be easily connected and can be manufactured by a simple process.

このように、高周波結合器1は、結合用電極18が、グランド12が形成された面11bと対向した面11aに、ミアンダ形状となるように形成された配線15からなり、配線15のうち、一方の端部が信号の入出力端である接続端子部19を介して送受信回路部104と接続され、他方の端部がグランド12と電気的に接続されているので、良好な機械的強度と、高周波結合器全体の小型化とを実現することができる。   As described above, the high-frequency coupler 1 includes the wiring 15 in which the coupling electrode 18 is formed in a meander shape on the surface 11a facing the surface 11b on which the ground 12 is formed. One end is connected to the transmission / reception circuit portion 104 via the connection terminal portion 19 which is a signal input / output end, and the other end is electrically connected to the ground 12, so that the mechanical strength is good. Therefore, it is possible to reduce the size of the entire high-frequency coupler.

このように、機械的強度が強いのは、例えば図9に示すような従来例に係る高周波結合器と比べて、外力によって変形する虞がある金属線207を用いることなく誘電体基板11上に結合用電極18が実装されているからである。また、高周波結合器全体の小型化が図れるのは、必ずしも電極の面積を大きくしなくても、配線15の長さを調整することで結合強度を強くすることができるからである。   As described above, the mechanical strength is high on the dielectric substrate 11 without using the metal wire 207 that may be deformed by an external force as compared with the high frequency coupler according to the conventional example as shown in FIG. This is because the coupling electrode 18 is mounted. Moreover, the overall size of the high-frequency coupler can be reduced because the coupling strength can be increased by adjusting the length of the wiring 15 without necessarily increasing the area of the electrode.

また、高周波結合器1では、誘電体基板11の材料として、ガラス、紙の基材、あるいはグラスファイバの織布をエポキシ樹脂、フェノール樹脂等で固めた、例えばガラスエポキシ、ガラスコンポジット基板や、低誘電率のポリイミド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等や、更にそれらを多孔質化した材料を用いることができる。特に、誘電体基板11は、電気的特性の面からは低誘電率の材料を用いるのが好ましい。   In the high-frequency coupler 1, as a material for the dielectric substrate 11, glass, a paper base material, or a glass fiber woven fabric is hardened with an epoxy resin, a phenol resin, or the like, for example, a glass epoxy, a glass composite substrate, Dielectric constant polyimide, liquid crystal polymer, polytetrafluoroethylene, polystyrene, polyethylene, polypropylene, or the like, or a material obtained by making them porous can be used. In particular, the dielectric substrate 11 is preferably made of a low dielectric constant material in terms of electrical characteristics.

また、上述した製造工程において、高周波結合器1では、銅箔を貼り付けた両面基板を用いてエッチング処理により結合用電極18として配線15を形成したが、誘電体基板11の面11a、11bにメッキ、真空蒸着法等により、マスキングした状態で直接形成する、あるいは形成後にエッチングするなどのパターニング処理を施して形成するようにしてもよい。   In the manufacturing process described above, in the high-frequency coupler 1, the wiring 15 is formed as the coupling electrode 18 by the etching process using the double-sided substrate on which the copper foil is pasted, but on the surfaces 11 a and 11 b of the dielectric substrate 11. It may be formed by patterning such as direct formation in a masked state by plating, vacuum deposition or the like, or etching after formation.

また、結合用電極18の配線15、及びグランド12の材料としては、銅の他に、アルミニウム、金、銀等の良導体を用いることができるが、特にこれら材料に限らず導電率の高い導電体であればいずれも使用することができる。   In addition to copper, a good conductor such as aluminum, gold, or silver can be used as the material for the wiring 15 of the coupling electrode 18 and the ground 12. However, the material is not limited to these materials. Any of them can be used.

