JP5609657B2 - Low power design support apparatus and method for semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路における低電力なメモリの設計を支援する技術に関する。 The present invention relates to a technology for supporting design of a low-power memory in a semiconductor integrated circuit.
近年、半導体集積回路の高密度化すると共に、その消費電力を削減することが重要な課題となっている。半導体集積回路において、RAM(Random Access Memory)の電力が占める割合は大きく、RAMの無駄な動作を削除した低電力な集積回路を設計することによって、大きな電力削減の効果を得ることができる。 In recent years, increasing the density of semiconductor integrated circuits and reducing their power consumption have become important issues. In a semiconductor integrated circuit, the proportion of RAM (Random Access Memory) power is large, and by designing a low-power integrated circuit that eliminates unnecessary operations of the RAM, a great power reduction effect can be obtained.
例えば、多ウェイ・セットアソシアティブ対応のキャッシュメモリにおいて、ウェイ数分のタグアドレスを格納した大規模なアドレスメモリと、タグアドレスに対応するデータメモリの内容の有効/無効を示す有効ビットを格納した小規模な有効ビットメモリとに分離して配置し、有効ビットが無効であるウェイに関しては大規模なアドレスメモリの読み出し又は出力の動作を停止させるように構成したり、RAMの後続回路をモニタして、RAMから読み出したデータが後続回路に使われたか否かをチェックすることにより、無駄なRAMのread動作を検出する等が提案されている。 For example, in a cache memory that supports multi-way set associative, a large-scale address memory that stores tag addresses for the number of ways and a small bit that stores valid / invalid indicating the validity / invalidity of the contents of the data memory corresponding to the tag address. It is arranged separately from the large effective bit memory, and for the way where the effective bit is invalid, the read or output operation of the large address memory is stopped or the subsequent circuit of the RAM is monitored. It has been proposed to detect a useless read operation of a RAM by checking whether or not data read from the RAM is used in a subsequent circuit.
しかしながら、上述した従来技術では、実際のデータアクセスにおけるRAMの無駄な動作を十分に検出することができていなかった。 However, the above-described conventional technology cannot sufficiently detect a useless operation of the RAM in actual data access.
例えば、RAMから読み出したデータが後続回路に使われたか否かをチェックする検出方法では、RAMの後段の全ての回路を網羅的にチェックすることが困難であり、モニタした回路が無駄なアクセスで動作してその更に後段のモニタしきれなかった回路でデータが捨てられた場合、必要最小限のRAMのread動作回数の論理値を参照していないため、すべての無駄なアクセスを検出できないと言った問題があった。 For example, in the detection method for checking whether or not the data read from the RAM is used in the subsequent circuit, it is difficult to comprehensively check all the circuits in the subsequent stage of the RAM, and the monitored circuit is used in a wasteful access. When data is discarded in a circuit that cannot be monitored after the operation, all unnecessary accesses cannot be detected because the logical value of the minimum number of RAM read operations is not referred to. There was a problem.
開示の技術は、記憶領域に格納される半導体集積回路を評価するための評価用プログラムを用いた第一のシミュレーションによって得られる、メモリへのアクセスに応じて該メモリ内での対象データに対するアクセスに係る回数情報を用いて、論理的なread回数及び論理的なwrite回数を計算する計算手段と、前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のread回数及び実際のwrite回数を取得する取得手段と、前記実際のread回数が前記論理的なread回数より大きい場合、又は、前記実際のwrite回数が前記論理的なwrite回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定する無駄電力判定手段とを有することを特徴とする半導体集積回路の低電力設計支援装置として構成される。 In the disclosed technique, access to target data in the memory is obtained according to the access to the memory, which is obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area. Using the number information, calculation means for calculating a logical read number and a logical write number, and using the evaluation program, according to the design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area According to a second simulation, acquisition means for acquiring the actual number of reads and the actual number of writes to the memory, and when the actual number of reads is larger than the logical number of reads, or when the actual number of writes is wherein if logical larger write count, a semiconductor collector characterized in that it comprises a waste power determination means for determining a wasteful power is in the said memory Configured as a low power design support apparatus of the circuit.
また、上記課題を解決するための手段として、コンピュータに上記低電力設計支援装置として機能させるためのプログラム、そのプログラムを記録した記録媒体、及び半導体集積回路の低電力設計支援方法とすることもできる。 Further, as means for solving the above problems, a program for causing a computer to function as the low power design support apparatus, a recording medium recording the program, and a low power design support method for a semiconductor integrated circuit can be used. .
開示の技術では、メモリを構成するRAMへのアクセス回数の論理値を定め、その論理値と、RAMへの実際のアクセス回数との比較によって、メモリ全体で無駄なアクセスが存在するか否かを判定できる。よって、メモリ全体での無駄な電力の有無を判定可能とする。 In the disclosed technique, a logical value of the number of accesses to the RAM constituting the memory is determined, and whether or not there is useless access in the entire memory is determined by comparing the logical value with the actual number of accesses to the RAM. Can be judged. Therefore, it is possible to determine whether or not there is wasted power in the entire memory.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本実施の形態に係る低電力設計支援装置は、例えば、図1に示すようなハードウェア構成を有する。図1は、低電力設計支援装置のハードウェア構成を示す図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The low power design support apparatus according to the present embodiment has a hardware configuration as shown in FIG. 1, for example. FIG. 1 is a diagram illustrating a hardware configuration of a low power design support apparatus.
