JP5684957B2 - 環状イオンガイド - Google Patents
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Description
本出願は、2011年10月14日に出願された米国仮特許出願第61/547,210号及び2011年10月5日に出願された英国特許出願第1117158.4号からの優先権及びこれらの利益を主張するものである。これら出願の内容全体は、参照により本明細書に組み込まれるものとする。
内部電極の第1の群と、
外部電極の第2の群と、
電極の第1及び第2の群の間に配列された環状イオン誘導領域と、
第1の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、並びに第2の異なる半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、イオンが環状イオン誘導領域内に閉じ込められるように、電極の第1及び第2の群にRF電圧を印加するよう配置かつ適合されたRF電圧装置と、を備える。
(a)環状イオン誘導領域内のイオンは、環状イオン誘導領域の全周の周りで自由に回転又は軌道に乗って回転することが好ましく、及び/又は、
(b)イオンは、半径方向に及びイオンガイド又はイオントラップの長手方向軸の双方に直交する接線方向で実質的に閉じ込められない又は拘束されないことが好ましく、及び/又は、
(c)イオンは、半径方向に及びイオンガイド又はイオントラップの長手方向軸の双方に直交する接線方向で、DCポテンシャル及び/又はFR擬ポテンシャルによって実質的に閉じ込められない又は拘束されないことが好ましく、及び/又は、
(d)イオンは、環状イオン誘導領域の環状区域全体を実質的に自由に占有することが好ましい。
(a)RF電圧は、(i)<100kHz;(ii)100〜200kHz;(iii)200〜300kHz;(iv)300〜400kHz;(v)400〜500kHz;(vi)0.5〜1.0MHz;(vii)1.0〜1.5MHz;(viii)1.5〜2.0MHz;(ix)2.0〜2.5MHz;(x)2.5〜3.0MHz;(xi)3.0〜3.5MHz;(xii)3.5〜4.0MHz;(xiii)4.0〜4.5MHz;(xiv)4.5〜5.0MHz;(xv)5.0〜5.5MHz;(xvi)5.5〜6.0MHz;(xvii)6.0〜6.5MHz;(xviii)6.5〜7.0MHz;(xix)7.0〜7.5MHz;(xx)7.5〜8.0MHz;(xxi)8.0〜8.5MHz;(xxii)8.5〜9.0MHz;(xxiii)9.0〜9.5MHz;(xxiv)9.5〜10.0MHz;及び(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される周波数を有し、及び/又は、
(b)RF電圧の振幅は、(i)<50Vのピークツーピーク;(ii)50〜100Vのピークツーピーク;(iii)100〜150Vのピークツーピーク;(iv)150〜200Vのピークツーピーク;(v)200〜300Vのピークツーピーク;(vi)300〜400Vのピークツーピーク;(vii)400〜500Vのピークツーピーク;(viii)500〜600Vのピークツーピーク;(ix)600〜700Vのピークツーピーク;(x)700〜800Vのピークツーピーク;(xi)800〜900Vのピークツーピーク;(xii)900〜1000Vのピークツーピーク;(xiii)1000〜1100Vのピークツーピーク;(xiv)1100〜1200Vのピークツーピーク;(xv)1200〜1300Vのピークツーピーク;(xvi)1300〜1400Vのピークツーピーク;(xvii)1400〜1500Vのピークツーピーク;及び(xviii)>1500Vのピークツーピークからなる群から選択される。
(i)実質的に同一の軸方向変位で配置された内部及び外部電極は、実質的に同一のDCポテンシャルで維持され、及び/又は
(ii)環状イオン誘導領域内の陽イオン及び/又は陰イオンは、内部電極に又は外部電極に半径方向で実質的に引き付けられない。
(i)1つ以上の平面電極又はシート電極、及び/又は、
(ii)電極の1つ以上の軸方向セグメント化円筒状配置、及び/又は、
(iii)電極の1つ以上の軸方向セグメント化円形円筒状配置、及び/又は
(iv)積層リングイオンガイド、を備える。
(a)外部電極の第2の群は、内部電極の第1の群よりも少数の又は多数の電極を具備するか、又は
(b)外部電極の第2の群は、内部電極の第1の群と同数の電極を具備する、のいずれかである。
内部電極の第1の群と、外部電極の第2の群と、電極の第1及び第2の群の間に配置された環状イオン誘導領域とを提供することと、
第1の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、並びに第2の異なる半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、イオンが環状イオン誘導領域内に閉じ込められるように、RF電圧を電極の第1及び第2の群に印加することと、を含む。
