JP5719737B2 - Current detection circuit and motor control device - Google Patents

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本発明は、スイッチ素子、特にFET(電界効果トランジスタ)に流れる電流を検出する電流検出回路、および、この電流検出回路を用いたモータ制御装置に関する。   The present invention relates to a current detection circuit that detects a current flowing through a switching element, particularly an FET (field effect transistor), and a motor control device using the current detection circuit.

モータ制御装置には、インバータにより直流電圧を3相交流電圧に変換し、この3相交流電圧により3相交流モータ(3相ブラシレスモータや3相誘導モータ)を駆動するものがある(例えば、特許文献1を参照)。図5は、特許文献1に記載のモータ制御装置の構成図(特許文献1の図2)をそのまま示したものである。この図5に示すモータ制御装置は、6個のトランジスタQ’〜Q’で構成される3相ブリッジ回路と、制御回路CONTとからなるインバータ回路を用いて直流を交流に変換すると共に、出力電圧を制御して3相ブラシレスモータMの回転を制御するものである。このようなインバータ回路においては、過電流によるトランジスタの損傷、および過負荷によりモータの性能劣化などを防ぐことが必要になる。 Some motor control devices convert a DC voltage into a three-phase AC voltage by an inverter, and drive a three-phase AC motor (a three-phase brushless motor or a three-phase induction motor) by this three-phase AC voltage (for example, a patent) Reference 1). FIG. 5 shows the configuration of the motor control device described in Patent Document 1 (FIG. 2 of Patent Document 1) as it is. The motor control device shown in FIG. 5 converts a direct current into an alternating current using an inverter circuit including a three-phase bridge circuit composed of six transistors Q 1 ′ to Q 6 ′ and a control circuit CONT. The output voltage is controlled to control the rotation of the three-phase brushless motor M. In such an inverter circuit, it is necessary to prevent transistor damage due to overcurrent and motor performance deterioration due to overload.

そこで、インバータの出力電流が過電流領域になったことを検出する回路を用いて、過電流発生時にトランジスタQ’〜Q’を一括オフ(すべてオフ)することによりモータ電流を遮断する方法が用いられている。この過電流を検出する代表的なものの1つに、インバータの3相ブリッジ回路の入力側(例えば、3相ブリッジ回路と電極(+)とを結ぶ直流電源線)に電流検出抵抗(または、分流器)を挿入し、その検出電圧を電流設定基準電圧と比較することにより過電流状態を検出する方法がある。また、例えば、ホール素子を内蔵するホールセンサをインバータの入力側(例えば、3相ブリッジ回路と電極(+)とを結ぶ直流電源線)に配置し、このホールセンサの出力電圧を電流設定基準電圧と比較することにより過電流状態を検出する方法がある。 Therefore, a method for shutting off the motor current by collectively turning off (all off) the transistors Q 1 ′ to Q 6 ′ when an overcurrent occurs using a circuit that detects that the output current of the inverter is in the overcurrent region. Is used. One of the typical examples of detecting this overcurrent is a current detection resistor (or a shunt current) on the input side of the inverter's three-phase bridge circuit (for example, a DC power line connecting the three-phase bridge circuit and the electrode (+)). There is a method of detecting an overcurrent state by inserting a detector) and comparing the detected voltage with a current setting reference voltage. Further, for example, a Hall sensor incorporating a Hall element is arranged on the input side of the inverter (for example, a DC power line connecting the three-phase bridge circuit and the electrode (+)), and the output voltage of the Hall sensor is set as a current setting reference voltage. There is a method of detecting an overcurrent state by comparing with.

しかしながら、上記電流検出抵抗やホール素子を用いることはモータ制御装置(より正確には過電流保護回路)の小型化の要請に反し、また、これらの部品を使用することにより製品コストが上昇することになる。この問題に対処するために、上記特許文献1に記載のモータ制御装置では、FET(Field Effect Transistor)の導通タイミングにおけるオン電圧(電圧降下)を基に、FETに流れる電流を検出している。   However, the use of the current detection resistor or the Hall element is contrary to the demand for miniaturization of the motor control device (more precisely, the overcurrent protection circuit), and the use of these components increases the product cost. become. In order to cope with this problem, the motor control device described in Patent Document 1 detects a current flowing through the FET based on an on-voltage (voltage drop) at the conduction timing of the FET (Field Effect Transistor).

すなわち、図5に示す特許文献1に記載のモータ制御装置では、3相ブリッジ回路を、FETQ’〜Qを用いて構成し、モータMの第1相、第2相、第3相のモータ電流に比例するFETQ’〜Qのドレイン・ソース電圧VDS4,VDS5,VDS6を、各FETの導通タイミングに合わせてオンされる3個のスイッチAS、AS、ASを介して、直列的に順次に検出する。そして、FETQ’〜Q’のドレイン・ソース電圧VDS4,VDS5,VDS6が電流設定基準電圧Vsを超えたときを過電流と判定して、制御回路CONTからの駆動情号を停止し、全てのFETをオフすることにより、過電流を流さないようにしている。 That is, in the motor control device described in Patent Document 1 shown in FIG. 5, the three-phase bridge circuit is configured using FETs Q 1 ′ to Q 6, and the first phase, the second phase, and the third phase of the motor M are configured. Three switches AS 1 , AS 2 , and AS 3 that are turned on in accordance with the conduction timing of each FET are set to the drain-source voltages V DS4 , V DS5 , and V DS6 of the FETs Q 1 ′ to Q 6 that are proportional to the motor current. To detect sequentially in series. Then, when the drain-source voltages V DS4 , V DS5 , and V DS6 of the FETs Q 1 ′ to Q 6 ′ exceed the current setting reference voltage Vs, it is determined as an overcurrent, and the drive information from the control circuit CONT is stopped. Then, all the FETs are turned off so that no overcurrent flows.

なお、図6は、同じく上記特許文献1に記載された図(特許文献1の図1)をそのまま示した図であり、FETのドレイン・ソース間電圧VDSとドレイン電流Iの関係図である。この図に示すように、FETのゲート電圧Vをパラメータとすると、FETオン時のドレイン・ソース間の電圧降下VDSと、ドレイン電流Iとは、図に示すように、広い範囲に亘って直線的な比例関係を有する。しかもその傾斜は通常のトランジスタのそれに比べてかに緩やかであるため、ドレイン電流の変化に比例した十分大きなドレイン・ソース間電圧降下の変化を得ることができる。従って制御電流領域と過電流領域との間に大きな差をもたせることができるので、効果的な過電流の検出が可能である. FIG. 6 is a view showing the same figure (FIG. 1 of Patent Document 1) described in Patent Document 1 as it is, and is a diagram showing the relationship between the drain-source voltage V DS and the drain current ID of the FET. is there. As shown in this figure, when the gate voltage V G of the FET as a parameter, and the voltage drop V DS between the drain and source when FET on, the drain current I D, as shown in FIG., Over a wide range Have a linear proportional relationship. In addition, since the slope is much gentler than that of a normal transistor, a sufficiently large change in drain-source voltage drop proportional to the change in drain current can be obtained. Therefore, a large difference can be provided between the control current region and the overcurrent region, so that effective overcurrent detection is possible.

特開平4−308420号公報JP-A-4-308420

上述した特許文献1に記載のモータ制御装置では、モータ、トランジスタなどの過電流による損傷防止用過電流保護回路の小型化や、コストダウンを目的とし、ドレイン電流とドレイン・ソース間電圧圧降下とが広い範囲に亘って直線的関係にあるFETを用いると共に、このFETの動通タイミングに合わせてオンして、上記モータの各相電流に比例したドレイン・ソース間電圧降下を直列的に順次検出するスイッチ回路を設け、この回路の出力が設定基準電圧を越えたとき過電流と判定して上記制御回路への駆動信号の供給を停止しFETの電流遮断を行うようにしている。   In the motor control device described in Patent Document 1 described above, the drain current and the voltage drop between the drain and the source are reduced for the purpose of downsizing the overcurrent protection circuit for preventing damage due to overcurrent of the motor, the transistor, and the cost. Using a FET that has a linear relationship over a wide range, and turning on in accordance with the timing of movement of this FET, the drain-source voltage drop proportional to each phase current of the motor is sequentially detected in series. When the output of this circuit exceeds the set reference voltage, it is determined that the current is overcurrent, the supply of the drive signal to the control circuit is stopped, and the FET current is cut off.

しかしながら、上記特許文献1に記載のFETのドレイン・ソース間電圧の検出による過電流保護回路にあっては、次のような問題点がある。すなわち、FETQ’〜Q’をプリント配線基板上に実装する構成においては、FETQ’〜Q’に流れる電流経路が配線パターンにより形成されることになる。したがって、直流電源の(−)端子を基準(回路グランド)として、FETQ4’〜Q6’のドレイン・ソース電圧(より正確には、ドレイン・回路グランド間電圧)を測定する場合には、配線パターンの抵抗による電圧降下分(オフセット)が含まれることになる。 However, the overcurrent protection circuit based on the detection of the drain-source voltage of the FET described in Patent Document 1 has the following problems. That is, in the configuration that implements the FETQ 1 '~Q 6' on the printed circuit board, so that the current path flowing to the FETQ 1 '~Q 6' is formed by the wiring pattern. Therefore, when measuring the drain-source voltage (more precisely, the voltage between the drain and the circuit ground) of the FETs Q4 ′ to Q6 ′ using the (−) terminal of the DC power supply as a reference (circuit ground), The voltage drop (offset) due to the resistance is included.

この場合、直流電源の(−)端子とトランジスタQ’のソースとの間の配線パターンと、直流電源の(−)端子とトランジスタQ’のソースとの間の配線パターンと、直流電源の(−)端子とトランジスタQ’のソースとの間の配線パターンとの、それぞれ長さ(或いは幅、厚み)が異なることがある。このため、FETQ4’〜Q’のドレイン・回路グランド間電圧には、配線パターンの抵抗値が異なることによる電圧差(電圧降下の差)が発生し、過電流の判定値がばらつくという問題がある。従って、配線パターンの抵抗のバラツキを考慮して、FETQ4’〜Q’のドレイン・ソース間電圧を検出することが必要になる。 In this case, a wiring pattern between the (−) terminal of the DC power source and the source of the transistor Q 4 ′, a wiring pattern between the (−) terminal of the DC power source and the source of the transistor Q 5 ′, The length (or width and thickness) of the wiring pattern between the (−) terminal and the source of the transistor Q 6 ′ may be different. Therefore, the drain-circuit ground voltage of FETQ4'~Q 6 ', generated a voltage difference due to the resistance of the wiring pattern are different (the difference between the voltage drop) is, the problem that the determination value of the overcurrent varies is there. Therefore, in consideration of the variation in resistance of the wiring pattern, it is necessary to detect the drain-source voltage of FETQ4'~Q 6 '.

本発明は、斯かる実情に鑑みなされたものであり、プリント配線基板上に搭載されるFETに流れる電流を、FETオン時のドレインと回路グランド間の電圧降下VDGを基に検出する際に、FETの電流経路を形成する配線パターンの抵抗により発生するオフセット分を簡易な方法によりキャンセルして、FETのドレイン・ソース間の電圧降下(FETに流れる電流)を検出することができる、電流検出回路、および該電流検出回路を備えるモータ制御装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and when detecting the current flowing through the FET mounted on the printed wiring board based on the voltage drop V DG between the drain and the circuit ground when the FET is on. Current detection that can detect the voltage drop between the drain and source of the FET (current flowing through the FET) by canceling the offset generated by the resistance of the wiring pattern that forms the current path of the FET by a simple method An object of the present invention is to provide a circuit and a motor control device including the current detection circuit.

本発明は、上記課題を解決するためなされたものであり、本発明の電流検出回路は、プリント配線基板上に実装されるスイッチ素子の一方の入出力端子が、このプリント配線基板上の配線パターンを介して当該プリント配線基板上に設けられた負電極端子に接続され、該負電極端子は前記スイッチ素子に電流を供給する直流電源の負極側に接続されるとともに、前記スイッチ素子を制御する制御回路の回路グランドに接続される回路において、前記スイッチ素子の導通時における電圧降下を基に、該スイッチ素子に流れる電流を検出する電流検出回路は、前記スイッチ素子の他方の入出力端子と前記回路グランドとの間に接続される第1の抵抗と第2の抵抗とからなる抵抗直列回路を備え、前記抵抗直列回路においては、前記第1の抵抗の一端が前記スイッチ素子の他方の入出力端子に接続され、他端が前記第2の抵抗の一端に接続され、前記第2の抵抗の他端が前記回路グランドに接続され、前記第2の抵抗と第1の抵抗との抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、前記スイッチ素子の導通時のオン抵抗と配線パターン抵抗との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧であって前記回路グランドに対する電圧を前記スイッチ素子に流れる電流の検出信号として出力することを特徴とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and the current detection circuit according to the present invention has one input / output terminal of a switch element mounted on a printed wiring board having a wiring pattern on the printed wiring board. Is connected to a negative electrode terminal provided on the printed wiring board via the first electrode, and the negative electrode terminal is connected to a negative electrode side of a DC power source for supplying a current to the switch element, and controls the switch element In a circuit connected to the circuit ground of the circuit, a current detection circuit that detects a current flowing through the switch element based on a voltage drop when the switch element is conductive includes the other input / output terminal of the switch element and the circuit A resistor series circuit including a first resistor and a second resistor connected to a ground; and in the resistor series circuit, one of the first resistors is provided. Is connected to the other input / output terminal of the switch element, the other end is connected to one end of the second resistor, the other end of the second resistor is connected to the circuit ground, and the second resistor The ratio of the resistance value to the first resistance (second resistance / first resistance) is the ratio of the resistance value between the on-resistance and the wiring pattern resistance when the switch element is conductive (on-resistance / wiring pattern resistance). And a voltage at a connection point between the first resistor and the second resistor and a voltage with respect to the circuit ground is output as a detection signal of a current flowing through the switch element. To do.

また、本発明の電流検出回路は、前記スイッチ素子のオン抵抗および前記配線パターン抵抗の抵抗値に比べて、前記第1の抵抗および第2の抵抗の抵抗値が、前記スイッチ素子に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定されることを特徴とする。   Further, the current detection circuit of the present invention is configured such that the resistance values of the first resistor and the second resistor are compared with the resistance values of the on-resistance and the wiring pattern resistor of the switch element. It is characterized by being set to a sufficiently large value so as to satisfy the tolerance required for detection.

