JP5580311B2 - 多性能モードメモリシステム - Google Patents
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Description
本発明の第1の態様によると、メモリを制御する方法が開示される。この方法は、メモリにて入力を受信することを含む。この方法は、入力が第1の入力を備える場合に、第1の書き込み性能レベルと第1の蓄積容量とを提供する第1の動作モードにメモリを構成する。この方法は、入力が第2の入力を備える場合に、第2の書き込み性能レベルと第2の蓄積容量とを提供する第2の動作モードにメモリを構成する。第1の書き込み性能レベルは第2の書き込み性能レベルより低く、第1の蓄積容量は第2の蓄積容量より大きく、かつ第1の動作モードと第2の動作モードは1セル当たり同一数のビットをメモリに蓄積する。
Claims (24)
- メモリを制御する方法であって、
ユーザにとって使用可能なメモリ内の最大容量を定義する蓄積容量とメモリ内での内部使用のために取っておかれるメモリ容量を定義する作業領域容量とを有する前記メモリにて入力を受信するステップと、
前記入力が第1の入力を備える場合に、第1の書き込み性能レベルと第1の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第1の動作モードに前記メモリを構成するステップと、
前記入力が第2の入力を備える場合に、第2の書き込み性能レベルと第2の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第2の動作モードに前記メモリを構成するステップと、を含み、
前記第1の書き込み性能レベルは、前記第2の書き込み性能レベルより低く、
前記第1の蓄積容量は、前記第2の蓄積容量より大きく、
前記第1の動作モードと前記第2の動作モードは、1セル当たり同一数のビットを前記メモリに蓄積し、
前記第1の動作モードの第1の蓄積容量に関連する第1の作業領域容量は、前記第2の動作モードの第2の蓄積容量に関連する第2の作業領域容量より少なく、
前記第1の書き込み性能レベルは第1の書き込み速度であり、前記第2の書き込み性能レベルは第2の書き込み速度であり、
前記第1および第2の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備える方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記第2の動作モードに前記メモリを構成することを禁止するステップをさらに含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記入力を受信するステップは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、入力を受信することを含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1および第2の書き込み性能レベルは、バースト書き込み速度またはサステインド書き込み速度のうちの少なくとも一方を備える方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の動作モードに前記メモリを構成するステップは、合計容量から前記第1の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第1の作業領域容量のための容量を割り当てることを含み、
前記第2の動作モードに前記メモリを構成するステップは、合計容量から前記第2の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第2の作業領域容量のための容量を割り当てることを含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するソフトウェアコマンドを備える方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記ソフトウェアコマンドは、ホストから受信される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するハードウェア設定を備える方法。 - 請求項8記載の方法において、
前記ハードウェア設定は、スイッチおよびジャンパのうちの少なくとも一方を備える方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記入力は、前記メモリの蓄積容量の一部分にのみ作用する方法。 - メモリデバイスであって、
ユーザにとって使用可能なメモリ内の最大容量を定義する蓄積容量とメモリ内での内部使用のために取っておかれるメモリ容量を定義する作業領域容量とを有するメモリと、
前記メモリを制御するコントローラであって、
前記メモリにて入力を受信し、
前記入力が第1の入力を備える場合に、第1の書き込み性能レベルと第1の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第1の動作モードに前記メモリを構成し、かつ
前記入力が第2の入力を備える場合に、第2の書き込み性能レベルと第2の蓄積容量として構成された蓄積容量とを提供する第2の動作モードに前記メモリを構成するように構成されたコントローラと、を備え、
前記第1の書き込み性能レベルは、前記第2の書き込み性能レベルより低く、
前記第1の蓄積容量は、前記第2の蓄積容量より大きく、
前記第1の動作モードと前記第2の動作モードは、1セル当たり同一数のビットを前記メモリに蓄積し、
前記第1の動作モードの第1の蓄積容量に関連する第1の作業領域容量は、前記第2の動作モードの第2の蓄積容量に関連する第2の作業領域容量より少なく、
前記第1の書き込み性能レベルは第1の書き込み速度であり、前記第2の書き込み性能レベルは第2の書き込み速度であり、
前記第1および第2の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記コントローラは、前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記第2の動作モードに前記メモリを構成することを禁止するようにさらに構成されるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力を受信することは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、入力を受信することを含むメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記第1および第2の書き込み性能レベルは、バースト書き込み速度またはサステインド書き込み速度のうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記コントローラは、前記第1の動作モードにおいて、前記メモリデバイスの合計容量から前記第1の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第1の作業領域容量のための容量を割り当てるようにさらに構成され、
前記コントローラは、前記第2の動作モードにおいて、前記メモリデバイスの合計容量から前記第2の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しい第2の作業領域容量のための容量を割り当てるようにさらに構成されるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力は、書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するソフトウェアコマンドを備えるメモリデバイス。 - 請求項16記載のメモリデバイスにおいて、
前記メモリデバイスは、前記ソフトウェアコマンドを受信するように配設されたインターフェイスを備えるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記メモリデバイスは入力を受信するハードウェアインターフェイスを備え、前記入力は書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定するメモリデバイス。 - 請求項18記載のメモリデバイスにおいて、
前記ハードウェアインターフェイスは、スイッチまたはジャンパのうちの少なくとも一方を備えるメモリデバイス。 - 請求項11記載のメモリデバイスにおいて、
前記入力は、前記メモリの蓄積容量の一部分にのみ作用するメモリデバイス。 - メモリを制御する方法であって、
メモリとやり取りするコントローラを有するメモリデバイスにて、前記コントローラは、
書き込み性能レベルまたは蓄積容量のうちの少なくとも一方を指定する入力を受信するステップと、
前記入力が第1の入力を備える場合に、前記メモリを第1の比に構成するステップと、
前記入力が第2の入力を備える場合に、前記メモリを第2の比に構成するステップと、を含み、
前記メモリは、合計容量を備え、
前記第1の比は第1の作業領域容量に対する第1の蓄積容量の比を備え、前記第1の蓄積容量はユーザにとってメモリデバイスにて使用可能なメモリ内の第1の蓄積容量を定義し、前記第1の作業領域容量は合計容量から前記第1の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しく、
前記第2の比は第2の作業領域容量に対する第2の蓄積容量の比を備え、前記第2の蓄積容量はユーザにとってメモリデバイスにて使用可能なメモリ内の第2の蓄積容量を定義し、前記第2の作業領域容量は合計容量から前記第2の蓄積容量を引いたものに満たないかこれに等しく、
前記第1の比は、前記第2の比より高く、
前記第1の比は、前記第2の比よりも高い書き込み性能レベルに対応し、
前記第2の比よりも高い書き込み性能レベルは、高い書き込み速度に対応し、
前記第1および第2の作業領域容量は、バッファまたはガーベッジコレクション空間のうちの少なくとも一方を備える方法。 - 請求項21記載の方法において、
前記メモリが既にフォーマット済みである場合に、前記メモリを前記第2の比に構成することを禁止するステップをさらに含む方法。 - 請求項21記載の方法において、
前記入力を受信するステップは、前記メモリがフォーマットされる前または前記メモリがフォーマットされているときに、前記入力を受信することを含む方法。 - 請求項21記載の方法において、
前記入力は、ソフトウェアコマンドまたはハードウェア設定のうちの少なくとも一方を備える方法。