(a)(i)エレクトロスプレーイオン化(Electrospray ionisation 'ESI')イオン源;(ii)大気圧光イオン化(Atmospheric Pressure Photo Ionisation 'APPI')イオン源;(iii)大気圧化学イオン化(Atmospheric pressure Chemical Ionisation 'APCI')イオン源;(iv)マトリックス支援レーザー脱離イオン化(Matrix Assisted Laser Desorption Ionisation 'MALDI')イオン源;(v)レーザー脱離イオン化(Laser Desorption Ionisation 'LDI')イオン源;(vi)大気圧イオン化(Atmospheric Pressure Ionisation 'API')イオン源;(vii)シリコン上の脱離イオン化(Desorption Ionisation on Silicon 'DIOS')イオン源;(viii)電子衝撃(Electron Impact 'EI')イオン源;(ix)化学イオン化(Chemical Ionisation 'CI')イオン源;(x)電界イオン化(Field Ionisation 'FI')イオン源;(xi)電界脱離(Field Desorption 'FD')イオン源;(xii)誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma 'ICP')イオン源;(xiii)高速原子衝突(Fast Atom Bombardment 'FAB')イオン源;(xiv)液体二次イオン質量分析(Liquid Secondary Ion Mass Spectro metry 'LSIMS')イオン源;(xv)脱離エレクトロスプレーイオン化(Desorption Electrospray Ionisation 'DESI')イオン源;(xvi)ニッケル−63放射性イオン源;(xvii)大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源;(xviii)サーモスプレーイオン源;(xix)大気圧サンプリンググロー放電イオン化(Atmospheric Sampling Glow Discharge Ionisation 'ASGDI')イオン源;(xx)グロー放電(Glow Discharge 'GD')イオン源;及び(xxi)衝撃子イオン源からなる群から選択されるイオン源、及び/又は、
(b)1つ以上の連続イオン源又はパルスイオン源、及び/又は、
(c)1つ以上のイオンガイド、及び/又は、
(d)1つ以上のイオン移動度分離装置及び/又は1つ以上の電界非対称イオン移動度スペクトロメータ装置、及び/又は、
(e)1つ以上のイオントラップ又は1つ以上のイオン捕捉領域、及び/又は、
(f)(i)衝突誘導性解離(Collisional Induced Dissociation 'CID')フラグメント化装置;(ii)表面誘導性解離(Surface Induced Dissociation 'SID')フラグメント化装置;(iii)電子移動解離(Electron Transfer Dissociation 'ETD')フラグメント化装置;(iv)電子捕獲解離(Electron Capture Dissociation 'ECD')フラグメント化装置;(v)電子衝突又は衝撃解離フラグメント化装置;(vi)光誘導解離(Photo Induced Dissociation 'PID')フラグメント化装置;(vii)レーザー誘導性解離フラグメント化装置;(viii)赤外放射誘導性解離装置;(ix)紫外放射誘導性解離装置;(x)ノズル−スキマーインターフェースフラグメント化装置;(xi)インソースフラグメント化装置;(xii)インソース衝突誘導性解離フラグメント化装置;(xiii)熱源又は温度源フラグメント化装置;(xiv)電界誘起フラグメント化装置;(xv)磁界誘起フラグメント化装置;(xvi)酵素消化又は酵素分解フラグメント化装置;(xvii)イオン−イオン反応フラグメント化装置;(xviii)イオン−分子反応フラグメント化装置;(xix)イオン−原子反応フラグメント化装置;(xx)イオン−準安定イオン反応フラグメント化装置;(xxi)イオン−準安定分子反応フラグメント化装置;(xxii)イオン−準安定原子反応フラグメント化装置;(xxiii)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−イオン反応装置;(xxiv)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−分子反応装置;(xxv)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−原子反応装置;(xxvi)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−準安定イオン反応装置;(xxvii)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−準安定分子反応装置;(xxviii)イオンを反応させて付加物イオン又は生成物イオンを形成するためのイオン−準安定原子反応装置;及び(xxix)電子イオン化解離(Electron Ionisation Dissociation 'EID')フラグメント化装置からなる群から選択される衝突、フラグメント化又は反応セルと、及び/又は、
