JP5649007B2 - 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
<In-Plane XRD>
・スリット系:1mmw×10mmh-SS 0.48°-0.1mmw×5mmh-(SPL)-Open-SS 0.41°-Open , Filter Open
・スキャン方式:2θχ/φ連続スキャン
・入射角:0.4°
・測定範囲/測定ステップ/スキャン速度:15°-80°, 0.1°, 2°/min
<Out-Plane XRD>
・スリット系:1mmw×10mmh- 1.0mmw×5mmh -(SPL)- 0.5mmw×5mmh - 1.0mmw , Filter Open
・スキャン方式 :2θχ/φ連続スキャン
・測定範囲/測定ステップ/スキャン速度:15°-85° , 0.1° , 10°/min
図10にIn-Plane XRDの結果を示す。標準粉末回折データと比較した結果、Cu立方晶の (111)、(200)、(220)の回折線が得られた。また、Cu2O立方晶による (111)、(200)、(220)、(311)の回折線も検出された。なお、検出されているSi;(111)、(220)、(311)、(400)とAu;(111)、(200)、(220)、(311)の回折線は、電子源素子の基板と表面電極に由来している。
・X線源:単結晶分光AlKα線
・X線出力:40W
・分析領域:φ200μm
・Pass Energy:Wide Scan−187.85eV(1.60eV/Step)
・ジオメトリ:θ=45°(θ:試料表面と検出器との角度)
・Ar+エッチング条件:加速電圧 1kV,raster size 2×2mm,intarval 0.5min/step レート 約2.0nm/min(SiO2の場合)
XPSによる深さ方向の分析結果を図12に示す。試料の作製後から分析機への搬入までの間の表面汚染の影響により、最表面においては一般の試料と同様にC、Sの信号が現れているものの、Cu層が明確に堆積している。深さ方向で減少しているOの信号は、試料を真空チャンバーに導入する際に取り込まれたH2OやO2の影響またはCuの自然酸化によると考えられる。
Claims (12)
- 背面電極を有する基板と、その基板上または基板の表面側部分に形成された電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層、さらにその電子ドリフト層、電子トンネル層、またはそれらを組み合わせた層上に形成された表面電極を備え、その表面電極に形成された所定形状の電子放出面から弾道電子または準弾道電子を液体または液相物質中に放出する電子源電極を用い、
対向電極および参照電極を設けないで、前記電子源電極を、形成すべき固体薄膜を構成する固体元素のイオンを含む溶液中に浸漬して動作させ、
前記電子源電極の電子放出面上に固体薄膜を形成することを特徴とする固体薄膜の形成方法。 - 前記電子源電極を、対向電極および参照電極なしにそれぞれ異なる固体元素イオンを含む異なる溶液に順次浸漬し、放出電子のエネルギーを各溶液中の固体元素イオンの還元電位に整合するように制御して単独駆動させ、前記電子源電極の電子放出面上に異種の固体薄膜を順次または周期的に積層形成することを特徴とする請求項1に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記固体元素イオンが金属イオンであることを特徴とする請求項1または2に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記金属イオンの固体薄膜形成により前記液体または液相物質中の前記金属イオンを除去し、前記液体または液相物質を清浄化させることを特徴とする請求項3に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記固体元素イオンが半導体イオンであることを特徴とする請求項1または2に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記半導体イオンの固体薄膜形成により前記液体または液相物質中の前記半導体イオンを除去し、前記液体または液相物質を清浄化させることを特徴とする請求項5に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極として、前記電子放出面がパターン化され、個別に駆動する電子源電極を用いることを特徴とする請求項1ないし6のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極として、表面電極および背面電極がそれぞれストライプ状に形成され、かつマトリクス状に配置され、単純マトリクス駆動する電子源電極を用いることを特徴とする請求項1ないし6のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極として、基板が、半導体基板または導電性基板である電子源電極を用いることを特徴とする請求項1ないし8のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極として、基板が、ガラス基板またはプラスチック基板である電子源電極を用いることを特徴とする請求項1ないし8のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極に光を照射する光照射手段を設け、前記光照射手段による光照射により発生電子量を制御して固体薄膜を形成することを特徴とする請求項1ないし10のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
- 前記電子源電極として、少なくとも表面電極の電子放出面が露出するように被覆材により被覆され、液体または液相物質と接する表面電極の電子放出面より弾道電子または準弾道電子を前記液体または液相物質中に放出する電子源電極を用いることを特徴とする請求項1ないし11のうちのいずれか一項に記載の固体薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010021463 | 2010-02-02 | ||
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JP2011552800A JP5649007B2 (ja) | 2010-02-02 | 2011-02-02 | 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法 |
PCT/JP2011/052157 WO2011096439A1 (ja) | 2010-02-02 | 2011-02-02 | 電子源電極を用いた固体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPWO2011096439A1 JPWO2011096439A1 (ja) | 2013-06-10 |
JP5649007B2 true JP5649007B2 (ja) | 2015-01-07 |
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JP (1) | JP5649007B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5914909B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2016-05-11 | 国立大学法人東京農工大学 | ナノクリスタルシリコン電子エミッタアレイ電子源の構造及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000283716A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Chuo Seiki Kk | 相対位置計測装置 |
JP2000328289A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電着膜形成方法、電極形成方法および電着膜形成装置 |
JP2005285380A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Quantum 14:Kk | ダイオード素子およびそれを用いた装置 |
JP2008098119A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 電子源電極とそれを用いた液中電子放出装置および水素発生方法 |
JP2009052130A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Primary:Kk | 電解技術を用いて、金属ゲルマニウムの薄膜を形成する方法 |
-
2011
- 2011-02-02 WO PCT/JP2011/052157 patent/WO2011096439A1/ja active Application Filing
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JP2000283716A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-13 | Chuo Seiki Kk | 相対位置計測装置 |
JP2000328289A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 電着膜形成方法、電極形成方法および電着膜形成装置 |
JP2005285380A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Quantum 14:Kk | ダイオード素子およびそれを用いた装置 |
JP2008098119A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 電子源電極とそれを用いた液中電子放出装置および水素発生方法 |
JP2009052130A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-03-12 | Primary:Kk | 電解技術を用いて、金属ゲルマニウムの薄膜を形成する方法 |
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JPWO2011096439A1 (ja) | 2013-06-10 |
WO2011096439A1 (ja) | 2011-08-11 |
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