JP5615909B2 - 量子効率測定システムおよび使用方法 - Google Patents
量子効率測定システムおよび使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5615909B2 JP5615909B2 JP2012511998A JP2012511998A JP5615909B2 JP 5615909 B2 JP5615909 B2 JP 5615909B2 JP 2012511998 A JP2012511998 A JP 2012511998A JP 2012511998 A JP2012511998 A JP 2012511998A JP 5615909 B2 JP5615909 B2 JP 5615909B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- detector
- optical
- processor
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 159
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 34
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 25
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BYZNUJNHBZNBPT-UHFFFAOYSA-N 1-(cyclopentylmethyl)-6,7-diethoxy-1,2,3,4-tetrahydroisoquinoline;hydrochloride Chemical compound Cl.C1=2C=C(OCC)C(OCC)=CC=2CCNC1CC1CCCC1 BYZNUJNHBZNBPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002551 biofuel Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/33—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/10—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void
- G01J1/20—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle
- G01J1/34—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using separate light paths used alternately or sequentially, e.g. flicker
- G01J1/36—Photometry, e.g. photographic exposure meter by comparison with reference light or electric value provisionally void intensity of the measured or reference value being varied to equalise their effects at the detectors, e.g. by varying incidence angle using separate light paths used alternately or sequentially, e.g. flicker using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G08—SIGNALLING
- G08C—TRANSMISSION SYSTEMS FOR MEASURED VALUES, CONTROL OR SIMILAR SIGNALS
- G08C19/00—Electric signal transmission systems
- G08C19/02—Electric signal transmission systems in which the signal transmitted is magnitude of current or voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
Claims (24)
- 太陽電池の特性を測定するためのシステムにおいて、
300nmから3000nmのスペクトル域を有する少なくとも1つの光信号を照射する少なくとも1つの光源と、
前記光信号の前記スペクトル域を選択的に狭めるように構成された少なくとも1つの波長選択器と、
少なくとも1つのビームスプリッターと、
前記ビームスプリッターと光通信する少なくとも1つの参照検出器であって、前記光信号の少なくとも1つの特性を測定するように構成された参照検出器と、
前記ビームスプリッターからの前記光信号で照射される少なくとも1つの試料と、
前記ビームスプリッターおよび前記試料と光通信する少なくとも1つの拡散装置と、
前記ビームスプリッターを介して前記試料と光通信する反射検出器であって、前記試料で反射した前記光信号の少なくとも1つの光学特性を測定するように構成された反射検出器と、
マルチプレクサを介して、前記参照検出器、前記試料および前記反射検出器のうち少なくとも1つと通信する少なくとも1つのプロセッサであって、前記参照検出器、前記試料および前記反射検出器のうち少なくとも1つから受信された1以上の光信号を含むデータに基づいて、前記試料の少なくとも1つの特性を計算するように構成された、プロセッサと
を含み、
前記光源に近接して配置され、前記光源から放出された光信号を変調するように構成された少なくとも1つの変調器をさらに含むことを特徴とするシステム。 - 前記光源に近接して配置された少なくとも1つの波長フィルタであって、前記光源によって照射された広域スペクトル光信号をスペクトル的に狭めるように構成された波長フィルタをさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、前記参照検出器から受信したデータと、前記反射検出器と前記試料のうち少なくとも1つから受信したデータに基づいて前記試料の前記量子効率を計算するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、計算された前記量子効率と、前記参照検出器、前記試料および前記反射検出器のうち少なくとも1つから受信したデータに基づいて、前記試料の内部量子効率を計算するように構成されたことを特徴とする請求項3に記載のシステム。
- 前記試料に近接して配置された伝送検出器であって、前記光源によって照射され、前記試料を通って伝送される光信号を検出するように構成された伝送検出器をさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記伝送検出器は、前記マルチプレクサと通信することを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 前記マルチプレクサおよび前記プロセッサのうち少なくとも1つと通信する検出器測定装置をさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 前記検出器測定装置は、ロックインアンプを含む請求項7に記載のシステム。