また、本発明のモータ制御装置は、プリント配線基板上に実装されるスイッチ素子の3相ブリッジ回路とその制御回路からなるインバータを用いて、直流電源から入力される直流電圧から3相交流電圧を生成して3相交流モータの回転を制御するモータ制御装置であって、前記直流電源から各スイッチ素子に流れる電流の電流経路が前記プリント配線基板上の配線パターンにより形成され、かつ、下アーム側の各スイッチ素子と前記直流電源の負極側との間の電流経路となるそれぞれの配線パターンは、一端が、前記下アーム側の対応するスイッチ素子の一方の入出力端子に接続され、他端が、前記プリント配線基板上に設けられた負電極端子に接続され、該負電極端子は前記直流電源の負極側に接続されるとともに前記制御回路の回路グランドに接続されて構成されるモータ制御装置において、前記下アーム側のスイッチ素子の導通時における電圧降下を基に、該スイッチ素子に流れる電流を検出する電流検出回路は、前記下アーム側の各スイッチ素子に対応して、前記スイッチ素子の他方の入出力端子と前記回路グランドとの間に接続される第1の抵抗と第2の抵抗とからなるそれぞれの抵抗直列回路を備え、前記それぞれの抵抗直列回路においては、前記第1の抵抗の一端が対応するスイッチ素子の他方の入出力端子に接続され、他端が前記第2の抵抗の一端に接続され、前記第2の抵抗の他端が前記回路グランドに接続され、前記第2の抵抗と第1の抵抗との抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、前記対応するスイッチ素子の導通時のオン抵抗と配線パターン抵抗との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧であって前記回路グランドに対する電圧を前記スイッチ素子に流れる電流の検出信号として出力することを特徴とする。   The motor control device of the present invention uses a three-phase bridge circuit of a switch element mounted on a printed wiring board and an inverter composed of the control circuit to generate a three-phase AC voltage from a DC voltage input from a DC power source. A motor control device that generates and controls rotation of a three-phase AC motor, wherein a current path of a current flowing from the DC power source to each switch element is formed by a wiring pattern on the printed wiring board, and the lower arm side Each wiring pattern that forms a current path between each switch element and the negative electrode side of the DC power supply has one end connected to one input / output terminal of the corresponding switch element on the lower arm side, and the other end Are connected to a negative electrode terminal provided on the printed circuit board, and the negative electrode terminal is connected to the negative electrode side of the DC power supply and the circuit graph of the control circuit. In the motor control device configured to be connected to a switch, a current detection circuit that detects a current flowing through the switch element based on a voltage drop when the switch element on the lower arm side is conductive is provided on each of the lower arm side. Corresponding to the switch element, each resistor series circuit including a first resistor and a second resistor connected between the other input / output terminal of the switch element and the circuit ground is provided. In the resistor series circuit, one end of the first resistor is connected to the other input / output terminal of the corresponding switch element, the other end is connected to one end of the second resistor, and the other end of the second resistor. Is connected to the circuit ground, and the ratio of the resistance value between the second resistor and the first resistor (second resistor / first resistor) is the on-resistance and wiring when the corresponding switch element is conductive With pattern resistance It is set to coincide with a ratio of resistance values (on resistance / wiring pattern resistance), and is a voltage at a connection point between the first resistor and the second resistor, and a voltage with respect to the circuit ground is applied to the switch element. It outputs as a detection signal of the flowing current.

また、本発明のモータ制御装置は、前記スイッチ素子のオン抵抗および前記配線パターン抵抗の抵抗値に比べて、前記第1の抵抗および第2の抵抗の抵抗値が、前記スイッチ素子に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定されることを特徴とする。   In the motor control device of the present invention, the resistance values of the first resistor and the second resistor are compared to the ON resistance of the switch element and the resistance value of the wiring pattern resistor. It is characterized by being set to a sufficiently large value so as to satisfy the tolerance required for detection.

また、本発明のモータ制御装置は、前記下アーム側の各スイッチ素子に対応する第2の抵抗のそれぞれに並列に接続されるスイッチであって、前記下アーム側の対応するスイッチ素子の導通タイミングに合わせてオフし、前記対応するスイッチ素子の電流検出信号を当該スイッチ素子の導通時にのみ出力するスイッチを備えることを特徴とする。   The motor control device according to the present invention is a switch connected in parallel to each of the second resistors corresponding to the respective switch elements on the lower arm side, and the conduction timing of the corresponding switch elements on the lower arm side And a switch that outputs the current detection signal of the corresponding switch element only when the switch element is conductive.

また、本発明のモータ制御装置は、前記下アーム側のスイッチ素子のオン時の電流検出信号が所定の過電流設定基準電圧を超えたときに過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、前記過電流検出回路から過電流検出信号が出力された場合に、前記3相ブリッジ回路の各スイッチ素子のすべてをオフする過電流保護部と、を備えることを特徴とする。   The motor control device of the present invention includes an overcurrent detection circuit that outputs an overcurrent detection signal when a current detection signal when the lower arm side switch element is on exceeds a predetermined overcurrent setting reference voltage; And an overcurrent protection unit that turns off all the switch elements of the three-phase bridge circuit when an overcurrent detection signal is output from the overcurrent detection circuit.

本発明の電流検出回路においては、スイッチ素子の一方の入出力端子と回路グランドとの間に接続される第1の抵抗と第2の抵抗とでなる抵抗直列回路を備え、この第2の抵抗と第1の抵抗の抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、上記スイッチ素子のオン抵抗と配線パターン抵抗との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定するとともに、第1の抵抗と第2の抵抗との接続点と回路グランドとの間の電圧をスイッチ素子に流れる電流の検出信号として出力する。
これにより、プリント配線基板上に搭載されるスイッチ素子に流れる電流を、スイッチ素子オン時のドレイン端子と回路グランド間の電圧降下を基に検出する際に、スイッチ素子の電流経路を形成する配線パターンの抵抗により発生するオフセット分を簡易な方法によりキャンセルして、スイッチ素子の一方の入出力端子と他方の入出力端子間電圧(スイッチ素子に流れる電流)を検出することができる。
The current detection circuit of the present invention includes a resistor series circuit including a first resistor and a second resistor connected between one input / output terminal of the switch element and circuit ground, and the second resistor And the resistance value ratio of the first resistor (second resistance / first resistance) coincides with the resistance value ratio (on resistance / wiring pattern resistance) between the ON resistance of the switch element and the wiring pattern resistance. In addition, the voltage between the connection point of the first resistor and the second resistor and the circuit ground is output as a detection signal of the current flowing through the switch element.
As a result, the wiring pattern that forms the current path of the switch element when the current flowing through the switch element mounted on the printed circuit board is detected based on the voltage drop between the drain terminal and the circuit ground when the switch element is on. The offset generated by the resistor can be canceled by a simple method, and the voltage between one input / output terminal of the switch element and the other input / output terminal (current flowing through the switch element) can be detected.

本発明の第1の実施形態に係わる電流検出回路を示す図である。It is a figure which shows the current detection circuit concerning the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係わるモータ制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the motor control apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention. 図2に示すモータ制御装置における電流検出回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the electric current detection circuit in the motor control apparatus shown in FIG. FETに流れる電流(ドレイン・ソース間電圧VDS)の検出タイミングを示す図である。It is a figure which shows the detection timing of the electric current (drain-source voltage VDS ) which flows into FET. 特許文献1に記載のモータ制御装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the motor control apparatus of patent document 1. FIG. FETのドレイン・ソース間電圧降下とドレイン電流の関係図である。FIG. 4 is a relationship diagram between a drain-source voltage drop and a drain current of an FET.

以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる電流検出回路の構成を示す図である。この図1に示す回路おいては、電流検出対象となるFETQoはプリント配線基板上に実装され、また、直流電源装置(図示せず)の負極側に繋がる負極端子B(−)もプリント配線基板上に実装されている。そして、FETQoのソース端子Sは、このFETQoに流れる電流経路となる配線パターン(配線パターン抵抗Rpで示す経路)を介して、プリント配線基板上の負極端子B(−)に接続されるとともに、回路グランドGに接続されている。なお、FETQoは、図示しない制御回路(例えば、図2に示す制御部20等を参照)により、オン/オフ制御されるものである。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a current detection circuit according to the first embodiment of the present invention. In the circuit shown in FIG. 1, an FET Qo that is a current detection target is mounted on a printed wiring board, and a negative terminal B (-) connected to the negative side of a DC power supply (not shown) is also printed on the printed wiring board. Implemented above. The source terminal S of the FET Qo is connected to the negative electrode terminal B (−) on the printed wiring board via a wiring pattern (path indicated by the wiring pattern resistance Rp) serving as a current path flowing through the FET Qo. Connected to ground G. The FET Qo is on / off controlled by a control circuit (not shown) (see, for example, the control unit 20 shown in FIG. 2).

図1に示すように、本実施形態の電流検出回路1は、抵抗分圧回路で構成され、この抵抗分圧回路は、検出部抵抗R1(第1の抵抗)とオフセット抵抗Ro(第2の抵抗)の直列回路で構成され、この検出部抵抗R1とオフセット抵抗Roとの接続点(ノードN1)から電流検出信号が出力される。   As shown in FIG. 1, the current detection circuit 1 of the present embodiment is configured by a resistance voltage dividing circuit, and the resistance voltage dividing circuit includes a detection unit resistor R1 (first resistor) and an offset resistor Ro (second resistor). A series circuit of resistors), and a current detection signal is output from a connection point (node N1) between the detection unit resistor R1 and the offset resistor Ro.

この電流検出回路1は、FETQoに流れる電流(ドレイン電流I)を、このFETQoのドレイン・ソース間電圧VDSを基に検出することを目的とする回路である。すなわち、図6に示すように、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDS(電圧降下)は、ドレイン電流Iに比例する関係にあるので、このFETQoのドレイン・ソース間電圧VDS(電圧降下)を基に、FETQoに流れる電流(ドレイン電流I)を検出する。 The current detection circuit 1 is a circuit whose purpose is to detect a current (drain current I D ) flowing through the FET Qo based on the drain-source voltage V DS of the FET Qo. That is, as shown in FIG. 6, FETQo the drain-source voltage V DS (voltage drop), because in a relationship proportional to the drain current I D, the drain-source voltage V DS of the FETQo (voltage drop) Based on the above, the current (drain current ID ) flowing through the FET Qo is detected.

ところで、図1に示す回路構成においては、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDSを直接には測定せず、FETQoのドレイン端子Dと回路グランドGとの間の電圧VDGを測定している。このドレイン・回路グランド間電圧VDGには、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDS(電圧降下=オン抵抗Ron×ドレイン電流I)に加えて、配線パターン抵抗Rpによる電圧降下分がオフセットとして含まれる。従って、このドレイン・回路グランド間電圧VDGは、以下の式(1)のようになる。 In the circuit configuration shown in FIG. 1, the drain-source voltage V DS of the FET Qo is not directly measured, but the voltage V DG between the drain terminal D of the FET Qo and the circuit ground G is measured. In addition to the drain-source voltage V DS (voltage drop = on-resistance Ron × drain current I D ) of the FET Qo, the drain-circuit ground voltage V DG includes a voltage drop due to the wiring pattern resistance Rp as an offset. It is. Therefore, the drain-circuit ground voltage V DG is expressed by the following equation (1).

DG=Ron×I+Rp×I・・・(1) V DG = Ron × ID + Rp × ID (1)

この配線パターン抵抗(Rp)は、配線パターンの長さ・幅・厚みにより変化するため、オフセット分(Rp×I)にはバラツキが発生する。このため、配線パターン抵抗Rpにより発生する電圧降下のオフセット分(Rp×I)をキャンセルし、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDS(=オン抵抗Ron×I)を抽出する必要がある。 Since this wiring pattern resistance (Rp) varies depending on the length, width, and thickness of the wiring pattern, the offset (Rp × I D ) varies. For this reason, it is necessary to cancel the offset (Rp × I D ) of the voltage drop generated by the wiring pattern resistance Rp and extract the drain-source voltage V DS (= on resistance Ron × I D ) of the FET Qo.

そこで、本実施形態の電流検出回路では、FETQoのドレイン端子Dと、回路グランドGとの間に、抵抗分圧回路(検出部抵抗Rdとオフセット抵抗Roとで構成される抵抗直列回路)を挿入し、配線パターンの抵抗成分である配線パターン抵抗(Rp)による電圧降下分を、抵抗分圧回路を構成するオフセット抵抗Roにより分圧してオフセット分をキャンセルする。   Therefore, in the current detection circuit of the present embodiment, a resistance voltage dividing circuit (a resistance series circuit including a detection unit resistance Rd and an offset resistance Ro) is inserted between the drain terminal D of the FET Qo and the circuit ground G. Then, the voltage drop due to the wiring pattern resistance (Rp), which is the resistance component of the wiring pattern, is divided by the offset resistor Ro constituting the resistance voltage dividing circuit to cancel the offset.

このために、FETQoのオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗Rpと、オフセット抵抗Roと、検出部抵抗Rdの関係を以下のように定める。   For this purpose, the relationship between the on-resistance Ron of the FET Qo, the wiring pattern resistance Rp, the offset resistance Ro, and the detection unit resistance Rd is determined as follows.

Ron:Rp=Ro:Rd・・・・(2)
すなわち、ドレイン電流Iが流れ電圧降下を発生させる側(抵抗Ronと配線パターン抵抗Rp側)の上下の抵抗値の比(Ron/Rp)に対して、抵抗分圧回路側(抵抗Rdと抵抗Ro側)の上下の抵抗値の比(Rd/Ro)が逆比になるようにする。すなわち、以下の関係になるようにする。
Ron: Rp = Ro: Rd (2)
That is, the resistance voltage dividing circuit side (resistance Rd and resistance) is compared with the ratio of the upper and lower resistance values (Ron / Rp) on the side where the drain current ID flows and the voltage drop is generated (resistance Ron and wiring pattern resistance Rp side). The ratio of the upper and lower resistance values (Rd / Ro) on the Ro side is set to an inverse ratio. That is, the following relationship is established.

Ron/Rp=Ro/Rd   Ron / Rp = Ro / Rd

次に、具体的な数値の例を挙げて説明する。図1(B)は、配線パターン抵抗Rpにより発生する電圧降下(オフセット)をキャンセルする具体例について説明するための図である。この図に示すように、モータ電流を100Aとし、FETQoのオン抵抗Ronを4mΩ(Ron=4mΩ)とし、配線パターン抵抗Rpを1mΩ(Rp=1mΩ)とし、検出部抵抗(第1の抵抗)Rdを10kΩ(R1d=10kΩ)とし、オフセット抵抗(第2の抵抗)Roを40kΩ(Ro=40kΩ)とする。   Next, a specific numerical example will be described. FIG. 1B is a diagram for explaining a specific example of canceling the voltage drop (offset) generated by the wiring pattern resistance Rp. As shown in this figure, the motor current is 100 A, the on-resistance Ron of the FET Qo is 4 mΩ (Ron = 4 mΩ), the wiring pattern resistance Rp is 1 mΩ (Rp = 1 mΩ), and the detection unit resistance (first resistance) Rd Is 10 kΩ (R1d = 10 kΩ), and the offset resistance (second resistance) Ro is 40 kΩ (Ro = 40 kΩ).

