JP5625549B2 - Photosensitive polymer composition, pattern manufacturing method, and electronic component - Google Patents

Photosensitive polymer composition, pattern manufacturing method, and electronic component Download PDF

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本発明は、感光性重合体組成物、パターンの製造方法及び電子部品に関するものである。さらに詳しくは、感度、解像度、耐熱性及び耐薬品性を低下させず、良好な形状のパターンを維持したまま、基板との密着性を向上することが出来るポジ型感光性重合体組成物、当該重合体組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品に関する。   The present invention relates to a photosensitive polymer composition, a method for producing a pattern, and an electronic component. More specifically, a positive photosensitive polymer composition capable of improving adhesion with a substrate while maintaining a good shape pattern without deteriorating sensitivity, resolution, heat resistance and chemical resistance, The present invention relates to a method for producing a patterned cured film using a polymer composition and an electronic component.

従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には優れた耐熱性と電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミド樹脂が用いられている。このポリイミド樹脂膜は、一般にはテトラカルボン酸二無水物とジアミンを極性溶媒中で常温常圧において反応させ、ポリイミド前駆体(ポリアミド酸)溶液(いわゆるワニス)をスピンコート等で薄膜化して熱的に脱水閉環(硬化)して形成する(例えば、非特許文献1)。   Conventionally, polyimide resins having excellent heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics, and the like have been used for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor elements. This polyimide resin film is generally made by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine in a polar solvent at room temperature and normal pressure, and thinning a polyimide precursor (polyamic acid) solution (so-called varnish) by spin coating or the like. It is formed by dehydrating and ring-closing (curing) (for example, Non-Patent Document 1).

近年、ポリイミド樹脂自身に感光特性を付与した感光性ポリイミドが用いられてきている。この感光性ポリイミドを用いるとパターン形成工程が簡略化でき、煩雑なパターン製造工程が短縮できるという特徴を有する(例えば、特許文献1〜3参照。)   In recent years, a photosensitive polyimide obtained by imparting photosensitive characteristics to a polyimide resin itself has been used. When this photosensitive polyimide is used, the pattern forming process can be simplified, and the complicated pattern manufacturing process can be shortened (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

従来、上記感光性ポリイミドの現像にはN−メチルピロリドン等の有機溶剤が用いられてきたが、最近では、環境やコストの観点からアルカリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂の提案がなされている。このようなアルカリ現像可能なポジ型の感光性樹脂を得る方法として、ポリイミド前駆体にエステル結合を介してo−ニトロベンジル基を導入する方法(例えば、非特許文献2)、可溶性ヒドロキシルイミド又はポリベンゾオキサゾール前駆体にナフトキノンジアジド化合物を混合する方法(例えば特許文献4及び5)等がある。
係る方法により得られる樹脂は低誘電率化が期待でき、そのような観点からも感光性ポリイミドとともに感光性ポリベンゾオキサゾールが注目されている。
Conventionally, an organic solvent such as N-methylpyrrolidone has been used for developing the photosensitive polyimide. Recently, however, a positive photosensitive resin that can be developed with an alkaline aqueous solution has been proposed from the viewpoint of environment and cost. ing. As a method for obtaining such an alkali developable positive photosensitive resin, a method of introducing an o-nitrobenzyl group into a polyimide precursor via an ester bond (for example, Non-Patent Document 2), soluble hydroxylimide or poly There are methods (for example, Patent Documents 4 and 5) of mixing a naphthoquinonediazide compound with a benzoxazole precursor.
Resins obtained by such a method can be expected to have a low dielectric constant, and photosensitive polybenzoxazole is attracting attention together with photosensitive polyimide from such a viewpoint.

感光性ポリイミド又は感光性ポリベンゾオキサゾールは、パッケージ形態の変化に伴い、再配線層等の層間絶縁膜として用いられるケースが増えてきた。その結果、従来の材料以上に化学薬品に対する耐性が求められることになる。しかしながら、従来のポリイミド、ポリベンゾオキサゾール系材料においては、化学薬品耐性と感光特性あるいは膜特性とを両立するものは、未だ得られていないという問題点があった。   With the change in package form, photosensitive polyimide or photosensitive polybenzoxazole is increasingly used as an interlayer insulating film such as a rewiring layer. As a result, resistance to chemicals is required more than conventional materials. However, conventional polyimide and polybenzoxazole-based materials have a problem that a chemical resistance and a photosensitive property or film property are not yet obtained.

また、ポジ型感光性樹脂組成物にアルミニウム錯体を用いるという検討がなされているが、いずれも架橋剤としてエポキシ基もしくはオキセタン基を有する化合物を用いており、アルミニウム錯体は架橋剤の開環を促進する触媒として用いている(例えば特許文献6〜9)。   In addition, studies have been made to use aluminum complexes in positive photosensitive resin compositions, but all use compounds having an epoxy group or oxetane group as a crosslinking agent, and aluminum complexes promote the ring opening of the crosslinking agent. (For example, Patent Documents 6 to 9).

特開昭49−115541号公報JP-A-49-115541 特開昭59−108031号公報JP 59-108031 A 特開昭59−219330号公報JP 59-219330 A 特開昭64−60630号公報JP-A 64-60630 米国特許第4395482号公報U.S. Pat. No. 4,395,482 特開2008−107512号公報JP 2008-107512 A 特開2008−139328号公報JP 2008-139328 A 特開2008−145579号公報JP 2008-145579 A 再表2008−063721号公報No. 2008-063721

日本ポリイミド研究会編「最新ポリイミド〜基礎と応用〜」(2002年)Japan Polyimide Study Group "Latest Polyimides-Fundamentals and Applications" (2002) J.Macromol.Sci.,Chem.,vol.A24,12,1407(1987年)J. et al. Macromol. Sci. , Chem. , Vol. A24, 12, 1407 (1987)

本発明の目的は、感度、解像度、基板密着性、耐熱性及び耐薬品性に優れ、良好な形状を有するパターンが製造可能な感光性重合体組成物を提供することである。
本発明の目的は、低温プロセスで硬化可能な本発明の感光性重合体組成物を用いることにより、加熱処理工程におけるデバイスへのダメージを軽減した信頼性の高い電子部品を提供することである。
An object of the present invention is to provide a photosensitive polymer composition which is excellent in sensitivity, resolution, substrate adhesion, heat resistance and chemical resistance and can produce a pattern having a good shape.
The objective of this invention is providing the reliable electronic component which reduced the damage to the device in a heat processing process by using the photosensitive polymer composition of this invention which can be hardened | cured by a low-temperature process.

本発明者らは鋭意研究した結果、アルカリ現像可能なポリマーに接着助剤としてアルミニウム錯体化合物を併せて用いることで、高い耐熱性と機械特性に加えて、化学薬品耐性や基板密着性を向上することができることを見出した。さらに、特定の構造のポリマーを用いることで低温プロセスで硬化可能な感光性樹脂組成物とすることができることを見出した。   As a result of diligent research, the inventors of the present invention have improved chemical resistance and substrate adhesion in addition to high heat resistance and mechanical properties by using an alkali-developable polymer together with an aluminum complex compound as an adhesion aid. I found that I can do it. Furthermore, it discovered that it could be set as the photosensitive resin composition which can be hardened | cured by a low-temperature process by using the polymer of a specific structure.

本発明によれば、以下の感光性重合体組成物等が提供される。
1.下記成分(a)〜(c)を含有してなる感光性重合体組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光により酸を発生する化合物
(c)アルミニウム錯体接着助剤
2.前記(a)成分が、下記式(I)で表される構造単位を有するアルカリ水溶液可溶性ポリアミドである1に記載の感光性重合体組成物。

Figure 0005625549
(式中、Uは4価の有機基であり、Vは2価の有機基である。)
3.前記(c)成分が、アルミニウムキレート接着助剤である1又は2記載の感光性重合体組成物。
4.前記(c)成分が、下記式(II)で表されるアルミニウムキレートである1〜3のいずれかに記載の感光性重合体組成物。
Figure 0005625549
(式中、R,R,R,R,R及びRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。)
5.(d)アルコキシシラン接着剤をさらに含有する1〜4のいずれかに記載の感光性重合体組成物。
6.(e)架橋剤をさらに含有する1〜5のいずれかに記載の感光性重合体組成物。
7.前記(e)成分が、下記式(III)で表される化合物である6に記載の感光性重合体組成物。
Figure 0005625549
(式中、複数のRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。
複数のRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基であり、互いが結合して置換基を有してもよい環構造を形成してもよい。)
8.(a)成分100重量部に対して、(b)成分5〜100重量部、(c)成分0.1〜50重量、(e)成分1〜30重量部を含有する6又は7に記載の感光性重合体組成物。
9.(a)成分100重量部に対して、(b)成分5〜100重量部、(c)成分0.1〜50重量、(d)成分0.1〜20重量部、(e)成分1〜30重量部を含有する6又は7に記載の感光性重合体組成物。
10.1〜9のいずれかに記載の感光性重合体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製造方法。
11.前記露光する工程において使用する光源が、i線である10記載のパターンの製造方法。
12.1〜9のいずれかに記載の感光性重合体組成物を硬化してなる硬化物。
13.12に記載の硬化物を表面保護膜又は層間絶縁膜として有してなる電子部品。 According to the present invention, the following photosensitive polymer composition and the like are provided.
1. A photosensitive polymer composition comprising the following components (a) to (c).
(A) Polymer soluble in alkaline aqueous solution (b) Compound that generates acid by light (c) Aluminum complex adhesion assistant 2. The photosensitive polymer composition according to 1, wherein the component (a) is an alkaline aqueous solution-soluble polyamide having a structural unit represented by the following formula (I).
Figure 0005625549
(In the formula, U is a tetravalent organic group, and V is a divalent organic group.)
3. 3. The photosensitive polymer composition according to 1 or 2, wherein the component (c) is an aluminum chelate adhesion aid.
4). The photosensitive polymer composition in any one of 1-3 whose said (c) component is the aluminum chelate represented by following formula (II).
Figure 0005625549
(In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.)
5. (D) The photosensitive polymer composition in any one of 1-4 which further contains an alkoxysilane adhesive.
6). (E) The photosensitive polymer composition in any one of 1-5 which further contains a crosslinking agent.
7). 7. The photosensitive polymer composition according to 6, wherein the component (e) is a compound represented by the following formula (III).
Figure 0005625549
(In the formula, a plurality of R 7 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.
A plurality of R 8 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, and may be bonded to each other to form a ring structure that may have a substituent. )
8). (A) 5 or 100 parts by weight of (b) component, 0.1 to 50 parts by weight of component (c), or 6 to 7 containing 1 to 30 parts by weight of component (e) with respect to 100 parts by weight of component (a) Photosensitive polymer composition.
9. (A) 100 parts by weight of component (b) 5 to 100 parts by weight of component, (c) 0.1 to 50 parts by weight of component, (d) 0.1 to 20 parts by weight of component, (e) 1 to 1 part of component The photosensitive polymer composition of 6 or 7 containing 30 parts by weight.
The manufacturing method of the pattern including the process of apply | coating the photosensitive polymer composition in any one of 10.1-9 on a support substrate, drying, the process of exposing, the process of developing, and the process of heat-processing.
11. 11. The method for producing a pattern according to 10, wherein the light source used in the exposing step is i-line.
12. Hardened | cured material formed by hardening | curing the photosensitive polymer composition in any one of 12.1-9.
An electronic component comprising the cured product according to 13.12 as a surface protective film or an interlayer insulating film.

