JP5685925B2 - Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby - Google Patents
Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby Download PDFInfo
- Publication number
- JP5685925B2 JP5685925B2 JP2010286733A JP2010286733A JP5685925B2 JP 5685925 B2 JP5685925 B2 JP 5685925B2 JP 2010286733 A JP2010286733 A JP 2010286733A JP 2010286733 A JP2010286733 A JP 2010286733A JP 5685925 B2 JP5685925 B2 JP 5685925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cladding layer
- pattern
- layer
- resin
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は、光電気複合基板の製造方法、及びそれにより得られる光電気複合基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a photoelectric composite substrate and a photoelectric composite substrate obtained thereby.
情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インタコネクション技術の開発が進められている。具体的には、ルータやサーバ装置内のボード間あるいはボード内の短距離信号伝送に光を用いるために、電気配線板に光伝送路を複合した光電気複合基板の開発がなされている。光伝送路としては、光ファイバーに比べ、配線の自由度が高く、かつ高密度化が可能な光導波路を用いることが望ましく、中でも、加工性や経済性に優れたポリマー材料を用いた光導波路が有望である。 With the increase in information capacity, development of an optical interconnection technology that uses optical signals not only for communication fields such as trunk lines and access systems but also for information processing in routers and servers is underway. Specifically, in order to use light for short-distance signal transmission between boards in a router or a server device or in a board, an opto-electric composite board in which an optical transmission path is combined with an electric wiring board has been developed. As the optical transmission line, it is desirable to use an optical waveguide that has a higher degree of freedom of wiring and can be densified than an optical fiber, and among them, an optical waveguide that uses a polymer material that is excellent in processability and economy. Promising.
この光導波路及び光導波路と電気配線板とが一体複合化した光電気複合基板の製造方法としては、例えば、キャリアフィルム上に下部クラッド層を硬化形成した後に、下部クラッド層上にコア層を形成し、露光と現像を行うことによってパタン化されたコア層を形成し、上部クラッド層を積層するビルドアップ法が用いられていた。
しかしながら、このようにして得られた光電気複合基板は、少なくとも電気配線パターン、下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を積層してなるものであり、多層の積層により製造工程が複雑化するとともに、光電気複合基板全体としての厚さが増加し、光導波路上に設けられる反射ミラーから光素子までの距離が増加するため、光電変換効率に課題があった。
これらの問題を解決する方法として、特許文献1には、支持体上に配線パターンを形成し、この配線パターン上に下部クラッド層を積層して配線パターンを埋め込むことで、基材を省いた薄型の光電気複合基板の製造方法が開示されている。
As a method of manufacturing the optical waveguide and the optical / electrical composite substrate in which the optical waveguide and the electric wiring board are integrally combined, for example, after the lower cladding layer is cured and formed on the carrier film, the core layer is formed on the lower cladding layer. However, a build-up method in which a patterned core layer is formed by performing exposure and development, and an upper clad layer is laminated has been used.
However, the photoelectric composite substrate obtained in this way is formed by laminating at least an electric wiring pattern, a lower clad layer, a core layer, and an upper clad layer. The thickness of the entire optoelectric composite substrate increases, and the distance from the reflection mirror provided on the optical waveguide to the optical element increases, so that there is a problem in photoelectric conversion efficiency.
As a method for solving these problems,
しかしながら本発明者らは、特許文献1に開示の製造方法では配線パターン上に下部クラッド層を積層するため、配線パターンの凹凸が下部クラッド層の表面に影響し、その上に形成されるコアパターン層の平坦性が損なわれ、光伝搬損失の低損失化やばらつきの面では不十分であるとともに、電気配線形成用のレジストを用いらなければならず材料コストがかかることを見出した。
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、コアパターン層の平坦性に優れ、光伝搬損失を低損失化すると共に、光伝搬損失のばらつきが少なく、電気配線形成用のレジストを用いずに光導波路を有する光電気複合基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
However, since the present inventors have laminated the lower cladding layer on the wiring pattern in the manufacturing method disclosed in
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is excellent in the flatness of the core pattern layer, reduces the light propagation loss, reduces the variation in the light propagation loss, and provides a resist for forming an electrical wiring. An object of the present invention is to provide a photoelectric composite substrate having an optical waveguide without using it and a method for manufacturing the same.
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、パターニングされた下部クラッド層の開口部に配線パターンを埋め込むことで、下部クラッド層の上面が平滑となり、その上にコアパターンを形成することで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
1.第1下部クラッド層、そこに埋め込まれた配線パターン、コアパターン及び上部クラッド層を有する光電気複合基板の製造方法であって、(A)支持体上に第1下部クラッド層を形成し、パターニングする工程と、(B)第1下部クラッド層のパターン形状の開口部に配線パターンを形成する工程と、(C)第1下部クラッド層上にコアパターンを形成する工程と、(D)コアパターンを覆うように上部クラッド層を形成する工程と、(E)支持体を除去して配線パターンを露出させる工程とを有する光電気複合基板の製造方法、
2.前記支持体が、基材上に第1金属箔を有するものであり、前記工程(B)において、第1下部クラッド層のパターン形状をレジストとして第1金属箔上にパターンめっきを行い配線パターンを形成する上記1に記載の光電気複合基板の製造方法、
3.前記支持体が、基材と第1金属箔との間にさらに第2金属箔を有し、前記工程(E)が、(E−1)第1金属箔と第2金属箔との界面で剥離して、第2金属箔及び基材を除去する工程と、(E−2)第1金属箔を除去する工程とを有する上記2に記載の光電気複合基板の製造方法、
4.前記工程(B)と工程(C)との間に、さらに(B’)第2下部クラッド層を形成する工程を有する上記1〜3のいずれかに記載の光電気複合基板の製造方法、及び
5.上記1〜4のいずれかに記載の製造方法によって製造された光電気複合基板、
を提供するものである。
As a result of intensive studies, the inventors have embedded the wiring pattern in the opening of the patterned lower clad layer, and the upper surface of the lower clad layer becomes smooth, and the core pattern is formed on the upper surface. The present inventors have found that the problems can be solved and have completed the present invention.
That is, the present invention
1. A method of manufacturing an optoelectric composite substrate having a first lower cladding layer, a wiring pattern embedded therein, a core pattern, and an upper cladding layer, wherein (A) a first lower cladding layer is formed on a support and patterned (B) a step of forming a wiring pattern in the pattern-shaped opening of the first lower cladding layer, (C) a step of forming a core pattern on the first lower cladding layer, and (D) a core pattern A method of manufacturing a photoelectric composite substrate, comprising: a step of forming an upper cladding layer so as to cover the substrate; and (E) a step of removing the support to expose the wiring pattern,
2. The support has a first metal foil on a substrate, and in the step (B), a pattern is formed on the first metal foil using the pattern shape of the first lower cladding layer as a resist to form a wiring pattern. The manufacturing method of the photoelectric composite substrate according to 1 above,
3. The support further has a second metal foil between the substrate and the first metal foil, and the step (E) is (E-1) at the interface between the first metal foil and the second metal foil. The method for producing an optoelectric composite substrate according to 2 above, comprising a step of peeling and removing the second metal foil and the base material; and (E-2) a step of removing the first metal foil.