この場合は、ドレイン・回路グランド間電圧VDGは、0.50V(=100A×5mΩ)となる。すなわち、FETQoのオン抵抗Ronによる電圧降下が「0.40V(=100A×4mΩ)」となり、配線パターン抵抗Rpによる電圧降下が「0.10V(=100A×1mΩ)」となり、ドレイン・回路グランド間電圧VDGは、0.50Vとなる。
一方、抵抗分圧回路の検出電圧(ノードN1)の電圧VRo(抵抗Roの両端の電圧)は、ドレイン・回路グランド間電圧VDG(=0.50V)が抵抗分圧され、以下の式のようになる。
In this case, the drain-circuit ground voltage V DG is 0.50 V (= 100 A × 5 mΩ). That is, the voltage drop due to the on-resistance Ron of the FET Qo becomes “0.40 V (= 100 A × 4 mΩ)”, the voltage drop due to the wiring pattern resistance Rp becomes “0.10 V (= 100 A × 1 mΩ)”, and between the drain and the circuit ground The voltage V DG is 0.50V.
On the other hand, the voltage VRo (the voltage across the resistor Ro) of the detection voltage (node N1) of the resistance voltage divider circuit is divided by the drain-circuit ground voltage V DG (= 0.50V). It becomes like this.

VRo=0・50V×40kΩ/(10kΩ+40kΩ)=0.40V   VRo = 0.50V × 40kΩ / (10kΩ + 40kΩ) = 0.40V

したがって、抵抗分圧回路の検出電圧(ノードN1)の電圧VRo(抵抗Roの両端の電圧)は、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDS「0.40V(=100A×4mΩ)」と等しくなる。 Accordingly, the voltage VRo (the voltage across the resistor Ro) of the detection voltage (node N1) of the resistance voltage dividing circuit is equal to the drain-source voltage V DS of the FET Qo “0.40 V (= 100 A × 4 mΩ)”.

このように、ドレイン電流IDが流れ電圧降下を発生させる側の上下の抵抗値の比(Ron/Rp)に対して、抵抗分圧回路側の上下の抵抗値の比(Rd/Ro)が逆比になるように設定する(Ron/Rp=Ro/Rd)。すなわち、オフセット抵抗Roと検出部抵抗Rdとの抵抗値の比(Ro/Rd)を、FETQoのオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpとの抵抗値の比(Ron/Rp)に一致するように設定する。これにより、配線パターン抵抗Rpにより発生する電圧降下分(オフセット)をキャンセルして、FETQoのドレイン・ソース間電圧VDSを検出することができる。 Thus, the ratio of the upper and lower resistance values (Rd / Ro) on the resistance voltage dividing circuit side is opposite to the ratio of the upper and lower resistance values (Ron / Rp) on the side where the drain current ID flows and causes a voltage drop. It sets so that it may become a ratio (Ron / Rp = Ro / Rd). That is, the resistance value ratio (Ro / Rd) between the offset resistance Ro and the detection unit resistance Rd is set to match the resistance value ratio (Ron / Rp) between the on-resistance Ron of the FET Qo and the wiring pattern resistance Rp. To do. Thus, by canceling the voltage drop caused by the wiring pattern resistance Rp (offset), it is possible to detect the drain-source voltage V DS of FETQo.

なお、FETQoのオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗Rpに対して、オフセット抵抗Roと、検出部抵抗Rdとは、十分大きな値に設定する。これは、オフセット抵抗Roと、検出部抵抗Rdの値が小さい場合は、このオフセット抵抗Roと検出部抵抗Rdとを通して流れる電流(FETQo側から分流する電流)が増大し、FETQoに流れる電流の検出誤差が増大するためである。   Note that the offset resistance Ro and the detector resistance Rd are set to sufficiently large values with respect to the ON resistance Ron of the FET Qo and the wiring pattern resistance Rp. This is because when the values of the offset resistor Ro and the detection unit resistor Rd are small, the current flowing through the offset resistor Ro and the detection unit resistor Rd (current shunted from the FET Qo side) increases, and the current flowing through the FET Qo is detected. This is because the error increases.

[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態として、上述した第1の実施形態の電流検出回路を、インバータにより3相交流モータを回転制御するモータ制御装置に用いた例について説明する。
[Second Embodiment]
Next, as a second embodiment of the present invention, an example in which the above-described current detection circuit of the first embodiment is used in a motor control device that controls the rotation of a three-phase AC motor using an inverter will be described.

(モータ制御装置の構成についての説明)
図2は、本発明の実施形態に係わるモータ制御装置の構成を示す図である。図2に示すモータ制御装置10は、例えば、バッテリ(図示せず)を直流電源とし、このバッテリの直流電圧を交流電圧に変換して3相交流モータ(3相ブラシレスモータや3相誘導モータ)10を駆動する制御装置である。
(Description of the configuration of the motor control device)
FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the motor control device according to the embodiment of the present invention. The motor control device 10 shown in FIG. 2 uses, for example, a battery (not shown) as a DC power source, converts the DC voltage of the battery into an AC voltage, and converts it into a three-phase AC motor (a three-phase brushless motor or a three-phase induction motor). 10 is a control device that drives 10.

図2において、3相交流モータ(単に「モータ」とも呼ぶ)10は、例えば、エンジン(内燃機関)のスタータモータとなるモータである。この3相交流モータ10が、例えば、3相ブラシレスモータである場合は、このモータ10は、U、V、Wの各相コイル(鉄心に巻かれているコイル)を有するステータと、永久磁石からなるロータとで構成され、ステータには3相(U、V、W)のコイルが周方向に順番に巻装される。   In FIG. 2, a three-phase AC motor (also simply referred to as “motor”) 10 is a motor that becomes a starter motor of an engine (internal combustion engine), for example. When the three-phase AC motor 10 is, for example, a three-phase brushless motor, the motor 10 includes a stator having U, V, and W phase coils (coils wound around an iron core) and a permanent magnet. A three-phase (U, V, W) coil is wound around the stator in order in the circumferential direction.

また、このモータ制御装置11内には、Nch型のMOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)であるFETQ1〜Q6で構成される3相ブリッジ回路12が設けられている。この3相ブリッジ回路12は、FETQ1〜Q6がプリント配線基板上に実装されて構成されており、この3相ブリッジ回路12において、上アーム側のFETQ1、Q2、Q3のそれぞれのドレイン端子は、このFETQ1、Q2、Q3に流れる電流の電流経路となるそれぞれの配線パターンを介して、プリント配線基板上に設けられた正側電極端子A(+)に共通に接続されている。そして、この正側電極端子A(+)は、図示しない直流電源(例えば、バッテリ)の正電極に接続されている。   In the motor control device 11, a three-phase bridge circuit 12 composed of FETs Q1 to Q6 which are Nch type MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) is provided. The three-phase bridge circuit 12 is configured by mounting FETs Q1 to Q6 on a printed wiring board. In the three-phase bridge circuit 12, the drain terminals of the FETs Q1, Q2, and Q3 on the upper arm side are It is commonly connected to the positive electrode terminal A (+) provided on the printed wiring board via each wiring pattern that becomes a current path of the current flowing through the FETs Q1, Q2, and Q3. The positive electrode terminal A (+) is connected to a positive electrode of a DC power source (for example, a battery) (not shown).

また、下アーム側のFETQ4,Q5,Q6のそれぞれのソース端子は、このFETQ4,Q5,Q6に流れる電流の電流経路となるそれぞれの配線パターン(配線パターン抵抗Rp1,Rp2,Rp3で示す経路)を介して、プリント配線基板上に設けられた負電極端子B(−)に共通に接続されている。そして、このプリント配線基板上の負電極端子B(−)は、図示しない直流電源(例えば、バッテリ)の負電極に接続されており、また、この負電極端子B(−)は、後述する電流検出回路14や、過電流検出回路15や、制御部20などを構成する回路の基準電位(グランド)となる回路グランドGに接続されている。   The source terminals of the lower arm side FETs Q4, Q5, and Q6 have respective wiring patterns (paths indicated by wiring pattern resistors Rp1, Rp2, and Rp3) that serve as current paths for the currents flowing through the FETs Q4, Q5, and Q6. To the negative electrode terminal B (-) provided on the printed wiring board. The negative electrode terminal B (−) on the printed wiring board is connected to a negative electrode of a DC power source (not shown) (not shown), and the negative electrode terminal B (−) is a current described later. The circuit is connected to a circuit ground G serving as a reference potential (ground) of a circuit constituting the detection circuit 14, the overcurrent detection circuit 15, the control unit 20, and the like.

そして、3相ブリッジ回路12において、FETQ4のソース端子と負電極端子B(−)との間に挿入された抵抗Rp1は、FETQ4のソース端子と負電極端子B(−)とを結ぶプリント配線基板上の配線パターンが有する抵抗成分(配線パターン抵抗Rp1)を示している。また、FETQ5のソースと負電極端子B(−)との間に挿入された抵抗Rp2は、FETQ5のソースと負電極端子B(−)とを結ぶプリント配線基板上の配線パターンが有する抵抗成分(配線パターン抵抗Rp2)を示している。また、FETQ6のソースと負電極端子B(−)との間に挿入された抵抗Rp3は、FETQ6のソースと負電極端子B(−)とを結ぶプリント配線基板上の配線パターンが有する抵抗成分(配線パターン抵抗Rp3)を示している。   In the three-phase bridge circuit 12, the resistor Rp1 inserted between the source terminal of the FET Q4 and the negative electrode terminal B (−) is a printed wiring board that connects the source terminal of the FET Q4 and the negative electrode terminal B (−). The resistance component (wiring pattern resistance Rp1) of the upper wiring pattern is shown. The resistor Rp2 inserted between the source of the FET Q5 and the negative electrode terminal B (−) is a resistance component (which is included in the wiring pattern on the printed circuit board connecting the source of the FET Q5 and the negative electrode terminal B (−) ( Wiring pattern resistance Rp2) is shown. The resistor Rp3 inserted between the source of the FET Q6 and the negative electrode terminal B (−) is a resistance component (which is included in the wiring pattern on the printed circuit board connecting the source of the FET Q6 and the negative electrode terminal B (−) ( Wiring pattern resistance Rp3) is shown.

なお、この配線パターン抵抗Rp1,Rp2,Rp3の抵抗値は、プリント配線基板上に実装されるFETQ1〜Q6の配置状況に応じて変化する。すなわち、配線パターン抵抗Rp1,Rp2,Rp3の抵抗値は、配線パターンの長さ(配線長)、幅、および厚みにより変化する。図2に示す例では、例えば、Rp1<Rp2<Rp3とする。すなわち、FETQ4のソース端子と負電極端子B(−)とを結ぶ配線パターンが最も短く、FETQ5のソース端子と負電極端子B(−)とを結ぶ配線パターンが次に長く、FETQ6のソース端子と負電極端子B(−)とを結ぶ配線パターンが最も長いものとする。   The resistance values of the wiring pattern resistors Rp1, Rp2, and Rp3 vary depending on the arrangement state of the FETs Q1 to Q6 mounted on the printed wiring board. That is, the resistance values of the wiring pattern resistors Rp1, Rp2, and Rp3 vary depending on the length (wiring length), width, and thickness of the wiring pattern. In the example shown in FIG. 2, for example, Rp1 <Rp2 <Rp3. That is, the wiring pattern connecting the source terminal of the FET Q4 and the negative electrode terminal B (-) is the shortest, the wiring pattern connecting the source terminal of the FET Q5 and the negative electrode terminal B (-) is next long, and the source terminal of the FET Q6 It is assumed that the wiring pattern connecting the negative electrode terminal B (−) is the longest.

そして、上アーム側のFETQ1のソース端子と、下アーム側のFETQ4のドレイン端子とが接続され、このFETQ1とQ4の接続点が、出力配線Luを介して3相交流モータ10のU相コイル端子に接続されている。また、上アーム側のFETQ2のソース端子と、下アーム側のFETQ5のドレイン端子とが接続され、このFETQ2とQ5の接続点が、出力配線Lvを介して3相交流モータ10のV相コイル端子に接続されている。   The source terminal of the FET Q1 on the upper arm side and the drain terminal of the FET Q4 on the lower arm side are connected, and the connection point between the FETs Q1 and Q4 is connected to the U-phase coil terminal of the three-phase AC motor 10 via the output wiring Lu. It is connected to the. The source terminal of the FET Q2 on the upper arm side and the drain terminal of the FET Q5 on the lower arm side are connected, and the connection point between the FETs Q2 and Q5 is the V-phase coil terminal of the three-phase AC motor 10 via the output wiring Lv. It is connected to the.

また、上アーム側のFETQ3のソース端子と、下アーム側のFETQ6のドレイン端子とが接続され、このFETQ3とQ6の接続点が、出力配線Lwを介して3相交流モータ10のW相コイル端子に接続されている。なお、FETQ1〜Q6のそれぞれには、フライホイールダイオードDxが、図に示すようにカソードが(+)電極方向に、アノードが(−)電極方向となるように並列に接続されている。   The source terminal of the FET Q3 on the upper arm side and the drain terminal of the FET Q6 on the lower arm side are connected, and the connection point between the FETs Q3 and Q6 is connected to the W-phase coil terminal of the three-phase AC motor 10 via the output wiring Lw. It is connected to the. Each of the FETs Q1 to Q6 has a flywheel diode Dx connected in parallel so that the cathode is in the (+) electrode direction and the anode is in the (-) electrode direction as shown in the figure.

また、モータ制御装置11は、上アーム側のスイッチング素子(FET)Q1、Q2、Q3および下アーム側のスイッチング素子(FET)Q4、Q5、Q6をオン/オフ駆動するゲート信号を生成するゲート駆動回路(ドライバー回路)13を有している。上記のFETQ1〜Q6は、ゲート駆動回路13から出力されるゲート駆動信号により駆動され、このゲート駆動信号は、制御部(CPU等で構成される制御部)20から出力されるFET駆動信号を基にして生成される。   Further, the motor control device 11 generates a gate signal for generating a gate signal for driving on / off of the switching elements (FETs) Q1, Q2, Q3 on the upper arm side and the switching elements (FETs) Q4, Q5, Q6 on the lower arm side. A circuit (driver circuit) 13 is included. The FETs Q1 to Q6 are driven by the gate drive signal output from the gate drive circuit 13, and the gate drive signal is based on the FET drive signal output from the control unit (control unit configured by a CPU or the like) 20. Is generated.