本発明によれば、感度、解像度、基板密着性、耐熱性及び耐薬品性に優れ、良好な形状を有するパターンが製造可能な感光性重合体組成物を提供できる。
本発明によれば、低温プロセスで硬化可能な本発明の感光性重合体組成物を用いることにより、加熱処理工程におけるデバイスへのダメージを軽減した信頼性の高い電子部品を提供できる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photosensitive polymer composition which is excellent in a sensitivity, resolution, board | substrate adhesiveness, heat resistance, and chemical resistance and can manufacture the pattern which has a favorable shape can be provided.
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the highly reliable electronic component which reduced the damage to the device in a heat processing process can be provided by using the photosensitive polymer composition of this invention which can be hardened | cured by a low-temperature process.

本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であって、第1の工程を示す図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure concerning one Embodiment of this invention, Comprising: It is a figure which shows a 1st process. 本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であって、第2の工程を示す図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure concerning one Embodiment of this invention, Comprising: It is a figure which shows a 2nd process. 本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であって、第3の工程を示す図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure concerning one Embodiment of this invention, Comprising: It is a figure which shows a 3rd process. 本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であって、第4の工程を示す図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure concerning one Embodiment of this invention, Comprising: It is a figure which shows a 4th process. 本発明の一実施形態に係る多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であって、第5の工程を示す図である。It is a schematic sectional drawing explaining the manufacturing process of the semiconductor device which has a multilayer wiring structure concerning one Embodiment of this invention, Comprising: It is a figure which shows a 5th process.

本発明の感光性重合体組成物は、後述する成分(a)〜(c)を含有してなり、パターン露光部と未露光部の現像液に対する溶解速度差(溶解コントラスト)を大きくすることで、感度及び解像度に優れる。   The photosensitive polymer composition of the present invention contains the components (a) to (c) described later, and increases the dissolution rate difference (dissolution contrast) between the pattern exposed portion and the unexposed portion of the developer. , Excellent sensitivity and resolution.

(a)成分であるアルカリ性水溶液に可溶なポリマーは、加工性及び耐熱性の観点から、その主鎖骨格がポリイミド系ポリマー又はポリオキサゾール系ポリマーであることが好ましく、具体的に好ましいものは、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオキサゾール、ポリアミド、及びこれらの前駆体(例えばポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリヒドロキシアミド等)から選ばれる少なくとも1種の高分子化合物である。
尚、(a)成分は、上述した主鎖骨格を2種以上有する共重合体でもよく、又は2種以上の上記ポリマーの混合物でもよい。
From the viewpoint of processability and heat resistance, the polymer soluble in the alkaline aqueous solution as component (a) is preferably a polyimide-based polymer or a polyoxazole-based polymer, and specifically preferred are: It is at least one polymer compound selected from polyimide, polyamideimide, polyoxazole, polyamide, and precursors thereof (for example, polyamic acid, polyamic acid ester, polyhydroxyamide, etc.).
The component (a) may be a copolymer having two or more main chain skeletons described above, or a mixture of two or more of the above polymers.

アルカリ水溶液可溶性の点から、(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマーは、好ましくは複数のフェノール性水酸基、複数のカルボキシル基、又はこれら両方の基を有するポリマーである。   From the viewpoint of solubility in alkaline aqueous solution, (a) the polymer soluble in alkaline aqueous solution is preferably a polymer having a plurality of phenolic hydroxyl groups, a plurality of carboxyl groups, or both groups.

(a)成分は、より好ましくはポリベンゾオキサゾールの前駆体として機能し、良好な感光特性及び膜特性を有する下記式(I)で表される構造単位を有するアルカリ水溶液可溶性ポリアミドである。

Figure 0005625549
(式中、Uは4価の有機基であり、Vは2価の有機基である。) The component (a) is more preferably an aqueous alkaline solution-soluble polyamide having a structural unit represented by the following formula (I) that functions as a precursor of polybenzoxazole and has good photosensitivity and film properties.
Figure 0005625549
(In the formula, U is a tetravalent organic group, and V is a divalent organic group.)

式(I)で表されるヒドロキシ基を含有するアミドユニットは、最終的には硬化時の脱水閉環により、耐熱性、機械特性及び電気特性に優れるオキサゾール体に変換される。
尚、上記アルカリ水溶液とは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等のアルカリ性の溶液である。
The amide unit containing a hydroxy group represented by the formula (I) is finally converted into an oxazole having excellent heat resistance, mechanical properties and electrical properties by dehydration and ring closure at the time of curing.
The alkaline aqueous solution is an alkaline solution such as a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, a metal hydroxide aqueous solution, or an organic amine aqueous solution.

式(I)のUの4価の有機基は、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成するジヒドロキシジアミン由来の残基であり、好ましくは4価の芳香族基であり、その炭素原子数としては6〜40が好ましく、より好ましくは炭素原子数6〜40の4価の芳香族基である。
上記4価の芳香族基としては、4個の結合部位がいずれも芳香環上に存在し、2個のヒドロキシ基がそれぞれUに結合しているアミンのオルト位に位置した構造を有するジアミンの残基が好ましい。
The tetravalent organic group of U in formula (I) is generally a residue derived from dihydroxydiamine that reacts with a dicarboxylic acid to form a polyamide structure, preferably a tetravalent aromatic group, and its carbon atom. The number is preferably 6 to 40, more preferably a tetravalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms.
As the tetravalent aromatic group, a diamine having a structure in which all four bonding sites are present on the aromatic ring and the two hydroxy groups are each located at the ortho position of the amine bonded to U. Residues are preferred.

このようなジアミン類としては、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。
ジアミンの残基は、これらに限定されず、これらの化合物の残基を単独で又は2種以上を組み合わせてもよい。
Such diamines include 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane. Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (3-amino-) 4-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) -1,1,1,3,3,3- Examples include hexafluoropropane.
The residue of diamine is not limited to these, You may combine the residue of these compounds individually or in combination of 2 or more types.

式(I)のVの2価の有機基は、一般に、ジアミンと反応してポリアミド構造を形成する、ジカルボン酸由来の残基であり、好ましくは2価の芳香族基であり、炭素原子数としては6〜40のものが好ましく、より好ましくは炭素原子数6〜40の2価の芳香族基である。
2価の芳香族基としては、2個の結合部位がいずれも芳香環上に存在するものが好ましい。
The divalent organic group of V in formula (I) is generally a residue derived from a dicarboxylic acid that reacts with a diamine to form a polyamide structure, preferably a divalent aromatic group, and has a carbon atom number. Is preferably a divalent aromatic group having 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 40.
As the divalent aromatic group, those in which two bonding sites are both present on the aromatic ring are preferred.

このようなジカルボン酸としては、イソフタル酸、テレフタル酸、2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ジカルボキシビフェニル、4,4’−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4’−ジカルボキシテトラフェニルシラン、ビス(4−カルボキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(p−カルボキシフェニル)プロパン、5−tert−ブチルイソフタル酸、5−ブロモイソフタル酸、5−フルオロイソフタル酸、5−クロロイソフタル酸、2,6−ナフタレンジカルボン酸等の芳香族系ジカルボン酸、1,2−シクロブタンジカルボン酸、1,4−シクロヘキサンジカルボン酸、1,3−シクロペンタンジカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等の脂肪族系ジカルボン酸等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
これらの化合物の残基を、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
Examples of such dicarboxylic acids include isophthalic acid, terephthalic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, and 4,4′-dicarboxybiphenyl. 4,4′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4′-dicarboxytetraphenylsilane, bis (4-carboxyphenyl) sulfone, 2,2-bis (p-carboxyphenyl) propane, 5-tert-butylisophthalic acid Aromatic dicarboxylic acids such as 5-bromoisophthalic acid, 5-fluoroisophthalic acid, 5-chloroisophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,2-cyclobutanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, Aliphatic dicarboxylic acids such as 1,3-cyclopentanedicarboxylic acid, oxalic acid, malonic acid and succinic acid Although Bonn acid and the like are not limited thereto.
The residue of these compounds can be used individually or in combination of 2 or more types.

式(I)で表される構造単位を有するアルカリ水溶液可溶性ポリアミドは、式(I)で表される構造単位以外の構造を有していてもよい。   The alkaline aqueous solution-soluble polyamide having the structural unit represented by the formula (I) may have a structure other than the structural unit represented by the formula (I).

ポリアミドのアルカリ水溶液に対する可溶性は、フェノール性水酸基に由来するため、ヒドロキシ基を含有するアミドユニットが、ある割合以上含まれていることが好ましい。
式(I)で表される構造単位を有するアルカリ水溶液可溶性ポリアミドは、好ましくは下記式で表されるポリアミドである。当該ポリアミドについて、jがヒドロキシ基を含有するアミドユニットであり、jとkのモル分率は、j=80〜100モル%、k=20〜0モル%であることがより好ましい。

Figure 0005625549
(式中、Uは4価の有機基であり、V及びWは2価の有機基である。
jとkは、モル分率を示し、jとkの和は100モル%であり、jが60〜100モル%、kが40〜0モル%である。) Since the solubility of polyamide in an alkaline aqueous solution is derived from a phenolic hydroxyl group, it is preferable that an amide unit containing a hydroxy group is contained in a certain ratio or more.
The alkaline aqueous solution-soluble polyamide having the structural unit represented by the formula (I) is preferably a polyamide represented by the following formula. In the polyamide, j is an amide unit containing a hydroxy group, and the molar fraction of j and k is more preferably j = 80 to 100 mol% and k = 20 to 0 mol%.
Figure 0005625549
(In the formula, U is a tetravalent organic group, and V and W are divalent organic groups.
j and k represent mole fractions, and the sum of j and k is 100 mol%, j is 60 to 100 mol%, and k is 40 to 0 mol%. )

Wで表される2価の有機基は、一般に、ジカルボン酸と反応してポリアミド構造を形成するジアミンの残基であって、前記Uを形成するジアミン以外の残基であり、好ましくは2価の芳香族基又は脂肪族基であり、炭素原子数としては4〜40のものが好ましく、より好ましくは炭素原子数4〜40の2価の芳香族基である。   The divalent organic group represented by W is generally a residue of a diamine that reacts with a dicarboxylic acid to form a polyamide structure, and is a residue other than the diamine that forms the U, preferably a divalent group. The number of carbon atoms is preferably 4 to 40, and more preferably a divalent aromatic group having 4 to 40 carbon atoms.