図1において、低電力設計支援装置100は、コンピュータによって制御される装置であって、CPU(Central Processing Unit)11と、メモリユニット12と、表示ユニット13と、出力ユニット14と、入力ユニット15と、通信ユニット16と、記憶装置17と、ドライバ18とを有し、システムバスBに接続される。
In FIG. 1, a low power
CPU11は、メモリユニット12に格納されたプログラムに従って低電力設計支援装置100を制御する。メモリユニット12には、RAM(Random Access Memory)及びROM(Read-Only Memory)等が用いられ、CPU11にて実行されるプログラム、CPU11での処理に必要なデータ、CPU11での処理にて得られたデータ等を格納する。また、メモリユニット12の一部の領域が、CPU11での処理に利用されるワークエリアとして割り付けられている。
The CPU 11 controls the low power
表示ユニット13は、CPU11の制御のもとに必要な各種情報を表示する。出力ユニット14は、プリンタ等を有し、利用者からの指示に応じて各種情報を出力するために用いられる。入力ユニット15は、マウス、キーボード等を有し、利用者が低電力設計支援装置100が処理を行なうための必要な各種情報を入力するために用いられる。
The
通信ユニット16は、例えばインターネット、LAN(Local Area Network)等に接続し、外部装置との間の通信制御をするための装置である。記憶装置17には、例えば、ハードディスクユニットが用いられ、各種処理を実行するプログラム等のデータを格納する。
The
低電力設計支援装置100によって行われる処理を実現するプログラムは、例えば、CD−ROM(Compact Disc Read-Only Memory)等の記憶媒体19によって低電力設計支援装置100に提供される。即ち、プログラムが保存された記憶媒体19がドライバ18にセットされると、ドライバ18が記憶媒体19からプログラムを読み出し、その読み出されたプログラムがシステムバスBを介して記憶装置17にインストールされる。そして、プログラムが起動されると、記憶装置17にインストールされたプログラムに従ってCPU11がその処理を開始する。尚、プログラムを格納する媒体としてCD−ROMに限定するものではなく、コンピュータが読み取り可能な媒体であればよい。コンピュータ読取可能な記憶媒体として、CD−ROMの他に、DVDディスク、USBメモリ等の可搬型記録媒体、フラッシュメモリ等の半導体メモリであっても良い。
A program for realizing the processing performed by the low power
また、消費電力解析装置100によって行われる処理を実現するプログラムが、通信ユニット16を介して外部装置から提供されてもよい。
In addition, a program that realizes processing performed by the power
図2は、低電力設計支援装置の第一の機能構成例を示す図である。図2において、低電力設計支援装置100は、論理シミュレータ121と、性能評価シミュレータ123と、アクセス数計算部125と、無駄電力有無判定部126等の処理部を有する。CPU11が対応するプログラムを実行することによって、これらの各処理部として機能する。
FIG. 2 is a diagram illustrating a first functional configuration example of the low power design support apparatus. In FIG. 2, the low-power
また、低電力設計支援装置100は、メモリユニット12又は/及び記憶装置17の記憶領域170に、設計データ171、評価用プログラム172、実際のアクセス数175を含む論理評価結果173、性能評価結果174、論理的なアクセス数176、判定結果176等の第一の機能構成例における処理を行うためのデータ等を格納する。
The low-power
論理シミュレータ121は、評価用プログラム172を用いて、設計データ171に従って論理シミュレーションを行う処理部である。論理シミュレーションによるRAMマクロへのアクセス回数が抽出されて、実際のアクセス数175として記憶領域170に格納される。
The
性能評価シミュレータ123は、評価用プログラム172を用いて、半導体集積回路を構成する機能ブロックの動作を表すマクロ(CPUマクロ、RAMマクロ、I/Oマクロ等を含む)の性能評価シミュレーションを行う処理部である。性能評価シミュレーションから、RAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数が抽出されて性能評価結果174として記憶領域170に格納される。
The
アクセス数計算部125は、設計データ171と性能評価結果174とを用いて、論理的なRAMマクロのアクセス数を計算して、論理的なアクセス数176として記憶領域170に格納する処理部である。
The access
無駄電力有無判定部126は、実際のアクセス数175と、論理的なアクセス数176とを記憶領域170から取得して比較することにより、RAMへのアクセスに関して無駄電力が有ったか否かを判定する処理部である。判定した結果を示す判定結果176が記憶領域170に格納される。
The waste power presence /
記憶領域170に格納された判定結果176が、表示ユニット13に表示されることにより、半導体集積回路の設計者は、低電力化の設計を見直すことができる。
By displaying the
設計データ171は、ウェイ数、ライン構造、セル間の入出力関係等を示すデータを含む。
The
評価用プログラム172は、論理シミュレータ121及び性能評価シミュレータ123で動作する評価用のプログラムであり、少なくともRAMマクロに係る動作パタンを含んでいる。また、評価用プログラム172は、各マクロの動作を評価するための動作パタンを含んでいる。
The
論理評価結果173は、論理シミュレータ121が評価用プログラム172を用いて、設計データ171に基づく論理シミュレーションを行うことによって得られた結果を示すデータである。論理評価結果173には、実際のRAMマクロのアクセス数が含まれる。
The
性能評価結果174は、性能評価シミュレータ123が評価用プログラム172を用いて、性能評価シミュレーションを行うことによって得られた結果を示すデータである。性能評価結果174には、RAMマクロへのLoad/store回数、キャッシュミス率、下位のメモリへのMOVE IN/MOVE OUT回数が含まれる。
The
実際のアクセス数175は、論理シミュレータ121が評価用プログラム172を用いて、設計データ171に基づく論理シミュレーションを行うことによって得られた実際のRAMマクロのアクセス数を示す。
The
論理的なアクセス数176は、性能評価シミュレータ123が評価用プログラム172を用いて、性能評価シミュレーションを行うことによって得られた論理的なRAMマクロのアクセス数を示す。
The
判定結果176は、無駄電力有無判定部126による判定結果を示し、無駄電力が有ると判定されたか、無駄電力が無いと判定されたかを示す。
The
次に、上述した処理部121〜126によって行われるRAMアクセスの無駄を判断する処理について説明する。図3は、RAMアクセスの無駄を判断する第一の処理例を説明するためのフローチャート図である。図3では、図2に示す第一の機能構成例における処理例を示している。