制御部20は、FET駆動信号生成部21と、通電制御部22と、同期信号生成部23と、過電流保護部(過電流保護回路)24と、を有して構成される。通電制御部22は、3相交流モータ10を駆動するための通電信号を生成するための処理部である。この通電制御部22では、例えば、3相交流モータ10が低速で回転する場合において、180度の全通電期間中、120度の期間だけコイルに通電するようにして3相交流モータ10を駆動制御する。また、例えば、3相交流モータ10の高速回転時において、180°通電により、3相交流モータ10を駆動制御する。   The control unit 20 includes an FET drive signal generation unit 21, an energization control unit 22, a synchronization signal generation unit 23, and an overcurrent protection unit (overcurrent protection circuit) 24. The energization control unit 22 is a processing unit for generating an energization signal for driving the three-phase AC motor 10. In the energization control unit 22, for example, when the three-phase AC motor 10 rotates at a low speed, the three-phase AC motor 10 is drive-controlled so that the coil is energized only for a period of 120 degrees during the entire energization period of 180 degrees. To do. In addition, for example, when the three-phase AC motor 10 rotates at high speed, the three-phase AC motor 10 is driven and controlled by 180 ° energization.

FET駆動信号生成部21は、通電制御部22により生成された通電信号に基づき、FETの駆動信号を生成し、このFETの駆動信号をゲート駆動回路13に出力する。このゲート駆動回路13は、FETのゲート駆動信号を生成するためのドライバー回路であり、このゲート駆動回路13から出力されるゲート駆動信号により、上記のFETQ1〜Q6をオン/オフ駆動する。   The FET drive signal generation unit 21 generates an FET drive signal based on the energization signal generated by the energization control unit 22, and outputs the FET drive signal to the gate drive circuit 13. The gate drive circuit 13 is a driver circuit for generating a gate drive signal for the FET. The gate drive signal output from the gate drive circuit 13 drives the FETs Q1 to Q6 on / off.

また、同期信号生成部23は、後述するスイッチSW1,SW2,SW3をオン/オフ駆動する同期信号を生成する。また、過電流保護部24は、後述するコンパレータCP1、CP2、CP3、およびコンパレータCP4から過電流検出信号が入力されると、FET駆動信号生成部21を介してゲート駆動回路13を制御し、このゲート駆動回路13からFETQ1〜Q6を一括オフするゲート駆動信号を出力させる。   Further, the synchronization signal generator 23 generates a synchronization signal for driving on / off switches SW1, SW2, and SW3 described later. Further, when an overcurrent detection signal is input from comparators CP1, CP2, CP3, and comparator CP4, which will be described later, the overcurrent protection unit 24 controls the gate drive circuit 13 via the FET drive signal generation unit 21. The gate drive circuit 13 outputs a gate drive signal for turning off the FETs Q1 to Q6 at once.

(電流検出回路14についての説明)
上記構成において、本実施形態のモータ制御装置11では、FETQ4,Q5,Q6のドレイン・ソース間電圧(より正確にはドレイン・回路グランド間電圧)を検出することにより、FETQ4,Q5,Q6に流れる電流を検出する。このため、モータ制御装置11は、電流検出回路14を備えている。また、電流検出回路14により検出された電流信号を、所定の電流設定基準電圧と比較する過電流検出回路15を備えている。
(Description of the current detection circuit 14)
In the above configuration, the motor control device 11 of the present embodiment detects the drain-source voltage (more precisely, the drain-circuit ground voltage) of the FETs Q4, Q5, and Q6, thereby flowing to the FETs Q4, Q5, and Q6. Detect current. For this reason, the motor control device 11 includes a current detection circuit 14. In addition, an overcurrent detection circuit 15 that compares the current signal detected by the current detection circuit 14 with a predetermined current setting reference voltage is provided.

上記電流検出回路14においては、FETQ6のドレイン端子と回路グランドGとの間に、検出部抵抗R1とオフセット抵抗Ro1とでなる抵抗直列回路(抵抗分圧回路)を挿入する。すなわち、FETQ6のドレインに抵抗R1の一端を接続し、この抵抗R1の他端を抵抗Ro1の一端に接続し、抵抗Ro1の他端を回路グランドGに接続する。また、抵抗R1と抵抗Ro1の接続点(ノードN1)とグランドGとの間にスイッチSW1を接続する。   In the current detection circuit 14, a resistor series circuit (resistance voltage dividing circuit) including a detection unit resistor R 1 and an offset resistor Ro 1 is inserted between the drain terminal of the FET Q 6 and the circuit ground G. That is, one end of the resistor R1 is connected to the drain of the FET Q6, the other end of the resistor R1 is connected to one end of the resistor Ro1, and the other end of the resistor Ro1 is connected to the circuit ground G. Further, the switch SW1 is connected between the connection point (node N1) of the resistor R1 and the resistor Ro1 and the ground G.

また、FETQ5のドレイン端子とグランドGとの間に、検出部抵抗R2とオフセット抵抗Ro2とでなる抵抗直列回路(抵抗分圧回路)を挿入する。すなわち、FETQ5のドレイン端子に抵抗R2の一端を接続し、この抵抗R2の他端を抵抗Ro2の一端に接続し、抵抗Ro2の他端をグランドGに接続する。また、抵抗R2と抵抗Ro2の接続点(ノードN2)とグランドGとの間にスイッチSW2を接続する。   Further, a resistor series circuit (resistor voltage dividing circuit) composed of the detector resistor R2 and the offset resistor Ro2 is inserted between the drain terminal of the FET Q5 and the ground G. That is, one end of the resistor R2 is connected to the drain terminal of the FET Q5, the other end of the resistor R2 is connected to one end of the resistor Ro2, and the other end of the resistor Ro2 is connected to the ground G. Further, the switch SW2 is connected between the connection point (node N2) of the resistor R2 and the resistor Ro2 and the ground G.

同様にして、FETQ4のドレイン端子と回路グランドGとの間に、検出部抵抗R3とオフセット抵抗Ro3とでなる抵抗直列回路(抵抗分圧回路)を挿入する。すなわち、FETQ4のドレイン端子に抵抗R3の一端を接続し、この抵抗R3の他端を抵抗Ro3の一端に接続し、抵抗Ro3の他端を回路グランドGに接続する。また、抵抗R3と抵抗Ro3の接続点(ノードN3)と回路グランドGとの間にスイッチSW3を接続する。   Similarly, a resistor series circuit (resistor voltage dividing circuit) composed of the detector resistor R3 and the offset resistor Ro3 is inserted between the drain terminal of the FET Q4 and the circuit ground G. That is, one end of the resistor R3 is connected to the drain terminal of the FET Q4, the other end of the resistor R3 is connected to one end of the resistor Ro3, and the other end of the resistor Ro3 is connected to the circuit ground G. Further, the switch SW3 is connected between the connection point (node N3) of the resistor R3 and the resistor Ro3 and the circuit ground G.

上記構成において、スイッチSW1は、FETQ6がオフの場合はオンになり、FETQ6がオンになるタイミングでオフになる。すなわち、FETQ6がオンになり、モータ10のW相電流IwがFETQ6に流れる状態において、スイッチSW1をオフにする。これにより、FETQ6がオンになるタイミングで、FETQ6のドレインに発生する電圧(W相電流に比例する電圧)を抵抗R1とRo1とにより分圧し、ノードN1の電圧としてコンパレータCP1の一方の端子に入力することができる。   In the above configuration, the switch SW1 is turned on when the FET Q6 is turned off, and turned off at the timing when the FET Q6 is turned on. That is, the switch SW1 is turned off while the FET Q6 is turned on and the W-phase current Iw of the motor 10 flows to the FET Q6. As a result, the voltage generated at the drain of the FET Q6 (voltage proportional to the W-phase current) is divided by the resistors R1 and Ro1 at the timing when the FET Q6 is turned on, and input to one terminal of the comparator CP1 as the voltage of the node N1. can do.

また、スイッチSW2は、FETQ5がオフの場合はオンになり、FETQ5がオンになるタイミングでオフになる。すなわち、FETQ5がオンになり、モータ10のV相電流IvがFETQ5に流れる状態において、スイッチSW2をオフにする。これにより、FETQ5がオンになるタイミングで、FETQ5のドレインに発生する電圧(V相電流Ivに比例する電圧)を抵抗R2とRo2とにより分圧し、ノードN2の電圧としてコンパレータCP2の一方の端子に入力することができる。   The switch SW2 is turned on when the FET Q5 is turned off, and turned off at the timing when the FET Q5 is turned on. That is, the switch SW2 is turned off while the FET Q5 is turned on and the V-phase current Iv of the motor 10 flows to the FET Q5. As a result, the voltage generated at the drain of the FET Q5 (voltage proportional to the V-phase current Iv) is divided by the resistors R2 and Ro2 at the timing when the FET Q5 is turned on, and is divided into one terminal of the comparator CP2 as the voltage of the node N2. Can be entered.

同様にして、スイッチSW3は、FETQ4がオフの場合はオンになり、FETQ4がオンになるタイミングでオフになる。すなわち、FETQ4がオンになり、モータ10のU相電流IuがFETQ4に流れる状態において、スイッチSW3をオフにする。これにより、FETQ4がオンになるタイミングで、FETQ4のドレインに発生する電圧(U相電流Iuに比例する電圧)を抵抗R3とRo3とにより分圧し、ノードN3の電圧としてコンパレータCP3の一方の端子に入力することができる。   Similarly, the switch SW3 is turned on when the FET Q4 is turned off, and turned off at the timing when the FET Q4 is turned on. That is, in the state where the FET Q4 is turned on and the U-phase current Iu of the motor 10 flows through the FET Q4, the switch SW3 is turned off. As a result, the voltage generated at the drain of the FET Q4 (voltage proportional to the U-phase current Iu) is divided by the resistors R3 and Ro3 at the timing when the FET Q4 is turned on, and the voltage of the node N3 is applied to one terminal of the comparator CP3. Can be entered.

(配線パターン抵抗により発生するオフセットについての説明)
ところで、FETQ4,Q5,Q6は、同じ仕様(定格電流、耐圧、構造等が同じ仕様)のFET素子であり、そのオン抵抗Ronは同じ値(例えば、4mΩ)とみなすことができる。そして、そのドレイン・ソース間電圧VDSは、図6に示すように、流れるドレイン電流Iに比例する。このため、FETQ4,Q5,Q6に流れる電流を検出するには、それぞれのドレイン・ソース間電圧VDSを検出すればよいことになる。
(Explanation about offset generated by wiring pattern resistance)
By the way, the FETs Q4, Q5, and Q6 are FET elements having the same specifications (specifications with the same rated current, breakdown voltage, structure, etc.), and the on-resistance Ron can be regarded as the same value (for example, 4 mΩ). The drain-source voltage V DS is proportional to the flowing drain current ID as shown in FIG. For this reason, in order to detect the current flowing through the FETs Q4, Q5, and Q6, it is only necessary to detect the respective drain-source voltages VDS .

しかしながら、前述したように、FETQ4,Q5,Q6のそれぞれのソース端子と負電極端子B(−)との間には、配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)が介在する。従って、FETQ4,Q5,Q6に流れる電流を測定するために、それぞれのFETQ4,Q5,Q6のドレイン端子と回路グランドGとの間の電圧VDGを測定する場合は、配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)に起因するオフセット分が含まれることになる。 However, as described above, the wiring pattern resistances (Rp1, Rp2, Rp3) are interposed between the source terminals of the FETs Q4, Q5, Q6 and the negative electrode terminal B (−). Therefore, when measuring the voltage V DG between the drain terminals of the FETs Q4, Q5, and Q6 and the circuit ground G in order to measure the current flowing through the FETs Q4, Q5, and Q6, the wiring pattern resistors (Rp1, Rp2) are measured. , Rp3) is included in the offset.

例えば、FETQ6がオンの状態においてモータ電流Iwが流れると、FETQ6のドレイン端子と回路グランドGとの間に発生する電圧VDG6は、以下の式になる。 For example, when the motor current Iw flows while the FET Q6 is on, the voltage V DG 6 generated between the drain terminal of the FET Q6 and the circuit ground G is as follows.

DG6=Iw×Ron+Iw×Rp3 V DG 6 = Iw × Ron + Iw × Rp3

また、FETQ5がオンの状態においてモータ電流Ivが流れると、FETQ5のドレイン端子と回路グランドGとの間に発生する電圧VDG5は、以下の式になる。 When the motor current Iv flows when the FET Q5 is on, the voltage V DG 5 generated between the drain terminal of the FET Q5 and the circuit ground G is as follows.

DG5=Iv×Ron+Iv×Rp2 V DG 5 = Iv × Ron + Iv × Rp2

また、FETQ4がオンの状態においてモータ電流Iuが流れると、FETQ4のドレイン端子と回路グランドGとの間に発生する電圧VDG4は、以下の式になる。 When the motor current Iu flows when the FET Q4 is on, the voltage V DG 4 generated between the drain terminal of the FET Q4 and the circuit ground G is expressed by the following equation.

DG4=Iu×Ron+Iu×Rp1 V DG 4 = Iu × Ron + Iu × Rp1

このように、FETQ4,Q5,Q6のドレイン・回路グランド間電圧は、ドレイン・ソース間電圧VDSに、配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)による電圧降下がオフセット分として加わることになる。このため、FETQ4,Q5,Q6のドレイン・ソース間電圧を求めるには、上記オフセット分をキャンセルする必要がある。 Thus, FET Q4, Q5, Q6 drain-circuit ground voltage of the drain-source voltage V DS, the wiring pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) voltage drop due will be added as offset. Therefore, in order to obtain the drain-source voltages of the FETs Q4, Q5, Q6, it is necessary to cancel the offset.

そこで、本実施形態の電流検出回路14では、第1の実施形態で説明したように、配線パターンの抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)による電圧降下分を、抵抗分圧回路を構成するオフセット抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)により分圧してオフセットする。   Therefore, in the current detection circuit 14 of the present embodiment, as described in the first embodiment, the voltage drop due to the resistance (Rp1, Rp2, Rp3) of the wiring pattern is used as an offset resistance ( Offset by dividing by Ro1, Ro2, Ro3).

このために、FETQ4,Q5,Q6のオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)と、オフセット抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)と、検出部抵抗(R1,R2,R3)との関係を以下のように定める。   For this purpose, the on-resistance Ron of the FETs Q4, Q5, and Q6, the wiring pattern resistors (Rp1, Rp2, and Rp3), the offset resistors (Ro1, Ro2, and Ro3), and the detection unit resistors (R1, R2, and R3) The relationship is defined as follows.