このようなジアミンとしては、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−
ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、ベンジシン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミ
ン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェ
ノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4
−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]エー
テル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物;シリコーン基の入ったジアミンであるLP−7100、X−22−161AS、X−22−161A、X−22−161B、X−22−161C及びX−22−161E(いずれも信越化学工業株式会社製)等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
これらの化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
Such diamines include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-
Diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, benzidine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4 -Aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4
Aromatic diamine compounds such as aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene; LP-7100 which is a diamine containing a silicone group , X-22-161AS, X-22-161A, X-22-161B, X-22-161C and X-22-161E (all manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), etc., but are not limited thereto. It is not a thing.
These compounds can be used alone or in combination of two or more.

式(I)で示される芳香族ポリアミドの末端基は、UとVの仕込み比によってカルボン酸又はフェノール基を持つアミンとなる。
必要に応じてポリマー末端に単独で又は2種のエンドキャップ剤を反応させて片末端又は両末端をそれぞれ飽和脂肪族基、不飽和脂肪族基、カルボキシル基、フェノール水酸基、スルホン酸基、又はチオール基としても良い。
その際、エンドキャップ率は30〜100%が好ましい。
The terminal group of the aromatic polyamide represented by the formula (I) becomes an amine having a carboxylic acid or a phenol group depending on the charging ratio of U and V.
If necessary, the polymer end alone or two kinds of end capping agents are reacted, and one end or both ends are saturated aliphatic group, unsaturated aliphatic group, carboxyl group, phenol hydroxyl group, sulfonic acid group, or thiol, respectively. It is good as a basis.
At that time, the end cap rate is preferably 30 to 100%.

(a)成分の分子量は、重量平均分子量で3,000〜200,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましい。
ここで、分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得た値である。
The molecular weight of the component (a) is preferably 3,000 to 200,000, more preferably 5,000 to 100,000 in terms of weight average molecular weight.
Here, the molecular weight is a value obtained by measuring by a gel permeation chromatography method and converting from a standard polystyrene calibration curve.

本発明において、式(I)で表される構造単位を有するポリアミドは、一般的にジカルボン酸誘導体とヒドロキシ基含有ジアミンとから合成できる。
具体的には、ジカルボン酸誘導体をジハライド誘導体に変換後、前記ジアミンとの反応を行うことにより合成できる。ジハライド誘導体としては、ジクロリド誘導体が好ましい。
In the present invention, the polyamide having the structural unit represented by the formula (I) can be generally synthesized from a dicarboxylic acid derivative and a hydroxy group-containing diamine.
Specifically, it can be synthesized by converting a dicarboxylic acid derivative into a dihalide derivative and then reacting with the diamine. As the dihalide derivative, a dichloride derivative is preferable.

ジクロリド誘導体は、ジカルボン酸誘導体にハロゲン化剤を作用させて合成することができる。
ハロゲン化剤としては通常のカルボン酸の酸クロ化反応に使用される、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リン等が使用できる。
The dichloride derivative can be synthesized by reacting a dicarboxylic acid derivative with a halogenating agent.
As the halogenating agent, thionyl chloride, phosphoryl chloride, phosphorus oxychloride, phosphorus pentachloride, etc., which are used in the usual acid chlorination reaction of carboxylic acid can be used.

ジクロリド誘導体を合成する方法としては、ジカルボン酸誘導体と上記ハロゲン化剤を溶媒中で反応させるか、過剰のハロゲン化剤中で反応を行った後、過剰分を留去する方法で合成できる。反応溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。   As a method of synthesizing the dichloride derivative, it can be synthesized by reacting the dicarboxylic acid derivative and the halogenating agent in a solvent, or reacting in an excess halogenating agent and then distilling off the excess. As the reaction solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, toluene, benzene and the like can be used.

これらのハロゲン化剤の使用量は、溶媒中で反応させる場合は、ジカルボン酸誘導体に対して、1.5〜3.0モルが好ましく、1.7〜2.5モルがより好ましく、ハロゲン化剤中で反応させる場合は、4.0〜50モルが好ましく、5.0〜20モルがより好ましい。
反応温度は、−10〜70℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
The amount of these halogenating agents to be used in a solvent is preferably 1.5 to 3.0 mol, more preferably 1.7 to 2.5 mol relative to the dicarboxylic acid derivative. When making it react in an agent, 4.0-50 mol is preferable and 5.0-20 mol is more preferable.
The reaction temperature is preferably -10 to 70 ° C, more preferably 0 to 20 ° C.

ジクロリド誘導体とジアミンとの反応は、脱ハロゲン化水素剤の存在下に、有機溶媒中で行うことが好ましい。
脱ハロゲン化水素剤としては、通常、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基が使用される。また、有機溶媒としは、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等が使用できる。
反応温度は、−10〜30℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
The reaction between the dichloride derivative and the diamine is preferably performed in an organic solvent in the presence of a dehydrohalogenating agent.
As the dehydrohalogenating agent, organic bases such as pyridine and triethylamine are usually used. As the organic solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyridone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like can be used.
The reaction temperature is preferably −10 to 30 ° C., more preferably 0 to 20 ° C.

(b)成分である光により酸を発生する化合物は、感光剤であって、光により酸を発生させ、光の照射部のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する化合物である。
上記(b)成分としては、o−キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられ、o−キノンジアジド化合物が感度が高く好ましい。
The compound (b), which generates an acid by light, is a photosensitive agent, and is a compound having a function of generating an acid by light and increasing the solubility of the light irradiated portion in an alkaline aqueous solution.
Examples of the component (b) include o-quinonediazide compounds, aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, and triarylsulfonium salts, and o-quinonediazide compounds are preferred because of their high sensitivity.

上記o−キノンジアジド化合物は、例えば、o−キノンジアジドスルホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。
o−キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、ベンゾキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド、ナフトキノン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリド等が使用できる。
The o-quinonediazide compound can be obtained, for example, by subjecting o-quinonediazidesulfonyl chlorides to a hydroxy compound, an amino compound or the like in the presence of a dehydrochlorinating agent.
Examples of o-quinonediazidosulfonyl chlorides include benzoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonyl chloride, naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride, and the like. Can be used.

上記ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールA、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’,3’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、4b,5,9b,10−テトラヒドロ−1,3,6,8−テトラヒドロキシ−5,10−ジメチルインデノ[2,1−a]インデン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が使用できる。   Examples of the hydroxy compound include hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 2,3,4-trihydroxybenzophenone. 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 3′-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4, 3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 4b, 5,9b, 10-tetrahydro -1,3,6,8-tetrahydroxy-5,10-dimethylindeno [2, -a] indene, tris (4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane and the like can be used.

アミノ化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、o−アミノフェノール、m−アミノフェノール、p−アミノフェノール、3,3’−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン等が使用できる。   Examples of amino compounds include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 4,4′-diaminodiphenyl sulfide. , O-aminophenol, m-aminophenol, p-aminophenol, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, bis (3- Amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis ( 3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluo Propane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like can be used.

o−キノンジアジドスルホニルクロリドとヒドロキシ化合物及び/又はアミノ化合物との配合比は、o−キノンジアジドスルホニルクロリド1モルに対して、ヒドロキシ基とアミノ基の合計が0.5〜1当量になるように配合されることが好ましい。
脱塩酸剤とo−キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は、0.95/1〜1/0.95の範囲である。
好ましい反応温度は0〜40℃、好ましい反応時間は1〜10時間である。
The blending ratio of o-quinonediazide sulfonyl chloride and hydroxy compound and / or amino compound is blended so that the total of hydroxy group and amino group is 0.5 to 1 equivalent per mole of o-quinonediazide sulfonyl chloride. It is preferable.
A preferred ratio of the dehydrochlorinating agent and o-quinonediazide sulfonyl chloride is in the range of 0.95 / 1 to 1 / 0.95.
A preferable reaction temperature is 0 to 40 ° C., and a preferable reaction time is 1 to 10 hours.

反応溶媒としては、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、N−メチルピロリドン等の溶媒が用いられる。
脱塩酸剤としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
As the reaction solvent, solvents such as dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, diethyl ether, N-methylpyrrolidone and the like are used.
Examples of the dehydrochlorination agent include sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium hydrogen carbonate, potassium carbonate, potassium hydroxide, trimethylamine, triethylamine, pyridine and the like.

本発明の感光性重合体組成物において、(b)成分の含有量は、露光部と未露光部の溶解速度差と、感度の許容幅の点から、(a)成分100重量部に対して5〜100重量部が好ましく、8〜40重量部がより好ましい。   In the photosensitive polymer composition of the present invention, the content of the component (b) is based on 100 parts by weight of the component (a) in terms of the difference in dissolution rate between the exposed portion and the unexposed portion and the allowable sensitivity range. 5-100 weight part is preferable and 8-40 weight part is more preferable.

(c)成分であるアルミニウム錯体接着助剤は、基板の金属表面とアルミキレートの相互作用によって、組成物の接着性を向上させることができる。特にアルミニウム錯体接着助剤は、ポリアミドとアルミキレートの相互作用によって、シランカップリング剤等に比較して組成物の接着性を大きく向上させることができる。   (C) The aluminum complex adhesion | attachment adjuvant which is a component can improve the adhesiveness of a composition by interaction of the metal surface of a board | substrate, and an aluminum chelate. In particular, the aluminum complex adhesion assistant can greatly improve the adhesion of the composition as compared with a silane coupling agent or the like due to the interaction between polyamide and aluminum chelate.

