JP5562635B2 - 圧力トランスミッタのための圧力センサ - Google Patents

Description

本発明は、プロセス制御工業に関する。特に、本発明は圧力トランスミッタの中の圧力センサに関する。

プロセス応用においてプロセストランスミッタは、プロセスの圧力を測定し、例えば４−２０ｍＡ電流ループである、二線プロセス装置ループを介して情報をやり取りするように通信する。トランスミッタ中の圧力センサは、典型的には、印加圧力に応じて動く偏向可能なダイアフラムを含む、あるタイプの圧力応答構造を含んでいる。これらの構造は、絶対圧力及び差圧の両方を測定するために使用され得る。ここで用いられるように、差圧センサは、比較的広い絶対圧力領域に渡って、（フローチューブ中のオリフィスの両端、又は流体充填容器中の二つの異なる高さの間に生成される圧力差のような）比較的小さい圧力差を測定するセンサである。典型的な従来のトランスミッタでは、差圧を測定するために、二つの差圧を構造の対向する側面に印加され、測定される構造中の相対変形を引き起こす。変形の測定は、例えば、構造に備えられているコンデンサ板の動きによる静電容量の変化、抵抗性のストレインゲージの抵抗の変化、などを測定することによって達成され得る。

非常に正確な絶対圧力センサが望まれてきた。また、二つの別々の絶対圧力センサで差圧を測定するためには、好適には、使用する二つの別々の絶対圧力センサは、二つの圧力を差圧センサに機械的に結合するより、機械的にはずっと単純であることが望ましい。加えて、そのような差圧センサでの過剰圧力条件は、差圧センサを損ね得る。しかしながら、十分な正確さを有する絶対圧力センサを以てしても、４０００ｐｓｉａほどの静的又は線圧力極限に耐えなければならないデバイスで、０．４ｐｓｉから４０ｐｓｉの領域の差圧を測定できるようにすることは難しかった。例えば、４ｐｓｉｄの０．０１％は、４０００ｐｓｉａの０．００００１％（１０^-7又は０．１ｐｐｍ）を要求する。

プロセス応用で用いられる典型的な既知のトランスミッタは、温度のように関係のないパラメータへの期待しない応答に個々で変動があるように、検知された圧力に対する感度は個々で変動がある。これは、二つの絶対若しくはゲージセンサの出力を組み合わせて差圧を表す出力を与える時、又はセンサを広い圧力領域にわたって用いる時に、特に問題となり得る。加えて、センサを圧力トランスミッタに搭載することに付随する力学的応力は、圧力測定に比較的大きな誤差をもたらすことがある。

別のタイプの圧力センサ２００２年１１月２６日に公表されたシットラーらによってローズマウントインクに譲渡された、圧力トランスミッタのための圧力センサなるタイトルの米国特許６４８４５８５号に記載されている。シットラーらの特許は、脆性で材料によって作られた異なるタイプの圧力センサを記載している。容量板は物質中に備えられ、容量板の間の間隔は、印加圧力に応じて変化する。これにより、測定可能で印加圧力と関連付けられている板の間の静電容量に変化をもたらす。

圧力センサは、印加圧力に応じて変形する構造を含んでいる。光源は構造に向いている。これにより、構造による反射が与えられる。センサは反射を検知し、印加圧力に関係した出力を与えるように構成されている。

プロセス制御又は監視システムの簡単化した図である。 変形可能で圧力に反応する部材の概略図である。 変形可能で圧力に反応する部材を通る反射光を示す図である。 変形可能で圧力に反応する部材の図である。 変形可能で圧力に反応する部材を含む圧力トランスミッタの図である。 本発明に従う圧力センサの別の例の構成の平面図である。 本発明に従う圧力センサの別の例の構成の平面断面図である。

