JP5562144B2 - Vacuum pump, operation control device and operation control method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、真空ポンプ制御装置に係り、特に、半導体製造装置等のチャンバを真空に排気するために用いられる真空ポンプを運転制御する真空ポンプ、その運転制御装置及び運転制御方法に関する。   The present invention relates to a vacuum pump control device, and more particularly, to a vacuum pump for operating and controlling a vacuum pump used for evacuating a chamber of a semiconductor manufacturing device or the like to a vacuum, an operation control device and an operation control method thereof.

半導体製造装置では、半導体製造工程で使用されるガスをチャンバから排気し、チャンバ内に真空環境を作り出すために真空ポンプが使用されている。このような真空ポンプとしては、ルーツ型やスクリュー型のポンプロータを備えた容積式タイプの真空ポンプが知られている。   In a semiconductor manufacturing apparatus, a vacuum pump is used to exhaust a gas used in a semiconductor manufacturing process from a chamber and create a vacuum environment in the chamber. As such a vacuum pump, a positive displacement type vacuum pump provided with a roots type or screw type pump rotor is known.

一般に、容積式の真空ポンプは、ケーシング内に配置された一対のポンプロータと、このポンプロータを回転駆動するためのモータとを備えている。一対のポンプロータ間及びポンプロータとケーシングの内面との間には微小なクリアランスが形成されており、ポンプロータはケーシングに非接触で回転するように構成されている。そして、一対のポンプロータが同期しつつ互いに反対方向に回転することにより、ケーシング内の気体が吸入側から吐出側に移送され、吸入口に接続されるチャンバ等から気体が排気される。   In general, a positive displacement vacuum pump includes a pair of pump rotors disposed in a casing and a motor for rotationally driving the pump rotor. A minute clearance is formed between the pair of pump rotors and between the pump rotor and the inner surface of the casing, and the pump rotor is configured to rotate without contact with the casing. The pair of pump rotors rotate in opposite directions while being synchronized with each other, whereby the gas in the casing is transferred from the suction side to the discharge side, and the gas is exhausted from a chamber or the like connected to the suction port.

半導体製造工程に使用されるガスには、ガスの温度が低下すると固形化あるいは液状化する成分が含まれているものがある。通常、上述した真空ポンプは、ガスを移送する過程で圧縮熱が発生するため、運転中の真空ポンプはある程度高温となっている。従って、真空ポンプが高温を維持している間は、上記真空ポンプを用いて上述した成分を含むガスを排気した場合でもガスの成分が固形化または液状化せず、良好な真空排気が行われる。   Some gases used in the semiconductor manufacturing process contain a component that solidifies or liquefies when the temperature of the gas decreases. Usually, the vacuum pump described above generates compression heat in the process of transferring gas, so that the vacuum pump in operation is at a certain high temperature. Therefore, while the vacuum pump is kept at a high temperature, even when the gas containing the above-described components is exhausted using the vacuum pump, the gas components are not solidified or liquefied, and good vacuum exhaust is performed. .

しかしながら、真空ポンプの運転を停止し、真空ポンプの温度が徐々に低下すると、ガス中に含まれる成分が固形化あるいは液状化し、ポンプロータやケーシングの間の隙間等に堆積してしまう(以下、この固形化、液状化した成分を生成物という)。このため、生成物がポンプロータの回転を妨げ、モータの起動トルクではポンプロータを回転させることができずに真空ポンプの再起動に失敗するという問題が生じていた。また、このような状態では、真空ポンプの再起動ができないだけでなく、モータに過剰な負荷が掛かってモータが加熱するおそれがあり、真空ポンプの運転が阻害されるという問題も生じさせていた。   However, when the operation of the vacuum pump is stopped and the temperature of the vacuum pump is gradually lowered, the components contained in the gas are solidified or liquefied, and are deposited in a gap between the pump rotor and the casing (hereinafter, This solidified and liquefied component is called a product). For this reason, the product hinders the rotation of the pump rotor, and the startup torque of the motor cannot rotate the pump rotor, causing a problem that the restart of the vacuum pump fails. Further, in such a state, not only the vacuum pump cannot be restarted, but there is also a possibility that the motor is heated by applying an excessive load to the motor, causing a problem that the operation of the vacuum pump is hindered. .

上述した真空ポンプ内の生成物の堆積により真空ポンプの運転が阻害される問題に対応するものとして、例えば、特許文献1の真空ポンプが提案されている。この真空ポンプでは、所定のパターンに沿って回転するポンプロータによって生成物を除去して、正常に起動することを可能にしている。また、特許文献2の真空ポンプでは、運転停止時に所定タイミングパターンに沿ってポンプロータを回転させた後に停止して生成物を除去して、正常に起動することを可能にしている。   For example, a vacuum pump of Patent Document 1 has been proposed as a solution to the above-described problem that the operation of the vacuum pump is hindered by the accumulation of the product in the vacuum pump. In this vacuum pump, the product is removed by a pump rotor that rotates along a predetermined pattern, and it is possible to start up normally. Moreover, in the vacuum pump of patent document 2, it stops after rotating a pump rotor along a predetermined timing pattern at the time of a driving | operation stop, and a product can be removed and it can be started normally.