4). Between the said process (B) and a process (C), (B ') The manufacturing method of the photoelectric composite board | substrate in any one of said 1-3 which has the process of forming a 2nd lower clad layer, and 5. The photoelectric composite substrate manufactured by the manufacturing method according to any one of 1 to 4,
Is to provide.
本発明の光電気複合基板の製造方法によれば、コアパターン層の平坦性に優れ、光伝搬損失を低損失化すると共に、光伝搬損失のばらつきが少ない光導波路を有する光電気複合基板得ることができる。 According to the method for producing an optoelectric composite substrate of the present invention, an optoelectric composite substrate having an optical waveguide with excellent flatness of the core pattern layer, low optical propagation loss, and less variation in optical propagation loss is obtained. Can do.
本発明の光電気複合基板の製造方法は、第1下部クラッド層、そこに埋め込まれた配線パターン、コアパターン及び上部クラッド層を有する光電気複合基板の製造方法であって、(A)支持体上に第1下部クラッド層を形成し、パターニングする工程と、(B)第1下部クラッド層のパターン形状の開口部に配線パターンを形成する工程と、(C)第1下部クラッド層上にコアパターンを形成する工程と、(D)コアパターンを覆うように上部クラッド層を形成する工程と、(E)支持体を除去して配線パターンを露出させる工程とを有する。 The method for producing an optoelectric composite substrate of the present invention is a method for producing an optoelectric composite substrate having a first lower cladding layer, a wiring pattern embedded therein, a core pattern, and an upper clad layer, and (A) a support. Forming and patterning a first lower cladding layer thereon; (B) forming a wiring pattern in a pattern-shaped opening of the first lower cladding layer; and (C) a core on the first lower cladding layer. A step of forming a pattern, (D) a step of forming an upper clad layer so as to cover the core pattern, and (E) a step of removing the support to expose the wiring pattern.
本発明により製造される光電気複合基板10は、図1に示すように、配線パターン3が埋め込まれた第1下部クラッド層2の一方の面上にコアパターン4を有し、このコアパターン4を覆うように上部クラッド層5を有する。
As shown in FIG. 1, the
本発明により製造される光電気複合基板10は、図2に示すように、第1下部クラッド層2及び配線パターン3と、コアパターン4との間に第2下部クラッド層6を有していてもよい。第2下部クラッド層6を有しない場合、光電気複合基板10が薄くなるため、曲げやすく、反りが生じにくい上に、コアパターン4と配線パターン3に実装される光素子との距離が近くなり、光伝搬損失を低損失化すると共に、光伝搬損失のばらつきが少なくなり、転送速度の高速化にも寄与する。一方、第2下部クラッド層6を有する場合、コアパターン4の下面に下部クラッドが遍在するため、特に配線パターン3とコアパターン4とが交差する部位における光伝搬損失の低損失化の観点で好ましい。
As shown in FIG. 2, the
<工程(A)>
工程(A)では、支持体1上に第1下部クラッド層2を形成し、パターニングする。
(支持体)
支持体1としては、工程(E)において除去しやすいものが好ましい。また、支持体1として基材1c上に第1金属箔1aを有するものを用いると、工程(B)において第1下部クラッド層2のパターン形状をレジストとしてパターンめっきを行うことで、配線パターン3を第1下部クラッド層2に埋め込むことができるため好ましい。さらに、基材1cと第1金属箔1aとの間に、第2金属箔1bを有するものを用いると、工程(E)において第1金属箔1aと、第2金属箔1bとの界面で剥離して、第2金属箔1b及び基材1cを容易に除去することができるためさらに好ましい。
<Process (A)>
In the step (A), the first
(Support)
The
(第1金属箔)
第1金属箔1aは、工程(B)において第1下部クラッド層2のパターン形状をレジストとしてパターンめっきを行う際に電流を供給するシード層として機能するものであればよく、特に材質や厚みは問われないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては1〜18μmが好ましい。さらに、工程(E)において配線パターン3を露出させる際にはエッチング等で除去されるため、1〜5μmの極薄金属箔が好ましい。
また、基材1cとの界面、あるいは、必要に応じて設けられる第2金属箔1bとの界面には、界面での剥離強度を安定化するための剥離層を設けることが好ましく、剥離層としては、絶縁樹脂と積層する際の加熱・加圧を複数回行っても剥離強度が安定しているものが好ましい。このような剥離層としては、特開2003−181970号公報に開示された金属酸化物層や有機剤層を形成したものや、特開2003−094553号公報に開示されたCu−Ni−Mo合金からなるものが挙げられる。
(First metal foil)
The first metal foil 1a only needs to function as a seed layer for supplying current when pattern plating is performed using the pattern shape of the first
Moreover, it is preferable to provide a release layer for stabilizing the peel strength at the interface at the interface with the
第1金属箔1aは、表面に平均粗さ(Ra)が0.08〜0.6μmの凹凸を予め設けたものが望ましい。これにより、第1下部クラッド層2との密着性や、そのパターン形状の解像性を向上させることができ、高密度回路の形成に有利となる。Raが0.08μm以上の場合、レジストとして用いる第1下部クラッド層2との密着性が向上し、Raが0.6μm以下の場合、第1下部クラッド層2が追従し易くなりやはり密着性が向上する。ここで、平均粗さ(Ra)とは、JIS B 0601(2001)で規定される平均粗さ(Ra)であり、触針式表面粗さ計などを用いて測定することが可能である。
As for the 1st metal foil 1a, what provided the unevenness | corrugation whose average roughness (Ra) is 0.08-0.6 micrometer in advance on the surface is desirable. Thereby, the adhesiveness with the first
(基材)
基材1cとしては、工程(A)〜工程(D)において各層の積層に耐え得る十分な強度を有するものであれば特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルムなどが挙げられる。
基板1cとして柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、後述のクラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムを基板として用いることもできる。
(Base material)
The
As the
(第2金属箔)
第2金属箔1bは、第1金属箔1aとの界面で物理的に剥離可能なものであれば、特に材質や厚みは問わないが、汎用性や取り扱い性の点で、材質としては銅箔やアルミニウム箔が好ましく、厚みとしては1〜35μmが好ましい。
(Second metal foil)
The
(第1下部クラッド層)
第1下部クラッド層2の形成方法は、特に限定されず公知の方法によれば良く、例えば、支持体1上にクラッド層形成用樹脂を塗布したり、クラッド層形成用樹脂フィルムをラミネートすることで形成することができる。塗布による場合には、その方法は限定されず、クラッド層形成用樹脂をスピンコート法等の常法により塗布すれば良い。また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、前記樹脂を溶媒に溶解して、キャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
(First lower cladding layer)
The method for forming the first lower
本発明で用いるクラッド層形成用樹脂としては、コアパターン4より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物を好適に使用することができる。より好適にはクラッド層形成用樹脂が、(A)ベースポリマー、(B)光重合性化合物及び(C)光重合開始剤を含有する樹脂組成物により構成されることが好ましい。なお、クラッド層形成用樹脂に用いる樹脂組成物は、第1下部クラッド層2、第2下部クラッド層6、上部クラッド層5において、該樹脂組成物に含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。
The clad layer-forming resin used in the present invention is not particularly limited as long as it is a resin composition that has a lower refractive index than the
ここで用いる(A)ベースポリマーはクラッドを形成し、該クラッドの強度を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されず、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルアミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン等、あるいはこれらの誘導体などが挙げられる。これらのベースポリマーは1種単独でも、また2種以上を混合して用いてもよい。上記で例示したベースポリマーのうち、耐熱性が高いとの観点から、主鎖に芳香族骨格を有することが好ましく、特にフェノキシ樹脂が好ましい。また、3次元架橋し、耐熱性を向上できるとの観点からは、エポキシ樹脂、特に室温で固形のエポキシ樹脂が好ましい。さらに、後に詳述する(B)光重合性化合物との相溶性が、クラッド層形成用樹脂の透明性を確保するために重要であるが、この点からは上記フェノキシ樹脂及び(メタ)アクリル樹脂が好ましい。なお、ここで(メタ)アクリル樹脂とは、アクリル樹脂及びメタクリル樹脂を意味するものである。 The (A) base polymer used here is for forming a clad and ensuring the strength of the clad, and is not particularly limited as long as the object can be achieved. Phenoxy resin, epoxy resin, (meta ) Acrylic resin, polycarbonate resin, polyarylate resin, polyether amide, polyether imide, polyether sulfone, etc., or derivatives thereof. These base polymers may be used alone or in combination of two or more. Of the base polymers exemplified above, from the viewpoint of high heat resistance, the main chain preferably has an aromatic skeleton, and particularly preferably a phenoxy resin. From the viewpoint of three-dimensional crosslinking and improving heat resistance, an epoxy resin, particularly an epoxy resin that is solid at room temperature is preferable. Further, compatibility with the photopolymerizable compound (B) described in detail later is important for ensuring the transparency of the resin for forming the cladding layer. From this point, the phenoxy resin and the (meth) acrylic resin are used. Is preferred. Here, (meth) acrylic resin means acrylic resin and methacrylic resin.
