JP5585761B2 - マイクロリソグラフィのための光学要素及び照明光学系 - Google Patents
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Description
以下は、図面と連係した本発明の例示的な実施形態の詳細説明である。
周辺照明光束、すなわち、例えば、図11による照明光束45及び48は、照明視野44の周辺区域、及びそれに続いてレチクル平面4内の物体視野3内に過度の強度を生じる。過度の強度は、照明システム5及び/又は投影対物系21内で発生する効果を補正又は補償するために用いることができる。
E(x)=((IQ1(x)+IQ3(x))/(IQ2(x)+IQ4(x))−1)×100%
光学コーティング84aを併用した第2のDOE84の効果は、図18による配列のガラス棒90の入射表面89内で均一な強度分布が得られるようなものである。x方向及びy方向の両方におけるこの強度分布の関数は、ほぼ矩形であり、部分的に一定のプラトー区域及び高いエッジ勾配を有する。
Claims (11)
- 光学要素に当たる放射ビーム(8;26)のそのビーム断面にわたって事前設定されたビーム角に影響を与えるための光学要素であって、
放射ビーム(8;26)に露出された時に前記ビーム角に及ぼす影響の第1の部分を発生させる空間光学構造体(9;12、16;82;84)と、
前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)上又は該空間光学構造体(9;12、16;82;84)を担持する担体層上に付加された光学コーティング(24;24’;55;70;73;74;82a;84a)と、
を含み、
前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)は、干渉コーティングとして構成され、前記放射ビーム(8;26)に露出された時にビーム断面にわたって該放射ビーム(8)の一部分の所定の減衰を発生させ、従って、前記ビーム角に及ぼす前記影響の第2の部分を発生させ、
前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)及び前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)の光学効果は、それらが前記ビーム角に影響を与える際に互いに補完するようなものである、
ことを特徴とする光学要素。 - 前記空間光学構造体(9;100;102)は、回折効果を有することを特徴とする請求項1に記載の光学要素。
- 前記空間光学構造体(12、16)は、屈折効果を有することを特徴とする請求項1に記載の光学要素。
- 前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)は、多数のラスタ要素として構成されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)は、
それが、前記ラスタ要素のうちの1つの第1の入射点における入射放射ビーム(8)の最大減衰と、同じラスタ要素上の第2の入射点における該入射放射ビーム(8)の最小減衰とを引き起こし、
隣接するラスタ要素(100;102)間の減衰の差が、前記最大及び最小減衰間の差と比較して小さい、
ように構成される、
ことを特徴とする請求項4に記載の光学要素。 - 前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)は、前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)によって及ぼされる前記ビーム角への前記影響の補正をもたらす減衰を発生させるように設計されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)は、前記入射放射ビーム(8)に対して遠視野分布(32)を発生させるように設計され、
第1の強度が、遠視野の第1の位置(±x1)において発生し、第2の強度が、該遠視野の第2の位置(x=0)において発生し、該第1及び第2の強度は、少なくとも5%だけ、特に少なくとも10%だけ異なり、
前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)の前記光学効果と前記光学構造体(9;12、16;82;84)の前記光学効果は、光学要素全体によって発生する全体遠視野分布(35)が、前記第1及び第2の強度が発生する前記2つの位置(±x1、x=0)を含む少なくとも一部分で一定であるように互いに補完する、
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学要素。 - 前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)は、事前設定発散角度限界(±x2)を超える前記光学構造体(9;12、16;82;84)によって発生したビーム角が、該光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)によって吸収又は反射されるように設計されることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学要素。
- 前記光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)は、前記空間光学構造体(9;12、16;82;84)によって発生した事前設定発散角度限界(±x3)よりも小さいビーム角が、該光学コーティング(24;24’;55;82a;84a)によって吸収又は反射されるように設計されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の光学要素。
- レチクル平面(4)における照明光(8)の強度の角度分布を事前設定するための少なくとも1つの光学角度事前設定要素(9、24’;82、82a)と、
前記レチクル平面(4)における前記照明光(8)の前記強度の視野分布を事前設定するための少なくとも1つの光学視野事前設定要素(13、24;84、84a)と、
を含むマイクロリソグラフィのための照明光学系であって、
光学角度事前設定要素(9、24’;82、82a)及び/又は光学視野事前設定要素(13、24;84、84a)が、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学要素として構成される、
ことを特徴とする光学系。 - マイクロリソグラフィのための照明システムであって、
光源(6)と、
請求項10に記載の照明光学系と、
を含むことを特徴とするシステム。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006061711.8 | 2006-12-28 | ||
DE102006061711 | 2006-12-28 | ||
PCT/EP2007/001362 WO2007093433A1 (de) | 2006-02-17 | 2007-02-16 | Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem |
EPPCT/EP2007/001362 | 2007-02-16 | ||
DE102007023411.4 | 2007-05-18 | ||
DE102007023411A DE102007023411A1 (de) | 2006-12-28 | 2007-05-18 | Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
PCT/EP2007/011227 WO2008080563A1 (en) | 2006-12-28 | 2007-12-20 | Optical element and illumination optics for microlithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010515089A JP2010515089A (ja) | 2010-05-06 |
JP5585761B2 true JP5585761B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=39588173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009543381A Expired - Fee Related JP5585761B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-20 | マイクロリソグラフィのための光学要素及び照明光学系 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8411251B2 (ja) |
EP (2) | EP2100191B1 (ja) |
JP (1) | JP5585761B2 (ja) |
DE (1) | DE102007023411A1 (ja) |
WO (1) | WO2008080563A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
JP5068271B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置 |
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US9626459B2 (en) | 2014-01-24 | 2017-04-18 | International Business Machines Corporation | Detecting hotspots using machine learning on diffraction patterns |
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-
2007
- 2007-05-18 DE DE102007023411A patent/DE102007023411A1/de not_active Ceased
- 2007-12-20 EP EP07856950.6A patent/EP2100191B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-20 EP EP11184955A patent/EP2407828A1/en not_active Withdrawn
- 2007-12-20 WO PCT/EP2007/011227 patent/WO2008080563A1/en active Application Filing
- 2007-12-20 JP JP2009543381A patent/JP5585761B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-27 US US12/413,170 patent/US8411251B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010515089A (ja) | 2010-05-06 |
EP2100191A1 (en) | 2009-09-16 |
DE102007023411A8 (de) | 2008-11-27 |
WO2008080563A1 (en) | 2008-07-10 |
US8411251B2 (en) | 2013-04-02 |
EP2407828A1 (en) | 2012-01-18 |
DE102007023411A1 (de) | 2008-07-03 |
EP2100191B1 (en) | 2015-11-11 |
US20090201481A1 (en) | 2009-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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