特開2004−138047号公報JP 2004-138047 A 特開2009−97349号公報JP 2009-97349 A

しかしながら、上述したターボ真空ポンプでは、生成物をかき落とす運転をポンプ側が単体で行っており、半導体製造装置の半導体製造工程は考慮されていない。このため、真空ポンプの生成物をかき落とす運転が半導体製造装置の半導体製造工程を妨げるおそれがある。真空ポンプ側の生成物をかき落とす運転を実行するタイミングは、半導体製造装置側の半導体製造工程との間で調整することが望ましい。   However, in the above-described turbo vacuum pump, the operation of scraping off the product is performed on the pump side alone, and the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus is not considered. For this reason, the operation of scraping off the product of the vacuum pump may interfere with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus. The timing for executing the operation of scraping off the product on the vacuum pump side is desirably adjusted with the semiconductor manufacturing process on the semiconductor manufacturing apparatus side.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体製造装置からの指示に応じて真空ポンプ内に堆積した生成物を排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長する真空ポンプ、その運転制御装置及び運転制御方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in accordance with instructions from a semiconductor manufacturing apparatus, products accumulated in the vacuum pump are eliminated, the maintenance period of the vacuum pump is extended, and the life of the vacuum pump is extended. An object of the present invention is to provide an extended vacuum pump, an operation control device thereof, and an operation control method.

本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプにおいて、前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、生成物対策運転を制御する運転制御部を備えることを特徴とする。この真空ポンプによれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。
A vacuum pump according to an embodiment of the present invention is a vacuum pump that exhausts the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by a control device of the semiconductor manufacturing apparatus . when receiving the signal output in response to the control of the solenoid valve in the closed from the control device, characterized in that it comprises an operation control unit for controlling the product measures operation. According to this vacuum pump, the products accumulated in the vacuum pump can be eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump can be extended, and the life of the vacuum pump can be extended. .

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、前記運転制御部は、前記真空ポンプの運転状態を検出し、当該真空ポンプの運転状態により前記生成物対策運転時期を判定し、当該生成物対策運転時期に前記制御装置から前記信号を受信した場合に前記生成物対策運転を制御してもよい。この真空ポンプによれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。
Further, in the vacuum pump according to one embodiment of the present invention, the operation control unit detects an operation state of the vacuum pump, determines the product countermeasure operation timing based on the operation state of the vacuum pump, and the product. it may control the product countermeasure operation when receiving a previous issue relaxin before Symbol control device measures the operation time. According to this vacuum pump, products accumulated in the vacuum pump are effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, and the life of the vacuum pump is extended. be able to.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの運転/停止を繰り返す運転シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプによれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   Moreover, the vacuum pump which concerns on one Embodiment of this invention WHEREIN: The said operation control part may perform the driving | operation sequence which repeats driving | operation / stop of the said vacuum pump as said product countermeasure driving | operation. According to this vacuum pump, products accumulated in the vacuum pump are effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, and the life of the vacuum pump is extended. be able to.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの停止シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプによれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump according to an embodiment of the present invention, the operation control unit may execute a stop sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. According to this vacuum pump, products accumulated in the vacuum pump are effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, and the life of the vacuum pump is extended. be able to.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの起動シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプによれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump according to an embodiment of the present invention, the operation control unit may execute a startup sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. According to this vacuum pump, products accumulated in the vacuum pump are effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, and the life of the vacuum pump is extended. be able to.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプは、前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの停止シーケンス及び起動シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプの運転制御装置によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump according to an embodiment of the present invention, the operation control unit may execute a stop sequence and a start sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. According to the operation control device of this vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing device, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御装置は、半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御装置において、前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、前記真空ポンプの生成物対策運転を制御する運転制御部を備えることを特徴とする。この真空ポンプの運転制御装置によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。
An operation control apparatus for a vacuum pump according to an embodiment of the present invention exhausts the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus via an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by the control apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus. operation control device for a vacuum pump that controls the operating state of the vacuum pump, when the solenoid valve from the control unit receives a signal outputted in response to control of the closed control product measures the operation of the vacuum pump An operation control unit is provided. According to this vacuum pump operation control device, products accumulated in the vacuum pump are eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing equipment, extending the maintenance period of the vacuum pump and extending the life of the vacuum pump. can do.

