JP5648079B2 - Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program - Google Patents

Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program Download PDF

Info

Publication number
JP5648079B2
JP5648079B2 JP2013052744A JP2013052744A JP5648079B2 JP 5648079 B2 JP5648079 B2 JP 5648079B2 JP 2013052744 A JP2013052744 A JP 2013052744A JP 2013052744 A JP2013052744 A JP 2013052744A JP 5648079 B2 JP5648079 B2 JP 5648079B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
treatment apparatus
abnormality detection
heating element
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013052744A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014178071A (en
Inventor
和博 石井
和博 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2013052744A priority Critical patent/JP5648079B2/en
Publication of JP2014178071A publication Critical patent/JP2014178071A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5648079B2 publication Critical patent/JP5648079B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、熱処理装置の異常検知装置及び異常検知方法に関する。   The present invention relates to an abnormality detection apparatus and an abnormality detection method for a heat treatment apparatus.

熱処理装置(例えば半導体製造装置)では、基板を加熱して処理(熱処理)するために、発熱体(ヒータなど)を用いるものがある。熱処理装置は、例えば処理室内に反応ガスを供給し、発熱体の発熱量を制御することによって処理室内に配置した複数の基板の熱処理を制御し、基板上に薄膜を形成する。   Some heat treatment apparatuses (for example, semiconductor manufacturing apparatuses) use a heating element (such as a heater) in order to heat (process) the substrate. The heat treatment apparatus, for example, supplies a reaction gas into the processing chamber and controls the heat treatment of a plurality of substrates arranged in the processing chamber by controlling the amount of heat generated by the heating element, thereby forming a thin film on the substrate.

特許文献1では、ヒータの断線(接続導体又は発熱体の故障)を予知するために、ヒータ(発熱体)の駆動電流波形を検出し、検出した駆動電流波形に基づきヒータの抵抗値を算出し、算出した抵抗値と抵抗値上昇の傾きとノイズ成分の振幅とに基づいてヒータの断線を予知(判定)する技術を開示している。   In Patent Document 1, in order to predict a disconnection of a heater (failure of a connection conductor or a heating element), a driving current waveform of the heater (heating element) is detected, and a resistance value of the heater is calculated based on the detected driving current waveform. Discloses a technique for predicting (determining) the disconnection of the heater based on the calculated resistance value, the slope of the resistance value increase, and the amplitude of the noise component.

特開2009−245978号公報JP 2009-245978 A

しかしながら、特許文献1に開示されている技術では、検出した駆動電流波形にノイズが多く含まれる場合に、ヒータの断線(接続導体又は発熱体の故障)を検知(又は予知)することができない場合がある。熱処理装置では、例えばプラズマ処理やその他の電気制御系を備えるため、ノイズ成分が多く含まれる場合がある。また、熱処理装置では、例えば処理室内の温度を高精度に制御するため、ヒータ(発熱体)に供給する電力(電流及び電圧)を変更する頻度が高く、駆動電流波形に含まれるノイズ成分を特定できない場合がある。更に、熱処理装置では、例えば加熱によってヒータ及び電気制御系の抵抗値が変化するため、ヒータの抵抗値に基づいてヒータの断線(接続導体又は発熱体の故障)を検知することができない場合がある。   However, in the technique disclosed in Patent Document 1, when the detected drive current waveform contains a lot of noise, it is impossible to detect (or predict) the disconnection of the heater (failure of the connection conductor or the heating element). There is. Since the heat treatment apparatus includes, for example, plasma processing and other electric control systems, there are cases where many noise components are included. In addition, in the heat treatment apparatus, for example, in order to control the temperature inside the processing chamber with high accuracy, the power (current and voltage) supplied to the heater (heating element) is frequently changed, and the noise component included in the drive current waveform is specified. There are cases where it is not possible. Further, in the heat treatment apparatus, for example, the resistance value of the heater and the electric control system changes due to heating, for example, so that the disconnection of the heater (failure of the connection conductor or the heating element) may not be detected based on the resistance value of the heater. .

本発明は、上記の事情に鑑み、発熱体に電力を供給する接続導体の温度を検出することによって、発熱体若しくは接続導体の異常又はその予兆を検知することができる熱処理装置の異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention provides an abnormality detection device for a heat treatment apparatus that can detect an abnormality of a heating element or a connection conductor or a sign thereof by detecting the temperature of a connection conductor that supplies power to the heating element. It aims at providing the heat processing apparatus or the abnormality detection method.

本発明の一の態様によれば、処理室内に配置した基板を発熱体を用いて熱処理する熱処理装置が備える異常検知装置であって、電源から出力した電力を前記発熱体に供給する接続導体と、前記接続導体の温度を検出する検出部と、前記検出部が検出した温度に基づいて、前記接続導体及び/又は前記発熱体の動作状態を判断する判断部とを有することを特徴とする熱処理装置の異常検知装置が提供される。また、温度の所定の許容範囲を予め記憶している記憶部を更に有し、前記判断部は、前記検出部が検出した温度が前記所定の許容範囲の範囲内か否かによって、前記動作状態が正常か又は異常か若しくは異常の予兆があるかを判断する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。前記検出部は、前記接続導体の表面温度を検出する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。前記判断部は、前記電源から出力した電力値を更に用いて、前記動作状態を判断する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。前記処理室内の複数の位置に夫々配置した複数の前記接続導体と、複数の前記接続導体の温度を夫々検出する複数の前記検出部とを有する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。前記判断部は、熱処理の開始時に、複数の前記接続導体が夫々検出した温度を互いに比較することによって、複数の該接続導体のうちの何れかが異常であるか否かを判断する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。前記検出部は、熱発電センサであり、前記熱発電センサは、熱電素子を用いて、該熱電素子が温度差に応じて発生させた起電力を出力し、前記判断部は、前記起電力に基づいて、前記動作状態を判断する、ことを特徴とする熱処理装置の異常検知装置であってもよい。更に、上記のいずれか一つの異常検知装置を備える熱処理装置であってもよい。   According to one aspect of the present invention, there is provided an abnormality detection device included in a heat treatment apparatus that heat-treats a substrate disposed in a processing chamber using a heating element, the connection conductor supplying power output from a power source to the heating element; A heat treatment comprising: a detection unit that detects a temperature of the connection conductor; and a determination unit that determines an operation state of the connection conductor and / or the heating element based on the temperature detected by the detection unit. An apparatus abnormality detection device is provided. The operation unit further includes a storage unit that stores a predetermined allowable range of temperature in advance, and the determination unit determines whether the temperature detected by the detection unit is within the predetermined allowable range. It may be an abnormality detection device for a heat treatment device, which determines whether is normal, abnormal, or a sign of abnormality. The detection unit may be an abnormality detection device for a heat treatment apparatus that detects a surface temperature of the connection conductor. The determination unit may be an abnormality detection device for a heat treatment apparatus, wherein the operation state is determined by further using a power value output from the power source. An abnormality detection apparatus for a heat treatment apparatus, comprising: a plurality of connection conductors arranged at a plurality of positions in the processing chamber; and a plurality of detection units that respectively detect temperatures of the plurality of connection conductors. There may be. The determination unit determines whether any of the plurality of connection conductors is abnormal by comparing the temperatures detected by the plurality of connection conductors with each other at the start of heat treatment. The abnormality detection apparatus of the heat processing apparatus characterized may be sufficient. The detection unit is a thermoelectric generation sensor, and the thermoelectric generation sensor uses a thermoelectric element to output an electromotive force generated by the thermoelectric element according to a temperature difference, and the determination unit outputs the electromotive force. The abnormality detection device of the heat treatment device may be characterized in that the operation state is determined based on the abnormality. Furthermore, the heat processing apparatus provided with any one said abnormality detection apparatus may be sufficient.

本発明の他の態様によれば、発熱体に電力を供給して前記発熱体を発熱させ、発熱させた前記発熱体を用いて処理室内に配置した基板を熱処理する熱処理装置の異常検知方法であって、電源から出力した電力を接続導体を介して前記発熱体に供給する電力供給ステップと、前記接続導体の温度を検出する検出ステップと、検出した温度に基づいて、前記接続導体及び/又は前記発熱体の動作状態を判断する判断ステップとを含むことを特徴とする熱処理装置の異常検知方法が提供される。また、前記熱処理装置の異常検知方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであってもよい。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for detecting an abnormality in a heat treatment apparatus that supplies power to a heating element to cause the heating element to generate heat and heat-treats a substrate disposed in a processing chamber using the generated heating element. A power supply step of supplying power output from a power source to the heating element via a connection conductor, a detection step of detecting a temperature of the connection conductor, and the connection conductor and / or based on the detected temperature A method of detecting an abnormality of the heat treatment apparatus, comprising: a determination step of determining an operating state of the heating element. Moreover, the program for making a computer perform the abnormality detection method of the said heat processing apparatus may be sufficient.

本発明に係る熱処理装置の異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、発熱体に電力を供給する接続導体の温度を検出することによって、発熱体又は接続導体の異常又はその予兆を検知することができる。   According to the abnormality detection device, heat treatment apparatus, or abnormality detection method of the heat treatment apparatus according to the present invention, the abnormality of the heating element or the connection conductor or its precursor is detected by detecting the temperature of the connection conductor that supplies power to the heating element. can do.