(g)(i)四重極質量分析器;(ii)2D又は線形四重極質量分析器;(iii)ポール又は3D四重極質量分析器;(iv)ペニングトラップ質量分析器;(v)イオントラップ質量分析器;(vi)磁場型質量分析器;(vii)イオンサイクロトロン共鳴(Ion Cyclotron Resonance 'ICR')質量分析器;(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(Fourier Transform Ion Cyclotron resonance 'FTICR')質量分析器;(ix)静電気又はオービトラップ質量分析器;(x)フーリエ変換静電気又はオービトラップ質量分析器;(xi)フーリエ変換質量分析器;(xii)飛行時間質量分析器;(xiii)直交加速飛行時間質量分析器;及び(xiv)線形加速飛行時間質量分析器からなる群から選択される質量分析器、及び/又は、
(h)1つ以上のエネルギー分析器又は静電エネルギー分析器、及び/又は、
(i)1つ以上のイオン検出器、及び/又は、
(j)(i)四重極質量フィルター;(ii)2D又は線形四重極イオントラップ;(iii)ポール又は3D四重極イオントラップ;(iv)ペニングイオントラップ;(v)イオントラップ;(vi)磁気セクタ質量フィルター;(vii)飛行時間質量フィルター;及び(viii)Weinフィルターからなる群から選択される1つ以上の質量フィルター、及び/又は、
(k)イオンをパルス化するための装置又はイオンゲート、及び/又は、
(l)実質的に連続するイオンビームをパルスイオンビームに変換するための装置、を更に備えてもよい。
(i)外部バレル様電極及び同軸内部スピンドル様電極を備えるC−トラップ及びオービトラップ(RTM)質量分析器であり、動作の第1のモードでは、イオンがC−トラップに透過され、次いでオービトラップ(RTM)質量分析器に注入され、動作の第2のモードでは、イオンはC−トラップに透過され、次いでその中で少なくともいくつかのイオンがフラグメントイオンにフラグメント化される衝突セル又は電子転送解離装置に透過され、次いで、このフラグメントイオンが、オービトラップ(RTM)質量分析器に注入される前にC−トラップに透過される、C−トラップ及びオービットラップ(RTM)質量分析器、及び/又は、
(ii)それぞれが、使用時にイオンがそれを通って透過される開口部を有する複数の電極を含む積層リングイオンガイドであり、電極の間隔は、イオンパスの長さに沿って増大し、イオンガイドの上流セクションにおける電極内の開口部は、第1の直径を有し、イオンガイドの下流セクションにおける電極内の開口部は、第1の直径よりも小さい第2の直径を有し、使用時に、AC又はRF電圧の逆位相が連続的に並ぶ電極に印加される、積層リングイオンガイド、のいずれかを更に備える。
Claims (37)
- イオンガイド又はイオントラップであって、
内部電極の第1の群と、
外部電極の第2の群と、
前記電極の第1及び第2の群の間に配置された環状イオン誘導領域と、
第1の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、並びに第2の異なる半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、イオンが前記環状イオン誘導領域内に閉じ込められるように、RF電圧を前記電極の第1及び第2の群に印加するよう配置かつ適合されたRF電圧装置と、を備え、
イオンが、半径方向に並びに前記イオンガイド又はイオントラップの長手方向軸の双方に直交する接線方向で実質的に閉じ込められず又は拘束されず、且つ、
イオンが前記イオンガイド又はイオントラップの一端部から前記イオンガイド又はイオントラップの別の端部に向かって移動させられるように、使用時に、1つ以上の過渡DC電圧又は1つ以上の過渡DC電圧波形が、前記内部電極の第1の群及び/又は前記外部電極の第2の群及び/又は1つ以上の追加の電極に印加される、イオンガイド又はイオントラップ。 - 前記第1の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁が、イオンが前記内部電極に向かって半径内方の方向で移動することを妨害するよう働く、請求項1に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記第2の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁が、イオンが前記外部電極に向かって半径外方の方向で移動することを妨害するよう働く、請求項1又は2に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- (a)前記環状イオン誘導領域内のイオンが、前記環状イオン誘導領域の全周の周りで自由に回転し又は周回することができ、及び/又は、