アルミニウム錯体接着助剤のアルミニウム錯体は、好ましくはアルミニウムキレート錯体であり、より好ましくは下記式(II)で表されるアルミニウムキレートである。

Figure 0005625549
(式中、R,R,R,R,R及びRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。1価の有機基は、エーテル結合、エステル結合等を含んでいてもよい) The aluminum complex of the aluminum complex adhesion assistant is preferably an aluminum chelate complex, and more preferably an aluminum chelate represented by the following formula (II).
Figure 0005625549
(Wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group. The monovalent organic group includes an ether bond, an ester bond, etc. May be included)

,R,R,R,R及びRの1価の有機基としては、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent organic group for R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms.

(c)成分であるアルミニウム錯体としては、例えばアルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)、アルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネート等が挙げられ、好ましくはアルミニウムトリス(アセチルアセトネート)、アルミニウムビスエチルアセトアセテートモノアセチルアセトネートである。
これらは単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Examples of the aluminum complex as component (c) include aluminum ethyl acetoacetate diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), aluminum tris (acetylacetonate), alkyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum bisethyl acetoacetate mono Examples include acetylacetonate, and aluminum tris (acetylacetonate) and aluminum bisethylacetoacetate monoacetylacetonate are preferable.
These may be used alone or in combination of two or more.

本発明の感光性重合体組成物において、(c)成分の含有量は、露光部と未露光部の溶解速度差及び感度の許容幅の点から、(a)成分100重量部に対して0.1〜20重量部が好ましく、0.5〜10重量部がより好ましい。
(c)成分の含有量を0.1重量部以上とすることにより基板との密着性向上効果が有効に作用し、20重量部以下とすることにより冷凍保存時においての析出等の問題を低減することができる。
In the photosensitive polymer composition of the present invention, the content of the component (c) is 0 with respect to 100 parts by weight of the component (a) from the viewpoint of the difference in dissolution rate between the exposed part and the unexposed part and the allowable sensitivity range. 0.1 to 20 parts by weight is preferable, and 0.5 to 10 parts by weight is more preferable.
When the content of the component (c) is 0.1 parts by weight or more, the effect of improving the adhesion to the substrate is effective, and by setting it to 20 parts by weight or less, problems such as precipitation during frozen storage are reduced. can do.

本発明の感光性重合体組成物は、さらに(d)アルコキシシラン接着剤を含んでもよい。
(d)アルコキシシラン接着剤のアルコキシシラン化合物としては、例えば、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n−ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、エチルメチルフェニルシラノール、n−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、フェニルシラントリオール、1,4−ビス(トリヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(メチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(エチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(プロピルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ブチルジヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジメチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジエチルヒドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジプロピルドロキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(ジブチルヒドロキシシリル)ベンゼン等が挙げられる。
これらのうち、好ましくはビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシランが好ましい。これらは単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The photosensitive polymer composition of the present invention may further contain (d) an alkoxysilane adhesive.
(D) Examples of the alkoxysilane compound of the alkoxysilane adhesive include bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane. , Ureapropyltriethoxysilane, methylphenylsilanediol, ethylphenylsilanediol, n-propylphenylsilanediol, isopropylphenylsilanediol, n-butylsiphenylsilanediol, isobutylphenylsilanediol, tert-butylphenylsilanediol, diphenyl Silanediol, ethylmethylphenylsilanol, n-propylmethylphenylsilanol, isopropylmethylphenylsilanol, n-butylmethylphenylsilanol , Isobutylmethylphenylsilanol, tert-butylmethylphenylsilanol, ethyl n-propylphenylsilanol, ethylisopropylphenylsilanol, n-butylethylphenylsilanol, isobutylethylphenylsilanol, tert-butylethylphenylsilanol, methyldiphenylsilanol, ethyl Diphenylsilanol, n-propyldiphenylsilanol, isopropyldiphenylsilanol, n-butyldiphenylsilanol, isobutyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, phenylsilanetriol, 1,4-bis (trihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (Methyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (ethyldihydroxysilyl) benzene 1,4-bis (propyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (butyldihydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dimethylhydroxysilyl) benzene, 1,4-bis (diethylhydroxysilyl) benzene, , 4-bis (dipropyldroxysilyl) benzene, 1,4-bis (dibutylhydroxysilyl) benzene and the like.
Of these, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane is preferred. These may be used alone or in combination of two or more.

本発明の感光性重合体組成物において、(d)成分の含有量は(a)成分100重量部に対して0.1〜50重量部であることが好ましく、より好ましくは1〜30重量部である。
(d)成分の含有量を0.1重量%以上とすることにより、基板に対する良好な密着性を組成物に与えることができ、30重量部以下とすることにより良好な保存性が得られる。
In the photosensitive polymer composition of the present invention, the content of the component (d) is preferably 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (a). It is.
When the content of the component (d) is 0.1% by weight or more, good adhesion to the substrate can be imparted to the composition, and when it is 30 parts by weight or less, good storability is obtained.

本発明の感光性重合体組成物は、好ましくはさらに(e)架橋剤を含む。本発明の組成物が含む(c)成分は、(e)成分の架橋機能を向上でき、(c)成分及び(e)成分を共に含むことにより相乗効果としてアルミニウム基板上でのメッキ液に対する耐性を向上させることができる。
(e)架橋剤は、本発明の感光性重合体組成物を塗布、露光及び現像後に加熱処理する工程において、ポリマーと反応して架橋する、又は加熱処理する工程において自身が重合する化合物である。
The photosensitive polymer composition of the present invention preferably further comprises (e) a crosslinking agent. The component (c) contained in the composition of the present invention can improve the crosslinking function of the component (e), and by including both the component (c) and the component (e), the resistance to the plating solution on the aluminum substrate as a synergistic effect. Can be improved.
(E) The cross-linking agent is a compound that reacts with the polymer to crosslink in the step of heat treatment after the application, exposure and development of the photosensitive polymer composition of the present invention, or polymerizes itself in the step of heat treatment. .

(e)成分は、得られる硬化膜の吸水性及び耐薬品性の観点から、好ましくは下記式(III)で表される化合物である。

Figure 0005625549
(式中、複数のRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。
複数のRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基であり、互いが結合して置換基を有してもよい環構造を形成してもよい。) The component (e) is preferably a compound represented by the following formula (III) from the viewpoint of water absorption and chemical resistance of the resulting cured film.
Figure 0005625549
(In the formula, a plurality of R 7 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.
A plurality of R 8 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, and may be bonded to each other to form a ring structure that may have a substituent. )

の1価の有機基としては、炭素数1〜20のアルキル基が好ましい。
の1価の有機基としては、炭素数1〜30のアルキル基、2つのRがお互いに結合した環構造が好ましい。2つのRがお互いに結合した環構造は酸素原子又は窒素原子を含んでもよい。
As the monovalent organic group for R 7 , an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is preferable.
The monovalent organic group R 8, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, the ring structure in which two R 8 are bonded to each other is preferable. The ring structure in which two R 8 are bonded to each other may contain an oxygen atom or a nitrogen atom.

式(III)で表される化合物の具体例を以下に示す。
尚、(e)成分は、これら化合物を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。

Figure 0005625549
(式中、Zは炭素数1〜10のアルキル基である。
Rは炭素数1〜20のアルキル基である。) Specific examples of the compound represented by the formula (III) are shown below.
In addition, (e) component can use these compounds individually or in combination of 2 or more types.
Figure 0005625549
(In the formula, Z is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. )

本発明の感光性樹脂組成物において、(e)成分である式(III)で表される化合物の含有量は、現像時間と、未露光部残膜率の許容幅、及び硬化膜物性の点から、(a)成分(ベース樹脂)100重量部に対して50重量部以下が好ましい、一方、硬化膜の薬品耐性の観点では、5重量部以上とすることが特に好ましい。   In the photosensitive resin composition of the present invention, the content of the compound represented by the formula (III) as the component (e) depends on the development time, the allowable width of the unexposed portion remaining film ratio, and the cured film properties. Therefore, 50 parts by weight or less is preferable with respect to 100 parts by weight of component (a) (base resin). On the other hand, from the viewpoint of chemical resistance of the cured film, 5 parts by weight or more is particularly preferable.

また、(e)成分は、下記式(IV)で表される化合物で表される化合物を用いることも好ましい。

Figure 0005625549
(式中、Xは、単結合又は1〜4価の有機基であり、1〜4価の有機基としては、炭素数1〜10のアルキル基、エチリデン基等の炭素数2〜10のアルキリデン基、フェニレン基等の炭素数6〜30のアリーレン基、これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられ、これらの基はさらにフェニル基、スルホン基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合等を含んでもよい。
11及びR12は、それぞれ独立に水素原子又は1価の有機基であり、R11は好ましくはアルキル基又はアルケニル基である。炭素数は1〜20が好ましく、R12は好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基又はメチロール基である。炭素数は1〜20が好ましい。
oは1〜4の整数であり、aは1〜4の整数であり、bは0〜4の整数である。) Moreover, it is also preferable to use the compound represented by the compound represented by following formula (IV) for (e) component.
Figure 0005625549
(In the formula, X is a single bond or a monovalent to tetravalent organic group, and examples of the monovalent to tetravalent organic group include alkylidene having 2 to 10 carbon atoms such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an ethylidene group. Groups, arylene groups having 6 to 30 carbon atoms such as phenylene groups, groups in which some or all of the hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with halogen atoms such as fluorine atoms, and these groups are further phenyl groups, A sulfone group, a carbonyl group, an ether bond, a thioether bond, an amide bond and the like may be included.
R 11 and R 12 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, and R 11 is preferably an alkyl group or an alkenyl group. The number of carbon atoms is preferably from 1 to 20, R 12 is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyalkyl group or a methylol group. As for carbon number, 1-20 are preferred.
o is an integer of 1 to 4, a is an integer of 1 to 4, and b is an integer of 0 to 4. )