フェノキシ樹脂の中でも、ビスフェノールA、ビスフェノールA型エポキシ化合物又はそれらの誘導体、及びビスフェノールF、ビスフェノールF型エポキシ化合物又はそれらの誘導体を共重合成分の構成単位として含むものは、耐熱性、密着性及び溶解性に優れるため好ましい。ビスフェノールA又はビスフェノールA型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールA、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。また、ビスフェノールF又はビスフェノールF型エポキシ化合物の誘導体としては、テトラブロモビスフェノールF、テトラブロモビスフェノールF型エポキシ化合物等が好適に挙げられる。ビスフェノールA/ビスフェノールF共重合型フェノキシ樹脂の具体例としては、東都化成(株)製「フェノトートYP−70」(商品名)が挙げられる。 Among phenoxy resins, those containing bisphenol A, bisphenol A type epoxy compounds or derivatives thereof, and bisphenol F, bisphenol F type epoxy compounds or derivatives thereof as a constituent unit of the copolymer component are heat resistant, adhesive and soluble. It is preferable because of its excellent properties. Preferred examples of the bisphenol A or bisphenol A type epoxy compound include tetrabromobisphenol A and tetrabromobisphenol A type epoxy compounds. Moreover, as a derivative of bisphenol F or a bisphenol F-type epoxy compound, tetrabromobisphenol F, a tetrabromobisphenol F-type epoxy compound, etc. are mentioned suitably. Specific examples of the bisphenol A / bisphenol F copolymer type phenoxy resin include “Phenotote YP-70” (trade name) manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.
室温で固形のエポキシ樹脂としては、例えば、東都化学(株)製「エポトートYD−7020、エポトートYD−7019、エポトートYD−7017」(いずれも商品名)、ジャパンエポキシレジン(株)製「エピコート1010、エピコート1009、エピコート1008」(いずれも商品名)などのビスフェノールA型エポキシ樹脂が挙げられる。 Examples of the epoxy resin that is solid at room temperature include, for example, “Epototo YD-7020, Epototo YD-7019, Epototo YD-7007” (all trade names) manufactured by Toto Chemical Co., Ltd., and “Epicoat 1010” manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd. Bisphenol A type epoxy resin such as “Epicoat 1009, Epicoat 1008” (both trade names).
次に、(B)光重合性化合物としては、紫外線等の光の照射によって重合するものであれば特に限定されず、分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物や分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物などが挙げられる。
分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物としては、(メタ)アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルピリジン、ビニルフェノール等が挙げられるが、これらの中で、透明性と耐熱性の観点から、(メタ)アクリレートが好ましい。
(メタ)アクリレートとしては、1官能性のもの、2官能性のもの、3官能性以上の多官能性のもののいずれをも用いることができる。なお、ここで(メタ)アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートを意味するものである。
分子内に2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能芳香族グリシジルエーテル、ポリエチレングリコール型エポキシ樹脂等の2官能又は多官能脂肪族グリシジルエーテル、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂等の2官能脂環式グリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル等の2官能芳香族グリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等の2官能脂環式グリシジルエステル、N,N−ジグリシジルアニリン等の2官能又は多官能芳香族グリシジルアミン、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート等の2官能脂環式エポキシ樹脂、2官能複素環式エポキシ樹脂、多官能複素環式エポキシ樹脂、2官能又は多官能ケイ素含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの(B)光重合性化合物は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
Next, (B) the photopolymerizable compound is not particularly limited as long as it is polymerized by irradiation with light such as ultraviolet rays, and the compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule or two or more in the molecule. Examples thereof include compounds having an epoxy group.
Examples of the compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule include (meth) acrylate, vinylidene halide, vinyl ether, vinyl pyridine, vinyl phenol, etc., among these, from the viewpoint of transparency and heat resistance, (Meth) acrylate is preferred.
As the (meth) acrylate, any of monofunctional, bifunctional, trifunctional or higher polyfunctional ones can be used. Here, (meth) acrylate means acrylate and methacrylate.
Examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bifunctional or polyfunctional aromatic glycidyl ethers such as bisphenol A type epoxy resins, bifunctional or polyfunctional aliphatic glycidyl ethers such as polyethylene glycol type epoxy resins, and water. Bifunctional alicyclic glycidyl ether such as bisphenol A type epoxy resin, bifunctional aromatic glycidyl ester such as diglycidyl phthalate, bifunctional alicyclic glycidyl ester such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, N, N- Bifunctional or polyfunctional aromatic glycidylamine such as diglycidylaniline, bifunctional alicyclic epoxy resin such as alicyclic diepoxycarboxylate, bifunctional heterocyclic epoxy resin, polyfunctional heterocyclic epoxy resin, bifunctional Or polyfunctional silicon-containing epoxy resin It is. These (B) photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.