- 少なくとも1つの拡散検出器をさらに含む請求項1に記載のシステムであって、
前記拡散装置は、前記拡散検出器と通信する前記試料に近接して配置され、前記拡張装置は、前記光信号を照射されたときに、前記試料で拡散する光を捕らえるように構成されたことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記拡散検出器は、前記マルチプレクサと通信することを特徴する請求項9に記載のシステム。
- 前記プロセッサと前記試料と通信する、少なくとも1つの光バイアスコントローラをさらに含み、該少なくとも1つの光バイアスコントローラは、試料上に入射する光信号の光特性を変更するように構成されたことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサと前記試料と通信する、少なくとも1つの電気バイアスコントローラをさらに含む請求項1に記載のシステム。
- 太陽電池の特性を測定するためのシステムにおいて、
300nmから3000nmのスペクトル域を有する少なくとも1つの光信号を照射する少なくとも1つの光源と、
前記光信号の前記スペクトル域を選択的に狭めるように構成された少なくとも1つの波長選択器と、
少なくとも1つのビームスプリッターと、
前記ビームスプリッターと光通信する少なくとも1つの参照検出器であって、前記光信号の少なくとも1つの特性を測定するように構成された参照検出器と、
前記ビームスプリッターからの前記光信号で照射される少なくとも1つの試料と、
前記ビームスプリッターおよび前記試料と光通信する少なくとも1つの拡散装置と、
前記拡散装置と通信する少なくとも1つの拡散検出器であって、前記光信号を照射されたときに、前記試料で拡散された光の少なくとも1つの光学特性を測定するように構成された拡散検出器と、
前記拡散装置および前記ビームスプリッターを介して前記試料と光通信する反射検出器であって、前記試料で反射した前記光信号の少なくとも1つの光学特性を測定するように構成された反射検出器と、
前記参照検出器、前記試料、前記拡散装置、前記拡散検出器、前記反射検出器のうち少なくとも1つと通信する少なくとも1つのマルチプレクサと、
前記マルチプレクサを介して、前記参照検出器と、前記試料、前記拡散装置、前記拡散検出器および前記反射検出器のうち少なくとも1つと通信する少なくとも1つのプロセッサであって、前記参照検出器、前記試料、前記拡散装置、前記拡散検出器および前記反射検出器のうち少なくとも1つから受信された1以上の光信号を含むデータに基づいて、前記試料の少なくとも1つの特性を計算するように構成されたプロセッサと
を含み、
前記光源に近接して配置され、前記光源から放出された光信号を変調するように構成された少なくとも1つの変調器をさらに含むシステム。 - 前記光源に近接して配置された少なくとも1つの波長フィルタであって、前記光源によって照射された広域スペクトル光信号をスペクトル的に狭めるように構成された波長フィルタをさらに含む請求項13に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、前記参照検出器から受信したデータと、前記反射検出器、前記拡散装置、前記拡散検出器および前記試料のうち少なくとも1つから受信したデータに基づいて前記試料の前記量子効率を計算するように構成されたことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、計算された前記量子効率と、前記参照検出器、前記試料、前記拡散装置、前記拡散検出器および前記反射検出器のうち少なくとも1つから受信したデータに基づいて、前記試料の内部量子効率を計算するように構成されたことを特徴とする請求項15に記載のシステム。
- 前記試料に近接して配置された伝送検出器であって、前記光源によって照射され、前記試料を通って伝送される光信号を検出するように構成された伝送検出器をさらに含む請求項13に記載のシステム。
- 前記伝送検出器は、前記マルチプレクサと通信することを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記マルチプレクサおよび前記プロセッサのうち少なくとも1つと通信する検出器測定装置をさらに含む請求項13に記載のシステム。
- 前記検出器測定装置は、ロックインアンプを含む請求項19に記載のシステム。
- 前記プロセッサと前記試料と通信する、少なくとも1つの光バイアスコントローラをさらに含み、該少なくとも1つの光バイアスコントローラは、試料上に入射する光信号の光特性を変更するように構成されたことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 前記プロセッサと前記試料と通信する、少なくとも1つの電気バイアスコントローラをさらに含む請求項13に記載のシステム。
- 太陽電池の量子効率および内部量子効率を測定する方法において、
制御された波長と強度を有する少なくとも1つの光信号を生成することと、
少なくとも1つの変調器を用いて、前記生成された光信号を変調することと、
前記変調された光信号を第1信号と第2信号に分割することと、
前記第1信号の少なくとも1つの光学特性を測定するように構成された参照検出器に前記第1信号を導くことと、
前記参照検出器を用いて前記第1信号の前記光学特性を測定することと、
試料に前記第2信号を導くことと、
反射検出器を用いて、前記試料で反射した前記第2信号の少なくとも1つの光学特性を測定することと、
入射した前記第2信号の波長で、試料によって光生成された電気信号を測定することと、
前記参照検出器および前記反射検出器と同時に通信するマルチプレクサを用いて、前記参照および反射検出器からのデータを多重伝送することと、
マルチプレクサと通信するプロセッサを用いて、前記参照検出器から受信した前記第1信号を含むデータと、前記反射検出器と前記試料のうち少なくとも1つから受信した前記第2信号を含むデータに基づいて前記試料の前記量子効率を計算することと、
を含む方法。 - 前記プロセッサを用いて、前記試料の前記内部量子効率を計算することをさらに含む請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21670409P | 2009-05-19 | 2009-05-19 | |
US61/216,704 | 2009-05-19 | ||
PCT/US2010/035445 WO2010135453A2 (en) | 2009-05-19 | 2010-05-19 | Quantum efficiency measurement system and methods of use |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012527779A JP2012527779A (ja) | 2012-11-08 |
JP5615909B2 true JP5615909B2 (ja) | 2014-10-29 |
Family
ID=43126753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012511998A Expired - Fee Related JP5615909B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-05-19 | 量子効率測定システムおよび使用方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8736825B2 (ja) |
