JP5722258B2 - Phased array seeker - Google Patents

Phased array seeker Download PDF

Info

Publication number
JP5722258B2
JP5722258B2 JP2012048141A JP2012048141A JP5722258B2 JP 5722258 B2 JP5722258 B2 JP 5722258B2 JP 2012048141 A JP2012048141 A JP 2012048141A JP 2012048141 A JP2012048141 A JP 2012048141A JP 5722258 B2 JP5722258 B2 JP 5722258B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microstrip line
phase
transmission
phased array
reception
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012048141A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2013183432A (en
Inventor
治夫 小島
治夫 小島
裕之 蜂須
裕之 蜂須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2012048141A priority Critical patent/JP5722258B2/en
Publication of JP2013183432A publication Critical patent/JP2013183432A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5722258B2 publication Critical patent/JP5722258B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

本発明の実施形態は、フェイズドアレイシーカに関する。 Embodiments of the present invention relates to a phased Lacy mosquitoes.

従来のフェイズドアレイシーカは、アンテナと、ＰＩＮダイオード及び導体に金を用いたマイクロストリップ線路を備える移相器と、を有する集積アンテナを数十から数百配列されたアレイを有する。   A conventional phased array seeker has an array in which tens to hundreds of integrated antennas each having an antenna and a phase shifter including a microstrip line using PIN diodes and gold as a conductor are arranged.

このフェイズドアレイシーカは、送信時には入力端子から入力した高周波信号を移相器によって位相を制御し、複数の送信用電力増幅装置によって増幅し、サーキュレータを介してアンテナから空間に放射する。また、フェイズドアレイシーカは、受信時にはアンテナによって受信した高周波信号を、サーキュレータを介して複数の受信用電力増幅によって増幅し、移相器によって位相を制御して出力端子に出力する。   This phased array seeker controls the phase of a high-frequency signal input from an input terminal at the time of transmission by a phase shifter, amplifies it by a plurality of power amplifiers for transmission, and radiates it from the antenna to the space via a circulator. The phased array seeker amplifies a high-frequency signal received by the antenna at the time of reception by a plurality of reception power amplifications through a circulator, and controls the phase by a phase shifter and outputs it to an output terminal.

ここで、送信時には移相器の挿入損失分の電力利得が低下するため増幅器の利得を大きくする必要があり、また、送信系の電力効率が下がる。   Here, at the time of transmission, the power gain corresponding to the insertion loss of the phase shifter is lowered, so that it is necessary to increase the gain of the amplifier, and the power efficiency of the transmission system is lowered.

受信時には移相器によって雑音指数が悪化する。受信モジュールの雑音指数の悪化を抑制するために低雑音増幅器の電力利得を上げる方法があるが、この方法では受信系の１ｄＢ圧縮時入力電力が悪化する。   During reception, the noise figure is deteriorated by the phase shifter. There is a method of increasing the power gain of the low noise amplifier in order to suppress the deterioration of the noise figure of the receiving module, but this method deteriorates the input power at the time of 1 dB compression of the receiving system.

この送信電力低下と雑音指数の悪化は移相器のＰＩＮダイオード及びマイクロストリップ線路における導体損失の影響が大きい。   This reduction in transmission power and deterioration in noise figure are greatly affected by conductor loss in the PIN diode and microstrip line of the phase shifter.

特開平５−１１０３２９号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-110329

従って、集積アンテナの移相器の挿入損失を低減させるフェイズドアレイシーカが求められている。 Therefore, it phased Lacy mosquitoes to reduce the insertion loss of the phase shifter of the integrated antenna is required.

