JP5650473B2 - 誘電材料の粒状不純物を有する超解像構造を備える光記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明の好ましい実施形態を以下に示す。
付記1.光記録媒体であって、
基板層(52)と、
前記基板層の上(2)に配置されたピット構造を有する読み出し専用データ層(52a)と、
カバー層(58)と、
前記データ層(52a)と前記カバー層(58)との間に配置された超解像構造を有する非線形層であって、前記超解像構造は、半導体材料と誘電材料(55)の粒状不純物とを備え、前記半導体材料は、レーザビームにより照射される時に増大した反射率を有し、前記誘電材料(55)は、5nm以下の厚さを有する誘電層(55)として配置された、非線形層と
を備えることを特徴とする光記録媒体。
付記2.前記非線形層は、
前記データ層(52a)より上に配置された超解像構造を有する第1の非線形層(54)と、
前記第1の非線形層(56)より上に配置された超解像構造を有する第2の非線形層(56)と
を備え、
前記誘電層(55)は、不均一厚さの層(55)として前記第1の非線形層(54)と前記第2の非線形層(56)との間に配置されたことを特徴とする付記1に記載の光記録媒体。
付記3.前記基板層(52)と前記第1の非線形層(54)との間に配置された第2の誘電層(53)と、前記カバー層(56)と前記第2の非線形層(56)との間に配置された第3の誘電層(57)とを備えることを特徴とする付記2に記載の光記録媒体。
付記4.前記第1の非線形層(54)および前記第2の非線形層(56)は、それぞれ10−40nmの範囲内における厚さを有し、前記第2の誘電層(53)は、40−100nmの範囲内における厚さを有し、前記第3の誘電層(57)は、20−80nmの範囲内における厚さを有することを特徴とする付記3に記載の光記録媒体。
付記5.非線形層(54、56)の両方は、同じ半導体材料を備え、または同じ半導体材料から構成されることを特徴とする付記2ないし4のいずれか1つに記載の光記録媒体。
付記6.前記データ層(52a)と前記第1の非線形層(54)または前記第1および2の非線形層(54、56)との間に配置された第2の誘電層(53)と、前記カバー層と前記第1の非線形層または前記第1および2の非線形層との間に配置された第3の誘電層(57)とを備えることを特徴とする付記1に記載の光記録媒体。
付記7.前記半導体材料は、III−V半導体族のうちの1つ、例えば、GaSb、または、InAsもしくはInSb等の1eV以下のバンドギャップを有するインジウム合金であることを特徴とする付記1ないし6のいずれか1つに記載の光記録媒体。
付記8.前記誘電材料(55)は、GeN等の窒化物材料を備え、またはGeN等の窒化物材料から構成されることを特徴とする付記1ないし7のいずれか1つに記載の光記録媒体。
付記9.前記誘電材料(55)は、材料GeNを備えることを特徴とする付記8に記載の光記録媒体。
付記10.前記光記録媒体は、光ディスクであることを特徴とする付記1ないし9のいずれか1つに記載の光記録媒体。
Claims (6)
- 光記録媒体であって、
基板層と、
前記基板層の上に配置されたピット構造を有する読み出し専用データ層と、
カバー層と、
前記データ層と前記カバー層との間に配置された超解像構造を有する非線形層であって、前記超解像構造は、半導体材料と誘電材料の粒状不純物とを備え、前記半導体材料は、レーザビームにより照射されるときに増大した反射率を有する、非線形層と、
を備え、
前記非線形層は、
前記データ層の上に配置された超解像構造を有する第1の非線形層と、前記第1の非線形層の上に配置された超解像構造を有する第2の非線形層と、を備え、前記第1の非線形層および前記第2の非線形層の両方は、同一の半導体材料により構成され、それぞれ10−40nmの範囲内における厚さを有し、
前記誘電材料は、5nm未満の厚さを有する不均一な厚さの誘電層として、前記第1の非線形層と前記第2の非線形層との間に配置される、前記光記録媒体。 - 前記基板層と前記第1の非線形層との間に配置された第2の誘電層と、前記カバー層と前記第2の非線形層との間に配置された第3の誘電層とを備える、請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記第2の誘電層は、40−100nmの範囲内における厚さを有し、前記第3の誘電層は、20−80nmの範囲内における厚さを有する、請求項2に記載の光記録媒体。
- 前記データ層と前記第1の非線形層および前記第2の非線形層との間に配置された第2の誘電層と、前記カバー層と前記第1の非線形層および前記第2の非線形層との間に配置された第3の誘電層とを備える、請求項1に記載の光記録媒体。
- 前記半導体材料は、III−V半導体族のうちの1つ、例えば、GaSb、または、InAsもしくはInSb等の1eV未満のバンドギャップを有するインジウム合金である、請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記誘電材料は、窒化物材料を備え、または窒化物材料から構成される、請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光記録媒体。
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