本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御方法において、前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、生成物対策運転シーケンスに従って前記真空ポンプの生成物対策運転を制御することを特徴とする。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。
A vacuum pump operation control method according to an embodiment of the present invention exhausts a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by the control apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus. in operation control method of a vacuum pump to control the operating state of the vacuum pump, when the solenoid valve from the control unit receives a signal outputted in response to control of the closed, the vacuum pump according to product protection operation sequence It is characterized by controlling product countermeasure operation. According to this vacuum pump operation control method, products accumulated in the vacuum pump are eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing equipment, extending the vacuum pump maintenance period and extending the life of the vacuum pump. can do.

本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御方法において、前記真空ポンプの運転状態を検出し、前記真空ポンプの運転状態により前記真空ポンプの生成物対策運転時期を判定し、前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合に、生成物対策運転シーケンスに従って前記真空ポンプの生成物対策運転を制御することを特徴とする。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。
A vacuum pump operation control method according to an embodiment of the present invention exhausts a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by the control apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus. in operation control method of a vacuum pump to control the operating state of the vacuum pump, the detected operating conditions of the vacuum pump, the operating state of the vacuum pump to determine product measures the operating time of the vacuum pump, from the control device When the signal output according to the control for closing the solenoid valve is received, the product countermeasure operation of the vacuum pump is controlled according to the product countermeasure operation sequence. According to the operation control method of the vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの運転/停止を繰り返してもよい。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the operation control method for a vacuum pump according to an embodiment of the present invention, the product countermeasure operation sequence may repeat operation / stop of the vacuum pump. According to the operation control method of the vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの停止シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump operation control method according to an embodiment of the present invention, the product countermeasure operation sequence may execute a stop sequence of the vacuum pump. According to the operation control method of the vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの起動シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump operation control method according to an embodiment of the present invention, the product countermeasure operation sequence may execute a startup sequence of the vacuum pump. According to the operation control method of the vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの停止シーケンス及び起動シーケンスを実行してもよい。この真空ポンプの運転制御方法によれば、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を効果的に排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することができる。   In the vacuum pump operation control method according to an embodiment of the present invention, the product countermeasure operation sequence may execute a stop sequence and a start sequence of the vacuum pump. According to the operation control method of the vacuum pump, the product accumulated in the vacuum pump is effectively eliminated without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus, the maintenance period of the vacuum pump is extended, Life can be extended.

また、本発明の一実施形態に係る真空ポンプの運転制御方法は、前記真空ポンプの生成物対策運転に移行する前に、前記電磁弁を閉じることが望ましい。この真空ポンプの運転制御方法によれば、真空ポンプの生成物対策運転中に半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることを防止することができる。 Further, the operation control method for a vacuum pump according to an embodiment of the present invention, before moving to product protection operation of the vacuum pump, it is desirable to close the front SL electric solenoid valve. According to the operation control method of the vacuum pump, it is possible to prevent the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus from being hindered during the product countermeasure operation of the vacuum pump.

本発明によれば、半導体製造装置からの指示に応じて真空ポンプ内に堆積した生成物を排除する生成物対策運転を実行し、半導体製造装置の半導体製造工程を妨げることなく真空ポンプ内に堆積した生成物を排除して、真空ポンプのメンテナンス期間を延長し、真空ポンプの寿命を延長することを可能にする真空ポンプ、その運転制御装置及び運転制御方法を提供することができる。   According to the present invention, in response to an instruction from the semiconductor manufacturing apparatus, a product countermeasure operation is performed to eliminate the product accumulated in the vacuum pump, and deposition is performed in the vacuum pump without interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus. Therefore, it is possible to provide a vacuum pump, an operation control device thereof, and an operation control method capable of eliminating the generated product, extending the maintenance period of the vacuum pump, and extending the life of the vacuum pump.

