JP5607481B2 - マザーカラーフィルタ基板、および該マザーカラーフィルタ基板を用いて製造される液晶パネルの製造方法。 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかるマザー基板を用いて製造された液晶パネル10を有する液晶表示装置1の構成を示す模式図である。本発明の実施の形態1の液晶表示装置1は、携帯電話機あるいはデジタルカメラ等に使用される小型の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置1は、アクティブマトリクス方式である。液晶表示装置1は、液晶パネル10と、端子部20と、バックライト30と、制御部40とを有する。
まず、TFT基板50の断面について説明する。TFT基板50は、ガラス等からなる透明な基板である基板SUB1の液晶材LC側の面に、ゲート信号線GLが形成されている。基板SUB1の表面には、ゲート信号線GLを含めて基板SUB1の表面を被う絶縁膜GIが形成される。この絶縁膜GIは、窒化シリコン等の無機材料からなり、薄膜トランジスタTFTの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するものである。
まず、TFT基板50のマザー基板(以下、マザーTFT基板MTBという。)と、CF基板60のマザー基板(以下、マザーCF基板MCBという。)とを製造する。マザーTFT基板MTBは、液晶パネルサイズへの分割前の複数のTFT基板50が整列して形成されている。また、マザーCF基板MCBは、液晶パネルサイズへの分割前の複数のCF基板60が整列して形成されている。
その後、貼り合わせ基板MBの厚さを薄くするために研磨等の加工を行う。なお、マザーCF基板MCBにシール部SL2が形成されるものを例示したが、シール部SL1が注入口11を有しない場合、シール部SL1でシールされた部分に研磨液等の染み込みの心配がないためシール部SL2を形成しなくてもよい。また、シール部SL1およびシール部SL2は、マザーTFT基板MTBに形成するようにしてもよい。
まず、基板SUB2の液晶パネルサイズへの分割前のマザー基板MSUB2の液晶材LC側の面に遮光膜BMが形成される(図7(a)参照)。遮光膜BMは、フォトリソグラフィー法により表示領域AR1、さらに端子対向領域AR2および端部近傍領域AR3に形成される。なお、端子対向領域AR2および端部近傍領域AR3に形成される遮光膜BMはベタパターンの遮光膜ベタパターンBM1である。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。図9は、本発明の実施の形態2のマザーCF基板MCB2とマザーTFT基板MTB2との貼り合わせ基板MB2の要部拡大図である。図10は、図9に示した貼り合わせ基板MB2のB−B’線における断面図である。図11は、図10に示した貼り合わせ基板MB2を液晶パネルサイズに分割した場合の端子部側の端部周辺を示した図である。
本発明の実施の形態1では、マザーTFT基板MTBの端子部20上に有機膜PASが形成されているものを例示したが、本発明の実施の形態2では、マザーTFT基板MTBに代わってマザーTFT基板MTB2を有し、このマザーTFT基板MTB2は、端子部20上に有機膜PASを形成していない。また、本発明の実施の形態2では、マザーCF基板MCBに代わってマザーCF基板MCB2を有する。その他の構成は実施の形態1と同じであり、同一構成部分には同一符号を付している。
単層積層部201は、端部近傍領域AR3に一面に広がったパターンである遮光膜ベタパターンBM1、およびこの遮光膜ベタパターンBM1の上に青色着色膜ベタパターンBCF1が積層されている部分である。すなわち、端部近傍領域AR3のベタパターン積層部100と同様のものである。
まず、基板SUB2の液晶パネルサイズへの分割前のマザー基板MSUB2の液晶材LC側の面に遮光膜BMを形成する(図12(a)参照)。遮光膜BMは、フォトリソグラフィー法により表示領域AR1、さらに端子対向領域AR2および端部近傍領域AR3に形成される。なお、端子対向領域AR2および端部近傍領域AR3に形成される遮光膜BMはベタパターンの遮光膜ベタパターンBM1である。
10 液晶パネル
11 注入口
50 TFT基板
60 CF基板
100、200 ベタパターン積層部
BCF1 青色着色膜ベタパターン
GCF1 緑色着色膜ベタパターン
BM1 遮光膜ベタパターン
201 単層積層部
202 複数層積層部
MTB、MTB2 マザーTFT基板
MCB、MCB2 マザーCF基板
MB、MB2 貼り合わせ基板
MSUB2 マザー基板
LC 液晶材
SL1、SL2 シール部
ESL 封止材
SUB1、SUB2 基板
GL ゲート信号線
DL ドレイン信号線