本発明の実施形態に係る熱処理装置を説明する概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view explaining the heat processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る熱処理装置の機能の一例を説明する機能ブロック図である。It is a functional block diagram explaining an example of the function of the heat processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る熱処理装置の判断部の動作の一例(検出した温度のみを用いる例)を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example (example using only detected temperature) of operation | movement of the judgment part of the heat processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る熱処理装置の判断部の動作の一例(電力値を更に用いる例)を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example (example which further uses an electric power value) of operation | movement of the judgment part of the heat processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施例に係る熱処理装置の要部の一例を説明する概略外観図である。It is a general | schematic external view explaining an example of the principal part of the heat processing apparatus which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る熱処理装置の検出部の検出結果の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the detection result of the detection part of the heat processing apparatus which concerns on the Example of this invention. 本発明の実施例に係る熱処理装置の検出部(熱発電センサ)の出力値の一例を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining an example of the output value of the detection part (thermoelectric generation sensor) of the heat processing apparatus which concerns on the Example of this invention. 比較例1に係る電源の電圧値を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the voltage value of the power supply which concerns on the comparative example 1. FIG. 比較例2に係る電源の電流値を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the electric current value of the power supply which concerns on the comparative example 2. FIG.

添付の図面を参照しながら、限定的でない例示の実施形態に係る熱処理装置の異常検知装置を用いて、本発明を説明する。本発明は、以下に説明する異常検知装置以外でも、熱処理装置の加熱手段(発熱体)に電力を供給する導体を含む部材の温度を検出して、加熱手段の動作状態(正常、異常若しくは異常の予兆、又は、経年劣化など)を検知するもの(装置、機器、ユニット、システムなど)であれば、いずれのものにも用いることができる。   The present invention will be described using an abnormality detection device for a heat treatment apparatus according to a non-limiting exemplary embodiment with reference to the accompanying drawings. In addition to the abnormality detection device described below, the present invention detects the temperature of a member including a conductor that supplies power to the heating means (heating element) of the heat treatment apparatus, and the operating state of the heating means (normal, abnormal or abnormal) Any device can be used as long as it can detect (such as a sign of aging or deterioration over time) (apparatus, device, unit, system, etc.).

なお、以後の説明において、添付の全図面の記載の同一又は対応する装置、部品又は部材には、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、特に説明しない限り、装置、部品若しくは部材間の限定的な関係を示すことを目的としない。したがって、具体的な相関関係は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定することができる。   In the following description, the same or corresponding devices, parts, or members described in all the attached drawings are denoted by the same or corresponding reference numerals, and redundant description is omitted. Also, the drawings are not intended to show a limited relationship between devices, parts or members unless specifically described. Accordingly, specific correlations can be determined by one skilled in the art in light of the following non-limiting embodiments.

本発明の一実施形態に係る熱処理装置を用いて、下記に示す順序で本発明を説明する。   The present invention will be described in the following order using a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

1.熱処理装置及び異常検知装置の構成
2.熱処理装置の機能
3.熱処理装置の異常検知方法の例
4.プログラム及び記録媒体
5.実施例
[熱処理装置及び異常検知装置の構成]
図1を用いて、本発明の実施形態に係る熱処理装置の構成を説明する。ここで、図1は、本実施形態に係る熱処理装置100の一例を説明する概略縦断面図である。
1. 1. Configuration of heat treatment apparatus and abnormality detection apparatus 2. Function of heat treatment equipment 3. Example of abnormality detection method for heat treatment equipment 4. Program and recording medium Example [Configuration of heat treatment apparatus and abnormality detection apparatus]
The configuration of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view for explaining an example of the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment.

図1に示すように、本実施形態に係る熱処理装置100は、基板Wを熱処理するために複数の基板Wを配置される処理室122を備える。処理室122は、反応管110と、マニホールド112と、を有する。   As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment includes a processing chamber 122 in which a plurality of substrates W are disposed in order to heat treat the substrates W. The processing chamber 122 includes a reaction tube 110 and a manifold 112.

反応管110は、内管110aと外管110bとからなる二重管である。マニホールド112は、金属性の円筒形状の部材である。反応管110は、マニホールド112の上部に配置されている。なお、反応管110は、内管110aと外管110bとに石英の管を用いることができる。   The reaction tube 110 is a double tube composed of an inner tube 110a and an outer tube 110b. The manifold 112 is a metallic cylindrical member. The reaction tube 110 is disposed on the top of the manifold 112. As the reaction tube 110, quartz tubes can be used for the inner tube 110a and the outer tube 110b.

内管110aは、上端に開口部を有する。また、内管110aは、マニホールド112に支持されている。外管110bは、天井板を有する。外管110bは、その下端がマニホールド112の上端に気密に接合されている。   The inner tube 110a has an opening at the upper end. The inner tube 110a is supported by the manifold 112. The outer tube 110b has a ceiling plate. The lower end of the outer tube 110 b is airtightly joined to the upper end of the manifold 112.

熱処理装置100は、反応管110内に、複数(例えば150枚)の基板(ウエハ)Wを配置している。ここで、熱処理装置100は、互いに所定の間隔をおいて、複数の基板Wを基板保持部材(ウエハボート)114に配置している。なお、基板保持部材114は、蓋体116上に、保温筒(断熱体)118を介して保持されている。   In the heat treatment apparatus 100, a plurality of (for example, 150) substrates (wafers) W are arranged in a reaction tube 110. Here, the heat treatment apparatus 100 arranges a plurality of substrates W on a substrate holding member (wafer boat) 114 at a predetermined interval. The substrate holding member 114 is held on the lid 116 via a heat insulating cylinder (heat insulator) 118.

蓋体116は、基板保持部材114を反応管110内に搬入又は搬出するためのボートエレベータ120上に搭載されている。熱処理装置100は、蓋体116が上限位置にあるときに、蓋体116を反応管110(処理室122)に気密に当接する。また、熱処理装置100は、蓋体116が下限位置にあるときに、基板保持部材114に基板Wを搬入(載置)若しくは搬出する。   The lid 116 is mounted on a boat elevator 120 for carrying the substrate holding member 114 into or out of the reaction tube 110. The heat treatment apparatus 100 brings the lid 116 into airtight contact with the reaction tube 110 (processing chamber 122) when the lid 116 is at the upper limit position. Further, the heat treatment apparatus 100 loads (places) or unloads the substrate W on the substrate holding member 114 when the lid body 116 is at the lower limit position.

マニホールド112には、ガス源から処理室122内に反応ガス(処理ガス)を供給するための複数のガス供給管が接続されている。ここで、反応ガスとは、例えばジクロルシラン、アンモニア、窒素ガスなどである。なお、図1では、一例として、3本のガス供給管140A、140B及び140Cを図示している。また、各ガス供給管140A、140B及び140Cは、ガス流量を調整するためのマスフローコントローラ(MFC)などの流量調整部142A、142B及び142Cが介装(接続)されている。   A plurality of gas supply pipes for supplying reaction gas (processing gas) from the gas source into the processing chamber 122 are connected to the manifold 112. Here, the reactive gas is, for example, dichlorosilane, ammonia, nitrogen gas, or the like. In FIG. 1, as an example, three gas supply pipes 140A, 140B, and 140C are illustrated. The gas supply pipes 140A, 140B, and 140C are provided with (connected to) flow rate adjusting units 142A, 142B, and 142C such as a mass flow controller (MFC) for adjusting the gas flow rate.

また、マニホールド112には、排気管150を介して、排気手段152が接続されている。熱処理装置100は、排気手段152を用いて、内管110aと外管110bとの間隙から反応管110内の気体を排気する。また、熱処理装置100は、流量調整部142A等及び排気手段152を用いて、反応管110内の圧力を調整する。   An exhaust unit 152 is connected to the manifold 112 through an exhaust pipe 150. The heat treatment apparatus 100 exhausts the gas in the reaction tube 110 from the gap between the inner tube 110 a and the outer tube 110 b using the exhaust unit 152. In addition, the heat treatment apparatus 100 adjusts the pressure in the reaction tube 110 using the flow rate adjusting unit 142A and the like and the exhaust unit 152.

なお、排気手段152は、例えばコンビネーションバルブ、バタフライバルブなどの各種バルブと真空ポンプから構成することができる。また、排気管150は、処理室122内の圧力をフィードバック制御するための圧力センサを備えてもよい。なお、圧力センサとして、外気圧の変化の影響を受けにくい絶対圧型を用いることが好ましい。   In addition, the exhaust means 152 can be comprised from various valves, such as a combination valve and a butterfly valve, and a vacuum pump, for example. In addition, the exhaust pipe 150 may include a pressure sensor for feedback control of the pressure in the processing chamber 122. As the pressure sensor, it is preferable to use an absolute pressure type that is not easily affected by changes in the external air pressure.

本実施形態に係る熱処理装置100は、反応管110の周囲に加熱手段10を備える。また、本実施形態に係る熱処理装置100は、加熱手段10の動作状態を検出するための検出手段20を備える。更に、本実施形態に係る熱処理装置100は、装置全体の動作を制御する制御手段30を備える。   The heat treatment apparatus 100 according to this embodiment includes a heating unit 10 around the reaction tube 110. Further, the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment includes a detection unit 20 for detecting the operating state of the heating unit 10. Furthermore, the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment includes a control unit 30 that controls the operation of the entire apparatus.

加熱手段10は、反応管110を加熱する手段である。加熱手段10は、電力を供給されることによって発熱する発熱体11(本実施形態では、図中の11a〜11e)と、発熱体11に供給する電力の供給源である電源12(本実施形態では、図中の12a〜12e)と、電源12と発熱体11とを電気的に接続する接続導体13(本実施形態では、図中の13a〜13e)と、を備える。加熱手段10は、後述する制御手段30によって電源12から供給される電力を制御され、接続導体13を用いて発熱体11に電力を供給され、発熱体11の発熱動作を制御される。   The heating means 10 is a means for heating the reaction tube 110. The heating means 10 includes a heating element 11 (in this embodiment, 11a to 11e in the figure) that generates heat when supplied with electric power, and a power source 12 (this embodiment) that is a supply source of electric power supplied to the heating element 11. Then, 12a to 12e in the figure) and a connection conductor 13 (13a to 13e in the figure in the present embodiment) for electrically connecting the power source 12 and the heating element 11 are provided. The heating means 10 is controlled in power supplied from the power source 12 by the control means 30 described later, supplied with power to the heating element 11 using the connecting conductor 13, and controlled in the heating operation of the heating element 11.