また、結合用電極18は、配線15をミアンダ形状で形成しているので、誘電体基板11の面11aのスペースを有効に活用することができ、高周波結合器1自体の小型化を図ることができる。   Further, since the coupling electrode 18 has the wiring 15 formed in a meander shape, the space of the surface 11a of the dielectric substrate 11 can be used effectively, and the high-frequency coupler 1 itself can be miniaturized. it can.

これは、上述したように、結合用電極18の長さが通信周波数の略1/2波長としているが、これら配線を細く密集させて形成することで結合用電極18の形成スペースを小さくすることができ、高周波結合器の小型化を図ることができるからである。   This is because, as described above, the length of the coupling electrode 18 is approximately ½ wavelength of the communication frequency. However, the formation space of the coupling electrode 18 can be reduced by forming these wirings so as to be dense and dense. This is because the high-frequency coupler can be miniaturized.

なお、上述のように結合用電極18を構成する配線15の配線パターンは、誘電体基板11のスペースを有効に活用する観点から、形状の異なるミアンダ形状のパターンを複数つなぎ合わせても良く、またL字、円弧状の繰り返しパターン等を用いるようにしてもよい。   As described above, the wiring pattern of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 may be formed by connecting a plurality of meander-shaped patterns having different shapes from the viewpoint of effectively utilizing the space of the dielectric substrate 11. An L-shaped, arc-shaped repeating pattern or the like may be used.

次に、高周波結合器1の性能を調べるために、アンソフト社製の3次元電磁界シミュレータHFSSを用いて結合強度の解析を行なった。ここで、高周波結合器1の解析モデルとして、次のような条件のものを用いた。誘電体基板11の材料にはポリテトラフルオロエチレンを、また、結合用電極18の導電体の材質には銅を設定した。また、高周波結合器1の大きさは、配線パターンが形成される面11aを6.5mm×6.5mmとし、基板厚みを1.67mmとした。   Next, in order to investigate the performance of the high-frequency coupler 1, the coupling strength was analyzed using a three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS manufactured by Ansoft. Here, an analysis model of the high-frequency coupler 1 was used under the following conditions. Polytetrafluoroethylene was set as the material of the dielectric substrate 11, and copper was set as the material of the conductor of the coupling electrode 18. The size of the high-frequency coupler 1 was 6.5 mm × 6.5 mm on the surface 11 a on which the wiring pattern is formed, and the substrate thickness was 1.67 mm.

結合強度は、高周波伝送特性を評価するのに用いられるSパラメータの透過特性S21で評価しており、高周波結合器1の信号入出力端となる接続端子部19とグランド12の間を入力ポートとして、一対の高周波結合器のポート間の結合強度S21を算出した。図3は、結合強度S21の解析に用いた高周波結合器間の相対的配置を示したものである。ここで、高周波結合器1の結合用電極18を構成する配線15と、高周波結合器150の電極150aとの中心軸が一致するように対向させて、15mm、100mm間隔をあけた状態で結合強度S21の周波数特性を調べた。なお、この例では一方の高周波結合器150には、板状の電極150aを有し、評価の基準機である基準高周波結合器を用いた。   The coupling strength is evaluated by the transmission characteristic S21 of the S parameter used for evaluating the high frequency transmission characteristic, and the connection port portion 19 serving as the signal input / output end of the high frequency coupler 1 and the ground 12 are used as an input port. The coupling strength S21 between the ports of the pair of high frequency couplers was calculated. FIG. 3 shows the relative arrangement between the high-frequency couplers used for the analysis of the coupling strength S21. Here, the coupling strength of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 of the high-frequency coupler 1 and the electrode 150a of the high-frequency coupler 150 are opposed to each other so that the central axes thereof coincide with each other and are spaced by 15 mm and 100 mm. The frequency characteristic of S21 was examined. In this example, one high frequency coupler 150 has a plate-like electrode 150a, and a reference high frequency coupler which is a reference machine for evaluation is used.