Next, processing for determining waste of RAM access performed by the
図3において、性能評価シミュレータ123は、記憶領域170に格納されている評価用プログラム172を入力して、半導体集積回路の性能を評価する性能評価シミュレーションを実行し、その結果を示す性能評価結果174を記憶領域170に格納する(ステップS11)。性能評価シミュレータ123によって評価用プログラム172が実行されている一定の期間において、RAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数が抽出されるため、性能評価結果174にそれらデータが含まれている。
In FIG. 3, the
性能評価シミュレーションの実行後、アクセス数計算部125は、性能評価結果174からRAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数を取得する(ステップS12)。
After executing the performance evaluation simulation, the access
そして、アクセス数計算部125は、設計データ171を記憶領域170から読み込んでRAMの構成情報を取得して、取得したRAMの構成情報に基づいて、ステップS12で取得したRAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数を用いて、論理的なRAMマクロへのアクセス(read/write)回数を算出する(ステップS13)。算出した論理的なRAMマクロへのアクセス(read/write)回数を示す論理的なアクセス数176を記憶領域170に格納する。
Then, the access
一方、論理シミュレータ121は、記憶領域170に格納されている設計データ171と評価用プログラム172とを入力して、設計データ171に従って論理シミュレーションを実行、その結果を示す論理評価結果173を記憶領域170に格納する(ステップS21)。この論理シミュレーションの実行によって、RAMマクロのアクセス数を示す実際のアクセス数175が抽出されるため、論理評価結果173にそのデータが含まれている。
On the other hand, the
性能評価シミュレーションと論理シミュレーションの実行後、無駄電力有無判定部126は、記憶領域170から実際のアクセス数175を読み出して実際のRAMマクロのアクセス数Mに設定する(ステップS22)。また、無駄電力有無判定部126は、記憶領域170から論理的なアクセス数176を読み出して論理的なRAMマクロのアクセス数Nに設定する(ステップS23)。
After executing the performance evaluation simulation and the logic simulation, the waste power presence /
そして、無駄電力有無判定部126は、アクセス数Mがアクセス数Nより大きいか否かを判定し、その判定結果176を記憶領域170に出力して格納する(ステップS24)。アクセス数Mがアクセス数Nより大きい場合、無駄電力有無判定部126は、RAMマクロの動作において無駄電力が有ることを示す判定結果176を記憶領域170に出力する。一方、アクセス数Mがアクセス数N以下である場合、無駄電力有無判定部126は、RAMマクロの動作において無駄電力が無いことを示す判定結果176を記憶領域170に出力する。
Then, the waste power presence /
図3において、ステップS21での論理シミュレーションの実行と、ステップS11での性能評価シミュレーションの実行の順序を問わない。即ち、ステップS11での性能評価シミュレーションの実行前に、論理シミュレーションを実行してもよい。 In FIG. 3, the order of execution of the logic simulation in step S21 and the execution of the performance evaluation simulation in step S11 is not limited. That is, a logic simulation may be executed before the performance evaluation simulation in step S11.
図4は、低電力設計支援装置の第二の機能構成例を示す図である。図4に示す第二の機能構成例において、図2に示す第一の機能構成例と同様の構成部には同様の符号を付し、その説明を省略する。図2の第一の機能構成例との違いは、設計データ171にイベントの統計情報をカウントするイベントカウンタ(PA17a)を内蔵させ、論理シミュレータ121による論理シミュレーションから得られる論理評価結果173のみを用いて、性能評価シミュレータ123を必要とせずに、RAMマクロの無駄電力の有無を判定する点にある。
FIG. 4 is a diagram illustrating a second functional configuration example of the low-power design support apparatus. In the second functional configuration example shown in FIG. 4, the same components as those in the first functional configuration example shown in FIG. The difference from the first functional configuration example of FIG. 2 is that an event counter (
図4に示す第二の機能構成例では、低電力設計支援装置100は、論理シミュレータ121と、アクセス数計算部135と、無駄電力有無判定部126等の処理部を有する。CPU11が対応するプログラムを実行することによって、これらの各処理部として機能する。
In the second functional configuration example illustrated in FIG. 4, the low power
また、低電力設計支援装置100は、メモリユニット12又は/及び記憶装置17の記憶領域170に、PA17aを有する設計データ171、評価用プログラム172、実際のアクセス数175を含む論理評価結果173、論理的なアクセス数176、判定結果176等の第二の機能構成例における処理を行うためのデータ等を格納する。
In addition, the low power
論理シミュレータ121は、評価用プログラム172を用いて、PA17aを内蔵した設計データ171に従って論理シミュレーションを行う処理部である。
The
アクセス数計算部135は、設計データ171と論理評価結果173とを用いて、論理的なRAMマクロのアクセス数を計算して、論理的なアクセス数176として記憶領域170に格納する処理部である。
The access
設計データ171には、Load/storeの発生、キャッシュミスの発生、MOVE IN/MOVE OUTの発生を夫々カウントするPA17aが回路的に設計されている。キャッシュミスが発生した回数に基づいてキャッシュミス率が求められ、Load/store回数、キャッシュミス率、下位のメモリへのMOVE IN/MOVE OUT回数が、PA情報として論理評価結果173に含まれて、記憶領域170に出力され格納される。