本実施形態に係る熱処理装置100は、加熱手段10として、5組の発熱体11a〜11eと、電源12a〜12eと、接続導体13a〜13eとを備える。すなわち、熱処理装置100は、反応管110の縦方向(垂直方向)に沿って、反応管110を5段の加熱ゾーンに分けて加熱し、その管内の温度を高精度に制御する。これにより、熱処理装置100は、処理室122内を5組の加熱ゾーンに分けて加熱することができるので、熱処理中の処理室122内の温度を均一に保つことができ、すべての基板Wに対して均一に熱処理することができる。なお、本発明を用いることができる熱処理装置100は、5組未満又は6組以上の発熱体、電源及び接続導体を備えてもよい。   The heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment includes five sets of heating elements 11a to 11e, power supplies 12a to 12e, and connection conductors 13a to 13e as the heating unit 10. That is, the heat treatment apparatus 100 heats the reaction tube 110 in five heating zones along the vertical direction (vertical direction) of the reaction tube 110, and controls the temperature in the tube with high accuracy. Thereby, the heat treatment apparatus 100 can heat the inside of the processing chamber 122 in five sets of heating zones, so that the temperature in the processing chamber 122 during the heat treatment can be kept uniform, and all the substrates W can be heated. On the other hand, it can heat-process uniformly. In addition, the heat processing apparatus 100 which can use this invention may be provided with less than 5 sets or 6 sets or more of heat generating bodies, a power supply, and a connection conductor.

発熱体11は、例えば鉄−タンタル−カーボン合金などの抵抗発熱体を用いることができる。熱処理装置100は、実施形態では、発熱体11として抵抗発熱体の素線を用いる。また、発熱体11は、その素線を反応管110の外周にコイル形状に巻き付けている。ここで、素線(発熱体11)は、接続導体13を介して電源12から電力を供給され、供給された電力値に応じて発熱する。なお、本発明に用いることができる発熱体11は、抵抗発熱体の素線に限定されるものではない。   As the heating element 11, for example, a resistance heating element such as an iron-tantalum-carbon alloy can be used. In the embodiment, the heat treatment apparatus 100 uses a resistance heating element wire as the heating element 11. Further, the heating element 11 has its strands wound around the outer periphery of the reaction tube 110 in a coil shape. Here, the element wire (heating element 11) is supplied with electric power from the power source 12 via the connection conductor 13, and generates heat according to the supplied electric power value. The heating element 11 that can be used in the present invention is not limited to the wire of the resistance heating element.

電源12は、後述する制御手段30から入力される制御信号(電源供給指示)に基づいて、電源12a乃至12eから発熱体11a乃至11eに電力を夫々供給する。すなわち、電源12は、発熱体11a乃至11eを供給した電力値に応じた発熱量で発熱させる。   The power supply 12 supplies power from the power supplies 12a to 12e to the heating elements 11a to 11e, respectively, based on a control signal (power supply instruction) input from the control means 30 described later. That is, the power source 12 generates heat with a heat generation amount corresponding to the power value supplied to the heating elements 11a to 11e.

接続導体13は、電線を含む接続部材(端子、ラインなど)である。接続導体13は、電源12から出力した電力を発熱体11に供給する。接続導体13は、本実施形態では、電源12a乃至12eから発熱体11a乃至11eに夫々電力を供給する接続導体13a乃至13eを有する。なお、接続導体13は、絶縁体などで被覆されている。   The connection conductor 13 is a connection member (terminal, line, etc.) including an electric wire. The connection conductor 13 supplies the power output from the power source 12 to the heating element 11. In the present embodiment, the connection conductor 13 includes connection conductors 13a to 13e that supply power from the power sources 12a to 12e to the heating elements 11a to 11e, respectively. The connection conductor 13 is covered with an insulator or the like.

検出手段20は、加熱手段10の動作状態を検出する手段である。検出手段20は、加熱手段10の動作状態として、接続導体13の温度を検出する。すなわち、検出手段20は、加熱手段10(発熱体11、接続導体13)の異常時の抵抗値の変化に伴う温度変化を検出する。検出手段20は、本実施形態では、接続導体13a乃至13eの表面温度を検出する検出部20a乃至20eを備える。   The detection means 20 is a means for detecting the operating state of the heating means 10. The detection means 20 detects the temperature of the connection conductor 13 as the operating state of the heating means 10. That is, the detection means 20 detects a temperature change accompanying a change in resistance value when the heating means 10 (the heating element 11 and the connection conductor 13) is abnormal. In this embodiment, the detection unit 20 includes detection units 20a to 20e that detect the surface temperatures of the connection conductors 13a to 13e.

また、検出手段20は、検出部20a乃至20eとして、熱発電センサを用いることができる。ここで、熱発電センサとは、熱電素子のゼーベック効果を用いて、熱電素子が温度差に応じて発生させた起電力(例えば後述する図7)を出力するセンサ(サーモジェネレータ、熱ジェネレータ、熱電変換モジュール、TEMPERATURE SWITCH(温度スイッチ(センサ)など)である。   Moreover, the detection means 20 can use a thermoelectric generation sensor as the detection units 20a to 20e. Here, the thermoelectric generation sensor is a sensor (thermogenerator, heat generator, thermoelectric generator) that outputs an electromotive force (for example, FIG. 7 described later) generated by the thermoelectric element according to a temperature difference using the Seebeck effect of the thermoelectric element. Conversion module, TEMPERATURE SWITCH (temperature switch (sensor), etc.).

検出手段20によれば、熱発電センサの起電力を取得することによって、接続導体13の温度(例えば表面温度)を検出することができる。また、検出手段20によれば、熱発電センサの自己発電機能を用いることによって、検出手段20を作動させるための電力を必要としない。すなわち、本発明の実施形態に係る熱処理装置100によれば、検出手段20に電源ケーブルを接続する必要がないため、特に複数の検出部を用いて複数の位置の温度を検出する場合に、複数の検出部の複数の電源ケーブルの配線を省略することができ、装置全体を小型化することができる。   According to the detection means 20, the temperature (for example, surface temperature) of the connection conductor 13 is detectable by acquiring the electromotive force of a thermoelectric generation sensor. Moreover, according to the detection means 20, the electric power for operating the detection means 20 is not required by using the self-power generation function of the thermoelectric generation sensor. That is, according to the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, since it is not necessary to connect a power cable to the detection means 20, a plurality of positions are detected particularly when detecting temperatures at a plurality of positions using a plurality of detection units. The wiring of the plurality of power cables of the detection unit can be omitted, and the entire apparatus can be miniaturized.

制御手段30は、熱処理装置100の各構成に動作を指示し、各構成の動作を制御する手段である。制御手段30は、本実施形態では、後述する図2で示すように、記憶部31と、判断部32と、加熱制御部33と、検出制御部34と、通信部35と、を有する。ここで、記憶部31とは、熱処理装置100の動作状態を記憶するものである。判断部32とは、熱処理装置100の加熱手段10の動作状態を判断するものである。加熱制御部33とは、加熱手段10の動作を制御するものである。検出制御部34とは、検出手段20の動作を制御するものである。通信部35とは、熱処理装置100外部と情報の入出力を制御するものである。   The control means 30 is a means for instructing each component of the heat treatment apparatus 100 to operate and controlling the operation of each component. In this embodiment, the control means 30 includes a storage unit 31, a determination unit 32, a heating control unit 33, a detection control unit 34, and a communication unit 35, as shown in FIG. Here, the storage unit 31 stores the operating state of the heat treatment apparatus 100. The determination unit 32 determines the operating state of the heating means 10 of the heat treatment apparatus 100. The heating control unit 33 controls the operation of the heating means 10. The detection control unit 34 controls the operation of the detection means 20. The communication unit 35 controls the input / output of information with the outside of the heat treatment apparatus 100.

制御手段30は、熱処理装置100が熱処理する動作(加熱手段10の加熱動作、ガス供給系の供給動作など)を制御する。また、制御手段30は、(例えば記憶部31に)予め記憶されているプログラム(制御プログラム、アプリケーション等)を用いて、熱処理装置100の動作を制御することができる。更に、制御手段30は、熱処理装置100外部から入力された情報等に基づいて、熱処理装置100の動作を制御してもよい。   The control means 30 controls the operation of the heat treatment apparatus 100 for heat treatment (heating operation of the heating means 10, supply operation of the gas supply system, etc.). Moreover, the control means 30 can control operation | movement of the heat processing apparatus 100 using the program (a control program, an application, etc.) stored beforehand (for example, in the memory | storage part 31). Further, the control means 30 may control the operation of the heat treatment apparatus 100 based on information input from the outside of the heat treatment apparatus 100 or the like.

制御手段30は、本実施形態では、記憶部31を用いて、加熱手段10の動作及び検出手段20の検出結果などを記憶する。また、制御手段30は、判断部32を用いて、検出手段20が検出した温度に基づいて、加熱手段10の動作状態を判断する。   In this embodiment, the control unit 30 stores the operation of the heating unit 10 and the detection result of the detection unit 20 using the storage unit 31. Further, the control unit 30 uses the determination unit 32 to determine the operating state of the heating unit 10 based on the temperature detected by the detection unit 20.