本発明において、印加圧力に応答して変形する構造を含む圧力センサが提供される。光は構造に向けられ、その反射は観測され、印加圧力に関連付けられる。ある従来技術の構成では、単一周波数光源が用いられ、結果として生じる反射はダイアフラムの偏向を決定する。しかしながら、このような構成では、反射された周波数は、ダイアフラムの様々な偏向に対して周期的に繰り返される。つまり、他の技術を用いなければ、周波数の中のどの周期的繰り返しが観測されているのか、を決定することは不可能であるし、従って、ダイアフラムの偏向を決定することは不可能である。対照的に、ある構成において本発明は、基板のペアから形成されるダイアフラム構成の偏向を決定するために、多重周波数を用いる。

図１は、本発明の圧力センサが応用可能であろうタイプの、プロセス配管１２を含む工業プロセス制御又は監視システム１０である。本例では、プロセストランスミッタ１４は配管１２に接続されて示されており、二線プロセス制御ループ１８を介して制御室１６に信号を与える。トランスミッタ１４からの出力は、プロセス配管１２中を運搬されるプロセス流体の圧力と関係している。ある構成では、二線プロセス制御ループ１８はトランスミッタ１４へ信号を伝送するためと電力を供給するための両方に用いられる。ループ１８は、４−２０ｍＡ標準、ハート（ＨＡＲＴ）通信プロトコル、フィールドバス通信プロトコル等を含む既知の標準などの適切な技術に従って動作させることができる。さらに、制御ループは無線等で動作させることも可能である。

図２は、全般的に透明又は半透明の物質の変形可能で圧力に反応する部材５０の概略図である。変形可能で圧力に反応する部材５０は、例えば、２００２年１１月２６日に公表されたシットラーらによってローズマウントインクに譲渡され、ここに完全に参考文献として組み込まれる、圧力トランスミッタのための圧力センサなるタイトルの米国特許６４８４５８５号中で説明されている技術に従って作られよう。例えば、変形可能で圧力に反応する部材５０は、サファイア、シリコン、ゴム、水晶、ダイアモンドで形成されることが可能であり、単結晶物質を含み得る。部材５０は、その中に形成されるキャビティ５２を含んでいる。圧力Ｐが部材５０に印加されると、キャビティ５２の内部壁５４の間の間隔ｄが変化する。

部材５０は、例えば、圧力下に基板を一緒に配置し、場合によっては熱を加えることによって互いに融解接合される脆性物質の二つ以上の基板によって形成され得る。このような構成は、部材５０中の欠陥の量を減らし、間隔ｄの変化と印加圧力Ｐの間の関係の繰り返し度（リピータビリティ）を改善する。

図３は、本発明の動作を示す変形可能部材５０の断面図である。図３では、圧力センサ５８は、光源６０及びスペクトロメータ６２を用いて形成される。要素６２は、ＣＣＤ検出センサを含むどんな適切な検出器でも構わない。ソース６０は、光束６４を部材５０に向けるよう構成されている。光束６４の部分６４Ａは、壁５４とキャビティ５２の間のある界面で反射されるが、第二の部分６４Ｂはキャビティ５２と壁５４の別の界面で反射される。センサ６２は、反射部分６４Ａ及び６４Ｂを含む光束６４を受けるように配置されている。反射部分６４Ａ及び６４Ｂは、ある波長の生成又は消滅のいずれかである、それらの間の干渉を生じる。干渉は、キャビティ５２の二つの壁５４の間の間隔ｄの関数である。間隔ｄが印加圧力Ｐと共に変化すると、スペクトロメータ６２からの出力６６は印加圧力と関連付けされ得る。

ある構成では、キャビティ５２は油などの流体を含んでいる。間隔ｄが変化すると、油層の厚さが同時に変化する。反射率スペクトロピーを用いると、反射光の色の変化はセンサ６２によって検知され、印加圧力Ｐと関連付けることができる。そのような構成では、間隔ｄが減少すると、キャビティ５２に含まれる油を受け止めるリザーバ５５が備えられよう。同様に、間隔ｄが増加すると、リザーバ５５は増えた体積を充填するために油を供給する。キャビティ５２を充填するために用いられる流体は、光のある成分を吸収し、よって、反射率スペクトロピーで距離ｄの変化を観測することを可能とする。