また、高周波結合器1での電界の発生状態を評価するために、高周波結合器1近傍の電界ベクトル分布も調べた。   Further, in order to evaluate the electric field generation state in the high frequency coupler 1, the electric field vector distribution in the vicinity of the high frequency coupler 1 was also examined.

図4は高周波結合器1の4.5GHzでの電界分布を解析したもので、図2の点線Y−Y’を厚み方向に分断した断面での電界分布を示している。この図4から明らかなように、結合用電極18とグランド12間で強い電界分布がみられ、結合用電極18を構成する配線15の中央部15aから外側に向かって円弧上に電界が分布している。   FIG. 4 shows an analysis of the electric field distribution at 4.5 GHz of the high-frequency coupler 1, and shows the electric field distribution in a cross section obtained by dividing the dotted line Y-Y ′ in FIG. 2 in the thickness direction. As is clear from FIG. 4, a strong electric field distribution is observed between the coupling electrode 18 and the ground 12, and an electric field is distributed on the arc from the central portion 15a of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 outward. ing.

図5は高周波結合器1における結合用電極18の形成された面11aから垂直上方向に1mm離れた面での電界分布を示したものである。この図5から明らかなように、結合用電極18を構成する配線15の中央部15aから略同心円状に電界が分布している。   FIG. 5 shows the electric field distribution on the surface 1 mm away from the surface 11 a where the coupling electrode 18 is formed in the high-frequency coupler 1 in the vertically upward direction. As apparent from FIG. 5, the electric field is distributed substantially concentrically from the central portion 15 a of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18.

これは、結合用電極18を構成する配線15の長さが通信波長の略半分で、この配線15の一端がグランド12と接続された構成、いわゆるショートスタブとなっているので、通信波長の1/4の部分に相当する中央部15aで電界が最大となるからである。このように、高周波結合器1では、結合用電極18の中央部15aを中心に強い電界を発生することを解析にて確認することができた。   This is because the length of the wiring 15 constituting the coupling electrode 18 is approximately half of the communication wavelength, and one end of the wiring 15 is connected to the ground 12, which is a so-called short stub. This is because the electric field is maximized at the central portion 15a corresponding to the / 4 portion. Thus, in the high frequency coupler 1, it was confirmed by analysis that a strong electric field is generated around the central portion 15a of the coupling electrode 18.

図6は、高周波結合器1と基準高周波結合器150との間の結合強度S21の解析結果を示したもので、対向距離15mmの通信距離では4.5GHz付近で−22.5dBの結合強度を有し、更に最大強度から3dB減衰した強度を示す周波数帯域である、−3dB帯域幅においては、0.69GHzの広帯域特性が得られた。例えば、TransferJet(登録商標)では、560MHzの帯域幅が必要で、一般に高周波結合器のばらつきや回路基板とのインピーダンス整合の具合により、中心周波数がずれるが、高周波結合器2では必要帯域幅よりも十分に広い帯域幅を有しているので、これらのばらつきの影響を受けず良好な通信が行える。また対向距離100mmの非通信距離では−48dB以下の通信遮断性が得られている。   FIG. 6 shows an analysis result of the coupling strength S21 between the high-frequency coupler 1 and the reference high-frequency coupler 150, and the coupling strength of −22.5 dB is around 4.5 GHz at the communication distance of 15 mm facing distance. In addition, a wide band characteristic of 0.69 GHz was obtained in the -3 dB bandwidth, which is a frequency band that has a 3 dB attenuation from the maximum intensity. For example, TransferJet (registered trademark) requires a bandwidth of 560 MHz. Generally, the center frequency shifts due to variations in high frequency couplers and impedance matching with the circuit board. Since the bandwidth is sufficiently wide, good communication can be performed without being affected by these variations. In addition, a communication interruption of −48 dB or less is obtained at a non-communication distance of 100 mm facing distance.