In the
次に、上述した処理部121、135、及び126によって行われるRAMアクセスの無駄を判断する処理について説明する。図5は、RAMアクセスの無駄を判断する第二の処理例を説明するためのフローチャート図である。図5では、図4に示す第二の機能構成例における処理例を示している。
Next, processing for determining waste of RAM access performed by the
図5において、論理シミュレータ121は、記憶領域170に格納されているPA17aを内蔵した設計データ171と評価用プログラム172とを入力して、設計データ171に従って論理シミュレーションを実行し、その結果を示す論理評価結果173を記憶領域170に格納する(ステップS31)。論理シミュレータ121によって論理シミュレーションが実行されることにより、PA17aでカウントしたLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数が抽出されるため、論理評価結果173にそれらデータが含まれている。
In FIG. 5, the
論理シミュレーションの実行後、アクセス数計算部135は、論理評価結果173からRAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数を取得する(ステップS32)。
After executing the logic simulation, the access
そして、アクセス数計算部135は、設計データ171を記憶領域170から読み込んでRAMの構成情報を取得して、取得したRAMの構成情報に基づいて、ステップS32で取得したRAMマクロに係るLoad/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数を用いて、論理的なRAMマクロへのアクセス(read/write)回数を算出する(ステップS33)。算出した論理的なRAMマクロへのアクセス(read/write)回数を示す論理的なアクセス数176を記憶領域170に格納する。
Then, the access
その後、無駄電力有無判定部126は、記憶領域170から実際のアクセス数175を読み出して実際のRAMマクロのアクセス数Mに設定する(ステップS34)。また、無駄電力有無判定部126は、記憶領域170から論理的なアクセス数176を読み出して論理的なRAMマクロのアクセス数Nに設定する(ステップS35)。
Thereafter, the waste power presence /
そして、無駄電力有無判定部126は、アクセス数Mがアクセス数Nより大きいか否かを判定し、その判定結果176を記憶領域170に出力して格納する(ステップS35)。
Then, the waste power presence /
次に、図6に示すようなメモリシステム200におけるRAMのアクセス回数の計算例について説明する。図6は、メモリシステムの構成例を示す図である。図6において、メモリシステム200は、L1キャッシュとL2キャッシュとからなる階層構造のメモリシステムである。 Next, a calculation example of the RAM access count in the memory system 200 as shown in FIG. 6 will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration example of a memory system. In FIG. 6, the memory system 200 is a hierarchical memory system including an L1 cache and an L2 cache.
L1キャッシュを構成するRAMは、ウェイ1〜ウェイn毎に分かれ、タグRAMとデータラインRAMとが一体になっているもので、ラインデータを一回で読み出せる構成を有する。また、同一インデックスを有するタグとラインデータの集合を1セットとする。
The RAM constituting the L1 cache is divided for each
アドレスメモリ61は、アドレスの所定の上位ビットを示すタグと、データラインを指定するインデックスと、バイトオフセットとを有する。 The address memory 61 has a tag indicating a predetermined upper bit of the address, an index for designating a data line, and a byte offset.
各ウェイ1〜ウェイnは、インデックス毎に、データラインの有効/無効を示す有効ビットと、アドレスの所定の上位ビットを示すタグと、データが格納されるデータラインとで構成される。
Each
各ウェイ1〜ウェイnに対応する各比較部62は、アドレスメモリ61のタグと各ウェイ1〜ウェイnのインデックスで指定されたタグとを比較する。各ウェイ1〜ウェイnに対応する各AND回路62は、対応するウェイのインデックスで指定された有効ビットと比較部62の比較結果との論理積を出力する。
Each
OR回路64は、全AND回路62からの出力の論理和を出力し、データのヒット又はミスを示す。n:1マルチプレクサ65は、各AND回路62からの出力に応じてウェイを選択して、インデックスで指定されたデータラインのデータを出力する。
The OR
バッファ66は、L1キャッシュとL2キャッシュ間で行われるデータの書き込み、読み取り時に一時的にデータを保存するためのメモリである。
The
このメモリシステム200では、L1キャッシュの書き込み方式はライトバック方式とする。また、L1キャッシュはnウェイセット・アソシアティブ方式とする。 In this memory system 200, the write method of the L1 cache is the write back method. The L1 cache is an n-way set associative method.
本実施例に係る処理は、L1キャッシュは、必ずしもRAMがウェイ毎に分かれている必要はなく、また、タグRAMとデータRAMとが分離されている構成でも適用でき、一回の読み出しでラインデータの一部を読み出せる構成であっても適用できる。 The processing according to the present embodiment does not necessarily require the RAM to be divided for each way in the L1 cache, and can also be applied to a configuration in which the tag RAM and the data RAM are separated. Even if it is the structure which can read a part of, it is applicable.
次に、上述したメモリシステム200を例として、無駄電力の有無を判定する方法の適用例を説明する。 Next, an application example of a method for determining the presence or absence of wasted power will be described using the above-described memory system 200 as an example.