(b)イオンが、半径方向に並びに前記イオンガイド又はイオントラップの長手方向軸の双方に直交する接線方向で、DCポテンシャル及び/又はRF擬ポテンシャルによって閉じ込められず又は拘束されず、及び/又は
(c)イオンが、前記環状イオン誘導領域の前記環状区域全体を実質的に自由に占有することができる、請求項1、2又は3に記載のイオンガイド又はイオントラップ。 - 動作のモードにおいて、前記RF電圧装置が、前記RF電圧の異なる又は逆の位相を内部及び外部電極に印加するよう配置かつ適合され、前記内部及び外部電極が、(i)実質的に同一の軸変位で、及び/又は(ii)実質的に同一の平面で、及び/又は(iii)実質的に半径方向で互いに反対に配置されている、請求項1〜4のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 動作のモードにおいて、前記RF電圧装置が、前記RF電圧の前記同一位相を内部及び外部電極に印加するよう配置かつ適合され、前記内部及び外部電極が、(i)実質的に同一の軸変位で、及び/又は(ii)実質的に同一の平面で、及び/又は(iii)実質的に半径方向で互いに反対に配置されている、請求項1〜5のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記RF電圧装置が、前記RF電圧の異なる又は逆の位相を交互の又は軸方向で隣接する内部及び/又は外部電極に、若しくは内部及び/又は外部電極の交互の又は軸方向で隣接する部分群に印加するよう配置かつ適合されている、請求項1〜6のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記内部及び/又は外部電極の前記部分群が、少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9又は10個の電極を備える、請求項7に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 電極の各部分群における電極が、実質的に前記同一のDCポテンシャルで、及び/又は前記RF電圧の実質的に前記同一の位相で維持される、請求項7又は8に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- (a)前記RF電圧が、(i)<100kHz;(ii)100〜200kHz;(iii)200〜300kHz;(iv)300〜400kHz;(v)400〜500kHz;(vi)0.5〜1.0MHz;(vii)1.0〜1.5MHz;(viii)1.5〜2.0MHz;(ix)2.0〜2.5MHz;(x)2.5〜3.0MHz;(xi)3.0〜3.5MHz;(xii)3.5〜4.0MHz;(xiii)4.0〜4.5MHz;(xiv)4.5〜5.0MHz;(xv)5.0〜5.5MHz;(xvi)5.5〜6.0MHz;(xvii)6.0〜6.5MHz;(xviii)6.5〜7.0MHz;(xix)7.0〜7.5MHz;(xx)7.5〜8.0MHz;(xxi)8.0〜8.5MHz;(xxii)8.5〜9.0MHz;(xxiii)9.0〜9.5MHz;(xxiv)9.5〜10.0MHz;及び(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される周波数を有し、及び/又は、
(b)前記RF電圧の振幅が、(i)<50Vのピークツーピーク;(ii)50〜100Vのピークツーピーク;(iii)100〜150Vのピークツーピーク;(iv)150〜200Vのピークツーピーク;(v)200〜300Vのピークツーピーク;(vi)300〜400Vのピークツーピーク;(vii)400〜500Vのピークツーピーク;(viii)500〜600Vのピークツーピーク;(ix)600〜700Vのピークツーピーク;(x)700〜800Vのピークツーピーク;(xi)800〜900Vのピークツーピーク;(xii)900〜1000Vのピークツーピーク;(xiii)1000〜1100Vのピークツーピーク;(xiv)1100〜1200Vのピークツーピーク;(xv)1200〜1300Vのピークツーピーク;(xvi)1300〜1400Vのピークツーピーク;(xvii)1400〜1500Vのピークツーピーク;及び(xviii)>1500Vのピークツーピークからなる群から選択される、請求項1〜9のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。 - (i)実質的に同一軸方向変位で配置された内部及び外部電極が、前記同一のDCポテンシャルで維持され、及び/又は、