すなわち、本実施形態に係る熱処理装置100は、制御手段30(判断部32)を用いて、検出手段20(検出部20a等)が検出した温度に基づいて、接続導体13(13a等)及び/又は発熱体11(11a)の動作状態を判断する。また、熱処理装置100は、制御手段30(判断部32)及び検出手段20(検出部20a等)を接続導体13(13a等)及び/又は発熱体11(11a)の動作状態を判断する異常検知装置として機能させる。ここで、動作状態とは、正常な状態、又は、異常な状態若しくは異常の予兆がある状態(性能低下、劣化、不安定動作、経年変化など)をいう。   That is, the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment uses the control unit 30 (determination unit 32), and based on the temperature detected by the detection unit 20 (detection unit 20a, etc.), the connection conductor 13 (13a, etc.) and / or Alternatively, the operating state of the heating element 11 (11a) is determined. Further, the heat treatment apparatus 100 uses the control unit 30 (determination unit 32) and the detection unit 20 (determination unit 20a and the like) to detect abnormality of the operation state of the connection conductor 13 (13a and the like) and / or the heating element 11 (11a). To function as a device. Here, the operating state refers to a normal state, or an abnormal state or a state with a sign of abnormality (performance degradation, deterioration, unstable operation, secular change, etc.).

制御手段30の異常検知装置としての機能は、後述する[熱処理装置の機能]で説明する。なお、制御手段30は、公知の技術のCPU(Central Processing Unit)及びメモリ等を含む演算処理装置で構成してもよい。   The function of the control means 30 as an abnormality detection device will be described in [Function of heat treatment device] described later. Note that the control unit 30 may be configured by an arithmetic processing unit including a CPU (Central Processing Unit) of a known technique, a memory, and the like.

[熱処理装置の機能]
図2を用いて、熱処理装置100の機能の一例を説明する。ここで、図2は、本実施形態に係る熱処理装置100の異常検知機能の一例を説明する機能ブロック図である。
[Function of heat treatment equipment]
An example of the function of the heat treatment apparatus 100 will be described with reference to FIG. Here, FIG. 2 is a functional block diagram illustrating an example of the abnormality detection function of the heat treatment apparatus 100 according to the present embodiment.

図2に示すように、熱処理装置100は、熱処理開始時に、電力供給ステップとして、加熱制御部33(制御手段30)を用いて、加熱手段10の電源12(12a等)に「電源供給指示」を出力する。このとき、電源12(12a等)は、入力された「電源供給指示」に応じて、接続導体13(13a等)を介して、発熱体11(11a等)に電力を供給する。また、発熱体11(11a等)は、供給された電力を用いて、供給された電力値に基づいて発熱する。これにより、熱処理装置100は、反応管122の各加熱ゾーンを加熱することができ、反応管122内の基板Wの熱処理を開始することができる。   As shown in FIG. 2, the heat treatment apparatus 100 uses the heating control unit 33 (control means 30) as a power supply step at the start of heat treatment to “power supply instruction” to the power supply 12 (12 a or the like) of the heating means 10. Is output. At this time, the power supply 12 (12a, etc.) supplies power to the heating element 11 (11a, etc.) via the connection conductor 13 (13a, etc.) in accordance with the inputted “power supply instruction”. Further, the heating element 11 (11a and the like) generates heat based on the supplied power value using the supplied power. Thereby, the heat treatment apparatus 100 can heat each heating zone of the reaction tube 122 and can start the heat treatment of the substrate W in the reaction tube 122.

また、熱処理装置100は、熱処理開始時に、検出ステップとして、検出制御部34(制御手段30)を用いて、検出手段20(検出部20a等)に「温度検出指示」を出力する。このとき、検出手段20(20a等)は、入力された「温度検出指示」に応じて、接続導体13(13a等)の夫々の表面温度を検出する。ここで、熱処理装置100(検出手段20)は、検出部20a等に熱発電センサを用いることによって、ゼーベック効果で発生させた起電力を判断部32(制御手段30)に出力することができる。   Further, the heat treatment apparatus 100 outputs a “temperature detection instruction” to the detection means 20 (detection unit 20a, etc.) using the detection control unit 34 (control unit 30) as a detection step at the start of the heat treatment. At this time, the detection means 20 (20a etc.) detects the surface temperature of each of the connection conductors 13 (13a etc.) in accordance with the inputted “temperature detection instruction”. Here, the heat treatment apparatus 100 (detection unit 20) can output an electromotive force generated by the Seebeck effect to the determination unit 32 (control unit 30) by using a thermoelectric generation sensor for the detection unit 20a or the like.

更に、熱処理装置100は、熱処理開始時に、判断ステップとして、判断部32(制御手段30)を用いて、検出手段20から入力された起電力の値(電圧値又は電力値)に基づいて、接続導体13(13a等)の表面温度を検知することができる。また、熱処理装置100は、判断部32(制御手段30)を用いて、検知した複数の接続導体13a等の表面温度を互いに比較することによって、複数の接続導体13a等又は複数の発熱体11a等のうちの異常若しくは異常の予兆がある接続導体又は発熱体を特定(校正)することができる。判断部32(制御手段30)は、例えば検知した複数の表面温度において、表面温度が所定の許容範囲内にないものに対応する接続導体又は発熱体を故障していると判断してもよい。なお、判断部32(制御手段30)は、電源12(12a等)が発熱体11(11a等)に供給した電力値を更に用いて、動作状態(正常、異常、異常の予兆など)を判断してもよい。   Furthermore, the heat treatment apparatus 100 uses the determination unit 32 (control unit 30) as a determination step at the start of the heat treatment, based on the electromotive force value (voltage value or power value) input from the detection unit 20. The surface temperature of the conductor 13 (13a etc.) can be detected. Further, the heat treatment apparatus 100 uses the determination unit 32 (control unit 30) to compare the detected surface temperatures of the plurality of connection conductors 13a with each other, thereby the plurality of connection conductors 13a or the like or the plurality of heating elements 11a or the like. The connection conductor or the heating element having an abnormality or a sign of abnormality can be specified (calibrated). The determination unit 32 (the control unit 30) may determine that the connection conductor or the heating element corresponding to the detected surface temperature that does not fall within a predetermined allowable range has failed. The determination unit 32 (control unit 30) determines the operating state (normal, abnormal, predictive of abnormality, etc.) by further using the power value supplied from the power source 12 (12a, etc.) to the heating element 11 (11a, etc.). May be.

ここで、所定の許容範囲とは、加熱手段10、検出手段20又はその他熱処理装置100の仕様に対応する範囲とすることができる。また、所定の許容範囲とは、熱処理装置100の動作状態(加熱温度など)に基づいて定められる範囲とすることができる。更に、所定の許容範囲は、(記憶部31に記憶された)実験又は計算等によって予め定められた範囲とすることができる。   Here, the predetermined allowable range can be a range corresponding to the specifications of the heating means 10, the detection means 20, or other heat treatment apparatus 100. Further, the predetermined allowable range can be a range determined based on the operation state (heating temperature or the like) of the heat treatment apparatus 100. Furthermore, the predetermined allowable range can be a range determined in advance by experiments (stored in the storage unit 31) or calculation.

図2に示すように、熱処理装置100は、熱処理中に、加熱温度を制御するために、電力供給ステップとして、加熱制御部33(制御手段30)を用いて、加熱手段10の電源12(12a等)に「電源供給指示」を出力する。このとき、電源12(12a等)は、入力された「電源供給指示」に応じて、発熱体11(11a等)に供給する電力を制御される。これにより、熱処理装置100は、反応管122の各加熱ゾーンを加熱する温度を制御することができ、反応管122内の基板Wの熱処理を制御することができる。   As shown in FIG. 2, the heat treatment apparatus 100 uses a heating control unit 33 (control means 30) as a power supply step to control the heating temperature during the heat treatment, and uses the power supply 12 (12a) of the heating means 10 as a power supply step. Etc.) is output. At this time, the power supply 12 (12a, etc.) is controlled in power supplied to the heating element 11 (11a, etc.) in accordance with the inputted “power supply instruction”. Thereby, the heat treatment apparatus 100 can control the temperature at which each heating zone of the reaction tube 122 is heated, and can control the heat treatment of the substrate W in the reaction tube 122.

また、熱処理装置100は、熱処理中に、検出ステップとして、検出制御部34(制御手段30)を用いて、検出手段20(検出部20a等)に「温度検出指示」を出力する。このとき、検出手段20(20a等)は、入力された「温度検出指示」に応じて、接続導体13(13a等)の夫々の表面温度を検出する。なお、検出手段20は、「温度検出指示」が入力されない構成の場合でも、熱発電センサを用いて、発生した起電力を判断部32(制御手段30)に出力する構成であってもよい。   Further, during the heat treatment, the heat treatment apparatus 100 outputs a “temperature detection instruction” to the detection unit 20 (the detection unit 20a and the like) using the detection control unit 34 (control unit 30) as a detection step. At this time, the detection means 20 (20a etc.) detects the surface temperature of each of the connection conductors 13 (13a etc.) in accordance with the inputted “temperature detection instruction”. Note that the detection unit 20 may be configured to output the generated electromotive force to the determination unit 32 (control unit 30) using a thermoelectric generation sensor, even in the case where the “temperature detection instruction” is not input.