(手順1)図3のステップS21、図5のステップS31に相当
評価用プログラム172を用いて、設計データ171に従った論理シミュレーションを実行することにより、L1キャッシュを構成するRAMへのアクセス回数Mを取得する。アクセス種別毎の、Read回数M(R1)、write回数M(W1)を取得する。なお、本実施例において、カウントされるL1キャッシュを構成するRAMへのreadアクセスは、L1キャッシュを構成するウェイ数分のRAMへの合計値である。writeアクセスについても同様である。
(Procedure 1) Equivalent to step S21 in FIG. 3 and step S31 in FIG. 5 By executing a logic simulation according to the
(手順2)図3のステップS11、図5のステップS31に相当
評価用プログラム172を用いた性能評価シミュレーション、又は、PA17aを内蔵している設計データ171に従った論理シミュレーションにより、Load/store回数、キャッシュミス率、L2キャッシュからL1キャッシュへのバッファ66を介したMOVE IN/MOVE OUT回数がカウントされる。カウントした回数を含む性能評価結果174、又は、論理評価結果173が記憶領域170に格納される。
(Procedure 2) Corresponds to step S11 in FIG. 3 and step S31 in FIG. 5 The number of load / store times by performance evaluation simulation using the
(手順3)図3のステップS12及びS13、図5のステップS32及びS33に相当
上述した手順2でカウントした回数と、設計データ171から得られるメモリシステム200の構成情報に基づいて、理論上L1キャッシュを構成するRAMへのアクセス回数Nを計算する。アクセス種別毎の、Read回数M(R1)、write回数M(W1)を取得する。計算方法は、例えば、図7を参照しつつ下記の手順で示される。図7は、適用例における計算方法(手順3)を説明するための図である。
(Procedure 3) Corresponds to steps S12 and S13 in FIG. 3 and steps S32 and S33 in FIG. 5 and theoretically based on the number of times counted in the
L1キャッシュの動作に関して、下記のケースを考える。(a)、(b)、及び(c)のL1キャッシュへのloadの場合、(d)、(e)、及び(f)のstoreとなる。図8に、図7の(a)から(f)に対応するL1キャッシュの動作を示す。図7及び図8を参照しつつ、以下に計算方法(手順3)を、図7及び図8に対応させて(a)から(f)に詳述する。 Consider the following case for L1 cache operation. In the case of load to the L1 cache of (a), (b), and (c), the store is (d), (e), and (f). FIG. 8 shows the operation of the L1 cache corresponding to (a) to (f) of FIG. With reference to FIGS. 7 and 8, the calculation method (procedure 3) will be described in detail from (a) to (f) in correspondence with FIGS. 7 and 8.
(a)loadで、L1キャッシュにヒットした場合
L1キャッシュを構成するRAMに対して、初期のn回のreadアクセスで済む。CPU69は、L1キャッシュからデータを取得する。
(A) When L1 cache is hit by load, initial read access to the RAM constituting the L1 cache is sufficient. The
動作回数は、初期のreadアクセスの1回となる。図6に示すように、L1キャッシュはn個のウェイで構成されるため、loadの場合に、タグ情報を読むと同時に、nウェイ個のデータラインも同時に読み出して、その後、ヒットかミスかを示す情報に基づき、マルチプレクサで必要なデータを選ぶ。その時、L1キャッシュを構成するnウェイ個のRAMに対して、同時に1回のアクセスが発生しているので、初期でn回のreadアクセス(1回*n(way))が必要となる。 The number of operations is one for the initial read access. As shown in FIG. 6, since the L1 cache is composed of n ways, in the case of load, the tag information is read and at the same time the n way data lines are read at the same time. Based on the information shown, the required data is selected by the multiplexer. At that time, since n-way RAMs constituting the L1 cache are accessed once at the same time, n read accesses (1 * n (way)) are required in the initial stage.
(b)loadで、L1キャッシュでミスした場合
まず、L1キャッシュのヒット/ミス判定時の初期のreadアクセスがn回必要となる。その次に、L2キャッシュからデータを読み出して、対応するL1キャッシュの書き換え対象のデータラインに書き込む必要がある。書き換え対象のデータラインの旧データがcleanである場合に(若しくは空)、旧データは上書き可能であるので、CPU69は、L2キャッシュから1回のMOVE INで書き換え対象のデータラインに新データを書き込む。
(B) When a load misses in the L1 cache First, the initial read access at the time of L1 cache hit / miss determination is required n times. Next, it is necessary to read data from the L2 cache and write it to the data line to be rewritten in the corresponding L1 cache. When the old data of the data line to be rewritten is clean (or empty), the old data can be overwritten, so the
動作回数は、初期のreadアクセスのn回と、MOVE INによるwriteアクセスの1回となる。L1キャッシュでミスした場合に、L2キャッシュから持ってきたデータは直接にloadオーダー先(プロセッサなど)に渡すと同時に、通常、L1キャッシュにも書き込まれる。そのデータは近いうちに使われる可能性か高いからである。下記(c)に関しても同様である。 The number of operations is n times of initial read access and one time of write access by MOVE IN. When there is a miss in the L1 cache, the data brought from the L2 cache is directly transferred to the load order destination (processor or the like) and is usually written to the L1 cache. This is because the data is likely to be used soon. The same applies to (c) below.