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US8234545B2 (en) | 2007-05-12 | 2012-07-31 | Apple Inc. | Data storage with incremental redundancy |
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US8259497B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Programming schemes for multi-level analog memory cells |
US8174905B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells |
US8068360B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-29 | Anobit Technologies Ltd. | Reading analog memory cells using built-in multi-threshold commands |
WO2009050703A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Anobit Technologies | Data storage in analog memory cell arrays having erase failures |
US8000141B1 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Compensation for voltage drifts in analog memory cells |
WO2009063450A2 (en) | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Anobit Technologies | Optimized selection of memory units in multi-unit memory devices |
US8225181B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-07-17 | Apple Inc. | Efficient re-read operations from memory devices |
US8209588B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays |
US8085586B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Anobit Technologies Ltd. | Wear level estimation in analog memory cells |
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US7924587B2 (en) | 2008-02-21 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition |
US7864573B2 (en) * | 2008-02-24 | 2011-01-04 | Anobit Technologies Ltd. | Programming analog memory cells for reduced variance after retention |
US8230300B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Efficient readout from analog memory cells using data compression |
US8059457B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with multiple-accuracy read commands |
US8400858B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Memory device with reduced sense time readout |
US8498151B1 (en) | 2008-08-05 | 2013-07-30 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells using modified pass voltages |
US7924613B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage in analog memory cells with protection against programming interruption |
US8949684B1 (en) | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Segmented data storage |
US8169825B1 (en) | 2008-09-02 | 2012-05-01 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods |
US8000135B1 (en) | 2008-09-14 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8482978B1 (en) | 2008-09-14 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8239734B1 (en) | 2008-10-15 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Efficient data storage in storage device arrays |
US8713330B1 (en) | 2008-10-30 | 2014-04-29 | Apple Inc. | Data scrambling in memory devices |
US8208304B2 (en) | 2008-11-16 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N |
US8248831B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Apple Inc. | Rejuvenation of analog memory cells |
US8174857B1 (en) | 2008-12-31 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient readout schemes for analog memory cell devices using multiple read threshold sets |
US8924661B1 (en) | 2009-01-18 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Memory system including a controller and processors associated with memory devices |
US8228701B2 (en) | 2009-03-01 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays |
US20110003289A1 (en) * | 2009-03-17 | 2011-01-06 | University Of Washington | Method for detection of pre-neoplastic fields as a cancer biomarker in ulcerative colitis |
US8161228B2 (en) * | 2009-03-19 | 2012-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources |
US8832354B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Use of host system resources by memory controller |
US8259506B1 (en) | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8238157B1 (en) | 2009-04-12 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Selective re-programming of analog memory cells |
US8479080B1 (en) | 2009-07-12 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Adaptive over-provisioning in memory systems |
US8447922B2 (en) * | 2009-07-16 | 2013-05-21 | Panasonic Corporation | Memory controller, nonvolatile storage device, accessing device, and nonvolatile storage system |
US8495465B1 (en) | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Error correction coding over multiple memory pages |
US9110594B2 (en) * | 2009-11-04 | 2015-08-18 | Seagate Technology Llc | File management system for devices containing solid-state media |
US8677054B1 (en) | 2009-12-16 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Memory management schemes for non-volatile memory devices |