更に、熱処理装置100は、熱処理中に、判断ステップとして、判断部32(制御手段30)を用いて、検出手段20から入力された起電力の値(電圧値又は電力値)に基づいて、接続導体13(13a等)の表面温度を検知することができる。すなわち、熱処理装置100は、判断部32(制御手段30)を用いて、複数の接続導体13a等の表面温度をリアルタイムで検知する。これにより、熱処理装置100は、熱処理中に、接続導体13a等又は発熱体11a等において異常又は異常の予兆を示した場合に、判断部32(制御手段30)を用いて異常又はその予兆を検知することができる。なお、熱処理装置100は、異常又はその予兆を検知した場合に、所定の手順に従って、熱処理を中止する。   Further, the heat treatment apparatus 100 uses the determination unit 32 (control unit 30) as a determination step during the heat treatment, based on the electromotive force value (voltage value or power value) input from the detection unit 20. The surface temperature of the conductor 13 (13a etc.) can be detected. That is, the heat treatment apparatus 100 detects the surface temperatures of the plurality of connection conductors 13a and the like in real time using the determination unit 32 (control unit 30). Thereby, the heat treatment apparatus 100 detects an abnormality or its sign using the determination unit 32 (control means 30) when an abnormality or a sign of abnormality is shown in the connection conductor 13a or the like or the heating element 11a or the like during the heat treatment. can do. The heat treatment apparatus 100 stops the heat treatment according to a predetermined procedure when an abnormality or a sign thereof is detected.

図2に示すように、熱処理装置100は、記憶部31(制御手段30)を用いて、熱処理開始時及び熱処理中の加熱手段10の加熱動作、検出部20a等(検出手段20)の検出結果及び判断部32(制御手段30)の判断結果などを記憶する。また、熱処理装置100は、判断部32を用いて、記憶部31に記憶されている以前の検出結果又は判断結果に基づいて、加熱手段10の動作状態を判断してもよい。   As illustrated in FIG. 2, the heat treatment apparatus 100 uses the storage unit 31 (control unit 30) to detect the heating operation of the heating unit 10 at the start and during the heat treatment, the detection result of the detection unit 20a and the like (detection unit 20). And the determination result of the determination part 32 (control means 30) is memorize | stored. In addition, the heat treatment apparatus 100 may determine the operating state of the heating unit 10 based on the previous detection result or determination result stored in the storage unit 31 using the determination unit 32.

図2に示すように、熱処理装置100は、通信部35(制御手段30)を用いて、外部機器200(I/O213)と情報の入出力を行うことができる。ここで、熱処理装置100は、外部機器200(記憶手段212)を用いて、例えば加熱手段10の加熱動作、検出部20a等(検出手段20)の検出結果及び判断部32(制御手段30)の判断結果などを記憶又は監視してもよい。また、熱処理装置100は、外部機器200(コントローラ210等)の資源を用いて、判断部32等の制御手段30の処理の一部を実施してもよい。更に、本発明に係る熱処理装置100は、外部機器200の資源を用いて実現される熱処理システム(異常検知システム、異常監視システム)であってもよい。なお、熱処理装置100と外部機器200との情報の入出力は、有線及び/又は無線のネットワークを用いてもよい。   As shown in FIG. 2, the heat treatment apparatus 100 can input / output information to / from an external device 200 (I / O 213) using the communication unit 35 (control unit 30). Here, the heat treatment apparatus 100 uses the external device 200 (storage unit 212), for example, the heating operation of the heating unit 10, the detection result of the detection unit 20a and the like (detection unit 20), and the determination unit 32 (control unit 30). The determination result or the like may be stored or monitored. In addition, the heat treatment apparatus 100 may perform part of the processing of the control unit 30 such as the determination unit 32 using the resources of the external device 200 (the controller 210 or the like). Furthermore, the heat treatment apparatus 100 according to the present invention may be a heat treatment system (an abnormality detection system, an abnormality monitoring system) realized using resources of the external device 200. Note that information input / output between the heat treatment apparatus 100 and the external device 200 may be a wired and / or wireless network.

[熱処理装置の異常検知方法の例]
図3及び図4を用いて、本実施形態に係る熱処理装置100の異常検知方法の例を説明する。ここで、図3は、熱処理装置100の判断部32(図2)が、接続導体13(加熱手段10)の温度のみを用いて、動作状態(正常、異常、異常の予兆)を判断する異常検知方法の例である。図4は、熱処理装置100の判断部32が、電源12(加熱手段10)の出力した電力値を更に用いて、動作状態を判断する異常検知方法の例である。図4の左縦軸は温度、右縦軸は電力値、横軸は経過時間である。
[Example of abnormality detection method for heat treatment equipment]
The example of the abnormality detection method of the heat processing apparatus 100 which concerns on this embodiment is demonstrated using FIG.3 and FIG.4. Here, FIG. 3 illustrates an abnormality in which the determination unit 32 (FIG. 2) of the heat treatment apparatus 100 determines an operation state (normal, abnormal, or abnormal sign) using only the temperature of the connection conductor 13 (heating means 10). It is an example of a detection method. FIG. 4 is an example of an abnormality detection method in which the determination unit 32 of the heat treatment apparatus 100 further uses the power value output from the power supply 12 (heating means 10) to determine the operating state. In FIG. 4, the left vertical axis represents temperature, the right vertical axis represents power value, and the horizontal axis represents elapsed time.

なお、図3及び図4に示す異常検知方法は一例であり、本発明は以下に示す異常検知方法に限定されるものではない。すなわち、熱処理装置100の加熱手段10(発熱体11)に電力を供給する接続導体13(を含む部材)の温度を検出して、検出した温度に基づいて加熱手段10の動作状態(正常、又は、異常若しくは異常の予兆など)を検知するいずれの方法にも、本発明を用いることができる。   Note that the abnormality detection method illustrated in FIGS. 3 and 4 is an example, and the present invention is not limited to the abnormality detection method described below. That is, the temperature of the connecting conductor 13 (including the member) that supplies power to the heating unit 10 (heating element 11) of the heat treatment apparatus 100 is detected, and the operating state (normal or normal) of the heating unit 10 is detected based on the detected temperature. The present invention can be used for any method for detecting an abnormality or a sign of abnormality).

図3に示すように、熱処理装置100は、熱処理中(電源12の電源出力率60%)のケース1、ケース2及びケース3について、判断部32(制御手段30)を用いて、検出温度(接続導体13の温度)T1、T2及びT3と基準温度Toとを比較することによって、加熱手段10の動作状態を判断する。   As shown in FIG. 3, the heat treatment apparatus 100 uses the determination unit 32 (control unit 30) to detect the detected temperature (for the case 1, the case 2, and the case 3 during the heat treatment (the power output rate of the power supply 12 is 60%). The operating state of the heating means 10 is determined by comparing the temperatures T1, T2 and T3 of the connecting conductor 13 with the reference temperature To.

具体的には、判断部32は、ケース1の場合に、検出温度T1が基準温度Toより2度大きいため、偏差を+2度と判断する。このとき、判断部32は、図に示すように例えば許容値±5度としている。これにより、判断部32は、ケース1の偏差が許容値の範囲内であるため、加熱手段10の動作状態を「正常」と判断することができる。   Specifically, in the case 1, the determination unit 32 determines that the deviation is +2 degrees because the detected temperature T <b> 1 is 2 degrees larger than the reference temperature To. At this time, the determination unit 32 sets, for example, an allowable value ± 5 degrees as shown in the figure. Accordingly, the determination unit 32 can determine that the operating state of the heating unit 10 is “normal” because the deviation of the case 1 is within the allowable range.

一方、判断部32は、ケース2の場合に、検出温度T2が基準温度Toより10度小さいため、偏差を−10度と判断する。このとき、判断部32は、ケース2の偏差が許容値の範囲外であるため、加熱手段10の動作状態を「異常」と判断することができる。また、判断部32は、ケース3の場合も同様に、加熱手段10の動作状態を「異常」と判断することができる。   On the other hand, in the case 2, the determination unit 32 determines that the deviation is −10 degrees because the detected temperature T <b> 2 is 10 degrees lower than the reference temperature To. At this time, the determination unit 32 can determine that the operating state of the heating unit 10 is “abnormal” because the deviation of the case 2 is out of the allowable range. Similarly, in the case 3, the determination unit 32 can determine that the operating state of the heating unit 10 is “abnormal”.

図4に示すように、熱処理装置100は、熱処理中に検出した温度変化T2a、T3aについて、判断部32(制御手段30)を用いて、基準温度変化Toaと比較することによって、加熱手段10の動作状態を判断する。また、熱処理装置100は、熱処理中に電源12が出力する電力値の変化Pinを更に用いて、加熱手段10の動作状態を判断する。   As shown in FIG. 4, the heat treatment apparatus 100 compares the temperature changes T2a and T3a detected during the heat treatment with the reference temperature change Toa using the determination unit 32 (control means 30). Determine the operating state. Further, the heat treatment apparatus 100 determines the operating state of the heating means 10 by further using the change Pin of the power value output from the power source 12 during the heat treatment.

具体的には、判断部32は、温度変化T2aの場合に、基準温度変化Toaと比較して、図に示す差分D2a、D2b、D2cが不規則に発生するため、加熱手段10の動作状態を「異常の予兆がある」(又は「異常」)と判断することができる。一方、判断部32は、温度変化T3aの場合に、基準温度変化Toaと比較して、図に示す時系列的に一定の差分D3aが発生するため、加熱手段10の動作状態を「正常」と判断することができる。なお、判断部32は、一定の差分が発生する場合でも、その差分の絶対値が所定の閾値より大きいときに、加熱手段10の動作状態を「異常」と判断してもよい。   Specifically, in the case of the temperature change T2a, the determination unit 32 irregularly generates the differences D2a, D2b, and D2c shown in the figure as compared with the reference temperature change Toa. It can be determined that “there is a sign of abnormality” (or “abnormal”). On the other hand, in the case of the temperature change T3a, the determination unit 32 generates a constant difference D3a in time series as shown in the figure as compared with the reference temperature change Toa. Judgment can be made. Note that the determination unit 32 may determine that the operating state of the heating unit 10 is “abnormal” even when a certain difference occurs when the absolute value of the difference is greater than a predetermined threshold.