実施形態のフェイズドアレイシーカは、導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数の送信系マイクロストリップ線路、該送信系マイクロストリップ線路毎に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用の送信系マイクロストリップ線路、及び該移相用の送信系マイクロストリップ線路の他端にアノードが接続され、カソードが接地される送信系ＰＩＮダイオードを備え、送信高周波信号の位相を制御する送信系の位相器と、前記送信系の位相器の出力信号を増幅する送信系の電力増幅装置と、受信信号を増幅する受信系の電力増幅装置と、導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数の受信系マイクロストリップ線路、該受信系マイクロストリップ線路毎に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用の受信系マイクロストリップ線路、及び該移相用の受信系マイクロストリップ線路の他端にアノードが接続され、カソードが接地される受信系ＰＩＮダイオードを備え、受信系の電力増幅装置の出力信号の位相を制御する受信系の位相器と、前記送信系の電力増幅装置の出力信号をアンテナに出力し、前記アンテナから入力した受信信号を前記受信系の電力増幅装置に出力するサーキュレータと、少なくとも前記送信系マイクロストリップ線路、前記移相用の送信系マイクロストリップ線路、前記受信系マイクロストリップ線路、及び前記移相用の受信系マイクロストリップ線路を超伝導転移温度以下に冷却する冷却装置と、を備える複数の集積アンテナを備えるフェイズドアレイシーカにあって、前記集積アンテナは、導電性のある断熱部材を介して筺体に係止した。 Phased Lacy mosquito embodiment, the conductor portion is formed by the superconducting material, a plurality of transmission systems microstrip line connected in series, one end in each said transmission system microstrip line is connected, the conductor portions superconducting transmission system microstrip line for phase formed by the material, and an anode connected to the other end of the transmission system microstrip line for the phase, a transmission system PIN diode whose cathode is grounded, a transmission high-frequency signal A transmission phase shifter that controls the phase of the transmission system, a transmission power amplification device that amplifies the output signal of the transmission phase shifter, a reception power amplification device that amplifies the reception signal, and the conductor is superconductive made of a material, a plurality of receiving systems microstrip line connected in series, one end in each said receiving system microstrip line is connected, the conductor portions superconducting Receiving system for phase formed by the charge microstrip line, and an anode connected to the other end of the reception system microstrip line for the phase, a receiving system PIN diode whose cathode is grounded, the receiving system A phase shifter for the reception system that controls the phase of the output signal of the power amplifier, and an output signal of the power amplifier for the transmission system are output to the antenna, and the received signal input from the antenna is supplied to the power amplifier for the reception system The output circulator and at least the transmission system microstrip line, the phase shift transmission system microstrip line, the reception system microstrip line, and the phase shift reception system microstrip line are cooled to a superconducting transition temperature or lower. there a cooling device for, in a phased Lacy mosquitoes comprising a plurality of integrated antenna with the said integrated en Nah, it engaged with the housing via the electrically conductive certain insulating member.

フェイズドアレイシーカの斜視図である。It is a perspective view of a phased array seeker. 集積アンテナの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of an integrated antenna. フェイズドアレイシーカの集積アンテナ周辺の部分平面図である。It is a partial top view of the periphery of the integrated antenna of a phased array seeker. フェイズドアレイシーカの図３におけるＡＡ線断面図である。It is AA sectional view taken on the line of FIG. 3 of a phased array seeker.

以下、フェイズドアレイシーカの一実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, an embodiment of a phased Lacy mosquito, will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本実施形態のフェイズドアレイシーカ１００の斜視図である。図１に示すように、フェイズドアレイシーカ１００は、複数の集積アンテナ２００を配列したアレイを備える。   FIG. 1 is a perspective view of a phased array seeker 100 of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the phased array seeker 100 includes an array in which a plurality of integrated antennas 200 are arranged.

フェイズドアレイシーカ１００は、集積アンテナ２００が入力した高周波信号の位相を制御して任意の方向の空間に放射する。また、フェイズドアレイシーカ１００は、集積アンテナ２００が受信した高周波信号の位相を制御して出力する。   The phased array seeker 100 controls the phase of the high-frequency signal input by the integrated antenna 200 and radiates it to a space in an arbitrary direction. The phased array seeker 100 controls and outputs the phase of the high frequency signal received by the integrated antenna 200.