すなわち、FETQ6については、FETQ6のオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗Rp3と、FETQ6に対応する検出部抵抗R1と、オフセット抵抗Ro1とにおいて、   That is, for the FET Q6, the on-resistance Ron of the FET Q6, the wiring pattern resistance Rp3, the detection unit resistance R1 corresponding to the FET Q6, and the offset resistance Ro1

FETQ6のオン抵抗Ron:配線パターン抵抗(Rp3)
=オフセット抵抗(Ro1):検出部抵抗(R1)
On-resistance Ron of FET Q6: wiring pattern resistance (Rp3)
= Offset resistance (Ro1): detection section resistance (R1)

となるように設定する。   Set to be.

また、FETQ5については、FETQ5のオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗Rp2と、FETQ5に対応する検出部抵抗R2と、オフセット抵抗Ro2とにおいて、   Further, regarding the FET Q5, in the ON resistance Ron of the FET Q5, the wiring pattern resistance Rp2, the detection unit resistance R2 corresponding to the FET Q5, and the offset resistance Ro2,

FETQ5のオン抵抗Ron:配線パターン抵抗(Rp2)
=オフセット抵抗(Ro2):検出部抵抗(R2)
On-resistance Ron of FET Q5: wiring pattern resistance (Rp2)
= Offset resistance (Ro2): detection section resistance (R2)

となるように設定する。   Set to be.

また、FETQ4については、FETQ4のオン抵抗Ronと、配線パターン抵抗Rp1と、FETQ4に対応する検出部抵抗R3と、オフセット抵抗Ro3とにおいて、   Further, regarding the FET Q4, in the on-resistance Ron of the FET Q4, the wiring pattern resistance Rp1, the detection unit resistance R3 corresponding to the FET Q4, and the offset resistance Ro3,

FETQ4のオン抵抗Ron:配線パターン抵抗(Rp1)
=オフセット抵抗(Ro3):検出部抵抗(R3)
On-resistance Ron of FET Q4: wiring pattern resistance (Rp1)
= Offset resistance (Ro3): detection section resistance (R3)

となるように設定する。   Set to be.

ただし、上記設定において、「オン抵抗Ron,パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)≪オフセット抵抗(Ro1,Ro2,R03),検出部抵抗(R1,R2,R3)」となるように設定する。すなわち、オフセット抵抗(Ro1,Ro2,R03)および検出部抵抗(R1,R2,R3)の抵抗値が、オン抵抗Ronおよびパターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)の抵抗値よりも十分大きな値となるように設定する。   However, in the above setting, “ON resistance Ron, pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) << offset resistance (Ro1, Ro2, R03), detection unit resistance (R1, R2, R3)” is set. That is, the resistance values of the offset resistors (Ro1, Ro2, R03) and the detection unit resistors (R1, R2, R3) are sufficiently larger than the resistance values of the on-resistance Ron and the pattern resistors (Rp1, Rp2, Rp3). Set as follows.

次に、具体的な例について説明する。図3は、配線パターン抵抗Rp3により発生する電圧降下(オフセット)をキャンセルする具体例について説明するための図である。この図3に示すように、モータ電流(W相電流Iw)を100Aとし、FETQ4,Q5,Q6のオン抵抗Ronを4mΩ(Ron=4mΩ)とし、FETQ6の配線パターン抵抗Rp3を1mΩ(Rp3=1mΩ)とし、検出部抵抗R1を10kΩ(R1=10kΩ)とする。   Next, a specific example will be described. FIG. 3 is a diagram for explaining a specific example of canceling the voltage drop (offset) generated by the wiring pattern resistor Rp3. As shown in FIG. 3, the motor current (W-phase current Iw) is 100 A, the on-resistance Ron of the FETs Q4, Q5, and Q6 is 4 mΩ (Ron = 4 mΩ), and the wiring pattern resistance Rp3 of the FET Q6 is 1 mΩ (Rp3 = 1 mΩ). ) And the detection unit resistance R1 is 10 kΩ (R1 = 10 kΩ).

そして、オフセット抵抗Ro1なしとした場合(Ro1=∞)は、検出電圧(ノードN1の電圧)は、0.50V「=100A×5mΩ」となり、本来のドレイン・ソース間電圧VDS「0.40V(=100A×4mΩ)」に対して、検出誤差は+25%となる。 When the offset resistor Ro1 is not provided (Ro1 = ∞), the detection voltage (the voltage at the node N1) is 0.50 V “= 100 A × 5 mΩ”, and the original drain-source voltage V DS “0.40 V”. (= 100 A × 4 mΩ) ”, the detection error is + 25%.

一方、オフセット抵抗Ro1を40kΩ(Ro1=40kΩ)とした場合は、検出電圧(ノードN1の電圧)は、0.50V×40kΩ/50kΩ=0.40Vとなり、本来のドレイン・ソース間電圧VDS「0.400V(=100A×4mΩ)」に対して、検出誤差はほぼ0%となる。 On the other hand, when the offset resistance Ro1 is 40 kΩ (Ro1 = 40 kΩ), the detection voltage (the voltage at the node N1) is 0.50 V × 40 kΩ / 50 kΩ = 0.40 V, and the original drain-source voltage V DS “ For “0.400 V (= 100 A × 4 mΩ)”, the detection error is almost 0%.

このように、ドレイン電流Iが流れ電圧降下を発生させる側の上下の抵抗の抵抗値の比(例えば、Ron/Rp3)に対して、抵抗分圧回路側の上下の抵抗の抵抗値の比(例えば、R1/Ro1)が逆比になるように設定する(Ron/Rp3=Ro1/R1)。すなわち、オフセット抵抗Ro1と検出部抵抗R1との抵抗値の比(Ro1/R1)を、FETQ6のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rp3との抵抗値の比(Ron/Rp3)に一致するように設定する。これにより、例えば、配線パターン抵抗Rp3により発生する電圧降下分(オフセット)をキャンセルして、FETQ6のドレイン・ソース間電圧VDSを検出することができる。 In this way, the ratio of the resistance values of the upper and lower resistors on the resistance voltage dividing circuit side to the ratio of the resistance values of the upper and lower resistors on the side where the drain current ID flows and causes a voltage drop (for example, Ron / Rp3). (For example, R1 / Ro1) is set to have an inverse ratio (Ron / Rp3 = Ro1 / R1). That is, the ratio (Ro1 / R1) of the resistance value between the offset resistor Ro1 and the detection unit resistor R1 is set to match the ratio (Ron / Rp3) of the on-resistance Ron of the FET Q6 and the wiring pattern resistance Rp3. To do. Thus, for example, by canceling the voltage drop caused by the wiring pattern resistor Rp3 (offset), it is possible to detect the drain-source voltage V DS of the FET Q6.

(過電流検出回路15の構成と過電流検出動作についての説明)
次に、過電流検出回路15の構成と動作について説明する。前述したように、電流検出回路14のノードN1は、コンパレータCP1の一方の入力端子(−)に接続され、また、コンパレータCP1の他方の入力端子(+)には、基準となる電流設定基準電圧VR1が入力される。このため、FETQ6の電流信号(ノードN1の電圧)が,電流設定基準電圧VR1より低い場合(過電流状態でない場合)は、コンパレータCP1の出力は、例えば、H状態となり、FETQ6の電流信号(ノードN1の電圧)が,電流設定基準電圧VR1よりも高くなる場合(過電流状態の場合)は、例えば、L状態になる。
(Description of the configuration of the overcurrent detection circuit 15 and the overcurrent detection operation)
Next, the configuration and operation of the overcurrent detection circuit 15 will be described. As described above, the node N1 of the current detection circuit 14 is connected to one input terminal (−) of the comparator CP1, and the other input terminal (+) of the comparator CP1 has a reference current setting reference voltage. VR1 is input. For this reason, when the current signal of the FET Q6 (the voltage at the node N1) is lower than the current setting reference voltage VR1 (when it is not in the overcurrent state), the output of the comparator CP1 is in the H state, for example, and the current signal of the FET Q6 (the node When the voltage N1 is higher than the current setting reference voltage VR1 (in the case of an overcurrent state), for example, the L state is set.

また、電流検出回路14のノードN2は、コンパレータCP2の一方の入力端子(−)に接続され、コンパレータCP2の他方の入力端子(+)には、基準となる電流設定基準電圧VR2が入力される。このため、FETQ5の電流信号(ノードN2の電圧)が、電流設定基準電圧VR2より低い場合(過電流状態でない場合)は、コンパレータCP2の出力は、例えば、H状態となり、FETQ6の電流信号(ノードN2の電圧)が、電流設定基準電圧VR2よりも高くなる場合(過電流状態の場合)は、例えば、L状態になる。   The node N2 of the current detection circuit 14 is connected to one input terminal (−) of the comparator CP2, and the reference current setting reference voltage VR2 is input to the other input terminal (+) of the comparator CP2. . For this reason, when the current signal of FET Q5 (the voltage at node N2) is lower than the current setting reference voltage VR2 (when it is not in an overcurrent state), the output of comparator CP2 is in the H state, for example, and the current signal of FET Q6 (node) When the voltage N2) is higher than the current setting reference voltage VR2 (in the case of an overcurrent state), for example, the L state is set.

同様にして、ノードN3は、コンパレータCP3の一方の入力端子(−)に接続され、コンパレータCP3の他方の入力端子(+)には、基準となる電流設定基準電圧VR3が入力される。このため、FETQ4の電流信号(ノードN3の電圧)が、電流設定基準電圧VR3より低い場合(過電流状態でない場合)は、コンパレータCP3の出力は、例えば、H状態となり、FETQ4の電流信号(ノードN3の電圧)が、電流設定基準電圧VR3よりも高くなる場合(過電流状態の場合)は、例えば、L状態になる。   Similarly, the node N3 is connected to one input terminal (−) of the comparator CP3, and the current setting reference voltage VR3 serving as a reference is input to the other input terminal (+) of the comparator CP3. For this reason, when the current signal of the FET Q4 (voltage of the node N3) is lower than the current setting reference voltage VR3 (when it is not in an overcurrent state), the output of the comparator CP3 is in the H state, for example, and the current signal of the FET Q4 (node) When the voltage N3 is higher than the current setting reference voltage VR3 (in the case of an overcurrent state), for example, the L state is set.

また、電流検出回路14のノードN1は、アンプ(増幅器)AM11の一方の入力端子(+)に接続され、アンプAM11の他方の入力端子(−)には、アンプAM11の出力端子が接続される。これにより、アンプAM11はボルテージホロワ回路を構成する。このボルテージホロワ回路は、高入力インピーダンスかつ低出力ンピーダンスのバッファ回路として機能し、ノードN1から入力される電圧信号をバッファしてそのまま出力端子に出力する。   The node N1 of the current detection circuit 14 is connected to one input terminal (+) of the amplifier (amplifier) AM11, and the output terminal of the amplifier AM11 is connected to the other input terminal (−) of the amplifier AM11. . Thus, the amplifier AM11 constitutes a voltage follower circuit. This voltage follower circuit functions as a buffer circuit having a high input impedance and a low output impedance, and buffers the voltage signal input from the node N1 and outputs it as it is to the output terminal.

また、電流検出回路14のノードN2は、アンプ(増幅器)AM12の一方の入力端子(+)に接続され、アンプAM12の他方の入力端子(−)には、アンプAM12の出力端子が接続される。これにより、アンプAM12はボルテージホロワ回路を構成する。このボルテージホロワ回路は、高入力インピーダンスかつ低出力ンピーダンスのバッファ回路として機能し、ノードN2から入力される電圧信号をバッファしてそのまま出力端子に出力する。   The node N2 of the current detection circuit 14 is connected to one input terminal (+) of the amplifier (amplifier) AM12, and the output terminal of the amplifier AM12 is connected to the other input terminal (−) of the amplifier AM12. . As a result, the amplifier AM12 constitutes a voltage follower circuit. This voltage follower circuit functions as a buffer circuit having a high input impedance and a low output impedance, and buffers the voltage signal input from the node N2 and directly outputs it to the output terminal.

同様にして、電流検出回路14のノードN3は、アンプ(増幅器)AM13の一方の入力端子(+)に接続され、アンプAM13の他方の入力端子(−)には、アンプAM13の出力端子が接続される。これにより、アンプAM13はボルテージホロワ回路を構成する。このボルテージホロワ回路は、高入力インピーダンスかつ低出力ンピーダンスのバッファ回路として機能し、ノードN3から入力される電圧信号をバッファしてそのまま出力端子に出力する。   Similarly, the node N3 of the current detection circuit 14 is connected to one input terminal (+) of the amplifier (amplifier) AM13, and the output terminal of the amplifier AM13 is connected to the other input terminal (−) of the amplifier AM13. Is done. Thus, the amplifier AM13 constitutes a voltage follower circuit. This voltage follower circuit functions as a buffer circuit having a high input impedance and a low output impedance, and buffers the voltage signal input from the node N3 and outputs it as it is to the output terminal.

そして、アンプAM11の出力端子は抵抗R11を介してノードN4に接続され、アンプAM12の出力端子は抵抗R12を介してノードN4に接続され、アンプAM13の出力端子は抵抗R13を介してノードN4に接続される。これにより、アンプAM11と、アンプAM12と、アンプAM13の出力信号は、ノードN4においてワイヤードオアされる。このため、アンプAM11の出力信号と、アンプAM12の出力信号と、アンプAM13の出力信号のうちで最も信号レベルの高い信号(最も電圧レベルの高い信号)が
選択されてノードN4に現れる。
The output terminal of the amplifier AM11 is connected to the node N4 via the resistor R11, the output terminal of the amplifier AM12 is connected to the node N4 via the resistor R12, and the output terminal of the amplifier AM13 is connected to the node N4 via the resistor R13. Connected. As a result, the output signals of the amplifier AM11, the amplifier AM12, and the amplifier AM13 are wired-ORed at the node N4. Therefore, the signal with the highest signal level (the signal with the highest voltage level) among the output signal of the amplifier AM11, the output signal of the amplifier AM12, and the output signal of the amplifier AM13 is selected and appears at the node N4.

このノードN4は、コンパレータCP4の一方の入力端子(−)に接続され、コンパレータCP4の他方の入力端子(+)には、基準となる電流設定基準電圧VR4が入力されている。このため、ノードN4の電圧が、電流設定基準電圧VR4より低い場合(過電流状態でない場合)は、コンパレータCP4の出力が、例えば、H状態となる。また、ノードN4の電圧が、電流設定基準電圧VR4よりも高くなる場合(過電流状態の場合)は、コンパレータCP4の出力が、例えば、L状態になる。   The node N4 is connected to one input terminal (−) of the comparator CP4, and the current setting reference voltage VR4 serving as a reference is input to the other input terminal (+) of the comparator CP4. For this reason, when the voltage of the node N4 is lower than the current setting reference voltage VR4 (when not in an overcurrent state), the output of the comparator CP4 is in the H state, for example. Further, when the voltage of the node N4 becomes higher than the current setting reference voltage VR4 (in the case of an overcurrent state), the output of the comparator CP4 is in the L state, for example.