更に、判断部32は、温度変化T2a若しくはT3aと電力値の変化Pinとを比較することによって、加熱手段10の動作状態を判断してもよい。判断部32は、電力値の変化Pinに追従して温度変化が発生しない場合に、加熱手段10の動作状態を「異常」と判断してもよい。   Further, the determination unit 32 may determine the operating state of the heating unit 10 by comparing the temperature change T2a or T3a with the power value change Pin. The determination unit 32 may determine that the operating state of the heating unit 10 is “abnormal” when a temperature change does not occur following the power value change Pin.

[プログラム及び記録媒体]
本発明のプログラムPrは、発熱体に電力を供給して前記発熱体を発熱させ、発熱させた前記発熱体を用いて処理室内に配置した基板を熱処理する熱処理装置の異常検知方法であって、電源から出力した電力を接続導体を介して前記発熱体に供給する電力供給ステップと、前記接続導体の温度を検出する検出ステップと、検出した温度に基づいて、前記接続導体及び/又は前記発熱体の動作状態を判断する判断ステップとを含むことを特徴とする熱処理装置の異常検知方法を実行する。これによれば、本発明の実施形態に係る熱処理装置の100と同等の効果が得られる。
[Program and recording medium]
The program Pr of the present invention is a method for detecting an abnormality in a heat treatment apparatus that supplies power to a heating element to cause the heating element to generate heat and heat-treats a substrate disposed in a processing chamber using the generated heating element. A power supply step of supplying power output from a power source to the heating element via a connection conductor; a detection step of detecting a temperature of the connection conductor; and the connection conductor and / or the heating element based on the detected temperature The abnormality detection method of the heat processing apparatus characterized by including the determination step which determines the operation state of this is performed. According to this, an effect equivalent to 100 of the heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention can be obtained.

また、本発明は、上記プログラムPrを記録したコンピュータによって読み取り可能な記録媒体Mdとしてもよい。上記プログラムPrを記録した記録媒体Mdは、フレキシブルディスク(FD)、CD−ROM(Compact Disk−ROM)、CD−R(CD Recordable)、DVD(Digital Versatile Disk)及びその他コンピュータ読み取り可能な媒体、並びに、フラッシュメモリ、RAM、ROM等の半導体メモリ、メモリカード、HDD(Hard Disc Drive)及びその他コンピュータ読み取り可能なものを用いることができる。また、上記プログラムPrを記録した記録媒体Mdを図2に示す外部機器200のドライブ214に媒体214aとして配置して、ドライブ214でプログラムPrを読み込み、通信部213及び34を介して、熱処理装置100にインストールしてもよい。   Further, the present invention may be a recording medium Md that can be read by a computer in which the program Pr is recorded. The recording medium Md on which the program Pr is recorded includes a flexible disk (FD), a CD-ROM (Compact Disk-ROM), a CD-R (CD Recordable), a DVD (Digital Versatile Disk), and other computer-readable media, and A semiconductor memory such as a flash memory, a RAM, and a ROM, a memory card, an HDD (Hard Disc Drive), and other computer-readable devices can be used. Further, the recording medium Md on which the program Pr is recorded is arranged as the medium 214a in the drive 214 of the external device 200 shown in FIG. 2, the program Pr is read by the drive 214, and the heat treatment apparatus 100 is connected via the communication units 213 and 34. You may install it on

なお、上記プログラムPrを記録した記録媒体Mdには、ネットワークを介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリに一時的に保持しているものも含むものとする。ここで、ネットワークとは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を含む。また、揮発性メモリとは、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)である。更に、記録媒体Mdに記録された上記プログラムPrには、コンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで機能を実現する所謂差分ファイルであってもよい。   Note that the recording medium Md on which the program Pr is recorded includes a medium temporarily stored in a volatile memory inside a computer system that becomes a server or a client when the program is transmitted via a network. Here, the network includes a network such as the Internet and a communication line such as a telephone line. The volatile memory is, for example, a DRAM (Dynamic Random Access Memory). Furthermore, the program Pr recorded on the recording medium Md may be a so-called difference file that realizes a function in combination with a program already recorded on the computer system.

以上のとおり、本発明の実施形態に係る異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、発熱体11に電力を供給する接続導体13の温度(加熱手段10の異常時の抵抗値の変化に伴う温度変化)を検出することによって、発熱体11若しくは接続導体13の異常又はその予兆を検知することができる。また、本実施形態に係る異常検知装置等によれば、接続導体13の温度に基づいて加熱手段10(発熱体11等)の動作状態を判断することができるので、加熱手段10の故障が起きる前に加熱手段10をメンテナンス(取り換え等)することができる。更に、本実施形態に係る異常検知装置等によれば、加熱手段10の故障が起きる前に加熱手段10をメンテナンス(取り換え等)することができるので、熱処理中に加熱手段10の異常が発生し、熱処理中の複数の基板を廃棄しなければいけない状態を回避することができる。すなわち、本発明の実施形態に係る異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、熱処理中に加熱手段10に異常が発生したことによる処理中の複数の基板の廃棄を回避することができるので、基板処理に要するコストを大幅に削減することができる。また、本発明の実施形態に係る異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、検知した加熱手段10の動作状態に基づいて、熱処理装置(加熱手段10)の保守・管理を計画的且つ効率的に行うことができる。   As described above, according to the abnormality detection device, the heat treatment device, or the abnormality detection method according to the embodiment of the present invention, the temperature of the connection conductor 13 that supplies power to the heating element 11 (change in the resistance value when the heating means 10 is abnormal). By detecting the temperature change associated with (1), it is possible to detect an abnormality of the heating element 11 or the connection conductor 13 or a sign of the abnormality. Further, according to the abnormality detection device and the like according to the present embodiment, the operating state of the heating unit 10 (the heating element 11 and the like) can be determined based on the temperature of the connection conductor 13, and thus the heating unit 10 fails. The heating means 10 can be maintained (replaced etc.) before. Furthermore, according to the abnormality detection device and the like according to the present embodiment, the heating unit 10 can be maintained (replaced etc.) before the failure of the heating unit 10, so that the abnormality of the heating unit 10 occurs during the heat treatment. In addition, it is possible to avoid a state in which a plurality of substrates during heat treatment must be discarded. That is, according to the abnormality detection apparatus, the heat treatment apparatus, or the abnormality detection method according to the embodiment of the present invention, it is possible to avoid discarding a plurality of substrates being processed due to an abnormality occurring in the heating means 10 during the heat treatment. Therefore, the cost required for substrate processing can be greatly reduced. Further, according to the abnormality detection device, the heat treatment apparatus, or the abnormality detection method according to the embodiment of the present invention, the maintenance and management of the heat treatment apparatus (heating means 10) is planned and performed based on the detected operating state of the heating means 10. Can be done efficiently.

また、本発明の実施形態に係る異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、発熱体11に電力を供給する接続導体13の温度を検出することによって、熱処理開始時及び熱処理中に、ノイズ及び電力制御の影響を受けることなく、加熱手段10の動作状態(正常、異常若しくは異常の予兆など)を高精度に検知(又は校正)することができる。また、また、本実施形態に係る異常検知装置等によれば、発熱体11に電力を供給する接続導体13の温度を検出するので、接続導体13等の微小な抵抗値の変化を検出することができる。すなわち、本実施形態に係る異常検知装置等によれば、接続導体13等の微小な抵抗値の変化を検出することができるので、接続導体13等の経年劣化を検出することができる。   In addition, according to the abnormality detection device, the heat treatment device, or the abnormality detection method according to the embodiment of the present invention, by detecting the temperature of the connection conductor 13 that supplies power to the heating element 11, at the start of the heat treatment and during the heat treatment, Without being affected by noise and power control, it is possible to detect (or calibrate) the operating state (normal, abnormal or predictive of abnormality) of the heating means 10 with high accuracy. In addition, according to the abnormality detection device or the like according to the present embodiment, the temperature of the connection conductor 13 that supplies power to the heating element 11 is detected, so that a minute change in resistance value of the connection conductor 13 or the like is detected. Can do. That is, according to the abnormality detection device and the like according to the present embodiment, it is possible to detect a minute change in resistance value of the connection conductor 13 and the like, and thus it is possible to detect aged deterioration of the connection conductor 13 and the like.

更に、本発明の実施形態に係る異常検知装置、熱処理装置又は異常検知方法によれば、熱発電センサ(自己発電機能)を用いて接続導体13の温度を検出することができるので、特に複数の位置の温度を検出する場合に、複数の熱発電センサに接続する複数の電源ケーブルを省略することができ、装置全体の配線を簡略化でき、装置を小型化することができる。   Furthermore, according to the abnormality detection device, the heat treatment device, or the abnormality detection method according to the embodiment of the present invention, the temperature of the connection conductor 13 can be detected using a thermoelectric generation sensor (self-generation function), and therefore, a plurality of When detecting the temperature of the position, a plurality of power cables connected to the plurality of thermoelectric generation sensors can be omitted, wiring of the entire apparatus can be simplified, and the apparatus can be miniaturized.

実施例に係る熱処理装置を用いて、本発明を説明する。   The present invention will be described using the heat treatment apparatus according to the example.