図２は、集積アンテナ２００の構成を示す図である。図２に示すように、集積アンテナ２００は、送信高周波信号の位相を制御する送信系の移相器１０１と、送信系の移相器１０１の出力信号を増幅する送信系の電力増幅装置２０１と、受信信号を増幅する受信系の電力増幅装置２０２と、受信系の電力増幅装置２０２の出力信号の位相を制御する受信系の移相器１０１と、電力増幅装置２０１の出力信号をアンテナ１０２に出力し、アンテナ１０２から入力した受信信号を受信系の電力増幅装置２０２に出力するサーキュレータ２０３と、を備える。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the integrated antenna 200. As shown in FIG. 2, the integrated antenna 200 includes a transmission phase shifter 101 that controls the phase of a transmission high-frequency signal, and a transmission power amplifier 201 that amplifies the output signal of the transmission phase shifter 101. A reception-system power amplification device 202 that amplifies the reception signal, a reception-system phase shifter 101 that controls the phase of the output signal of the reception-system power amplification device 202, and an output signal from the power amplification device 201 to the antenna 102. And a circulator 203 that outputs the received signal input from the antenna 102 to the power amplifier 202 of the receiving system.

送信高周波信号は、送信系の移相器１０１によって位相が制御され、送信系の電力増幅装置２０１によって電力が増幅され、サーキュレータ２０３を介してアンテナから空間に放射される。   The phase of the transmission high-frequency signal is controlled by the phase shifter 101 of the transmission system, the power is amplified by the power amplification device 201 of the transmission system, and is radiated from the antenna to the space via the circulator 203.

受信高周波信号は、アンテナ１０２によって受信され、サーキュレータ２０３を介して受信系の電力増幅装置２０２によって電力が増幅され、移相器１０１によって位相が制御されて出力される。   The received high-frequency signal is received by the antenna 102, the power is amplified by the power amplifier 202 of the receiving system via the circulator 203, and the phase is controlled by the phase shifter 101 and output.

送信系の移相器１０１は、導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数のマイクロストリップ線路１０３と、このマイクロストリップ線路１０３毎に、マイクロストリップ線路１０３の入力高周波信号伝送方向上流の端部に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａと、この移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａの他端にアノードが接続され、カソードが接地されるＰＩＮダイオード１０４と、少なくともマイクロストリップ線路１０３及び移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａを超伝導転移温度以下に冷却する冷却装置１０６と、を備える。 The transmission phase shifter 101 includes a plurality of microstrip lines 103 whose conductor portions are formed of a superconductive material and are connected in series, and an input high-frequency signal transmission direction of the microstrip line 103 for each microstrip line 103. One end is connected to the upstream end, and the microstrip line 103A for phase shift in which the conductor is formed of a superconducting material, the anode is connected to the other end of the microstrip line 103A for phase shift, and the cathode A PIN diode 104 that is grounded, and a cooling device 106 that cools at least the microstrip line 103 and the phase-shifting microstrip line 103A to a superconducting transition temperature or less.

マイクロストリップ線路１０３は、例えば３個接続される。移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａは互いに長さが異なっている。   For example, three microstrip lines 103 are connected. The phase-shifting microstrip lines 103A have different lengths.

マイクロストリップ線路１０３及び移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａを形成する超伝導材料は、高温超電導材料であることが望ましい。超伝導転移温度が液体窒素の沸点である７７Ｋ°より高いため、液体窒素にて冷却が可能であるからである。   The superconducting material forming the microstrip line 103 and the phase-shifting microstrip line 103A is preferably a high-temperature superconducting material. This is because the superconducting transition temperature is higher than 77 K ° which is the boiling point of liquid nitrogen, so that cooling with liquid nitrogen is possible.

高温超電導材料は、公知の高温超電導材料を用いることができる。公知の高温超電導材料としては、例えば、Ｈｇ１２Ｔｌ３Ｂａ３０Ｃａ３０Ｃｕ４５Ｏ１２７、Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７などを用いることができる。 A known high temperature superconducting material can be used as the high temperature superconducting material. Known high-temperature superconducting material, for example, can be used as the Hg 12 Tl 3 Ba 30 Ca 30 Cu 45 O 127, Bi 2 Sr 2 Ca 2 Cu 3 O 10, YBa 2 Cu 3 O 7.

