JP5628591B2 - 細胞類の凍結装置 - Google Patents
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Description
冷却室内の凍結対象物を局部冷却して植氷する局部冷却手段とを備え、
上記局部冷却手段は、ペルチェ素子の冷却側を含んで構成され、
上記ペルチェ素子の排熱側に冷熱を伝達するとともに、上記冷却室に冷熱を伝達することにより、上記ペルチェ素子の排熱側と冷却室の双方を冷却する伝熱部材を備えて構成されていることを要旨とする。
また、本発明では、冷却室を冷却する冷却手段で伝熱部材を冷却することによって、冷却室の雰囲気も冷やされ、凍結対象物の周辺が冷気で覆われる。ペルチェ素子からの排熱は、伝熱部材により吸収されるが、伝熱部材により吸収されなかった排熱は、冷却室雰囲気によって吸収され、凍結対象物に直接伝わるのを防止している。同様に、外部からの輻射による熱の流入も、同じく冷却室雰囲気によって吸収され、凍結対象物に直接伝わるのを防止している。このように、本発明では、伝熱部材に加え、冷却室の低温雰囲気により、凍結対象物に対して意図しない外熱の伝導を防ぎ、厳密な温度制御を実現しているのである。したがって、特に、極めて精密な温度制御が可能となり、ヒトES細胞のように凍結に弱い細胞を凍結する際に有効である。
上記ペルチェ素子は、上記埋設部内において冷却側が冷却室を向くよう配置されている場合には、
ペルチェ素子が伝熱部材中に埋設されることから、ペルチェ素子の排熱部から排出される熱が冷却室の冷却効率を低下させるのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。
植氷部材が冷却室に突出して凍結対象物と熱的に接触していることから、ペルチェ素子の排熱部から排出される熱が凍結対象物に影響するのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。また、植氷部材の凍結対象物と熱的に接触している植氷する部分に対し、ペルチェ素子の排熱部から排出される熱が影響するのを防止し、植氷効率が低下するのを防止する。
ペルチェ素子が凹部内に配置されて伝熱部材中に埋設されることから、ペルチェ素子の排熱部から排出される熱が冷却室の冷却効率を低下させるのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。また、上記ペルチェ素子が配置された凹部にさらに植氷部材を配置することにより、植氷部材の凍結対象物と熱的に接触している植氷する部分に対し、ペルチェ素子の排熱部から排出される熱が影響するのを防止し、植氷効率が低下するのを防止する。
図2は、同実施形態の冷却室ユニット1の詳細を示す断面図である。
また、本発明では、冷却室5を冷却する冷却手段で伝熱部材6を冷却することによって、冷却室5の雰囲気も冷やされ、凍結対象物の周辺が冷気で覆われる。ペルチェ素子7からの排熱は、伝熱部材6により吸収されるが、伝熱部材6により吸収されなかった排熱は、冷却室雰囲気によって吸収され、凍結対象物に直接伝わるのを防止している。同様に、外部からの輻射による熱の流入も、同じく冷却室雰囲気によって吸収され、凍結対象物に直接伝わるのを防止している。このように、本発明では、伝熱部材6に加え、冷却室5の低温雰囲気により、凍結対象物に対して意図しない外熱の伝導を防ぎ、厳密な温度制御を実現しているのである。したがって、特に、極めて精密な温度制御が可能となり、ヒトES細胞のように凍結に弱い細胞を凍結する際に有効である。
上記ペルチェ素子7は、上記埋設部内において冷却側16が冷却室5を向くよう配置されている場合には、
ペルチェ素子7が伝熱部材6中に埋設されることから、ペルチェ素子7の排熱側17から排出される熱が冷却室5の冷却効率を低下させるのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。
植氷部材8が冷却室5に突出して凍結資料9と熱的に接触していることから、ペルチェ素子7の排熱部17から排出される熱が凍結試料9に影響するのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。また、植氷部材8の凍結試料9と熱的に接触している植氷する部分に対し、ペルチェ素子7の排熱部17から排出される熱が影響するのを防止し、植氷効率が低下するのを防止する。