GI 絶縁膜
AS 半導体層
TFT 薄膜トランジスタ
DT ドレイン電極
ST ソース電極
PD パッド部
PX 画素電極
DT ドレイン電極
PAS 絶縁膜
CL コモン信号線
CT 対向電極
LI 絶縁膜
ORI1、ORI2 配向膜
BM 遮光膜
CF、RCF、GCF、BCF 着色膜
OC 保護膜
SP 柱状スペーサ
AR1、AR2、AR3 領域
Claims (7)
- 遮光膜および着色膜の面上に保護膜が形成されたカラーフィルタ基板と、前記カラ―フィルタ基板よりも広い面積を有し、薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板と、を貼り合せて構成される液晶パネルの前記カラーフィルタ基板が1または複数形成されたマザーカラーフィルタ基板において、
前記薄膜トランジスタ基板は、
前記液晶パネルに電源を供給する端子部が前記カラーフィルタ基板から露出した領域に形成されており、
前記マザーカラーフィルタ基板は、
前記遮光膜のベタパターンと前記着色膜のベタパターンとを積層したものであって、前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記薄膜トランジスタ基板が1又は複数形成されたマザー薄膜トランジスタ基板を前記マザーカラーフィルタ基板に貼り合わせた場合に前記端子部に向かい合う領域である、端子対向領域に少なくとも形成されたベタパターン積層部を有する
ことを特徴とするマザーカラーフィルタ基板。 - 前記ベタパターン積層部は、さらに、
前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記マザーカラーフィルタ基板の端部近傍の領域である、端部近傍領域にも形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のマザーカラーフィルタ基板。 - 前記薄膜トランジスタ基板における前記端子部は、
有機膜で覆われており、
前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマザーカラーフィルタ基板。 - 前記薄膜トランジスタ基板における前記端子部は、
露出しており、
前記ベタパターン積層部は、
前記着色膜のベタパターンの積層数が一層であり、前記端部近傍領域に形成された単層積層部と、
前記着色膜のベタパターンの積層数が複数層であり、前記端子対向領域に形成された複数層積層部と、
を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のマザーカラーフィルタ基板。 - 遮光膜および着色膜の面上に保護膜が形成されたカラーフィルタ基板と、
前記カラ―フィルタ基板よりも広い面積を有し、薄膜トランジスタが形成されたものであって、電源を供給する端子部が前記カラーフィルタ基板から露出した領域に形成された薄膜トランジスタ基板と、を貼り合せて構成される液晶パネルの製造方法において、
前記カラーフィルタ基板が1または複数形成されたマザーカラーフィルタ基板における、前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記薄膜トランジスタ基板が1又は複数形成されたマザー薄膜トランジスタ基板を前記マザーカラーフィルタ基板に貼り合わせた場合に前記端子部に向かい合う領域である端子対向領域に、少なくとも前記遮光膜のベタパターンおよび前記着色膜のベタパターンを積層したベタパターン積層部を形成するベタパターン形成工程
を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 前記ベタパターン形成工程は、
前記端子対向領域、および前記液晶パネルの表示領域外であり、かつ前記マザーカラーフィルタ基板の端部近傍の領域である、端部近傍領域において、前記遮光膜のベタパターンおよび第1の着色膜のベタパターンを積層する第1の積層工程と、
前記第1の積層工程で前記遮光膜のベタパターンおよび前記第1の着色層のベタパターンを積層した前記端子対向領域において、さらに第2の着色層のベタパターンを積層する第2の積層工程と、を有する
ことを特徴とする請求項5に記載の液晶パネルの製造方法。 - 前記マザーカラーフィルタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板が1または複数形成されたマザー薄膜トランジスタ基板とを貼り合わせる貼り合せ工程と、
前記マザーカラーフィルタ基板と前記マザー薄膜トランジスタ基板との貼り合せ基板を液晶パネルサイズに分割する分割工程と
を含むことを特徴とする請求項5又は6に記載の液晶パネルの製造方法。
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