ＰＩＮダイオード１０４は、集積アンテナ２００を統括制御する制御部によってスイッチングされる。 The PIN diode 104 is switched by a control unit that performs overall control of the integrated antenna 200.

このスイッチングにより、移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａにおける位相の反転を制御することができるため、高周波信号の位相を制御することが可能となる。   By this switching, the phase inversion in the phase-shifting microstrip line 103A can be controlled, so that the phase of the high-frequency signal can be controlled.

冷却装置１０６は、マイクロストリップ線路１０３に高温超電導材料を用いた場合には冷媒として液体窒素を用いることができる。   The cooling device 106 can use liquid nitrogen as a refrigerant when a high-temperature superconducting material is used for the microstrip line 103.

冷却装置１０６は、冷媒を格納するタンクと、タンクに冷媒を注入する注入孔と、気化した冷媒を排出する排出孔と、を備える。   The cooling device 106 includes a tank that stores the refrigerant, an injection hole that injects the refrigerant into the tank, and a discharge hole that discharges the vaporized refrigerant.

冷却装置１０６は、移相器を冷却するため、移相器の挿入損失が低減し、送信電力が上がり、受信時の雑音指数が低減する。   Since the cooling device 106 cools the phase shifter, the insertion loss of the phase shifter is reduced, the transmission power is increased, and the noise figure at the time of reception is reduced.

受信系の移相器１０１の構成は、送信系の位相器の構成と同様である。   The configuration of the reception phase shifter 101 is the same as the configuration of the transmission phase shifter.

図３は、フェイズドアレイシーカ１００の集積アンテナ２００周辺の部分平面図である。図４は、フェイズドアレイシーカ１００の図３におけるＡＡ線断面図である。   FIG. 3 is a partial plan view around the integrated antenna 200 of the phased array seeker 100. 4 is a cross-sectional view of the phased array seeker 100 taken along line AA in FIG.

図３に示すように、フェイズドアレイシーカ１００は、複数の集積アンテナ２００が一つの冷却装置１０６を共有していてもよい。   As shown in FIG. 3, in the phased array seeker 100, a plurality of integrated antennas 200 may share one cooling device 106.

図３及び図４に示すように、フェイズドアレイシーカ１００は、移相器１０１と、移相器１０１を冷却する冷却装置１０６と、移相器１０１を支持する断熱部材１０９と、断熱部材１０９を支持し、冷却装置１０６を非接触に格納する空隙部１１２を有する筺体１１１と、ＰＩＮダイオード１０４のスイッチングを制御する位相制御端子１０８と、位相制御端子１０８が接続される基板１１０と、送信系の電力増幅装置２０１と、受信系の電力増幅装置２０２と、サーキュレータ２０３と、送信系の電力増幅装置２０１及び受信系の電力増幅装置２０２に電力を供給する電源供給端子１１３と、を備える。   3 and 4, the phased array seeker 100 includes a phase shifter 101, a cooling device 106 that cools the phase shifter 101, a heat insulating member 109 that supports the phase shifter 101, and a heat insulating member 109. A housing 111 having a gap 112 for supporting and storing the cooling device 106 in a non-contact manner, a phase control terminal 108 for controlling switching of the PIN diode 104, a substrate 110 to which the phase control terminal 108 is connected, and a transmission system A power amplifying apparatus 201; a receiving power amplifying apparatus 202; a circulator 203; and a power supply terminal 113 for supplying power to the transmitting power amplifying apparatus 201 and the receiving power amplifying apparatus 202.

断熱部材１０９は、熱抵抗の高い金属を用いることが望ましい、熱抵抗の高い金属としては、例えば、鉄ニッケル合金を用いることができる。断熱部材１０９は、接地を取るために導電性を有することが望ましい。   For the heat insulating member 109, it is desirable to use a metal having a high thermal resistance. As the metal having a high thermal resistance, for example, an iron nickel alloy can be used. The heat insulating member 109 is desirably conductive in order to take a ground.

