JP5606854B2 - Solar cell manufacturing method and solar cell manufacturing jig - Google Patents

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Description

本発明は、太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造用治具に関する。特に、本発明は、一の主面を有する光電変換部と、光電変換部の一の主面の上に形成されており、めっき膜を含む電極とを備える太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造用治具に関する。   The present invention relates to a solar cell manufacturing method and a solar cell manufacturing jig. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a solar cell and a solar cell including a photoelectric conversion unit having one main surface and an electrode including a plating film formed on one main surface of the photoelectric conversion unit. The present invention relates to a manufacturing jig.

近年、環境負荷の低いエネルギー源として太陽電池が注目されている。太陽電池は、光電変換部に光が照射されることにより生じた電子及び正孔を一対の電極により収集することにより、電気エネルギーを発生させる発電機構である。   In recent years, solar cells have attracted attention as energy sources with a low environmental load. A solar cell is a power generation mechanism that generates electrical energy by collecting electrons and holes generated by irradiating light on a photoelectric conversion unit with a pair of electrodes.

太陽電池の電極の形成方法としては、例えば下記の特許文献１に記載されているように、めっき法による電極の形成方法が知られている。具体的には、特許文献１には、太陽電池の電極の形成方法として、それぞれ、複数の開口がマトリクス状に形成されている支持フレームと補助フレームとでマトリクス状に配列された複数のウェーハを挟持した状態でめっき浴に浸漬し、補助フレームに取り付けられた板バネ状のスプリングコンタクトを経由して給電することにより複数のウェーハ上に電極を形成する方法が記載されている。なお、特許文献１に記載の支持フレームと補助フレームとは、四隅においてビスで固定されている。   As a method for forming an electrode of a solar cell, for example, as described in Patent Document 1 below, a method for forming an electrode by a plating method is known. Specifically, in Patent Document 1, as a method for forming an electrode of a solar cell, a plurality of wafers arranged in a matrix with a support frame in which a plurality of openings are formed in a matrix and an auxiliary frame are provided. A method is described in which electrodes are formed on a plurality of wafers by dipping in a plating bath in a sandwiched state and supplying power via leaf spring-like spring contacts attached to an auxiliary frame. The support frame and the auxiliary frame described in Patent Document 1 are fixed with screws at the four corners.

米国特許第７１７２１８４号公報U.S. Pat. No. 7,172,184

しかしながら、特許文献１に記載のように、四隅において相互に固定されている支持フレームと補助フレームとで複数のウェーハを固定しようとすると、ウェーハを高い位置精度で固定することが困難である。ウェーハを高い位置精度で固定できないと、ウェーハに確実に給電できなかったり、隣り合うウェーハ間の距離が一定でなくなったりするため、めっき膜を好適に形成できなくなる場合がある。   However, as described in Patent Document 1, when trying to fix a plurality of wafers with the support frame and the auxiliary frame fixed to each other at the four corners, it is difficult to fix the wafers with high positional accuracy. If the wafer cannot be fixed with high positional accuracy, it may not be possible to reliably supply power to the wafer, or the distance between adjacent wafers may not be constant, so that the plating film may not be suitably formed.

本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、めっき膜を含む電極を備える太陽電池を好適に製造できる方法及びそれに用いる太陽電池の製造用治具を提供することにある。   This invention is made | formed in view of the point which concerns, The objective is to provide the method for manufacturing a solar cell provided with the electrode containing a plating film suitably, and the jig for manufacturing a solar cell used therewith. .

本発明に係る太陽電池の製造方法は、光電変換部を含み一の主面を有する基体と、基体の一の主面の上に形成されためっき膜を含む電極とを備える太陽電池の製造方法に関する。本発明に係る太陽電池の製造方法では、複数の基体をプレート本体に設けられた複数の配置領域のそれぞれに配置し、複数の配置領域のそれぞれに対して設けられた付勢部材によって基体をプレート本体側に付勢することにより複数の基体のそれぞれをプレート本体に固定し、複数の基体が固定されたプレート本体をめっき浴中に配置して複数の基体のそれぞれに給電することにより各基体の一の主面上に同時にめっき膜を形成する。   A method for manufacturing a solar cell according to the present invention includes a substrate having a photoelectric conversion part and having one main surface, and an electrode including a plating film formed on one main surface of the substrate. About. In the method for manufacturing a solar cell according to the present invention, a plurality of substrates are arranged in each of a plurality of arrangement regions provided in the plate body, and the substrate is plated by a biasing member provided for each of the plurality of arrangement regions. Each of the plurality of substrates is fixed to the plate body by urging to the main body side, and the plate body on which the plurality of substrates are fixed is disposed in the plating bath to supply power to each of the plurality of substrates. A plating film is simultaneously formed on one main surface.

本発明に係る太陽電池の製造用治具は、光電変換部を含み一の主面を有する基体と、基体の一の主面の上に形成されており、めっき膜を含む電極とを備える太陽電池のめっき膜を形成する際に用いられる太陽電池の製造用治具に関する。本発明に係る太陽電池の製造用治具は、支持プレートと、付勢部材とを備えている。支持プレートは、プレート本体と、当接部とを有する。プレート本体は、基体が配置される領域である複数の配置領域を有する。当接部は、プレート本体に接続されている。当接部は、基体の端部と当接している。付勢部材は、複数の配置領域のそれぞれに対して設けられている。付勢部材は、配置領域に配置された基体をプレート本体側に付勢する。   A jig for manufacturing a solar cell according to the present invention includes a base including a photoelectric conversion portion and having one main surface, and a solar electrode formed on one main surface of the base and including a plating film. The present invention relates to a solar cell manufacturing jig used when forming a plating film of a battery. The solar cell manufacturing jig according to the present invention includes a support plate and an urging member. The support plate has a plate body and a contact portion. The plate body has a plurality of arrangement areas, which are areas where the base is arranged. The contact portion is connected to the plate body. The contact portion is in contact with the end portion of the base. The urging member is provided for each of the plurality of arrangement regions. The urging member urges the base disposed in the arrangement region toward the plate body.