別の構成では、キャビティ５２は、例えば、観測されるように反射光の間で生成／消滅干渉における真空を含んでいる。干渉計を用いることによって、図３に示したような格子５７のような回折格子と一緒にスペクトロメータを用いて、反射光が監視される。格子はスペクトロメータ６２内の構成要素であってもよい。もし、スペクトロメータを使わないならば、例えば、一次元ＣＣＤ検出器を用いるなら、外部格子を利用することができる。センサ６２は、リニアＣＣＤを含み得る。格子５７は、変化する強度レベルを含む分散パターンを与える。変化する強度レベルは反射光での干渉によって生じる。これらのパターンは、様々な圧力で繰り返される。回折格子を用いる典型的な従来技術では、圧力センサ５８はシステムが使用される毎に、又は電力が落ちると再キャラクタライズされなければならない。しかしながら、ある観点では、本発明は、ある圧力領域中の反射光のスペクトルの特性を記憶するように構成されているメモリ１０４（図５参照）のような、メモリを含んでいる。よって、圧力センサは、システムの電源が切れたとき、初期校正が要求されない。

光源６０は、例えば、レーザを含む適切な光源であって構わない。光束６４は、適切なフォーマットのものであってよく、コヒーレント光である必要はない。さらに、光は可視光である必要はなく、適切な波長の電磁気放射で構わない。同様に、センサ６２は、例えば、一次元リニアＣＣＤアレイのように、光束６４に好適に反応する適切な検知技術であって構わない。スペクトルの像は、一次元リニアＣＣＤアレイ６２に射影される。圧力に対応するデータは、Ａ／Ｄ変換器１００（図５参照）を介してメモリ１０４に伝送される。圧力が変化すると、キャビティ長ｄは変化し、スペクトルはシフトする。制御器１０３によってメモリ１０４に記憶されたデータとの比較を行うことで、圧力変化を検知することができる。もしメモリ１０４が不揮発性メモリを含んでいれば、たとえ電力が落とされても、システムはメモリ１０４に、相変わらず圧力データ及びスペクトルデータを保持する。

図４は、圧力センサ５８を含む圧力センサモジュール７０のある実施形態の断面図である。圧力センサモジュール７０は、絶縁流体７４で充填され、シールされたハウジング７２を含んでいる。部材５０は、例えば、サポートを用いて、流体中に吊り下げられているか、又は光ファイバー８０に装着されていてもよい。絶縁流体は、例えば、実質的に非圧縮性である油等であり得る。分離ダイアフラム７６は、分離ダイアフラム７６に印加される印加圧力Ｐはダイアフラム７６を横切り、絶縁流体７４に伝達されるように、ハウジング７２の開口部に渡って広がっている。絶縁流体７４は、そうして、圧力Ｐを部材５０に印加する。

図４では、部材５０は二つの部分、平坦部分５０Ａ及び食刻部分５０Ｂ、を含むように示されている。部分５０Ａ及び５０Ｂは、例えば、溶融接合を用いて互いに接合され、キャビティ５２を形成する。光ファイバー８０は、ハウジング７２の中に延びており、部材５０に向いている先端を含んでいる。光ファイバー８０は、ソース／センサ６０／６２から部材５０に向かう光束６４（図３参照）に結合している。図４に示されている構成では、ソース６０及びセンサ６２は、一つの構成要素として示されている。