式(IV)で表される化合物は、好ましくは下記式(V)で表される化合物である。

Figure 0005625549
(式中、Xは、単結合又は2価の有機基であり、2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素数1〜10のアルキレン基、エチリデン基、2,2−プロピリデン基等の炭素数2〜10のアルキリデン基、フェニレン基等の炭素数6〜30のアリーレン基、これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられ、これらの基はさらにスルホン基、カルボニル基、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合等を含んでもよい。
Rは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はアルケニル基である。炭素数は1〜20が好ましい。
14及びR15は、それぞれ独立に、アルキル基,アルケニル基、メチロール基又はアルコキシアルキル基であり、これらの基は一部にエーテル結合,エステル結合等を有していてもよい。炭素数は1〜20が好ましい。
e及びfは、それぞれ独立に、1又は2の整数であり、g及びhは、それぞれ独立に、0〜3の整数である。) The compound represented by the formula (IV) is preferably a compound represented by the following formula (V).
Figure 0005625549
(In the formula, X is a single bond or a divalent organic group. Examples of the divalent organic group include an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms such as a methylene group, an ethylene group and a propylene group, an ethylidene group, 2, Alkylidene groups having 2 to 10 carbon atoms such as 2-propylidene group, arylene groups having 6 to 30 carbon atoms such as phenylene group, and part or all of hydrogen atoms of these hydrocarbon groups are substituted with halogen atoms such as fluorine atoms. Groups, and these groups may further contain a sulfone group, a carbonyl group, an ether bond, a thioether bond, an amide bond, and the like.
Each R is independently a hydrogen atom, an alkyl group or an alkenyl group. As for carbon number, 1-20 are preferred.
R 14 and R 15 are each independently an alkyl group, an alkenyl group, a methylol group, or an alkoxyalkyl group, and these groups may partially have an ether bond, an ester bond, or the like. As for carbon number, 1-20 are preferred.
e and f are each independently an integer of 1 or 2, and g and h are each independently an integer of 0 to 3. )

式(IV)及び式(V)で表される化合物のXは、好ましくは式(VI)で表される連結基である。

Figure 0005625549
(式中、Aは、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素数3〜20のアリール基、又は酸素原子若しくはフッ素原子を一部に含む基である。) X in the compounds represented by formula (IV) and formula (V) is preferably a linking group represented by formula (VI).
Figure 0005625549
(In the formula, each A is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 3 to 20 carbon atoms, or a group partially containing an oxygen atom or a fluorine atom.)

(VI)で表される連結基は、好ましくはAの少なくとも1つが、フッ素原子を一部に含む基、又は炭素数3〜20のアリール基である。   In the linking group represented by (VI), preferably, at least one of A is a group partially containing a fluorine atom or an aryl group having 3 to 20 carbon atoms.

上記酸素原子若しくはフッ素原子を一部に含む基について、酸素原子を含む基としてはアルキルオキシ基等が挙げられ、フッ素原子を含む基としてはパーフルオロアルキル基等が挙げられる。その炭素原子数は1〜20であることが好ましい。   As for the group containing an oxygen atom or a fluorine atom in part, the group containing an oxygen atom includes an alkyloxy group, and the group containing a fluorine atom includes a perfluoroalkyl group. The number of carbon atoms is preferably 1-20.

(IV)で表される化合物の例としては、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−メトキシメチルフェノール)、4,4’−メチレンビス(2−メチル−6−ヒドロキシメチルフェノール)、4,4’−メチレンビス[2,6−ビス(メトキシメチル)フェノール]、4,4'−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス[2,6−ビス(メトキシメチル)フェノール]、ビス(2−ヒドロキシ−3−メトキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、4,4’−(1−フェニルエチリデン)ビス[2,6−ビス(メトキシメチル)フェノール]、ビス(2−ヒドロキシ−3−エトキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−3−プロポキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、ビス(2−ヒドロキシ−3−ブトキシメチル−5−メチルフェニル)メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(1−プロペニルオキシ)メチル−5−メチルフェニル]メタン、ビス(2−ヒドロキシ−3−メトキシメチル−5−メチルフェニル)エタン、ビス(2−ヒドロキシ−3−エトキシメチル−5−メチルフェニル)エタン、3,3’−ビス(メトキシメチル)−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、3,3’−ビス(エトキシメチル)−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テトラキス(メトキシメチル)ビフェニル、4,4’−ジヒドロキシ−3,3’,5,5’−テトラキス(エトキシメチル)ビフェニル、ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシメチルフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−エトキシメチルフェニル)メタン、ビス[4−ヒドロキシ−3,5−ビス(メトキシメチル)フェニル]メタン、ビス[4−ヒドロキシ−3,5−ビス(エトキシメチル)フェニル]メタン、2,2−ビス[3,5−ビス(ヒドロキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3,5−ビス(メトキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3,5−ビス(エトキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3,5−ビス(プロポキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3,5−ビス(アセトキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、4,4‘−イソプロピリデンビス[2,6−ビス(メトキシメチル)フェノール]、3,3−ビス[3,5−ビス(ヒドロキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]パーフルオロペンタン、3,3−ビス[3,5−ビス(メトキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル]パーフルオロペンタン、3,3’’−メチレンビス(2−ヒドロキシ−5−メチルベンゼンメタノール)、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス[2−メチル−6−ヒドロキシメチルフェノール]、3,3’,5,5’,−テトラキス(ヒドロキシメチル)[(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジオール]、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス[2,6−ビス(ヒドロキシメチル)フェノール]、2,2’−メチレンビス(4,6−ビスヒドロキシメチルフェノール)、2,6−ビス[(2−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチル−5−メチルフェニル)メチル]−4−メチルフェノール、4,4’−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス[2,6−ビス(ヒドロキシメチル)フェノール]等が挙げられる。
これらの化合物は単独または2種類以上組み合わせ用いることが出来る。
Examples of the compound represented by (IV) include 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-methoxymethylphenol), 4,4′-methylenebis (2-methyl-6-hydroxymethylphenol), 4 , 4′-methylenebis [2,6-bis (methoxymethyl) phenol], 4,4 ′-(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene) bis [2,6-bis (methoxy) Methyl) phenol], bis (2-hydroxy-3-methoxymethyl-5-methylphenyl) methane, 4,4 ′-(1-phenylethylidene) bis [2,6-bis (methoxymethyl) phenol], bis ( 2-hydroxy-3-ethoxymethyl-5-methylphenyl) methane, bis (2-hydroxy-3-propoxymethyl-5-methylphenyl) methane, bis (2-hydro Xyl-3-butoxymethyl-5-methylphenyl) methane, bis [2-hydroxy-3- (1-propenyloxy) methyl-5-methylphenyl] methane, bis (2-hydroxy-3-methoxymethyl-5- Methylphenyl) ethane, bis (2-hydroxy-3-ethoxymethyl-5-methylphenyl) ethane, 3,3′-bis (methoxymethyl) -4,4′-dihydroxybiphenyl, 3,3′-bis (ethoxy) Methyl) -4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-dihydroxy-3,3 ′, 5,5′-tetrakis (methoxymethyl) biphenyl, 4,4′-dihydroxy-3,3 ′, 5,5 '-Tetrakis (ethoxymethyl) biphenyl, bis (4-hydroxy-3-methoxymethylphenyl) methane, bis (4-hydroxy-3-ethoxymethyl) Ruphenyl) methane, bis [4-hydroxy-3,5-bis (methoxymethyl) phenyl] methane, bis [4-hydroxy-3,5-bis (ethoxymethyl) phenyl] methane, 2,2-bis [3, 5-bis (hydroxymethyl) -4-hydroxyphenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3,5-bis (methoxymethyl) -4-hydroxyphenyl ] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3,5-bis (ethoxymethyl) -4-hydroxyphenyl] -1,1,1,3,3 3-hexafluoropropane, 2,2-bis [3,5-bis (propoxymethyl) -4-hydroxyphenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis [ 3,5- (Acetoxymethyl) -4-hydroxyphenyl] -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 4,4′-isopropylidenebis [2,6-bis (methoxymethyl) phenol], 3 , 3-bis [3,5-bis (hydroxymethyl) -4-hydroxyphenyl] perfluoropentane, 3,3-bis [3,5-bis (methoxymethyl) -4-hydroxyphenyl] perfluoropentane, 3, , 3 ″ -methylenebis (2-hydroxy-5-methylbenzenemethanol), 4,4 ′-(1-methylethylidene) bis [2-methyl-6-hydroxymethylphenol], 3,3 ′, 5,5 ', -Tetrakis (hydroxymethyl) [(1,1'-biphenyl) -4,4'-diol], 4,4'-(1-methylethylidene) bis [2,6-bis ( Droxymethyl) phenol], 2,2′-methylenebis (4,6-bishydroxymethylphenol), 2,6-bis [(2-hydroxy-3-hydroxymethyl-5-methylphenyl) methyl] -4-methylphenol 4,4 ′-(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene) bis [2,6-bis (hydroxymethyl) phenol] and the like.
These compounds can be used alone or in combination of two or more.

上記(IV)で表される化合物の例のうち、式(V)に含まれる4,4’−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピリデン)ビス[2,6−ビス(ヒドロキシメチル)フェノール]は、感度向上の効果及びプリベーク後の膜の溶解性の面から、最も好ましい。   Among the examples of the compound represented by (IV), 4,4 ′-(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropylidene) bis [2,6- Bis (hydroxymethyl) phenol] is most preferable from the viewpoint of the effect of improving the sensitivity and the solubility of the film after pre-baking.

(IV)で表される化合物の含有量は、感光時の感度、解像度、保存安定性の観点から、(a)成分100重量部に対して、1重量部以上含有することが好ましい。
(IV)で表される化合物の含有量は、(a)成分100重量部に対して、感光特性とのバランスの点で1〜30重量部とすることがより好ましく、3〜25重量部とすることがさらに好ましい。
The content of the compound represented by (IV) is preferably 1 part by weight or more with respect to 100 parts by weight of component (a), from the viewpoints of sensitivity during photosensitivity, resolution, and storage stability.
The content of the compound represented by (IV) is more preferably 1 to 30 parts by weight, and 3 to 25 parts by weight with respect to 100 parts by weight of component (a) in terms of balance with the photosensitive characteristics. More preferably.

本発明の感光性重合体組成物は、好ましくは(f)オニウム塩、ジアリール化合物及びテトラアルキルアンモニウム塩からなる群から選択される化合物であって、(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解を阻害する化合物をさらに含有する。   The photosensitive polymer composition of the present invention is preferably a compound selected from the group consisting of (f) an onium salt, a diaryl compound and a tetraalkylammonium salt, and inhibits dissolution of the component (a) in an alkaline aqueous solution. It further contains a compound.