本発明によれば、めっき膜を含む電極を備える太陽電池を好適に製造できる方法及びそれに用いる太陽電池の製造用治具を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the method for manufacturing a solar cell provided with the electrode containing a plating film suitably, and the jig | tool for manufacturing a solar cell used therefor can be provided.

本発明を実施した一実施形態において製造する太陽電池の略図的平面図である。1 is a schematic plan view of a solar cell manufactured in one embodiment of the present invention. 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1. 治具の略図的平面図である。It is a schematic plan view of a jig. 治具の略図的裏面図である。It is a schematic back view of a jig. 図３の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along line VV in FIG. 3. 図５のＶＩ部分を拡大した略図的断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view enlarging a VI portion of FIG. 図３の線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける略図的断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 3. めっき工程を説明するための模式的側面図である。It is a typical side view for demonstrating a plating process.

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。   Hereinafter, an example of the preferable form which implemented this invention is demonstrated. However, the following embodiments are merely examples. The present invention is not limited to the following embodiments.

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。   Moreover, in each drawing referred in embodiment etc., the member which has a substantially the same function shall be referred with the same code | symbol. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described. A ratio of dimensions of an object drawn in a drawing may be different from a ratio of dimensions of an actual object. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.

まず、図１及び図２を参照しながら本実施形態において製造する太陽電池１の構成について説明する。   First, the structure of the solar cell 1 manufactured in this embodiment is demonstrated, referring FIG.1 and FIG.2.

太陽電池１は、板状の基体１０を備えている。基体１０は、受光することによって電子や正孔などのキャリアを生成する光電変換部を含むものである限りにおいて特に限定されない。基体１０は、例えば、一の導電型を有する結晶性半導体基板を有するものであってもよい。また、基体１０は、一の導電型を有する結晶性半導体基板と、その結晶性半導体基板の上に形成されており、他の導電型を有する第１の非晶質半導体層と、結晶性半導体基板の上に形成されており、一の導電型を有する第２の非晶質半導体層とを有するものであってもよい。また、基体１０は、ｎ型ドーパント拡散領域とｐ型ドーパント拡散領域とが表面に露出している半導体基板を有するものであってもよい。   The solar cell 1 includes a plate-like substrate 10. The substrate 10 is not particularly limited as long as it includes a photoelectric conversion unit that generates carriers such as electrons and holes by receiving light. The substrate 10 may have a crystalline semiconductor substrate having one conductivity type, for example. The substrate 10 is formed on a crystalline semiconductor substrate having one conductivity type, a first amorphous semiconductor layer having another conductivity type, and a crystalline semiconductor. It may be formed on the substrate and have a second amorphous semiconductor layer having one conductivity type. Moreover, the base | substrate 10 may have a semiconductor substrate in which the n-type dopant diffusion region and the p-type dopant diffusion region are exposed on the surface.

基体１０は、受光面１０ａと、裏面１０ｂとを有する。裏面１０ｂには、ｐ型表面１０ｂｐと、ｎ型表面１０ｂｎとが含まれている。ｐ型表面１０ｂｐは、ｐ型ドーパント拡散領域やｐ型の非晶質半導体層などにより構成されているｐ型領域の表面により構成されている。一方、ｎ型表面１０ｂｎは、ｎ型ドーパント拡散領域やｎ型の非晶質半導体層などにより構成されているｎ型領域の表面により構成されている。   The base 10 has a light receiving surface 10a and a back surface 10b. The back surface 10b includes a p-type surface 10bp and an n-type surface 10bn. The p-type surface 10 bp is constituted by the surface of a p-type region that is constituted by a p-type dopant diffusion region, a p-type amorphous semiconductor layer, or the like. On the other hand, the n-type surface 10bn is constituted by the surface of an n-type region that is constituted by an n-type dopant diffusion region, an n-type amorphous semiconductor layer, or the like.

太陽電池１は、基体１０のｐ型表面１０ｂｐの上に設けられたｐ側電極１１ｐ、及びｎ型表面１０ｂｎの上に設けられたｎ側電極１１ｎを有する。ｐ側電極１１ｐ及びｎ側電極１１ｎのそれぞれは、互いに電気的に分離された形状、例えばくし歯状にされている。   The solar cell 1 has a p-side electrode 11p provided on the p-type surface 10bp of the base 10 and an n-side electrode 11n provided on the n-type surface 10bn. Each of the p-side electrode 11p and the n-side electrode 11n has a shape electrically separated from each other, for example, a comb-tooth shape.

ｐ側電極１１ｐ及びｎ側電極１１ｎのそれぞれは、シード層１３と、めっき膜１４とを有する。シード層１３は、裏面１０ｂの上に形成されている。このシード層１３は、めっき膜１４を形成する際のシードとして機能する層である。シード層１３は、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｎｉなどの金属や、これらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金により形成することができる。シード層１３の厚みは、特に限定されないが、例えば、２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。   Each of the p-side electrode 11p and the n-side electrode 11n includes a seed layer 13 and a plating film 14. The seed layer 13 is formed on the back surface 10b. The seed layer 13 is a layer that functions as a seed when the plating film 14 is formed. The seed layer 13 can be formed of, for example, a metal such as Cu, Al, Ag, Au, Pt, Ti, or Ni, or an alloy containing at least one of these metals. The thickness of the seed layer 13 is not particularly limited, but can be, for example, about 20 nm to 500 nm.