[熱処理装置及び異常検知装置の構成]、[熱処理装置の機能]
実施例に係る熱処理装置(及び異常検知装置)の構成等は、実施形態に係る熱処理装置100の構成等と基本的に同様のため、異なる部分を主に説明する。
[Configuration of heat treatment apparatus and abnormality detection apparatus], [Function of heat treatment apparatus]
The configuration and the like of the heat treatment apparatus (and abnormality detection apparatus) according to the example are basically the same as the configuration and the like of the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment, and thus different parts will be mainly described.

図5を用いて、本実施例に係る熱処理装置の検出部(検出手段)の配置を説明する。   The arrangement of the detection unit (detection means) of the heat treatment apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図5に示すように、本実施例に係る熱処理装置は、バスバーBSに検出部20a―A、20a―B及び20a―Cを配置する。すなわち、本実施例に係る熱処理装置は、検出部20a―A、20a―B及び20a―Cを用いて、接続導体13aに対応するバスバーBSの表面温度を検出する。なお、接続導体13b乃至13eに配置される検出部は、接続導体13aの場合と同様のため、説明を省略する。   As shown in FIG. 5, in the heat treatment apparatus according to the present embodiment, the detectors 20a-A, 20a-B, and 20a-C are arranged on the bus bar BS. That is, the heat treatment apparatus according to the present embodiment detects the surface temperature of the bus bar BS corresponding to the connection conductor 13a using the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C. In addition, since the detection part arrange | positioned at the connection conductors 13b thru | or 13e is the same as that of the case of the connection conductor 13a, description is abbreviate | omitted.

図6を用いて、本実施例に係る熱処理装置の検出部(20a―A等)の検出結果を説明する。ここで、図6の左縦軸は反応管122の加熱温度、右縦軸はバスバーBSの表面温度、横軸は経過時間である。   The detection result of the detection unit (20a-A, etc.) of the heat treatment apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. Here, the left vertical axis in FIG. 6 is the heating temperature of the reaction tube 122, the right vertical axis is the surface temperature of the bus bar BS, and the horizontal axis is the elapsed time.

図6に示すように、本実施例に係る熱処理装置は、バスバーBSに配置した検出部20a―A、20a―B及び20a―Cを用いて、接続導体13aの表面温度を時系列的に夫々検出する。ここで、検出部20a―A、20a―B及び20a―Cは、夫々温度Tta、Ttb及びTtcを検出する。なお、図中のThaは、反応管122の加熱温度である。   As shown in FIG. 6, the heat treatment apparatus according to the present embodiment uses the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C arranged in the bus bar BS to change the surface temperature of the connection conductor 13a in time series. To detect. Here, the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C detect temperatures Tta, Ttb, and Ttc, respectively. In the figure, Th is the heating temperature of the reaction tube 122.

図6に示すように、検出部20a―A、20a―B及び20a―Cは、接続導体13aとの離間距離に比例して、温度の絶対値が小さくなる。しなしながら、検出部20a―A、20a―B及び20a―Cの温度変化の傾向は、互いに同様のため、加熱手段10の動作状態を「正常」と判断することができる。なお、本実施例に係る熱処理装置は、検出部20a―A、20a―B及び20a―Cが夫々検出した温度の絶対値に基づいて、検出部20a―A、20a―B又は20a―Cの経年劣化の状態を判断してもよい。   As shown in FIG. 6, the absolute values of the temperatures of the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C become smaller in proportion to the distance from the connection conductor 13a. However, since the temperature change trends of the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C are similar to each other, the operating state of the heating means 10 can be determined to be “normal”. Note that the heat treatment apparatus according to the present embodiment uses the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C based on the absolute values of the temperatures detected by the detection units 20a-A, 20a-B, and 20a-C, respectively. You may judge the state of aged deterioration.

図7を用いて、本実施例に係る熱処理装置の検出部が出力する電圧又は電力を説明する。   The voltage or electric power which the detection part of the heat processing apparatus based on a present Example outputs is demonstrated using FIG.

図7に示すように、本実施例に係る熱処理装置は、検出部として、熱発電センサ(熱電素子)を用いる。ここで、熱発電センサは温度差によって、起電力を発生する。図7に示すように、熱処理装置(判断部32)は、検出部が出力する起電力(図7(a)の電圧E又は図7(b)の電力P)に基づいて、予め定められる変換係数などを用いて、接続導体13の温度に換算することができる。なお、熱発電センサを用いて温度を検出する方法は公知の技術を用いることができる。   As shown in FIG. 7, the heat treatment apparatus according to the present embodiment uses a thermoelectric generation sensor (thermoelectric element) as a detection unit. Here, the thermoelectric generation sensor generates an electromotive force due to a temperature difference. As shown in FIG. 7, the heat treatment apparatus (determination unit 32) performs a predetermined conversion based on the electromotive force (voltage E in FIG. 7A or power P in FIG. 7B) output by the detection unit. It can be converted to the temperature of the connection conductor 13 using a coefficient or the like. In addition, a well-known technique can be used for the method of detecting temperature using a thermoelectric generation sensor.

[比較例1]
図8に、比較例1に係る電源の出力電圧値の波形の例を示す。
[Comparative Example 1]
FIG. 8 shows an example of the waveform of the output voltage value of the power supply according to Comparative Example 1.

図8に示すように、本比較例に係る熱処理装置では、加熱手段に供給する電源の出力電圧値に基づいて、加熱手段の動作が正常か異常かを判断する。この場合、電源の出力電圧値にはノイズが含まれた波形となる。熱処理装置では、例えばプラズマ処理やその他の電気制御系を備えるため、電源の出力電圧値にノイズ成分が多く含まれる場合がある。また、熱処理装置では、例えば加熱によって加熱手段(発熱体、接続導体など)の抵抗値が変化するため、電源の出力電圧値も変位する場合がある。   As shown in FIG. 8, in the heat treatment apparatus according to this comparative example, it is determined whether the operation of the heating unit is normal or abnormal based on the output voltage value of the power source supplied to the heating unit. In this case, the output voltage value of the power supply has a waveform including noise. Since the heat treatment apparatus includes, for example, plasma processing and other electric control systems, the output voltage value of the power supply may include a lot of noise components. In the heat treatment apparatus, for example, the resistance value of a heating means (a heating element, a connection conductor, etc.) changes due to heating, so that the output voltage value of the power source may be displaced.

すなわち、本比較例に係る熱処理装置の電源の出力電圧値に基づく加熱手段の動作状態の判断では、本発明の実施形態に係る熱処理装置100の異常検知方法と比較して、異常を検知する精度が低下する。   That is, in the determination of the operating state of the heating means based on the output voltage value of the power supply of the heat treatment apparatus according to this comparative example, the accuracy of detecting an abnormality compared to the abnormality detection method of the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. Decreases.

したがって、本発明の実施形態に係る熱処理装置100によれば、比較例1の電源の出力電圧値に基づく加熱手段の動作状態の判断方法と比較して、検出値に含まれるノイズの影響を低減又は除去することができる。これにより、本発明の実施形態に係る熱処理装置100によれば、比較例1の場合と比較して、動作状態を高精度に検知することができる。   Therefore, according to the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, the influence of noise included in the detection value is reduced as compared with the method of determining the operating state of the heating unit based on the output voltage value of the power source of Comparative Example 1. Or can be removed. Thereby, according to the heat processing apparatus 100 which concerns on embodiment of this invention, compared with the case of the comparative example 1, an operation state can be detected with high precision.

[比較例2]
図9に、比較例2に係る電源の出力電流値の波形の例を示す。ここで、図9の左縦軸は電源の出力電流値、右縦軸は本実施形態に係る熱処理装置100が検出した接続導体13(加熱手段10)の温度、横軸は経過時間である。
[Comparative Example 2]
In FIG. 9, the example of the waveform of the output current value of the power supply which concerns on the comparative example 2 is shown. Here, the left vertical axis in FIG. 9 is the output current value of the power source, the right vertical axis is the temperature of the connection conductor 13 (heating means 10) detected by the heat treatment apparatus 100 according to this embodiment, and the horizontal axis is the elapsed time.

図9に示すように、本比較例に係る熱処理装置では、加熱手段に供給する電源の出力電流値に基づいて、加熱手段の動作が正常か異常かを判断する。熱処理装置では、熱処理中に加熱温度を高精度に制御するために、加熱手段(発熱体)に供給する電流Isを頻繁に変更する場合がある。また、熱処理装置では、例えば加熱によって加熱手段(発熱体、接続導体など)の抵抗値が変化するため、電源の出力電流値Isも変位する場合がある。なお、図中のTtDは、本発明の実施形態に係る熱処理装置100(検出部、判断部)が検知した接続導体13の温度である。本発明の実施形態に係る熱処理装置100が検知した接続導体13の温度は、熱処理中の電力制御(電源の出力値の変化)の影響を受けない。   As shown in FIG. 9, in the heat treatment apparatus according to this comparative example, it is determined whether the operation of the heating unit is normal or abnormal based on the output current value of the power source supplied to the heating unit. In the heat treatment apparatus, the current Is supplied to the heating means (heating element) may be frequently changed in order to control the heating temperature with high accuracy during the heat treatment. In the heat treatment apparatus, for example, the resistance value of the heating means (heating element, connection conductor, etc.) changes due to heating, and the output current value Is of the power supply may also be displaced. In addition, TtD in a figure is the temperature of the connection conductor 13 which the heat processing apparatus 100 (detection part, judgment part) which concerns on embodiment of this invention detected. The temperature of the connection conductor 13 detected by the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention is not affected by power control (change in output value of the power supply) during the heat treatment.

すなわち、本比較例に係る熱処理装置の電源の出力電流値Isに基づく加熱手段の動作状態の判断では、本発明の実施形態に係る熱処理装置100の異常検知方法と比較して、異常を検知する精度が低下する。   That is, in the determination of the operating state of the heating means based on the output current value Is of the power supply of the heat treatment apparatus according to this comparative example, an abnormality is detected as compared with the abnormality detection method of the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention. Accuracy is reduced.