次に(C)成分の光重合開始剤としては、特に制限はなく、例えば(B)成分にエポキシ化合物を用いる場合の開始剤として、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリルセレノニウム塩、ジアルキルフェナジルスルホニウム塩、ジアルキル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム塩、スルホン酸エステルなどが挙げられる。発光性の光重合開始剤を用いると発光性のクラッド層を得ることもできる。 Next, the photopolymerization initiator of component (C) is not particularly limited. For example, as an initiator when an epoxy compound is used as component (B), aryldiazonium salt, diaryliodonium salt, triarylsulfonium salt, triallyl Examples include selenonium salts, dialkylphenazylsulfonium salts, dialkyl-4-hydroxyphenylsulfonium salts, and sulfonate esters. When a luminescent photopolymerization initiator is used, a luminescent cladding layer can be obtained.
また、(B)成分に分子内にエチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合の開始剤としては、ベンゾフェノン等の芳香族ケトン、2−エチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、2−メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド等のフォスフィンオキサイド類、9−フェニルアクリジン等のアクリジン誘導体、N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物などが挙げられる。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。なお、クラッド層の透明性を向上させる観点からは、上記化合物のうち、芳香族ケトン及びフォスフィンオキサイド類が好ましい。
これらの(C)光重合開始剤は、単独で又は2種類以上組み合わせて用いることができる。
Moreover, as an initiator in the case of using a compound having an ethylenically unsaturated group in the molecule as the component (B), aromatic ketones such as benzophenone, quinones such as 2-ethylanthraquinone, benzoin ethers such as benzoin methyl ether Compounds, benzoin compounds such as benzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- Benzimidazoles such as mercaptobenzimidazole, phosphine oxides such as bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, acridine derivatives such as 9-phenylacridine, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives , Coumarin compound And the like. Moreover, you may combine a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. Of the above compounds, aromatic ketones and phosphine oxides are preferable from the viewpoint of improving the transparency of the cladding layer.
These (C) photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
(A)ベースポリマーの配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量に対して、5〜80質量%とすることが好ましい。また、(B)光重合性化合物の配合量は、(A)及び(B)成分の総量に対して、95〜20質量%とすることが好ましい。
この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分が5質量%以上であり、(B)成分が95質量%以下であると、樹脂組成物を容易にフィルム化することができる。一方、(A)成分が80質量%以下あり、(B)成分が20質量%以上であると、(A)ベースポリマーを絡み込んで硬化させることが容易にでき、パターン形成性が向上し、かつ光硬化反応が十分に進行する。以上の観点から、この(A)成分及び(B)成分の配合量として、(A)成分10〜85質量%、(B)成分90〜15質量%がより好ましく、(A)成分20〜70質量%、(B)成分80〜30質量%がさらに好ましい。
(C)光重合開始剤の配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量100質量部に対して、0.1〜10質量部とすることが好ましい。この配合量が0.1質量部以上であると、光感度が十分であり、一方10質量部以下であると、露光時に感光性樹脂組成物の表層での吸収が増大することがなく、内部の光硬化が十分となる。さらに、後述するコア層として使用する際には、重合開始剤自身の光吸収の影響により光伝搬損失が増大することもなく好適である。以上の観点から、(C)光重合開始剤の配合量は、0.2〜5質量部とすることがより好ましい。
また、このほかに必要に応じて、クラッド層形成用樹脂中には、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、着色剤、可塑剤、安定剤、充填剤などのいわゆる添加剤を本発明の効果に悪影響を与えない割合で添加してもよい。また、該添加剤に発光性があれば、発光性のクラッド層を得ることもできる。
(A) It is preferable that the compounding quantity of a base polymer shall be 5-80 mass% with respect to the total amount of (A) component and (B) component. Moreover, it is preferable that the compounding quantity of (B) photopolymerizable compound shall be 95-20 mass% with respect to the total amount of (A) and (B) component.
As a blending amount of the component (A) and the component (B), when the component (A) is 5% by mass or more and the component (B) is 95% by mass or less, the resin composition is easily formed into a film. Can do. On the other hand, when the component (A) is 80% by mass or less and the component (B) is 20% by mass or more, the (A) base polymer can be easily entangled and cured, and the pattern formability is improved. And the photocuring reaction proceeds sufficiently. From the above viewpoint, the blending amount of the component (A) and the component (B) is more preferably 10 to 85% by mass of the component (A) and 90 to 15% by mass of the component (B), and 20 to 70 of the component (A). More preferably, the content is 80% by mass and the component (B) is 80 to 30% by mass.
(C) It is preferable that the compounding quantity of a photoinitiator shall be 0.1-10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component. When the blending amount is 0.1 parts by mass or more, the photosensitivity is sufficient, while when it is 10 parts by mass or less, the absorption in the surface layer of the photosensitive resin composition does not increase during exposure, and the internal Is sufficiently cured. Furthermore, when used as a core layer to be described later, it is preferable that the light propagation loss does not increase due to the light absorption effect of the polymerization initiator itself. From the above viewpoint, the blending amount of the (C) photopolymerization initiator is more preferably 0.2 to 5 parts by mass.
In addition, if necessary, in the cladding layer forming resin, an antioxidant, an anti-yellowing agent, an ultraviolet absorber, a visible light absorber, a colorant, a plasticizer, a stabilizer, a filler, etc. You may add what is called an additive in the ratio which does not have a bad influence on the effect of this invention. Further, if the additive has luminescent properties, a luminescent cladding layer can also be obtained.
クラッド層形成用樹脂フィルムの製造過程で用いられるキャリアフィルムは、その材料については特に制限されるものではないが、例えば、FR−4基板、ポリイミド基板、半導体基板、シリコン基板やガラス基板等を用いることができ、可撓性があるフレキシブルな材質でも、非可撓性の固い材質のものであっても良い。
可撓性を有する素材の材料としては、特に限定されないが、柔軟性、強靭性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどが好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、5〜250μmであることが好ましい。5μm以上であると強靭性が得易いという利点があり、250μm以下であると十分な柔軟性が得られる。
ここで用いる溶媒としては、前記樹脂を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は30〜80質量%程度であることが好ましい。
The carrier film used in the production process of the resin film for forming the clad layer is not particularly limited in terms of material, but for example, an FR-4 substrate, a polyimide substrate, a semiconductor substrate, a silicon substrate, a glass substrate, or the like is used. It may be a flexible material with flexibility or a non-flexible hard material.
The material of the material having flexibility is not particularly limited, but from the viewpoint of having flexibility and toughness, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyethylene, polypropylene, polyamide, polycarbonate, Preferable examples include polyphenylene ether, polyether sulfide, polyarylate, liquid crystal polymer, polysulfone, polyether sulfone, polyether ether ketone, polyether imide, polyamide imide, and polyimide.
The thickness of the carrier film may be appropriately changed depending on the intended flexibility, but is preferably 5 to 250 μm. If it is 5 μm or more, there is an advantage that toughness is easily obtained, and if it is 250 μm or less, sufficient flexibility can be obtained.
The solvent used here is not particularly limited as long as it can dissolve the resin. For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylacetamide, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol A solvent such as monomethyl ether acetate, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or a mixed solvent thereof can be used. The solid content concentration in the resin solution is preferably about 30 to 80% by mass.