冷却装置１０６は、移相器１０１にできるだけ近づけて、望ましくは接触させて係止される。   The cooling device 106 is locked as close as possible to the phase shifter 101, preferably in contact.

冷却装置１０６は、移相器１０１に接触する部分を除いて空隙部１１２によって囲まれる。従って、筺体１１１の熱が冷却装置１０６に伝わりにくい。   The cooling device 106 is surrounded by the gap 112 except for the portion that contacts the phase shifter 101. Accordingly, the heat of the casing 111 is not easily transmitted to the cooling device 106.

基板１１０は、例えばガラスエポキシによって形成され、移相器１０１の位相を制御する。   The substrate 110 is formed of glass epoxy, for example, and controls the phase of the phase shifter 101.

位相制御端子１０８は、空隙部１１２に挿通される。従って、位相制御端子１０８は筺体１１１と接触することがなく、筺体１１１の熱を移相器に伝えにくい。   The phase control terminal 108 is inserted into the gap portion 112. Therefore, the phase control terminal 108 does not come into contact with the casing 111 and it is difficult to transfer the heat of the casing 111 to the phase shifter.

以上述べたように、本実施形態のフェイズドアレイシーカ１００は、導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数のマイクロストリップ線路１０３と、このマイクロストリップ線路１０３毎に、マイクロストリップ線路１０３の入力高周波信号伝送方向上流の端部に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａと、この移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａの他端にアノードが接続され、カソードが接地されるＰＩＮダイオード１０４と、少なくともマイクロストリップ線路１０３及び移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａを超伝導転移温度以下に冷却する冷却装置１０６と、を備え、送信高周波信号の位相を制御する送信系の移相器１０１と、送信系の移相器１０１の出力信号を増幅する送信系の電力増幅装置２０１と、受信信号を増幅する受信系の電力増幅装置２０２と、導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数のマイクロストリップ線路１０３と、このマイクロストリップ線路１０３毎に、マイクロストリップ線路１０３の入力高周波信号伝送方向下流の端部に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａと、この移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａの他端にアノードが接続され、カソードが接地されるＰＩＮダイオード１０４と、少なくともマイクロストリップ線路１０３及び移相用のマイクロストリップ線路１０３Ａを超伝導転移温度以下に冷却する冷却装置１０６と、を備え、受信系の電力増幅装置２０２の出力信号の位相を制御する受信系の移相器１０１と、送信系の電力増幅装置２０１の出力信号をアンテナ１０２に出力し、アンテナ１０２から入力した受信信号を受信系の電力増幅装置２０２に出力するサーキュレータ２０３と、を備える複数の集積アンテナ２００を備える。 As described above, the phased array seeker 100 of this embodiment includes a plurality of microstrip lines 103 whose conductor portions are formed of a superconductive material and connected in series, and each microstrip line 103 has a microstrip line. One end is connected to the upstream end of the input high-frequency signal transmission direction 103 and the conductor portion is formed of a superconducting material. The phase-shifting microstrip line 103A is connected to the other end of the phase-shifting microstrip line 103A. A PIN diode 104 having an anode connected and a cathode grounded, and a cooling device 106 that cools at least the microstrip line 103 and the phase-shifting microstrip line 103A to a superconducting transition temperature or less, and Transmission system phase shifter 101 for controlling the phase and transmission system phase shifter 1 A transmission-system power amplification device 201 that amplifies one output signal, a reception-system power amplification device 202 that amplifies a reception signal, and a plurality of microstrip lines in which conductor portions are formed of a superconductive material and connected in series 103, and a microstrip line 103A for phase shift in which one end is connected to the end of the microstrip line 103 downstream in the input high-frequency signal transmission direction and the conductor part is formed of a superconductive material. The PIN diode 104 having an anode connected to the other end of the phase-shifting microstrip line 103A and a cathode grounded, and at least the microstrip line 103 and the phase-shifting microstrip line 103A have a superconducting transition temperature or lower. And a cooling device 106 for cooling. The output signal of the reception system phase shifter 101 that controls the phase of the signal and the output power amplifier 201 of the transmission system are output to the antenna 102, and the received signal input from the antenna 102 is output to the power amplifier 202 of the reception system. And a plurality of integrated antennas 200 including a circulator 203.

