JP5604885B2 - Apparatus for removing deposits on the periphery of a workpiece - Google Patents

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Description

本発明は被処理体の周縁部に付着した付着物を除去する被処理体周縁部の付着物除去装置に関する。
The present invention relates to a deposit removing device of the workpiece peripheral edge for removing substances attached to the peripheral portion of the specimen.

半導体装置を製造する工程において、例えば半導体ウエハ(以下ウエハと言う)の側端面や裏面の周縁部に付着した有機物、無機物またはこれらの積層体からなる付着物(ポリマー)をレーザ光を用いて加熱により除去する場合がある。このレーザ光は、例えばウエハを収納する処理容器の外部より引き回された光ファイバの先端部からウエハに照射される。そして、処理容器内において例えばウエハを鉛直軸回りに回転させると共に、光ファイバの先端部を水平方向に移動あるいは揺動させることにより、例えばウエハの側面側から裏面側に亘ってレーザ光をスキャンさせてウエハWの全周に亘って既述の付着物を除去している。このような付着物は、例えばウエハに対して行った処理の種別によって膜厚や構成物質などの付着状態が様々であるため、その付着状態に応じて、例えばレーザ光の出力やウエハの回転数などがウエハ毎(処理された処理種別毎)に個別に調整されることになる。   In the process of manufacturing a semiconductor device, for example, an organic substance, an inorganic substance, or an adhering substance (polymer) adhering to a peripheral edge of a side surface or back surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) is heated using laser light. May be removed. For example, the laser light is irradiated onto the wafer from the tip of an optical fiber drawn from the outside of the processing container that stores the wafer. Then, in the processing container, for example, the wafer is rotated about the vertical axis, and the tip of the optical fiber is moved or swung in the horizontal direction, so that the laser beam is scanned from the side surface side to the back surface side of the wafer, for example. Thus, the aforementioned deposits are removed over the entire circumference of the wafer W. Such deposits vary in the deposition state of film thickness, constituent materials, etc., depending on the type of processing performed on the wafer, for example, depending on the deposition state, for example, the output of laser light and the number of rotations of the wafer And the like are individually adjusted for each wafer (each processing type processed).

ところで、光ファイバが断線してレーザ光が外部に漏れ出した場合には、各部材や機器などに損傷を与えるおそれがあることから、光ファイバの断線を検知するようにしている。具体的には、特許文献1及び2に示すように、例えば銀などの金属からなる線材を光ファイバの長さ方向に沿って当該光ファイバの周囲に巻回して、この線材に通電する手法が知られている。この手法では、光ファイバが断線して断線部からレーザ光が外部に漏れ出すと、レーザ光により線材が数百℃以上例えば1000℃程度に加熱されて溶断するので、電流の遮断によって光ファイバの断線を検知できる。   By the way, when the optical fiber is disconnected and the laser light leaks to the outside, there is a risk of damaging each member or device, so that the disconnection of the optical fiber is detected. Specifically, as shown in Patent Documents 1 and 2, there is a method in which a wire made of a metal such as silver is wound around the optical fiber along the length direction of the optical fiber and the wire is energized. Are known. In this method, when the optical fiber is disconnected and the laser beam leaks from the disconnected portion to the outside, the laser beam is heated to several hundred degrees C. or more, for example, about 1000.degree. Disconnection can be detected.

しかし、光ファイバの破断面の形状によっては、光ファイバが断線してもレーザ光が外部にほとんど漏れ出さずに断線を検知できず、レーザ光が光ファイバ内を概略反転して当該光ファイバを溶かしながらレーザ発振器側に戻ってしまうおそれがある。また、光ファイバが物理的に断線していない場合であっても、例えばウエハの裏面においてレーザ光が反射して光ファイバ内をレーザ発振器側に戻りながら、光ファイバを溶かしてしまう場合もある。更に、レーザ光の出力が付着物の付着状況に応じて調整されるため、光ファイバの断線により当該光ファイバからレーザ光が漏れ出しても、レーザ光の出力が小さい場合には例えば線材が百数十℃程度までしか加熱されずに、線材が溶断しない場合もある。   However, depending on the shape of the fracture surface of the optical fiber, even if the optical fiber is disconnected, the laser light hardly leaks to the outside so that the disconnection cannot be detected. There is a risk of returning to the laser oscillator side while melting. Even if the optical fiber is not physically disconnected, the optical fiber may be melted while the laser light is reflected on the back surface of the wafer and returns to the laser oscillator side in the optical fiber, for example. Furthermore, since the output of the laser beam is adjusted according to the adhesion state of the deposit, even if the laser beam leaks from the optical fiber due to the disconnection of the optical fiber, if the output of the laser beam is small, for example, 100 In some cases, the wire rod is not melted without being heated only to about several tens of degrees Celsius.

特許文献2には、光ファイバの断線を検知するための線材として既述の銀などの金属に代えて低融点はんだを用いる技術について記載されているが、このような低融点はんだは脆いため、既述のように光ファイバを移動させる時あるいは装置に光ファイバを実装する時に破断してしまうおそれがある。また、はんだが脆いため、光ファイバの長さ方向に沿って巻回するようにはんだを設置(加工)するのも困難である。   Patent Document 2 describes a technique that uses a low-melting-point solder instead of the above-described metal such as silver as a wire for detecting disconnection of an optical fiber, but such a low-melting-point solder is brittle, As described above, when the optical fiber is moved or when the optical fiber is mounted on the apparatus, the optical fiber may be broken. In addition, since the solder is brittle, it is difficult to install (process) the solder so as to be wound along the length direction of the optical fiber.

特開2004−205764JP 2004-205664 A 特開昭56−17303JP 56-17303 A

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的はレーザ光を伝送する光ファイバの断線を検知できる被処理体周縁部の付着物除去装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and its object is to provide a deposit removing device of the workpiece periphery can detect the disconnection of the optical fiber for transmitting a laser beam.