ペルチェ素子7が凹部10内に配置されて伝熱部材6中に埋設されることから、ペルチェ素子7の排熱側17から排出される熱が冷却室5の冷却効率を低下させるのを防止し、冷凍効率の向上に有利である。また、上記ペルチェ素子7が配置された凹部10にさらに植氷部材を配置することにより、植氷部材の凍結試料9と熱的に接触している植氷する部分に対し、ペルチェ素子7の排熱側17から排出される熱が影響するのを防止し、植氷効率が低下するのを防止する。
まず、冷凍機2としてスターリング式冷凍機を使用した場合の冷却温度制御について確認試験を実施した。
比較例として、従来技術に即して凍結コンテナによる試験を実施した。
図1および図2に示した装置により、ペルチェ素子7を利用して植氷を行った。冷却速度制御についてはマイクロプロセッサ(制御手段3)により行い、試料表面温度を測定し、その10秒間の移動平均値に応答してスターリング式冷凍機2aの出力電圧を調節する方式を採用している。
培養液を吸引し、カルシウム及びマグネシウムを含まないリン酸緩衝溶液(PBS−)(GIBCO製、型番70011)を加えた後吸引する。
この操作を3回繰り返し、トリプシンとエチレンジアミン四酢酸(EDTA)の混合物(invitrogen製、型番25300−054)を添加して37℃で3分間静置して、細胞を消化分散させる。
培養液を加え反応を停止し、軽くピペッティングした後、ディスポーザブル遠心管(容量50mL、BECTON DICKINSON製、型番352070)に入れ、遠心分離機(久保田商事株式会社製、型番2410)にて、1000rpmで5分間遠心分離を行う。
上清を除去し、10%ジメチルスルホキシド(DMSO)を含む培地に懸濁し、フローズバッグ2つに5mLをそれぞれ充填する。
一つはあらかじめ冷却室内を2℃に冷却しておいた本発明の凍結装置に設置し、もう一つはあらかじめ冷蔵庫(日本フリーザー株式会社製、型番KGT−4056HC)に入れて冷却しておいたバイセル(日本フリーザー株式会社製、型番BICELL、内寸法φ50×69mm)に入れ、−85℃のフリーザー(日本フリーザー株式会社製、型番CLN−30UW)に入れる。
・試料冷却(1)(2〜−10℃):−0.3℃/分
・植氷:試料温度が−5℃になったとき、印加電圧3.3V、目標到達温度−35℃、オン5秒−オフ5秒の周期で900秒間実施し、植氷終了となる。
・試料冷却(2)(植氷操作時):−10℃で維持
・試料冷却(3)(植氷終了〜−30℃):−0.3℃/分
・試料冷却(4)(−30℃以下):冷凍機最大出力
凍結試料を取り出し、37℃恒温槽(アズワン株式会社製、型番ED−1)に浸けて速やかに解凍する。
試料をディスポーザブル遠心管に入れ、培地を加え、DMSOを希釈する。
1000rpmで5分間遠心分離を行う。
上清を除去した後、500μLの培地に懸濁する。そのうち10μLを分取し、トリパンブルー染色を用いて、血球計算盤(エルマ販売株式会社製、型番031001)上の全細胞ならびに死細胞(トリパンブルーにより青く染色)を計測する。なお、計測に際して、倒立型顕微鏡(オリンパス株式会社製、型番IX71N−22PH)を通して対象を100倍に拡大した状態で、細胞を目視にて計測した。そして、生細胞率は式(1)のようにして算出した。
生細胞率(%)=(全細胞数−死細胞数)(個)/全細胞数(個)×100・・・式(1)
また、従来技術の生細胞率に対する本発明での生細胞率の向上の度合を下記式(2)に示す向上率として算出した。
向上率(%)=(本発明での生細胞率−従来技術の生細胞率)(%)/従来技術の生細胞率(%)×100・・・式(2)
N=n/4×104・・・式(3)
式(3)を適用すると、サンプリングした細胞数の少ない試験Aでは、実施例にて全細胞数2.05×105個のうち1.6×105個の細胞が生存しているのに対し、比較例にて全細胞数1.75×105個のうち1.15×105個の細胞が生存していることとなる。
培養液を吸引し、カルシウム及びマグネシウムを含まないリン酸緩衝溶液(PBS−)(GIBCO製、型番70011)を加えた後吸引する。
この操作を3回繰り返し、トリプシンとエチレンジアミン四酢酸(EDTA)の混合物(invitrogen製、型番25300−054)を添加して37℃で3分間静置して、細胞を消化分散させる。
CO2インキュベータ(三洋電機株式会社製、型番MCO−18AIC)内で、37℃、5%CO2下で5日間静置培養し、マウスEBを作成する。
・試料冷却(1)(2〜−10℃):−0.3℃/分