従って、集積アンテナ２００の移相器１０１の挿入損失を低減させることが可能となるという効果がある。また、この挿入損失を低減により、フェイズドアレイシーカ１００の最大探知距離を拡大でき、電力増幅装置の数を低減させることが可能となるという効果がある。   Therefore, there is an effect that the insertion loss of the phase shifter 101 of the integrated antenna 200 can be reduced. Further, by reducing this insertion loss, the maximum detection distance of the phased array seeker 100 can be increased, and the number of power amplification devices can be reduced.

いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments have been described, these embodiments have been presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

１０１：位相器
１０３：マイクロストリップ線路
１０３Ａ：移相用のマイクロストリップ線路
１０４：ＰＩＮダイオード
１０６：冷却装置
１０９：断熱材
１１２：空隙部 101: Phaser 103: Microstrip line 103A: Microstrip line for phase shift 104: PIN diode 106: Cooling device 109: Heat insulating material 112: Air gap

Claims (3)

導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数の送信系マイクロストリップ線路、該送信系マイクロストリップ線路毎に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用の送信系マイクロストリップ線路、及び該移相用の送信系マイクロストリップ線路の他端にアノードが接続され、カソードが接地される送信系ＰＩＮダイオードを備え、送信高周波信号の位相を制御する送信系の位相器と、
前記送信系の位相器の出力信号を増幅する送信系の電力増幅装置と、
受信信号を増幅する受信系の電力増幅装置と、
導体部が超伝導材料により形成され、直列に接続される複数の受信系マイクロストリップ線路、該受信系マイクロストリップ線路毎に一端が接続され、導体部が超伝導材料により形成される移相用の受信系マイクロストリップ線路、及び該移相用の受信系マイクロストリップ線路の他端にアノードが接続され、カソードが接地される受信系ＰＩＮダイオードを備え、受信系の電力増幅装置の出力信号の位相を制御する受信系の位相器と、
前記送信系の電力増幅装置の出力信号をアンテナに出力し、前記アンテナから入力した受信信号を前記受信系の電力増幅装置に出力するサーキュレータと、
少なくとも前記送信系マイクロストリップ線路、前記移相用の送信系マイクロストリップ線路、前記受信系マイクロストリップ線路、及び前記移相用の受信系マイクロストリップ線路を超伝導転移温度以下に冷却する冷却装置と、
を備える複数の集積アンテナを備えるフェイズドアレイシーカにあって、
前記集積アンテナは、導電性のある断熱部材を介して筺体に係止した、フェイズドアレイシーカ。 Conductor portion is formed by a superconducting material, a plurality of transmission systems microstrip line connected in series, one end in each said transmission system microstrip line is connected, shifting a phase conductor portion is formed by superconducting material the transmission system microstrip line, and the anode to the other end of the transmission system microstrip line for the phase are connected, a transmission system PIN diode whose cathode is grounded, the transmission system for controlling the phase of the transmission high-frequency signal A phaser,
A transmission power amplifying device for amplifying an output signal of the transmission phase shifter;
A power amplifying device of a receiving system for amplifying a received signal;
Conductor portion is formed by a superconducting material, a plurality of receiving systems microstrip line connected in series, one end in each said receiving system microstrip line is connected, shifting a phase conductor portion is formed by superconducting material reception system microstrip line, and the anode to the other end of the reception system microstrip line for phase shift is connected, a reception system PIN diode whose cathode is grounded, the output signal of the power amplifier of the receiving system phase A receiving phase shifter for controlling
An output signal of the power amplifier of the transmission system is output to an antenna, and a circulator that outputs a reception signal input from the antenna to the power amplifier of the reception system;
A cooling device for cooling at least the transmission system microstrip line, the transmission phase microstrip line for phase shift, the reception system microstrip line, and the reception system microstrip line for phase shift to a superconducting transition temperature or lower;
In a phased array seeker with multiple integrated antennas ,
The integrated antenna is a phased array seeker that is locked to the housing via a conductive heat insulating member . 前記超伝導材料は、高温超電導材料であり、
前記冷却装置は、冷媒が液体窒素である請求項１記載のフェイズドアレイシーカ。 The superconducting material is a high temperature superconducting material,
The phased array seeker according to claim 1, wherein in the cooling device, the refrigerant is liquid nitrogen. 前記冷却装置は、
前記集積アンテナと接触する部分を除いて空隙により囲まれる請求項２記載のフェイズドアレイシーカ。 The cooling device is
The phased array seeker according to claim 2, wherein the phased array seeker is surrounded by a gap except for a portion that contacts the integrated antenna.
JP2012048141A 2012-03-05 2012-03-05 Phased array seeker Active JP5722258B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012048141A JP5722258B2 (en) 2012-03-05 2012-03-05 Phased array seeker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012048141A JP5722258B2 (en) 2012-03-05 2012-03-05 Phased array seeker