(f)成分は、(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物である。
上記オニウム塩としては、ジアリールヨードニウム塩等のヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等のスルホニウム塩、ホスホニウム塩、アリールジアゾニウム塩等のジアゾニウム塩等が挙げられる。
上記ジアリール化合物としては、ジアリール尿素、ジアリールスルホン、ジアリールケトン、ジアリールエーテル、ジアリールプロパン、ジアリールヘキサフルオロプロパン等の二つのアリール基が結合基を介して結合した化合物が挙げられ、当該アリール基は、フェニル基が好ましい。
テトラアルキルアンモニウム塩としては、当該アルキル基がメチル基、エチル基等であるテトラアルキルアンミニウムハライドが挙げられる。
The component (f) is a compound that inhibits the solubility of the component (a) in an alkaline aqueous solution.
Examples of the onium salt include iodonium salts such as diaryl iodonium salts, sulfonium salts such as triarylsulfonium salts, diazonium salts such as phosphonium salts and aryldiazonium salts.
Examples of the diaryl compound include compounds in which two aryl groups such as diaryl urea, diaryl sulfone, diaryl ketone, diaryl ether, diaryl propane, and diaryl hexafluoropropane are bonded via a bonding group. Groups are preferred.
Examples of the tetraalkylammonium salt include tetraalkylammonium halides in which the alkyl group is a methyl group, an ethyl group, or the like.

良好な溶解阻害効果を示す(f)成分としては、ジアリールヨードニウム塩、ジアリール尿素化合物、ジアリールスルホン化合物、テトラメチルアンモニウムハライド化合物等が挙げられる。
上記ジアリール尿素化合物としてはジフェニル尿素、ジメチルジフェニル尿素等が挙げられ、テトラメチルアンモニウムハライド化合物としては、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムヨーダイド等が挙げられる。
Examples of the component (f) exhibiting a good dissolution inhibiting effect include diaryliodonium salts, diarylurea compounds, diarylsulfone compounds, tetramethylammonium halide compounds, and the like.
Examples of the diarylurea compound include diphenylurea and dimethyldiphenylurea, and examples of the tetramethylammonium halide compound include tetramethylammonium chloride, tetramethylammonium bromide, and tetramethylammonium iodide.

(f)成分は、好ましくは下記式(VIII)で表されるジアリールヨードニウム塩である。

Figure 0005625549
(式中、Xは対陰イオンである。
及びRは、それぞれ独立に、アルキル基又はアルケニル基である。
m及びnは、それぞれ独立に、0〜5の整数である。) The component (f) is preferably a diaryliodonium salt represented by the following formula (VIII).
Figure 0005625549
(In the formula, X represents a counter anion.
R 8 and R 9 are each independently an alkyl group or an alkenyl group.
m and n are each independently an integer of 0 to 5. )

式(VIII)のXは、硝酸イオン、4弗化硼素イオン、過塩素酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、p−トルエンスルホン酸イオン、チオシアン酸イオン、塩素イオン、臭素イオン、沃素イオン等が挙げられる。 X − in the formula (VIII) is a nitrate ion, boron tetrafluoride ion, perchlorate ion, trifluoromethanesulfonate ion, p-toluenesulfonate ion, thiocyanate ion, chlorine ion, bromine ion, iodine ion or the like. Can be mentioned.

式(VIII)で表されるジアリールヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト等が挙げられる。
これらのうち、ジフェニルヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムトリフル
オロメタンスルホナート及びジフェニルヨードニウム−8−アニリノナフタレン−1−スルホナートが、効果が高く好ましい。
Examples of the diaryliodonium salt represented by the formula (VIII) include diphenyliodonium nitrate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium nitrate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, and bis (p-tert-butylphenyl). Examples thereof include iodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium bromide, diphenyliodonium chloride, and diphenyliodonium iodide.
Of these, diphenyliodonium nitrate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, and diphenyliodonium-8-anilinonanaphthalene-1-sulfonate are preferred because of their high effects.

(f)成分の含有量は、感度及び現像時間の許容幅の点から、(a)成分100重量部に対して0.01〜15重量部が好ましく、0.01〜10重量部がより好ましく、0.05〜3重量部がさらに好ましい。   The content of the component (f) is preferably 0.01 to 15 parts by weight, more preferably 0.01 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (a) from the viewpoints of sensitivity and an allowable range of development time. 0.05 to 3 parts by weight is more preferable.

本発明の感光性重合体組成物は、(a)成分、(b)成分及び(c)成分を含めばよく、好ましくは(a)成分、(b)成分、(c)成分及び(e)成分を含む。
本発明の感光性重合体組成物は、これら成分の他に、下記添加剤等を本発明の効果を損なわない範囲でさらに含むことができる。
The photosensitive polymer composition of the present invention may contain (a) component, (b) component and (c) component, preferably (a) component, (b) component, (c) component and (e). Contains ingredients.
In addition to these components, the photosensitive polymer composition of the present invention can further contain the following additives and the like as long as the effects of the present invention are not impaired.

本発明の感光性重合体組成物の溶剤としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、これら溶剤を単独で又は2種以上を併用して用いてもよい。   Examples of the solvent for the photosensitive polymer composition of the present invention include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorylamide, tetramethylene sulfone, Aprotic polar solvents such as γ-butyrolactone are preferred, and these solvents may be used alone or in combination of two or more.

本発明の感光性重合体組成物は、塗布性、例えばストリエーション(膜厚のムラ)を防いで現像性を向上させるために、適当な界面活性剤あるいはレベリング剤を含有することができる。
このような界面活性剤あるいはレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル等があり、具体的な市販品としては、メガファックスF171、F173、R−08(大日本インキ化学工業株式会社製商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム株式会社商品名)、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工業株式会社製商品名)等が挙げられる。
The photosensitive polymer composition of the present invention can contain a suitable surfactant or leveling agent in order to prevent coatability, for example, striation (film thickness unevenness) and improve developability.
Examples of such surfactants or leveling agents include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, and specific commercial products include Megafax F171, F173, R-08 (trade name, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC430, FC431 (trade name, Sumitomo 3M), organosiloxane polymers KP341, KBM303, KBM403, KBM803 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Company name).

本発明の感光性重合体組成物を塗布することにより、パターンを製造することができる。
特に本発明の感光性重合体組成物を用いることにより、感度、解像度、接着性及び耐熱性に優れ、良好な形状のポリオキサゾールのパターンが得られる。
A pattern can be produced by applying the photosensitive polymer composition of the present invention.
In particular, by using the photosensitive polymer composition of the present invention, a polyoxazole pattern having excellent sensitivity, resolution, adhesiveness and heat resistance and having a good shape can be obtained.

本発明のパターンの製造方法は、本発明の感光性重合体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含む。   The pattern production method of the present invention includes a step of applying and drying the photosensitive polymer composition of the present invention on a support substrate, a step of exposing, a step of developing, and a step of heat-treating.

本発明の組成物を塗布する支持基板としては、ガラス基板、アルミニウム基板、半導体、金属酸化物絶縁体(例えばTiO、SiO等)、窒化ケイ素等が挙げられる。
塗布法としては、スピンナー等の塗布法が挙げられ、本発明の組成物を回転塗布後にホットプレート、オーブン等を用いて乾燥することにより感光性重合体被膜を形成することができる。
Examples of the support substrate to which the composition of the present invention is applied include a glass substrate, an aluminum substrate, a semiconductor, a metal oxide insulator (for example, TiO 2 , SiO 2, etc.), silicon nitride, and the like.
Examples of the coating method include a coating method such as a spinner, and a photosensitive polymer film can be formed by drying the composition of the present invention using a hot plate, an oven or the like after spin coating.

露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性重合体組成物に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線等の活性光線を照射する。
この活性光線の光源は、i線であると好ましい。
In the exposure step, the photosensitive polymer composition formed as a film on the support substrate is irradiated with actinic rays such as ultraviolet rays, visible rays, and radiations through a mask.
The actinic ray light source is preferably i-line.

現像工程において、露光部を現像液で除去することによりパターン被膜が得られる。
用いる現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアルカリ水溶液が好ましく、これら水溶液の塩基濃度は、0.1〜10重量%であると好ましい。
上記現像液は、さらにアルコール類及び/又は界面活性剤を含んでもよく、これらは現像液100重量部に対して、好ましくは0.01〜10重量部、より好ましくは0.1〜5重量部の範囲で含むことができる。
In the developing process, the pattern film is obtained by removing the exposed portion with a developer.
As the developer to be used, for example, an alkaline aqueous solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide is preferable, and the base concentration of these aqueous solutions is 0.1 to 10% by weight is preferable.
The developer may further contain an alcohol and / or a surfactant, and these are preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the developer. Can be included.

得られたパターン被膜を加熱処理することにより、パターン被膜を熱硬化させて、オキサゾール環や他の官能基を有する耐熱性のポリオキサゾールのパターン硬化膜が得られる。
上記加熱処理の温度は、好ましくは150〜450℃である。
By heat-treating the resulting pattern coating, the pattern coating is thermally cured, and a heat-resistant polyoxazole pattern cured film having an oxazole ring or other functional group is obtained.
The temperature of the heat treatment is preferably 150 to 450 ° C.

本発明のパターンの製造方法を、パターンを有する半導体装置の製造工程を一例に図面に基づいて説明する。
図1〜図5は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であり、第1の工程から第5の工程へと一連の工程を表している。
A method for manufacturing a pattern according to the present invention will be described with reference to the drawings with an example of a manufacturing process of a semiconductor device having a pattern.
1 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayer wiring structure, and represent a series of processes from a first process to a fifth process.

図1〜図5において、回路素子(図示しない)を有するSi基板等の半導体基板1は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜2で被覆され、露出した回路素子上に第1導体層3が形成されている。上記半導体基板1上にスピンコート法等で層間絶縁膜層4としてのポリイミド樹脂等の膜が形成される(第1の工程、図1)。   1 to 5, a semiconductor substrate 1 such as a Si substrate having a circuit element (not shown) is covered with a protective film 2 such as a silicon oxide film except for a predetermined portion of the circuit element, and on the exposed circuit element. A first conductor layer 3 is formed. A film made of polyimide resin or the like as the interlayer insulating film layer 4 is formed on the semiconductor substrate 1 by a spin coating method or the like (first step, FIG. 1).