以上のように、第1の実施形態に係る高周波結合器1では、上記のシミュレーションからも明らかなように、良好な通信特性を実現し、さらに、機械的強度との両立を実現可能しつつ、装置全体の小型化を図ることができる。   As described above, in the high-frequency coupler 1 according to the first embodiment, as is apparent from the above simulation, it is possible to realize good communication characteristics and further achieve coexistence with mechanical strength. The entire apparatus can be reduced in size.

<変形例>
次に、通信システム100に組み込まれるアンテナ装置として、図7に示すような変形例に係る高周波結合器2について説明する。
<Modification>
Next, as an antenna device incorporated in the communication system 100, a high-frequency coupler 2 according to a modification as shown in FIG. 7 will be described.

図7は、配線25の接続状態をわかりやすくするために誘電体基板21を透過させて示している。   FIG. 7 shows the dielectric substrate 21 in a transparent state for easy understanding of the connection state of the wiring 25.

図7に示すように、高周波結合器2は、誘電体基板21の一方の面21aに、結合用電極28として機能する配線25と、配線25と接続されたスタブ27とが形成され、面21aと対向した他方の面21bにグランド22が形成された構造となっている。   As shown in FIG. 7, in the high frequency coupler 2, a wiring 25 functioning as a coupling electrode 28 and a stub 27 connected to the wiring 25 are formed on one surface 21a of the dielectric substrate 21, and the surface 21a. The ground 22 is formed on the other surface 21b facing the surface.

また、前記結合用電極28は、その配線25の一端が、送受信回路部104との接続部となる接続端子部29となり、配線25の他端が接続用スルーホール24aを介してグランド22と接続される。結合用電極28は、複数の折り返し部を有する形状、九十九折り形状又はミアンダ形状の配線25で形成されており、配線25の配線長が通信波長の略半分の長さに調整されている。   In the coupling electrode 28, one end of the wiring 25 serves as a connection terminal portion 29 to be a connection portion with the transmission / reception circuit portion 104, and the other end of the wiring 25 is connected to the ground 22 through the connection through hole 24a. Is done. The coupling electrode 28 is formed by a wiring 25 having a plurality of folded portions, a ninety-nine fold shape, or a meander shape, and the wiring length of the wiring 25 is adjusted to be approximately half the communication wavelength. .

このような構成からなる結合用電極28では、下記の評価から明らかなように、接続端子部29から通信波長の1/4離れた位置、すなわち、配線25の中央部25aで、信号レベルが高い状態となり、この部分の電荷と、グランド22を介して反対側の鏡像電荷とが電気双極子として機能する。したがって、結合用電極28では、効率よく基板の厚さ方向に電界の縦波を放出することができ、結果として、対向する位置に配置された他の結合用電極との間の結合強度が強くなり、良好な通信特性を実現することができる。   In the coupling electrode 28 having such a configuration, as is apparent from the following evaluation, the signal level is high at a position away from the connection terminal portion 29 by a quarter of the communication wavelength, that is, at the central portion 25a of the wiring 25. The electric charge in this portion and the mirror image charge on the opposite side via the ground 22 function as an electric dipole. Therefore, the coupling electrode 28 can efficiently emit a longitudinal wave of the electric field in the thickness direction of the substrate, and as a result, the coupling strength between the coupling electrode disposed at the opposite position is high. Thus, good communication characteristics can be realized.

スタブ27は、その一端が、接続端子部29で、結合用電極28と接続され、他端が、接続用スルーホール24bを介してグランド22と接続される。また、スタブ27は、その長さを調整したものを用いることで、結合用電極28が他の電極と電磁界結合する際に、結合強度と帯域幅が所望の条件を満たすようにすることができる。   One end of the stub 27 is connected to the coupling electrode 28 at the connection terminal portion 29, and the other end is connected to the ground 22 through the connection through hole 24b. Further, by using a stub 27 whose length is adjusted, when the coupling electrode 28 is electromagnetically coupled to another electrode, the coupling strength and the bandwidth can satisfy desired conditions. it can.