(ii)前記環状イオン誘導領域内の陽イオン及び/又は陰イオンが、前記内部電極又は前記外部電極のいずれかに半径方向で実質的に引き付けられない、請求項1〜10のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。 - 前記外部電極及び/又は前記内部電極が、
(i)1つ以上の平板又はシート電極、及び/又は
(ii)1つ以上の電極の軸方向セグメント化円筒状配置、及び/又は
(iii)1つ以上の電極の軸方向セグメント化円形円筒状配置、及び/又は
(iv)積層リングイオンガイド、を備える、請求項1〜11のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。 - 前記外部電極が、1つ以上の実質的に円形、楕円形又は多角形形状の開口部を備える、請求項1〜12のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記内部電極が、実質的に円形、楕円形又は多角形形状を備える、請求項1〜13のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記外部電極及び/又は前記内部電極が、1つ以上の棒電極を備える、請求項1〜14のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記1つ以上の棒電極が、実質的に円形又は双曲線状の断面を有する、請求項15に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- (a)前記外部電極の第2の群が、前記内部電極の第1の群よりも少ない又は多い数の電極を備えるか、又は、
(b)前記外部電極の第2の群が、前記内部電極の第1の群と同数の電極を備える、のいずれかである、請求項1〜16のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。 - 前記内部及び外部電極の間の前記環状イオン誘導領域の断面積が、(i)5〜10mm2;(ii)10〜20mm2;(iii)20〜30mm2;(iv)30〜40mm2;(v)30〜40mm2;(vi)40〜50mm2;(vii)50〜60mm2;(viii)60〜70mm2;(ix)70〜80mm2;(x)80〜90mm2;(xi)90〜100mm2;及び(xii)>100mm2からなる群から選択される、請求項1〜17のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記内部電極の第1の群が、前記外部電極の第2の群と実質的に同心である、請求項1〜18のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- (i)前記内部電極の第1の群が、前記外部電極の第2の群と実質的に同一の軸方向間隔で配置されるか、又は(ii)前記内部電極の第1の群が、前記外部電極の第2の群よりも、実質的に異なる、大きい又は小さい軸方向間隔で配置される、のいずれかである請求項1〜19のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 動作のモードにおいて、前記イオンガイド又はイオントラップが、(i)<1×10-7mbar;(ii)1×10-7〜1×10-6mbar;(iii)1×10-6〜1×10-5mbar;(iv)1×10-5〜1×10-4mbar;(v)1×10-4〜1×10-3mbar;(vi)0.001〜0.01mbar;(vii)0.01〜0.1mbar;(viii)0.1〜1mbar;(ix)1〜10mbar;(x)10〜100mbar;(xi)100〜1000mbar;又は(xii)>1000mbarからなる群から選択される圧力で維持される、請求項1〜20のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンを衝突冷却するために、前記環状イオン誘導領域に緩衝ガスを導入するよう配置かつ適合された装置を更に備える、請求項1〜21のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンを前記イオンガイド又はイオントラップの前記軸方向長さの少なくとも一部分に沿って促すために、静電気駆動力を前記内部電極の第1の群の少なくともいくつかに及び/又は前記外部電極の第2の群の少なくともいくつかに印加するよう配置かつ適合された装置を更に備える、請求項1〜22のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 