(c)loadで、L1キャッシュにミスした場合
まず、L1キャッシュのヒット/ミス判定時の初期のreadアクセスがn回必要となる。その次に、L2キャッシュからデータを読み出して、対応するL1キャッシュの書き換え対象のデータラインに書き込む必要がある。書き換え対象のデータラインの旧データがdirtyとなる場合に、CPU69は、旧データをMOVE OUTでL2キャッシュに一回書き戻してから、書き換え対象のデータラインにL2キャッシュから読み出した新データを書き込む。
(C) When L1 cache is missed by load First, initial read access at the time of L1 cache hit / miss determination is required n times. Next, it is necessary to read data from the L2 cache and write it to the data line to be rewritten in the corresponding L1 cache. When the old data of the data line to be rewritten becomes dirty, the
但し、初期のreadアクセスで旧データをバッファ66に格納し、MOVE OUTではL1キャッシュからでなく、バッファ66からL2キャッシュに書き込む場合を想定すると、L1キャッシュに対してMOVE OUTによる1回のreadアクセスを無視する。
However, assuming that the old data is stored in the
動作回数は、初期のreadアクセスのn回と、MOVE INによるwriteアクセスの1回となる。L1キャッシュのヒット/ミス判定の際に読み出したデータをバッファ66に格納してL2キャッシュに書き戻すため、L1キャッシュに対してMOVE OUTによる1回のreadアクセスは無視される。
The number of operations is n times of initial read access and one time of write access by MOVE IN. Since the data read at the time of hit / miss determination of the L1 cache is stored in the
(d)storeで、L1キャッシュにヒットした場合
L1キャッシュのヒット/ミス判定で、L1キャッシュを構成するRAMに対して初期のreadアクセスがn回必要となる。その後、CPU69によるstoreデータの書き込みで、対象となるウェイへの1回のwriteアクセスとなる。
(D) When L1 cache is hit in store In the L1 cache hit / miss determination, the initial read access to the RAM constituting the L1 cache is required n times. After that, when the store data is written by the
動作回数は、初期のreadアクセスのn回と、storeデータの書き込みによるwriteアクセスの1回となる。storeデータはL1キャッシュのヒット/ミス判定時に読み出したデータとマージして、L1キャッシュに書き戻す。 The number of operations is n times of initial read access and one time of write access by writing store data. The store data is merged with the data read at the time of hit / miss determination of the L1 cache and written back to the L1 cache.
(e)storeで、L1キャッシュでミスした場合
まず、L1キャッシュのヒット/ミス判定で、L1キャッシュを構成するRAMに対して初期のreadアクセスがn回必要となる。その後、CPU69は、対応データラインのデータをバッファ66に格納し、storeデータに対応する箇所を更新して、L1キャッシュに書き込む。L1キャッシュの書き込み対象のデータラインの旧データがcleanとなる場合には、旧データをL2キャッシュに書き戻す必要がない。
(E) When the L1 cache misses in the store First, in the L1 cache hit / miss determination, the initial read access to the RAM constituting the L1 cache is required n times. Thereafter, the
動作回数は、初期のreadアクセスのn回と、storeデータの書き込みによるwriteアクセスの1回となる。Storeの場合、L2キャッシュからL1キャッシュのMOVE INとなるデータラインに存在するデータを一旦バッファ66に格納して、storeデータの部分を更新してL1キャッシュに書き込むため、storeデータの書き込みとMOVE INデータの書き込みは、合わせて1回のwriteアクセスとしてカウントされる。従って、L1キャッシュに対してそのMOVE INによる1回のwriteアクセスは無視される。
The number of operations is n times of initial read access and one time of write access by writing store data. In the case of the Store, the data existing in the data line that becomes the MOVE IN of the L1 cache from the L2 cache is temporarily stored in the
(f)storeで、L1キャッシュでミスした場合
まず、L1キャッシュのヒット/ミス判定で、L1キャッシュを構成するRAMに対して初期のreadアクセスがn回必要となる。その後、CPU69は、対応データラインのデータをバッファ66に格納し、storeデータに対応する箇所を更新して、L1キャッシュに書き込む。L1キャッシュの書き込む対象のラインの旧データがdirtyとなる場合には、MOVE OUTで旧データをL2キャッシュに書き戻す必要がある。
(F) When the L1 cache misses in the store First, in the L1 cache hit / miss determination, the initial read access to the RAM constituting the L1 cache is required n times. Thereafter, the
動作回数は、初期のreadアクセスのn回と、storeデータの書き込みによるwriteアクセスの1回となる。L1キャッシュのヒット/ミス判定の際に読み出したデータをバッファ66に格納してL2キャッシュに書き戻すため、L1キャッシュに対してMOVE OUTによる1回のreadアクセスは無視される。また、Storeの場合、L2キャッシュからL1キャッシュのMOVE INとなるデータラインに存在するデータを一旦バッファ66に格納して、storeデータの部分を更新してL1キャッシュに書き込むため、storeデータの書き込みとMOVE INデータの書き込みは、合わせて1回のwriteアクセスとしてカウントされる。従って、L1キャッシュに対してそのMOVE INによる1回のwriteアクセスは無視される。
The number of operations is n times of initial read access and one time of write access by writing store data. Since the data read at the time of hit / miss determination of the L1 cache is stored in the
上述したRAMに係るアクセス情報に基づいて、下記のように変数を設定する。 Based on the access information related to the RAM described above, variables are set as follows.
・Load回数を、変数Lに設定する
・store回数を、変数Sに設定する
・L1キャッシュのstoreミス率を、MW1%に設定する
・L1キャッシュに対するMOVE IN回数を、MI1に設定する
・L1キャッシュに対するMOVE OUT回数を、MO1に設定する
そして、メモリシステム200において、そのnウェイのL1キャッシュに関して、
L1キャッシュの理論上のreadアクセス回数は、
N(R1) = n×(L + S) (1)
によって計算される。また、L1キャッシュの理論上のwriteアクセス回数は、
N(W1) = S + MI1 − S×MW1% (2)
によって計算される。
-Set Load count to variable L-Set store count to variable S-Set L1 cache store miss rate to
The theoretical number of read accesses for the L1 cache is
N (R1) = n × (L + S) (1)
Calculated by The theoretical number of write accesses for the L1 cache is
N (W1) = S + MI1−S × MW1% (2)
Calculated by
(手順4)図3のステップS22〜S24、図5のステップS34〜S36に相当
上述した(手順1)で求めたRead回数M(R1)及びwrite回数M(W1)を、アクセス種別毎の実際のRAMマクロのアクセス数として取得し、上述した(手順3)の(f)の計算式(1)及び(2)で計算した論理的なreadアクセス回数N(R1)及び論理的なwriteアクセス回数N(W1)と夫々比較する。
(Procedure 4) Corresponds to Steps S22 to S24 in FIG. 3 and Steps S34 to S36 in FIG. 5. The logical read access count N (R1) and the logical write access count which are obtained as the number of accesses of the RAM macro and calculated by the above-described calculation formulas (1) and (2) of (f) in (Procedure 3). Compare with N (W1).