めっき膜１４は、シード層１３の上に形成されている。めっき膜１４は、例えば、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎ，Ｎｉなどの金属や、これらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金により形成することができる。めっき膜１４の厚みは、特に限定されないが、例えば、２μｍ〜５０μｍ程度とすることができる。   The plating film 14 is formed on the seed layer 13. The plating film 14 can be formed of, for example, a metal such as Cu, Al, Ag, Au, Pt, Sn, or Ni, or an alloy containing at least one of these metals. Although the thickness of the plating film 14 is not specifically limited, For example, it can be set as about 2 micrometers-50 micrometers.

次に太陽電池１の製造方法について、図３〜図８を参照しながら説明する。   Next, a method for manufacturing the solar cell 1 will be described with reference to FIGS.

まず、裏面１０ｂにｐ型表面１０ｂｐ及びｎ型表面１０ｂｎを有する基体１０を複数用意する。なお、ｐ型表面１０ｂｐ及びｎ型表面１０ｂｎの表面上にシード層１３を設けたものを基体１０としてもよい。シード層１３の形成は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などにより行うことができる。基体１０の作製方法は特に限定されないが、基体１０は、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板等の結晶性半導体基板を用いて作製したものであることが好ましい。   First, a plurality of bases 10 having a p-type surface 10 bp and an n-type surface 10 bn on the back surface 10 b are prepared. Note that the substrate 10 may be formed by providing the seed layer 13 on the surface of the p-type surface 10 bp and the n-type surface 10 bn. The seed layer 13 can be formed by, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method. The method for manufacturing the base 10 is not particularly limited, but the base 10 is preferably manufactured using a crystalline semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate or a polycrystalline silicon substrate.

次に、ｐ型表面１０ｂｐ及びｎ型表面１０ｂｎ上にめっき膜１４を形成する。本実施形態においては、図３〜図７に示す治具３０を用いてめっき膜１４を形成する。なお、図３及び図４においては、基体１０の図示は省略しており、図５〜図７においては、固定された基体１０を描画している。   Next, the plating film 14 is formed on the p-type surface 10bp and the n-type surface 10bn. In the present embodiment, the plating film 14 is formed using the jig 30 shown in FIGS. 3 and 4, the base 10 is not shown. In FIGS. 5 to 7, the fixed base 10 is drawn.

治具３０は、支持プレート３１を有する。支持プレート３１は、プレート本体３２と、複数の突出部３３と、複数のガイド部４０とを有する。   The jig 30 has a support plate 31. The support plate 31 includes a plate body 32, a plurality of protrusions 33, and a plurality of guide portions 40.

プレート本体３２の形状は、板状である。プレート本体３２は、第１及び第２の主面３２ａ、３２ｂを有する。プレート本体３２には、複数の配置領域３２ｃが、第１の方向であるｘ方向及び第２の方向であるｙ方向に沿ってマトリクス状に、互いに間隔を置いて設けられている。ここで、この配置領域３２ｃは、めっき膜の被形成物である基体１０が配置され、固定される領域であり、配置領域３２ｃの境界を示すものがあるとは必ずしも限らない。   The plate body 32 has a plate shape. The plate body 32 has first and second main surfaces 32a and 32b. The plate main body 32 is provided with a plurality of arrangement regions 32c spaced from each other in a matrix along the x direction as the first direction and the y direction as the second direction. Here, the arrangement region 32c is a region where the base body 10 which is a plated film formation object is arranged and fixed, and there is not always a thing indicating the boundary of the arrangement region 32c.

ここで、「マトリクス」とは、少なくともひとつの列と少なくともひとつの行とを有する配列を意味する。列と、行とは、垂直であってもよいし、傾斜していてもよい。すなわち、本発明において、マトリクスには、正方行列と斜方行列とが含まれる。また、マトリクスにおいて、行数と列数とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。   Here, the “matrix” means an array having at least one column and at least one row. The columns and the rows may be vertical or may be inclined. That is, in the present invention, the matrix includes a square matrix and an oblique matrix. In the matrix, the number of rows and the number of columns may be the same or different.

複数の配置領域３２ｃには、プレート本体３２を貫通する開口３２ｄが形成されている。この開口３２ｄは、配置される基体１０の形状寸法に即した形状寸法を有している。本実施形態では、基体１０が略矩形状であるため、開口３２ｄも略矩形状に形成されている。   Openings 32d penetrating the plate body 32 are formed in the plurality of arrangement regions 32c. The opening 32d has a shape dimension corresponding to the shape dimension of the substrate 10 to be arranged. In the present embodiment, since the base body 10 has a substantially rectangular shape, the opening 32d is also formed in a substantially rectangular shape.

この開口３２ｄは、めっき膜１４を形成する工程において、めっき液の流動性向上に寄与している。プレート本体３２に複数の開口３２ｄを形成しておくことによって、めっき膜１４を形成する工程において、めっき液の流動性が向上され、めっき膜１４を好適に形成することができる。   This opening 32d contributes to improving the fluidity of the plating solution in the step of forming the plating film 14. By forming a plurality of openings 32d in the plate main body 32, the fluidity of the plating solution is improved in the step of forming the plating film 14, and the plating film 14 can be suitably formed.

複数の突出部３３は、プレート本体３２の第１の主面３２ａからｚ方向に突起している。より詳細には、複数の配置領域３２ｃのうち、最もｘ１側の配置領域のｘ１側、最もｘ２側の配置領域３２ｃ側、及びｘ方向において隣り合う配置領域の間のそれぞれに、各２つずつ、突出部３３が、ｙ方向に沿って設けられている。   The plurality of protrusions 33 protrude from the first main surface 32 a of the plate body 32 in the z direction. More specifically, two of each of the plurality of arrangement areas 32c is arranged in each of the x1 side of the arrangement area on the most x1 side, the arrangement area 32c side of the most x2 side, and the arrangement areas adjacent in the x direction. The projecting portion 33 is provided along the y direction.