クラッド層の厚さに関しては、乾燥後の厚さで、5〜500μmの範囲が好ましい。5μm以上であると、光の閉じ込めに必要な厚さが確保でき、500μm以下であると、膜厚を均一に制御することが容易である。以上の観点から、クラッド層の厚さは、さらに10〜100μmの範囲であることがより好ましい。 Regarding the thickness of the cladding layer, the thickness after drying is preferably in the range of 5 to 500 μm. When the thickness is 5 μm or more, a thickness necessary for light confinement can be secured, and when the thickness is 500 μm or less, the film thickness can be easily controlled uniformly. From the above viewpoint, the thickness of the cladding layer is more preferably in the range of 10 to 100 μm.
また、クラッド層の厚さは、第1下部クラッド層2、第2下部クラッド層6、上部クラッド層5において、同一であっても異なってもよいが、コアパターン4を埋め込むために、上部クラッド層5の厚さは、コアパターン4の厚さよりも厚くすることが好ましい。
The thickness of the clad layer may be the same or different in the first lower
(パターニング方法)
第1下部クラッド層2のパターニング方法は、通常、第1下部クラッド層2をパターン露光し、次いで未硬化部分を現像除去することによって行われる。
露光方法は特に限定されるものはなく、露光部分がパターンとして残るネガ型や、未露光部分がパターンとして残るポジ型のどちらでも良く、使用するクラッド層形成用樹脂の性質によって決めて良い。
(Patterning method)
The patterning method for the first
The exposure method is not particularly limited, and may be either a negative type in which an exposed portion remains as a pattern or a positive type in which an unexposed portion remains as a pattern, and may be determined depending on the properties of the clad layer forming resin to be used.
<工程(B)>
工程(B)では、第1下部クラッド層2のパターン形状の開口部に配線パターン3を形成する。
配線パターン3の形成方法としては、上述のように、支持体1として基材1c上に第1金属箔1aを有するものを用いて、第1下部クラッド層2のパターン形状をレジストとしてパターンめっきを行う方法が好ましく用いられる。パターンめっきとしては、硫酸銅を用いた電気めっきが好ましく用いられる。
工程(A)及び工程(B)により、図1及び図2に示すように、第1下部クラッド層2の開口部に配線パターン3が埋め込まれ、配線パターン3が埋め込まれた第1下部クラッド層2の表面が平滑となるため、後述の工程(C)で形成されるコアパターン4は平坦性に優れる。
<Process (B)>
In the step (B), the
As a method for forming the
Through the step (A) and the step (B), as shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
<工程(B’)>
本発明の製造方法は、工程(B)と工程(C)との間に、さらに(B’)第2下部クラッド層6を形成する工程を有し、形成した第2下部クラッド層6上に工程(C)〜工程(E)を実施してもよい。
第2下部クラッド層6の形成方法は上述の第1下部クラッド層2の形成方法と同様である。第2下部クラッド層6を設ける場合、上述のように、コアパターン4の下面に下部クラッド層6が遍在するため、光伝搬損失の低損失化の観点で好ましい。
<Process (B ')>
The manufacturing method of the present invention further includes a step (B ′) of forming the second lower cladding layer 6 between the step (B) and the step (C), and on the formed second lower cladding layer 6. You may implement a process (C)-a process (E).
The method for forming the second lower cladding layer 6 is the same as the method for forming the first
<工程(C)>
工程(C)では、第1下部クラッド層2上にコアパターン4を形成する。
コアパターン4の形成方法は特に限定されず公知の方法によれば良く、例えば、第1下部クラッド層2上、あるいは第2下部クラッド層6上に、これらの層より屈折率の高いコア層を形成した後、上述のパターニング方法と同様にして形成することができる。
コアパターン4と接する第1下部クラッド層2又は第2下部クラッド層6は、コアパターン4との密着性の観点から、コアパターン4積層側の表面において段差がなく平坦であることが好ましい。また、クラッド層形成用樹脂フィルムを用いることにより、第1下部クラッド層2又は第2下部クラッド層6の表面平坦性を確保することができる。
<Process (C)>
In the step (C), the
The method for forming the
The first lower
第1下部クラッド層2上、あるいは第2下部クラッド層6上に積層するコア層の形成方法は特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂の塗布又はコア層形成用樹脂フィルムのラミネートにより形成すれば良い。
コア層形成用樹脂としては、コア層がクラッド層より高屈折率であるように設計され、活性光線によりコア層を形成し得る樹脂組成物を用いることができ、且つ下部クラッドからの発光波長によって硬化する感光性樹脂組成物、又は下部クラッドからの発光波長によって重合を開始させる光重合開始剤を含むコア層形成用樹脂が好適である。具体的には、前記クラッド層形成用樹脂で用いたのと同様の樹脂を用いることが好ましい。
塗布による場合には、方法は限定されず、前述のように樹脂を常法により塗布すれば良い。
The method of forming the core layer laminated on the first lower
As the resin for forming the core layer, a resin composition that is designed so that the core layer has a higher refractive index than that of the clad layer and can form the core layer with actinic rays can be used, and depending on the emission wavelength from the lower clad A photosensitive resin composition to be cured or a core layer forming resin containing a photopolymerization initiator that initiates polymerization by the emission wavelength from the lower clad is suitable. Specifically, it is preferable to use the same resin as that used for the cladding layer forming resin.
In the case of application, the method is not limited, and the resin may be applied by a conventional method as described above.
以下、ラミネートに用いるコア層形成用樹脂フィルムについて詳述する。
コア層形成用樹脂フィルムは、前記樹脂組成物を溶媒に溶解してキャリアフィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。ここで用いる溶媒としては、該樹脂組成物を溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、N−メチル−2−ピロリドン等の溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。樹脂溶液中の固形分濃度は、通常30〜80質量%であることが好ましい。
Hereinafter, the resin film for core layer formation used for lamination is explained in full detail.
The resin film for forming a core layer can be easily produced by dissolving the resin composition in a solvent, applying the resin composition on a carrier film, and removing the solvent. The solvent used here is not particularly limited as long as it can dissolve the resin composition. For example, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethyl A solvent such as acetamide, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, N-methyl-2-pyrrolidone, or a mixed solvent thereof can be used. It is preferable that the solid content concentration in the resin solution is usually 30 to 80% by mass.
コア層形成用樹脂フィルムの厚さについては特に限定されず、乾燥後のコア層の厚さが、通常は10〜100μmとなるように調整される。該フィルムの厚さが10μm以上であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバーとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、100μm以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバーとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。以上の観点から、該フィルムの厚さは、さらに30〜70μmの範囲であることが好ましい。 The thickness of the resin film for forming the core layer is not particularly limited, and the thickness of the core layer after drying is usually adjusted to be 10 to 100 μm. If the thickness of the film is 10 μm or more, there is an advantage that the alignment tolerance can be increased in the coupling with the light emitting / receiving element or the optical fiber after the optical waveguide is formed. In coupling with an element or an optical fiber, there is an advantage that coupling efficiency is improved. From the above viewpoint, the thickness of the film is preferably in the range of 30 to 70 μm.