従って、このアンプAM11,AM12,AM13とコンパレータCP4で構成される回路の系統では、ノードN1、ノードN2、ノードN3のいずれかの電圧が電流設定基準電圧VR4よりも高くなると(FETQ4,Q5,Q6のいずれかが過電流状態になると)、コンパレータCP4の出力が、例えば、L状態となる。   Therefore, in the circuit system constituted by the amplifiers AM11, AM12, AM13 and the comparator CP4, when any one of the node N1, the node N2, and the node N3 becomes higher than the current setting reference voltage VR4 (FETs Q4, Q5, Q6). When any of the above becomes an overcurrent state), the output of the comparator CP4 becomes, for example, an L state.

このように、コンパレータCP1,CP2,CP3は、コンパレータCP1がFETQ6の過電流状態を検出し、コンパレータCP2がFETQ5の過電流状態を検出し、コンパレータCP3がFETQ4の過電流状態を検出するなど、個々のFETQ4,Q5,Q6の過電流状態を検出する。これに対して、アンプAM11,AM12,AM13とコンパレータCP4で構成される回路の系統では、FETQ4,Q5,Q6の過電流状態を一括して検出するものである。すなわち、アンプAMAM11,AM12,AM13とコンパレータCP4で構成される回路の系統は、コンパレータCP1,CP2,CP3を用いた過電流検出系統に対して、これを補完する予備の過電流検出系統として機能するものである。   As described above, the comparators CP1, CP2, and CP3 are configured such that the comparator CP1 detects the overcurrent state of the FETQ6, the comparator CP2 detects the overcurrent state of the FETQ5, the comparator CP3 detects the overcurrent state of the FETQ4, etc. The overcurrent state of the FETs Q4, Q5 and Q6 is detected. On the other hand, in the circuit system composed of the amplifiers AM11, AM12, AM13 and the comparator CP4, the overcurrent states of the FETs Q4, Q5, Q6 are collectively detected. In other words, the circuit system composed of the amplifiers AMAM11, AM12, AM13 and the comparator CP4 functions as a spare overcurrent detection system that complements the overcurrent detection system using the comparators CP1, CP2, CP3. Is.

そして、コンパレータCP1,CP2,CP3、およびCP4の出力端子は信号線OCLに共通に接続されてワーヤードOR(オア)回路を構成している。このため、コンパレータCP1,CP2,CP3、およびCP4のいずれかの出力が、例えば、L状態になると、信号線OCLがL状態となり、このL状態の信号が過電流検出信号として制御部20に出力される。制御部20内の過電流保護部(過電流保護回路)24は、コンパレータCP1、CP2、CP3、およびコンパレータCP4から過電流検出信号(L状態の信号)が入力されると、FET駆動信号生成部21を介してゲート駆動回路13を制御し、このゲート駆動回路13からFETQ1〜Q6を一括オフするゲート駆動信号を出力させる。これにより、下アーム側のFETQ4,Q5,Q6のいずれかに過電流が流れる場合に、FETQ1〜Q6を一括オフし、FETQ1〜Q6を保護することができる。   The output terminals of the comparators CP1, CP2, CP3, and CP4 are commonly connected to the signal line OCL to form a yard OR circuit. For this reason, when the output of any of the comparators CP1, CP2, CP3, and CP4 is in the L state, for example, the signal line OCL is in the L state, and this L state signal is output to the control unit 20 as an overcurrent detection signal. Is done. The overcurrent protection unit (overcurrent protection circuit) 24 in the control unit 20 receives an overcurrent detection signal (L-state signal) from the comparators CP1, CP2, CP3, and the comparator CP4, and thereby generates an FET drive signal generation unit. The gate drive circuit 13 is controlled via 21 and a gate drive signal for turning off the FETs Q1 to Q6 at a time is output from the gate drive circuit 13. As a result, when an overcurrent flows through any of the lower arm side FETs Q4, Q5, and Q6, the FETs Q1 to Q6 can be turned off collectively to protect the FETs Q1 to Q6.

また、図4は、FETに流れる電流(ドレイン・ソース間電圧VDS)の検出タイミングを示す図である。この図4では、横方向に時間tの経過を示し、縦方向に、FETQnのドレイン・ソース間電圧VDSと、スイッチSWnのオン/オフ状態と、コンパレータCPnの入力電圧と、を並べて示したものである。
なお、この図4において、時刻t1は、FETQnがターンオンを開始する時刻を示し、時刻t1〜時刻t2までの期間ΔT1は、FETQnのタンーオン時間に応じて設けられる不感帯(電流検出を行わない期間)であり、時刻t3は、FETQnがターンオフを開始する時刻を示し、時刻t4はFETQnがターンオフを完了した時刻を示している。また、時刻t3から時刻t4までの期間ΔT2も、前述のΔT1と同様に、電流検出を行わない不感帯の期間である。
FIG. 4 is a diagram showing the detection timing of the current (drain-source voltage V DS ) flowing through the FET. In FIG. 4, represents the elapsed time t in the transverse direction, the vertical direction, and the drain-source voltage V DS of Qn, shown side by side and turned on / off SWn switch, the input voltage of the comparator CPn, the Is.
In FIG. 4, time t1 indicates the time when the FET Qn starts to turn on, and a period ΔT1 from time t1 to time t2 is a dead zone (a period in which current detection is not performed) provided according to the turn-on time of the FET Qn. The time t3 indicates the time when the FET Qn starts to turn off, and the time t4 indicates the time when the FET Qn completes the turn-off. Further, the period ΔT2 from the time t3 to the time t4 is also a dead band period in which current detection is not performed, similar to the above-described ΔT1.

図4に示すように、時刻t1以前のFETQn(例えば、FETQ6)がオフ(OFF)の状態においては、スイッチSWn(例えば、スイッチSW1)をオン(ON)状態にする。これにより、時刻t1以前には、コンパレータCpn(例えば、コンパレータCp1)に、FETQnの電流検出信号(例えば、ノードN1の電圧)が入力されないようにする。すなわち、コンパレータCpnの入力電圧を閾値(過電流設定基準電圧)以下にすることにより、コンパレータCpnにおいて過電流検出を行わないようにする。   As shown in FIG. 4, when the FET Qn (eg, FET Q6) before time t1 is in an off state (OFF), the switch SWn (eg, switch SW1) is turned on. Thereby, before the time t1, the current detection signal (for example, the voltage of the node N1) of the FET Qn is not input to the comparator Cpn (for example, the comparator Cp1). That is, by making the input voltage of the comparator Cpn equal to or less than a threshold value (overcurrent setting reference voltage), the comparator Cpn does not detect overcurrent.

そして、時刻t1において、下アーム側のFETQn(例えば、W相のFETQ6)がターンオンを開始する。この時刻t1においてFETQnがターンオンを開始した後の時刻t2までの間は、スイッチSWn(例えば、スイッチSW1)のオン状態をそのまま保持し、時刻t2において、スイッチSWnをオフにする。
このようにスイッチSWnをオフにする際には、時刻t1よりΔT1だけ遅らせたタイミングの時刻t2で、スイッチSWnをオフにする。このように不感帯の期間ΔT1を設けることにより、FETQnがオンした後、FETQnに流れる電流が0から定常電流値まで立ち上がる過渡的な状態おいて発生する電流(例えば、過渡状態で発生する尖塔的なピーク電流等)を過電流として誤検出することを回避する。
At time t1, the lower arm side FET Qn (for example, W-phase FET Q6) starts to turn on. The switch SWn (for example, switch SW1) remains on until the time t2 after the FET Qn starts to turn on at the time t1, and the switch SWn is turned off at the time t2.
In this way, when the switch SWn is turned off, the switch SWn is turned off at time t2, which is delayed by ΔT1 from time t1. By providing the dead zone period ΔT1 in this way, after the FET Qn is turned on, the current that flows in the FET Qn rises from 0 to a steady current value (for example, a spire like that generated in the transient state). Avoiding false detection of peak current, etc.) as overcurrent.

そして、時刻t2において、このスイッチSWnがオフになることにより、FETQnの電流検出信号(例えば、ノードN1の電圧)が、コンパレータCpn(例えば、コンパレータCP1)に入力され、FETQnに流れる電流の検出(過電流検出)が可能になる。これにより、FETQnに流れる電流が安定した時点で、コンパレータCpnは、FETQnに流れる電流(過電流)を検出することができる。   At time t2, the switch SWn is turned off, whereby the current detection signal of the FET Qn (for example, the voltage at the node N1) is input to the comparator Cpn (for example, the comparator CP1), and the current flowing through the FET Qn is detected ( Overcurrent detection) becomes possible. Thereby, when the current flowing through the FET Qn becomes stable, the comparator Cpn can detect the current (overcurrent) flowing through the FET Qn.

そして、時刻t2において電流検出を開始した後、FETQnがターンオフを開始するタイミング(または、このターンオフを開始する直前のタイミング)である時刻t3(ターンオフ時刻t4よりも期間ΔT2だけ前の時刻t3)において、スイッチSWnをオンにする。このスイッチSWnがオンになることにより、時刻t3以降、コンパレータCpnに、FETQnの電流検出信号が入力されないようにする。すなわち、コンパレータCpnの入力電圧を閾値(過電流設定基準電圧)以下にし、コンパレータCpnにおいて過電流検出を行わないようにする。
このように期間ΔT2を設けることにより、FETQnがターンオフを開始した後、FETQnに流れる電流が定常電流から0に立ちさがるまでの過渡的な状態において流れる電流(例えば、過渡状態で発生する尖塔的なピーク電流等)を過電流として誤検出することを回避する。
Then, at the time t3 (time t3 before the turn-off time t4 by the period ΔT2), which is the timing at which the FET Qn starts to turn off (or the timing just before starting the turn-off) after starting the current detection at the time t2. The switch SWn is turned on. When the switch SWn is turned on, the current detection signal of the FET Qn is not input to the comparator Cpn after the time t3. That is, the input voltage of the comparator Cpn is set to a threshold value (overcurrent setting reference voltage) or less so that the comparator Cpn does not detect overcurrent.
By providing the period ΔT2 in this way, after the FET Qn starts to turn off, the current flowing in the FET Qn in a transitional state from the steady current to zero (for example, a spire like that generated in the transient state) Avoiding false detection of peak current, etc.) as overcurrent.

この図4のタイミングチャートに示すように、FETQnのオン期間中(時刻t1〜t4)において、不感帯(ΔT1およびΔT2)を設けて電流を検出することにより、FETQnに流れる電流が安定した時点で、このFETQnに流れる電流(過電流)を検出することができる。   As shown in the timing chart of FIG. 4, when the current flowing through the FET Qn is stabilized by detecting the current by providing dead zones (ΔT1 and ΔT2) during the ON period of the FET Qn (time t1 to t4), The current (overcurrent) flowing through the FET Qn can be detected.

以上、本発明の実施形態について説明したが、ここで、本発明と上記実施形態における対応関係について補足して説明する。
すなわち、上記実施形態において、本発明における電流検出回路は、図1に示す電流検出回路1、および図2に示す電流検出回路14が対応し、本発明におけるモータ制御装置は、図2に示すモータ制御装置11が対応する。また、本発明における制御回路は、図2に示す制御部20、電流検出回路14、過電流検出回路15等が対応する。また、本発明における3相ブリッジ回路は、3相ブリッジ回路12が対応し、本発明におけるスイッチ素子は、図1に示すFET(Qo)および図2に示すFET(Q1〜Q6)が対応する。また、本発明におけるスイッチ素子のオン抵抗は、オン抵抗Ronが対応し、本発明における配線パターン抵抗は、図1に示す配線パターン抵抗Rpおよび図2に示す配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)が対応し、本発明における第1の抵抗は、図1に示す検出部抵抗Rdおよび図2に示す検出部抵抗(R1,R2,R3)が対応する。また、本発明における第2の抵抗は、図1に示すオフセット抵抗Roおよび図2に示すオフセット抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)が対応する。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the correspondence between the present invention and the above embodiment will be supplementarily described.
That is, in the above embodiment, the current detection circuit in the present invention corresponds to the current detection circuit 1 shown in FIG. 1 and the current detection circuit 14 shown in FIG. 2, and the motor control device in the present invention corresponds to the motor shown in FIG. The control device 11 corresponds. The control circuit in the present invention corresponds to the control unit 20, the current detection circuit 14, the overcurrent detection circuit 15 and the like shown in FIG. Also, the three-phase bridge circuit in the present invention corresponds to the three-phase bridge circuit 12, and the switch element in the present invention corresponds to the FET (Qo) shown in FIG. 1 and the FETs (Q1 to Q6) shown in FIG. Further, the on-resistance Ron corresponds to the on-resistance of the switch element in the present invention, and the wiring pattern resistance in the present invention is the wiring pattern resistance Rp shown in FIG. 1 and the wiring pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) shown in FIG. The first resistor in the present invention corresponds to the detector resistor Rd shown in FIG. 1 and the detector resistors (R1, R2, R3) shown in FIG. The second resistor in the present invention corresponds to the offset resistor Ro shown in FIG. 1 and the offset resistors (Ro1, Ro2, Ro3) shown in FIG.

また、本発明における過電流検出回路は、過電流検出回路15が対応し、本発明における過電流保護部は、制御部20内の過電流保護部24が対応する。また、本発明におけるスイッチは、スイッチSW1,SW2,SW3が対応する。また、本発明におけるスイッチ素子の一方の入出力端子は、図1に示すFET(Qo)のソース端子、または図2に示すFET(Q4,Q5,Q6)のソース端子が対応する。また、本発明におけるスイッチ素子の他方の入出力端子は、図1に示すFET(Qo)のドレイン端子、または図2に示すFET(Q4,Q5,Q6)のドレイン端子が対応する。   The overcurrent detection circuit in the present invention corresponds to the overcurrent detection circuit 15, and the overcurrent protection unit in the present invention corresponds to the overcurrent protection unit 24 in the control unit 20. Further, the switches SW1, SW2 and SW3 correspond to the switches in the present invention. Further, one input / output terminal of the switch element in the present invention corresponds to the source terminal of the FET (Qo) shown in FIG. 1 or the source terminal of the FETs (Q4, Q5, Q6) shown in FIG. Further, the other input / output terminal of the switch element in the present invention corresponds to the drain terminal of the FET (Qo) shown in FIG. 1 or the drain terminal of the FET (Q4, Q5, Q6) shown in FIG.