EP (1) | EP2433313A4 (ja) |
JP (1) | JP5615909B2 (ja) |
KR (1) | KR101734876B1 (ja) |
CN (1) | CN102439737B (ja) |
AU (1) | AU2010249578B2 (ja) |
WO (1) | WO2010135453A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8432177B2 (en) * | 2010-05-12 | 2013-04-30 | Intermolecular, Inc. | High throughput current-voltage combinatorial characterization tool and method for combinatorial solar test substrates |
ES2366290B1 (es) * | 2010-10-20 | 2012-08-27 | Abengoa Solar New Technologies S.A. | Espectrofotómetro para caracterización óptica automatizada de tubos colectores solares y método de funcionamiento. |
US9863890B2 (en) * | 2011-06-10 | 2018-01-09 | The Boeing Company | Solar cell testing apparatus and method |
EP2664939B1 (de) * | 2012-05-18 | 2019-05-01 | Skytron Energy GmbH | Verfahren zur Validierung sonnenstandsabhängiger Messwerte mehrerer Messkanäle |
CN102853997B (zh) * | 2012-08-17 | 2015-06-17 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 积分球光源辐射非均匀性定标方法和定标系统 |
US9389273B2 (en) * | 2012-11-13 | 2016-07-12 | International Business Machines Corporation | Solar cell characteristics determination |
CN103903967B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-12-07 | 上海微电子装备有限公司 | 一种激光退火装置及方法 |
CN104752267B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-04-27 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种激光退火装置及方法 |
CN104062575B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-02-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 测量激光器内量子效率和内损耗的方法 |
DE102014213575B3 (de) * | 2014-07-11 | 2015-11-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren für eine spektral aufgelöste Vermessung eines Objekts |
JP6525220B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2019-06-05 | ニューポート コーポレイション | 同時光学電気信号の可干渉性受信 |
CN104458598A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-03-25 | 张晓勇 | 一种新型光电性能综合测试系统 |
US10411050B2 (en) | 2016-08-02 | 2019-09-10 | Newport Corporation | Multi-junction detector device and method of use |
JP6781985B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-11-11 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 太陽電池の評価方法及び評価装置並びに太陽電池の評価用プログラム |
CN106452362B (zh) * | 2016-11-11 | 2018-09-21 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种用于太阳能电池的qe测试装置及测试方法 |
CN106596069B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-11-26 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种量子效率的测试方法 |
US10720884B2 (en) * | 2017-11-11 | 2020-07-21 | The Boeing Company | High speed quantum efficiency spectra of multijunction cells using monochromator-based hardware |
KR102038862B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2019-10-31 | 한국표준과학연구원 | 단일 펄스 레이저를 이용한 검출기 양자효율 측정 장치 및 방법 |
CN110324004B (zh) * | 2019-07-01 | 2021-06-11 | 中国科学院物理研究所 | 一种太阳能电池的量子效率指标的测试方法和系统 |
KR102516003B1 (ko) * | 2021-10-25 | 2023-03-30 | 주식회사 팍스웰 | 형광 및 흡광을 동시에 관찰하는 광학 시스템 |
KR102552281B1 (ko) * | 2021-10-29 | 2023-07-07 | 주식회사 티엔이테크 | 페로브스카이트 태양전지의 양자효율 측정장치 및 그 제어방법 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4564808A (en) * | 1983-03-11 | 1986-01-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Direct determination of quantum efficiency of semiconducting films |
