JP5688739B2 - 不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る不揮発性光メモリの構成を示す概略図である。図1に示す不揮発性光メモリ10は、半導体基板であるGaAs基板1、GaAs基板1上に第1反射層である分布ブラッグ反射層(Distributed Bragg Reflector,DBR)2、分布ブラッグ反射層2上に量子井戸構造を有する半導体活性層3を備えている。さらに、不揮発性光メモリ10は、発光領域10aの半導体活性層3上に、第2反射層である分布ブラッグ反射層4、受光領域10bの半導体活性層3上の一部に、強磁性電極5を備えている。
図5は、本発明の実施の形態2に係る不揮発性光メモリの構成を示す概略図である。図5に示す不揮発性光メモリ11は、半導体基板であるGaAs基板1、GaAs基板1上に第1反射層である分布ブラッグ反射層2、分布ブラッグ反射層2上に量子井戸構造を有する半導体活性層3を備えている。さらに、不揮発性光メモリ11は、発光領域11aの半導体活性層3上に、第2反射層である分布ブラッグ反射層4、受光領域11bの半導体活性層3上の全部に、強磁性電極5aを備えている。
次に、実施の形態1または2に係る不揮発性光メモリ10、11を複数用いた光記憶装置について説明する。図6は、本発明の実施の形態3に係る光記憶装置の構成を示す概略図である。図6に示す光記憶装置30は、実施の形態1に係る不揮発性光メモリ10を平面にマトリックス状に複数配置してある。なお、不揮発性光メモリ10の配置は、マトリックス状の配置に限定されるものではない。
Claims (7)
- 電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する不揮発性光メモリであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある第1反射層と、
前記第1反射層上に、量子井戸構造を有する半導体活性層と、
前記半導体活性層を発光領域と受光領域とに分け、前記発光領域の前記半導体活性層上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある第2反射層と、
前記受光領域の前記半導体活性層上の一部に、前記半導体活性層の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極と
を備え、
少なくとも前記第1反射層、および前記半導体活性層の最表膜に不純物をドープして、前記第1反射層と前記半導体活性層の最表膜との間でPINダイオードを構成し、
前記受光領域の前記半導体活性層に、右回りまたは左回りの円または楕円偏光で情報を表した光信号を入射して、右回りまたは左回りの円または楕円偏光に対応したスピン偏極状態の電子を生成し、生成したスピン偏極状態の電子を、前記半導体基板と前記強磁性電極との間に逆バイアス方向の電圧を印加することで前記強磁性電極に流入させ、流入したスピン偏極状態の電子によって前記強磁性電極の磁化方向を制御して、前記光信号の情報を前記強磁性電極の磁化方向として書込み、
前記半導体基板と前記強磁性電極との間に順バイアス方向の電圧を印加することで、前記光信号の情報を書込んだ前記強磁性電極の磁化方向に対応したスピン偏極状態の電子を前記発光領域の前記半導体活性層に注入し、前記第2反射層の表面に対して垂直方向に、注入した電子のスピン偏極状態に対応した右回りまたは左回りの円または楕円偏光のレーザー光を発して、前記光信号の情報を読出す、不揮発性光メモリ。 - 電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する不揮発性光メモリであって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある第1反射層と、
前記第1反射層上に、量子井戸構造を有する半導体活性層と、
前記半導体活性層を発光領域と受光領域とに分け、前記発光領域の前記半導体活性層上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある第2反射層と、
前記受光領域の前記半導体活性層上の一部または全部に、前記半導体活性層の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極と
を備え、
少なくとも前記第1反射層、および前記半導体活性層の最表膜に不純物をドープして、前記第1反射層と前記半導体活性層の最表膜との間でPINダイオードを構成し、
前記強磁性電極に、右回りまたは左回りの円または楕円偏光で情報を表した光信号を入射して、入射した前記光信号の右回りまたは左回りの円または楕円偏光によって前記強磁性電極の磁化方向を制御して、前記光信号の情報を前記強磁性電極の磁化方向として書込み、
前記半導体基板と前記強磁性電極との間に順バイアス方向の電圧を印加することで、前記光信号の情報を書込んだ前記強磁性電極の磁化方向に対応したスピン偏極状態の電子を前記発光領域の前記半導体活性層に注入し、前記第2反射層の表面に対して垂直方向に、注入した電子のスピン偏極状態に対応した右回りまたは左回りの円または楕円偏光のレーザー光を発して、前記光信号の情報を読出す、不揮発性光メモリ。 - 前記半導体活性層は、複数の量子井戸膜と複数の障壁膜とを有する多重量子井戸構造である、請求項1または2に記載の不揮発性光メモリ。
- 前記半導体活性層は、前記受光領域の前記半導体活性層と前記第1反射層との間に絶縁膜を備える、請求項1〜3のいずれか一項に記載の不揮発性光メモリ。
- 前記半導体基板の(110)面上に前記半導体活性層を形成してある、請求項1〜4のいずれか一項に記載の不揮発性光メモリ。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の不揮発性光メモリを平面に複数配置してある、光記憶装置。
- 請求項6に記載の光記憶装置を備えてある、ネットワークルータ。
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