なお、本実施形態において、複数の突出部３３は、プレート本体３２と一体に形成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、複数の突出部の少なくとも一部とプレート本体とが別体に形成されていてもよい。   In the present embodiment, the plurality of protrusions 33 are formed integrally with the plate body 32. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, at least some of the plurality of protrusions and the plate body may be formed separately.

図５に示すように、突出部３３は、配置領域３２ｃに配置された基体１０の端部と当接する当接部３３ａを含む。当接部３３ａは、プレート本体３２側であるｚ１側に向かって、その当接部３３ａが当接する基体１０側に延びる傾斜部により構成されている。より具体的には、当接部３３ａは、ｚ１側とは反対側のｚ２側に向かって先細るテーパ状に形成されている。当接部３３ａは、ｘ方向において隣り合う当接部３３ａの頂部３３ａ１間の距離が、基体１０のｘ方向における長さよりも短くなるように形成されている。   As shown in FIG. 5, the protruding portion 33 includes a contact portion 33 a that contacts the end portion of the base body 10 disposed in the placement region 32 c. The contact portion 33a is configured by an inclined portion extending toward the base body 10 with which the contact portion 33a contacts, toward the z1 side that is the plate body 32 side. More specifically, the contact portion 33a is formed in a tapered shape that tapers toward the z2 side opposite to the z1 side. The contact portion 33a is formed such that the distance between the top portions 33a1 of the contact portions 33a adjacent in the x direction is shorter than the length of the base body 10 in the x direction.

突出部３３は、当接部３３ａよりもｚ１側に位置している第１のフランジ部３３ｂと、当接部３３ａよりもｚ２側に位置している第２のフランジ部３３ｃとを有する。本実施形態においては、第１及び第２のフランジ部３３ｂ、３３ｃは、当接部３３ａの他の部分と一体に形成されている。   The protruding portion 33 includes a first flange portion 33b located on the z1 side with respect to the contact portion 33a and a second flange portion 33c located on the z2 side with respect to the contact portion 33a. In this embodiment, the 1st and 2nd flange parts 33b and 33c are formed integrally with the other part of the contact part 33a.

第１のフランジ部３３ｂには、給電部材３４が支持されている。給電部材３４は、配置領域３２ｃに配置される基体１０を挟んで付勢部材３６と対向する位置に配されている。この給電部材３４は、配置領域３２ｃに配置された基体１０の裏面１０ｂ上に形成されているシード層１３に接触するように設けられている。シード層１３には、この給電部材３４を経由して給電される。   A power supply member 34 is supported on the first flange portion 33b. The power supply member 34 is disposed at a position facing the urging member 36 with the base body 10 disposed in the arrangement region 32c interposed therebetween. The power supply member 34 is provided so as to be in contact with the seed layer 13 formed on the back surface 10b of the base body 10 disposed in the placement region 32c. Power is supplied to the seed layer 13 via the power supply member 34.

給電部材３４は、円筒状の筒状部材３４ａと、付勢部材３４ｂと、当接部材３４ｃとを有する。筒状部材３４ａの一方側の端面は、第１のフランジ部３３ｂに固定されている。筒状部材３４ａの他方側の端面は、配置領域３２ｃに配置された基体１０の裏面１０ｂに当接する。筒状部材３４ａは、絶縁部材であることが好ましい。筒状部材３４ａを絶縁部材により構成することにより、筒状部材３４ａの外周面の上にめっき膜が形成されることを抑制できるためである。   The power supply member 34 includes a cylindrical tubular member 34a, a biasing member 34b, and a contact member 34c. One end surface of the cylindrical member 34a is fixed to the first flange portion 33b. The other end surface of the cylindrical member 34a abuts on the back surface 10b of the base body 10 arranged in the arrangement region 32c. The tubular member 34a is preferably an insulating member. This is because by forming the cylindrical member 34a with an insulating member, it is possible to suppress the formation of a plating film on the outer peripheral surface of the cylindrical member 34a.

筒状部材３４ａの内部には、円柱状の当接部材３４ｃがｚ方向に変位可能に配置されている。当接部材３４ｃと第１のフランジ部３３ｂとは、圧縮コイルばねにより構成されている付勢部材３４ｂによって連結されている。当接部材３４ｃは、この付勢部材３４ｂによってｚ２側に付勢されている。付勢部材３４ｂ及び当接部材３４ｃは、導電部材により構成されている。付勢部材３４ｂによりｚ２側に付勢されることにより、当接部材３４ｃがシード層１３に押しつけられ、それにより、シード層１３への給電が行われる。なお、付勢部材３４ｂが設けられているのは、当接部材３４ｃをシード層１３に確実に接触させるためである。   A cylindrical contact member 34c is disposed in the cylindrical member 34a so as to be displaceable in the z direction. The contact member 34c and the first flange portion 33b are connected by an urging member 34b configured by a compression coil spring. The contact member 34c is urged toward the z2 side by the urging member 34b. The urging member 34b and the abutting member 34c are composed of conductive members. By being urged to the z2 side by the urging member 34b, the abutting member 34c is pressed against the seed layer 13, thereby supplying power to the seed layer 13. The reason why the urging member 34 b is provided is to ensure that the contact member 34 c is in contact with the seed layer 13.