CA2092373A1 (en) * | 1992-04-24 | 1993-10-25 | Klaus W. Berndt | Methods and apparatus for detecting biological activities in a specimen |
US5757474A (en) * | 1993-05-10 | 1998-05-26 | Midwest Research Institute | System for characterizing semiconductor materials and photovoltaic devices through calibration |
US5581346A (en) * | 1993-05-10 | 1996-12-03 | Midwest Research Institute | System for characterizing semiconductor materials and photovoltaic device |
US5464982A (en) * | 1994-03-21 | 1995-11-07 | Andros Incorporated | Respiratory gas analyzer |
CA2126481C (en) * | 1994-06-22 | 2001-03-27 | Andreas Mandelis | Non-contact photothermal method for measuring thermal diffusivity and electronic defect properties of solids |
JP3353560B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2002-12-03 | ミノルタ株式会社 | 反射特性測定装置 |
DE29814322U1 (de) * | 1998-02-15 | 1999-03-18 | Stache, Nicolaj, 53567 Asbach | Einrichtung zum Sammeln der Kenndaten und zur verbraucherspezifischen Optmierung von Solarzellen |
US6154034A (en) * | 1998-10-20 | 2000-11-28 | Lovelady; James N. | Method and apparatus for testing photovoltaic solar cells using multiple pulsed light sources |
JP2001281097A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-10 | Nikon Corp | 散乱光測定方法及び装置 |
JP4663155B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2011-03-30 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の内部量子効率測定装置および方法 |
JP4370391B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2009-11-25 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光電変換特性評価方法およびそのための装置 |
US20050236563A1 (en) * | 2002-03-08 | 2005-10-27 | Busch Kenneth W | Dispersive near-infrared spectrometer with automatic wavelength calibration |
JP2004134748A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-30 | Canon Inc | 光電変換素子の測定方法および装置、光電変換素子の製造方法及び製造装置 |
US7196789B2 (en) * | 2003-10-15 | 2007-03-27 | Polychromix Corporation | Light processor providing wavelength control and method for same |
US7173708B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-02-06 | Sunkist Growers Inc. | Method and apparatus for detecting damage in plant products |
WO2005082007A2 (en) * | 2004-02-25 | 2005-09-09 | B & W Tek, Inc. | Fourier transform spectrometer apparatus multi-element mems |
JP5236858B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2013-07-17 | 日清紡ホールディングス株式会社 | 太陽電池の出力特性の測定方法。 |
JP5148073B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2013-02-20 | 日清紡ホールディングス株式会社 | ソーラシミュレータによる測定方法 |
US7725167B2 (en) * | 2005-07-13 | 2010-05-25 | Clemson University | Microwave imaging assisted ultrasonically |
US7655898B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-02-02 | Cambridge Research & Instrumentation, Inc. | Optical filter assembly with selectable bandwidth and rejection |
US20080170228A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for wafer level calibration of imaging sensors |
JP2008298471A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池の分光感度特性測定装置 |
CN102341716A (zh) * | 2009-03-01 | 2012-02-01 | 拓科学股份有限公司 | 利用固态光源的高速量子效率测量装置 |
-
2010
- 2010-05-19 EP EP10778345.8A patent/EP2433313A4/en not_active Withdrawn