本発明の第1の実施形態に係る運転制御装置を用いる半導体製造装置と真空ポンプとを含む概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure containing the semiconductor manufacturing apparatus and vacuum pump which use the operation control apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1の真空ポンプとして用いるルーツ型真空ポンプの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the roots type | mold vacuum pump used as a vacuum pump of FIG. 図2のII−II線断面図である。It is the II-II sectional view taken on the line of FIG. 図1の真空ポンプとして用いるスクリュー型真空ポンプの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the screw type vacuum pump used as a vacuum pump of FIG. 本発明の第1の実施形態に係る真空ポンプのモータを駆動するモータ駆動回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the motor drive circuit which drives the motor of the vacuum pump which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る真空ポンプのモータを駆動するモータ駆動回路の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the motor drive circuit which drives the motor of the vacuum pump which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1の半導体製造装置及び運転制御装置において実行される生成物対策運転に関わる動作概要を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the operation | movement outline | summary regarding the product countermeasure driving | running | working performed in the semiconductor manufacturing apparatus and operation control apparatus of FIG. 図1の半導体製造装置内の制御装置において実行される真空ポンプに対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。2 is a flowchart illustrating a specific example of control processing for a vacuum pump executed in a control device in the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 1. 図1の運転制御装置内の運転制御部において実行される生成物対策運転に対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the specific example of the control processing with respect to the product countermeasure driving | running | working performed in the operation control part in the operation control apparatus of FIG. 図9の生成物対策運転において実行される停止シーケンスの具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of the stop sequence performed in the product countermeasure driving | operation of FIG. 本発明の第2の実施形態に係る半導体製造装置内の制御装置において実行される真空ポンプに対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the specific example of the control processing with respect to the vacuum pump performed in the control apparatus in the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る運転制御装置内の運転制御部において実行される生成物対策運転に対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the specific example of the control processing with respect to the product countermeasure driving | running | working performed in the operation control part in the operation control apparatus which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施形態では、半導体製造装置のチャンバ内のガスを排気するために使用される容積式の真空ポンプの運転制御装置及び運転制御方法について説明するが、本発明に係る運転制御装置及び運転制御方法を適用する真空ポンプはこれに限定されない。また、真空ポンプにより真空排気される半導体製造装置は、エッチング装置やCVD装置等である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, an operation control device and operation control method for a positive displacement vacuum pump used for exhausting gas in a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus will be described. However, the operation control device and operation according to the present invention are described. The vacuum pump to which the control method is applied is not limited to this. Semiconductor manufacturing apparatuses that are evacuated by a vacuum pump are an etching apparatus, a CVD apparatus, and the like.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態では、本発明に係る運転制御装置を用いる容積式の真空ポンプとして、ルーツ型真空ポンプとスクリュー型真空ポンプの構成を例示する。
(First embodiment)
In the first embodiment of the present invention, configurations of a roots-type vacuum pump and a screw-type vacuum pump are illustrated as a positive displacement vacuum pump using the operation control device according to the present invention.

<全体構成>
図1は、本発明に係る運転制御装置を用いる半導体製造装置と真空ポンプとを含む概略構成を示す図である。図1において、半導体製造装置100は、例えば、エッチング装置、CVD装置等の上述したガスを用いて半導体製造工程を行う装置であり、この装置は特に限定されない。半導体製造装置100は、チャンバ(図示せず)内のガスが真空ポンプ120により排気される。半導体製造装置100と真空ポンプ120との間の排気経路111には電磁弁110が設けられている。この電磁弁110は、半導体製造装置100内の制御装置105から出力される開/閉信号S1により開閉動作が制御される。半導体製造装置100内の制御装置105は、自身の半導体製造装置100の半導体製造工程に係る各種動作を制御し、この半導体製造工程に関わる真空ポンプ120の各種運転状態を要求する信号S2を運転制御装置140に出力して真空ポンプ120の運転状態を制御させるとともに、開/閉信号S1を電磁弁110に出力して電磁弁110の開閉動作を制御する。
<Overall configuration>
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration including a semiconductor manufacturing apparatus using an operation control apparatus according to the present invention and a vacuum pump. In FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus 100 is an apparatus that performs a semiconductor manufacturing process using the above-described gas, such as an etching apparatus or a CVD apparatus, and the apparatus is not particularly limited. In the semiconductor manufacturing apparatus 100, gas in a chamber (not shown) is exhausted by a vacuum pump 120. An electromagnetic valve 110 is provided in the exhaust path 111 between the semiconductor manufacturing apparatus 100 and the vacuum pump 120. The opening / closing operation of the electromagnetic valve 110 is controlled by an open / close signal S1 output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100. The control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 controls various operations related to the semiconductor manufacturing process of its own semiconductor manufacturing apparatus 100, and controls the signal S2 that requests various operating states of the vacuum pump 120 related to this semiconductor manufacturing process. While outputting to the apparatus 140 to control the operating state of the vacuum pump 120, an open / close signal S1 is output to the electromagnetic valve 110 to control the opening / closing operation of the electromagnetic valve 110.

モータ130は、運転制御装置140から出力される運転制御信号S4により真空ポンプ120の回転軸(図示せず)を回転駆動して、その回転軸の起動、停止、回転数及び回転方向等の動作を実行する。   The motor 130 rotationally drives a rotating shaft (not shown) of the vacuum pump 120 by an operation control signal S4 output from the operation control device 140, and operates such as starting, stopping, rotating speed and rotating direction of the rotating shaft. Execute.