(1)そして、上記実施形態において、電流検出回路1は、図1に示すように、プリント配線基板上に実装されるFET(Qo)のソース端子Sが、このプリント配線基板上の配線パターンを介して当該プリント配線基板上に設けられた負電極端子B(−)に接続され、該負電極端子B(−)はFET(Qo)に電流を供給する直流電源の負極側に接続されるとともに、FET(Qo)を制御する制御回路の回路グランドGに接続される回路において、FET(Qo)の導通時における電圧降下を基に、該FET(Qo)に流れる電流を検出する電流検出回路は、FET(Qo)のドレイン端子Dと回路グランドGとの間に接続される第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとからなる抵抗直列回路を備え、上記抵抗直列回路においては、第1の抵抗Rdの一端がFET(Qo)のドレイン端子Dに接続され、他端が第2の抵抗Roの一端に接続され、第2の抵抗Roの他端が回路グランドGに接続され、第2の抵抗Roと第1の抵抗Rdとの抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、FETの導通時のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpとの抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとの接続点(ノードN1)の電圧であって回路グランドGに対する電圧VRoをFET(Qo)に流れる電流の検出信号として出力する。   (1) In the above embodiment, as shown in FIG. 1, the current detection circuit 1 is configured such that the source terminal S of the FET (Qo) mounted on the printed wiring board has a wiring pattern on the printed wiring board. And connected to the negative electrode terminal B (-) provided on the printed wiring board, and the negative electrode terminal B (-) is connected to the negative electrode side of the DC power supply for supplying current to the FET (Qo). In the circuit connected to the circuit ground G of the control circuit for controlling the FET (Qo), the current detection circuit for detecting the current flowing through the FET (Qo) based on the voltage drop when the FET (Qo) is conducted is , A resistor series circuit including a first resistor Rd and a second resistor Ro connected between the drain terminal D of the FET (Qo) and the circuit ground G. In the resistor series circuit, Resistance One end of Rd is connected to the drain terminal D of the FET (Qo), the other end is connected to one end of the second resistor Ro, the other end of the second resistor Ro is connected to the circuit ground G, and the second resistor The ratio of the resistance value between Ro and the first resistance Rd (second resistance / first resistance) is the ratio of the resistance value between the on-resistance Ron and the wiring pattern resistance Rp when the FET is conducting (on-resistance / wiring). The voltage of the connection point (node N1) between the first resistor Rd and the second resistor Ro and the voltage VRo with respect to the circuit ground G flowing through the FET (Qo) Output as a detection signal.

このような構成1の電流検出回路では、図1に示すように、FET(Qo)のドレイン端子Dと回路グランドGとの間に接続される第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとで構成される抵抗直列回路を備える。そして、第2の抵抗Roと第1の抵抗Rdの抵抗値の比(Ro/Rd)が、FET(Qo)のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpの抵抗値の比(Ron/Rp)に一致するように設定される。そして、この第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roとの接続点(ノードN1)と回路グランドGとの間の電圧VRoを、FET(Qo)に流れる電流の検出信号として出力する。   In the current detection circuit having such a configuration 1, as shown in FIG. 1, the first resistor Rd and the second resistor Ro connected between the drain terminal D of the FET (Qo) and the circuit ground G are used. A resistor series circuit is provided. Then, the ratio (Ro / Rd) of the resistance value of the second resistor Ro and the first resistor Rd matches the ratio (Ron / Rp) of the on-resistance Ron of the FET (Qo) and the resistance value of the wiring pattern resistor Rp. Set to do. The voltage VRo between the connection point (node N1) between the first resistor Rd and the second resistor Ro and the circuit ground G is output as a detection signal of the current flowing through the FET (Qo).

これにより、プリント配線基板上に搭載されるFET(Qo)に流れる電流を、FET(Qo)のオン時のドレイン端子Dと回路グランドGとの間の電圧降下VDGを基に検出する際に、FET(Qo)の電流経路を形成する配線パターンの配線パターン抵抗Rpにより発生するオフセット分を容易にキャンセルして、FET(Qo)のドレイン・ソース間電圧VDSを検出することができる。このため、配線パターン抵抗Rpの影響をキャンセルして、FET(Qo)に流れる電流を検出することができる。 Thereby, when the current flowing through the FET (Qo) mounted on the printed circuit board is detected based on the voltage drop V DG between the drain terminal D and the circuit ground G when the FET (Qo) is on. , it is possible to easily cancel the offset generated by the wiring pattern resistance Rp of the wiring pattern forming a current path of FET (Qo), detecting the drain-source voltage V DS of the FET (Qo). For this reason, the influence of the wiring pattern resistance Rp can be canceled and the current flowing through the FET (Qo) can be detected.

(2)また、上記実施形態において、電流検出回路1は、FET(Qo)のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗Rpの抵抗値に比べて、第1の抵抗Rdと第2の抵抗Roの抵抗値が、FET(Qo)に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定される。
これにより、フセット抵抗Roと検出部抵抗Rdとを通して流れる電流を少なくすることができ、FET(Qo)に流れる電流の検出誤差を少なくすることができる。
(2) In the embodiment described above, the current detection circuit 1 has the resistance values of the first resistor Rd and the second resistor Ro as compared with the resistance values of the on-resistance Ron of the FET (Qo) and the wiring pattern resistor Rp. Is set to a sufficiently large value so as to satisfy the tolerance required for detecting the current flowing through the FET (Qo).
As a result, the current flowing through the facet resistor Ro and the detection unit resistor Rd can be reduced, and the detection error of the current flowing through the FET (Qo) can be reduced.

(3)また、上記実施形態において、モータ制御装置11は、図2に示すように、プリント配線基板上に実装されるFETの3相ブリッジ回路とその制御回路からなるインバータを用いて、直流電源から入力される直流電圧から3相交流電圧を生成して3相交流モータの回転を制御するモータ制御装置11であって、直流電源から各FETQ1〜Q6に流れる電流の電流経路がプリント配線基板上の配線パターンにより形成され、かつ、下アーム側の各FETQ4,Q5,Q6と直流電源の負極側との間の電流経路となるそれぞれの配線パターンは、一端が、下アーム側の対応するFETQ4,Q5,Q6のソース端子Sに接続され、他端が、プリント配線基板上に設けられた負電極端子B(−)に接続され、該負電極端子B(−)は直流電源の負極側に接続されるとともに制御回路の回路グランドGに接続されて構成されるモータ制御装置において、下アーム側のFETQ4,Q5,Q6の導通時における電圧降下を基に、該FETに流れる電流を検出する電流検出回路14は、下アーム側の各FETQ4,Q5,Q6に対応して、FETQ4,Q5,Q6のドレイン端子Dと回路グランドGとの間に接続される第1の抵抗(R1,R2,R3)と第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)とからなるそれぞれの抵抗直列回路を備え、上記それぞれの抵抗直列回路においては、第1の抵抗(R1,R2,R3)の一端が対応するFETのドレイン端子に接続され、他端が第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)の一端に接続され、第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)の他端が回路グランドGに接続され、第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)と第1の抵抗(R1,R2,R3)との抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、対応するFETの導通時のオン抵抗(Ron)と配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、第1の抵抗(R1,R2,R3)と第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)との接続点の電圧であって回路グランドGに対する電圧を各FET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流の検出信号として出力する。   (3) Moreover, in the said embodiment, as shown in FIG. 2, the motor control apparatus 11 is a direct current power supply using the inverter which consists of the three-phase bridge circuit of FET mounted on a printed wiring board, and its control circuit. Is a motor control device 11 for controlling the rotation of a three-phase AC motor by generating a three-phase AC voltage from a DC voltage input from the DC voltage, and the current path of the current flowing from the DC power source to each FET Q1 to Q6 is on the printed wiring board Each of the wiring patterns that form a current path between each of the FETs Q4, Q5, Q6 on the lower arm side and the negative electrode side of the DC power supply is formed at one end of the corresponding FET Q4 on the lower arm side. Connected to the source terminals S of Q5 and Q6, the other end is connected to a negative electrode terminal B (-) provided on the printed wiring board, and the negative electrode terminal B (-) In the motor control device configured to be connected to the negative electrode side and connected to the circuit ground G of the control circuit, the current flowing through the FET based on the voltage drop when the lower arm FETs Q4, Q5, Q6 are conductive The current detection circuit 14 for detecting the first resistor (R1) connected between the drain terminals D of the FETs Q4, Q5, Q6 and the circuit ground G corresponding to the FETs Q4, Q5, Q6 on the lower arm side. , R2, R3) and a second resistor (Ro1, Ro2, Ro3), each of which is provided with one end of the first resistor (R1, R2, R3). Is connected to the drain terminal of the corresponding FET, the other end is connected to one end of the second resistor (Ro1, Ro2, Ro3), and the other end of the second resistor (Ro1, Ro2, Ro3) is turned. A resistance value ratio (second resistance / first resistance) between the second resistance (Ro1, Ro2, Ro3) and the first resistance (R1, R2, R3) is connected to the ground G. The first resistance (R1, Ron) is set to coincide with the ratio of the resistance values (ON resistance / wiring pattern resistance) between the ON resistance (Ron) and the wiring pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) when the FET is conducted. R2, R3) and the voltage at the connection point of the second resistor (Ro1, Ro2, Ro3) and the voltage with respect to the circuit ground G is output as a detection signal of the current flowing through each FET (Q4, Q5, Q6).

このような構成のモータ制御装置11では、図2に示すように、下アーム側のFET(Q4,Q5,Q6)の導通時における電圧降下を基に、該下アーム側のFET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流を検出する電流検出回路14を備える。そして、電流検出回路14は、下アーム側の各FET(Q4,Q5,Q6)に対応して、それぞれが第1の抵抗(R1,R2,R3)と第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)とからなる抵抗直列回路(抵抗分圧回路)を備える。この抵抗直列回路(抵抗分圧回路)においては、第1の抵抗(R1,R2,R3)の一端が対応するFET(Q4,Q5,Q6)のドレイン端子Dに接続され、他端が第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)の一端に接続され、第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)の他端が回路グランドGに接続される。そして、第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)と第1の抵抗(R1,R2,R3)との抵抗値の比(例えば、第2の抵抗Ro1/第1の抵抗R1)が、対応するFET(Q4,Q5,Q6)の導通時のオン抵抗Ronと配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)との抵抗値の比(例えば、オン抵抗Ron/配線パターン抵抗Rp3)に一致するように設定され、第1の抵抗(R1,R2,R3)と第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)との接続点(ノードN1,N2,N3)の電圧であって回路グランドGに対する電圧をFET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流の検出信号として出力する。   In the motor control device 11 having such a configuration, as shown in FIG. 2, the lower arm side FETs (Q4, Q5) are based on the voltage drop when the lower arm side FETs (Q4, Q5, Q6) are conducted. , Q6) is provided with a current detection circuit 14 for detecting the current flowing in the current. The current detection circuit 14 corresponds to each of the lower arm side FETs (Q4, Q5, Q6), and each of them has a first resistor (R1, R2, R3) and a second resistor (Ro1, Ro2, Ro3). A resistance series circuit (resistance voltage dividing circuit). In this resistor series circuit (resistor voltage dividing circuit), one end of the first resistor (R1, R2, R3) is connected to the drain terminal D of the corresponding FET (Q4, Q5, Q6), and the other end is the second. Are connected to one end of each of the resistors (Ro1, Ro2, Ro3) and the other end of the second resistor (Ro1, Ro2, Ro3) is connected to the circuit ground G. The ratio of the resistance values of the second resistors (Ro1, Ro2, Ro3) and the first resistors (R1, R2, R3) (for example, the second resistor Ro1 / the first resistor R1) corresponds. Set to match the ratio of the on-resistance Ron and the wiring pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) when the FETs (Q4, Q5, Q6) are conductive (for example, the on-resistance Ron / wiring pattern resistance Rp3). The voltage at the connection point (nodes N1, N2, and N3) between the first resistor (R1, R2, and R3) and the second resistor (Ro1, Ro2, and Ro3) and the voltage with respect to the circuit ground G is set to FET ( Q4, Q5, and Q6) are output as detection signals for the current flowing through them.

これにより、モータ制御装置11では、プリント配線基板上に搭載されるFET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流を、FET(Q4,Q5,Q6)のオン時のドレイン端子Dと回路グランドGとの間の電圧降下VDGを基に検出する際に、FET(Q4,Q5,Q6)の電流経路を形成する配線パターンの配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)により発生するオフセット分を容易にキャンセルして、FET(Q4,Q5,Q6)のドレイン・ソース間電圧VDSを検出することができる。このため、配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)の影響をキャンセルして、FET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流を検出することができる。 Thereby, in the motor control device 11, the current flowing through the FETs (Q4, Q5, Q6) mounted on the printed circuit board is changed to the drain terminal D and the circuit ground G when the FETs (Q4, Q5, Q6) are turned on. When detecting based on the voltage drop V DG between the two, the offset generated by the wiring pattern resistance (Rp1, Rp2, Rp3) of the wiring pattern that forms the current path of the FET (Q4, Q5, Q6) can be easily obtained to cancel, it is possible to detect the drain-to-source voltage V DS of FET (Q4, Q5, Q6) . For this reason, it is possible to detect the current flowing through the FETs (Q4, Q5, Q6) by canceling the influence of the wiring pattern resistances (Rp1, Rp2, Rp3).

(4)また、上記実施形態において、モータ制御装置11は、FET(Q4,Q5,Q6)のオン抵抗(Ron)および前記配線パターン抵抗(Rp1,Rp2,Rp3)の抵抗値に比べて、第1の抵抗(R1,R2,R3)および第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)の抵抗値が、FET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定される。
これにより、オフセット抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)と検出部抵抗(R1,R2,R3)を通して流れる電流を少なくし、FET(Q4,Q5,Q6)に流れる電流の検出誤差を少なくすることができる。
(4) Further, in the above embodiment, the motor control device 11 compares the on resistance (Ron) of the FETs (Q4, Q5, Q6) and the resistance values of the wiring pattern resistors (Rp1, Rp2, Rp3). The resistance values of the first resistor (R1, R2, R3) and the second resistor (Ro1, Ro2, Ro3) satisfy the tolerance required to detect the current flowing through the FET (Q4, Q5, Q6). Thus, it is set to a sufficiently large value.
Thereby, the current flowing through the offset resistors (Ro1, Ro2, Ro3) and the detection unit resistors (R1, R2, R3) can be reduced, and the detection error of the current flowing through the FETs (Q4, Q5, Q6) can be reduced. .