コア層形成用樹脂の製造過程で用いるキャリアフィルムは、コア層形成用樹脂を支持するキャリアフィルムであって、その材料については特に限定されないが、(キャリアフィルム)の項目で前述したフィルム材が好適に挙げられる。また、コア層形成用樹脂を剥離することが容易であり、かつ、耐熱性及び耐溶剤性を有するとの観点から、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどが好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、5〜50μmであることが好ましい。5μm以上であると、キャリアフィルムとしての強度が得やすいという利点があり、50μm以下であると、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できるという利点がある。以上の観点から、キャリアフィルムの厚さは10〜40μmの範囲であることがより好ましく、15〜30μmであることが特に好ましい。
The carrier film used in the production process of the core layer forming resin is a carrier film that supports the core layer forming resin, and the material thereof is not particularly limited, but the film material described above in the item of (carrier film) is preferable. It is mentioned in. Moreover, polyesters, such as a polyethylene terephthalate, a polypropylene, polyethylene, etc. are mentioned suitably from the viewpoint that it is easy to peel resin for core layer formation, and has heat resistance and solvent resistance.
The thickness of the carrier film is preferably 5 to 50 μm. When it is 5 μm or more, there is an advantage that the strength as a carrier film is easily obtained, and when it is 50 μm or less, there is an advantage that a gap with the mask at the time of pattern formation becomes small and a finer pattern can be formed. From the above viewpoint, the thickness of the carrier film is more preferably in the range of 10 to 40 μm, and particularly preferably 15 to 30 μm.
本発明の製造方法においては、コア層及びクラッド層を複数層積層して多層構造を有する光電気複合基板を製造してもよい。 In the manufacturing method of the present invention, a photoelectric composite substrate having a multilayer structure may be manufactured by laminating a plurality of core layers and cladding layers.
<工程(D)>
工程(D)では、コアパターン4を覆うように上部クラッド層5を形成する。
上部クラッド層5の形成方法は特に限定されず、例えば、パターニング前の第1下部クラッド層2と同様の方法で形成すれば良い。
<Process (D)>
In the step (D), the upper clad
The method for forming the upper clad
<工程(E)>
工程(E)では、支持体1を除去して配線パターン3を露出させる。
支持体1が、第1金属箔1a、第2金属箔1b及び基材1cをこの順に有し、工程(E)が、下記工程(E−1)及び工程(E−2)を有すると、効率よく配線パターン3を露出させることができ、また、配線パターン3が抜け落ちるなどの問題が生じ難いため好ましい。
<Process (E)>
In the step (E), the
When the
<工程(E−1)>
工程(E−1)では、第1金属箔1aと第2金属箔1bとの界面で剥離して、第2金属箔1b及び基材1cを除去する。
第1金属箔1aと第2金属箔1bとの界面の剥離強度を調整して、この界面で物理的に剥離することで、剥離作業を容易に行うことができる。
<Process (E-1)>
At a process (E-1), it peels in the interface of the 1st metal foil 1a and the
By adjusting the peel strength at the interface between the first metal foil 1a and the
<工程(E−2)>
工程(E−2)では、第1金属箔1aを除去する。
第1金属箔1aを除去する方法としては、エッチングが好ましく用いられる。第1金属箔1aを除去することで配線パターン3が露出し、ここに各種部品を実装することが可能となる。
<Process (E-2)>
In the step (E-2), the first metal foil 1a is removed.
Etching is preferably used as a method for removing the first metal foil 1a. By removing the first metal foil 1a, the
以下に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。
実施例1
[支持体の作製]
第1銅箔(厚さ:3μm)、第2銅箔(厚さ:9μm)及び基材(FR−4、日立化成工業株式会社製、商品名:MCL−E−679F(b)、厚さ:0.6mm)をこの順に積層した支持体を準備した。第1銅箔の表面には、平均粗さ(Ra)0.08〜0.6μmの凹凸を予め設け、さらに第2銅箔と物理的な剥離が可能になるように、Cu−Ni−Mo合金からなる剥離層を形成した。
基材と第1銅箔及び第2銅箔とは、2枚の金属箔を基材に重ねて、熱プレスにより加熱・加圧して積層一体化し、支持体1を得た。
EXAMPLES The present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
Example 1
[Production of support]
First copper foil (thickness: 3 μm), second copper foil (thickness: 9 μm) and base material (FR-4, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: MCL-E-679F (b), thickness : 0.6 mm) was prepared in this order. On the surface of the first copper foil, irregularities having an average roughness (Ra) of 0.08 to 0.6 [mu] m are provided in advance, and Cu-Ni-Mo can be physically separated from the second copper foil. A release layer made of an alloy was formed.
The base material, the first copper foil, and the second copper foil were obtained by superimposing two metal foils on the base material, and heating and pressurizing them by hot pressing to laminate and integrate them to obtain a
[クラッド層形成用樹脂フィルムの作製]
(a)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)48質量部、(b)光重合性化合物として、アリサイクリックジエポキシカルボキシレート(商品名:KRM−2110、分子量:252、旭電化工業株式会社製)50質量部、(c)光重合開始剤として、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩(商品名:SP−170、旭電化工業株式会社製)2質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を広口のポリ瓶に秤量し、メカニカルスターラ、シャフト及びプロペラを用いて、温度25℃、回転数400rpmの条件で、6時間撹拌し、クラッド層形成用樹脂ワニスAを調合した。その後、孔径2μmのポリフロンフィルタ(商品名:PF020、アドバンテック東洋株式会社製)を用いて、温度25℃、圧力0.4MPaの条件で加圧濾過し、さらに真空ポンプ及びベルジャーを用いて減圧度50mmHgの条件で15分間減圧脱泡した。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスAを、ポリアミドフィルム(東レ(株)製、商品名「ミクトロン」、厚さ12μm)のコロナ処理面に塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、80℃、10分、その後100℃、10分で溶剤乾燥させクラッド層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで、任意に調整可能であり、ここでは硬化後の膜厚が70μmとなるように調節した。これにより、上部クラッド層5形成用樹脂フィルムを得た。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスAを、離型ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」という)フィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)上に塗工機(マルチコーターTM−MC、株式会社ヒラノテクシード製)を用いて塗布し、80℃、10分、その後100℃、10分で溶剤乾燥させ第1下部クラッド層2形成用樹脂フィルム及び第2下部クラッド層6形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚さは、塗工機のギャップを調節することで、任意に調整可能であり、ここでは硬化後の膜厚が15μmとなるように調節した。これにより第1下部クラッド層2形成用樹脂フィルム及び第2下部クラッド層6形成用樹脂フィルムを得た。
[Preparation of resin film for forming clad layer]
(A) As a base polymer, 48 parts by mass of a phenoxy resin (trade name: Phenototo YP-70, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), (b) As a photopolymerizable compound, an alicyclic diepoxycarboxylate (trade name: KRM) -2110, molecular weight: 252, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) 50 parts by mass, (c) As a photopolymerization initiator, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate salt (trade name: SP-170, manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) 2 parts by mass, 40 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate as an organic solvent are weighed in a wide-mouthed plastic bottle, and stirred for 6 hours under the conditions of a temperature of 25 ° C. and a rotation speed of 400 rpm using a mechanical stirrer, shaft and propeller. A clad layer forming resin varnish A was prepared. After that, using a polyflon filter (trade name: PF020, manufactured by Advantech Toyo Co., Ltd.) with a pore diameter of 2 μm, the mixture is filtered under pressure at a temperature of 25 ° C. and a pressure of 0.4 MPa, and further the degree of vacuum using a vacuum pump and a bell jar Degassed under reduced pressure for 15 minutes under the condition of 50 mmHg.