次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層5が、マスクとして層間絶縁膜層4上にスピンコート法で形成され、公知の写真食刻技術によって所定部分の層間絶縁膜層4が露出するように窓6Aが設けられる(第2の工程、図2)。この窓6Aに露出する層間絶縁膜層4は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓6Bが空けられる。次いで、窓6Bから露出した第1導体層3を腐食することなく、感光樹脂層5のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光樹脂層5が完全に除去される(第3の工程、図3)。   Next, a photosensitive resin layer 5 such as chlorinated rubber or phenol novolac is formed on the interlayer insulating film layer 4 as a mask by a spin coating method, and a predetermined portion of the interlayer insulating film layer 4 is formed by a known photolithography technique. A window 6A is provided so as to be exposed (second step, FIG. 2). The interlayer insulating film layer 4 exposed to the window 6A is selectively etched by a dry etching means using a gas such as oxygen or carbon tetrafluoride to open the window 6B. Next, the photosensitive resin layer 5 is completely removed using an etching solution that corrodes only the photosensitive resin layer 5 without corroding the first conductor layer 3 exposed from the window 6B (third step, FIG. 3).

さらに、公知の写真食刻技術を用いて、第2導体層7を形成させ、第1導体層3との電気的接続が完全に行われる(第4の工程、図4)。3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。   Further, the second conductor layer 7 is formed by using a known photolithography technique, and the electrical connection with the first conductor layer 3 is completely performed (fourth step, FIG. 4). When a multilayer wiring structure having three or more layers is formed, each layer can be formed by repeating the above steps.

次に、表面保護膜8を形成する。図5では、本発明の感光性重合体組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓6Cを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターン被膜を形成する。その後、このパターン被膜を加熱して表面保護膜層8としてのパターン硬化膜(ポリオキサゾール膜)とする(第5の工程、図5)。
この表面保護膜層(ポリオキサゾール膜)8は、導体層を外部からの応力、α線等から保護し、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
尚、上記層間絶縁膜を本発明の感光性重合体組成物を用いて形成してもよい。
Next, the surface protective film 8 is formed. In FIG. 5, the photosensitive polymer composition of the present invention is applied and dried by a spin coating method, irradiated with light from a mask on which a pattern for forming a window 6C is formed at a predetermined portion, and then developed with an alkaline aqueous solution. Then, a pattern film is formed. Then, this pattern film is heated to form a pattern cured film (polyoxazole film) as the surface protective film layer 8 (fifth step, FIG. 5).
This surface protective film layer (polyoxazole film) 8 protects the conductor layer from external stress, α rays, etc., and the resulting semiconductor device is excellent in reliability.
In addition, you may form the said interlayer insulation film using the photosensitive polymer composition of this invention.

本発明の感光性重合体組成物は、半導体装置や多層配線板等の電子部品に使用することができ、具体的には、半導体装置の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用することができる。
本発明の半導体装置は、本発明の感光性重合体組成物を用いて形成される表面保護膜又は層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
The photosensitive polymer composition of the present invention can be used for electronic parts such as semiconductor devices and multilayer wiring boards, and specifically, surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices, and interlayer insulation of multilayer wiring boards. It can be used for forming a film or the like.
The semiconductor device of the present invention is not particularly limited except that it has a surface protective film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive polymer composition of the present invention, and can take various structures.

以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, based on an Example and a comparative example, it demonstrates further more concretely about this invention. In addition, this invention is not limited to the following Example.

合成例1
[ポリベンゾオキサゾール前駆体((a)成分)の合成]
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g、N−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル12.64gを滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸クロリドの溶液を得た。
次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.30gを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン8.53gを添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。攪拌した溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧乾燥してポリヒドロキシアミド(ポリベンゾオキサゾール前駆体)を得た(以下、ポリマーIとする)。
Synthesis example 1
[Synthesis of Polybenzoxazole Precursor (Component (a))]
In a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 15.48 g of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid and 90 g of N-methylpyrrolidone were charged, the flask was cooled to 5 ° C., and then 12.64 g of thionyl chloride. Was added dropwise and reacted for 30 minutes to obtain a solution of 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic acid chloride.
Next, 87.5 g of N-methylpyrrolidone was charged into a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, and 18.30 g of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added and stirred. After dissolution, 8.53 g of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., a solution of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid chloride was added dropwise over 30 minutes, and stirring was continued for 30 minutes. The stirred solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed three times with pure water, and then dried under reduced pressure to obtain polyhydroxyamide (polybenzoxazole precursor) (hereinafter referred to as polymer I). ).

合成例2
[ポリイミド前駆体((a)成分)の合成]
攪拌機及び温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)10g(32mmol)とイソプロピルアルコール3.87g(65mmol)とをN−メチルピロリドン45gに溶解し、1,8−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加の後に、60℃にて2時間加熱を行い、続いて室温下(25℃)で15時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを7.61g(64mmol)加え、室温に戻し2時間反応を行い酸クロリドの溶液を得た。
Synthesis example 2
[Synthesis of polyimide precursor (component (a))
In a 0.2 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 10 g (32 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride (ODPA) and 3.87 g (65 mmol) of isopropyl alcohol were added. Is dissolved in 45 g of N-methylpyrrolidone, and after adding a catalytic amount of 1,8-diazabicycloundecene, heating is performed at 60 ° C. for 2 hours, followed by stirring at room temperature (25 ° C.) for 15 hours. Esterification was performed. Thereafter, 7.61 g (64 mmol) of thionyl chloride was added under ice cooling, and the mixture was returned to room temperature and reacted for 2 hours to obtain an acid chloride solution.

次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン40gを仕込み、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン10.25g(28mmol)を添加し、攪拌溶解した後、ピリジン7.62g(64mmol)を添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、先に調製した酸クロリド溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。この反応液を蒸留水に滴下し、沈殿物をろ別して集め、減圧乾燥することによってカルボキシル基末端のポリアミド酸エステル(以下、ポリマーIIとする)を得た。   Next, in a 0.5 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer, 40 g of N-methylpyrrolidone was charged, and 10.25 g (28 mmol) of bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added, After stirring and dissolving, 7.62 g (64 mmol) of pyridine was added, and while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., the previously prepared acid chloride solution was added dropwise over 30 minutes, and then stirring was continued for 30 minutes. This reaction solution was added dropwise to distilled water, and the precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain a carboxylate terminal polyamic acid ester (hereinafter referred to as polymer II).

ポリマーIのGPC法標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は14580、分散度は1.6であった。同様にポリマーIIの重量平均分子量は19,400、分散度は2.2であった。
尚、GPC法による重量平均分子量の測定条件は以下の通りであり、ポリマー0.5mgに対して溶媒[THF/DMF=1/1(容積比)]1mLの溶液を用いて測定した。
測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L4000 UV
ポンプ:株式会社日立製作所製L6000
株式会社島津製作所製C−R4A Chromatopac
測定条件:カラム Gelpack GL−S300MDT−5 x2本
溶離液:THF/DMF=1/1 (容積比)
LiBr(0.03mol/L)、HPO(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min、検出器:UV270nm
The weight average molecular weight of the polymer I determined by GPC standard polystyrene conversion was 14580, and the degree of dispersion was 1.6. Similarly, the polymer II had a weight average molecular weight of 19,400 and a dispersity of 2.2.
In addition, the measurement conditions of the weight average molecular weight by GPC method are as follows, It measured using the solvent [THF / DMF = 1/1 (volume ratio)] 1mL solution with respect to 0.5 mg of polymers.
Measuring device: Detector L4000 UV manufactured by Hitachi, Ltd.
Pump: Hitachi Ltd. L6000
C-R4A Chromatopac made by Shimadzu Corporation
Measurement conditions: Column Gelpack GL-S300MDT-5 x 2 eluent: THF / DMF = 1/1 (volume ratio)
LiBr (0.03 mol / L), H 3 PO 4 (0.06 mol / L)
Flow rate: 1.0 mL / min, detector: UV 270 nm

実施例1−12、参考例1及び比較例1−4
(a)成分として合成例1で調製したポリマーIを100重量部、並びに(b)成分、(c)成分、(d)成分及び(e)成分として、それぞれ表1に示す化合物及び配合量を、γ−ブチロラクトン/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比9:1で混合した溶剤に溶解して、それぞれ感光性重合体組成物を調製した。
尚、表1において、(b)、(c)、(d)及び(e)成分の各欄における括弧内の数字は、(a)成分100重量部に対する添加量(重量部)を示す。また、溶剤の使用量は、いずれも(a)成分100重量部に対して1.5倍で用いた。
Example 1-12 , Reference Example 1 and Comparative Example 1-4
(A) 100 parts by weight of the polymer I prepared in Synthesis Example 1 as a component, and (b) component, (c) component, (d) component, and (e) component as shown in Table 1, respectively, , Γ-butyrolactone / propylene glycol monomethyl ether acetate were dissolved in a solvent mixed at a weight ratio of 9: 1 to prepare photosensitive polymer compositions, respectively.
In Table 1, the numbers in parentheses in each column of the components (b), (c), (d), and (e) indicate the amount added (parts by weight) relative to 100 parts by weight of the component (a). Moreover, the usage-amount of the solvent was 1.5 times with respect to 100 weight part of (a) component in any case.

実施例13
(a)成分として合成例2で調製したポリマーIIを100重量部、並びに(b)成分、(c)成分、(d)成分及び(e)成分として、それぞれ表1に示す化合物及び配合量を、γ−ブチロラクトンに溶解して、感光性重合体組成物を調製した。
尚、表1において、(b)、(c)、(d)及び(e)成分の各欄における括弧内の数字は、(a)成分100重量部に対する添加量(重量部)を示す。また、溶剤の使用量は、(a)成分100重量部に対して1.5倍で用いた。
Example 13
(A) 100 parts by weight of the polymer II prepared in Synthesis Example 2 as a component, and (b) component, (c) component, (d) component, and (e) component as shown in Table 1, respectively, A photopolymer composition was prepared by dissolving in γ-butyrolactone.
In Table 1, the numbers in parentheses in each column of the components (b), (c), (d), and (e) indicate the amount added (parts by weight) relative to 100 parts by weight of the component (a). Moreover, the usage-amount of the solvent was used 1.5 times with respect to 100 weight part of (a) component.

Figure 0005625549
Figure 0005625549

実施例1−13、参考例1及び比較例1−4で用いた化合物を以下に示す。

Figure 0005625549
Figure 0005625549
Figure 0005625549
Figure 0005625549
The compounds used in Example 1-13 , Reference Example 1 and Comparative Example 1-4 are shown below.
Figure 0005625549
Figure 0005625549
Figure 0005625549
Figure 0005625549

調製した感光性重合体組成物を以下の方法で、その保存安定性、感度及び解像度、並びにメッキ液耐性をそれぞれ評価した。結果を表2に示す。   The prepared photosensitive polymer composition was evaluated for its storage stability, sensitivity and resolution, and plating solution resistance by the following methods. The results are shown in Table 2.