M(R1)>N(R1)であるか否かを判断することによって、M(R1)>N(R1)である場合に、L1キャッシュを構成するRAMに対して無駄なreadアクセスがあると判断することができる。 By judging whether M (R1)> N (R1) or not, if M (R1)> N (R1), there is a useless read access to the RAM constituting the L1 cache. Judgment can be made.
M(W1)>N(W1)であるか否かを判断することによって、M(W1)>N(W1)である場合に、L1キャッシュを構成するRAMに対して無駄なwriteアクセスがあると判断することができる。 By judging whether or not M (W1)> N (W1), if M (W1)> N (W1), there is a useless write access to the RAM constituting the L1 cache. Judgment can be made.
L1キャッシュとL2キャッシュとの構成に従って、L1キャッシュに係る無駄なアクセスの存在を判定する方法について説明したが、L2キャッシュと更に下位のメモリ間とのアクセスに関しても上記同様な方法によって、L2キャッシュの無駄アクセスを抽出することができる。 The method of determining the presence of useless access related to the L1 cache according to the configuration of the L1 cache and the L2 cache has been described. However, the access between the L2 cache and the lower-level memory can also be performed using the same method as described above. Unnecessary access can be extracted.
上述したように、本実施例では、RAMに対する必要最小限のアクセス回数の論理値を定めて(図3のステップS12、S13、S23、又は、図5のS32、S33、S34)、論理シミュレーションによる実際のRAMに対するアクセス回数と比較する(図3のS24、又は、図5のS36)。 As described above, in this embodiment, the logical value of the minimum necessary number of accesses to the RAM is determined (steps S12, S13, and S23 in FIG. 3 or S32, S33, and S34 in FIG. 5), and the logical simulation is performed. The actual number of accesses to the RAM is compared (S24 in FIG. 3 or S36 in FIG. 5).
従って、階層構造を有するメモリシステムであっても、下位メモリのMOVE IN/MOVE OUT回数を抽出しておくことで、メモリシステム全体で無駄なアクセスが存在するか否かを判定できる。無駄なアクセスが存在すると判定した場合には、無駄な電力が消費されていると判断することができる。 Therefore, even in a memory system having a hierarchical structure, it is possible to determine whether or not there is useless access in the entire memory system by extracting the number of MOVE IN / MOVE OUT times in the lower memory. When it is determined that useless access exists, it can be determined that useless power is consumed.
本発明は、具体的に開示された実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。 The present invention is not limited to the specifically disclosed embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the claims.
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)
記憶領域に格納される半導体集積回路を評価するための評価用プログラムを用いた第一のシミュレーションによって得られる、メモリへのアクセスに応じて該メモリ内での対象データに対するアクセスに係る回数情報を用いて、論理的なアクセス回数を計算する計算手段と、
前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のアクセス回数を取得する取得手段と、
前記実際のアクセス回数が前記論理的なアクセス回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定する無駄電力判定手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路の低電力設計支援装置。
(付記2)
前記評価用プログラムを用いて、前記第一のシミュレーションを実行する性能評価シミュレータを有し、
前記評価用プログラムを用いて、前記設計データに従った前記第二のシミュレーションを実行する論理シミュレータを有することを特徴とする付記1記載の低電力設計支援装置。
(付記3)
前記設計データは、イベントカウンタを有し、
前記評価用プログラムを用いて、前記イベントカウンタを有する設計データに従って、前記第二のシミュレーションを含む前記第一のシミュレーションを実行する論理シミュレータを有し、
前記回数情報は、前記第一のシミュレーションにより前記イベントカウンタが動作することによって抽出され、
前記取得手段は、前記第一のシミュレーションから前記実際のアクセス回数を取得すること
を特徴とする付記1記載の低電力設計支援装置。
(付記4)
前記回数情報は、load/store回数、キャッシュミス率、MOVE IN/MOVE OUT回数を含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか一項記載の低電力設計支援装置。
(付記5)
前記メモリは、階層構造を有するキャッシュメモリであることを特徴とする付記1乃至4のいずれか一項記載の低電力設計支援装置。
(付記6)
前記アクセス回数は、前記メモリに対するreadアクセス回数とwriteアクセス回数であり、
前記無駄電力判定手段は、前記readアクセス回数とwriteアクセス回数の各々について、前記メモリの無駄な電力の有無を判定することを特徴とする付記1乃至5のいずれか一項記載の低電力設計支援装置。
(付記7)
記憶領域に格納される半導体集積回路を評価するための評価用プログラムを用いた第一のシミュレーションによって得られる、メモリへのアクセスに応じて該メモリ内での対象データに対するアクセスに係る回数情報を用いて、論理的なアクセス回数を計算し、
前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のアクセス回数を取得し、
前記実際のアクセス回数が前記論理的なアクセス回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定すること
をコンピュータが実行する半導体集積回路の低電力設計支援方法。
(付記8)
記憶領域に格納される半導体集積回路を評価するための評価用プログラムを用いた第一のシミュレーションによって得られる、メモリへのアクセスに応じて該メモリ内での対象データに対するアクセスに係る回数情報を用いて、論理的なアクセス回数を計算し、
前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のアクセス回数を取得し、
前記実際のアクセス回数が前記論理的なアクセス回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定すること
をコンピュータに実行させて半導体集積回路の低電力設計支援装置として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
The following additional notes are further disclosed with respect to the embodiment including the above examples.