運転制御装置140は、半導体製造装置100内の制御装置105から出力される真空ポンプ120の運転に関わる各種運転信号に応じた運転制御信号S4をモータ130に出力して真空ポンプ120の運転状態を制御する運転制御部150を備える。本発明に係る第1の実施形態では、運転制御装置140の運転制御部150は、半導体製造装置100内の制御装置105から出力される生成物対策運転要求信号S2に応じて生成物対策運転を実施する運転制御信号S4をモータ130に出力して、後述する生成物対策運転を真空ポンプ120に実行させることに特徴がある。運転制御装置140の運転制御部150は、真空ポンプ120の生成物対策運転中に生成物対策状態信号S3を半導体製造装置100内の制御装置105に出力する。また、運転制御装置140の運転制御部150は、真空ポンプ120の温度、モータ130の電流、回転数、電力等を検出する運転状態検出信号S5を入力し、この運転状態検出信号S5と所定の基準値(例えば、温度、電流、回転数、電力に各々対応する基準値等)とを比較して、真空ポンプ120における生成物対策運転の運転状態等を制御する。さらに、運転制御部150は、真空ポンプ120の通常運転、生成物対策運転等に対応する各種運転シーケンスを記憶する記憶部(図示せず)を有してもよい。   The operation control device 140 outputs an operation control signal S4 corresponding to various operation signals related to the operation of the vacuum pump 120 output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 to the motor 130 to change the operation state of the vacuum pump 120. An operation control unit 150 for controlling is provided. In the first embodiment according to the present invention, the operation control unit 150 of the operation control device 140 performs the product countermeasure operation according to the product countermeasure operation request signal S2 output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100. The operation control signal S4 to be executed is output to the motor 130, and the product countermeasure operation described later is executed by the vacuum pump 120. The operation control unit 150 of the operation control device 140 outputs a product countermeasure state signal S3 to the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 during the product countermeasure operation of the vacuum pump 120. In addition, the operation control unit 150 of the operation control device 140 inputs an operation state detection signal S5 for detecting the temperature of the vacuum pump 120, the current of the motor 130, the number of revolutions, electric power, etc., and this operation state detection signal S5 and a predetermined value A reference value (for example, a reference value corresponding to each of temperature, current, rotation speed, power, etc.) is compared to control the operation state of the product countermeasure operation in the vacuum pump 120. Furthermore, the operation control unit 150 may include a storage unit (not shown) that stores various operation sequences corresponding to normal operation, product countermeasure operation, and the like of the vacuum pump 120.

<真空ポンプの構成>
次に、真空ポンプ120としてルーツ型真空ポンプを用いた場合の構成例を図2及び図3に示す。図2は、ルーツ型真空ポンプ120の構成を示す断面図である。図3は、図2のII−II線断面図である。
<Configuration of vacuum pump>
Next, FIG. 2 and FIG. 3 show a configuration example when a roots type vacuum pump is used as the vacuum pump 120. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the roots type vacuum pump 120. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.

図2及び図3において、ケーシング1内に一対のポンプロータを構成するルーツロータ2、2が配設されている。各ルーツロータ2は両端部近傍で軸受3、3によって支持されている。ルーツロータ2、2は2軸ブラシレス直流モータM(図1のモータ130に対応)によって回転駆動されるようになっている。なお、直流モータロータは、どちらかのルーツロータ軸2に取り付けられていてもよい。また、直流モータは、誘導電動機でもよい。   2 and 3, roots rotors 2 and 2 constituting a pair of pump rotors are disposed in a casing 1. Each root rotor 2 is supported by bearings 3 and 3 in the vicinity of both ends. The roots rotors 2 and 2 are rotationally driven by a biaxial brushless DC motor M (corresponding to the motor 130 in FIG. 1). Note that the DC motor rotor may be attached to one of the roots rotor shaft 2. The direct current motor may be an induction motor.

図2において、ルーツロータ2の軸端2aには、モータロータ5Aが固定されている。モータロータ5Aの外周側には樹脂キャン7を介して1個のモータステータ6が配設されている。モータステータ6はモータフレーム9に収容されている。モータフレーム9にはモータドライバ10が固定されている。なお、図2では、2つのルーツロータ2、2のうち一方のルーツロータ2の構成を示しているが、他方のルーツロータ2も同様の構成を有する。一対のルーツロータ2、2間及びケーシング1の内面との間には微小な隙間が形成されており、各ルーツロータ2、2は僅かなクリアランスCを保って非接触で回転するようになっている。   In FIG. 2, a motor rotor 5 </ b> A is fixed to the shaft end 2 a of the roots rotor 2. One motor stator 6 is disposed on the outer peripheral side of the motor rotor 5 </ b> A via a resin can 7. The motor stator 6 is accommodated in a motor frame 9. A motor driver 10 is fixed to the motor frame 9. In FIG. 2, the configuration of one of the two root rotors 2 and 2 is shown, but the other root rotor 2 also has the same configuration. A minute gap is formed between the pair of root rotors 2 and 2 and the inner surface of the casing 1, and the root rotors 2 and 2 rotate in a non-contact manner while maintaining a slight clearance C.