[保存安定性]
調製した感光性重合体組成物を冷凍庫中に保管し、2週間後、組成物中に析出物が確認されなかった場合を「○」と評価し、組成物中に析出物が確認された場合を「×」と評価した。
[Storage stability]
The prepared photosensitive polymer composition is stored in a freezer, and after 2 weeks, the case where no precipitate is confirmed in the composition is evaluated as “◯”, and the precipitate is confirmed in the composition Was evaluated as “×”.

[感度]
調製した感光性重合体組成物をシリコンウエハ上にスピンコートし、乾燥膜厚7〜12μmの塗膜を形成した。超高圧水銀灯を用いて、この塗膜に対して100〜1000mJ/cmのi線露光を干渉フィルターを介して行った。露光後、120℃で3分間加熱し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38重量%水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスし残膜率(現像前後の膜厚の比)80%以上が得られるパターン形成に必要な最小露光量(感度)を求めた。
[sensitivity]
The prepared photosensitive polymer composition was spin coated on a silicon wafer to form a coating film having a dry film thickness of 7 to 12 μm. Using an ultra high pressure mercury lamp, i-line exposure of 100 to 1000 mJ / cm 2 was performed on the coating film through an interference filter. After exposure, the film is heated at 120 ° C. for 3 minutes, developed with a 2.38 wt% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) until the exposed silicon wafer is exposed, and then rinsed with water to maintain the remaining film ratio (development The minimum exposure amount (sensitivity) required for pattern formation that can obtain 80% or more (ratio of film thickness before and after) was obtained.

[メッキ液耐性]
アルミを蒸着したシリコンウエハ上に、調製した感光性重合体組成物をスピンコートした後、120℃で3分間加熱して膜厚8μmの塗膜を形成した。この塗膜について、露光及び現像を行いパターン形成した。形成したパターンをイナートガスオーブン中、窒素雰囲気下、100℃で60分加熱した後、320℃で1時間加熱して硬化膜を得た。
このアルミ基板上でパターン化した硬化膜を、23℃で、アルカリ性水溶液を主成分とするメルテックス製無電解ニッケルめっき用薬液メルプレートFZ−7350、同FBZ2の混合水溶液(FZ−7350/FBZ2/水=200ml/10ml/790ml)に10分間浸漬した。
開口パターンから、基板と樹脂層の界面への薬液の染み込みの有無を、上方からの金属顕微鏡による観察で評価した。金属顕微鏡でも染み込みが確認できる程度の場合を「×」、全く染み込みが確認できない場合を「○」と評価した。
[Plating solution resistance]
The prepared photosensitive polymer composition was spin-coated on a silicon wafer on which aluminum was deposited, and then heated at 120 ° C. for 3 minutes to form a coating film having a thickness of 8 μm. This coating film was exposed and developed to form a pattern. The formed pattern was heated in an inert gas oven at 100 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere, and then heated at 320 ° C. for 1 hour to obtain a cured film.
The cured film patterned on the aluminum substrate was mixed at 23 ° C. with a mixed aqueous solution of Meltex FZ-7350 and FBZ2 made of Meltex electroless nickel plating mainly composed of an alkaline aqueous solution (FZ-7350 / FBZ2 / Water = 200 ml / 10 ml / 790 ml) for 10 minutes.
The presence or absence of the chemical solution permeating into the interface between the substrate and the resin layer from the opening pattern was evaluated by observation with a metal microscope from above. The case where penetration was confirmed with a metal microscope was evaluated as “X”, and the case where penetration was not confirmed at all was evaluated as “◯”.

[解像度]
パターン開口可能な最小露光量の1.2倍の露光量おけるSiウエハー上のラインアンドスペースの剥がれの最小値を解像度とした。
[resolution]
The minimum value of line-and-space peeling on the Si wafer at an exposure amount 1.2 times the minimum exposure amount capable of pattern opening was defined as the resolution.

Figure 0005625549
Figure 0005625549

表2の結果から、実施例1〜13及び参考例1の感光性重合体組成物からなる硬化膜は、基板との密着性が良好であり、実用レベルであることが確認された。即ち、本発明の感光性重合体組成物が、感度、解像度、耐熱性及び耐薬品性を低下させず、良好な形状のパターンを維持したまま、基板との密着性を向上することが出来るポジ型感光性重合体組成物であることが分かる。一方、比較例1〜4ではC成分を用いていないために、密着性が弱く、基板と樹脂界面への薬液の染み込みがみられた。 From the result of Table 2, it was confirmed that the cured film which consists of the photosensitive polymer composition of Examples 1-13 and Reference Example 1 has favorable adhesiveness with a board | substrate, and is a practical use level. That is, the photosensitive polymer composition of the present invention does not decrease sensitivity, resolution, heat resistance and chemical resistance, and can improve the adhesion to the substrate while maintaining a good shape pattern. It turns out that it is a type photosensitive polymer composition. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 4, since the C component was not used, the adhesion was weak, and soaking of the chemical solution into the substrate and the resin interface was observed.

本発明の感光性重合体組成物は、表面保護膜又は層間絶縁膜の材料として好適に用いることができ、信頼性の高い電子部品を歩留まり良くの製造することができる。   The photosensitive polymer composition of the present invention can be suitably used as a material for a surface protective film or an interlayer insulating film, and can produce highly reliable electronic components with a high yield.

1 半導体基板
2 保護膜
3 第1導体層
4 層間絶縁膜層
5 感光樹脂層
6A、6B、6C 窓
7 第2導体層
8 表面保護膜層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Protective film 3 1st conductor layer 4 Interlayer insulating film layer 5 Photosensitive resin layer 6A, 6B, 6C Window 7 2nd conductor layer 8 Surface protective film layer

Claims (11)

下記成分(a)〜(c)及び(e)を含有してなる感光性重合体組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光により酸を発生する化合物
(c)アルミニウム錯体接着助剤
(e)下記式(III)で表される化合物である架橋剤
Figure 0005625549
(式中、複数のR は、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。
複数のR は、各々独立に水素原子又は1価の有機基であり、互いが結合して置換基を有してもよい環構造を形成してもよい。)
A photosensitive polymer composition comprising the following components (a) to (c) and (e) .
(A) Polymer soluble in alkaline aqueous solution (b) Compound that generates acid by light (c) Aluminum complex adhesion assistant
(E) a crosslinking agent which is a compound represented by the following formula (III)
Figure 0005625549
(In the formula, a plurality of R 7 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.
A plurality of R 8 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group, and may be bonded to each other to form a ring structure that may have a substituent. )
前記(a)成分が、下記式(I)で表される構造単位を有するアルカリ水溶液可溶性ポリアミドである請求項1に記載の感光性重合体組成物。
Figure 0005625549
(式中、Uは4価の有機基であり、Vは2価の有機基である。)
The photosensitive polymer composition according to claim 1, wherein the component (a) is an aqueous alkali-soluble polyamide having a structural unit represented by the following formula (I).
Figure 0005625549
(In the formula, U is a tetravalent organic group, and V is a divalent organic group.)
前記(c)成分が、アルミニウムキレート接着助剤である請求項1又は2記載の感光性重合体組成物。   The photosensitive polymer composition according to claim 1, wherein the component (c) is an aluminum chelate adhesion aid. 前記(c)成分が、下記式(II)で表されるアルミニウムキレートである請求項1〜3のいずれかに記載の感光性重合体組成物。
Figure 0005625549
(式中、R,R,R,R,R及びRは、各々独立に水素原子又は1価の有機基である。)
The photosensitive polymer composition according to claim 1, wherein the component (c) is an aluminum chelate represented by the following formula (II).
Figure 0005625549
(In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group.)
(d)アルコキシシラン接着剤をさらに含有する請求項1〜4のいずれかに記載の感光性重合体組成物。   (D) The photosensitive polymer composition according to any one of claims 1 to 4, further comprising an alkoxysilane adhesive. (a)成分100重量部に対して、(b)成分5〜100重量部、(c)成分0.1〜50重量、(e)成分1〜30重量部を含有する請求項1〜4のいずれかに記載の感光性重合体組成物。 5) to 100 parts by weight of (a) component, 100 parts by weight of component (c), 0.1 to 50 parts by weight of component (c), and 1 to 30 parts by weight of component (e) . The photosensitive polymer composition in any one . (a)成分100重量部に対して、(b)成分5〜100重量部、(c)成分0.1〜50重量、(d)成分0.1〜20重量部、(e)成分1〜30重量部を含有する請求項5に記載の感光性重合体組成物。 (A) 100 parts by weight of component (b) 5 to 100 parts by weight of component, (c) 0.1 to 50 parts by weight of component, (d) 0.1 to 20 parts by weight of component, (e) 1 to 1 part of component The photosensitive polymer composition according to claim 5, comprising 30 parts by weight. 請求項1〜のいずれかに記載の感光性重合体組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製造方法。 A step of coating and drying on a support substrate a photosensitive polymer composition according to any one of claims 1 to 7 exposing method of pattern including a step of process and heat treatment developed. 前記露光する工程において使用する光源が、i線である請求項に記載のパターンの製造方法。 The pattern manufacturing method according to claim 8 , wherein a light source used in the exposing step is i-line. 請求項1〜のいずれかに記載の感光性重合体組成物を硬化してなる硬化物。 A cured product obtained by curing the photosensitive polymer composition according to any one of claims 1-7. 請求項10に記載の硬化物を表面保護膜又は層間絶縁膜として有してなる電子部品。 An electronic component comprising the cured product according to claim 10 as a surface protective film or an interlayer insulating film.
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JP2013076748A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulator film, and semiconductor device and display body device using the same
JP6044324B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-14 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Polyimide precursor resin composition
JP2018151527A (en) * 2017-03-13 2018-09-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Photosensitive resin composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3514167B2 (en) * 1998-05-14 2004-03-31 東レ株式会社 Photosensitive heat-resistant resin precursor composition
KR101183395B1 (en) * 2005-11-30 2012-09-14 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display using same
JP4899844B2 (en) * 2006-12-07 2012-03-21 住友ベークライト株式会社 Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device and display device using the same.
JP5136079B2 (en) * 2008-01-23 2013-02-06 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Positive photosensitive resin composition for low-temperature curing, method for producing pattern cured film, and electronic component
JP5169446B2 (en) * 2008-04-28 2013-03-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Photosensitive resin composition, polybenzoxazole film using the resin composition, method for producing patterned cured film, and electronic component

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