突出部３３の当接部３３ａよりもｚ２側の円柱状の部分は、フランジ部材３５に挿入されている。フランジ部材３５は、第２のフランジ部３３ｃによって、突出部３３から抜け止めされている。フランジ部材３５は、突出部３３に変位不能に固定されていてもよいし、突出部３３の円柱状の部分を摺動可能に設けられていてもよい。   A columnar portion on the z2 side of the projecting portion 33 with respect to the abutting portion 33a is inserted into the flange member 35. The flange member 35 is prevented from coming off from the protruding portion 33 by the second flange portion 33c. The flange member 35 may be fixed to the protruding portion 33 so as not to be displaced, or may be provided to be slidable on a columnar portion of the protruding portion 33.

フランジ部材３５には、付勢部材３６が固定されている。付勢部材３６は、複数の配置領域３２ｃのそれぞれに対して設けられている。これら複数の付勢部材３６によって、配置領域３２ｃに配置された基体１０表面の端部がｚ１側に付勢されることにより、当該基体１０が、ｘ方向の両側に位置する突出部３３の当接部３３ａに当接する。これにより、基体１０のｘ方向における位置決めが行われると共に固定される。すなわち、本実施形態においては、各基体１０の両側に設けられており、各々、プレート本体３２に固定されている突出部３３に固定された付勢部材３６によって基体１０が固定される。なお、付勢部材３６の付勢力は、付勢部材３４ｂの付勢力よりも強く設定されている。   An urging member 36 is fixed to the flange member 35. The urging member 36 is provided for each of the plurality of arrangement regions 32c. The plurality of urging members 36 urge the end portion of the surface of the base body 10 disposed in the placement region 32c to the z1 side, so that the base body 10 contacts the protrusions 33 positioned on both sides in the x direction. It contacts the contact portion 33a. Thereby, the base 10 is positioned and fixed in the x direction. That is, in the present embodiment, the base body 10 is fixed by the biasing members 36 that are provided on both sides of each base body 10 and are fixed to the protrusions 33 that are fixed to the plate main body 32. The urging force of the urging member 36 is set to be stronger than the urging force of the urging member 34b.

複数のガイド部４０は、プレート本体３２の第１の主面３２ａからｚ方向に突起している。より詳細には、複数の配置領域３２ｃのうち、最もｙ１側の配置領域のｙ１側、最もｙ２側の配置領域のｙ２側、及びｙ方向において隣り合う配置領域の間のそれぞれに、各２つずつ、ガイド部４０が、ｘ方向に沿って設けられている。   The plurality of guide portions 40 protrude from the first main surface 32a of the plate body 32 in the z direction. More specifically, two of each of the plurality of arrangement areas 32c are provided respectively on the y1 side of the arrangement area on the most y1 side, the y2 side of the arrangement area on the most y2 side, and between the arrangement areas adjacent in the y direction. The guide portions 40 are provided along the x direction.

なお、本実施形態において、複数のガイド部４０は、プレート本体３２と一体に形成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、複数のガイド部の少なくとも一部とプレート本体とが別体に形成されていてもよい。   In the present embodiment, the plurality of guide portions 40 are formed integrally with the plate body 32. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, at least some of the plurality of guide portions and the plate body may be formed separately.

図７に示すように、ガイド部４０は、配置領域３２ｃに配置された基体１０の端部と当接する当接部４０ａを含む。当接部４０ａは、プレート本体３２側であるｚ１側に向かって、その当接部４０ａが当接する基体１０側に延びる傾斜部により構成されている。より具体的には、当接部４０ａは、ｚ１側とは反対側のｚ２側に向かって先細るテーパ状に形成されている。当接部４０ａは、ｙ方向において隣り合う当接部４０ａの頂部４０ａ１間の距離が、基体１０のｙ方向における長さよりも短くなるように形成されている。   As shown in FIG. 7, the guide portion 40 includes an abutting portion 40 a that abuts on the end portion of the base body 10 arranged in the arrangement region 32 c. The contact portion 40a is configured by an inclined portion extending toward the base body 10 with which the contact portion 40a contacts toward the z1 side that is the plate body 32 side. More specifically, the contact portion 40a is formed in a tapered shape that tapers toward the z2 side opposite to the z1 side. The contact portion 40a is formed such that the distance between the top portions 40a1 of the contact portions 40a adjacent in the y direction is shorter than the length of the base body 10 in the y direction.

このため、上記付勢部材３６によって基体１０がｚ１側に付勢されることによって、基体１０の端面がテーパ状の当接部４０ａに当接し、これにより、当該基体１０のｙ方向による位置が決定される。   For this reason, the base 10 is urged to the z1 side by the urging member 36, whereby the end surface of the base 10 comes into contact with the tapered contact portion 40a, whereby the position of the base 10 in the y direction is changed. It is determined.

なお、本実施形態において、支持プレート３１の材質は特に限定されない。支持プレート３１は、鉄、アルミニウムなどの金属や、これらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成されていてもよい。その場合は、支持プレート３１の表面に、絶縁膜が形成されていることが好ましい。また、支持プレート３１は、樹脂製であってもよい。その場合は、給電部材３４に給電するための配線を支持プレート３１の内部に設けておくことが好ましい。   In the present embodiment, the material of the support plate 31 is not particularly limited. The support plate 31 may be formed of a metal such as iron or aluminum, or an alloy containing one or more of these metals. In that case, an insulating film is preferably formed on the surface of the support plate 31. The support plate 31 may be made of resin. In that case, it is preferable to provide a wiring for supplying power to the power supply member 34 inside the support plate 31.

次に、めっき膜１４の形成方法について、主として図８を参照しながら説明する。なお、図８においては、治具３０が模式的に記載しており、詳細な構造の描画を省略している。   Next, a method for forming the plating film 14 will be described mainly with reference to FIG. In addition, in FIG. 8, the jig | tool 30 is described typically and drawing of the detailed structure is abbreviate | omitted.