The coating varnish A for clad layer formation obtained above was applied to a corona-treated surface of a polyamide film (trade name “Mictron”, thickness 12 μm, manufactured by Toray Industries, Inc.) (Multicoater TM-MC, Inc. The resin film for clad layer formation was obtained by carrying out solvent drying at 80 ° C. for 10 minutes and then at 100 ° C. for 10 minutes. At this time, the thickness of the resin layer can be arbitrarily adjusted by adjusting the gap of the coating machine, and here, the thickness after curing was adjusted to be 70 μm. This obtained the resin film for upper clad
Coating the resin varnish A for forming a clad layer obtained above on a release polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as “PET”) film (trade name: Purex A31, Teijin DuPont Films, Inc., thickness: 25 μm) The resin film for forming the first lower
[コア層形成用樹脂フィルムの作製]
(a)ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂(商品名:フェノトートYP−70、東都化成株式会社製)26質量部、(b)光重合性化合物として、9,9−ビス[4−(2−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン(商品名:A−BPEF、新中村化学工業株式会社製)36質量部、及びビスフェノールA型エポキシアクリレート(商品名:EA−1020、新中村化学工業株式会社製)36質量部、(c)光重合開始剤として、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキサイド(商品名:イルガキュア819、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、及び1−[4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル]−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン(商品名:イルガキュア2959、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製)1質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40質量部を用いたこと以外は上記と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスBを調合した。その後、上記と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスBを、PETフィルム(商品名:コスモシャインA1517、東洋紡績株式会社製、厚さ:16μm)の非処理面上に、上記と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型PETフィルム(商品名:ピューレックスA31、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ:25μm)を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。ここでは硬化後の膜厚が50μmとなるよう、塗工機のギャップを調整した。
[Preparation of resin film for core layer formation]
(A) As a base polymer, 26 parts by mass of phenoxy resin (trade name: Phenototo YP-70, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.), (b) 9,9-bis [4- (2-acryloyl) as a photopolymerizable compound Oxyethoxy) phenyl] fluorene (trade name: A-BPEF, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 parts by mass, and bisphenol A type epoxy acrylate (trade name: EA-1020, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) 36 mass Parts, (c) 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide (trade name: Irgacure 819, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) as a photopolymerization initiator, and 1- [4 -(2-Hydroxyethoxy) phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one (trade name: yl Cure 2959, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.) A resin varnish B for forming a core layer was prepared by the same method and conditions as described above except that 1 part by mass and 40 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate as an organic solvent were used. . Thereafter, pressure filtration and degassing under reduced pressure were performed in the same manner and conditions as described above.
The core layer-forming resin varnish B obtained above is applied and dried in the same manner as described above on the non-treated surface of a PET film (trade name: Cosmo Shine A1517, manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness: 16 μm). Next, a release PET film (trade name: PUREX A31, Teijin DuPont Film Co., Ltd., thickness: 25 μm) is attached as a protective film so that the release surface is on the resin side, and a resin film for forming a core layer is attached. Obtained. Here, the gap of the coating machine was adjusted so that the film thickness after curing was 50 μm.
[工程(A)]
上記で得た第1下部クラッド層2形成用樹脂フィルムの樹脂面を、上記で得た支持体1の第1銅箔上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に、幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、第1下部クラッド層2形成用樹脂フィルム側から紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)にて紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2で照射し、次いで80℃で12分間露光後加熱を行った。その後、第1下部クラッド層2形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(シクロヘキサノン)を用いて、第1下部クラッド層2のパターン形状を現像した。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥した。
[Step (A)]
A roll laminator (HLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.) is used for the resin surface of the resin film for forming the first
[工程(B)]
第1銅箔上に残った第1下部クラッド層2のパターン形状をレジストとし、電気銅めっきを用いて、パターン形状の開口部に厚さ15μmの配線パターン3を形成し、第1下部クラッド層2と配線パターン3とを平滑とした。
[Step (B)]
The pattern shape of the first
[工程(C)]
配線パターン3が埋め込まれた第1下部クラッド層2上にコア層形成用樹脂フィルムの樹脂面をロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に、幅50μmのネガ型フォトマスクを介し、コア層形成用樹脂フィルム側から紫外線露光機(株式会社オーク製作所製、EXM−1172)にて紫外線(波長365nm)を0.8J/cm2照射し、次いで80℃で12分間露光後加熱を行った。その後、コア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるPETフィルムを剥離し、現像液(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/N,N−ジメチルアセトアミド=7/3、質量比)を用いて、コアパターン4を現像した。続いて、洗浄液(イソプロパノール)を用いて洗浄し、100℃で10分間加熱乾燥した。
[Step (C)]
Using a roll laminator (HLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.), the resin surface of the core layer forming resin film is placed on the first lower
[工程(D)]
上部クラッド層5形成用樹脂フィルムの樹脂面を、コアパターン4上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。次に上記紫外線露光機にて紫外線(波長365nm)を3.0J/cm2照射して上部クラッド層5を全面露光して光硬化し、次いで、160℃で1時間加熱処理することによって、上部クラッド層5を硬化させた。その後、上部クラッド層5形成用樹脂フィルムのキャリアフィルムであるポリアミドフィルムを剥離した。
[Step (D)]
The resin surface of the resin film for forming the
[工程(E−1)]
支持体1を第1銅箔と第2銅箔との界面で物理的に剥離し、第2銅箔及び基材を除去した。
[Step (E-1)]
The
[工程(E−2)]
第1銅箔をエッチングにより除去し、光電気複合基板を作製した。
得られた第1下部クラッド層の面内の厚みばらつきは、0.3μmであった。
[Step (E-2)]
The first copper foil was removed by etching to produce a photoelectric composite substrate.
The in-plane thickness variation of the obtained first lower cladding layer was 0.3 μm.
実施例2
工程(B)の後に、下記工程(B’)を実施し、形成された第2下部クラッド層6上に工程(C)〜工程(E−2)を行った以外は実施例1と同様にして光電気複合基板を作製した。
[工程(B’)]
上記で得た第2下部クラッド層6形成用樹脂フィルムの樹脂面を、配線パターン3が埋め込まれた第1下部クラッド層2上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。
得られた光導波路のコアパターンと電気配線パターンが交差する部分を5箇所有するコアパターンにおいて波長850nmにおける光損失を測定したところ0.9dB/10cmであった。
電極配線パターンと電気配線パターン上に形成された第2下部クラッド層の合計厚みと、電気配線パターンがない部分の第1下部クラッド層及び第2下部クラッド層の合計厚みの差は、0.4μmであった。
Example 2
After the step (B), the following step (B ′) is performed, and the steps (C) to (E-2) are performed on the formed second lower cladding layer 6 in the same manner as in the first example. Thus, a photoelectric composite substrate was produced.