(Appendix 1)
Using frequency information related to access to target data in the memory according to the access to the memory, obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area Calculating means for calculating the logical access count;
Using the evaluation program, acquisition means for acquiring the actual number of accesses to the memory by a second simulation according to design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area;
A low-power design support apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising: a waste power determination unit that determines that there is waste power in the memory when the actual access number is larger than the logical access number.
(Appendix 2)
Using the evaluation program, having a performance evaluation simulator for executing the first simulation,
The low-power design support apparatus according to
(Appendix 3)
The design data has an event counter;
Using the evaluation program, and having a logic simulator for executing the first simulation including the second simulation according to design data having the event counter,
The number information is extracted by operating the event counter by the first simulation,
The low-power design support apparatus according to
(Appendix 4)
The low-power design support apparatus according to any one of
(Appendix 5)
The low-power design support apparatus according to any one of
(Appendix 6)
The number of accesses is the number of read accesses and the number of write accesses to the memory,
The low power design support according to any one of
(Appendix 7)
Using frequency information related to access to target data in the memory according to the access to the memory, obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area Calculate the number of logical accesses,
Using the evaluation program, the actual number of accesses to the memory is obtained by a second simulation according to design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area,
A low-power design support method for a semiconductor integrated circuit, in which a computer determines that the memory has wasted power when the actual access count is larger than the logical access count.
(Appendix 8)
Using frequency information related to access to target data in the memory according to the access to the memory, obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area Calculate the number of logical accesses,
Using the evaluation program, the actual number of accesses to the memory is obtained by a second simulation according to design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area,
When the actual access count is larger than the logical access count, a program for causing a computer to determine that there is wasted power in the memory and causing the computer to function as a low power design support device for a semiconductor integrated circuit A stored computer-readable storage medium.
11 CPU
12 メモリユニット
13 表示ユニット
14 出力ユニット
15 入力ユニット
16 通信ユニット
17 記憶装置
18 ドライバ
19 記憶媒体
61 アドレスメモリ
62 比較器
63 AND回路
64 OR回路
65 n:1マルチプレクサ
66 バッファ
100 低電力設計支援装置
121 論理シミュレータ
123 性能評価シミュレータ
125 アクセス数計算部
126 無駄電力有無判定部
170 記憶領域
171 設計データ
172 評価用プログラム
173 論理評価結果
174 性能評価結果
175 実際のアクセス数
176 論理的なアクセス数
177 判定結果
11 CPU
12
Claims (5)
前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のread回数及び実際のwrite回数を取得する取得手段と、
前記実際のread回数が前記論理的なread回数より大きい場合、又は、前記実際のwrite回数が前記論理的なwrite回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定する無駄電力判定手段と
を有することを特徴とする半導体集積回路の低電力設計支援装置。 Using frequency information related to access to target data in the memory according to the access to the memory, obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area Calculating means for calculating the number of logical reads and the number of logical writes ;
Using the evaluation program, an acquisition means for acquiring an actual read count and an actual write count to the memory by a second simulation according to design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area; ,
If the actual read times greater than the logical read count, or, if the actual write times larger than the logical write times, and wasteful power determination means for determining a wasteful power is in the said memory A low-power design support apparatus for a semiconductor integrated circuit, comprising:
前記評価用プログラムを用いて、前記設計データに従った前記第二のシミュレーションを実行する論理シミュレータを有することを特徴とする請求項1記載の低電力設計支援装置。 Using the evaluation program, having a performance evaluation simulator for executing the first simulation,
The low-power design support apparatus according to claim 1, further comprising a logic simulator that executes the second simulation according to the design data using the evaluation program.
前記評価用プログラムを用いて、前記イベントカウンタを有する設計データに従って、前記第一のシミュレーションを含む前記第二のシミュレーションを実行する論理シミュレータを有し、
前記回数情報は、前記第二のシミュレーションにより前記イベントカウンタが動作することによって抽出され、
前記取得手段は、前記第二のシミュレーションから前記実際のアクセス回数を取得すること
を特徴とする請求項1記載の低電力設計支援装置。 The design data has an event counter;
Using the evaluation program, and having a logic simulator for executing the second simulation including the first simulation according to design data having the event counter,
The number information is extracted by operating the event counter by the second simulation,
The low-power design support apparatus according to claim 1, wherein the acquisition unit acquires the actual number of accesses from the second simulation.
IN/MOVE OUT回数を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の低電力設計支援装置。 The number information includes load / store number, cache miss rate, MOVE
The low power design support apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising an IN / MOVE OUT count.
前記評価用プログラムを用いて、前記記憶領域に格納される前記半導体集積回路の設計データに従った第二のシミュレーションによって、前記メモリへの実際のread回数及び実際のwrite回数を取得し、
前記実際のread回数が前記論理的なread回数より大きい場合、又は、前記実際のwrite回数が前記論理的なwrite回数より大きい場合、前記メモリに無駄な電力が有ると判定すること
をコンピュータが実行する半導体集積回路の低電力設計支援方法。 Using frequency information related to access to target data in the memory according to the access to the memory, obtained by the first simulation using the evaluation program for evaluating the semiconductor integrated circuit stored in the storage area And calculate the logical read count and logical write count,
Using the evaluation program, the second simulation according to the design data of the semiconductor integrated circuit stored in the storage area is used to obtain the actual number of reads and the actual number of writes to the memory,
If the actual number of reads is greater than the logical number of reads, or if the actual number of writes is greater than the logical number of writes , the computer executes a determination that there is wasted power in the memory A low power design support method for a semiconductor integrated circuit.
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