このような構成からなる高周波結合器1は、次のような製造工程によって製造される。まず、誘電体基板21の両面に、導電部材として、例えば銅箔を貼り付けた両面銅箔基板のうち、一方の面21bをグランド22として用い、他方の面21aの銅箔の一部をエッチング処理により取り除き、ミアンダ形状の配線25から構成される結合用電極28と、スタブ27とをそれぞれ形成する。   The high-frequency coupler 1 having such a configuration is manufactured by the following manufacturing process. First, out of a double-sided copper foil substrate in which, for example, a copper foil is pasted as a conductive member on both surfaces of the dielectric substrate 21, one surface 21b is used as a ground 22 and a part of the copper foil on the other surface 21a is etched. The coupling electrode 28 composed of the meander-shaped wiring 25 and the stub 27 are formed by removing the processing.

続いて、配線25の一端と、スタブ27の一端とに、ドリルあるいはレーザー加工によりホールをそれぞれ形成し、各ホールをメッキ処理、あるいは導電性ペースト等の導電性材料を充填することで接続用スルーホール24a、24bを完成させる。この工程により、誘電体基板21の面21aに形成された結合用電極28を構成する配線25と、誘電体基板21の他方の面21bのグランド22が電気的に接続される。同様にして、スタブ27とグランド12が電気的に接続される。さらに、結合用電極28を構成する配線25の、グランド22と接続されていないもう一方の端は、スタブ27と接続された接続端子部29となり、上述した送受信回路部104との接続手段に適合する形状に加工することによって、高周波結合器を完成させる。   Subsequently, holes are formed in one end of the wiring 25 and one end of the stub 27 by drilling or laser processing, and each hole is plated or filled with a conductive material such as a conductive paste to connect through holes. The holes 24a and 24b are completed. By this step, the wiring 25 constituting the coupling electrode 28 formed on the surface 21a of the dielectric substrate 21 and the ground 22 of the other surface 21b of the dielectric substrate 21 are electrically connected. Similarly, the stub 27 and the ground 12 are electrically connected. Further, the other end of the wiring 25 constituting the coupling electrode 28 that is not connected to the ground 22 becomes a connection terminal portion 29 connected to the stub 27, which is suitable for the connection means with the transmission / reception circuit portion 104 described above. The high frequency coupler is completed by processing into the shape to be performed.

なお、図7に示すように、2つの接続用スルーホール24a、24bが近接するようなパターン形状となる場合は、結合用電極28を構成する配線25、あるいはスタブ27の端部位置を調整して、ひとつの接続用スルーホールを兼用してグランド22に接続することもできる。   As shown in FIG. 7, when the pattern shape is such that the two connection through holes 24a and 24b are close to each other, the position of the end of the wiring 25 or the stub 27 constituting the coupling electrode 28 is adjusted. Thus, it is also possible to connect to the ground 22 by using one connection through hole.

このように、高周波結合器2は、結合用電極28が、一枚の両面銅箔基板を処理することで作製可能であり、一方の面21bの全面がグランド22となっているため、配線25とグランド22とを接続する際に、両面のパターンの位置合わせをする必要がなく、結合用電極28を構成する配線の一端と、スタブ27の一端とにそれぞれ接して、接続用スルーホール24a、24bを設けることで容易に接続でき、簡易なプロセスにて作製することができる。   As described above, the high-frequency coupler 2 can be manufactured by processing the single-sided double-sided copper foil substrate with the coupling electrode 28, and the entire surface of the one surface 21 b serves as the ground 22. When connecting the ground 22 to the ground 22, it is not necessary to align the patterns on both sides, and contact one end of the wiring constituting the coupling electrode 28 and one end of the stub 27. By providing 24b, it can connect easily and can be produced by a simple process.