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013183432A JP2013183432A (en) 2013-09-12
JP5722258B2 true JP5722258B2 (en) 2015-05-20

Family

ID=49273773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012048141A Active JP5722258B2 (en) 2012-03-05 2012-03-05 Phased array seeker

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5722258B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016046573A (en) * 2014-08-20 2016-04-04 株式会社東芝 Antenna device
JP2016163124A (en) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社東芝 Phase shifter, signal processing device and electromagnetic wave carrier device
CN114639929B (en) * 2022-05-18 2022-08-19 合肥芯谷微电子有限公司 Switch line type phase shifter and communication equipment

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04320800A (en) * 1991-04-20 1992-11-11 Nec Corp Guidance device
JPH10135715A (en) * 1996-11-01 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor signal processor
JP3093677B2 (en) * 1997-05-16 2000-10-03 株式会社東芝 Reflection type phase shifter
JP2000236206A (en) * 1998-12-17 2000-08-29 Ntt Docomo Inc High-sensitivity radio receiver
JP4236408B2 (en) * 2000-01-31 2009-03-11 富士通株式会社 Thermal shutdown signal transmission unit and superconducting signal transmission device
JP4302939B2 (en) * 2002-06-13 2009-07-29 株式会社東芝 Superconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013183432A (en) 2013-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3474380B1 (en) Antenna apparatus and electronic device comprising same
US9088325B2 (en) Array antenna apparatus
TWI680642B (en) Solid state microwave generator and power amplifier
EP2321872B1 (en) Modular solid-state millimeter wave (mmw) rf power source
US10205211B2 (en) Thermal insulation waveguide and wireless communication device
US11387791B2 (en) Spatial power-combining devices with reduced size
JP5722258B2 (en) Phased array seeker
US10855240B2 (en) Structures for spatial power-combining devices
TW201448343A (en) Sandwich structure for directional coupler
US20180270942A1 (en) High-frequency circuit
JP5674694B2 (en) Phased array seeker and high-frequency signal transmission / reception method of phased array seeker
US20220263483A1 (en) Cryogenic parametric amplifier control apparatus
CN103354301A (en) Expansion coaxial power distribution synthesizer, power distribution method, power synthesis method
JP5120278B2 (en) Superconducting tunable filter device, nonlinear strain measuring device, nonlinear strain measuring method
JP6400414B2 (en) Signal transmission device, reception device, and wireless communication device
KR101473647B1 (en) Coaxial Waveguide for Spatial Combiner
JP6334316B2 (en) Filter device, receiving device, transmitting device, antenna device, and switching device
CN111030617A (en) Power amplifier
JP6334440B2 (en) High-frequency receiver module
Bhaumik et al. Hybrid LNAs with SiGe HBTs on 7th generation BiCMOS process
JP6334315B2 (en) Switching device, transmission / reception device, and antenna device
US20230223673A1 (en) Structural arrangements for spatial power-combining devices
JP2006136025A (en) Radio transmitter-receiver
JP5925622B2 (en) Antenna device
JP2016111196A (en) Super-conduction high frequency device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150325

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5722258

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151