・植氷:試料温度が−5℃になったとき、印加電圧3.3V、目標到達温度−35℃、オン5秒−オフ5秒の周期で900秒間実施し、植氷終了となる。
・試料冷却(2)(植氷操作時):−10℃で維持
・試料冷却(3)(植氷終了〜−30℃):−0.3℃/分
・試料冷却(4)(−30℃以下):冷凍機最大出力
凍結試料を取り出し、37℃恒温槽(アズワン株式会社製、型番ED−1)に浸けて速やかに解凍する。
試料をディスポーザブル遠心管に入れ、EB用培養液を加え、DMSOを希釈する。
1000rpmで5分間遠心分離を行う。
上清を除去した後、EB用培養液に懸濁し、48穴培養皿にEBを播種する。3日間培養し、EBを培養皿に接着させる。培養皿に接着しているEBの個数を目視にて計測した。
EB接着率(%)=接着EB数(個)/全EB数(個)×100 ・・・式(4)
向上率(%)=(本発明でのEB接着率一従来技術のEB接着率)(%)/従来技術のEB接着率(%)×100・・・式(5)
(1)冷却室内の冷却方法として、液体窒素等の冷媒を使用せず、スターリング式冷凍機を用いた。
(2)植氷方法として、ペルチェ素子により、試料容器を局部的に極低温領域に接触させる方法を用いた。
(3)確氷時に発生するペルチェ素子からの排熱は、スターリング式冷凍機により予め冷却された熱伝導性の良い物質により相殺し、冷却室内の温度上昇を抑制した。
(1)冷却室内にペルチェ素子が設置されていることにより、冷却ピンセット等による容器外壁からの熱刺激のように、植氷のために冷却室内を開放し外気と接触せざるを得なくなる問題を回避した。
(2)冷媒の流出入制御用の電磁弁が、冷媒(液体窒素等)を使用しないことで不要となったため、初回凍結時に発生した霜が凍結終了後の昇温時に溶解し、再凍結時に当該水分による電磁弁固着が発生し、以後の植氷制御が困難になる問題が回避できた。
(3)冷媒(液体窒素等)を使用しないため、液体窒素を用意する手間及びコストを削減できた。さらに、冷媒用貯蔵タンクが不必要となり、その結果、装置の省スペース化が達成できた。
(4)ペルチェ素子の排熱を排除するための追加設備を付設する必要がなく、同じく装置の省スペース化が達成できた。
(5)複数の試料を同時に、かつ植氷を起こさせることができるので、凍結試料の大容量化を達成できた。
(6)植氷を起こしながら温度制御が可能なため、簡易な緩慢凍結法である凍結コンテナ使用の場合と比較して、試料細胞の生存率向上を達成できた。
2 冷凍機
2a 冷凍機
3 制御装置
3a 制御装置
4 断熱材
5 冷却室
5a 冷却室
6 伝熱部材
7 ペルチェ素子
8 植氷部材
8b 植氷部材
8c 植氷部材
9 凍結試料
10 凹部
11 冷却部
12 底面凹部
13 ペルチェ出力調整手段
14 冷凍機出力調整手段
15 測温手段
16 冷却側(ペルチェ素子)
17 排熱側(ペルチェ素子)
18 接触面(植氷部材)
19 横穴
20 蓋部材
21 フリーザー
22 バイセル
23 メモリハイロガー
24 内壁材
Claims (5)
- 冷却室と、
冷却室内の凍結対象物を局部冷却して植氷する局部冷却手段とを備え、
上記局部冷却手段は、ペルチェ素子の冷却側を含んで構成され、
上記ペルチェ素子の排熱側に冷熱を伝達するとともに、上記冷却室に冷熱を伝達することにより、上記ペルチェ素子の排熱側と冷却室の双方を冷却する伝熱部材を備えて構成されていることを特徴とする細胞類の凍結装置。 - 上記伝熱部材には、ペルチェ素子を埋設するための埋設部が設けられ、
上記ペルチェ素子は、上記埋設部内において冷却側が冷却室を向くよう配置されている請求項1記載の細胞類の凍結装置。 - 上記局部冷却手段は、上記伝熱部材から冷却室側に突出するとともに上記ペルチェ素子の冷却側からの冷却を受け、上記突出部において凍結対象物と熱的に接触して植氷するための植氷部材を含んで構成されている請求項1または2記載の細胞類の凍結装置。
- 上記伝熱部材の埋設部は、冷却室側に形成されて内部にペルチェ素子が配置される凹部であり、上記ペルチェ素子が配置された凹部にさらに植氷部材が配置されている請求項3記載の細胞類の凍結装置。
- 上記伝熱部材には、伝熱部材を冷却する冷凍装置の冷却部が、埋設部内のペルチェ素子の排熱側の近傍に位置するよう熱的に接触している請求項2〜4のいずれか一項に記載の細胞類の凍結装置。
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