次に、高周波結合器2の性能を調べるために、アンソフト社製の3次元電磁界シミュレータHFSSを用いて結合強度の解析を行なった。ここで、高周波結合器2の解析モデルとして、次のような条件のものを用いた。誘電体基板21の材料にはポリテトラフルオロエチレンを、また、結合用電極28とスタブ27として用いる導電体の材質には銅を設定した。また、高周波結合器2の大きさは、配線パターンが形成される面21aを6.5mm×6.5mmとし、基板厚みを1.67mmとし、さらに、スタブ27の長さは5.2mmとした。   Next, in order to investigate the performance of the high-frequency coupler 2, the coupling strength was analyzed using a three-dimensional electromagnetic field simulator HFSS manufactured by Ansoft. Here, an analysis model of the high frequency coupler 2 was used under the following conditions. Polytetrafluoroethylene was set as the material of the dielectric substrate 21, and copper was set as the material of the conductor used as the coupling electrode 28 and the stub 27. The size of the high-frequency coupler 2 is such that the surface 21a on which the wiring pattern is formed is 6.5 mm × 6.5 mm, the substrate thickness is 1.67 mm, and the length of the stub 27 is 5.2 mm. .

結合強度は、高周波伝送特性を評価するのに用いられるSパラメータの透過特性S21で評価しており、高周波結合器2の信号入出力端となる接続端子部29とグランド22の間を入力ポートとして、一対の高周波結合器のポート間の結合強度S21を算出した。解析に用いた高周波結合器間の相対的配置は、上述した図3に示した条件と同様である。   The coupling strength is evaluated by the transmission characteristic S21 of the S parameter used for evaluating the high-frequency transmission characteristic, and the connection port portion 29 serving as the signal input / output terminal of the high-frequency coupler 2 and the ground 22 are used as an input port. The coupling strength S21 between the ports of the pair of high frequency couplers was calculated. The relative arrangement between the high-frequency couplers used in the analysis is the same as the condition shown in FIG.

図8は、高周波結合器間の対向距離を15mmとしたときの結合強度S21の周波数特性の解析結果を示したものである。比較のために、スタブ27を有しない高周波結合器1の特性である図6で示した対向距離15mmのときの結合強度も合わせて示した。   FIG. 8 shows the analysis result of the frequency characteristics of the coupling strength S21 when the facing distance between the high frequency couplers is 15 mm. For comparison, the coupling strength when the facing distance is 15 mm shown in FIG. 6, which is a characteristic of the high-frequency coupler 1 having no stub 27, is also shown.

なお、この例でも一方の高周波結合器には、評価の基準機である基準高周波結合器150を用いている。   In this example, the reference high frequency coupler 150 which is a reference machine for evaluation is used as one high frequency coupler.

図8から明らかなように、スタブ27を有した高周波結合器2では、結合強度を高めることができるが、強い結合強度の得られる周波数帯域が狭くなっている。一般に、結合強度の強さと、−3dB帯域幅はトレードオフの関係にあるため、これらのバランスが要求仕様に対して不十分な場合は、高周波結合器2のようにスタブ27を設けて、主にその長さを変えることで、両者のバランスを調整することができる。   As can be seen from FIG. 8, in the high frequency coupler 2 having the stub 27, the coupling strength can be increased, but the frequency band in which strong coupling strength is obtained is narrow. In general, the strength of the coupling strength and the -3 dB bandwidth are in a trade-off relationship. Therefore, when these balances are insufficient with respect to the required specifications, a stub 27 is provided as in the high frequency coupler 2, and By changing the length, the balance between the two can be adjusted.