まず、治具３０にシード層１３が形成された基体１０を、シード層１３が給電部材３４と接触するように複数セットする。具体的には、複数の基体１０をプレート本体３２に設けられた複数の配置領域３２ｃのそれぞれに配置する。そして、付勢部材３６によって、それら複数の基体１０をプレート本体３２側に付勢することにより、複数の基体１０のそれぞれをプレート本体３２に固定する。この状態では、給電部材３４が、シード層１３に接触した状態となる。次に、複数の基体１０が固定された治具３０をめっき浴２４中に配置し、めっき浴２４中において、めっき用電極２１と対峙させる。その状態で、給電部材３４を経由して、めっき用電極２１とシード層１３との間に、治具３０を経由して電圧を印加する。これにより、電解めっきを行い、複数の基体１０の所定箇所に同時にめっき膜１４を形成する。   First, a plurality of the substrates 10 on which the seed layer 13 is formed on the jig 30 are set so that the seed layer 13 is in contact with the power supply member 34. Specifically, the plurality of substrates 10 are arranged in each of a plurality of arrangement regions 32 c provided in the plate main body 32. Then, each of the plurality of substrates 10 is fixed to the plate body 32 by urging the plurality of substrates 10 toward the plate body 32 by the urging member 36. In this state, the power supply member 34 is in contact with the seed layer 13. Next, the jig 30 to which the plurality of bases 10 are fixed is disposed in the plating bath 24 and is opposed to the plating electrode 21 in the plating bath 24. In this state, a voltage is applied via the jig 30 between the plating electrode 21 and the seed layer 13 via the power supply member 34. As a result, electrolytic plating is performed, and the plating film 14 is simultaneously formed at predetermined positions of the plurality of bases 10.

なお、このめっき工程においては、治具３０を揺動させておくことが好ましい。また、めっき浴２４を攪拌しておくことが好ましい。そうすることによって、めっき液の供給ばらつきを抑制できる。従って、小さな膜厚ばらつきでめっき膜１４を形成することができる。従って、高性能な太陽電池１を製造することができる。   In this plating step, it is preferable that the jig 30 is swung. Moreover, it is preferable to stir the plating bath 24. By doing so, supply variation of the plating solution can be suppressed. Therefore, the plating film 14 can be formed with a small film thickness variation. Therefore, a high performance solar cell 1 can be manufactured.

以上説明したように、本実施形態では、支持プレート３１に複数の突出部３３が設けられており、その突出部３３のそれぞれに取り付けられた付勢部材３６によって基体１０を付勢する。すなわち、本実施形態においては、複数の基体１０のそれぞれに対応して設けられた複数の付勢部材３６によって、各基体１０を支持プレート３１側に付勢し、各基体１０の端部を当接部３３ａに当接させ、支持プレート３１に固定している。このため、基体１０を高い位置精度で、確実にセットすることができる。よって、シード層１３に確実に給電することができる。従って、めっき膜１４を好適に形成することができる。その結果、太陽電池１を好適に製造することができる。   As described above, in the present embodiment, the support plate 31 is provided with the plurality of protrusions 33, and the base body 10 is urged by the urging member 36 attached to each of the protrusions 33. That is, in the present embodiment, the bases 10 are biased toward the support plate 31 by the plurality of biasing members 36 provided corresponding to the bases 10, respectively, and the ends of the bases 10 are pressed against each other. It is brought into contact with the contact portion 33 a and fixed to the support plate 31. For this reason, the base 10 can be reliably set with high positional accuracy. Therefore, power can be reliably supplied to the seed layer 13. Therefore, the plating film 14 can be suitably formed. As a result, the solar cell 1 can be suitably manufactured.

また、複数の基体１０のそれぞれに対応して設けられた複数の給電部材３４によって、各基体１０に給電している。よって、シード層１３に確実に給電することができる。従って、めっき膜１４を好適に形成することができる。その結果、太陽電池１を好適に製造することができる。   In addition, power is supplied to each substrate 10 by a plurality of power supply members 34 provided corresponding to each of the plurality of substrates 10. Therefore, power can be reliably supplied to the seed layer 13. Therefore, the plating film 14 can be suitably formed. As a result, the solar cell 1 can be suitably manufactured.

また、上記給電部材３４は、基体１０を挟んで付勢部材３６と反対側に設けられている。よって、基体１０の所定領域を確実に給電部材３４に接触させることができる。従って、めっき膜１４を好適に形成することができる。その結果、太陽電池１を好適に製造することができる。   The power supply member 34 is provided on the opposite side of the biasing member 36 with the base 10 interposed therebetween. Therefore, the predetermined region of the base 10 can be reliably brought into contact with the power supply member 34. Therefore, the plating film 14 can be suitably formed. As a result, the solar cell 1 can be suitably manufactured.

また、本実施形態では、突出部３３が基体１０との当接部としての機能を有している。このため、基体１０のｘ方向における位置を確定するために、別個に当接部を設ける必要がない。従って、治具３０の構成を簡略化することができる。   Further, in the present embodiment, the protruding portion 33 has a function as a contact portion with the base body 10. For this reason, in order to determine the position of the base body 10 in the x direction, there is no need to provide a separate contact portion. Therefore, the configuration of the jig 30 can be simplified.

また、突出部３３に含まれる当接部３３ａは、傾斜部により構成されている。具体的には、当接部３３ａは、テーパ状に形成されている。このため、付勢部材３６の付勢力によって基体１０が当接部３３ａに当接することによって、基体１０のｘ方向における位置を高精度かつ容易に決定することができる。   Moreover, the contact part 33a contained in the protrusion part 33 is comprised by the inclination part. Specifically, the contact part 33a is formed in a taper shape. For this reason, the base 10 is brought into contact with the contact portion 33a by the urging force of the urging member 36, whereby the position of the base 10 in the x direction can be determined with high accuracy and easily.

また、本実施形態では、基体１０のｙ方向の両側に位置するガイド部４０が設けられている。このガイド部４０によって、基体１０のｙ方向における位置が決定される。ここで、ガイド部４０には、当接部４０ａが設けられている。この当接部４０ａは、傾斜部により構成されている。具体的には、当接部４０ａは、テーパ状に形成されている。このため、付勢部材３６の付勢力によって基体１０が当接部４０ａに当接することによって、基体１０のｙ方向における位置を高精度かつ容易に決定することができる。   In the present embodiment, guide portions 40 are provided on both sides of the base body 10 in the y direction. The position of the base body 10 in the y direction is determined by the guide portion 40. Here, the guide portion 40 is provided with a contact portion 40a. This contact part 40a is comprised by the inclination part. Specifically, the contact part 40a is formed in a taper shape. For this reason, the base 10 abuts against the abutting portion 40a by the urging force of the urging member 36, whereby the position of the base 10 in the y direction can be determined with high accuracy and easily.

尚、本発明は上述の実施形態に限るものではなく、種々の変更が可能である。例えば、上述の実施形態では、付勢部材３６によって基体１０を支持プレート３１側に付勢し、シード層１３を支持プレート３１に設けられた給電部材３４と接触させるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、付勢部材３６が給電部材の機能を備えていてもよい。すなわち、付勢部材３６を基体１０の裏面１０ｂ側に設けられたシード層１３に接触させてプレート本体３２側に付勢することにより各基体１０をプレート本体３２に固定し、付勢部材３６を経由して基体１０に給電することにより基体１０のシード層１３の上にめっき膜１４を形成してもよい。その場合において、付勢部材３６への給電は、支持プレート３１及びフランジ部材３５を経由して行ってもよいし、別途に設けられた配線により、複数の付勢部材３６を接続し、その配線を経由して行ってもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, the base member 10 is urged toward the support plate 31 by the urging member 36 so that the seed layer 13 is brought into contact with the power supply member 34 provided on the support plate 31. It is not limited to this. For example, the urging member 36 may have a function of a power supply member. That is, the urging member 36 is brought into contact with the seed layer 13 provided on the back surface 10b side of the base 10 and urged toward the plate main body 32 to fix each base 10 to the plate main body 32, and the urging member 36 is fixed. The plating film 14 may be formed on the seed layer 13 of the base 10 by supplying power to the base 10 via the power supply. In that case, power supply to the urging member 36 may be performed via the support plate 31 and the flange member 35, or a plurality of urging members 36 are connected by wiring separately provided, and the wiring You may go via.

また、上述の実施形態ではめっき膜１４の下地の層としてシード層１３を備える例について説明したが、めっき膜１４の下地の層は導電性を有する層であれば良く、例えばＩＴＯ層等の導電性酸化物層等、種々の導電層を用いることができる。   In the above-described embodiment, the example in which the seed layer 13 is provided as a base layer of the plating film 14 has been described. However, the base layer of the plating film 14 may be a conductive layer, for example, a conductive layer such as an ITO layer. Various conductive layers such as a conductive oxide layer can be used.

１…太陽電池
１０…基体
１０ａ…受光面
１０ｂ…裏面
１１ｎ…ｎ側電極
１１ｐ…ｐ側電極
１３…シード層
１４…めっき膜
２１…めっき用電極
２４…めっき浴
３０…治具
３１…支持プレート
３２…プレート本体
３２ｃ…配置領域
３３…突出部
３３ａ…当接部
３４…給電部材
３５…フランジ部材
３６…付勢部材
４０…ガイド部
４０ａ…当接部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Solar cell 10 ... Base | substrate 10a ... Light-receiving surface 10b ... Back surface 11n ... N side electrode 11p ... P side electrode 13 ... Seed layer 14 ... Plating film 21 ... Plating electrode 24 ... Plating bath 30 ... Jig 31 ... Support plate 32 ... Plate body 32c ... Arrangement area 33 ... Projection part 33a ... Contact part 34 ... Feeding member 35 ... Flange member 36 ... Biasing member 40 ... Guide part 40a ... Contact part

Claims (10)