本発明の被処理体周縁部の付着物除去装置は、
被処理体を収納するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、前記被処理体の裏面側周縁部が周方向に亘って前記処理容器の床面を臨むように、当該被処理体の裏面側中央部を支持する載置台と、
前記処理容器の外部に設けられたレーザ発振器から当該処理容器の壁部を貫通して前記処理容器の内部に伸びるように設けられ、被処理体の周縁部にレーザ光を照射して付着物を除去するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
前記処理容器内における前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とにおいて当該光ファイバを囲むように設けられ、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管と、
前記光ファイバの前記先端部を保持すると共に、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部である保持部と、
前記光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位における前記断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備え
前記光ファイバの前記先端部は、前記載置台に載置される被処理体の高さレベルよりも下方側に位置していることを特徴とする。
The deposit removing device for the peripheral edge of the object of the present invention is:
A processing container for storing an object to be processed;
A mounting table that is provided in the processing container and supports a central part on the back surface side of the processing object so that a peripheral surface of the back surface side of the processing object faces the floor surface of the processing container in a circumferential direction;
Provided to the laser oscillator provided outside of the processing container through the wall portion of the processing container extending inside of the processing vessel, deposits by irradiating a laser beam on the peripheral portion of the specimen An optical fiber that transmits laser light for removal ;
A protective tube which is provided so as to surround the optical fiber at a tip portion of the optical fiber in the processing container and a portion where the optical fiber penetrates the wall of the processing container, and suppresses bending of the optical fiber; ,
Holding the tip part of the optical fiber, and a holding part which is a part of an optical fiber moving part for changing at least one of an irradiation position and an irradiation angle of the laser beam;
Is wired along the length of the optical fiber, the breakage detection line is energized to detect disconnection of the optical fiber,
A thermal fuse that is provided in the disconnection detection line at a portion where the protective tube is arranged in the length direction of the optical fiber, and is opened by a temperature rise at the time of disconnection of the optical fiber;
A disconnection detection unit that detects an interruption of energization of the disconnection detection line ,
The tip of the optical fiber is located below the height level of the object to be processed placed on the mounting table .

前記保持部は、前記載置台に載置される被処理体の裏面側周縁部から裏面側中央部に向かってレーザ光を照射するように移動自在に構成され、  The holding unit is configured to be movable so as to irradiate the laser beam from the back surface side peripheral portion of the object to be processed placed on the mounting table toward the back surface side central portion,
前記載置台は、レーザ光が被処理体の裏面側周縁部を周方向に亘って走査できるように、鉛直軸周りに回転自在に構成されていても良い。  The mounting table may be configured to be rotatable around the vertical axis so that the laser light can scan the peripheral edge of the back surface of the object to be processed in the circumferential direction.
前記処理容器内を排気するための排気口と、  An exhaust port for exhausting the inside of the processing vessel;
前記載置台に載置される被処理体の周縁部に向かって処理ガスを供給する処理ガス供給部と、  A processing gas supply unit for supplying a processing gas toward the peripheral edge of the object to be processed placed on the mounting table;
前記排気口とは別に設けられ、前記処理ガス供給路から供給される処理ガスを局所的に排気するための吸引口と、を備えていても良い。  It may be provided separately from the exhaust port, and may include a suction port for locally exhausting the processing gas supplied from the processing gas supply path.

本発明はレーザ光を伝送する光ファイバの長さ方向に沿って、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線を配線すると共に、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズを断線検知線に設けている。そのため、光ファイバが昇温すると温度ヒューズにおいて通電が遮断されるので、光ファイバの断線を検知できる。

The present invention, along the length of the optical fiber for transmitting the laser beam, as well as wiring disconnection detection line is energized to detect disconnection of the optical fiber, the Atsushi Nobori at the time of disconnection of the optical fiber An open circuit thermal fuse is provided on the disconnection detection line . For this reason, when the temperature of the optical fiber rises, the energization is interrupted in the thermal fuse, so that the disconnection of the optical fiber can be detected.

本発明のレーザ照射装置を備えたレーザ照射装置の一例であるポリマー除去装置を示す縦断面である。It is a longitudinal section which shows the polymer removal apparatus which is an example of the laser irradiation apparatus provided with the laser irradiation apparatus of this invention. 前記ポリマー除去装置の一部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows a part of said polymer removal apparatus. 前記ポリマー除去装置におけるレーザ照射装置の一例を示す概略図である。It is the schematic which shows an example of the laser irradiation apparatus in the said polymer removal apparatus. 前記レーザ照射装置におけるレンズ部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the lens part in the said laser irradiation apparatus. 前記レーザ照射装置の光ファイバを長さ方向に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the optical fiber of the said laser irradiation apparatus along the length direction. 前記レーザ照射装置の光ファイバを周方向に沿って切断した断面図である。It is sectional drawing which cut | disconnected the optical fiber of the said laser irradiation apparatus along the circumferential direction. 前記レーザ照射装置の他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the said laser irradiation apparatus. 前記レーザ照射装置の他の例を示す概略図である。It is the schematic which shows the other example of the said laser irradiation apparatus.