ある圧力センサの構成では、センサ部材のダイスはセンサパッケージの外側に広がっていなければならず、電気接点は部材と共に検知キャパシタを作ることができる。このことは比較的大きなシールが、センサ部材のダイスの周辺に広がっていることを要求する。さらに、あるセンサは、シールすることが難しい鋭い隅を生成する長方形の断面を有している。そのようなシールは真鍮を用いて作ることができる。しかしながら、真鍮はセンサダイス上に大きな力を及ぼし得て、それによって測定に不正確さが導入される。

好適には、光ファイバー８０は、円形の断面を有し、よって鋭い隅を含まない。ファイバーは、例えば、直径１２５μｍのオーダーであり、よってファイバー８０がハウジング７２に入り込むところをシールするために０．０１５インチの周長しか必要としない。シール８１（図４で変化を参照）は、ブライジング又は他の技術を含む適切な技術を用いて形成することができる。分離ダイアフラム７６は、薄い金属層であっても良く、圧力トランスミッタの製造で知られている技術を用いて製作することができる。二つの実施形態はプロセス流体から絶縁されたセンサ部材５０を示しているが、センサが直接的にプロセス流体に接する他の実施形態を提供することも価値があろう。

出力６６はプロセッシング電子機器８２に与えられる。もし光束６４が単一周波数を含むなら、正確に検知され得る最大回折距離ｄは、その周波数の一波長に限られる。これは、一波長より大きい回折に対しては干渉パターンが繰り返され、プロセッシング電子機器８２は、繰り返しパターンを区別できないことに因るものである。しかしながら、もし多重周波数を光束６４の中で用いれば、それは、より複雑なパターンが生成される。より複雑なパターンは、部材５０中で一波長より大きな間隔ｄの回折に写像され得て、それによって、広がった動作領域が圧力センサ５８にもたらされる。そのような構成では、光源６０は、多重光源を含んでいる。一例では、光源は約２５０ｎｍから約７００ｎｍの領域に渡って走査し、反射光の強度を観測する。強度パターンは特徴付けされ得て、印加圧力に関係付けされ得る。この周波数走査に数秒かかるだろうから、ある構成では、走査は周期的にしか実行されない。一度、反射分光学的技術を用いて印加圧力が決定されると、圧力は単一周波数を用いることによって監視を続けることが可能である。上述のように、単一周波数を用いるときには、回折位置のどれだけの数が反射光を生成したのかを知ることは不可能である。これは、反射光が周期的に繰り返されるからである。例えば、反射光は基板の間の複数の間隔で、例えば、２５００オングストローム、４０００オングストローム、８５００オングストローム、及び１２０００オングストロームの間隔で、同じ色に見えることがある。反射光の周波数は、これらの間隔の各々に対して同一である。しかしながら、実際の反射を決定するために多重周波数技術を周期的に用いることによって、単一周波数技術は、より速やかに圧力決定値を更新するために用いることができる。もし単一周波数観測技術がダイアフラム間の反射が急速に変化していることを示すならば、多重周波数技術は、周期的に又はより頻繁に、繰り返され得る。

図５は、プロセス配管１２に接続され、圧力センサモジュール７０を含むトランスミッタ１４の簡単化された図である。図５の構成では、ソース／センサ６０／６２からの出力６６は、アナログからデジタルへの変換器１００に供給される。アナログからデジタルへの変換器１００からの出力は、例えば、マイクロプロセッサなどを含み得る制御器１０２に供給される。制御器１０２は、メモリ１０４に記憶されているプログラミング命令に従って動作し、入力／出力回路１０８に出力１０６を与える。出力１０６は、印加圧力Ｐと関連している。Ｉ／Ｏ回路１０８は、二線プロセス制御ループ１８に結合し、印加圧力Ｐに関連した出力を伝送するように構成されている。ある構成では、Ｉ／Ｏ１０８は、トランスミッタ１４の電力回路に使用され得る、電力出力を含んでいる。