上記構成のルーツ型真空ポンプ120において、モータMを駆動して一対のルーツロータ2、2を回転することにより、吸気口(図示せず)から吸入されたガスが各ルーツロータ2、2に従って排気側に移送され、排気口(図示せず)から排気される。   In the roots-type vacuum pump 120 configured as described above, the motor M is driven to rotate the pair of roots rotors 2, 2, whereby the gas sucked from the intake ports (not shown) is exhausted to the exhaust side according to the roots rotors 2, 2. It is transferred and exhausted from an exhaust port (not shown).

図2において、ルーツ型真空ポンプ120のモータMとケーシング1は、配線L1,L2を介して運転制御装置140と接続される。配線L1はモータMの電流、回転数、電力等を検出するための配線であり、配線L2はケーシング1の温度等を検出するための配線である。   In FIG. 2, the motor M and the casing 1 of the Roots type vacuum pump 120 are connected to the operation control device 140 via wirings L1 and L2. The wiring L1 is a wiring for detecting the current, rotation speed, electric power and the like of the motor M, and the wiring L2 is a wiring for detecting the temperature of the casing 1 and the like.

次に、真空ポンプ120としてスクリュー型真空ポンプを用いた場合の構成例を図4に示す。図4は、スクリュー型真空ポンプ120の構成を示す断面図である。   Next, FIG. 4 shows a configuration example when a screw type vacuum pump is used as the vacuum pump 120. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the screw type vacuum pump 120.

図4において、スクリュー型真空ポンプ120は、モータ部20とポンプ部21で構成され、モータ部20はDCブラシレスモータであり、ポンプ部21は一対のスクリューロータを同期反転させ、気体を移送する真空ポンプであり、容積移送式の2軸スクリューポンプである。   In FIG. 4, the screw type vacuum pump 120 includes a motor unit 20 and a pump unit 21. The motor unit 20 is a DC brushless motor, and the pump unit 21 is a vacuum for transferring gas by synchronously inverting a pair of screw rotors. It is a pump and is a volumetric transfer type twin screw pump.

図4において、ポンプケーシング30の内部には、2本の回転軸31a、31bが平行に配置され、それぞれの回転軸31a、31bは軸受33により支持されている。回転軸31aには右ねじのスクリューロータ32aが、また回転軸31bには左ねじのスクリューロータ32bが各々固定されている。スクリューロータ32a、32bとケーシング30の内面との間には流体流路36が形成され、この流体流路36の上流側端部に吸気口21aが設けられている。スクリューロータ32a、32bは僅かなクリアランスCを保って非接触で相互に反転し、吸気口21aから吸込まれた気体を排気口21bに移送するようになっている。なお、スクリューロータ32a、32bとして、ピッチ線上でのみ接触する軸断面形状を有する一対のスクリューロータを用いてもよい。   In FIG. 4, two rotary shafts 31 a and 31 b are arranged in parallel inside the pump casing 30, and the rotary shafts 31 a and 31 b are supported by bearings 33. A right-handed screw rotor 32a is fixed to the rotating shaft 31a, and a left-handed screw rotor 32b is fixed to the rotating shaft 31b. A fluid flow path 36 is formed between the screw rotors 32 a and 32 b and the inner surface of the casing 30, and an intake port 21 a is provided at the upstream end of the fluid flow path 36. The screw rotors 32a and 32b reverse each other in a non-contact manner while maintaining a slight clearance C, and transfer the gas sucked from the intake port 21a to the exhaust port 21b. In addition, as a screw rotor 32a, 32b, you may use a pair of screw rotor which has an axial cross-sectional shape which contacts only on a pitch line.

回転軸31a、31bの吸気側の軸端には、それぞれ同一の構成を有する一対のマグネットロータ34、34が配置され、ブラシレスDCモータとして回転軸31a、31bを反転駆動するとともに、回転軸31a、31bの同期反転を確保している。   A pair of magnet rotors 34 and 34 having the same configuration are arranged at the shaft ends on the intake side of the rotary shafts 31a and 31b, respectively, and reversely drive the rotary shafts 31a and 31b as brushless DC motors. The synchronization inversion of 31b is secured.

図4において、スクリュー型真空ポンプ120のモータ部20とケーシング30は、配線L1,L2を介して運転制御装置140と接続される。配線L1はモータ部20の電流、回転数、電力等を検出するための配線であり、配線L2はケーシング30の温度等を検出するための配線である。   In FIG. 4, the motor unit 20 and the casing 30 of the screw type vacuum pump 120 are connected to the operation control device 140 via wires L1 and L2. The wiring L1 is a wiring for detecting the current, rotation speed, power, and the like of the motor unit 20, and the wiring L2 is a wiring for detecting the temperature of the casing 30 and the like.