- 2010-05-19 KR KR1020117022882A patent/KR101734876B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-19 CN CN201080021874.5A patent/CN102439737B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-19 JP JP2012511998A patent/JP5615909B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-19 AU AU2010249578A patent/AU2010249578B2/en not_active Ceased
- 2010-05-19 WO PCT/US2010/035445 patent/WO2010135453A2/en active Application Filing
-
2011
- 2011-09-16 US US13/234,951 patent/US8736825B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-20 US US14/282,999 patent/US9435733B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2010249578A1 (en) | 2011-10-20 |
KR20120016189A (ko) | 2012-02-23 |
US20120010854A1 (en) | 2012-01-12 |
EP2433313A2 (en) | 2012-03-28 |
EP2433313A4 (en) | 2014-05-14 |
CN102439737A (zh) | 2012-05-02 |
AU2010249578B2 (en) | 2014-09-04 |
WO2010135453A2 (en) | 2010-11-25 |
JP2012527779A (ja) | 2012-11-08 |
US8736825B2 (en) | 2014-05-27 |
US9435733B2 (en) | 2016-09-06 |
KR101734876B1 (ko) | 2017-05-24 |
CN102439737B (zh) | 2015-04-22 |
US20140252242A1 (en) | 2014-09-11 |
WO2010135453A3 (en) | 2011-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5615909B2 (ja) | 量子効率測定システムおよび使用方法 | |
US5769540A (en) | Non-contact optical techniques for measuring surface conditions | |
US20110227598A1 (en) | Apparatus and method for inspecting homogeneity of solar cell quantum efficiency using imaging device | |
KR20110124354A (ko) | 고체 상태 광원을 활용하는 고속 양자 효율 측정 장치 | |
JPH06500404A (ja) | 表面状態測定用無接触光学技術 | |
Zaid et al. | Differential spectral responsivity measurement of photovoltaic detectors with a light-emitting-diode-based integrating sphere source | |
Rheault et al. | Spectrophotometric calibration system for DECam | |
WO2006054292A2 (en) | Method and system for spectral measurements | |
Karmalawi et al. | Establishment and evaluation of photovoltaic quantum efficiency system at central metallurgical research and development institute | |
US9310249B2 (en) | Spectrophotometer for the automated optical characterization of solar collector tubes and method for the operation thereof | |
JP2013532819A (ja) | 携帯型反射率計及び太陽熱発電プラントのミラーの特性測定方法 | |
JP4324693B2 (ja) | 光検出器の分光応答度測定装置、その測定方法及び光源の分光放射照度校正方法 | |
Miller et al. | Flexible silicon sensors for diffuse reflectance spectroscopy of tissue | |
Manoochehri et al. | Characterisation of optical detectors using high-accuracy instruments | |
US11703391B2 (en) | Continuous spectra transmission pyrometry | |
KR101841931B1 (ko) | 태양전지의 양자효율측정장치와 그 제어방법 | |
CN109525196B (zh) | 太阳能电池宽光谱响应测试系统及方法 | |
CN105890755A (zh) | 一种用于野外定标的综合光源 | |
CN219675840U (zh) | 基于泵浦探测拉曼光谱的半导体导热系数测试装置 | |
Eppeldauer et al. | 4. Transfer Standard Filter Radiometers: Applications to Fundamental Scales | |
KR101092492B1 (ko) | 광전변환 검출기의 분광 특성 측정 장치, 분광 특성 측정 방법, 내부양자효율 측정 장치 및 내부양자효율 측정 방법 | |
Alves et al. | Spatial uniformity of the silicon photodiodes for establishment of spectral responsivity scale | |
Envall et al. | Calibration of broadband ultraviolet detectors by measurement of spectral irradiance responsivity | |
JP2013221857A (ja) | 太陽電池評価装置および該方法 | |
JP2024528340A (ja) | 多波長光放射の変調光源に適用される多相ロックイン分光計アセンブリ、ならびに関連する方法および使用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140811 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5615909 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |