JP5623705B2 - オルガノランタニド化合物を含むシリカ粒子、その調製方法及びその使用 - Google Patents
オルガノランタニド化合物を含むシリカ粒子、その調製方法及びその使用 Download PDFInfo
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Description
−バリアとして作用するシリカマトリックスの存在による光安定性の増大、
−ナノ粒子1個に対して数個の蛍光分子を再編成することによるルミネッセンスの向上、及び
−こうしたナノ粒子と種々の媒質、特に生物学的媒質との適合性の向上。この特性は、主にシリカの高い表面反応性によるものである。
(1)少なくとも1つのランタニドと、式(A):
−Z1、Z2及びZ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する基を表し、
−R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子。
(2)上記ランタニドが、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、エルビウム(Er)及びイッテルビウム(Yb)で構成される群から選択されることを特徴とする、上記(1)に記載のシリカ粒子。
(3)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する上記基が、酸素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子及び炭素原子から選択される少なくとも1つの原子を有することを特徴とする、上記(1)及び(2)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(4)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する上記基が、ヒドロキシル機能、エステル機能、カルボン酸機能、アミン機能、アミド機能、オキシム機能、イソシアネート機能、イソニトリル機能、ヒドラジン機能、ヒドラゾン機能、イミン機能、及びホスフィン機能で構成される群から選択される少なくとも1つの機能を有することを特徴とする、上記(1)から(3)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(5)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する上記基が、飽和、不飽和又は芳香族環に含まれる、孤立電子対を保持する少なくとも1つの窒素原子を含むことを特徴とする、上記(1)から(4)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(6)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する少なくとも1つの原子を有する少なくとも1つの上記基が、基−R14−COOR15、−R14−C5H3N−COOR15及び−R14−P(O)−OC(R15)3で構成される群から選択され、ここでR14は、任意に置換されたアルキルラジカルを表し、R15は、水素又は任意に置換されたアルキルラジカルを表すことを特徴とする、上記(1)から(5)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(7)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する少なくとも1つの上記基が、以下の式(B):
−R21は単結合を表すか、又はR21はラジカル=CR23−を表すが、その場合R17は存在せず;
−R22は単結合を表すか、又はR22はラジカル−CR23=を表すが、その場合R19は存在せず;
−R16、R17、R18、R19、R20及びR23は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
に対応することを特徴とする、上記(1)から(6)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(8)式(B)の上記基が:
−R22がラジカル−C(SO3 −)=を表し、R16、R17、R18、及びR20が上記(7)に規定される通りである式(B)の基(B1);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−CH=、R17及びR19が存在しない式(B)の基(B2);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−C(SO3 −)=、R17及びR19が存在しない式(B)の基(B3);
から選択されることを特徴とする、上記(7)に記載のシリカ粒子。
(9)孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する少なくとも1つの上記基が、式(C)、(D)、(E)、(F)及び(H):
−Gは、独立に水素、任意に置換されたアルキルラジカル又は任意に置換されたアリールラジカルで置換されたO、N、P、S又はCを表し;
−ラジカルR24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37及びR38は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の基で構成される群から選択されることを特徴とする、上記(1)から(8)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(10)上記錯体が、一般式(I)
[Ln(L)(H2O)n] (I)
(式中、Lnは、上記(1)及び(2)のいずれかに規定されるランタニドを表し、Lは、上記(1)又は(3)から(9)のいずれかに規定される式(A)の配位子であり、nは0〜6の整数である)
の配位錯体の形態であることを特徴とする、上記(1)から(9)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(11)上記粒子が、ナノメートルからマイクロメートルの大きさを有することを特徴とする、上記(1)から(10)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(12)上記錯体が、上記シリカ粒子に封入されていることを特徴とする、上記(1)から(11)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(13)上記シリカ粒子が官能化されていることを特徴とする、上記(12)に記載のシリカ粒子。
(14)上記錯体が上記粒子の表面にあることを特徴とする、上記(1)から(11)のいずれかに記載のシリカ粒子。
(15)上記(14)に規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子を調製する方法であって、次の工程:
a’)上記(1)及び(2)のいずれかに規定される少なくとも1つのランタニドと任意に錯化した上記(1)又は(3)から(9)のいずれかに規定される式(A)の少なくとも1つの配位子を、シリカ粒子に直接又は間接的にグラフトする工程;
b’)工程(a’)にて得られた上記グラフト化シリカ粒子を、上記(1)及び(2)のいずれかに規定される少なくとも1つのランタニドと任意に接触させる工程
を含む、方法。
(16)上記(12)及び(13)のいずれかに規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子を調製する方法であって、上記方法が:
a)上記(1)から(10)のいずれかに規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体を、シリカ粒子に封入する工程;及び
b)工程(a)にて得られた上記シリカ粒子を任意に官能化する工程;
で構成される工程を含むことを特徴とする、方法。
(17)上記工程(a)が:
c)上記(15)に規定される方法によって得ることができる、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体がグラフトしたシリカ粒子を用いる工程;次いで
d)上記粒子をシリカの層でコーティングする工程
で構成されることを特徴とする、上記(16)に記載の方法。
(18)上記工程(a)が:
e)上記(1)及び(2)のいずれかに規定される少なくとも1つのランタニドと任意に錯化した、上記(1)又は(3)から(9)のいずれかに規定される式(A)の少なくとも1つの配位子と、多孔質シリカ粒子とを接触させる工程;
f)工程(e)にて得られた上記シリカ粒子を、上記(1)及び(2)のいずれかに規定される少なくとも1つのランタニドと任意に接触させる工程;
g)工程(f)にて得られた上記粒子をシリカの層で任意にコーティングする工程;
で構成されることを特徴とする、上記(16)に記載の方法。
(19)上記工程(a)が:
h)上記(1)から(10)のいずれかに規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体と、少なくとも1つのシリカ前駆体とを、シリカ粒子を得るための条件下にて、接触させる工程;
i)工程(h)で得られた上記粒子をシリカの層で任意にコーティングする工程;
で構成されることを特徴とする、上記(16)に記載の方法。
(20)上記(1)から(14)のいずれかに規定されるシリカ粒子又は上記(15)から(19)のいずれかに規定される方法によって調製できるシリカ粒子の、生物学的トレーサとしての使用。
(21)上記(1)から(14)のいずれかに規定されるシリカ粒子又は上記(15)から(19)のいずれかに規定される方法によって調製できるシリカ粒子の、抗偽造標識のためのトレーサとしての使用。
−Z1、Z2及びZ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する基を表し、
−R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子に関する。
−R21は単結合を表すか、又はR21はラジカル=CR23−を表すが、その場合R17は存在せず;
−R22は単結合を表すか、又はR22はラジカル−CR23=を表すが、その場合R19は存在せず;
−R16、R17、R18、R19、R20及びR23は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
に対応する。
−R22がラジカル−C(SO3 −)=を表し、R16、R17、R18、及びR20が先に定義された通りである式(B)の基(B1);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−CH=、R17及びR19は存在しない式(B)の基(B2);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−C(SO3 −)=、R17及びR19は存在しない式(B)の基(B3)
である。
−Gは、独立に水素、任意に置換されたアルキルラジカル又は任意に置換されたアリールラジカルで置換されたO、N、P、S又はCを表し;
−ラジカルR24、R25、R26、R27、R28、R29、R30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37及びR38は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の基で構成される群から選択される。
−以降、H3thqtcnと呼ぶZ1=Z2=Z3=B2である配位子;
−以降、H3thqtcn−SO3と呼ぶZ1=Z2=Z3=B3である配位子;
−以降、H3tpatcnと呼ぶZ1=Z2=Z3=−CH2−C5H3N−COOHである配位子;
である。
[Ln(L)(H2O)n] (I)
(式中、Lnは先に定義されたランタニドを表し、Lは先に定義された式(A)の配位子であり、nは0〜6の整数である)
の配位錯体の形態である。nは1であるのが有利である。
a)先に定義された少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体を、シリカ粒子に封入する工程;及び
b)工程(a)にて得られた前記シリカ粒子を任意に官能化する工程;
で構成される工程を含む。
c)以下に定義される方法(以下に定義される工程(a’)及び任意に工程(b’))によって得ることができる、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体がグラフトしたシリカ粒子を用いる工程;次いで
d)この粒子をシリカの層でコーティングする工程
で構成される。
e)先に定義された少なくとも1つのランタニドと任意に錯化した先に定義された式(A)の少なくとも1つの配位子と、多孔質シリカ粒子とを接触させる工程;
f)工程(e)にて得られたシリカ粒子を、先に定義された少なくとも1つのランタニドと任意に接触させる工程;
g)工程(f)にて得られた粒子をシリカの層で任意にコーティングする工程;
で構成される。
h)先に定義された少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体を、少なくとも1つのシリカ前駆体と、シリカ粒子を得るための条件下にて、接触させる工程;
i)工程(h)で得られた粒子をシリカの層で任意にコーティングする工程;
で構成される。
a’)少なくとも1つのランタニドと任意に錯化した式(A)の少なくとも1つの配位子を、シリカ粒子に直接又は間接的にグラフトする工程;
b’)工程(a’)にて得られた前記グラフト化シリカ粒子を、少なくとも1つのランタニドと任意に接触させる工程
を含む。
−同じ種類の分子にランタニドイオン系列の全てを組み込むことができる可能性と、それにより様々な発光波長にアクセスできる可能性;
−酸化物の場合よりも非常に大きい約390nmでの吸収。この利点により、相対的に長波長の励起でランタニドイオンの蛍光を得ることができる;
−錯化するランタニドイオンに無関係の同一化学挙動。結果として、ランタニドイオンを有するいくつかの分子の混合物は均質になる。このことにより、シリカ粒子の合成中に、分子を均一に分散させてコードを製造可能となる。この場合、コードの分布は、それぞれのシリカ粒子で同一である;
を有する。
−R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表し、
−Z1、Z2及びZ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれ以下の式(B):
−R21は単結合を表すか、又はR21はラジカル=CR23−を表すが、その場合R17は存在せず;
−R22は単結合を表すか、又はR22はラジカル−CR23=を表すが、その場合R19は存在せず;
−R16、R17、R18、R19、R20及びR23は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の基を示す]
の少なくとも1つの配位子とを含む錯体に関する。
−R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表し、
−Z1、Z2及びZ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれ以下の式(C):
−R21は単結合を表すか、又はR21はラジカル=CR23−を表すが、その場合R17は存在せず;
−R16、R17、R18、R20及びR23は、同一又は異なっていてもよく、水素、任意に置換されたアルキルラジカル、任意に置換されたアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO3H、ラジカル−SO3 −、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、任意に置換されたアルキル基又は任意に置換されたアリール基を表す)
の基を示す]
の配位子に関する。
I.配位子の合成及び特徴付け
I.1.H3thqtcn: 1,4,7−トリス[2−(8−ヒドロキシキノリニル)メチル]−1,4,7−トリアザシクロノナンの合成
配位子H3thqtcnは、4つの工程にて、市販の製品から、J.P.クロス(J.P. Cross)及びP.G.サムズ(P.G. Sammes)[13]によって記載されるプロトコルをわずかに変更して合成したが、この変更により収率が大きく増加した(4%に対して11%)。
配位子H3thqtcn(0,104g、0,17mmol)を最少量の発煙硫酸(H2SO4/SO3 20%、1.5mL)で覆った。混合物を室温で一晩攪拌し、次いで氷に注いだ。溶液をエバポレートして乾燥させ、次いでEtOHに溶解させた。溶液を4℃で徐々にエバポレートすると、トリスプロトン化形態の配位子H6thqtcn−SO3.6H2O.0.3H2SO4(0.134g、92%)の黄色沈殿物が生成した。
この合成は、ガトー(Gateau)ら、2003年[14]に記載されるプロトコルに従って行った。
II.1.Ln=Nd、Er、Ybである錯体[Ln(thqtcn)]。
メタノール(4mL)中のLn(OTf)3(Ln=Nd、Er、Yb)(0,09mmol)の溶液を、メタノール(4mL)中のH3thqtcn(0.09mmol)の溶液に添加した。0.85当量の1M KOH水溶液を添加することにより、透明な黄色溶液が得られ、それを4℃にて一晩冷蔵した。ろ過によりKOTfを除去した。4℃にて、得られた溶液中へKOH溶液(さらに3.3当量)を徐々に拡散させると、微結晶の黄色固体が形成し、それをろ過によって分離し、メタノール及びミリQ水で洗浄し、高真空下で2日間乾燥すると、錯体[Ln(thqtcn)](48〜79%)が得られた。
部分的にプロトン化された種は、MeOD中の等モル量の配位子と等モル量の適切な塩Ln(OTf3)を混合することによってその場で調製した。D2O中のKODの1M溶液のアリコートを続けて添加し、錯体の形成を1H−NMRでモニターした。配位子の完全な錯化には、0.85当量の塩基の添加が必要である。しかし、0.85当量を超えると、黄色粉末の沈殿が生じた。
水中での溶解性は、生物医学的画像形成用のルミネッセンスプローブとしてランタニド錯体を使用するために必須である。特徴的なスルホニル基は、負に帯電した種を形成することによって疎水性種の水への溶解を助けることが知られている。故に、H3thqtcnの類縁体であるH3thqtcn−SO3を調製した。
この合成は、ガトー(Gateau)ら、2003年[18]に記載されるプロトコルに従って行った。
この組み込みに使用されるプロトコルは次の通りである:
−1.65mLのトリトン(Triton)X−100(非イオン性界面活性剤)、1.6mLのヘキサノール、7.5mLのシクロヘキサン、80μLのランタニド錯体の水溶液、すなわち0.1MにおけるEu(tpatcn)、100μLの含水アンモニウム(30質量%)及び400μLの水を含む溶液の調製;
−この溶液の室温での30分間の攪拌;
−100μLのTEOSの添加;
−室温での24時間の攪拌。
thqtcn−SO3 6−配位子のEuIII及びYbIIIキレートは全て、溶液中でも、シリカに挿入されていても、緩衝水溶液(pH7.4)中にて金属を中心とするNIRルミネッセンス生成物を生じ、配位子の残留発光が事実上全くなく、それが効率の良いエネルギー移動を示している。
次のプロトコルは、少なくとも1つのランタニド錯体を含み、その表面がアミン機能でグラフトされているシリカナノ粒子を得るために使用した。
−1.65mLのトリトン(Triton)X−100(非イオン性界面活性剤)、1.6mLのヘキサノール、7.5mLのシクロヘキサン、80μLのランタニド錯体水溶液、すなわち0.1MのEu(tpatcn)、100μLの含水アンモニウム(30質量%)及び400μLの水を含む溶液の調製;
−この溶液の室温での30分間の攪拌;
−100μLのTEOSの添加;
−室温での24時間の攪拌;
−グラフト化アミン機能を得るために使用される15μLのTEOS及び15μLのAPTESの室温での添加;
−室温での24時間の攪拌。
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Claims (18)
- 少なくとも1つのランタニドと、式(A):
−Z1、Z2及びZ3は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する基を表し、
−R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11及びR12は、同一又は異なっていてもよく、それぞれが、水素、置換若しくは無置換のアルキルラジカル、置換若しくは無置換のアリールラジカル、ハロゲン、基−OR13又は基−SR13を表し、ここでR13は、H、置換若しくは無置換のアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表す)
の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含み、
該孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有するそれぞれの基が、以下の式(B)、(C)、(D)、(E)、(F)及び(H)の基で構成される群から選択される、シリカ粒子:
−R 21 は単結合を表すか、又はR 21 はラジカル=CR 23 −を表すが、その場合R 17 は存在せず;
−R 22 は単結合を表すか、又はR 22 はラジカル−CR 23 =を表すが、その場合R 19 は存在せず;
−Gは、独立に水素、置換若しくは無置換のアルキルラジカル又は置換若しくは無置換のアリールラジカルで置換されたO、N、P、S又はCを表し;
−ラジカルR 16 、R 17 、R 18 、R 19 、R 20 、R 23 、R 24 、R 25 、R 26 、R 27 、R 28 、R 29 、R 30 、R 31 、R 32 、R 33 、R 34 、R 35 、R 36 、R 37 及びR 38 は、同一又は異なっていてもよく、水素、置換若しくは無置換のアルキルラジカル、置換若しくは無置換のアリールラジカル、ハロゲン、ラジカル−SO 3 H、ラジカル−SO 3 − 、基−OR 13 又は基−SR 13 を表し、ここでR 13 は、H、置換若しくは無置換のアルキル基又は置換若しくは無置換のアリール基を表す)。 - 前記ランタニドが、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、エルビウム(Er)及びイッテルビウム(Yb)で構成される群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のシリカ粒子。
- 孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する前記基が、酸素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子及び炭素原子から選択される少なくとも1つの原子を有することを特徴とする、請求項1及び2のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する前記基が、ヒドロキシル機能、エステル機能、カルボン酸機能、アミン機能、アミド機能、オキシム機能、イソシアネート機能、イソニトリル機能、ヒドラジン機能、ヒドラゾン機能、イミン機能、及びホスフィン機能で構成される群から選択される少なくとも1つの機能を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 孤立電子対及び/又は負電荷を保持する原子を有する前記基が、飽和、不飽和又は芳香族環に含まれる、孤立電子対を保持する少なくとも1つの窒素原子を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 式(B)の前記基が:
−R22がラジカル−C(SO3 −)=を表し、R16、R17、R18、及びR20が請求項1に規定される通りである式(B)の基(B1);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−CH=、R17及びR19が存在しない式(B)の基(B2);
−R16=R18=R20=H;R21=ラジカル=CH−及びR22=ラジカル−C(SO3 −)=、R17及びR19が存在しない式(B)の基(B3);
から選択されることを特徴とする、請求項1に記載のシリカ粒子。 - 前記錯体が、一般式(I)
[Ln(L)(H2O)n] (I)
(式中、Lnは、請求項1及び2のいずれか1項に規定されるランタニドを表し、Lは、請求項1又は3〜6のいずれか1項に規定される式(A)の配位子であり、nは0〜6の整数である)
の配位錯体の形態であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のシリカ粒子。 - 前記粒子が、ナノメートルからマイクロメートルの大きさを有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 前記錯体が、前記シリカ粒子に封入されていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 前記シリカ粒子が官能化されていることを特徴とする、請求項9に記載のシリカ粒子。
- 前記錯体が前記粒子の表面にあることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載のシリカ粒子。
- 請求項11に規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子を調製する方法であって、次の工程(a’’);又は工程(a’)と(b’);を含む、方法:
a’)いずれのランタニドとも錯化していない請求項1又は3〜6のいずれか1項に規定される式(A)の少なくとも1つの配位子を、シリカ粒子に直接又は間接的にグラフトする工程;
b’)工程(a’)にて得られた前記グラフト化シリカ粒子を、請求項1及び2のいずれか1項に規定される少なくとも1つのランタニドと接触させる工程;
a’’)請求項1及び2のいずれか1項に規定される少なくとも1つのランタニドと錯化した請求項1又は3〜6のいずれか1項に規定される式(A)の少なくとも1つの配位子を、シリカ粒子に直接又は間接的にグラフトする工程。 - 請求項9及び10のいずれか1項に規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子との少なくとも1つの錯体を含むシリカ粒子を調製する方法であって、前記方法が工程(a);又は工程(a)と(b);を含むことを特徴とする方法:
a)請求項1〜7のいずれか1項に規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体を、シリカ粒子に封入する工程;
b)工程(a)にて得られた前記シリカ粒子を官能化する工程。 - 前記工程(a)が:
c)請求項12に規定される方法によって得ることができる、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体がグラフトしたシリカ粒子を用いる工程;次いで
d)前記粒子をシリカの層でコーティングする工程
で構成されることを特徴とする、請求項13に記載の方法。 - 前記工程(a)が、工程(e)と(f);工程(e)と(f)と(g);工程(e’);又は工程(e’)と(g);で構成されることを特徴とする、請求項13に記載の方法:
e)いずれのランタニドとも錯化していない、請求項1又は3〜6のいずれか1項に規定される式(A)の少なくとも1つの配位子と、多孔質シリカ粒子とを接触させる工程;
f)工程(e)にて得られた前記シリカ粒子を、請求項1及び2のいずれか1項に規定される少なくとも1つのランタニドと接触させる工程;
e’)請求項1及び2のいずれか1項に規定される少なくとも1つのランタニドと錯化した、請求項1又は3〜6のいずれか1項に規定される式(A)の少なくとも1つの配位子と、多孔質シリカ粒子とを接触させる工程;
g)工程(e’)又は(f)にて得られた前記粒子をシリカの層でコーティングする工程。 - 前記工程(a)が、工程(h);又は工程(h)と(i);で構成されることを特徴とする、請求項13に記載の方法:
h)請求項1〜7のいずれか1項に規定される、少なくとも1つのランタニドと式(A)の少なくとも1つの配位子とを含む少なくとも1つの錯体と、少なくとも1つのシリカ前駆体とを、シリカ粒子を得るための条件下にて、接触させる工程;
i)工程(h)で得られた前記粒子をシリカの層でコーティングする工程。 - 請求項1〜11のいずれか1項に規定されるシリカ粒子又は請求項12〜16のいずれか1項に規定される方法によって調製できるシリカ粒子の、生物学的トレーサとしての使用。
- 請求項1〜11のいずれか1項に規定されるシリカ粒子又は請求項12〜16のいずれか1項に規定される方法によって調製できるシリカ粒子の、抗偽造標識のためのトレーサとしての使用。
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