図1の半導体製造装置100と排気経路111及び電磁弁110を介して図2に示したルーツ型真空ポンプ120の吸気口、又は、図4に示したスクリュー型真空ポンプ120の吸気口を接続し、吸入側から排気側にガスが連続して移送されることにより、吸気口に接続された半導体製造装置100のチャンバ(図示せず)内のガスが真空排気される。   1 is connected to the intake port of the Roots type vacuum pump 120 shown in FIG. 2 or the intake port of the screw type vacuum pump 120 shown in FIG. 4 via the exhaust path 111 and the electromagnetic valve 110. By continuously transferring the gas from the suction side to the exhaust side, the gas in the chamber (not shown) of the semiconductor manufacturing apparatus 100 connected to the suction port is evacuated.

なお、本発明に係る第1の実施形態では、真空ポンプ120として、上述したルーツ型真空ポンプとスクリュー型真空ポンプを用いる例を示したが、これらの真空ポンプに限定するものではなく、例えば、他の形式のドライ真空ポンプ、又は、ロータリーポンプ等に対しても本発明の運転制御装置を用いることは可能である。   In the first embodiment according to the present invention, the example using the above-described roots-type vacuum pump and screw-type vacuum pump is shown as the vacuum pump 120. However, the present invention is not limited to these vacuum pumps. The operation control apparatus of the present invention can be used for other types of dry vacuum pumps, rotary pumps, and the like.

<モータ駆動回路の構成>
次に、図1の運転制御装置140により制御されるモータ駆動回路の構成例について図5及び図6を参照して説明する。
<Configuration of motor drive circuit>
Next, a configuration example of the motor drive circuit controlled by the operation control device 140 of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

まず、図5に示すモータ駆動回路の構成例を参照して説明する。図5において、モータ駆動回路200は、3相電源201と、漏電遮断器(ELB)202と、電磁接触器203と、サーマルプロテクタ204とを備えている。3相電源201は漏電遮断器(ELB)202を介して電磁接触器203に接続され、電磁接触器203はサーマルプロテクタ204を介してモータ130に接続されている。また、電磁接触器203には、ポンプロータ211(図2のルーツロータ2のうちの一つ、又は、図4のスクリューロータ32a、32bのうちの一つ)の回転及び停止動作を制御する運転制御装置140が接続されている。なお、漏電遮断器(ELB)202に代えて、サーキットブレーカ(CB)を用いてもよい。   First, a description will be given with reference to a configuration example of the motor drive circuit shown in FIG. In FIG. 5, the motor drive circuit 200 includes a three-phase power source 201, an electric leakage breaker (ELB) 202, an electromagnetic contactor 203, and a thermal protector 204. The three-phase power source 201 is connected to an electromagnetic contactor 203 via an earth leakage breaker (ELB) 202, and the electromagnetic contactor 203 is connected to the motor 130 via a thermal protector 204. The electromagnetic contactor 203 has an operation control for controlling the rotation and stop operation of the pump rotor 211 (one of the root rotors 2 in FIG. 2 or one of the screw rotors 32a and 32b in FIG. 4). A device 140 is connected. Note that a circuit breaker (CB) may be used instead of the earth leakage breaker (ELB) 202.

運転制御装置140には真空ポンプ120の運転停止スイッチ(図示せず)が接続されており、運転中にこの運転停止スイッチが操作されると、運転制御装置140から電磁接触器203に停止命令が送信されるようになっている。電磁接触器203は停止命令を受けて動作し、3相電源201からモータ130に供給されている3相電力を遮断する。こりによりモータ130は停止し、真空ポンプ120が停止する。なお、サーマルプロテクタ204は、モータ130に過負荷が掛かった場合に動作し、3相電源201からモータ130に供給されている3相電力を遮断して真空ポンプ120の運転を停止させるようになっている。これにより、モータ130の過負荷や過熱が防止される。   An operation stop switch (not shown) of the vacuum pump 120 is connected to the operation control device 140. When this operation stop switch is operated during operation, a stop command is issued from the operation control device 140 to the electromagnetic contactor 203. It is supposed to be sent. The magnetic contactor 203 operates in response to the stop command, and cuts off the three-phase power supplied from the three-phase power source 201 to the motor 130. As a result, the motor 130 stops and the vacuum pump 120 stops. Note that the thermal protector 204 operates when the motor 130 is overloaded, and stops the operation of the vacuum pump 120 by cutting off the three-phase power supplied from the three-phase power source 201 to the motor 130. ing. Thereby, overload and overheating of the motor 130 are prevented.