光電変換部を含み一の主面を有する基体と、前記基体の一の主面の上に形成されためっき膜を含む電極とを備える太陽電池の製造方法であって、
複数の前記基体を、前記一の主面をプレート本体側として前記プレート本体に設けられた複数の配置領域のそれぞれに配置し、前記複数の配置領域のそれぞれに対して設けられた付勢部材を前記基体の前記一の主面と対向する他の主面に当接させて前記基体を前記プレート本体側に付勢することにより前記基体の一の主面を前記プレート本体側に配した給電部材に接触させた状態で前記複数の基体のそれぞれを前記プレート本体に固定し、前記複数の基体が固定された前記プレート本体をめっき浴中に配置して前記複数の基体のそれぞれに前記給電部材を経由して給電することにより前記各基体の前記一の主面上に同時に前記めっき膜を形成する、太陽電池の製造方法であって、
前記給電部材は、前記配置領域に配置される前記基体を挟んで前記付勢部材と対向する位置に配されている、太陽電池の製造方法。 A method for manufacturing a solar cell comprising a substrate including a photoelectric conversion part and having one main surface, and an electrode including a plating film formed on one main surface of the substrate,
A plurality of said substrate, disposed in each of a plurality of placement areas provided in the plate body of the one main surface as the plate body, a biasing member is provided for each of said plurality of placement areas A power supply member in which one main surface of the substrate is arranged on the plate body side by abutting the other main surface of the substrate facing the one main surface and biasing the substrate toward the plate body side. Each of the plurality of substrates is fixed to the plate body in a state of being in contact with the plate body, and the plate body on which the plurality of substrates are fixed is disposed in a plating bath, and the power supply member is disposed on each of the plurality of substrates. A method of manufacturing a solar cell, wherein the plating film is simultaneously formed on the one main surface of each of the substrates by feeding power via ,
The method for manufacturing a solar cell, wherein the power supply member is disposed at a position facing the urging member across the base disposed in the arrangement region. 前記基体は前記めっき膜の下地となるシード層を備え、
前記付勢部材によって前記基体を前記プレート本体側に付勢することにより前記シード層を前記給電部材に接触させ、前記給電部材を経由して前記シード層に給電することにより前記シード層上に前記めっき膜を形成する、請求項１記載の太陽電池の製造方法。 The substrate includes a seed layer serving as a base of the plating film,
The seed layer is brought into contact with the power feeding member by biasing the base body toward the plate body by the biasing member, and the seed layer is fed onto the seed layer by feeding power to the seed layer via the power feeding member. forming a plating film, a method for manufacturing a solar cell according to claim 1. 前記複数の基体を前記一の主面と対向する他の主面を前記プレート本体側として前記複数の配置領域のそれぞれに配置し、前記付勢部材を前記基体の前記一の主面に接触させて前記プレート本体側に付勢することにより各基体を前記プレート本体に固定し、前記付勢部材を経由して前記基体に給電することにより前記基体の前記一の主面に前記めっき膜を形成する、請求項１記載の太陽電池の製造方法。   The plurality of substrates are arranged in each of the plurality of arrangement regions, with the other main surface facing the one main surface being the plate body side, and the urging member is brought into contact with the one main surface of the substrate. The substrate is fixed to the plate body by urging to the plate body side, and the plating film is formed on the one main surface of the substrate by supplying power to the substrate via the urging member. The method for producing a solar cell according to claim 1. 前記基体は前記めっき膜の下地となるシード層を備え、
前記付勢部材を前記シード層に接触させて前記基体を前記プレート本体側に付勢することにより前記各基体を前記プレート本体に固定し、前記付勢部材を経由して前記シード層に給電することにより前記シード層上に前記めっき膜を形成する、請求項３記載の太陽電池の製造方法。 The substrate includes a seed layer serving as a base of the plating film,
The urging member is brought into contact with the seed layer to urge the substrate toward the plate body, thereby fixing the substrates to the plate body, and feeding the seed layer through the urging member. The method for manufacturing a solar cell according to claim 3 , wherein the plating film is formed on the seed layer. 前記プレート本体は前記基体に当接する当接部を有し、
前記付勢部材によって前記基体を前記プレート本体側に付勢することにより前記各基体の端部を前記当接部に当接させて前記プレート本体に固定する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法。 The plate body has a contact portion that contacts the base body,
Fixed to the plate body contact is not the end of the each of the substrates to the contact portions by biasing the substrate to the plate body by the urging member, one of claims 1-4 one The manufacturing method of the solar cell of description. 前記当接部は、前記プレート本体の一の主面から突出して設けられた複数の突出部のそれぞれに設けられている、請求項５記載の太陽電池の製造方法。 The method for manufacturing a solar cell according to claim 5 , wherein the contact portion is provided in each of a plurality of protrusions provided to protrude from one main surface of the plate body. 前記当接部は、傾斜部により構成されている、請求項５または６記載の太陽電池の製造方法。 The said contact part is a manufacturing method of the solar cell of Claim 5 or 6 comprised by the inclination part. 光電変換部を含み一の主面を有する基体と、前記基体の前記一の主面の上に形成されており、めっき膜を含む電極とを備える太陽電池の前記めっき膜を形成する際に用いられる太陽電池の製造用治具であって、
前記基体が配置される領域である複数の配置領域を有するプレート本体と、前記プレート本体に接続されており、前記基体の端部と当接する当接部とを有する支持プレートと、前記基体の一の主面に給電する給電部材と、
前記複数の配置領域のそれぞれに対して前記配置領域に配置される前記基体を挟んで前記給電部材と対向する位置に設けられ、前記配置領域に配置された前記基体を前記プレート本体側に付勢する付勢部材と、
を備える、太陽電池の製造用治具。 Used when forming the plating film of a solar cell including a substrate including a photoelectric conversion portion and having one main surface and an electrode including the plating film formed on the one main surface of the substrate. A solar cell manufacturing jig,
A support plate having a plate main body having a plurality of arrangement areas, which are areas where the base is arranged, and an abutting portion connected to the end of the base; A power supply member for supplying power to the main surface of
Each of the plurality of arrangement areas is provided at a position facing the power feeding member across the base arranged in the arrangement area, and the base arranged in the arrangement area is biased toward the plate body side An urging member to perform,
A jig for manufacturing a solar cell. 前記当接部は、前記プレート本体の前記一の主面から突出して設けられた突出部のそれぞれに設けられている、請求項８記載の太陽電池の製造用治具。 The solar cell manufacturing jig according to claim 8 , wherein the contact portion is provided on each of the protruding portions provided to protrude from the one main surface of the plate body. 前記給電部材は、前記付勢部材を兼ねる、請求項８記載の太陽電池の製造用治具。 The solar cell manufacturing jig according to claim 8 , wherein the power supply member also serves as the biasing member.
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JPH04114564U (en) * 1991-03-28 1992-10-08 国際電気株式会社 Plating jig for thin substrates
JP3661836B2 (en) * 1999-04-05 2005-06-22 シャープ株式会社 Manufacturing method of solar cell
JP2002232114A (en) * 2001-02-05 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for manufacturing circuit board, and method for manufacturing using the same
JP4157755B2 (en) * 2002-11-27 2008-10-01 新光電気工業株式会社 Work alignment method
US7172184B2 (en) * 2003-08-06 2007-02-06 Sunpower Corporation Substrate carrier for electroplating solar cells

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