US8694814B1 (en) | 2010-01-10 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Reuse of host hibernation storage space by memory controller |
US8677203B1 (en) | 2010-01-11 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Redundant data storage schemes for multi-die memory systems |
US8694853B1 (en) | 2010-05-04 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read commands for reading interfering memory cells |
US8572423B1 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Reducing peak current in memory systems |
US8595591B1 (en) | 2010-07-11 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells |
US9104580B1 (en) | 2010-07-27 | 2015-08-11 | Apple Inc. | Cache memory for hybrid disk drives |
US8645794B1 (en) | 2010-07-31 | 2014-02-04 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells using a non-integer number of bits per cell |
US8856475B1 (en) | 2010-08-01 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Efficient selection of memory blocks for compaction |
US8694854B1 (en) | 2010-08-17 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read threshold setting based on soft readout statistics |
US9021181B1 (en) | 2010-09-27 | 2015-04-28 | Apple Inc. | Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals |
CN102446071B (zh) * | 2010-09-30 | 2014-10-08 | 环鸿科技股份有限公司 | 取得一存储器状态资讯的接取方法、电子装置及程序产品 |
TWI494948B (zh) * | 2011-01-31 | 2015-08-01 | Phison Electronics Corp | 用於非揮發性記憶體的資料寫入方法、控制器與儲存裝置 |
US8635407B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Direct memory address for solid-state drives |
US8539007B2 (en) | 2011-10-17 | 2013-09-17 | International Business Machines Corporation | Efficient garbage collection in a compressed journal file |
KR101867282B1 (ko) * | 2011-11-07 | 2018-06-18 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 가비지 컬렉션 방법 |
KR20130070251A (ko) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 브릿지 칩셋 및 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템 |
US9459810B2 (en) * | 2013-12-30 | 2016-10-04 | Sandisk Technologies Llc | Storage module and method for configuring command attributes |
US9348518B2 (en) | 2014-07-02 | 2016-05-24 | International Business Machines Corporation | Buffered automated flash controller connected directly to processor memory bus |
US9542284B2 (en) | 2014-08-06 | 2017-01-10 | International Business Machines Corporation | Buffered automated flash controller connected directly to processor memory bus |
CN105739911B (zh) * | 2014-12-12 | 2018-11-06 | 华为技术有限公司 | 存储数据的分配方法、装置以及存储系统 |
KR102602694B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-11-15 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 컨트롤러의 작동 방법과 이를 포함하는 스토리지 장치의 작동 방법 |
JP6517685B2 (ja) | 2015-12-22 | 2019-05-22 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
JP6517684B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-05-22 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステムおよび制御方法 |
US9934151B2 (en) | 2016-06-28 | 2018-04-03 | Dell Products, Lp | System and method for dynamic optimization for burst and sustained performance in solid state drives |
US10521119B1 (en) * | 2017-09-22 | 2019-12-31 | EMC IP Holding Company LLC | Hybrid copying garbage collector |
CN111694506A (zh) * | 2019-03-15 | 2020-09-22 | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 | 磁盘总容量确定方法、装置、磁盘及机器可读存储介质 |
JP7401193B2 (ja) * | 2019-04-17 | 2023-12-19 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置及びその制御方法並びにプログラム |
US11556416B2 (en) | 2021-05-05 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds |
US11847342B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-12-19 | Apple Inc. | Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003015944A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | メモリ管理装置およびその方法 |
US6456528B1 (en) * | 2001-09-17 | 2002-09-24 | Sandisk Corporation | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
US6807106B2 (en) * | 2001-12-14 | 2004-10-19 | Sandisk Corporation | Hybrid density memory card |
US7058764B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-06-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of adaptive cache partitioning to increase host I/O performance |
US8082382B2 (en) * | 2004-06-04 | 2011-12-20 | Micron Technology, Inc. | Memory device with user configurable density/performance |
US20060282610A1 (en) * | 2005-06-08 | 2006-12-14 | M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. | Flash memory with programmable endurance |
US20070174549A1 (en) * | 2006-01-24 | 2007-07-26 | Yevgen Gyl | Method for utilizing a memory interface to control partitioning of a memory module |
JP2009238112A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Panasonic Corp | 半導体集積回路 |
-
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