使用時に、軸方向DCポテンシャル勾配が、前記イオンガイド又はイオントラップの軸方向長さの少なくとも一部分に沿って維持される、請求項1〜23のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記軸方向DCポテンシャル勾配が、(i)イオンが前記イオンガイド又はイオントラップを通過するにつれて時間と共に実質的に維持されるか、又は(ii)イオンが前記イオンガイド又はイオントラップを通過するにつれて時間とともに変化するかのいずれかである、請求項24に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 二次ポテンシャル又はその他のポテンシャル井戸を前記イオンガイド又はイオントラップの軸方向長さの少なくとも一部分に沿って維持するために、DC電圧を前記電極の第1の群に及び/又は前記電極の第2の群に及び/又は1つ以上の追加の電極に印加するよう配置かつ適合されたDC電圧装置を更に備える、請求項1〜25のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 共鳴的に、パラメータ的に又は自動共鳴的にイオンを射出するよう、若しくは前記イオンガイド又はイオントラップからの半径方向及び/又は軸方向における質量選択不安定性に起因してイオンを射出するよう配置かつ適合されている装置を更に備える、請求項1〜26のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンが、前記イオンガイド又はイオントラップから半径及び/又は軸方向で、前記イオンガイド又はイオントラップから質量選択的に又は質量電荷比選択的に射出される、請求項1〜27のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンが、それらの質量電荷比の順番で、又はそれらの質量電荷比の逆順で、前記イオンガイド又はイオントラップから質量又は質量電荷比選択的に射出される、請求項27又は28に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンが、前記イオンガイド又はイオントラップの前記軸方向長さに沿って、それらのイオン移動度又は質量若しくは質量電荷比に従って分離を引き起こされる、請求項1〜29のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記環状イオン誘導領域が、(i)前記イオンガイド又はイオントラップの前記長さに沿って、サイズ及び/又は形状が変化するか、又は(ii)前記イオンガイド又はイオントラップの前記長手方向長さに沿って変化し、増加又は減少する幅及び/又は高さ及び/又は直径及び/又は断面積を有する、のいずれかである、請求項1〜30のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記イオンガイド又はイオントラップが、線形、非線形、湾曲形、開ループ又は閉ループイオンガイド又はイオントラップを備える、請求項1〜31のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 前記イオンガイド又はイオントラップの上流で配置された入口電極及び/又は前記イオンガイドの下流で配置された出口電極を更に備える、請求項1〜32のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- イオンを前記イオンガイド又はイオントラップ内で軸方向に閉じ込めるために、1つ以上のDC及び/又はAC若しくはRF電圧が、前記入口電極及び/又は前記出口電極に印加される、請求項33に記載のイオンガイド又はイオントラップ。
- 請求項1〜34のいずれかに記載のイオンガイド又はイオントラップを備える質量分析計。
- イオンを誘導するための方法であって、
内部電極の第1の群と、外部電極の第2の群と、前記電極の第1及び第2の群の間に配置された環状イオン誘導領域とを提供することと、
第1の半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、並びに第2の異なる半径方向RF又は擬ポテンシャル障壁によって、イオンが前記環状イオン誘導領域内に閉じ込められるように、前記電極の第1及び第2の群にRF電圧を印加することと、ここでイオンは、半径方向に並びに前記イオンガイド又はイオントラップの長手方向軸の双方に直交する接線方向で実質的に閉じ込められず又は拘束されず、且つ、
イオンが前記イオンガイド又はイオントラップの一端部から前記イオンガイド又はイオントラップの別の端部に向かって移動させられるように、1つ以上の過渡DC電圧又は1つ以上の過渡DC電圧波形が、前記内部電極の第1の群及び/又は前記外部電極の第2の群及び/又は1つ以上の追加の電極に印加することと、を含む方法。 - 請求項36に記載されるイオンを誘導する方法を含む質量分析の方法。
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