好適には、センサ部材は少なくとも部分的に透明な物質から形成され、光は物質中に入り込み反射され得る。

図６は、圧力センサが光ファイバー１２２を直接的にセンサ部材１２４に結合することによって形成される、本発明の別例の構成１２０を表している。光ファイバー１２２は、クラッド１２３及びコア１２５を含んでいる。変形可能なセンサ部材は、好適には、ファイバー１２２の端に結合される透明で脆性な物質を含んでいる。この構成では、上述の第一及び第二層は、センサ部材１２４の層１２６及び光ファイバー１２２の端に備えられた面１２８によって形成される。部材１２４は、ある特定の構成では、ファイバー１２２の先端に直接的に気密に結合される食刻されたサファイアウェハを含み得る。

図７は、変形可能なセンサ部材１２４が、中心に形成された穴１３１を含む薄いサファイア板１２９に取り付けられた薄いサファイアダイアフラム１３０を用いて形成される、本発明の別例の構成を表している。サファイア板１２９は、サファイアダイアフラム１３０の表面と光ファイバー１２２の端の間のスペーサを提供する。ダイアフラム１３０及び板１２９は、適切な構成をあり得て、ここで議論した円形の構成に限定されない。板１２９はサファイアファイバー１２２に取り付けられている。水晶を含むいかなる適切な物質も用いられて構わず、ファイバーは標準の光ファイバーを含み得る。この構成によって、ダイアフラムの厚さ、平行の向き付け、及び表面仕上がりの品質について改良された制御ができるようになる。このことでさらに容易に、ダイアフラムとファイバー先端が、より平行に近づけることができるようにもなる。穴又はギャップ１３１も、より容易に制御され製造される。ダイアフラム１３０それ自体は、望めば別個に仕上げることが可能である。

ある観点では、本発明は、例えば、石鹸の泡又は水上の薄い油膜で生じる既知の効果と関連している。この効果は膜の厚さを決定するために用いられる。例えば、多くの色が石鹸の泡の上では可視であり、層の厚さによって、例えば、石鹸の泡が膨らむときに、色は変化をする。これらの「薄い層の色」は、干渉現象、即ち、層の前面側及び背面側において（異なる光密度を有する二つの境界において）反射された光波の重ね合わせ、に基づいている。

二つの反射光線１と２の乱されていない重ね合わせによって、周期的振幅と（擬白色光源としてのハロゲンスペクトルランプのような）白色連続光源のスペクトルに消失がもたらされる。

二つの光線の重ね合わせは、純粋な加法ではないので、いわゆる干渉が生じる。センサは、例えば、スペクトロメータ及びハロゲンランプに接続された、カプラを有するファイバー光ケーブルを通じて照光される。反射された干渉スペクトルは、そこでそのスペクトルが解析され、キャビティ長ｄ変化が計算されるスペクトロメータに戻るように誘導される。

当業者は本発明の意図及び目的を逸脱しない形態及び詳細の範囲で、変形が可能であることは理解できるであろう。上述のように、本発明の多重周波数技術は単一周波数技術の補足として実装され得る。そのような構成では、多重周波数測定技術は、基板間の真の距離を決定するために用いられる。そして、引き続く測定は単一周波数技術を用いて実行される。多重周波数測定は、もし単一周波数測定技術が基板間の間隔が急に変化していることを示せば、周期的又はより頻繁に繰り返すことができる。本発明の多重周波数測定技術は、多重周波数が同時に供給されるような多重周波数源又は時間によって周波数を動く多重周波数源を用いて、実行することができる。周波数領域は連続的領域でもよいし、又は離散的ステップであっても構わない。油、空気、他の気体又は液体など、どんな適切なフィルム物質を使ってもよい。本発明は、スペクトルの変化を決定し（スペクトルシフト／移動）、圧力の変化に関係したキャビティの変動を測定するために、反射分光学の利用を含んでいる。

１０ 工業プロセス制御又は監視システム
１２ プロセス配管
１４ プロセストランスミッタ
１６ 制御室
１８ 二線プロセス制御ループ
５０ 変形可能で圧力に反応する部材
５０Ａ （部材の）平坦部分
５０Ｂ （部材の）食刻部分
５２ キャビティ
５４ （キャビティの）内部壁
５５ リザーバ
５７ 格子
５８ 圧力センサ
６０ 光源
６２ スペクトロメータ
６４ 光束
６４Ａ 光束の部分
６４Ｂ 光束の第二の部分
６６ 出力
７０ 圧力センサモジュール
７２ ハウジング
７４ 絶縁流体
７６ 分離ダイアフラム
８０ 光ファイバー
８１ シール
８２ プロセッシング電子機器
１００ Ａ／Ｄ変換器
１０２ 制御器
１０３ 制御器
１０４ メモリ
１０６ 出力
１０８ 入力／出力回路
１２０ 本発明の別例の構成
１２２ 光ファイバー
１２３ クラッド
１２４ センサ部材
１２５ コア
１２６ （センサ部材の）層
１２８ （センサ部材の）面
１２９ サファイア板
１３０ サファイアダイアフラム
１３１ 穴、ギャップ

Claims (29)

1. 第一層と、
   前記第一層から間隔を置いて配置される第二層と、
   前記間隔に充填された流動性を有する充填物質と、
   前記第一又は第二層の表面に光を照射するための光源と、
   前記充填物質を介して互いに対向する前記第一及び第二層の界面に反射された光を検知し、これら反射光に基づいて印加圧力に関係した出力を与える光センサと、
   を含み、前記第一及び第二層が、変形可能で圧力に反応する部材により形成された、圧力センサ。
2. 第一及び第二層が脆性で透明な物質である、請求項１に記載の圧力センサ。
3. 前記変形可能で圧力に反応する部材中に、前記第一及び第二層の間の距離を画定するキャビティを形成した、請求項１に記載の圧力センサ。
4. 前記第一及び第二層は単結晶物質を含む、請求項１に記載の圧力センサ。
5. 前記光源からの光を前記第一又は第二層の表面に向けるように構成された光ファイバーを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
6. 前記光ファイバーが、前記第一及び第二層を覆うハウジング内部に延びている、請求項５に記載の圧力センサ。
7. 前記第一及び第二層を覆うハウジングを含み、前記ハウジング内部は絶縁充填流体で充填されている、請求項１に記載の圧力センサ。
8. 前記絶縁充填流体をプロセス流体から絶縁し、前記プロセス流体からの印加圧力を前記絶縁充填流体に伝達する、前記ハウジングに装着された分離ダイアフラムを含む、請求項７に記載の圧力センサ。
9. プロセス制御ループ上に、印加圧力に関係した出力を与えるように構成されたＩ／Ｏ回路を含む、請求項１に記載の圧力センサ。
10. 前記第一及び第二層は互いに接合され、それらの間にキャビティを形成する、請求項１に記載の圧力センサ。
11. 前記第一及び第二層は融解接合によって互いに接合され、前記キャビティは気密にシールされている、請求項１０に記載の圧力センサ。
12. 前記第一及び第二層はサファイアを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
13. 反射光の干渉に基づいて印加圧力に関係した出力を与えるように構成された制御器を含む、請求項１に記載の圧力センサ。
14. 前記光源は多重周波数の光を与えるために、周波数領域をずらす、請求項１に記載の圧力センサ。
15. 前記光源が同時に多重周波数の光を与える、請求項１に記載の圧力センサ。
16. 前記充填物質を受けるためのリザーバを含む、請求項１に記載の圧力センサ。
17. 前記充填物質は油を含む、請求項１に記載の圧力センサ。
18. 変形可能で圧力に反応する部材により、間隔を置いて配置される第一及び第二層を形成し、前記間隔に流動性を有する充填物質を充填した構成の圧力センサ部材を用いて、プロセス流体の圧力を検出する方法であって、
    前記圧力センサ部材に光源からの光を照射し、前記充填物質を介して対向する前記第一及び第二層の界面に光を反射させるステップと、