本発明の光ファイバの断線検知装置を含むレーザ加熱装置の実施の形態の一例として、被処理体である半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wの例えば側端面や裏面周縁部に付着した付着物(ポリマー)を除去するポリマー除去装置について、図1〜図6を参照して説明する。先ず、レーザ加熱装置の全体構成について簡単に説明する。
このポリマー除去装置は、ウエハWを内部に収納して付着物の除去処理を行うための処理容器1と、この処理容器1内に設けられ、ウエハWの中央部を裏面側から吸着支持すると共に当該ウエハWを鉛直軸回りに回転させる載置台であるスピンチャック2と、このスピンチャック2上のウエハWの例えば側端面から裏面周縁部に亘ってレーザ光を照射して当該ウエハWに付着した付着物を加熱除去するレーザ照射装置3と、を備えている。図1中4はゲートバルブGにより気密に開閉されるウエハWの搬送口、5は処理容器1の上方側に設けられ、当該処理容器1内に外部の雰囲気を取り込むための吸気装置、6は吸気装置5により吸引した外部の雰囲気中のパーティクルを除去するためのフィルタ部であり、処理容器1の底面の排気口7から伸びる排気管8に接続された排気装置9と吸気装置5とにより、処理容器1内にダウンフローが形成されるように構成されている。尚、処理容器1の天井面におけるフィルタ部6の下方位置には、吸気装置5により取り込まれる外部の雰囲気を当該処理容器1内に通流させるための開口部1aが形成されている。
As an example of an embodiment of a laser heating device including an optical fiber breakage detection device according to the present invention, deposits attached to, for example, a side edge surface or a back surface peripheral portion of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) W which is an object to be processed. The polymer removal apparatus which removes (polymer) is demonstrated with reference to FIGS. First, the overall configuration of the laser heating apparatus will be briefly described.
The polymer removal apparatus includes a processing container 1 for storing a wafer W therein and performing a removal process of deposits, and is provided in the processing container 1 to support the central portion of the wafer W by suction from the back side. The spin chuck 2 which is a mounting table for rotating the wafer W around the vertical axis, and the wafer W on the spin chuck 2 is attached to the wafer W by irradiating laser light, for example, from the side end surface to the peripheral edge of the back surface. And a laser irradiation device 3 that heats and removes deposits. In FIG. 1, reference numeral 4 denotes a wafer W transfer opening that is airtightly opened and closed by a gate valve G, 5 is provided on the upper side of the processing container 1, and an intake device for taking an external atmosphere into the processing container 1. A filter unit for removing particles in the external atmosphere sucked by the intake device 5, and the exhaust device 9 connected to the exhaust pipe 8 extending from the exhaust port 7 on the bottom surface of the processing container 1 and the intake device 5, A down flow is formed in the processing container 1. Note that an opening 1 a for allowing an external atmosphere taken in by the intake device 5 to flow into the processing container 1 is formed at a position below the filter unit 6 on the ceiling surface of the processing container 1.

前記スピンチャック2は、処理容器1の下方に設けられた駆動部2aから上方側に向かって処理容器1の床面を気密に貫通して伸びる昇降軸2bを備えており、この駆動部2aにより鉛直軸回りに所定の回転数で回転可能なように構成される。また、このスピンチャック2は、搬送口4を介して処理容器1内に進入する図示しない搬送アームとの間においてウエハWの受け渡しを行えるように昇降自在に構成されている。また、この昇降軸2b内には、ウエハWを裏面側から吸着保持するために、図示しない吸引路が設けられている。図1中2cは軸受け部、2dはベローズである。   The spin chuck 2 includes an elevating shaft 2b extending airtightly through the floor surface of the processing vessel 1 from a driving unit 2a provided below the processing vessel 1 toward the upper side. It is configured to be rotatable at a predetermined rotation number around the vertical axis. The spin chuck 2 is configured to be movable up and down so that the wafer W can be transferred to and from a transfer arm (not shown) that enters the processing chamber 1 through the transfer port 4. Further, a suction path (not shown) is provided in the elevating shaft 2b in order to suck and hold the wafer W from the back side. In FIG. 1, 2c is a bearing part and 2d is a bellows.

処理容器1内には、前記スピンチャック2上において吸着保持されるウエハWの周縁部の上方側、側方側及び下方側を臨むように高さ方向における中央部が矩形に窪む支持部(本体)11が設けられている。この支持部11には、付着物を除去するための処理ガス例えばO3ガスをウエハWの側端面及び裏面側の周縁部に向かって供給する処理ガス供給ノズル12と、既述のレーザ照射装置3と、処理ガス供給ノズル12からウエハWに向けて吐出される処理ガスを吸引して局所排気するために開口端(吸引口)がウエハWの裏面側に近接するように配置された局所排気管13と、レーザ光が照射された部位におけるウエハWの温度を測定するための例えば放射温度計からなる測定部14と、が設けられている。この局所排気管13の他端側は、既述の排気管8に接続されている。支持部11の側面側には、図1に示すように、ウエハWの半径方向に後述のレンズ部23を水平方向に移動させるためのレール11aが配置されている。   In the processing container 1, a support portion (a central portion in the height direction is recessed in a rectangular shape so as to face the upper side, the side side, and the lower side of the peripheral portion of the wafer W attracted and held on the spin chuck 2. (Main body) 11 is provided. The supporting portion 11 includes a processing gas supply nozzle 12 for supplying a processing gas for removing deposits, for example, O3 gas, toward the side end surface and the peripheral portion on the back surface side of the wafer W, and the laser irradiation apparatus 3 described above. And a local exhaust pipe disposed so that an opening end (suction port) is close to the back side of the wafer W in order to suck and exhaust the processing gas discharged from the processing gas supply nozzle 12 toward the wafer W. 13 and a measurement unit 14 including, for example, a radiation thermometer for measuring the temperature of the wafer W at the portion irradiated with the laser light. The other end side of the local exhaust pipe 13 is connected to the exhaust pipe 8 described above. As shown in FIG. 1, a rail 11 a for moving a lens unit 23 (described later) in the horizontal direction in the radial direction of the wafer W is disposed on the side surface of the support unit 11.

レーザ照射装置3は、図3にも示すように、処理容器1の外部において例えば200W以下の出力でレーザ光を発振させるレーザ発振器21と、このレーザ発振器21に一端側(基端側)が接続されると共に、他端側(先端側)が処理容器1の壁面この例では床面を気密に貫通してスピンチャック2上のウエハWの裏面に近接する位置に向かって屈曲自在に伸びる例えば石英からなる光ファイバ22と、当該光ファイバ22の他端側に接続され、レーザ発振器21から伝送されるレーザ光を集光してウエハWに照射するためのレンズ部23と、を備えている。このレンズ部23は、クランプ部材24により保持部であるベース板25に固定されており、図2及び図4にも示すように、ベース板25に接続された移動部26によって既述の支持部11に水平方向に設けられたレール11aに沿ってスピンチャック2上のウエハWの半径方向に移動自在に設けられると共に、ベース板25と移動部26との間に設けられた回転軸26aによってウエハWに対するレーザ光の照射角度を変えられるように揺動自在に支持されている。尚、図2においては、支持部11の上方側を一部切り欠いて描画している。
レンズ部23に近接する部位における光ファイバ22は、固定バンド27によってベース板25に固定されている。
As shown in FIG. 3, the laser irradiation device 3 includes a laser oscillator 21 that oscillates laser light with an output of, for example, 200 W or less outside the processing container 1, and one end side (base end side) connected to the laser oscillator 21. At the same time, the other end side (front end side) penetrates the wall surface of the processing vessel 1 in this example in an airtight manner and extends flexibly toward a position close to the back surface of the wafer W on the spin chuck 2, for example, quartz. And a lens unit 23 that is connected to the other end of the optical fiber 22 and collects the laser light transmitted from the laser oscillator 21 and irradiates the wafer W. The lens portion 23 is fixed to a base plate 25 which is a holding portion by a clamp member 24, and as shown in FIGS. 2 and 4, the support portion described above is provided by a moving portion 26 connected to the base plate 25. 11 is provided so as to be movable in the radial direction of the wafer W on the spin chuck 2 along a rail 11a provided in a horizontal direction on the spin chuck 2 and at a rotating shaft 26a provided between the base plate 25 and the moving part 26. The laser beam is supported in a swingable manner so that the irradiation angle of the laser beam with respect to W can be changed. In FIG. 2, the upper side of the support portion 11 is partly cut away.
The optical fiber 22 in a part close to the lens unit 23 is fixed to the base plate 25 by a fixing band 27.

光ファイバ22は、図示しないファイバ固定用部材を介してL字型のファイバ固定ブラケット28により処理容器1の床面に固定されている。レンズ部23と固定バンド27との間及び処理容器1の底面を貫通する部位における光ファイバ22の周囲には、当該光ファイバ22の屈曲を抑えるために、後述の保護管30、40が設けられている。   The optical fiber 22 is fixed to the floor surface of the processing container 1 by an L-shaped fiber fixing bracket 28 through a fiber fixing member (not shown). In order to suppress the bending of the optical fiber 22 between the lens unit 23 and the fixed band 27 and around the optical fiber 22 at a portion penetrating the bottom surface of the processing container 1, protective tubes 30 and 40 described later are provided. ing.

続いて、光ファイバ22の具体的な構成について説明する。この光ファイバ22は、図5及び図6に示すように、内管(コア)22a及びこの内管22aを覆う外管(クラッド)22bの2重管として構成されており、レーザ発振器21側及びレンズ部23側に夫々設けられた基端部31a、31b間には、光ファイバ22が切断される角度以上に屈曲することを抑えるために、例えばステンレスからなる蛇腹状のシース管32が光ファイバ22の外側を覆うように当該光ファイバ22の長さ方向に沿って配置されている。このシース管32の外側には、例えば樹脂からなる被覆層33が設けられており、この被覆層33は、例えば処理容器1の外部のレーザ発振器21側においてはPVC(ポリ塩化ビニル)などにより構成され、処理容器1内においては光ファイバ22及びシース管32が容易に屈曲できるようにシリコーンゴムなどにより構成されている。また、処理容器1の外部におけるシース管32と被覆層33との間には、PVCからなる保護材34が設けられている。既述のレンズ部23と固定バンド27との間には、光ファイバ22の屈曲を抑えるための例えばステンレスからなる既述の保護管30が設けられ、また処理容器1の床面を貫通する部位における光ファイバ22(被覆層33)にも同様の保護管40が設けられている。   Next, a specific configuration of the optical fiber 22 will be described. As shown in FIGS. 5 and 6, the optical fiber 22 is configured as a double tube of an inner tube (core) 22a and an outer tube (clad) 22b covering the inner tube 22a. In order to prevent the optical fiber 22 from being bent beyond the angle at which the optical fiber 22 is cut between the base end portions 31a and 31b provided on the lens portion 23 side, for example, a bellows-like sheath tube 32 made of stainless steel is provided as the optical fiber. The optical fiber 22 is disposed along the length direction so as to cover the outside of the optical fiber 22. A coating layer 33 made of, for example, a resin is provided on the outside of the sheath tube 32. The coating layer 33 is made of, for example, PVC (polyvinyl chloride) on the laser oscillator 21 side outside the processing container 1. In the processing container 1, the optical fiber 22 and the sheath tube 32 are made of silicone rubber or the like so that they can be bent easily. A protective material 34 made of PVC is provided between the sheath tube 32 and the coating layer 33 outside the processing container 1. Between the lens unit 23 and the fixed band 27 described above, the above-described protective tube 30 made of, for example, stainless steel for suppressing the bending of the optical fiber 22 is provided, and a portion penetrating the floor surface of the processing container 1. A similar protective tube 40 is also provided in the optical fiber 22 (coating layer 33).

