JP5680916B2 - 電界効果トランジスタ及び電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
下記の手順にて、実施例1及び比較例1の電界効果トランジスタを作製した。作製した実施例1及び比較例1の電界効果トランジスタの模式図を図2及び3に示す。図2は、実施例1及び比較例1の電界効果トランジスタを模式的に示す平面図である。図3は、図2のA−A’線断面図である。
上記手順にて作製した実施例1及び比較例1の電界効果トランジスタのそれぞれについて、特性を測定した。測定には、半導体デバイスアナライザ(アジレント・テクノロジー株式会社製、B1500A型測定器)を用い、大気中(シールドボックス内)、室温にて、ドレイン電流Idのゲート電圧Vg依存性を計測した。その結果を、実施例1の電界効果トランジスタについては図5に、比較例1の電界効果トランジスタについては図6に、それぞれ示す。
μFE=gmW/(LCoxVd)
上記式において、gmはトランスコンダクタンス(=dId/dVg)、Coxはゲート絶縁膜の容量(実施例1:59nF/cm2、比較例1:11.5nF/cm2)、Vdはドレイン電流、Wはチャネル幅、Lはチャネル長である。
2 活性層
3 ゲート電極
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 ゲート絶縁膜
7 基板
Claims (6)
- ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が接合された活性層と、前記活性層及び前記ゲート電極の間にゲート絶縁膜と、を備え、
前記活性層が、MgとInのみを主成分とする複合酸化物であり、前記ゲート絶縁膜がY2O3である電界効果トランジスタ。 - 前記活性層におけるMgとInとの元素比率が0.4≦Mg/In≦0.6であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ。
- 前記活性層における複合酸化物がIn 2 MgO 4 であることを特徴とする請求項1または2に記載の電界効果トランジスタ。
- ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が接合された活性層と、前記活性層及び前記ゲート電極の間にY 2 O 3 からなるゲート絶縁膜と、を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を、MgとInのみを主成分とする複合酸化物を使用したパルスレーザー堆積法にて形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 前記複合酸化物におけるMgとInとの元素比率が0.4≦Mg/In≦0.6である請求項4に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
- 前記複合酸化物がIn 2 MgO 4 である請求項4または5に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
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