[Step (B ′)]
A roll laminator (manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd., HLM-1500) is applied to the resin surface of the resin film for forming the second lower cladding layer 6 obtained above on the first
When the optical loss at a wavelength of 850 nm was measured in a core pattern having five portions where the core pattern and the electric wiring pattern of the obtained optical waveguide intersected, it was 0.9 dB / 10 cm.
The difference between the total thickness of the second lower cladding layer formed on the electrode wiring pattern and the electrical wiring pattern and the total thickness of the first lower cladding layer and the second lower cladding layer in a portion where there is no electrical wiring pattern is 0.4 μm. Met.
比較例1
実施例1において、ドライフィルムレジスト(商品名:フォテック、日立化成工業株式会社製)を用いて実施例1と同パターンの電気配線を形成した後に、該ドライフィルムレジストを剥離し、上記で得た30μmの下部クラッド層形成用フィルムの樹脂面を、配線パターン上にロールラミネータ(日立化成テクノプラント株式会社製、HLM−1500)を用い圧力0.4MPa、温度50℃、ラミネート速度0.2m/minの条件で、ラミネートした。その後、実施例1と同様にコアパターン及び上部クラッド層を形成した。
実施例2と同様に、得られた光導波路のコアパターンと電気配線パターンが交差する部分を5箇所有するコアパターンにおいて波長850nmにおける光損失を測定したところ1.5dB/10cmであった。
電極配線パターンと電気配線パターン上に形成された下部クラッド層の合計厚みと、電気配線パターンがない部分の下部クラッド層の厚みの差は、3.0μmであった。
Comparative Example 1
In Example 1, after forming an electrical wiring having the same pattern as Example 1 using a dry film resist (trade name: Photec, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), the dry film resist was peeled off and obtained above. Using a roll laminator (HLM-1500, manufactured by Hitachi Chemical Technoplant Co., Ltd.) on the wiring pattern, the resin surface of the 30 μm lower clad layer forming film is pressure 0.4 MPa, temperature 50 ° C., laminating speed 0.2 m / min. Lamination was performed under the following conditions. Thereafter, a core pattern and an upper clad layer were formed in the same manner as in Example 1.
Similarly to Example 2, when the optical loss at a wavelength of 850 nm was measured in a core pattern having five portions where the core pattern of the obtained optical waveguide and the electric wiring pattern intersected, it was 1.5 dB / 10 cm.
The difference between the total thickness of the lower clad layer formed on the electrode wiring pattern and the electric wiring pattern and the thickness of the lower clad layer in the portion without the electric wiring pattern was 3.0 μm.
本発明の製造方法により得られた光電気複合基板は、各種光学装置、光インタコネクション等の幅広い分野に適用可能である。 The optoelectric composite substrate obtained by the production method of the present invention can be applied to various fields such as various optical devices and optical interconnections.
1 支持体
1a 第1金属箔
1b 第2金属箔
1c 基材
2 第1下部クラッド層
3 配線パターン
4 コアパターン
5 上部クラッド層
6 第2下部クラッド層
10 光電気複合基板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010286733A JP5685925B2 (en) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010286733A JP5685925B2 (en) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012133239A JP2012133239A (en) | 2012-07-12 |
JP5685925B2 true JP5685925B2 (en) | 2015-03-18 |
Family
ID=46648886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010286733A Expired - Fee Related JP5685925B2 (en) | 2010-12-22 | 2010-12-22 | Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5685925B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018017973A (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 株式会社フジクラ | Wiring body and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310833A (en) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of electrical/optical wiring board |
JP4771924B2 (en) * | 2005-12-02 | 2011-09-14 | 京セラ株式会社 | Optical wiring board and method for manufacturing optical wiring module |
JP2007293239A (en) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Optical module |
JP5064109B2 (en) * | 2007-05-11 | 2012-10-31 | 新光電気工業株式会社 | Optical waveguide and method for manufacturing the same, and opto-electric hybrid board and method for manufacturing the same |
US7989148B2 (en) * | 2007-10-19 | 2011-08-02 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Method for forming photoelectric composite board |
KR100952478B1 (en) * | 2008-02-19 | 2010-04-13 | 삼성전기주식회사 | Printed Circuit Board and Manufacturing Method Thereof |
-
2010
- 2010-12-22 JP JP2010286733A patent/JP5685925B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012133239A (en) | 2012-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4265695B2 (en) | Flexible optical waveguide, manufacturing method thereof, and optical module | |
JP5035244B2 (en) | Opto-electric hybrid board | |
WO2012070585A1 (en) | Optical waveguide | |
JP2009258612A (en) | Method of manufacturing optoelectric composite board, optoelectric composite board manufactured thereby, and optoelectric composite module using the same | |
JP5293503B2 (en) | Manufacturing method of opto-electric flexible wiring board | |
JP5614018B2 (en) | Optical waveguide and optoelectric composite substrate manufacturing method, and optical waveguide and optoelectric composite substrate obtained thereby | |
JP5685926B2 (en) | Photoelectric composite substrate and manufacturing method thereof | |
JP5338410B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP5540505B2 (en) | Manufacturing method of photoelectric composite member | |
JP5573626B2 (en) | Manufacturing method of optical waveguide | |
JP5685925B2 (en) | Photoelectric composite substrate manufacturing method and photoelectric composite substrate obtained thereby | |
JP5446543B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP5754130B2 (en) | Photoelectric composite substrate and manufacturing method thereof | |
JP5195558B2 (en) | Manufacturing method of photoelectric composite member | |
JP2011221288A (en) | Method for manufacturing light waveguide and photo-electrical composite substrate, and light waveguide and photo-electrical composite substrate obtained by the same | |
WO2009119877A1 (en) | Method of manufacturing wiring board, method of manufacturing optoelectric composite member, and method of manufacturing optoelectric composite board | |
JP5870489B2 (en) | Optical waveguide, photoelectric composite substrate, optical waveguide manufacturing method, and photoelectric composite substrate manufacturing method | |
JP2009260231A (en) | Method of manufacturing photoelectric composite substrate, photoelectric composite substrate manufactured by the method, and photoelectric composite module using the same | |
JP5685924B2 (en) | Photoelectric composite substrate manufacturing method and optoelectric composite module manufacturing method | |
JP5447143B2 (en) | Flexible printed wiring board, optoelectric wiring board and manufacturing method thereof | |
JP2009258611A (en) | Method of manufacturing optoelectric composite board, optoelectric composite board manufactured thereby, and optoelectric composite module using the same | |
JP2010079058A (en) | Method of manufacturing opto-electro circuit board | |
JP2015179283A (en) | Optical waveguide, photo-electric composite substrate, manufacturing method of optical waveguide, and manufacturing method of photo-electric composite substrate | |
JP2012133118A (en) | Photoelectric composite substrate, method for manufacturing the same, and photoelectric composite module using the same | |
JP2010164656A (en) | Method of manufacturing light guide with mirror, and light guide with mirror |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150106 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5685925 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |