JP5591163B2 - Elastic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波装置に関する。   The present invention relates to an acoustic wave device such as a surface acoustic wave (SAW) device or a piezoelectric thin film resonator (FBAR).

小型化などを目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）型の弾性波装置が知られている。このＷＬＰ型の弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーと、カバーを高さ方向に貫通する端子とを有する。   A so-called wafer level package (WLP: Wafer Level Package) type acoustic wave device for the purpose of downsizing is known. This WLP type acoustic wave device has a piezoelectric substrate, an excitation electrode provided on the piezoelectric substrate, a cover for sealing the excitation electrode, and a terminal penetrating the cover in the height direction.

カバーの上面には、励振電極の封止空間の変形を防止するために、カバーよりも硬い金属などから成る補強層が設けられることがある（例えば、特許文献１参照）。   In order to prevent deformation of the sealing space of the excitation electrode, a reinforcing layer made of a metal harder than the cover may be provided on the upper surface of the cover (see, for example, Patent Document 1).

特開２００７−１４２７７０号公報JP 2007-142770 A

しかしながら、カバーの上面に金属からなる補強層を設けると、弾性波装置を外部の回路基板に半田などを用いて実装する際に、端子に付着させる半田が補強層に接触する恐れがある。   However, if a reinforcing layer made of metal is provided on the upper surface of the cover, when the acoustic wave device is mounted on an external circuit board using solder or the like, there is a risk that the solder attached to the terminals will come into contact with the reinforcing layer.

端子に付着させる半田が補強層に接触すると実装不良や電気特性の劣化を招く要因となる。   If the solder adhered to the terminal contacts the reinforcing layer, it causes a mounting failure or deterioration of electrical characteristics.

そこでカバーに金属からなる補強層を設けた場合であっても、実装不良や電気特性の劣化が起きにくい弾性波装置およびその製造方法の提供が望まれている。   Therefore, it is desired to provide an elastic wave device and a method for manufacturing the same that are unlikely to cause mounting defects or deterioration of electrical characteristics even when a cover is provided with a reinforcing layer made of metal.

本発明の一態様としての弾性波装置は、基板と、該基板の上面に配置された励振電極と、該励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に配置された樹脂製のカバーと、該カバーを高さ方向に貫き、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子と、前記カバーの上面に平面透視して前記封止空間を覆うように配置された金属からなる補強層と、該補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆し、かつ前記フランジ部と間隔を空けて配置された樹脂製の絶縁膜とを有するものである。   An acoustic wave device according to an aspect of the present invention is disposed on an upper surface of a substrate, an excitation electrode disposed on the upper surface of the substrate, and a sealing space formed on the excitation electrode. A resin cover, a penetrating portion penetrating the cover in the height direction, electrically connected to the excitation electrode and led to the upper surface of the cover, and an end portion of the penetrating portion disposed on the upper surface of the cover A terminal having a flange portion connected to the cover, a reinforcing layer made of metal disposed so as to cover the sealing space in a plan view on the upper surface of the cover, and a side surface of the reinforcing layer covering the upper surface of the cover And having an insulating film made of resin and spaced from the flange portion.

また本発明の一態様としての弾性波装置の製造方法は、基板の上面に励振電極を形成する工程と、前記励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に樹脂製のカバーを形成する工程と、前記カバーを前記励振電極との電気的な接続部から前記カバーの上面にかけて高さ方向に貫通する貫通部用孔部を形成し、めっき法によって、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子を形成する工程と、前記カバーの上面に、平面透視して前記封止空間を覆うように、金属からなる補強層を形成する工程と、前記フランジ部から前記カバーの上面および前記補強層にかけてこれらを覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、フォトリソグラフィ
ーによって、前記絶縁膜構成層のうち少なくとも前記フランジ部に対応する部分を除去することにより、少なくとも前記補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆する絶縁膜を形成する工程とを含むものである。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an acoustic wave device comprising: forming an excitation electrode on an upper surface of a substrate; and forming a sealing space on the excitation electrode from a resin Forming a cover hole, and forming a through-hole for penetrating the cover in the height direction from an electrical connection portion with the excitation electrode to the upper surface of the cover. Forming a terminal having a through portion electrically connected to the upper surface of the cover and a flange portion disposed on the upper surface of the cover and connected to an end of the through portion; and an upper surface of the cover A step of forming a reinforcing layer made of metal so as to cover the sealing space in a plan view, and from a photosensitive resin so as to cover these from the flange portion to the upper surface of the cover and the reinforcing layer. Forming at least a portion of the insulating film constituting layer corresponding to the flange portion by photolithography, so that at least a side surface of the reinforcing layer is covered up to an upper surface of the cover. Forming an insulating film.

上記の構成からなる弾性波装置は、補強層の側面をカバーの上面まで到達するようにして被覆する樹脂製の絶縁膜を設けたことによって、端子に付着される半田などの導電性接合材から補強層が絶縁膜によって保護されるため、端子と補強層との短絡が抑制される。よって、実装不良や電気特性の劣化が起きにくい弾性波装置とすることができる。また、樹脂からなる絶縁膜が樹脂からなるカバーと接触する部分を有することから、その部分では絶縁膜がカバーに強固に接着され、絶縁膜が剥がれにくくなり、端子と補強層との短絡防止効果を高めることができる。   The elastic wave device having the above-described configuration is provided with a resin-made insulating film that covers the side surface of the reinforcing layer so as to reach the upper surface of the cover. Since the reinforcing layer is protected by the insulating film, a short circuit between the terminal and the reinforcing layer is suppressed. Therefore, it can be set as the elastic wave apparatus with which mounting defect and an electrical property deterioration do not occur easily. In addition, since the insulating film made of resin has a portion that comes into contact with the cover made of resin, the insulating film is firmly adhered to the cover at that portion, the insulating film is difficult to peel off, and an effect of preventing a short circuit between the terminal and the reinforcing layer Can be increased.

さらに絶縁膜がフランジ部と間隔を空けて配置されていることから、フランジ部に施すメッキ処理の影響による絶縁膜の剥がれが起きにくくなり、これによっても端子と補強層との短絡防止効果を高めることができる。   Furthermore, since the insulating film is disposed at a distance from the flange portion, the insulating film is less likely to be peeled off due to the effect of plating applied to the flange portion, and this also improves the effect of preventing a short circuit between the terminal and the reinforcing layer. be able to.

また上記の工程からなる弾性波装置の製造方法によれば、端子と補強層との短絡が抑制された弾性波装置を作製することができる。   Moreover, according to the method for manufacturing an acoustic wave device including the above steps, an acoustic wave device in which a short circuit between the terminal and the reinforcing layer is suppressed can be manufactured.

本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。1 is an external perspective view of a SAW device according to a first embodiment of the present invention. （ａ）は図１のＳＡＷ装置の平面図であり、（ｂ）は図１のＳＡＷ装置の蓋部を外した状態の平面図である。FIG. 2A is a plan view of the SAW device of FIG. 1, and FIG. 2B is a plan view of the SAW device of FIG. 図２（ａ）のIII−III線における断面図である。It is sectional drawing in the III-III line of Fig.2 (a). 図３のＭで示した部分の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the part shown by M of FIG. （ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。(A) to (d) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. （ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。(A) to (d) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. （ａ）から（ｄ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。(A) to (d) are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the SAW device of FIG. （ａ）および（ｂ）は、図１のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。(A) And (b) is sectional drawing explaining the manufacturing method of the SAW apparatus of FIG. 本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷ装置の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the SAW device concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷ装置の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the SAW device concerning a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第４の実施形態に係るＳＡＷ装置の断面図である。It is sectional drawing of the SAW apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係るＳＡＷ装置の断面図である。It is sectional drawing of the SAW apparatus which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 図１のＳＡＷ装置を回路基板に実装した状態の断面図である。It is sectional drawing of the state which mounted the SAW apparatus of FIG. 1 on the circuit board.

＜第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の構造＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図であり、図２（ａ）（ｂ）は、ＳＡＷ装置１の平面図である。なお図２（ｂ）は、カバー５の蓋部１７を外した状態の平面図である。また、図３は図２（ａ）のIII−III線における断面図である。 <Structure of SAW Device According to First Embodiment>
FIG. 1 is an external perspective view of the SAW device 1 according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are plan views of the SAW device 1. FIG. 2B is a plan view of the cover 5 with the lid 17 removed. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG.

ＳＡＷ装置１は、いわゆるＷＬＰ型のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、基板３と、基板３の上面３ａに配置された励振電極２と、励振電極２を保護するカバー５と、カバー５から露出する複数の端子７と、カバー５の上面に配置された補強層４と、補強層４を被覆する絶縁膜１０を有している。なお、図１では便宜上、絶縁膜１０を
省略している。 The SAW device 1 is a so-called WLP type SAW device. The SAW device 1 is disposed on the substrate 3, the excitation electrode 2 disposed on the upper surface 3 a of the substrate 3, the cover 5 protecting the excitation electrode 2, a plurality of terminals 7 exposed from the cover 5, and the upper surface of the cover 5. And the insulating film 10 covering the reinforcing layer 4. In FIG. 1, the insulating film 10 is omitted for convenience.

ＳＡＷ装置１は、複数の端子７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ装置１によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の端子７のいずれかを介して出力する。   Signals are input to the SAW device 1 via any of the plurality of terminals 7. The input signal is filtered by the SAW device 1. Then, the SAW device 1 outputs the filtered signal via any of the plurality of terminals 7.

基板３は、圧電基板によって形成されている。例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶などの圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、所定方向（Ｙ方向）を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。   The substrate 3 is formed of a piezoelectric substrate. For example, the substrate 3 is a rectangular parallelepiped single crystal substrate having piezoelectricity such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal. The planar shape of the substrate 3 may be appropriately set. For example, the substrate 3 is a rectangle having a predetermined direction (Y direction) as a longitudinal direction. Although the magnitude | size of the board | substrate 3 may be set suitably, for example, thickness is 0.2 mm-0.5 mm, and the length of 1 side is 0.5 mm-2 mm.

基板３の上面３ａには、励振電極２、接続配線１１といった各種の電極および配線が設けられている。   Various electrodes and wirings such as the excitation electrode 2 and the connection wiring 11 are provided on the upper surface 3 a of the substrate 3.

基板３の上面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには導体層１３が取り付けられている。裏面３ｂに導体層１３が取り付けられていることによって、基板３に蓄積された余分な電荷が放電され、ＳＡＷ装置のフィルタとしての特性を安定化させることができる。なお、導体層１３を設けずに基板３の裏面が露出した状態とされていてもよい。   A conductor layer 13 is attached to the back surface 3b which is the surface opposite to the top surface 3a of the substrate 3. By attaching the conductor layer 13 to the back surface 3b, excess charges accumulated in the substrate 3 are discharged, and the characteristics of the SAW device as a filter can be stabilized. Note that the back surface of the substrate 3 may be exposed without providing the conductor layer 13.

励振電極２は、ＳＡＷを発生させるためのものである。図２（ｂ）に示すように励振電極２は、複数の電極指を有する一対の櫛歯状電極からなる複数のＩＤＴ電極と複数のＩＤＴ電極の両端に配置された反射器電極とを含む。このような励振電極２が圧電性の基板３の上面に配置されることによって、例えば、２重モードＳＡＷ共振器フィルタなどが構成されている。なお図２（ｂ）は模式図であり、実際にはこれよりも多数の電極指を有する櫛歯状電極が複数対設けられている。また、複数の励振電極２が直列接続や並列接続などの方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタなどが構成されてもよい。励振電極２は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。   The excitation electrode 2 is for generating SAW. As shown in FIG. 2B, the excitation electrode 2 includes a plurality of IDT electrodes composed of a pair of comb-like electrodes having a plurality of electrode fingers, and reflector electrodes disposed at both ends of the plurality of IDT electrodes. By arranging the excitation electrode 2 on the upper surface of the piezoelectric substrate 3, for example, a dual mode SAW resonator filter or the like is configured. FIG. 2B is a schematic diagram, and actually, a plurality of pairs of comb-like electrodes having a larger number of electrode fingers are provided. In addition, a plurality of excitation electrodes 2 may be connected by a system such as a series connection or a parallel connection, and a ladder-type SAW filter or the like may be configured. The excitation electrode 2 is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy.

基板３の上面３ａに配置される励振電極２は、接続配線１１を介して端子７と接続されている。接続配線１１は、例えば、励振電極２と同じ材料によって形成され、Ａｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。また接続配線１１の配線抵抗を小さくするために、配線接続１１の厚みを励振電極２の厚みよりも大きくしてもよい。   The excitation electrode 2 disposed on the upper surface 3 a of the substrate 3 is connected to the terminal 7 via the connection wiring 11. For example, the connection wiring 11 is made of the same material as the excitation electrode 2 and is made of an Al alloy such as an Al—Cu alloy. Further, the thickness of the wiring connection 11 may be made larger than the thickness of the excitation electrode 2 in order to reduce the wiring resistance of the connection wiring 11.

基板３の上面３ａに形成された励振電極２などの各種の電極および配線は、図３の断面図に示すように保護層１４で覆われている。この保護層１４は、励振電極２など基板３の上面３ａに設けられた各種の電極および配線の酸化防止などに寄与する。保護層１４は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料によって形成される。例えば、保護層１４は、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。   Various electrodes and wirings such as the excitation electrode 2 formed on the upper surface 3a of the substrate 3 are covered with a protective layer 14 as shown in the sectional view of FIG. The protective layer 14 contributes to preventing oxidation of various electrodes and wirings provided on the upper surface 3a of the substrate 3 such as the excitation electrode 2. The protective layer 14 is formed of, for example, a material having an insulating property and a light weight so as not to affect the propagation of the SAW. For example, the protective layer 14 is made of silicon oxide, silicon nitride, silicon, or the like.

基板３の上面３ａに配置された各種の電極および配線を保護するとともに、励振電極２の封止空間６を確保するためのカバー５が基板３の上面３ａに配置されている。カバー５の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、矩形状である。カバー５は、平面視したときに基板３の上面３ａの外周部が露出するように基板３の上面３ａよりもやや小さく形成されている。   A cover 5 for protecting various electrodes and wirings disposed on the upper surface 3 a of the substrate 3 and securing a sealing space 6 for the excitation electrode 2 is disposed on the upper surface 3 a of the substrate 3. The planar shape of the cover 5 is, for example, the same as the planar shape of the substrate 3 and is rectangular. The cover 5 is formed slightly smaller than the upper surface 3a of the substrate 3 so that the outer peripheral portion of the upper surface 3a of the substrate 3 is exposed when viewed in plan.

カバー５は、基板３の上面３ａに積層される枠部１５と、枠部１５に積層される蓋部１７とで構成されている。枠部１５には、開口部１６が形成されている。開口部１６は、枠部１５を平面視したときに励振電極２と重なる部分に設けられている。換言すれば、平面
視において枠部１５の内壁は励振電極２を取り囲んでいる。この開口部１６が蓋部１７によって塞がれることで、基板３の上面３ａとカバー５との間に封止空間６が形成されることとなる。 The cover 5 includes a frame portion 15 stacked on the upper surface 3 a of the substrate 3 and a lid portion 17 stacked on the frame portion 15. An opening 16 is formed in the frame portion 15. The opening 16 is provided in a portion that overlaps the excitation electrode 2 when the frame 15 is viewed in plan. In other words, the inner wall of the frame portion 15 surrounds the excitation electrode 2 in plan view. When the opening 16 is closed by the lid 17, the sealing space 6 is formed between the upper surface 3 a of the substrate 3 and the cover 5.

枠部１５は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。枠部１５の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。蓋部１７は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部１７の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。   The frame portion 15 is constituted by a layer having a substantially constant thickness. The thickness of the frame portion 15 is, for example, 10 μm to 30 μm. The lid portion 17 is composed of a layer having a substantially constant thickness. The thickness of the lid part 17 is, for example, 10 μm to 30 μm.

枠部１５および蓋部１７は、例えば、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合によって硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。   The frame portion 15 and the lid portion 17 are made of, for example, a photosensitive resin. The photosensitive resin is, for example, a urethane acrylate-based, polyester acrylate-based, or epoxy acrylate-based resin that is cured by radical polymerization of an acryl group or a methacryl group.

枠部１５および蓋部１７は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。図では説明の便宜上、枠部１５と蓋部１７との境界線を明示しているが、実際の製品においては、枠部１５と蓋部１７とが同一材料によって形成され、一体的に形成されていてもよい。   The frame portion 15 and the lid portion 17 may be formed of the same material, or may be formed of different materials. In the figure, for convenience of explanation, the boundary line between the frame portion 15 and the lid portion 17 is clearly shown. However, in an actual product, the frame portion 15 and the lid portion 17 are formed of the same material and are integrally formed. It may be.

封止空間６はカバー５の中に設けられた空洞部であり、励振電極２の上面に設けられている。励振電極２の上面に封止空間６が設けられていることにより、励振電極２によって発生するＳＡＷが基板３を伝搬しやすくなる。封止空間６は図２（ｂ）に示すように、平面形状が概ね矩形状に形成されている。また、図３の断面図に示すように、封止空間６の蓋部１７側の角部、すなわち枠部１５の内壁面の蓋部１７側の部分は、曲面状とされている。これにより、外部の回路基板に実装されたＳＡＷ装置１を樹脂モールドする際にＳＡＷ装置１に外部から大きな圧力が印加されたとしても、蓋部１７が撓むのを抑制することができる。また封止空間６の大きさおよび数は適宜に設定されてよい。図２（ｂ）では封止空間６を１つだけ設けた例を示しているが、例えば、複数の励振電極２を設けた場合には、複数の励振電極２ごとに複数の封止空間６を設けてもよい。   The sealed space 6 is a cavity provided in the cover 5 and is provided on the upper surface of the excitation electrode 2. Since the sealing space 6 is provided on the upper surface of the excitation electrode 2, the SAW generated by the excitation electrode 2 can easily propagate through the substrate 3. As shown in FIG. 2B, the sealing space 6 is formed in a generally rectangular shape in plan view. Further, as shown in the cross-sectional view of FIG. 3, a corner portion on the lid portion 17 side of the sealing space 6, that is, a portion on the lid portion 17 side of the inner wall surface of the frame portion 15 is formed in a curved surface shape. Thereby, even if a large pressure is applied to the SAW device 1 from the outside when the SAW device 1 mounted on the external circuit board is resin-molded, the lid portion 17 can be prevented from being bent. Further, the size and number of the sealing spaces 6 may be set as appropriate. FIG. 2B shows an example in which only one sealing space 6 is provided. For example, when a plurality of excitation electrodes 2 are provided, a plurality of sealing spaces 6 are provided for each of the plurality of excitation electrodes 2. May be provided.

図３に示すようにカバー５を高さ方向に貫通し、カバー５の上面５ａまで導出された貫通部９が設けられている。貫通部９は、後述するフランジ部１２とともに端子７を構成するものである。貫通部９は、接続配線１１の末端付近に配置されている。貫通部９は枠部１５を高さ方向に貫く柱状の第１柱部９ａと、蓋部１７を高さ方向に貫く柱状の第２柱部９ｂとからなる。   As shown in FIG. 3, a penetrating portion 9 that penetrates the cover 5 in the height direction and is led out to the upper surface 5 a of the cover 5 is provided. The penetrating portion 9 constitutes the terminal 7 together with a flange portion 12 described later. The penetrating portion 9 is disposed near the end of the connection wiring 11. The penetrating portion 9 includes a columnar first column portion 9a that penetrates the frame portion 15 in the height direction, and a columnar second column portion 9b that penetrates the lid portion 17 in the height direction.

第１柱部９ａの基板３の上面３ａと平行な方向に切断したときの断面形状は、例えば、円形状である。また第１柱部９ａは、その側面が基板３の上面３ａ側からカバー５の上面５ａ側に向かうにつれて内側に傾斜している。第２柱部９ｂも第１柱部９ａと同様に、基板３の上面３ａと平行な方向に切断したときの断面形状は、例えば、円形状であり、その側面が基板３の上面３ａ側からカバー５の上面５ａ側に向かうにつれて内側に傾斜している。   The cross-sectional shape when the first pillar 9a is cut in a direction parallel to the upper surface 3a of the substrate 3 is, for example, a circular shape. Further, the side surface of the first column portion 9 a is inclined inward as it goes from the upper surface 3 a side of the substrate 3 to the upper surface 5 a side of the cover 5. Similarly to the first column portion 9a, the second column portion 9b has a circular cross-sectional shape when cut in a direction parallel to the upper surface 3a of the substrate 3, for example, and its side surface is from the upper surface 3a side of the substrate 3. The cover 5 is inclined inward toward the upper surface 5a side.

ＳＡＷ装置１を外部の回路基板などに実装し、樹脂封止すると、温度環境の変化によって、封止に用いた樹脂が膨張または収縮するが、このときに貫通部９に対し引っ張り応力、あるいはせん断応力が発生する。この引っ張り応力、あるいはせん断応力によって、貫通部９に対し、貫通部９を基板３から引き抜く方向に力が作用することがあるが、上述のように貫通部９の側面を傾斜させることによって、貫通部９の側面が傾斜していないものに比べて、貫通部９が基板３から引き抜かれるのを抑制することができる。また、外部の水分などが貫通部９の側面とカバー５との間の隙間から浸入することがあり、それが封止空間６まで到達するとフィルタ特性の劣化を招くこととなるが、貫通部９の側面を傾斜さ
せることによって、貫通部９の側面が傾斜していないものに比べて、水分の浸入経路長を長くすることができるため、フィルタ特性の劣化を抑制することができるという利点もある。なお、図３では第１柱部９ａの側面の基板３の上面３ａに対する傾斜角が、第２柱部９ｂの側面の基板３の上面３ａに対する傾斜角よりも大きくされている例を示しているが、傾斜角は適宜変更されてよく、例えば、第１柱部９ａと第２柱部９ｂとで同じ傾斜角としてもよい。 When the SAW device 1 is mounted on an external circuit board or the like and sealed with resin, the resin used for sealing expands or contracts due to changes in the temperature environment. Stress is generated. This tensile stress or shear stress may cause a force to act on the penetrating part 9 in the direction of pulling out the penetrating part 9 from the substrate 3, but the penetrating part 9 can be penetrated by inclining the side surface of the penetrating part 9 as described above. As compared with the case where the side surface of the portion 9 is not inclined, the through portion 9 can be suppressed from being pulled out from the substrate 3. In addition, external moisture or the like may enter from the gap between the side surface of the penetrating part 9 and the cover 5, and when it reaches the sealing space 6, the filter characteristics are deteriorated. By inclining the side surface, it is possible to increase the moisture infiltration path length as compared with the case where the side surface of the penetrating portion 9 is not inclined, so that there is also an advantage that deterioration of the filter characteristics can be suppressed. . FIG. 3 shows an example in which the inclination angle of the side surface of the first column portion 9a with respect to the upper surface 3a of the substrate 3 is larger than the inclination angle of the side surface of the second column portion 9b with respect to the upper surface 3a of the substrate 3. However, the inclination angle may be appropriately changed. For example, the same inclination angle may be used for the first column portion 9a and the second column portion 9b.

また、第１柱部９ａと第２柱部９ｂとの接続部分において、第２柱部９ｂの第１柱部９ａ側の断面積は、第１柱部９ａの第２柱部９ｂ側の断面積よりも大きくされている。これにより、貫通部９の第１柱部９ａと第２柱部９ｂとの接続部分における側面に段差が形成される。このように貫通部９の側面に段差部を設けることによっても貫通部９の側面とカバー５との間から浸入し得る水分の浸入経路を長くすることができ、封止空間６への水分の浸入によるフィルタ特性の劣化を抑制することができる。   Moreover, in the connection part of the 1st pillar part 9a and the 2nd pillar part 9b, the cross-sectional area by the side of the 1st pillar part 9a of the 2nd pillar part 9b is the disconnection by the side of the 2nd pillar part 9b of the 1st pillar part 9a. It is larger than the area. Thereby, a level | step difference is formed in the side surface in the connection part of the 1st pillar part 9a of the penetration part 9, and the 2nd pillar part 9b. Thus, by providing the stepped portion on the side surface of the penetrating portion 9, it is possible to lengthen the moisture intrusion path that can enter from between the side surface of the penetrating portion 9 and the cover 5. It is possible to suppress deterioration of the filter characteristics due to penetration.

貫通部９は、例えば、銅めっきによって形成されており、貫通部９とカバー５との間には、めっき下地層（図示せず）が設けられている。めっき下地層は、例えば、チタンや銅などからなる。   The through portion 9 is formed by, for example, copper plating, and a plating base layer (not shown) is provided between the through portion 9 and the cover 5. The plating base layer is made of, for example, titanium or copper.

貫通部９と接続配線１１との間には接続強化層８が設けられている。接続強化層８は、比較的薄く形成される接続配線１１を補強して、接続配線１１と貫通部９との接続を強化するためのものである。接続強化層８は、例えば、上面３ａ側から順にクロム、ニッケル、金を積層した３層構造からなる。   A connection reinforcing layer 8 is provided between the through portion 9 and the connection wiring 11. The connection reinforcing layer 8 is for reinforcing the connection wiring 11 formed relatively thin and strengthening the connection between the connection wiring 11 and the through portion 9. The connection reinforcing layer 8 has, for example, a three-layer structure in which chromium, nickel, and gold are stacked in this order from the upper surface 3a side.

一方、貫通部９のカバー５からの露出部にはフランジ部１２が接続されている。フランジ部１２と貫通部９とで端子７が構成されている。フランジ部１２は、例えば、銅めっきなどによって形成される。フランジ部１２と貫通部９とを銅めっきによって形成する場合は、両者を一体的に形成することができる。   On the other hand, a flange portion 12 is connected to an exposed portion of the penetrating portion 9 from the cover 5. The flange portion 12 and the penetrating portion 9 constitute a terminal 7. The flange portion 12 is formed by, for example, copper plating. When forming the flange part 12 and the penetration part 9 by copper plating, both can be formed integrally.

フランジ部１２は、例えば、第２柱部９ｂの蓋部１７から露出する第２柱部９ｂの端面を覆うようにして、第２柱部９ｂの端面よりも一回り大きく形成されており、その外周部はカバー５に積層されている。フランジ部１２の平面視における形状は、例えば、円形である。   For example, the flange portion 12 is formed to be slightly larger than the end surface of the second column portion 9b so as to cover the end surface of the second column portion 9b exposed from the lid portion 17 of the second column portion 9b. The outer peripheral portion is laminated on the cover 5. The shape of the flange portion 12 in plan view is, for example, a circle.

フランジ部１２が配置されたカバー５の上面５ａには、図１乃至図３に示すように補強層４が配置されている。なお、図２（ａ）では補強層４を破線で示している。補強層４は、カバー５の強度を補強するためのものである。例えば、ＳＡＷ装置１を外部の回路基板などに実装した後、ＳＡＷ装置１全体を樹脂モールドすることがあるが、樹脂モールドする際に大きな圧力がＳＡＷ装置１に印加される。この場合であっても、補強層４を設けておくことによって、カバー５が変形するのを抑制することができる。これによって封止空間６の形状が大きく歪むのを防ぐことができるため、ＳＡＷ装置１の信頼性向上に供することができる。   On the upper surface 5a of the cover 5 on which the flange portion 12 is disposed, the reinforcing layer 4 is disposed as shown in FIGS. In FIG. 2A, the reinforcing layer 4 is indicated by a broken line. The reinforcing layer 4 is for reinforcing the strength of the cover 5. For example, after mounting the SAW device 1 on an external circuit board or the like, the entire SAW device 1 may be resin-molded, and a large pressure is applied to the SAW device 1 when resin-molding. Even in this case, the cover 5 can be prevented from being deformed by providing the reinforcing layer 4. As a result, the shape of the sealing space 6 can be prevented from being greatly distorted, so that the reliability of the SAW device 1 can be improved.

補強層４は、カバー５を構成する材料よりもヤング率が高い材料によって形成されている。例えば、カバー５のヤング率が０．５〜１ＧＰａであるのに対し、補強層４のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。具体的には、補強層４は銅などの金属からなる。補強層４の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。補強層４は、カバー５の比較的広い範囲に亘って形成されており、封止空間６の変形を防止する観点からすると、カバー５を平面透視したときに少なくとも封止空間６全体を覆うように封止空間６よりも大きく形成されていることが好ましい。より具体的には、補強層４の外周縁が封止空間６の外周縁よりも５μｍ以上外側に位置しているとよい。補強層４はフランジ部１２と接続されておらず、電
気的に浮遊状態となっている。 The reinforcing layer 4 is made of a material having a higher Young's modulus than the material constituting the cover 5. For example, the Young's modulus of the cover 5 is 0.5 to 1 GPa, while the Young's modulus of the reinforcing layer 4 is 100 to 250 GPa. Specifically, the reinforcing layer 4 is made of a metal such as copper. The thickness of the reinforcing layer 4 is, for example, 1 to 50 μm. The reinforcing layer 4 is formed over a relatively wide range of the cover 5. From the viewpoint of preventing deformation of the sealing space 6, the reinforcing layer 4 covers at least the entire sealing space 6 when the cover 5 is viewed through. It is preferable to be formed larger than the sealing space 6. More specifically, it is preferable that the outer peripheral edge of the reinforcing layer 4 is located outside the outer peripheral edge of the sealing space 6 by 5 μm or more. The reinforcing layer 4 is not connected to the flange portion 12 and is in an electrically floating state.

補強層４は、上面および側面が絶縁膜１０によって被覆されている。絶縁膜１０を設けたことによって、ＳＡＷ装置１を外部の回路基板に実装する際に端子７に付着される半田などの導電性接合材が補強層４にも付着するのを抑制することができるため、実装不良や電気特性の劣化が起きにくいＳＡＷ装置１とすることができる。   The reinforcing layer 4 is covered with an insulating film 10 on the upper surface and side surfaces. By providing the insulating film 10, it is possible to prevent the conductive bonding material such as solder attached to the terminals 7 from adhering to the reinforcing layer 4 when the SAW device 1 is mounted on an external circuit board. Therefore, the SAW device 1 in which mounting defects and electrical characteristics are unlikely to occur can be obtained.

補強層４の表面のうち少なくとも側面が絶縁膜１０によって被覆されていれば、端子７に付着される半田などの導電性接合材が補強層４に付着するのを十分に抑制することができるが、補強層４の上面も絶縁膜１０で覆うことによって、導電性接合材が補強層４に付着するのをより確実に抑制することができる。図２（ａ）には、絶縁膜１０によって被覆されている補強層４を破線で示している。同図に示すように、絶縁膜１０は、平面視において補強層４に対し一回り大きい相似形状となっている。なお、絶縁膜１０の平面形状は図２（ａ）に示したものに限らず、例えば、フランジ部１２に対応する部分に窓部を設けた状態でカバー５の上面５ａ全体に形成されるように矩形状としてもよい。   If at least the side surface of the surface of the reinforcing layer 4 is covered with the insulating film 10, it is possible to sufficiently suppress the conductive bonding material such as solder attached to the terminals 7 from adhering to the reinforcing layer 4. By covering the upper surface of the reinforcing layer 4 with the insulating film 10, it is possible to more reliably suppress the conductive bonding material from adhering to the reinforcing layer 4. In FIG. 2A, the reinforcing layer 4 covered with the insulating film 10 is indicated by a broken line. As shown in the figure, the insulating film 10 has a similar shape that is slightly larger than the reinforcing layer 4 in plan view. The planar shape of the insulating film 10 is not limited to that shown in FIG. 2A. For example, the insulating film 10 is formed on the entire upper surface 5a of the cover 5 with a window provided in a portion corresponding to the flange 12. It is good also as a rectangular shape.

この絶縁膜１０は樹脂からなる。具体的には、絶縁膜１０の樹脂材料として、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。このように樹脂からなる絶縁膜１０が補強層４の側面を伝ってカバー５の上面５ａに到達している。絶縁膜１０がカバー５の上面５ａまで到達していることによって、到達部分において樹脂材料からなる絶縁膜１０とカバー５とが強固に接着されるため、絶縁膜１０が補強層４から剥がれるのを抑制することができる。そのため、絶縁膜１０が剥がれることによって補強層４が露出してしまうことが殆どなく、導電性接合材の補強層４への付着防止効果が向上する。   This insulating film 10 is made of resin. Specifically, as the resin material of the insulating film 10, a phenol resin, a fluorine resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like can be used. In this way, the insulating film 10 made of resin reaches the upper surface 5 a of the cover 5 along the side surface of the reinforcing layer 4. Since the insulating film 10 reaches the upper surface 5 a of the cover 5, the insulating film 10 made of a resin material and the cover 5 are firmly bonded at the reaching portion, so that the insulating film 10 is peeled off from the reinforcing layer 4. Can be suppressed. Therefore, the reinforcing layer 4 is hardly exposed when the insulating film 10 is peeled off, and the effect of preventing the adhesion of the conductive bonding material to the reinforcing layer 4 is improved.

図４は、図３において丸で囲った領域Ｍを拡大した図である。
図４において、まずフランジ部１２に着目すると、フランジ部１２の表面には、めっき皮膜１９が形成されている。このめっき皮膜１９は、フランジ部１２を被覆する第１金属膜と第１金属膜を被覆する第２金属膜との２層構造からなる。第１金属膜は、フランジ部１２（端子７）を構成する金属の半田中への拡散（半田食われ）を防止するためのものであり、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、およびそれらの合金などを用いることができる。第２金属膜は、第１金属膜の酸化を防止し、半田濡れ性を良くするためのものであり、例えば、Ａｕ、Ａｇなどを用いることができる。 FIG. 4 is an enlarged view of a region M circled in FIG.
In FIG. 4, when focusing on the flange portion 12, a plating film 19 is formed on the surface of the flange portion 12. The plating film 19 has a two-layer structure of a first metal film that covers the flange portion 12 and a second metal film that covers the first metal film. The first metal film is for preventing diffusion (solder erosion) of the metal constituting the flange portion 12 (terminal 7) into the solder. For example, Cu, Ni, Pt, Pd, Ti, and Those alloys can be used. The second metal film is for preventing oxidation of the first metal film and improving solder wettability, and for example, Au, Ag, or the like can be used.

次に絶縁膜１０に着目すると、絶縁膜１０はフランジ部１２から所定の間隔ｄだけ離れた位置にある。この間隔ｄが小さすぎると絶縁膜１０のカバー５からの剥がれの発生が多くなる傾向にあることが本願発明者によって確認されている。間隔ｄが小さい場合に絶縁膜１０の剥がれの発生が多くなる原因を本願発明者が追及したところ、間隔ｄが小さすぎるとフランジ部１２の表面に設けるめっき皮膜１９が絶縁膜１０とフランジ部１２との間の領域にも成長してしまい、その領域に成長しためっき皮膜１９によって絶縁膜１０が押し上げられることによるものであることが判明した。このように絶縁膜１０とフランジ部１２との間の領域にもめっき皮膜１９が成長するのは、間隔ｄが小さすぎるとその部分にめっき液の残渣が存在しやすくなることが主な要因である。例えば、フランジ部１２がＣｕ、第１金属膜がＮｉによってそれぞれ形成されている場合は、Ｃｕからなるフランジ部１２の表面をＮｉめっき液中の還元剤に対して触媒活性にする処理が必要なため、フランジ部１２の表面にＰｄを置換させる処理を行う。このとき間隔ｄが小さすぎると、フランジ部１２と絶縁膜１０との隙間にＰｄの微粒子が残留し、そのＰｄが触媒核となってその部分にＮｉが析出することを確認している。そこで本願発明者が実験等を重ねた結果、間隔ｄを２０μｍ以上とすれば、フランジ部１２と絶縁膜１０との隙間にめっき液中の残渣が殆ど残らなくなり、絶縁膜１０とフランジ部１２との間におけるめっき皮膜１９の成長
が抑えられることが確認された。したがって、絶縁膜１０をフランジ部１２から２０μｍ以上離した状態で形成することによって、絶縁膜１０のカバー５からの剥離抑制効果をより確実なものとすることができる。 Next, paying attention to the insulating film 10, the insulating film 10 is located at a predetermined distance d from the flange portion 12. It has been confirmed by the present inventor that if the distance d is too small, the insulating film 10 tends to be peeled off from the cover 5. The inventor of the present application has pursued the cause of the occurrence of peeling of the insulating film 10 when the distance d is small. It has also been found that this is because the insulating film 10 is pushed up by the plating film 19 grown in that region. Thus, the plating film 19 grows also in the region between the insulating film 10 and the flange portion 12 because the plating solution residue tends to exist in the portion when the distance d is too small. is there. For example, when the flange portion 12 is formed of Cu and the first metal film is formed of Ni, it is necessary to treat the surface of the flange portion 12 made of Cu to be catalytically active against the reducing agent in the Ni plating solution. Therefore, a process for replacing Pd on the surface of the flange portion 12 is performed. At this time, if the distance d is too small, it has been confirmed that fine particles of Pd remain in the gap between the flange portion 12 and the insulating film 10 and that Pd becomes a catalyst nucleus and Ni is deposited in that portion. Therefore, as a result of repeated experiments by the inventors of the present application, when the distance d is set to 20 μm or more, almost no residue in the plating solution remains in the gap between the flange portion 12 and the insulating film 10, and the insulating film 10 and the flange portion 12 It was confirmed that the growth of the plating film 19 during the period was suppressed. Therefore, by forming the insulating film 10 at a distance of 20 μm or more from the flange portion 12, the effect of suppressing the peeling of the insulating film 10 from the cover 5 can be further ensured.

フランジ部１２は、下端部の外周部が、カバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜している。フランジ部１２をこのような形状とすることによって、フランジ部１２の上面の面積を小さくすることなく、絶縁膜１２とフランジ部１２との間隔ｄを大きくすることができる。そのため、ＳＡＷ装置１の実装強度を保持するのに必要なフランジ部１２の上面の面積を所定の大きさに保ちつつ、絶縁膜１０の剥がれ抑制効果を高めることができる。また、端部が内側に傾斜していないものと比べてフランジ部１２の表面積が大きくなるため、半田との接触面積が増え、ＳＡＷ装置１の実装強度を向上させることができるという利点もある。   As for the flange part 12, the outer peripheral part of a lower end part inclines inward as it goes to the upper surface 5a of the cover 5. FIG. By forming the flange portion 12 in such a shape, the distance d between the insulating film 12 and the flange portion 12 can be increased without reducing the area of the upper surface of the flange portion 12. Therefore, the effect of suppressing the peeling of the insulating film 10 can be enhanced while keeping the area of the upper surface of the flange portion 12 necessary for maintaining the mounting strength of the SAW device 1 at a predetermined size. Moreover, since the surface area of the flange part 12 becomes large compared with the thing which an edge part does not incline inside, there exists an advantage that the contact area with solder increases and the mounting strength of the SAW apparatus 1 can be improved.

次に、補強層４に着目すると、フランジ部１２と同様に、補強層４の下端部の外周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜している。補強層４の端部をこのような形状とすることによって、傾斜させた部分まで絶縁膜１０が回り込むこととなる。そうすると、間隔ｄを狭めることなく、傾斜させた部分に回り込んだ絶縁膜１０の分だけ絶縁膜１０とカバー５との接触面積を大きくすることができるため、絶縁膜１０のカバー５の上面５ａからの剥がれ防止効果を高めることができる。   Next, paying attention to the reinforcing layer 4, the outer peripheral portion of the lower end portion of the reinforcing layer 4 is inclined inwardly toward the upper surface 5 a of the cover 5, similarly to the flange portion 12. By forming the end portion of the reinforcing layer 4 in such a shape, the insulating film 10 goes around to the inclined portion. As a result, the contact area between the insulating film 10 and the cover 5 can be increased by the amount of the insulating film 10 that has entered the inclined portion without reducing the distance d, so that the upper surface 5a of the cover 5 of the insulating film 10 can be increased. It is possible to enhance the effect of preventing peeling.

ＳＡＷ装置１は、例えば、図１３に示すようにカバー５側の面を回路基板２５の実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で、複数の端子７を実装面上のパッド２４に接続した状態で実装される。端子７とパッド２４とは、半田などの導電性接合材２６によって接続される。また、弾性波装置１は、全体が封止樹脂２７によって覆われている。   For example, as shown in FIG. 13, the SAW device 1 is configured such that a plurality of terminals 7 are pads on the mounting surface with the surface on the cover 5 facing the mounting surface of the circuit board 25 and placed on the mounting surface. 24 is mounted in a connected state. The terminal 7 and the pad 24 are connected by a conductive bonding material 26 such as solder. The elastic wave device 1 is entirely covered with the sealing resin 27.

封止樹脂２７を形成する際、ＳＡＷ装置１は大きな圧力の環境下におかれるが、そのような環境下においても、金属製の補強層４が設けられているため、封止空間６が大きく変形することがない。また、上述したように補強層４は、絶縁膜１０によって被覆されているため実装用の導電性接合材２６の補強層４への接触が抑制される。   When the sealing resin 27 is formed, the SAW device 1 is placed under an environment of high pressure. Even in such an environment, the metal reinforcing layer 4 is provided, so that the sealing space 6 is large. There is no deformation. Further, since the reinforcing layer 4 is covered with the insulating film 10 as described above, the contact of the mounting conductive bonding material 26 with the reinforcing layer 4 is suppressed.

＜第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の製造方法＞
次に、図５乃至図８を参照してＳＡＷ装置１の製造方法について説明する。図５乃至図８は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明するための模式的な断面図である。 <Method for Manufacturing SAW Device According to First Embodiment>
Next, a method for manufacturing the SAW device 1 will be described with reference to FIGS. 5 to 8 are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing the SAW device 1.

以下に説明する工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって基板３となるウエハを対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図８（ｂ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、電極や配線などは、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがある。   The steps described below are realized in a so-called wafer process. That is, a thin film formation, a photolithography method, or the like is performed on the wafer that becomes the substrate 3 by being divided, and then a plurality of SAW devices 1 are formed in parallel by dicing. However, in FIGS. 5A to 8B, only a portion corresponding to one SAW device 1 is illustrated. In addition, the shape of electrodes, wirings, and the like changes with the progress of the process, but common symbols may be used before and after the change.

まず、図５（ａ）に示すように、基板３を用意する。基板３は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶などの圧電性基板である。   First, as shown in FIG. 5A, a substrate 3 is prepared. The substrate 3 is a piezoelectric substrate such as a lithium tantalate single crystal or a lithium niobate single crystal.

基板３の上面３ａ上には、励振電極２、接続配線１１といった各種の電極および配線が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などの薄膜形成法により、基板３の上面３ａ上に導体層が形成される。次に、導体層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法などによってパターニングが行われる。これにより、励振電極２および接続配線１１が形成される。   Various electrodes and wirings such as the excitation electrode 2 and the connection wiring 11 are formed on the upper surface 3 a of the substrate 3. Specifically, first, a conductor layer is formed on the upper surface 3a of the substrate 3 by a thin film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method or a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Next, the conductor layer is patterned by a photolithography method using a reduction projection exposure machine (stepper) and an RIE (Reactive Ion Etching) apparatus. Thereby, the excitation electrode 2 and the connection wiring 11 are formed.

励振電極２、接続用導体１１などの各種電極および配線が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層１４および接続強化層８が形成される。保護層１４および接続強化層８は、いずれが先に形成されてもよい。例えば、まず、保護層１４となる薄膜が、励振電極２および接続配線１１の上を覆うように、ＣＶＤ法または蒸着法などの薄膜形成法によって形成される。次に、接続配線１１のうち、貫通部９の配置位置における部分が露出するように、フォトリソグラフィー法によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層１４が形成される。次に、蒸着法などによって接続配線１１の保護層１４からの露出部分および保護層１４上に導体層が形成されるとともに、リフトオフ法あるいはフォトリソグラフィー法などによって保護層１４上の導体層が除去される。これにより、接続強化層８が形成される。   When various electrodes and wirings such as the excitation electrode 2 and the connection conductor 11 are formed, as shown in FIG. 5B, the protective layer 14 and the connection reinforcing layer 8 are formed. Either the protective layer 14 or the connection reinforcing layer 8 may be formed first. For example, first, a thin film to be the protective layer 14 is formed by a thin film forming method such as a CVD method or a vapor deposition method so as to cover the excitation electrode 2 and the connection wiring 11. Next, a part of the thin film is removed by photolithography so that a portion of the connection wiring 11 at the position where the through portion 9 is disposed is exposed. Thereby, the protective layer 14 is formed. Next, a conductive layer is formed on the exposed portion of the connection wiring 11 from the protective layer 14 and the protective layer 14 by vapor deposition or the like, and the conductive layer on the protective layer 14 is removed by lift-off or photolithography. The Thereby, the connection reinforcing layer 8 is formed.

保護層１４および接続強化層８が形成されると、図５（ｃ）〜図６（ａ）に示すように、枠部１５が形成される。   When the protective layer 14 and the connection reinforcing layer 8 are formed, the frame portion 15 is formed as shown in FIGS. 5C to 6A.

具体的には、まず、図５（ｃ）に示すように、基板３の上面３ａ上に、枠部１５となる枠部構成層３５が形成される。枠部構成層３５は、例えば、ネガ型のフォトレジストによって形成されたフィルムが貼り付けられることによって形成される。その後、枠部構成層３５が形成された基板３を加熱処理する。これにより、枠部構成層３５と基板３との密着強度を高めることができる。   Specifically, first, as shown in FIG. 5C, a frame portion constituting layer 35 to be the frame portion 15 is formed on the upper surface 3 a of the substrate 3. The frame portion constituting layer 35 is formed, for example, by attaching a film formed of a negative photoresist. Thereafter, the substrate 3 on which the frame portion constituting layer 35 is formed is subjected to heat treatment. Thereby, the adhesion strength between the frame portion constituting layer 35 and the substrate 3 can be increased.

次に、図５（ｄ）に示すように、フォトマスク４０を介して紫外線などの光Ｌが枠部構成層３５に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク４０は、例えば、透明基板３８上に遮光層３９が形成されることによって構成されている。遮光層３９は、枠部構成層３５を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、封止空間６、貫通部９およびダイシングラインに対応する位置にそれぞれ配置されている。各遮光層は幅が異なっており、封止空間６に対応する遮光層が最も大きく、貫通部９に対応する遮光層の幅が最も小さい。ダイシングラインに対応する遮光層の幅は、封止空間６に対応する遮光層の幅よりも小さく、貫通部９に対応する遮光層の幅よりも大きい。露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。   Next, as shown in FIG. 5D, the frame component layer 35 is irradiated with light L such as ultraviolet rays through the photomask 40. That is, an exposure process is performed. The photomask 40 is configured, for example, by forming a light shielding layer 39 on a transparent substrate 38. The light shielding layer 39 is disposed at a position corresponding to the position where the frame portion constituting layer 35 is to be removed. That is, they are arranged at positions corresponding to the sealing space 6, the penetrating part 9, and the dicing line, respectively. Each light shielding layer has a different width, the light shielding layer corresponding to the sealing space 6 is the largest, and the width of the light shielding layer corresponding to the through-hole 9 is the smallest. The width of the light shielding layer corresponding to the dicing line is smaller than the width of the light shielding layer corresponding to the sealing space 6 and larger than the width of the light shielding layer corresponding to the through portion 9. The exposure may be projection exposure, proximity exposure, or contact exposure.

その後、図６（ａ）に示すように、現像処理を行い、枠部構成層３５のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、枠部構成層３５には、封止空間６となる開口部１６と、第１柱部９ａが配置される第１孔部４１とが形成される。またこれと同時に、ダイシングラインとなる第１溝部４２が形成される。すなわち、枠部１５が形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 6A, development processing is performed to leave a portion irradiated with light in the frame portion constituting layer 35 and remove a portion not irradiated with light. Thereby, the opening part 16 used as the sealing space 6 and the 1st hole part 41 in which the 1st pillar part 9a is arrange | positioned are formed in the frame structure layer 35. FIG. At the same time, the first groove 42 serving as a dicing line is formed. That is, the frame part 15 is formed.

枠部構成層３５の光Ｌが照射される領域の縁部においては、照射された光Ｌが、枠部構成層３５の光Ｌが照射されない領域へ発散されることから、基板３の上面３ａ側まで十分に光が到達しない。したがって、枠部構成層３５の光が照射される領域の縁部は、基板３の上面３ａ側が十分に硬化されずに、除去される。その結果、第１孔部４１、第１溝部４２、および開口部１６は、上面３ａ側ほど径が広がるテーパ状（順テーパ状）に形成される。   At the edge of the region where the light L of the frame portion constituting layer 35 is irradiated, the irradiated light L is diverged to a region where the light L of the frame portion constituting layer 35 is not irradiated. There is not enough light to reach the side. Therefore, the edge portion of the region where the light of the frame portion constituting layer 35 is irradiated is removed without the upper surface 3a side of the substrate 3 being sufficiently cured. As a result, the first hole portion 41, the first groove portion 42, and the opening portion 16 are formed in a tapered shape (forward tapered shape) whose diameter increases toward the upper surface 3a side.

また、開口部１６、第１孔部４１および第１溝部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度はそれぞれ異なっている。このテーパ面の上面３ａに対する角度の違いは、フォトリソグラフィー法によって枠部構成層３５のパターニングを行う際の種々の条件の違いによって生じるものである。なかでもフォトマスクの遮光層３９の幅および形状がテーパ面の角度の違いに大きく影響する。具体的には、フォトマスク４０の遮光層３９の幅が小さいほ
どテーパ面の上面３ａに対する角度は小さくなる傾向にある。また、フォトマスク４０の遮光層３９の平面形状における外周が直線状の場合よりも曲線状の場合の方がテーパ面の上面３ａに対する角度は小さくなる傾向にある。 Moreover, the angles with respect to the upper surface 3a of the taper surface of the opening part 16, the 1st hole part 41, and the 1st groove part 42 differ, respectively. The difference in the angle of the tapered surface with respect to the upper surface 3a is caused by a difference in various conditions when patterning the frame portion constituting layer 35 by the photolithography method. In particular, the width and shape of the light shielding layer 39 of the photomask greatly affects the difference in the angle of the tapered surface. Specifically, the angle of the tapered surface with respect to the upper surface 3a tends to be smaller as the width of the light shielding layer 39 of the photomask 40 is smaller. In addition, the angle of the taper surface with respect to the upper surface 3a tends to be smaller when the outer periphery of the light shielding layer 39 of the photomask 40 is curved than when the outer periphery is linear.

よって開口部１６、第１孔部４１および第１溝部４２のそれぞれのテーパ面を比較すると、対応する遮光層３９の幅が最も小さく、かつ、その平面形状の外周が円形状となっている第１孔部４１のテーパ面の上面３ａに対する角度が最も小さくなっている。   Therefore, when the respective tapered surfaces of the opening 16, the first hole 41, and the first groove 42 are compared, the width of the corresponding light shielding layer 39 is the smallest, and the outer periphery of the planar shape is circular. The angle with respect to the upper surface 3a of the taper surface of the 1 hole part 41 is the smallest.

第１孔部４１、開口部１６、および第１溝部４２が形成されると、図６（ｂ）〜図６（ｄ）に示すように、蓋部１７が形成される。   When the first hole portion 41, the opening portion 16, and the first groove portion 42 are formed, the lid portion 17 is formed as shown in FIGS. 6 (b) to 6 (d).

具体的には、まず、図６（ｂ）に示すように、枠部１５上に、蓋部１７となる蓋部構成層３７が形成される。蓋部構成層３７は、例えば、ネガ型のフォトレジストによって形成されたフィルムが貼り付けられることによって形成される。蓋部構成層３７が形成されることにより、枠部１５の開口部１６が塞がれて、封止空間６が構成される。枠部構成層３５と蓋部構成層３７とは加熱されることによって接合される。   Specifically, first, as shown in FIG. 6B, a lid component layer 37 to be the lid portion 17 is formed on the frame portion 15. The lid component layer 37 is formed, for example, by attaching a film formed of a negative photoresist. By forming the lid component layer 37, the opening 16 of the frame portion 15 is closed, and the sealed space 6 is configured. The frame portion constituting layer 35 and the lid portion constituting layer 37 are joined by being heated.

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトマスク５０を介して紫外線などの光Ｌが蓋部構成層３７に照射される。すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク５０は、フォトマスク４０と同様に、透明基板５１上に所定パターンの遮光層５２を張り付けて構成されるものである。遮光層５２は、蓋部構成層３７を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、貫通部９に対応する位置およびダイシングラインに対応する位置に配置されている。フォトマスク５０は、例えば、フォトマスク４０において、遮光層３９のうち封止空間６に対応する部分を除去した構成となっている。なお、露光は、投影露光であってもよいし、プロキシミティ露光であってもよいし、密着露光であってもよい。   Next, as shown in FIG. 6C, light L such as ultraviolet rays is irradiated to the lid constituting layer 37 through the photomask 50. That is, an exposure process is performed. Similar to the photomask 40, the photomask 50 is configured by attaching a light shielding layer 52 having a predetermined pattern on a transparent substrate 51. The light shielding layer 52 is disposed at a position corresponding to a position where the lid constituting layer 37 is to be removed. That is, it is disposed at a position corresponding to the penetrating portion 9 and a position corresponding to the dicing line. For example, the photomask 50 has a configuration in which a portion corresponding to the sealing space 6 in the light shielding layer 39 in the photomask 40 is removed. The exposure may be projection exposure, proximity exposure, or close exposure.

その後、図６（ｄ）に示すように、現像処理を行い、蓋部構成層３７のうち、光が照射された部分を残し、光が照射されなかった部分を除去する。これにより、蓋部構成層３７には、第２柱部９ｂが配置される第２孔部４３および第２溝部４４が形成される。すなわち、蓋部１７が形成される。蓋部１７が形成されることにより、枠部１５と蓋部１７とからなるカバー５が完成する。なお、第１孔部４１と第２孔部４３とが連結されて貫通部用孔部となり、第１溝部４２と第２溝部４４とが連結されてダイシングラインとなる。   Thereafter, as shown in FIG. 6D, development processing is performed to leave a portion irradiated with light and remove a portion not irradiated with light from the lid constituting layer 37. As a result, a second hole portion 43 and a second groove portion 44 in which the second pillar portion 9 b is disposed are formed in the lid portion constituting layer 37. That is, the lid portion 17 is formed. By forming the lid portion 17, the cover 5 including the frame portion 15 and the lid portion 17 is completed. The first hole 41 and the second hole 43 are connected to form a through hole, and the first groove 42 and the second groove 44 are connected to form a dicing line.

蓋部構成層３７に形成された第２溝部４４と第２孔部４３とを比較すると、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度と第２孔部４３のテーパ面の上面３ａに対する角度とが異なっている。具体的には、第２孔部４３のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも小さい。これは、主に第２孔部４３に対応する遮光層５２の幅が第２溝部４４に対応するフォトマスク５０の遮光層５２の幅よりも小さいこと、および平面視において第２溝部４４に対応する遮光層５２の縁部が直線状であるのに対し、第２孔部４３に対応する遮光層５２の縁部が円形状であることによるものである。   Comparing the second groove 44 and the second hole 43 formed in the lid constituting layer 37, the angle of the tapered surface of the second groove 44 with respect to the upper surface 3a and the angle of the tapered surface of the second hole 43 with respect to the upper surface 3a Is different. Specifically, the angle of the tapered surface of the second hole 43 with respect to the upper surface 3a is smaller than the angle of the tapered surface of the second groove 44 with respect to the upper surface 3a. This is mainly because the width of the light shielding layer 52 corresponding to the second hole 43 is smaller than the width of the light shielding layer 52 of the photomask 50 corresponding to the second groove 44 and corresponds to the second groove 44 in plan view. This is because the edge of the light shielding layer 52 is linear, whereas the edge of the light shielding layer 52 corresponding to the second hole 43 is circular.

また、連結された第１孔部４１と第２孔部４３とを比較すると、第１孔部４１のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２孔部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも大きい。同様に、連結された第１溝部４２と第２溝部４４についても、第１溝部４２のテーパ面の上面３ａに対する角度は、第２溝部４４のテーパ面の上面３ａに対する角度よりも大きい。この角度の違いは、第１孔部４１に対応する遮光層３９と第２孔部４３に対応する遮光層５２とで幅が異なっていることに加え、枠部構成層３５と蓋部構成層３７との硬さの違いによるものである。具体的には、フォトリソグラフィーを行う際の枠部構成層３５は、蓋部構成層３７よりも硬い状態となっている。この硬さの違いは、例えば、フォト
リソグラフィーを行う前に加熱処理を行うか否かによって生じるものである。なお、ここでいう硬さとはヤング率として測定したものをいう。 Further, comparing the connected first hole 41 and second hole 43, the angle of the tapered surface of the first hole 41 with respect to the upper surface 3a is greater than the angle of the tapered surface of the second hole 42 with respect to the upper surface 3a. Is also big. Similarly, for the connected first groove portion 42 and second groove portion 44, the angle of the tapered surface of the first groove portion 42 with respect to the upper surface 3 a is larger than the angle of the tapered surface of the second groove portion 44 with respect to the upper surface 3 a. The difference in angle is that the light shielding layer 39 corresponding to the first hole portion 41 and the light shielding layer 52 corresponding to the second hole portion 43 have different widths, and the frame portion constituting layer 35 and the lid portion constituting layer. This is due to the difference in hardness from 37. Specifically, the frame constituting layer 35 when performing photolithography is in a harder state than the lid constituting layer 37. This difference in hardness is caused by, for example, whether or not heat treatment is performed before photolithography. The term “hardness” as used herein refers to that measured as Young's modulus.

カバー５が形成されると、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、貫通部９およびフランジ部１２が形成される。具体的には、まず、カバー５の露出部分を覆うようにしてめっき用下地層（図示せず）が形成される。また、めっき用下地層は、カバー５の露出部分以外にも第１孔部４１の内周面および底面、第１溝部４２の内周面および底面にも形成される。めっき用下地層は、例えば、スパッタリング法、フラッシュめっき法などにより、Ｔｉ−Ｃｕなどで形成するのが好適な一例である。   When the cover 5 is formed, the through portion 9 and the flange portion 12 are formed as shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b). Specifically, a plating base layer (not shown) is first formed so as to cover the exposed portion of the cover 5. In addition to the exposed portion of the cover 5, the plating base layer is also formed on the inner peripheral surface and bottom surface of the first hole portion 41 and on the inner peripheral surface and bottom surface of the first groove portion 42. The plating base layer is preferably formed of Ti—Cu or the like by, for example, sputtering or flash plating.

めっき用レジスト層５５は、めっき用下地層上に形成される。めっき用レジスト層５５は、例えば、スピンコートなどの手法で基板上に形成される。めっき用レジスト層５５には、第２孔部４３上にフランジ用孔部５７が形成されるとともに、補強層４が形成される領域に補強層用孔部５４が形成されている。フランジ用孔部５７は、径が第２孔部４３の径よりも大きく、また、深さ（めっき用レジスト層５５の厚さ）が端子７の厚さ以上である。補強層用孔部５４は、平面透視したときに封止空間６全体が含まれるように封止空間６よりも大きく形成され、その深さは、フランジ用孔部５７と同じ大きさに設定されている。フランジ用孔部５７および補強層用孔部５４は、例えば、フォトリソグラフィーによって形成される。   The plating resist layer 55 is formed on the plating base layer. The plating resist layer 55 is formed on the substrate by a technique such as spin coating. In the plating resist layer 55, a flange hole 57 is formed on the second hole 43, and a reinforcing layer hole 54 is formed in a region where the reinforcing layer 4 is formed. The flange hole portion 57 has a diameter larger than that of the second hole portion 43, and the depth (thickness of the plating resist layer 55) is equal to or greater than the thickness of the terminal 7. The reinforcing layer hole 54 is formed to be larger than the sealing space 6 so as to include the entire sealing space 6 when seen in a plan view, and the depth thereof is set to the same size as the flange hole 57. ing. The flange hole 57 and the reinforcing layer hole 54 are formed by, for example, photolithography.

次に、図７（ｂ）に示すように、めっき用レジスト層５５を変形させて、めっき用レジスト層５５の下端部の外周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて外方に傾斜するようにする。換言すれば、めっき用レジスト層５５に設けた孔部（補強層用孔部５４、フランジ用孔部５７）の下側端部の内周部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜するようにめっき用レジスト層５５を変形させる。具体的には、めっき用レジスト層５５を所定の温度で加熱することによって、めっき用レジスト層５５の下側の端部の外周部が外方に傾斜するように変形させることができる。   Next, as shown in FIG. 7B, the plating resist layer 55 is deformed so that the outer peripheral portion of the lower end portion of the plating resist layer 55 is inclined outwardly toward the upper surface 5 a of the cover 5. To do. In other words, the inner peripheral portion of the lower end of the holes (the reinforcing layer hole 54 and the flange hole 57) provided in the plating resist layer 55 is inclined inwardly toward the upper surface 5a of the cover 5. Thus, the plating resist layer 55 is deformed. Specifically, by heating the plating resist layer 55 at a predetermined temperature, the outer peripheral portion of the lower end of the plating resist layer 55 can be deformed so as to be inclined outward.

めっき法は、適宜に選択されてよいが、電気めっき法が好適である。電気めっき法は、柱状の端子７の高さの自由度が高く、また、めっき用下地層との密着性が良好なためである。   The plating method may be selected as appropriate, but the electroplating method is preferable. This is because the electroplating method has a high degree of freedom in the height of the columnar terminals 7 and has good adhesion to the plating base layer.

その後、めっき用レジスト層５５を除去する。ここで、めっき用レジスト層５５は先に述べたように、その端部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて外方に傾斜しているため、そのめっき用レジスト層５５をガイドとして形成されるフランジ部１２および補強層４の端部は、めっき用レジスト層５５とは逆に、それぞれの端部がカバー５の上面５ａに向かうにつれて内方に傾斜したものとなる。   Thereafter, the plating resist layer 55 is removed. Here, as described above, since the end portion of the plating resist layer 55 is inclined outwardly toward the upper surface 5a of the cover 5, the flange formed by using the plating resist layer 55 as a guide. Contrary to the plating resist layer 55, the end portions of the portion 12 and the reinforcing layer 4 are inclined inward as the respective end portions go to the upper surface 5 a of the cover 5.

次に、図７（ｄ）に示すように、絶縁膜１０となる絶縁膜構成層５９を形成する。絶縁膜構成層５９は、例えば、ネガ型の感光性樹脂をスピンコート法などによってカバー５の上面５に塗布することによってフランジ部１２および補強層４を覆うようにして形成される。   Next, as shown in FIG. 7D, an insulating film constituting layer 59 to be the insulating film 10 is formed. The insulating film constituting layer 59 is formed so as to cover the flange portion 12 and the reinforcing layer 4 by applying a negative photosensitive resin to the upper surface 5 of the cover 5 by a spin coat method or the like, for example.

次に、図８（ａ）に示すように、フォトマスク６０を介して紫外線などの光Ｌが絶縁膜構成層５９に照射される、すなわち、露光処理が行われる。フォトマスク６０は、透明基板６１に遮光層６２が取り付けられることによって構成されたものである。遮光層６２は、絶縁膜構成層５９を除去すべき位置に対応する位置に配置されている。すなわち、フランジ部１２を含むカバー５の上面５ａの外周に沿った領域に対応する位置に遮光層６２が設けられている。換言すれば、遮光層６２が設けられていない部分は、補強層４と概略相似形状であり、補強層４よりも一回り大きい形状となっている。ここで遮光層６２は、フ
ランジ部１２の幅よりも大きい幅を有するように形成されている。これによって続く工程において、絶縁膜構成層５９のうちフランジ部１２に対応する部分を除去したときに、絶縁膜１０とフランジ部１２との間には所定間隔の隙間が形成されることとなる。このようなフォトマスク６０を用いて露光を行った後、現像処理を行うことで図８（ｂ）に示すように、補強層４を被覆する絶縁層１０が形成される。 Next, as shown in FIG. 8A, the insulating film constituting layer 59 is irradiated with light L such as ultraviolet rays through the photomask 60, that is, an exposure process is performed. The photomask 60 is configured by attaching a light shielding layer 62 to a transparent substrate 61. The light shielding layer 62 is disposed at a position corresponding to the position where the insulating film constituting layer 59 is to be removed. That is, the light shielding layer 62 is provided at a position corresponding to the region along the outer periphery of the upper surface 5 a of the cover 5 including the flange portion 12. In other words, the portion where the light shielding layer 62 is not provided is substantially similar in shape to the reinforcing layer 4 and is slightly larger than the reinforcing layer 4. Here, the light shielding layer 62 is formed to have a width larger than the width of the flange portion 12. In the subsequent process, when a portion of the insulating film constituting layer 59 corresponding to the flange portion 12 is removed, a gap having a predetermined interval is formed between the insulating film 10 and the flange portion 12. After performing exposure using such a photomask 60, the development process is performed to form the insulating layer 10 covering the reinforcing layer 4 as shown in FIG. 8B.

その後、フランジ部１２にめっき処理を施すことにより、めっき皮膜１９を形成し、最後にダイシングラインに沿ってウエハ状の基板３を切断することによって個々のＳＡＷ装置１が完成する。   Thereafter, a plating film 19 is formed by plating the flange portion 12, and finally the wafer-like substrate 3 is cut along the dicing line, thereby completing individual SAW devices 1.

以上の実施形態において、ＳＡＷ装置１は本発明の弾性波装置の一例である。また枠部構成層３５および蓋部構成層３７は、本発明のカバー構成層の一例である。   In the above embodiment, the SAW device 1 is an example of the acoustic wave device of the present invention. The frame portion constituting layer 35 and the lid portion constituting layer 37 are examples of the cover constituting layer of the present invention.

＜第２の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図９は第２の実施形態に係るＳＡＷ装置１００の断面図であり、図４と同様の箇所を拡大した部分である。なお、以下に述べる実施の形態では、第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と同じ構成部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。 <SAW device according to the second embodiment>
FIG. 9 is a cross-sectional view of the SAW device 100 according to the second embodiment, which is an enlarged portion similar to FIG. In the embodiment described below, the same components as those in the SAW device 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

ＳＡＷ装置１００は、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との関係が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なっている。   The SAW device 100 is different from the SAW device 1 according to the first embodiment in the relationship between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7.

具体的にはＳＡＷ装置１００は、絶縁膜１０の上面の位置が端子７の上面の位置よりも低くなっている。このように絶縁膜１０の上面の位置を端子７の上面の位置よりも低くしておくことによって、ＳＡＷ装置１００を外部の回路基板２５に実装する際に、絶縁膜１０が回路基板２５（図１３参照）に接触するのを抑制することができる。そのため、絶縁膜１０が回路基板２５に接触することによるＳＡＷ装置１００の実装不良が発生しにくくなる。   Specifically, in the SAW device 100, the position of the upper surface of the insulating film 10 is lower than the position of the upper surface of the terminal 7. Thus, by keeping the position of the upper surface of the insulating film 10 lower than the position of the upper surface of the terminal 7, the insulating film 10 is mounted on the circuit board 25 (see FIG. 13) can be suppressed. Therefore, mounting failure of the SAW device 100 due to the insulating film 10 coming into contact with the circuit board 25 is less likely to occur.

また、封止樹脂２７にフィラーを含有させる場合は、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇは、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径以上にしておくとよい。絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇが、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径よりも小さいと、ＳＡＷ装置１００を回路基板２５に実装して、封止樹脂２７によって覆う際に、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースに封止樹脂２７が充填されにくくなる。そうすると、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースにおける封止樹脂２７の充填が不十分となり、その部分に気泡が発生しやすくなることによって、気泡を要因とする実装不良が起こりやすくなる。   When the sealing resin 27 contains a filler, the difference g between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7 should be greater than or equal to the diameter of the filler contained in the sealing resin 27. . If the difference g between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7 is smaller than the diameter of the filler contained in the sealing resin 27, the SAW device 100 is mounted on the circuit board 25, and the sealing resin When the cover 27 is covered, the space between the insulating film 10 and the circuit board 25 is less likely to be filled with the sealing resin 27. Then, the sealing resin 27 is not sufficiently filled in the space between the insulating film 10 and the circuit board 25, and bubbles are likely to be generated in the portion, so that mounting defects caused by the bubbles are likely to occur.

したがって、絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇを、封止樹脂２７に含まれるフィラーの径以上にしておけば、絶縁膜１０と回路基板２５との間のスペースに封止樹脂２７が充填されやすくなり、その部分に気泡が発生するのを抑制し、ひいては実装不良を起きにくくすることができる。絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇは、例えば、２０μｍ〜９０μｍである。   Therefore, if the difference g between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7 is set to be equal to or larger than the diameter of the filler contained in the sealing resin 27, the space between the insulating film 10 and the circuit substrate 25. It becomes easy to fill the sealing resin 27, and it is possible to suppress the generation of air bubbles in the portion, thereby making it difficult to cause mounting defects. A difference g between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7 is, for example, 20 μm to 90 μm.

絶縁膜１０の上面の位置と端子７の上面の位置との差ｇを異ならせるには、例えば、補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも絶縁膜１０の厚み分以上に小さくすればよい。端子７および補強層４をめっき法によって形成する場合に、補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも小さくするには、例えば、補強層４と端子７とを別々に形成すればよい。より具体的には、図５乃至図８に示したＳＡＷ装置１の製造方法において、まず図６（ｄ）まで同様のプロセスを進め、図７（ａ）において第２孔部の開口を塞ぐようにめっき用レジスト層５５を形成する。その状態で補強層４をめっき法によって形成した後、め
っき用レジスト層５５を剥離することによって、端子７よりも先に補強層１０を形成する。 In order to make the difference g between the position of the upper surface of the insulating film 10 and the position of the upper surface of the terminal 7, for example, the thickness of the reinforcing layer 4 is made smaller than the thickness of the flange portion 12 by more than the thickness of the insulating film 10. Good. When the terminal 7 and the reinforcing layer 4 are formed by plating, for example, the reinforcing layer 4 and the terminal 7 may be formed separately in order to make the thickness of the reinforcing layer 4 smaller than the thickness of the flange portion 12. More specifically, in the method of manufacturing the SAW device 1 shown in FIGS. 5 to 8, first, the same process is advanced to FIG. 6D, and the opening of the second hole is closed in FIG. A resist layer 55 for plating is formed. In this state, the reinforcing layer 4 is formed by the plating method, and then the plating resist layer 55 is peeled off to form the reinforcing layer 10 before the terminals 7.

次に、第２孔部４３上にフランジ用孔部５７を有するめっき用レジスト層５５を形成し、第１孔部４１および第２孔部４３にめっきを成長させる。このとき、フランジ用孔部５７に成長するめっきの上面が、先に形成されている補強層１０の上面よりも高くなるようにする。フランジ用孔部５７に成長するめっきの上面をどの程度補強層１０の上面よりも高くするかは、後に形成する絶縁膜１０の厚み、および封止樹脂２７に含有されるフィラーの径などを考慮して決める。   Next, a plating resist layer 55 having a flange hole 57 is formed on the second hole 43, and plating is grown on the first hole 41 and the second hole 43. At this time, the upper surface of the plating grown on the flange hole portion 57 is made higher than the upper surface of the reinforcing layer 10 formed in advance. To what extent the upper surface of the plating grown on the flange hole 57 is made higher than the upper surface of the reinforcing layer 10 takes into account the thickness of the insulating film 10 to be formed later, the diameter of the filler contained in the sealing resin 27, and the like. And decide.

その後、めっき用レジスト層５５を剥離し、図７（ｄ）乃至図８（ｂ）に示すように絶縁膜１０を形成することによって、絶縁膜１０の上面の位置が端子７の上面の位置よりも低くなったＳＡＷ装置１００が完成する。   Thereafter, the plating resist layer 55 is peeled off, and the insulating film 10 is formed as shown in FIGS. 7D to 8B, so that the position of the upper surface of the insulating film 10 is higher than the position of the upper surface of the terminal 7. The SAW device 100 having a lower height is completed.

補強層４の厚みをフランジ部１２の厚みよりも小さくするには、上記の方法以外にも、補強層１０と端子７とを同時に形成した後、フランジ部１２の上面にさらにめっきを施すことによって、端子７の上面の高さをかさ上げするといった方法も可能である。   In order to make the thickness of the reinforcing layer 4 smaller than the thickness of the flange portion 12, besides forming the reinforcing layer 10 and the terminal 7 at the same time, by further plating the upper surface of the flange portion 12. A method of raising the height of the upper surface of the terminal 7 is also possible.

＜第３の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１０は第３の実施形態に係るＳＡＷ装置２００の断面図であり、図４と同様の箇所を拡大したものである。 <SAW device according to the third embodiment>
FIG. 10 is a cross-sectional view of the SAW device 200 according to the third embodiment, and is an enlarged view of the same part as in FIG.

ＳＡＷ装置２００は、絶縁膜１０の形状が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なっている。   The SAW device 200 is different from the SAW device 1 according to the first embodiment in the shape of the insulating film 10.

具体的には、ＳＡＷ装置２００は、絶縁膜１０の補強層４の側面を被覆している部分が、カバー５の上面５ａに近づくほど外方に広がる拡張部１０ｔを有している。換言すれば、拡張部１０ｔはカバー５の上面５ａに近づくほど横方向の厚みが次第に厚くなっている部分である。このように絶縁膜１０が拡張部１０ｔを有していることによって、ＳＡＷ装置２００と回路基板２５とを接続する際に使用される半田などが絶縁膜１０に接触しても、その接触部分を起点として半田にクラックが発生するのを抑制することができる。絶縁膜１０の拡張部１０ｔが半田の形状に沿うような形状となっているため、半田と絶縁膜１０との接触部分において、半田の特定部分に応力が集中するのを緩和することができるからである。半田の特定部分に応力が集中するのを緩和させる観点から、拡張部１０ｔの側面とカバー５の上面５とのなす角度θは、８５°以下にしておくとよい。一方で角度θを小さくしすぎると絶縁膜１０とフランジ部１２との間隔ｄが狭まることとなるため、その観点から角度θは５０°以上にしておくとよい。すなわち、角度θは５０°以上８５°以下が好ましい。   Specifically, the SAW device 200 has an extended portion 10 t that extends outward as the portion of the insulating film 10 covering the side surface of the reinforcing layer 4 approaches the upper surface 5 a of the cover 5. In other words, the extended portion 10t is a portion in which the lateral thickness gradually increases as it approaches the upper surface 5a of the cover 5. As described above, since the insulating film 10 has the extended portion 10t, even if the solder used for connecting the SAW device 200 and the circuit board 25 contacts the insulating film 10, the contact portion is reduced. As a starting point, the occurrence of cracks in the solder can be suppressed. Since the extended portion 10t of the insulating film 10 has a shape that follows the shape of the solder, stress concentration on a specific portion of the solder can be reduced at the contact portion between the solder and the insulating film 10. It is. From the viewpoint of alleviating the concentration of stress on a specific portion of solder, the angle θ formed between the side surface of the extended portion 10t and the upper surface 5 of the cover 5 is preferably 85 ° or less. On the other hand, if the angle θ is too small, the distance d between the insulating film 10 and the flange portion 12 is narrowed. From this viewpoint, the angle θ is preferably set to 50 ° or more. That is, the angle θ is preferably 50 ° or more and 85 ° or less.

また、絶縁膜１０のカバー５への接触面積が増えるため、絶縁膜１０のカバー５からの剥がれを抑制する効果もある。   Further, since the contact area of the insulating film 10 to the cover 5 increases, there is an effect of suppressing peeling of the insulating film 10 from the cover 5.

このような拡張部１０ｔを有する絶縁膜１０は、図８（ａ）において、露光量を変えるといった方法や、絶縁膜構成層５９をパターニングした後に加熱処理を施すといった処理を行うことよって形成することができる。   The insulating film 10 having such an extended portion 10t is formed by performing a method of changing the exposure amount in FIG. 8A or a process of performing a heat treatment after patterning the insulating film constituting layer 59. Can do.

＜第４の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１１は第４の実施形態に係るＳＡＷ装置３００の断面図である。 <SAW device according to the fourth embodiment>
FIG. 11 is a cross-sectional view of a SAW device 300 according to the fourth embodiment.

ＳＡＷ装置３００は、補強層４の形状が第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１と異なって
いる。 The SAW device 300 is different from the SAW device 1 according to the first embodiment in the shape of the reinforcing layer 4.

具体的には、ＳＡＷ装置３００は、補強層４がカバー５に向かって突出する突出部１８を有し、突出部１８はカバー５によって覆われている。このような突出部１８を設けることによって、補強層４のカバー５からの剥がれを抑制することができる。突出部１８は、例えば、補強層４の下面外周に沿って環状に形成されている。突出部１８をこのような形状とすることによって、補強層４のカバー５からの剥がれの抑制効果を高めることができる。なお、突出部１８の形状はこれに限られず、例えば、複数の円柱状の突出部１８を点在させるようにしてもよい。   Specifically, in the SAW device 300, the reinforcing layer 4 has a protruding portion 18 that protrudes toward the cover 5, and the protruding portion 18 is covered with the cover 5. By providing such a protrusion 18, peeling of the reinforcing layer 4 from the cover 5 can be suppressed. For example, the protruding portion 18 is formed in an annular shape along the outer periphery of the lower surface of the reinforcing layer 4. By making the protrusion 18 have such a shape, the effect of suppressing the peeling of the reinforcing layer 4 from the cover 5 can be enhanced. In addition, the shape of the protrusion part 18 is not restricted to this, For example, you may make it make the some cylindrical protrusion part 18 interspersed.

突出部１８の厚みは、例えば、蓋部１７と同じ厚みである。なお、突出部１８の厚みは、これに限られず、例えば、蓋部１７よりも小さくしてもよいし、逆に蓋部１７よりも大きくなるように、突出部１８の下端が枠部１５まで到達するようにしてもよい。   The thickness of the protrusion part 18 is the same thickness as the cover part 17, for example. In addition, the thickness of the protrusion part 18 is not restricted to this, For example, you may make it smaller than the cover part 17, and the lower end of the protrusion part 18 is up to the frame part 15 so that it may become larger than the cover part 17 conversely. You may make it reach.

突出部１８を形成するには、蓋部構成層３７に第２孔部４３を設ける工程（図６（ｃ））において、突出部１８を設けたい箇所に孔部や溝部を形成するようにパターニングを行い、その孔部あるいは溝部に補強層４を形成するためのめっき工程と同時にめっきを充填するようにすればよい。このような方法により、工程数を増やすことなく簡単に突出部１８を形成することができる。   In order to form the protrusion 18, in the step of providing the second hole 43 in the lid component layer 37 (FIG. 6C), patterning is performed so that a hole or a groove is formed at a position where the protrusion 18 is to be provided. And the plating may be filled simultaneously with the plating step for forming the reinforcing layer 4 in the hole or groove. By such a method, the protrusion 18 can be easily formed without increasing the number of steps.

＜第５の実施形態に係るＳＡＷ装置＞
図１２は第５の実施形態に係るＳＡＷ装置４００の断面図である。 <SAW device according to the fifth embodiment>
FIG. 12 is a cross-sectional view of a SAW device 400 according to the fifth embodiment.

ＳＡＷ装置４００は、第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１に側面保護層２０を加えた構造からなる。   The SAW device 400 has a structure in which the side surface protective layer 20 is added to the SAW device 1 according to the first embodiment.

具体的には、ＳＡＷ装置４００は、カバー９の側面を被覆する環状の側面保護層２０を有している。側面保護層２０は、例えば、絶縁膜１０と同じ材料からなる。   Specifically, the SAW device 400 has an annular side surface protective layer 20 that covers the side surface of the cover 9. The side surface protective layer 20 is made of, for example, the same material as the insulating film 10.

このような側面保護層２０を設けることによって、枠部１５と蓋部１７との境界部からの水分の浸入が抑制され、ＳＡＷ装置４００の耐湿性を向上させることができる。   By providing such a side surface protective layer 20, the intrusion of moisture from the boundary portion between the frame portion 15 and the lid portion 17 is suppressed, and the moisture resistance of the SAW device 400 can be improved.

側面保護層２０を形成するには、例えば、絶縁膜１０を形成する工程（図７（ｄ）〜図８（ｂ））において、第１溝部４２および第２溝部４４にも絶縁膜構成層５９が充填されるようにし、第１溝部４２および第２溝部４４に充填された絶縁膜構成層５９が除去されないようにすればよい。このような方法により、工程数を増やすことなく簡単に側面保護層２０を形成することができる。   In order to form the side surface protective layer 20, for example, in the step of forming the insulating film 10 (FIGS. 7D to 8B), the insulating film constituting layer 59 is also formed in the first groove portion 42 and the second groove portion 44. The insulating film constituting layer 59 filled in the first groove portion 42 and the second groove portion 44 may be prevented from being removed. By such a method, the side surface protective layer 20 can be easily formed without increasing the number of steps.

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。   The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various aspects.

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。弾性波装置において、保護層１４、接続強化層８および導体層１３は省略されてもよいし、逆に、他の適宜な層が形成されてもよい。例えば、実施形態において、導体層１３を覆う樹脂層を設けてもよい。導体層１３を覆う樹脂層を設けることによって、マーキングがしやすくなるといった利点がある。   The elastic wave device is not limited to the SAW device. For example, the acoustic wave device may be a piezoelectric thin film resonator. In the acoustic wave device, the protective layer 14, the connection reinforcing layer 8, and the conductor layer 13 may be omitted, or conversely, other appropriate layers may be formed. For example, in the embodiment, a resin layer that covers the conductor layer 13 may be provided. By providing a resin layer covering the conductor layer 13, there is an advantage that marking becomes easy.

１・・・弾性表面波装置（弾性波装置）
２・・・励振電極
３・・・基板
４・・・補強層
５・・・カバー
６・・・封止空間
７・・・端子
８・・・接続強化層
９・・・貫通部
１０・・・絶縁膜
１１・・・接続配線
１２・・・フランジ部 1. Surface acoustic wave device (elastic wave device)
2 ... excitation electrode 3 ... substrate 4 ... reinforcing layer 5 ... cover 6 ... sealed space 7 ... terminal 8 ... connection strengthening layer 9 ... penetrating portion 10 ... -Insulating film 11 ... Connection wiring 12 ... Flange

Claims (10)

基板と、
該基板の上面に配置された励振電極と、
該励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に配置された樹脂製のカバーと、
該カバーを高さ方向に貫き、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子と、
前記カバーの上面に平面透視して前記封止空間を覆うように配置された金属からなる補強層と、
該補強層の側面を前記カバーの上面まで被覆し、かつ前記フランジ部と間隔を空けて配置された樹脂製の絶縁膜と
を有する弾性波装置。 A substrate,
An excitation electrode disposed on an upper surface of the substrate;
A resin cover disposed on the upper surface of the substrate such that a sealing space is formed on the excitation electrode;
A through portion that penetrates the cover in the height direction and is electrically connected to the excitation electrode and led to the upper surface of the cover, and a flange portion that is disposed on the upper surface of the cover and connected to the end of the through portion A terminal having
A reinforcing layer made of metal disposed so as to cover the sealing space in a plan view on the upper surface of the cover;
An elastic wave device comprising: a resin insulating film that covers a side surface of the reinforcing layer up to an upper surface of the cover and is spaced from the flange portion. 前記フランジ部の下側端部の外周部が、前記カバーに向かうにつれて内方に傾斜している請求項１に記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 1, wherein an outer peripheral portion of a lower end portion of the flange portion is inclined inwardly toward the cover. 前記補強層の下側端部の外周部が、前記カバーに向かうにつれて内方に傾斜している請求項１または２に記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 1 or 2, wherein an outer peripheral portion of a lower end portion of the reinforcing layer is inclined inwardly toward the cover. 前記絶縁膜は、前記補強層の上面も被覆している請求項１乃至３のいずれか１項に記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 1, wherein the insulating film also covers an upper surface of the reinforcing layer. 前記絶縁膜の上面の位置が前記フランジ部の上面の位置よりも低い請求項４に記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 4, wherein the position of the upper surface of the insulating film is lower than the position of the upper surface of the flange portion. 前記絶縁膜の前記補強層の側面を被覆している部分は、前記カバーの上面に近づくほど外方に広がる拡張部を有している請求項１乃至５のいずれか１項に記載の弾性波装置。   6. The elastic wave according to claim 1, wherein the portion of the insulating film covering the side surface of the reinforcing layer has an extended portion that spreads outward as it approaches the upper surface of the cover. apparatus. 前記補強層の下面には、前記カバーに向かって突出する突出部が設けられており、
該突出部は前記カバーによって被覆されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の弾性波装置。 Protruding portions that protrude toward the cover are provided on the lower surface of the reinforcing layer,
The elastic wave device according to claim 1, wherein the protrusion is covered with the cover. 前記突出部は、前記補強層の下面外周に沿って環状になっている請求項７に記載の弾性波装置。   The elastic wave device according to claim 7, wherein the protruding portion is annular along the outer periphery of the lower surface of the reinforcing layer. 基板の上面に励振電極を形成する工程と、
前記励振電極上に封止空間が形成されるようにして前記基板の上面に樹脂製のカバーを形成する工程と、
前記カバーを前記励振電極との電気的な接続部から前記カバーの上面にかけて高さ方向に貫通する貫通部用孔部を形成し、めっき法によって、前記励振電極に電気的に接続されて前記カバーの上面まで導出された貫通部および前記カバーの上面に配置されて前記貫通部の端部に接続されたフランジ部を有する端子を形成する工程と、
前記カバーの上面に、平面透視して前記封止空間を覆うように、金属からなる補強層を形成する工程と、
前記フランジ部から前記カバーの上面および前記補強層にかけてこれらを覆うように感光性の樹脂からなる絶縁膜構成層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーによって、前記絶縁膜構成層のうち少なくとも前記フランジ部に対応する部分を除去することにより、少なくとも前記補強層の側面を前記カバーの上面まで
被覆する絶縁膜を形成する工程と
を含む弾性波装置の製造方法。 Forming an excitation electrode on the upper surface of the substrate;
Forming a resin cover on the upper surface of the substrate such that a sealing space is formed on the excitation electrode;
A through hole is formed through the cover in the height direction from an electrical connection with the excitation electrode to an upper surface of the cover, and the cover is electrically connected to the excitation electrode by plating. Forming a terminal having a penetrating portion led out to the upper surface and a flange portion disposed on the upper surface of the cover and connected to an end portion of the penetrating portion;
Forming a reinforcing layer made of metal on the upper surface of the cover so as to cover the sealing space in a plan view;
Forming an insulating film constituent layer made of a photosensitive resin so as to cover the flange portion and the upper surface of the cover and the reinforcing layer;
Forming an insulating film covering at least a side surface of the reinforcing layer up to an upper surface of the cover by removing at least a portion corresponding to the flange portion of the insulating film constituting layer by photolithography. Device manufacturing method. 前記端子を形成する工程は、
前記貫通部用孔部が形成された前記カバー上にめっき用レジストを形成し、該めっき用レジスト層の前記貫通部用孔部上にフランジ用孔部を形成する工程と、
前記フランジ用孔部が形成された前記めっき用レジスト層を加熱することにより、該めっき用レジスト層の前記フランジ用孔部の下側端部の内周部が前記カバーに向かうにつれて前記フランジ用孔部の内方に傾斜するようにめっき用レジスト層を変形させる工程と
を含む請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。 The step of forming the terminal includes
Forming a plating resist on the cover in which the through hole has been formed, and forming a flange hole on the through hole in the plating resist layer; and
By heating the plating resist layer in which the hole for flange is formed, the flange hole as the inner peripheral portion of the lower end of the hole for flange of the plating resist layer is directed to the cover. And a step of deforming the resist layer for plating so as to incline inward of the portion.
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