    前記第一層と充填物質との界面に反射された第一反射光、及び前記第二層と充填物質との界面に反射された第二反射光を検知するステップと、
    前記第一及び第二反射光に基づいて印加圧力に関係する出力を与えるステップと、
    を含む方法。
19. 第一層と、
    前記第一層から間隔を置いて配置される第二層と、
    前記間隔に充填された流動性を有する充填物質と、
    前記第一又は第二層の表面に光を照射するための光源と、
    前記間隔を置いて互いに対向する前記第一及び第二層の界面に反射された光を検知し、これら反射光に基づいて印加圧力に関係した出力を与える光センサと、
    前記光センサからの反射光スペクトル及び前記光センサの電流状態に関係したデータを記憶する非揮発性メモリと、
    検知された反射光のスペクトル及び記憶された前記データの関数としてプロセス流体の圧力に関係した出力を含む制御器と、
    を含み、前記第一及び第二層が、変形可能で圧力に反応する部材により形成された、プロセス流体の圧力を検知するように構成された装置。
20. 前記光源は光格子を含む、請求項１９に記載の装置。
21. 変形可能で圧力に反応する部材により、間隔を置いて配置される第一及び第二層を形成し、前記間隔に流動性を有する充填物質を充填した構成の圧力センサ部材を用いて、プロセス流体の圧力を検出する方法であって、
    前記圧力センサ部材に光源からの光を照射し、前記間隔を置いて対向する前記第一及び第二層の界面に光を反射させるステップと、
    前記第一層の界面に反射された第一反射光、及び前記第二層の界面に反射された第二反射光を検知するステップと、
    検知された前記第一及び第二反射光を、反射光スペクトル及び圧力センサ部材の導体に関係した、非揮発性メモリに記憶されたデータと比較するステップと、
    前記比較に基づいて印加圧力に関係した出力を与えるステップと、
    を含む、プロセス流体の圧力を検出する方法。
22. 前記第一及び第二反射光を検知する前に、これら反射光が光格子を通過するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
23. 印加圧力に反応して変形する部材であって、間隔を置いて配置される第一及び第二層を形成する前記部材と、
    前記間隔に充填された流動性を有する充填物質と、
    前記部材に光を照射する光源と、
    前記間隔を置いて対向する前記第一及び第二層の界面に反射された光のスペクトルを検知するように構成された光センサと、
    前記反射光のスペクトルデータを記憶するように構成されたメモリと、
    検知された前記スペクトルを記憶された前記スペクトルデータと比較し、印加圧力に関係した出力を与えるように構成された制御器と、
    を含む、プロセス流体の圧力を測定する装置。
24. 前記光センサがＣＣＤセンサを含む、請求項２３に記載の装置。
25. 前記光センサが格子を含む、請求項２３に記載の装置。
26. 圧力に反応して変形する部材であって、間隔を置いて配置される第一又は第二層を形成する前記部材と、
    前記間隔に充填された流動性を有する充填物質と、
    前記第一又は第二層の表面に対向して配置された端を含む光ファイバーと、
    前記光ファイバーを通じて、前記第一又は第二層の表面に光を照射する光源と、
    前記間隔を置いて対向する前記第一及び第二層の界面に反射された光を検知し、これら反射光に基づいて印加圧力に関係した出力を与える光センサと、
    を含む圧力センサモジュール。
27. 前記光ファイバーの端は、気密されたハウジング内で前記第一又は第二層の表面に対向して配置されている、請求項２６に記載の圧力センサモジュール。
28. 前記光ファイバーの端は、前記第一又は第二層の表面から離れて配置されている、請求項２６に記載の圧力センサモジュール。
29. 前記光ファイバーの端は、前記第一又は第二層の表面にほぼ平行に配置されている、請求項２６に記載の圧力センサモジュール。

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