1、2、102、106、150 高周波結合器、11、21 誘電体基板、11a、11b、21a、21b 面、12、22、202 グランド、14、24a、24b 接続用スルーホール、15、25 配線、15a 中央部、18、28、103、107、208 結合用電極、19、29 接続端子部、27、203 スタブ、100 通信システム、101、105 通信装置、104、108 送受信回路部、150a 電極、201 プリント基板、205 送受信回路、207 金属線   1, 2, 102, 106, 150 High frequency coupler, 11, 21 Dielectric substrate, 11a, 11b, 21a, 21b surface, 12, 22, 202 Ground, 14, 24a, 24b Connection through hole, 15, 25 Wiring 15a central part, 18, 28, 103, 107, 208 coupling electrode, 19, 29 connection terminal part, 27, 203 stub, 100 communication system, 101, 105 communication device, 104, 108 transmission / reception circuit part, 150a electrode, 201 Printed circuit board, 205 Transmission / reception circuit, 207 Metal wire

Claims (3)

所定の通信波長により、対向する一対の電極間で電磁界結合することで情報通信を行うアンテナ装置において、
誘電体の一方の面にグランド層が形成された基板と、
上記基板の上記グランド層が形成された面と対向した面に2次元的に形成された配線からなり、当該アンテナ装置と対向する位置に配置された他のアンテナ装置の電極と電磁界結合されて通信可能となる結合用電極を備え、
上記結合用電極は、複数の折り返し部を有し、通信波長の略半分の長さの配線からなり、該配線のうち、一方の端部に信号の入出力端が形成され、他方の端部が上記基板に形成されたグランド層と電気的に接続される構造を有することを特徴とするアンテナ装置。
In an antenna device that performs information communication by electromagnetic field coupling between a pair of opposed electrodes at a predetermined communication wavelength,
A substrate having a ground layer formed on one surface of the dielectric;
The wiring is formed two-dimensionally on the surface of the substrate opposite to the surface on which the ground layer is formed, and is electromagnetically coupled to electrodes of other antenna devices disposed at positions facing the antenna device. It has a coupling electrode that can communicate,
The coupling electrode has a plurality of folded portions, and is composed of a wiring having a length approximately half of the communication wavelength. Among the wirings, a signal input / output end is formed at one end, and the other end The antenna device has a structure in which is electrically connected to a ground layer formed on the substrate.
上記結合用電極には、上記配線に形成された入出力端から分岐した所定の長さのスタブが接続されていることを特徴とする請求項1記載のアンテナ装置。   2. The antenna apparatus according to claim 1, wherein a stub having a predetermined length branched from an input / output end formed in the wiring is connected to the coupling electrode. 所定の通信波長により、対向する位置に配置された他の通信装置の電極間での電磁界結合で情報通信を行う通信装置において、
誘電体の一方の面にグランド層が形成された基板と、
上記基板の上記グランド層が形成された面と対向した面に2次元的に形成された配線からなり、当該アンテナ装置と対向する位置に配置された他のアンテナ装置の電極と電磁界結合されて通信可能となる結合用電極と、
上記グランド層と、上記配線の一方の端部と、それぞれ電気的に接続され、信号の送受信処理を行う送受信処理部とを備え、
上記結合用電極は、複数の折り返し部を有し、通信波長の略半分の長さの配線からなり、該配線のうち、上記送受信処理部と接続されていない端部が上記基板に形成されたグランド層と電気的に接続される構造を有することを特徴とする通信装置。
In a communication device that performs information communication by electromagnetic coupling between electrodes of other communication devices arranged at opposing positions by a predetermined communication wavelength,
A substrate having a ground layer formed on one surface of the dielectric;
The wiring is formed two-dimensionally on the surface of the substrate opposite to the surface on which the ground layer is formed, and is electromagnetically coupled to electrodes of other antenna devices disposed at positions facing the antenna device. A coupling electrode capable of communication;
The ground layer, one end of the wiring, and a transmission / reception processing unit that is electrically connected and performs signal transmission / reception processing,
The coupling electrode has a plurality of folded portions, and is composed of a wiring having a length approximately half of the communication wavelength, and an end of the wiring that is not connected to the transmission / reception processing unit is formed on the substrate. A communication device having a structure electrically connected to a ground layer.
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