(5)また、上記実施形態において、モータ制御装置11は、下アーム側の各FET(Q4,Q5,Q6に対応する抵抗直列回路内の第2の抵抗(Ro1,Ro2,Ro3)のそれぞれに並列に接続されるスイッチ(スイッチSW1,SW2,SW3)であって、下アーム側の対応するFET(Q4,Q5,Q6)の導通タイミングに合わせてオフし、対応するFET(Q4,Q5,Q6)の電流検出信号を当該FETの導通時にのみ出力するスイッチ(スイッチSW1,SW2,SW3)を備える。   (5) In the above embodiment, the motor control device 11 applies each of the second resistors (Ro1, Ro2, Ro3) in the resistor series circuit corresponding to the lower arm side FETs (Q4, Q5, Q6). The switches (switches SW1, SW2, SW3) connected in parallel are turned off in accordance with the conduction timing of the corresponding FETs (Q4, Q5, Q6) on the lower arm side, and the corresponding FETs (Q4, Q5, Q6) ) Is output only when the FET is turned on (switches SW1, SW2, SW3).

これにより、FET(Q4,Q5,Q6)の電流検出信号を当該FETの導通時にのみ出力することができる。このため、FETがオフしている場合には、電流検出信号の出力を停止するので、他の相の電流検出信号にノイズ等の影響を与えることがなくなる。また、図4に示す特許文献1に記載のモータ制御装置では、アナログスイッチAS,AS,ASが、信号の検出経路(FETのドレイン端子とアンプAMの入力端子を繋ぐ信号線の経路)に挿入されているため、このアナログスイッチAS,AS,ASの内部インピーダンスにより電流検出信号が影響を受ける可能性があるが、図2に示す本実施形態のモータ制御装置11では、スイッチ(SW1,SW2,SW3)が信号の検出経路(FETのドレイン端子とコンパレータの入力端子を繋ぐ信号線の経路)に挿入されないため、信号の検出の際に、スイッチ(SW1,SW2,SW3)の内部インピーダンスによる影響を受けることがない。 Thereby, the current detection signal of the FET (Q4, Q5, Q6) can be output only when the FET is conductive. For this reason, when the FET is turned off, the output of the current detection signal is stopped, so that the current detection signals of other phases are not affected by noise or the like. Further, in the motor control device described in Patent Document 1 shown in FIG. 4, the analog switches AS 1 , AS 2 , and AS 3 have signal detection paths (paths of signal lines connecting the drain terminals of the FET and the input terminal of the amplifier AM). ), The current detection signal may be affected by the internal impedances of the analog switches AS 1 , AS 2 , AS 3. In the motor control device 11 of the present embodiment shown in FIG. Since the switch (SW1, SW2, SW3) is not inserted into the signal detection path (the path of the signal line connecting the drain terminal of the FET and the input terminal of the comparator), the switch (SW1, SW2, SW3) is used when detecting the signal. It is not affected by the internal impedance of

(6)また、上記実施形態において、モータ制御装置11は、下アーム側のFET(Q4,Q5,Q6)のオン時の電流検出信号が所定の過電流設定基準電圧(VR1,VR2,VR3,VR4)を超えたときに過電流検出信号を出力する過電流検出回路15と、過電流検出回路15から過電流検出信号が出力された場合に、3相ブリッジ回路12の各FET(Q1〜Q6)のすべてをオフする過電流保護部24と、を備える。
これにより、下アーム側のFET(Q4,Q5,Q6)のいずれかにおいて過電流状態が検出された場合に、3相ブリッジ回路12の各FET(Q4,Q5,Q6)のすべてを直ちに一括オフすることができる。このため、過電流によりFET(Q4,Q5,Q6)が損傷することを回避することができる。
(6) Further, in the above embodiment, the motor control device 11 indicates that the current detection signal when the lower arm side FETs (Q4, Q5, Q6) are turned on has a predetermined overcurrent setting reference voltage (VR1, VR2, VR3, Overcurrent detection circuit 15 that outputs an overcurrent detection signal when VR4) is exceeded, and when the overcurrent detection signal is output from overcurrent detection circuit 15, each FET (Q1 to Q6) of three-phase bridge circuit 12 And an overcurrent protection unit 24 that turns off all of the above.
Thus, when an overcurrent state is detected in any of the lower arm side FETs (Q4, Q5, Q6), all the FETs (Q4, Q5, Q6) of the three-phase bridge circuit 12 are immediately turned off all at once. can do. For this reason, it is possible to avoid the FETs (Q4, Q5, Q6) from being damaged by the overcurrent.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明の電流検出回路。およびモータ制御装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本発明のスイッチ素子は、上述の図示例ではFETで示してあるが、スイッチ素子であればこれに限定されない。また、本発明のスイッチは、スイッチ素子であっても、アナログスイッチであっても良く、これに限定されない。   The embodiment of the present invention has been described above, but the current detection circuit of the present invention. The motor control device is not limited to the illustrated example described above, and can be variously modified without departing from the scope of the present invention. In addition, the switching element of the present invention is indicated by FET in the above-described illustrated example, but is not limited to this as long as it is a switching element. The switch of the present invention may be a switch element or an analog switch, and is not limited to this.

1、14 電流検出回路、
10 3相交流モータ
11 モータ制御装置
12 3相ブリッジ回路
13 ゲート駆動回路
14 電流検出回路
15 過電流検出回路
20 制御部
21 FET信号生成部
22 通電制御部
23 同期信号生成部
24 過電流保護部
Q1,Q2,Q3 上アーム側のFET
Q4,Q5,Q6 下アーム側のFET
CP1,CP2,CP3,CP4 コンパレータ
Ron FETのオン抵抗
Rp1,Rp2,Rp3 配線パターン抵抗
Rd,R1,R2,R3 検出部抵抗(第1の抵抗)
Ro,Ro1,Ro2,Ro3 オフセット抵抗(第2の抵抗)
SW1,SW2,SW3 スイッチ
AM11,AM12,AM13 アンプ(増幅器)
1, 14 Current detection circuit,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 3 phase alternating current motor 11 Motor control apparatus 12 3 phase bridge circuit 13 Gate drive circuit 14 Current detection circuit 15 Overcurrent detection circuit 20 Control part 21 FET signal generation part 22 Current supply control part 23 Synchronization signal generation part 24 Overcurrent protection part Q1 , Q2, Q3 Upper arm side FET
Q4, Q5, Q6 Lower arm FET
CP1, CP2, CP3, CP4 Comparator Ron FET on-resistance Rp1, Rp2, Rp3 Wiring pattern resistance Rd, R1, R2, R3 Detector resistance (first resistance)
Ro, Ro1, Ro2, Ro3 Offset resistance (second resistance)
SW1, SW2, SW3 Switch AM11, AM12, AM13 Amplifier (amplifier)

Claims (6)

プリント配線基板上に実装されるスイッチ素子の一方の入出力端子が、このプリント配線基板上の配線パターンを介して当該プリント配線基板上に設けられた負電極端子に接続され、該負電極端子は前記スイッチ素子に電流を供給する直流電源の負極側に接続されるとともに、前記スイッチ素子を制御する制御回路の回路グランドに接続される回路において、
前記スイッチ素子の導通時における電圧降下を基に、該スイッチ素子に流れる電流を検出する電流検出回路は、前記スイッチ素子の他方の入出力端子と前記回路グランドとの間に接続される第1の抵抗と第2の抵抗とからなる抵抗直列回路を備え、
前記抵抗直列回路においては、
前記第1の抵抗の一端が前記スイッチ素子の他方の入出力端子に接続され、他端が前記第2の抵抗の一端に接続され、前記第2の抵抗の他端が前記回路グランドに接続され、
前記第2の抵抗と第1の抵抗との抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、前記スイッチ素子の導通時のオン抵抗と配線パターン抵抗との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧であって前記回路グランドに対する電圧を前記スイッチ素子に流れる電流の検出信号として出力する
ことを特徴とする電流検出回路。
One input / output terminal of the switch element mounted on the printed wiring board is connected to a negative electrode terminal provided on the printed wiring board via a wiring pattern on the printed wiring board, and the negative electrode terminal is In a circuit connected to the negative side of a DC power supply that supplies current to the switch element, and connected to a circuit ground of a control circuit that controls the switch element,
A current detection circuit for detecting a current flowing through the switch element based on a voltage drop during conduction of the switch element is a first detection circuit connected between the other input / output terminal of the switch element and the circuit ground. A resistor series circuit comprising a resistor and a second resistor;
In the resistor series circuit,
One end of the first resistor is connected to the other input / output terminal of the switch element, the other end is connected to one end of the second resistor, and the other end of the second resistor is connected to the circuit ground. ,
The ratio of the resistance value between the second resistance and the first resistance (second resistance / first resistance) is the ratio of the resistance value between the ON resistance and the wiring pattern resistance when the switch element is conductive (ON Resistance / wiring pattern resistance),
A current detection circuit that outputs a voltage of a connection point between the first resistor and the second resistor and a voltage with respect to the circuit ground as a detection signal of a current flowing through the switch element.
前記スイッチ素子のオン抵抗および前記配線パターン抵抗の抵抗値に比べて、前記第1の抵抗および第2の抵抗の抵抗値が、前記スイッチ素子に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定される
ことを特徴とする請求項1に記載の電流検出回路。
Compared to the on-resistance of the switch element and the resistance value of the wiring pattern resistance, the resistance value of the first resistor and the second resistor has a tolerance required for detecting the current flowing through the switch element. The current detection circuit according to claim 1, wherein the current detection circuit is set to a sufficiently large value so as to satisfy.
プリント配線基板上に実装されるスイッチ素子の3相ブリッジ回路とその制御回路からなるインバータを用いて、直流電源から入力される直流電圧から3相交流電圧を生成して3相交流モータの回転を制御するモータ制御装置であって、前記直流電源から各スイッチ素子に流れる電流の電流経路が前記プリント配線基板上の配線パターンにより形成され、かつ、下アーム側の各スイッチ素子と前記直流電源の負極側との間の電流経路となるそれぞれの配線パターンは、一端が、前記下アーム側の対応するスイッチ素子の一方の入出力端子に接続され、他端が、前記プリント配線基板上に設けられた負電極端子に接続され、該負電極端子は前記直流電源の負極側に接続されるとともに前記制御回路の回路グランドに接続されて構成されるモータ制御装置において、
前記下アーム側のスイッチ素子の導通時における電圧降下を基に、該スイッチ素子に流れる電流を検出する電流検出回路は、前記下アーム側の各スイッチ素子に対応して、前記スイッチ素子の他方の入出力端子と前記回路グランドとの間に接続される第1の抵抗と第2の抵抗とからなるそれぞれの抵抗直列回路を備え、
前記それぞれの抵抗直列回路においては、
前記第1の抵抗の一端が対応するスイッチ素子の他方の入出力端子に接続され、他端が前記第2の抵抗の一端に接続され、前記第2の抵抗の他端が前記回路グランドに接続され、
前記第2の抵抗と第1の抵抗との抵抗値の比(第2の抵抗/第1の抵抗)が、前記対応するスイッチ素子の導通時のオン抵抗と配線パターン抵抗との抵抗値の比(オン抵抗/配線パターン抵抗)に一致するように設定され、
前記第1の抵抗と前記第2の抵抗との接続点の電圧であって前記回路グランドに対する電圧を前記スイッチ素子に流れる電流の検出信号として出力する
ことを特徴とするモータ制御装置。
Using a three-phase bridge circuit of switch elements mounted on a printed circuit board and an inverter comprising its control circuit, a three-phase AC voltage is generated from a DC voltage input from a DC power source to rotate the three-phase AC motor. A motor control device for controlling, wherein a current path of a current flowing from the DC power supply to each switch element is formed by a wiring pattern on the printed circuit board, and each switch element on the lower arm side and a negative electrode of the DC power supply One end of each wiring pattern serving as a current path to the side is connected to one input / output terminal of the corresponding switch element on the lower arm side, and the other end is provided on the printed wiring board. A motor connected to a negative electrode terminal, the negative electrode terminal being connected to the negative electrode side of the DC power supply and connected to the circuit ground of the control circuit In the control device,
A current detection circuit for detecting a current flowing through the switch element based on a voltage drop at the time of conduction of the switch element on the lower arm side corresponds to each switch element on the lower arm side. Each resistor series circuit comprising a first resistor and a second resistor connected between an input / output terminal and the circuit ground,
In each of the resistor series circuits,
One end of the first resistor is connected to the other input / output terminal of the corresponding switch element, the other end is connected to one end of the second resistor, and the other end of the second resistor is connected to the circuit ground. And
The ratio of the resistance value between the second resistor and the first resistor (second resistor / first resistor) is the ratio of the resistance value between the on-resistance and the wiring pattern resistance when the corresponding switch element is conductive. (ON resistance / wiring pattern resistance)
A motor control device that outputs a voltage at a connection point between the first resistor and the second resistor and a voltage with respect to the circuit ground as a detection signal of a current flowing through the switch element.
前記スイッチ素子のオン抵抗および前記配線パターン抵抗の抵抗値に比べて、前記第1の抵抗および第2の抵抗の抵抗値が、前記スイッチ素子に流れる電流を検出する際に必要される許容誤差を満たすように、十分大きな値に設定される
ことを特徴とする請求項3に記載のモータ制御装置。
Compared to the on-resistance of the switch element and the resistance value of the wiring pattern resistance, the resistance value of the first resistor and the second resistor has a tolerance required for detecting the current flowing through the switch element. The motor control device according to claim 3, wherein the motor control device is set to a sufficiently large value so as to satisfy.
前記下アーム側の各スイッチ素子に対応する第2の抵抗のそれぞれに並列に接続されるスイッチであって、
前記下アーム側の対応するスイッチ素子の導通タイミングに合わせてオフし、前記対応するスイッチ素子の電流検出信号を当該スイッチ素子の導通時にのみ出力するスイッチを備える
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載のモータ制御装置。
A switch connected in parallel to each of the second resistors corresponding to each switch element on the lower arm side,
4. The switch according to claim 3, further comprising a switch that is turned off in accordance with a conduction timing of the corresponding switch element on the lower arm side and outputs a current detection signal of the corresponding switch element only when the switch element is conductive. Item 5. The motor control device according to Item 4.
前記下アーム側のスイッチ素子のオン時の電流検出信号が所定の過電流設定基準電圧を超えたときに過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、
前記過電流検出回路から過電流検出信号が出力された場合に、前記3相ブリッジ回路の各スイッチ素子のすべてをオフする過電流保護部と、
を備えることを特徴とする請求項3から5のいずれか1項に記載のモータ制御装置。
An overcurrent detection circuit that outputs an overcurrent detection signal when the current detection signal when the lower arm side switch element is on exceeds a predetermined overcurrent setting reference voltage;
An overcurrent protection unit that turns off all the switch elements of the three-phase bridge circuit when an overcurrent detection signal is output from the overcurrent detection circuit;
The motor control device according to claim 3, comprising:
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