したがって、本発明の実施形態に係る熱処理装置100によれば、電力制御の影響を除去することができるので、比較例2の場合と比較して、高精度、且つ、容易に動作状態を検知することができる。   Therefore, according to the heat treatment apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, the influence of the power control can be removed, so that the operation state can be easily detected with higher accuracy than in the case of the comparative example 2. be able to.

以上のとおり、本発明の実施形態及び実施例を参照しながら、本発明を説明したが、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更又は変形することが可能である。   As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments and examples of the present invention, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and in light of the appended claims, Various changes or modifications are possible.

100 : 熱処理装置
200 : 外部機器(PCなど)
10 : 加熱手段
11,11a〜11e : 発熱体
12,12a〜12e : 電源
13,13a〜13e : 接続導体(電線を含む接続部材、バスバーなど)
20 : 検出手段
20a〜20e : 検出部
30 : 制御手段
31 : 記憶部
32 : 判断部
33 : 加熱制御部
34 : 検出制御部
35 : 通信部
Pr : プログラム
Md : プログラムを記録した記録媒体
100: Heat treatment apparatus 200: External equipment (PC etc.)
10: Heating means 11, 11a to 11e: Heating element 12, 12a to 12e: Power source 13, 13a to 13e: Connection conductor (connection member including electric wire, bus bar, etc.)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 20: Detection means 20a-20e: Detection part 30: Control means 31: Storage part 32: Judgment part 33: Heating control part 34: Detection control part 35: Communication part Pr: Program Md: Recording medium which recorded the program

Claims (10)

処理室内に配置した基板を発熱体を用いて熱処理する熱処理装置が備える異常検知装置であって、
電源から出力した電力を前記発熱体に供給する接続導体と、
前記接続導体の温度を検出する検出部と、
前記検出部が検出した温度に基づいて、前記接続導体及び/又は前記発熱体の動作状態を判断する判断部と
を有することを特徴とする熱処理装置の異常検知装置。
An abnormality detection device provided in a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate disposed in a processing chamber using a heating element,
A connection conductor for supplying power output from a power source to the heating element;
A detection unit for detecting the temperature of the connection conductor;
An abnormality detection device for a heat treatment apparatus, comprising: a determination unit that determines an operation state of the connection conductor and / or the heating element based on the temperature detected by the detection unit.
温度の所定の許容範囲を予め記憶している記憶部を更に有し、
前記判断部は、前記検出部が検出した温度が前記所定の許容範囲の範囲内か否かによって、前記動作状態が正常か又は異常か若しくは異常の予兆があるかを判断する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置の異常検知装置。
It further has a storage unit that stores in advance a predetermined allowable range of temperature,
The determination unit determines whether the operation state is normal or abnormal or has a sign of abnormality depending on whether or not the temperature detected by the detection unit is within the predetermined allowable range.
The abnormality detection apparatus of the heat processing apparatus of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記検出部は、前記接続導体の表面温度を検出する、ことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載の熱処理装置の異常検知装置。   The abnormality detection device for a heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the detection unit detects a surface temperature of the connection conductor. 前記判断部は、前記電源から出力した電力値を更に用いて、前記動作状態を判断する、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の熱処理装置の異常検知装置。   The abnormality detection of the heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the determination unit further determines the operation state by further using a power value output from the power source. apparatus. 前記処理室内の複数の位置に夫々配置した複数の前記接続導体と、
複数の前記接続導体の温度を夫々検出する複数の前記検出部と
を有する、ことを特徴とする、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の熱処理装置の異常検知装置。
A plurality of the connection conductors respectively disposed at a plurality of positions in the processing chamber;
The abnormality detection device for a heat treatment apparatus according to claim 1, further comprising: a plurality of the detection units that respectively detect temperatures of the plurality of connection conductors.
前記判断部は、熱処理の開始時に、複数の前記接続導体が夫々検出した温度を互いに比較することによって、複数の該接続導体のうちの何れかが異常であるか否かを判断する、ことを特徴とする、請求項5に記載の熱処理装置の異常検知装置。   The determination unit determines whether any of the plurality of connection conductors is abnormal by comparing the temperatures detected by the plurality of connection conductors with each other at the start of heat treatment. The abnormality detection device for a heat treatment apparatus according to claim 5, wherein the abnormality detection device is a heat treatment apparatus. 前記検出部は、熱発電センサであり、
前記熱発電センサは、熱電素子を用いて、該熱電素子が温度差に応じて発生させた起電力を出力し、
前記判断部は、前記起電力に基づいて、前記動作状態を判断する、
ことを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の熱処理装置の異常検知装置。
The detection unit is a thermoelectric generation sensor,
The thermoelectric generation sensor uses a thermoelectric element to output an electromotive force generated by the thermoelectric element according to a temperature difference,
The determination unit determines the operation state based on the electromotive force.
The abnormality detection device for a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein the abnormality detection device is a heat treatment apparatus.
請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の異常検知装置を備える熱処理装置。   The heat processing apparatus provided with the abnormality detection apparatus as described in any one of Claims 1 thru | or 7. 発熱体に電力を供給して前記発熱体を発熱させ、発熱させた前記発熱体を用いて処理室内に配置した基板を熱処理する熱処理装置の異常検知方法であって、
電源から出力した電力を接続導体を介して前記発熱体に供給する電力供給ステップと、
前記接続導体の温度を検出する検出ステップと、
検出した温度に基づいて、前記接続導体及び/又は前記発熱体の動作状態を判断する判断ステップと
を含むことを特徴とする熱処理装置の異常検知方法。
An abnormality detection method for a heat treatment apparatus that heats a heating element by supplying electric power to the heating element to heat the heating element, and heat-treats a substrate disposed in a processing chamber using the generated heating element,
A power supply step of supplying power output from a power source to the heating element via a connecting conductor;
A detecting step for detecting the temperature of the connecting conductor;
And a determination step of determining an operating state of the connection conductor and / or the heating element based on the detected temperature.
請求項9に記載の熱処理装置の異常検知方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。   A program for causing a computer to execute the abnormality detection method for a heat treatment apparatus according to claim 9.
JP2013052744A 2013-03-15 2013-03-15 Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program Active JP5648079B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013052744A JP5648079B2 (en) 2013-03-15 2013-03-15 Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013052744A JP5648079B2 (en) 2013-03-15 2013-03-15 Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014178071A JP2014178071A (en) 2014-09-25
JP5648079B2 true JP5648079B2 (en) 2015-01-07

Family

ID=51698202

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013052744A Active JP5648079B2 (en) 2013-03-15 2013-03-15 Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5648079B2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6594931B2 (en) * 2016-10-31 2019-10-23 株式会社Kokusai Electric Substrate processing apparatus, monitoring program, and semiconductor device manufacturing method
JP7060206B2 (en) * 2018-02-28 2022-04-26 株式会社Screenホールディングス Board processing equipment and board processing method
JP7154116B2 (en) * 2018-11-28 2022-10-17 東京エレクトロン株式会社 Raw material tank monitoring device and raw material tank monitoring method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5554471A (en) * 1978-04-29 1980-04-21 Ritsuo Hasumi High-sensitivity thermoelectric of wattmeter
JP2004087681A (en) * 2002-08-26 2004-03-18 Renesas Technology Corp Method for manufacturing heat treatment apparatus and semiconductor device
JP2008053604A (en) * 2006-08-28 2008-03-06 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treating device
JP2009245978A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Yokogawa Electric Corp Semiconductor manufacturing apparatus
JP5570938B2 (en) * 2009-12-11 2014-08-13 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014178071A (en) 2014-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5648079B2 (en) Heat treatment apparatus abnormality detection apparatus, heat treatment apparatus, heat treatment apparatus abnormality detection method, and abnormality detection method program
TWI654900B (en) Integrated device and method for enhancing heater life and performance
JP2018537061A (en) Method and device for estimating damage level or life prediction of power semiconductor modules
JP6508197B2 (en) Thermal mass flow measurement method, thermal mass flow meter using the method, and thermal mass flow control device using the thermal mass flow meter
US20200367320A1 (en) Plasma processing apparatus and temperature control method
JP6581833B2 (en) Actuator failure detection device, control device and method
JP2012503339A (en) Self-diagnosis semiconductor device
CN111293671B (en) Power device thermal protection and early warning method and system based on junction temperature prediction
US20180138096A1 (en) Abnormality detection apparatus
JP2007234869A (en) Etching processing apparatus, monitoring method thereof, and self bias voltage measuring method
CA3015023C (en) Systems for tracking corrosion within enclosures using sacrifical loop targets
JP5041016B2 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method and storage medium
JP2009245978A (en) Semiconductor manufacturing apparatus
JP2007005371A (en) Thermoelectric generator
JP2017034159A (en) Heater exchange determination method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus including heater exchange determination function
JP6216612B2 (en) Defect detection system and defect detection method
KR20050092179A (en) Heater system for use in semiconductor fabricating apparatus
JP5227638B2 (en) Vacuum processing equipment
JP2009224526A (en) Testpiece mounting electrode for plasma processing apparatus
JP6917495B1 (en) Substrate processing equipment, semiconductor equipment manufacturing methods and programs
KR20190083804A (en) Pipe Heating System
JP6571889B2 (en) Temperature control method for electric propulsion system
JP5271119B2 (en) Heating element cooling device and heating element cooling method
JP2648871B2 (en) Heat treatment equipment
JP5063119B2 (en) Condition detection device

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5648079

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250