基端部31a、31b間におけるシース管32の内部には、光ファイバ22を長さ方向に沿って覆うように例えばナイロン製の網状体35が設けられており、この網状体35は、熱収縮性の覆い部材36により長さ方向における両側の先端部及び保護管40の内側領域が覆われている。この網状体35の内部には、処理容器1の外側におけるシース管32の管壁を介して例えば銅(Cu)からなる導電性の断線検知線41が挿入され、この断線検知線41は、光ファイバ22に沿って先端に向かって巻回するように螺旋状に配線されている。更に、この断線検知線41は、光ファイバ22の先端側で折り返されて光ファイバ22に沿って基端側に配線され、当該断線検知線41の一端側の挿入部位の近傍からシース管32の管壁を介して外部に引き出されて、光ファイバ22の断線を検知するためのモニタリングユニット43に接続されている。このモニタリングユニット43は、図5に示すように、断線検知線41に光ファイバ22の断線を検知する電流を通流させるための電源43aと、断線検知線41に介設され、当該断線検知線41を通流する電流が遮断されたか否かを検知する例えばリレーからなる検知部43bと、を備えている。   In the sheath tube 32 between the base end portions 31a and 31b, a net-like body 35 made of, for example, nylon is provided so as to cover the optical fiber 22 along the length direction. The covering member 36 covers the distal end portions on both sides in the length direction and the inner region of the protective tube 40. A conductive disconnection detection line 41 made of, for example, copper (Cu) is inserted into the mesh body 35 via the tube wall of the sheath tube 32 outside the processing container 1. The wires are spirally wired so as to be wound toward the tip along the fiber 22. Further, the disconnection detection line 41 is folded back at the distal end side of the optical fiber 22 and wired to the proximal end side along the optical fiber 22, and from the vicinity of the insertion site on one end side of the disconnection detection line 41, It is pulled out through the tube wall and connected to a monitoring unit 43 for detecting disconnection of the optical fiber 22. As shown in FIG. 5, the monitoring unit 43 includes a power source 43a for passing a current for detecting the disconnection of the optical fiber 22 through the disconnection detection line 41, and the disconnection detection line 41. And a detection unit 43b made of, for example, a relay that detects whether or not the current flowing through 41 is interrupted.

また、光ファイバ22の長さ方向において保護管30、40が設けられた部位の内側領域には、例えば松下電器株式会社製の温度ヒューズ(サーマルヒューズ)42が断線検知線41に直列に介設されており、この温度ヒューズ42は、当該温度ヒューズ42を通流する電流を遮断する設定温度(溶融温度)が断線検知線41の溶融する温度よりも低く、光ファイバ22の断線時において、使用レーザ出力に応じて光ファイバ22が昇温する温度例えば141℃(141℃±2℃)となるように設定されている。尚、図6は、図5におけるA−A線で光ファイバ22を切断した断面を示している。また、図示を省略しているが、断線検知線41の表面は例えばエナメルにより被覆されている。   Further, in the inner region of the portion where the protective tubes 30 and 40 are provided in the length direction of the optical fiber 22, for example, a temperature fuse (thermal fuse) 42 manufactured by Matsushita Electric Co., Ltd. is provided in series with the disconnection detection line 41. The temperature fuse 42 is used when the set temperature (melting temperature) for interrupting the current flowing through the temperature fuse 42 is lower than the melting temperature of the disconnection detection line 41 and is used when the optical fiber 22 is disconnected. The temperature is set so that the temperature of the optical fiber 22 rises according to the laser output, for example, 141 ° C. (141 ° C. ± 2 ° C.). FIG. 6 shows a cross section of the optical fiber 22 cut along line AA in FIG. Although not shown, the surface of the disconnection detection line 41 is covered with, for example, enamel.

このポリマー除去装置は、図1に示すように、例えばコンピュータからなる制御部50を備えており、この制御部50は、プログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えている。プログラムは、スピンチャック2の回転数、レーザ発振器21の出力及びO3ガスの供給量などの処理条件を調整することによって、ウエハWの側面側や裏面側の周縁部に付着した付着物を除去するように装置の各部に制御信号を送るように構成されている。また、メモリには、例えばウエハWに対して行われた処理の種別と、この処理の種別に応じて当該ウエハWに付着する付着物の種類(有機物、無機物あるいはこれらの積層体)や膜厚と、当該付着物を除去するための処理条件とが書き込まれる領域が設けられている。そして、CPUによりこのメモリから処理条件が読み出されて、プログラムにより付着物の除去処理が行われるように構成されている。このプログラム(処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む)は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)などの記憶部51に格納されて制御部50にインストールされる。既述の光ファイバ22、断線検知線41、温度ヒューズ42及び制御部50などにより、レーザ照射装置が構成される。   As shown in FIG. 1, the polymer removing apparatus includes a control unit 50 including, for example, a computer. The control unit 50 includes a data processing unit including a program, a memory, and a CPU. The program adjusts processing conditions such as the rotation speed of the spin chuck 2, the output of the laser oscillator 21, and the supply amount of O 3 gas, thereby removing deposits adhering to the peripheral portion on the side surface or the back surface of the wafer W. In this way, a control signal is sent to each part of the apparatus. In addition, in the memory, for example, the type of processing performed on the wafer W, the type of deposits (organic matter, inorganic matter, or a laminate thereof) attached to the wafer W according to the type of processing, and the film thickness And a processing condition for removing the deposits are provided. The processing conditions are read from the memory by the CPU, and the deposit removal process is performed by the program. This program (including programs related to processing parameter input operations and display) is stored in the storage unit 51 such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, or an MO (magneto-optical disk) and installed in the control unit 50. The The laser irradiation apparatus is configured by the optical fiber 22, the disconnection detection line 41, the thermal fuse 42, the control unit 50, and the like.

続いて、このポリマー除去装置における作用について説明する。先ず、レシピから処理条件を読み出すと共に、図示しない搬送アームによりウエハWを搬送口4から処理容器1内に搬入し、スピンチャック2上に載置する。このウエハWの例えば裏面の周縁部には、例えば有機物からなる付着物Pが付着している。そして、このウエハWを吸引保持すると共に、例えば所定の回転数で鉛直軸回りに回転させると共に、排気装置9と吸気装置5とにより処理容器1内にダウンフローを形成する。また、ウエハWの周縁部に向かってO3ガスを吐出すると共に、局所排気管13によりこのO3ガスを局所排気する。   Subsequently, the operation of the polymer removing apparatus will be described. First, the processing conditions are read from the recipe, and the wafer W is loaded into the processing container 1 from the transfer port 4 by a transfer arm (not shown) and placed on the spin chuck 2. For example, a deposit P made of an organic material is attached to the peripheral edge of the back surface of the wafer W, for example. The wafer W is sucked and held, and is rotated around the vertical axis at a predetermined rotational speed, for example, and a downflow is formed in the processing container 1 by the exhaust device 9 and the intake device 5. Further, O 3 gas is discharged toward the peripheral edge of the wafer W, and this O 3 gas is locally exhausted by the local exhaust pipe 13.

次いで、モニタリングユニット43により断線検知線41を通電する。また、レーザ発振器21において例えば200Wの出力で例えば波長が808nmの半導体レーザ光を発振させ、当該レーザ光をレンズ部23を介してウエハWに照射することにより、ウエハWを所定の加熱温度例えば500℃程度に加熱する。そして、測定部14によりウエハWの温度を測定して、ウエハWが前記温度に保たれるようにウエハWの回転数やレーザ光の出力を調整すると共に、移動部26を介してレンズ部23を移動あるいは揺動させ、ウエハWの側面側から裏面側の周縁部に亘ってレーザ光を照射してウエハWに付着した付着物Pを周方向に亘って加熱除去する。   Next, the disconnection detection line 41 is energized by the monitoring unit 43. Further, the laser oscillator 21 oscillates a semiconductor laser beam having a wavelength of, for example, 808 nm with an output of 200 W, for example, and irradiates the wafer W with the laser beam through the lens unit 23, whereby the wafer W is heated to a predetermined heating temperature, for example, 500 Heat to about ℃. Then, the temperature of the wafer W is measured by the measurement unit 14 to adjust the rotation speed of the wafer W and the output of the laser beam so that the wafer W is maintained at the temperature, and the lens unit 23 via the moving unit 26. Is moved or rocked, and the deposit P attached to the wafer W is removed by heating in the circumferential direction by irradiating a laser beam from the side surface side to the peripheral portion on the back surface side of the wafer W.

この時、レンズ部23を移動あるいは揺動させることにより、レンズ部23側及びレーザ発振器21側における保護管30、40間において光ファイバ22が屈曲する。そして、この屈曲によって光ファイバ22が例えばレンズ部23に近接する領域において断線したとする。この場合には、光ファイバ22からレーザ光が例えば処理容器1内に漏れ出し、断線部位の周囲がレーザ光により例えば1000℃程度に加熱されていく。この熱により例えば光ファイバ22が溶融すると、例えば光ファイバ22におけるレーザ光の透過領域(内管22a)が塞がるので、その後レーザ発振器21から伝送されるレーザ光は当該断線部位を通過することができなくなる。そのため、光ファイバ22の温度が更に上昇して、例えば光ファイバ22の溶融部位が次第にレーザ発振器21側にまで広がってくる。また、光ファイバ22から外部に漏れ出すレーザ光の熱により、当該光ファイバ22の周囲の例えば断線検知線41についても加熱されるが、既述のようにレーザ光の出力が45W程度の場合には、この断線検知線41は200℃程度までにしか加熱されず、従って当該断線検知線41は溶融しない。   At this time, the optical fiber 22 is bent between the protective tubes 30 and 40 on the lens unit 23 side and the laser oscillator 21 side by moving or swinging the lens unit 23. Then, it is assumed that the optical fiber 22 is disconnected in a region close to the lens unit 23 due to this bending, for example. In this case, laser light leaks from the optical fiber 22 into the processing container 1, for example, and the periphery of the broken portion is heated to, for example, about 1000 ° C. by the laser light. For example, when the optical fiber 22 is melted by this heat, for example, the laser light transmission region (inner tube 22a) in the optical fiber 22 is blocked, so that the laser light transmitted from the laser oscillator 21 can pass through the disconnected portion. Disappear. Therefore, the temperature of the optical fiber 22 further rises, and for example, the melted portion of the optical fiber 22 gradually spreads to the laser oscillator 21 side. Further, for example, the disconnection detection line 41 around the optical fiber 22 is also heated by the heat of the laser light leaking outside from the optical fiber 22, but when the output of the laser light is about 45 W as described above. The disconnection detection line 41 is heated only up to about 200 ° C., and therefore the disconnection detection line 41 is not melted.

その後、光ファイバ22の溶融部位が処理容器1の床面(温度ヒューズ42)にまで到達すると、既述のようにこの温度ヒューズ42の溶融温度が設定されているので、光ファイバ22から漏れ出すレーザ光の熱により当該温度ヒューズ42が溶融し、断線検知線41を通流する電流が遮断される(開路する)。そして、モニタリングユニット43によりこの電流の遮断が検知され、その検知信号が制御部50に送られて、この制御部50からレーザ発振器21に停止信号が出力されてレーザ光の発振が瞬時に停止されることになる。尚、光ファイバ22が断線してから温度ヒューズ42が溶融するまでの時間は、例えば数秒〜数十秒程度となる。   Thereafter, when the melting portion of the optical fiber 22 reaches the floor surface (thermal fuse 42) of the processing container 1, the melting temperature of the thermal fuse 42 is set as described above, so that the optical fiber 22 leaks out. The thermal fuse 42 is melted by the heat of the laser beam, and the current flowing through the disconnection detection line 41 is interrupted (opened). Then, the current interruption is detected by the monitoring unit 43, the detection signal is sent to the control unit 50, a stop signal is output from the control unit 50 to the laser oscillator 21, and the oscillation of the laser beam is instantaneously stopped. Will be. The time from when the optical fiber 22 is disconnected until the temperature fuse 42 is melted is, for example, about several seconds to several tens of seconds.

上述の実施の形態によれば、レーザ光を伝送する光ファイバ22の長さ方向に沿って配線した断線検知線41に通電し、この通電の遮断により光ファイバ22の断線を検知するにあたり、温度ヒューズ42を断線検知線41に設けているので、光ファイバ22の断線部から外部に漏れ出すレーザ光の熱によって断線検知線41が溶断しない程度にレーザ光の出力が低い場合であっても、温度ヒューズ42において電流が遮断されるので、光ファイバ22の断線を確実に検知できる。そのため、レーザ光による例えばレーザ発振器21への損傷を抑えることができる。また、光ファイバ22を囲むように光ファイバ22の屈曲を抑制する保護管30、40を配置した場合には、光ファイバ22の長さ方向において保護管30、40と同じ部位に温度ヒューズ42を設けることによって、光ファイバ22の取り回し(水平移動、揺動あるいは装置への光ファイバ22の取り付け)による断線検知線41の破断を抑えることができる。   According to the above-described embodiment, when the disconnection detection line 41 wired along the length direction of the optical fiber 22 that transmits the laser light is energized and the disconnection of the optical fiber 22 is detected by the interruption of the energization, Since the fuse 42 is provided in the disconnection detection line 41, even if the output of the laser light is low enough that the disconnection detection line 41 is not melted by the heat of the laser light leaking outside from the disconnection portion of the optical fiber 22, Since the current is interrupted in the thermal fuse 42, the disconnection of the optical fiber 22 can be reliably detected. Therefore, for example, damage to the laser oscillator 21 due to the laser light can be suppressed. In addition, when the protective tubes 30 and 40 that suppress the bending of the optical fiber 22 are arranged so as to surround the optical fiber 22, the thermal fuse 42 is attached to the same portion as the protective tubes 30 and 40 in the length direction of the optical fiber 22. By providing, it is possible to suppress breakage of the disconnection detection line 41 due to the handling of the optical fiber 22 (horizontal movement, swing or attachment of the optical fiber 22 to the apparatus).

また、光ファイバ22の長さ方向に沿って断線検知線41に温度ヒューズ42を介設しているので、断線検知線41に代えて低融点金属例えばはんだなどを設ける場合と比べて容易に断線検知線41(温度ヒューズ42)を設置できる。更に、温度ヒューズ42は溶融する温度が既述のように厳密に設定されており、またこの溶融温度の個体差が小さいので、即ち予め設定した温度において電流を遮断できるため、更にまた温度ヒューズ42は溶融して電流を遮断した後、再融着などにより再接続されないので、光ファイバ22の断線を正確に検知することができる。   In addition, since the thermal fuse 42 is provided in the disconnection detection line 41 along the length direction of the optical fiber 22, the disconnection can be easily performed as compared with the case where a low melting point metal such as solder is provided instead of the disconnection detection line 41. A detection line 41 (temperature fuse 42) can be installed. Further, the melting temperature of the thermal fuse 42 is set strictly as described above, and since the individual difference of the melting temperature is small, that is, the current can be cut off at a preset temperature, the thermal fuse 42 is further changed. After melting and cutting off the current, it is not reconnected by refusion or the like, so that the disconnection of the optical fiber 22 can be accurately detected.

既述の例においては、光ファイバ22が断線してレーザ光が外部に漏れ出す場合について説明したが、例えば光ファイバ22の断線部位の形状によっては、レーザ光が外部にほとんど漏れ出さずに、光ファイバ22を溶融させながら断線検知線41を溶断せずに当該光ファイバ22内をレーザ発振器21側に戻る場合もあるが、このような場合であっても温度ヒューズ42を用いることによって光ファイバ22の断線を確実に検知できる。また、光ファイバ22が断線しない場合であっても、例えばウエハWの表面が鏡面となっているため、レーザ光が当該ウエハWにおいて反射して光ファイバ22内に入り込み、光ファイバ22を例えば1000℃程度に加熱して溶融させながらレーザ発振器21側に戻っていく場合もある。この時においても、同様に光ファイバ22の昇温を検知できる。この場合には、レンズ部23に近接する温度ヒューズ42にて電流が遮断される。従って、本発明で説明した光ファイバ22の「断線」とは、光ファイバ22が屈曲を繰り返すことにより物理的に断線する場合に加えて、レーザ光がウエハWの表面において反射してレーザ発振器21側に光ファイバ22を溶かしながら戻ることによって当該光ファイバ22が途中部位で溶断する場合も含まれる。   In the above-described example, the case where the optical fiber 22 is disconnected and the laser light leaks to the outside has been described. For example, depending on the shape of the disconnected portion of the optical fiber 22, the laser light hardly leaks to the outside. While the optical fiber 22 is melted and the disconnection detection line 41 is not melted, the optical fiber 22 may return to the laser oscillator 21 side. Even in such a case, by using the temperature fuse 42, the optical fiber 22 22 disconnection can be reliably detected. Even if the optical fiber 22 is not broken, for example, since the surface of the wafer W is a mirror surface, the laser light is reflected by the wafer W and enters the optical fiber 22, and the optical fiber 22 is, for example, 1000 In some cases, the laser oscillator 21 may be returned to the laser oscillator 21 side while being heated to about ° C and melted. Also at this time, the temperature rise of the optical fiber 22 can be detected similarly. In this case, the current is interrupted by the temperature fuse 42 close to the lens unit 23. Therefore, the “disconnection” of the optical fiber 22 described in the present invention means that the laser light is reflected on the surface of the wafer W and reflected by the laser oscillator 21 in addition to the case where the optical fiber 22 is physically disconnected by repeated bending. The case where the optical fiber 22 melts at a midpoint by returning while melting the optical fiber 22 to the side is also included.

この例では、温度ヒューズ42をレンズ部23及び処理容器1の床面の貫通部の2箇所に設けたが、3箇所以上に設けても良い。その場合には、例えば図7に示すように、光ファイバ22の屈曲箇所に保護管30を設けて、この保護管30の内部に温度ヒューズ42が設けられる。また、レンズ部23を水平方向に移動させたり揺動させたりしない場合には、保護管30を設けずに温度ヒューズ42を断線検知線41に介設しても良い。   In this example, the temperature fuses 42 are provided at two locations of the lens portion 23 and the through portion of the floor surface of the processing container 1, but may be provided at three or more locations. In that case, as shown in FIG. 7, for example, a protective tube 30 is provided at a bent portion of the optical fiber 22, and a thermal fuse 42 is provided inside the protective tube 30. Further, when the lens unit 23 is not moved or swayed in the horizontal direction, the thermal fuse 42 may be interposed in the disconnection detection line 41 without providing the protective tube 30.

更に、図8に示すように、温度ヒューズ42に代えて、光ファイバ22の温度を測定する熱電対61を配置して、温度検知部であるモニタリングユニット43において光ファイバ22の温度を測定するようにしても良い。この例では、既述の保護管30の内部領域(レンズ部23に近接する領域及び処理容器1の床面の貫通部)に熱電対61の温度測定部を配置している。この場合には、例えば光ファイバ22の温度が予め設定した所定の温度(しきい値)以上になると、当該光ファイバ22が断線したと判断されることになる。このように熱電対61を設ける場合には、レーザ光の出力に応じてしきい値が調整される。   Further, as shown in FIG. 8, a thermocouple 61 for measuring the temperature of the optical fiber 22 is arranged in place of the thermal fuse 42, and the temperature of the optical fiber 22 is measured in the monitoring unit 43 which is a temperature detection unit. Anyway. In this example, the temperature measuring unit of the thermocouple 61 is arranged in the inner region of the protective tube 30 described above (the region close to the lens unit 23 and the through portion of the floor of the processing container 1). In this case, for example, when the temperature of the optical fiber 22 becomes equal to or higher than a predetermined temperature (threshold value) set in advance, it is determined that the optical fiber 22 is disconnected. When the thermocouple 61 is provided in this way, the threshold value is adjusted according to the output of the laser beam.

W ウエハ
1 処理容器
2 スピンチャック
2a 駆動部
3 レーザ照射装置
21 レーザ発振器
22 光ファイバ
23 レンズ部
26 移動部
30 保護管
41 断線検知線
42 温度ヒューズ
43 モニタリングユニット
P 付着物
W Wafer 1 Processing vessel 2 Spin chuck 2a Drive unit 3 Laser irradiation device 21 Laser oscillator 22 Optical fiber 23 Lens unit 26 Moving unit 30 Protective tube 41 Disconnection detection line 42 Thermal fuse 43 Monitoring unit P Attachment

Claims (3)

被処理体を収納するための処理容器と、
この処理容器内に設けられ、前記被処理体の裏面側周縁部が周方向に亘って前記処理容器の床面を臨むように、当該被処理体の裏面側中央部を支持する載置台と、
前記処理容器の外部に設けられたレーザ発振器から当該処理容器の壁部を貫通して前記処理容器の内部に伸びるように設けられ、被処理体の周縁部にレーザ光を照射して付着物を除去するためにレーザ光を伝送する光ファイバと、
前記処理容器内における前記光ファイバの先端部と、前記光ファイバが前記処理容器の壁部を貫通する部位とにおいて当該光ファイバを囲むように設けられ、前記光ファイバの屈曲を抑制する保護管と、
前記光ファイバの前記先端部を保持すると共に、レーザ光の照射位置及び照射角度の少なくとも一方を変えるための光ファイバ移動部の一部である保持部と、
前記光ファイバの長さ方向に沿って配線され、当該光ファイバの断線を検知するために通電される断線検知線と、
前記光ファイバの長さ方向において前記保護管が配置された部位における前記断線検知線に設けられ、前記光ファイバの断線時の昇温により開路する温度ヒューズと、
前記断線検知線の通電の遮断を検知する断線検知部と、を備え
前記光ファイバの前記先端部は、前記載置台に載置される被処理体の高さレベルよりも下方側に位置していることを特徴とする被処理体周縁部の付着物除去装置。
A processing container for storing an object to be processed;
A mounting table that is provided in the processing container and supports a central part on the back surface side of the processing object so that a peripheral surface of the back surface side of the processing object faces the floor surface of the processing container in a circumferential direction;
Provided to the laser oscillator provided outside of the processing container through the wall portion of the processing container extending inside of the processing vessel, deposits by irradiating a laser beam on the peripheral portion of the specimen An optical fiber that transmits laser light for removal ;
A protective tube which is provided so as to surround the optical fiber at a tip portion of the optical fiber in the processing container and a portion where the optical fiber penetrates the wall of the processing container, and suppresses bending of the optical fiber; ,
Holding the tip part of the optical fiber, and a holding part which is a part of an optical fiber moving part for changing at least one of an irradiation position and an irradiation angle of the laser beam;
Is wired along the length of the optical fiber, the breakage detection line is energized to detect disconnection of the optical fiber,
A thermal fuse that is provided in the disconnection detection line at a portion where the protective tube is arranged in the length direction of the optical fiber, and is opened by a temperature rise at the time of disconnection of the optical fiber;
A disconnection detection unit that detects an interruption of energization of the disconnection detection line ,
The tip removal part of the optical fiber is located below the height level of the object to be processed placed on the mounting table .
前記保持部は、前記載置台に載置される被処理体の裏面側周縁部から裏面側中央部に向かってレーザ光を照射するように移動自在に構成され、  The holding unit is configured to be movable so as to irradiate the laser beam from the back surface side peripheral portion of the object to be processed placed on the mounting table toward the back surface side central portion,
前記載置台は、レーザ光が被処理体の裏面側周縁部を周方向に亘って走査できるように、鉛直軸周りに回転自在に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の被処理体周縁部の付着物除去装置。  2. The object according to claim 1, wherein the mounting table is configured to be rotatable about a vertical axis so that the laser beam can scan the peripheral edge of the back surface of the object to be processed in the circumferential direction. A deposit removing device for the periphery of the processing body.
前記処理容器内を排気するための排気口と、  An exhaust port for exhausting the inside of the processing vessel;
前記載置台に載置される被処理体の周縁部に向かって処理ガスを供給する処理ガス供給部と、  A processing gas supply unit for supplying a processing gas toward the peripheral edge of the object to be processed placed on the mounting table;
前記排気口とは別に設けられ、前記処理ガス供給路から供給される処理ガスを局所的に排気するための吸引口と、を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の被処理体周縁部の付着物除去装置。  The to-be-processed object of Claim 1 or 2 provided with the suction port for providing separately from the said exhaust port and exhausting the process gas supplied from the said process gas supply path locally A device for removing extraneous matter from the periphery of the body.
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