次に、図6に示すモータ駆動回路の構成例を参照して説明する。なお、図6に示すモータ駆動回路220おいて、図5に示した構成と同一の構成部分には同一符号を付している。図6において、モータ駆動回路220は、3相電源201と、漏電遮断器(ELB)202と、周波数変換器221とを備えている。3相電源201は漏電遮断器(ELB)202を介して周波数変換器221に接続され、周波数変換器221はモータ130に接続されている。周波数変換器221は、整流器222と、モータ130を回転させる電流波形を生成するパワートランジスタ部223と、周波数変換器221を制御する周波数変換制御部224とを備えている。また、周波数変換器221には、ポンプロータ211(図2のルーツロータ2のうちの一つ、又は、図4のスクリューロータ32a、32bのうちの一つ)の回転及び停止動作を制御する運転制御装置140が接続されている。   Next, a description will be given with reference to a configuration example of the motor drive circuit shown in FIG. In the motor drive circuit 220 shown in FIG. 6, the same components as those shown in FIG. In FIG. 6, the motor drive circuit 220 includes a three-phase power source 201, an earth leakage breaker (ELB) 202, and a frequency converter 221. The three-phase power source 201 is connected to the frequency converter 221 via the earth leakage breaker (ELB) 202, and the frequency converter 221 is connected to the motor 130. The frequency converter 221 includes a rectifier 222, a power transistor unit 223 that generates a current waveform that rotates the motor 130, and a frequency conversion control unit 224 that controls the frequency converter 221. Further, the frequency converter 221 has an operation control for controlling the rotation and stop operation of the pump rotor 211 (one of the root rotors 2 in FIG. 2 or one of the screw rotors 32a and 32b in FIG. 4). A device 140 is connected.

なお、本発明に係る第1の実施形態では、モータ駆動回路の構成として図5及び図6に示す構成例を示したが、これらの回路構成に限定されるものではなく、他の回路構成を用いてもよい。   In the first embodiment according to the present invention, the configuration examples shown in FIGS. 5 and 6 are shown as the configuration of the motor drive circuit. However, the configuration is not limited to these circuit configurations, and other circuit configurations are used. It may be used.

<半導体製造装置及び運転制御装置の動作例>
次に、図1に示した半導体製造装置100及び運転制御装置140において実行される上述の生成物対策運転に関わる動作について図7〜図9を参照して説明する。
<Operation example of semiconductor manufacturing apparatus and operation control apparatus>
Next, operations related to the above-described product countermeasure operation executed in the semiconductor manufacturing apparatus 100 and the operation control apparatus 140 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

まず、半導体製造装置100及び運転制御装置140において実行される生成物対策運転を含む動作概要について図7に示すタイミングチャートを参照して説明する。   First, an operation outline including a product countermeasure operation executed in the semiconductor manufacturing apparatus 100 and the operation control apparatus 140 will be described with reference to a timing chart shown in FIG.

図7において、「半導体製造装置運転状態」は図1の半導体製造装置100の運転状態を示し、「排気を伴うプロセス中」は真空ポンプ120によるチャンバ内のガスの真空排気を伴う半導体製造工程を示し、「排気を伴わないプロセス中」は真空ポンプ120によるチャンバ内のガスの真空排気を伴わない半導体製造工程を示す。図7において、「電磁弁状態」は図1の電磁弁110の開閉状態を示し、「真空ポンプ運転中/停止中」は図1の真空ポンプ120が運転中か停止中(なお、低回転数で真空ポンプ120を運転するアイドリング運転を含めてもよい)か、を示す。また、図7において、「生成物対策指令」は図1の半導体製造装置100内の制御装置105から運転制御装置140に対して出力される上述の生成物対策運転要求信号S2の出力の有無を示し、「生成物対策状態」は図1の真空ポンプ120において実行中の運転状態に応じて運転制御装置140から半導体製造装置100内の制御装置105に出力される上述の生成物対策状態信号S3の有無を示す。   In FIG. 7, “operating state of the semiconductor manufacturing apparatus” indicates the operating state of the semiconductor manufacturing apparatus 100 of FIG. 1, and “during process with exhaust” indicates a semiconductor manufacturing process with vacuum exhaust of the gas in the chamber by the vacuum pump 120. “In process without evacuation” indicates a semiconductor manufacturing process that does not involve evacuation of the gas in the chamber by the vacuum pump 120. In FIG. 7, “electromagnetic valve state” indicates the open / closed state of the electromagnetic valve 110 in FIG. 1, and “vacuum pump in operation / stopped” indicates that the vacuum pump 120 in FIG. The idling operation for operating the vacuum pump 120 may be included. In FIG. 7, the “product countermeasure command” indicates whether or not the above-described product countermeasure operation request signal S <b> 2 output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 of FIG. 1 to the operation control device 140 is output. The “product countermeasure state” indicates the above-described product countermeasure state signal S3 output from the operation control device 140 to the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 in accordance with the operation state being executed in the vacuum pump 120 of FIG. Indicates the presence or absence of

図7に示すタイミングチャートでは、図1の半導体製造装置100と、電磁弁110と、真空ポンプ120と、運転制御装置140における各動作が図中に示す期間T1→T2→T3の順に推移する例を示している。まず、期間T1において、半導体製造装置100は排気を伴うプロセス中であり、電磁弁110は開状態である。この時、半導体製造装置100内の制御装置105から運転制御装置140に対して通常運転指令信号S2が出力されていて、運転制御装置140は真空ポンプ120を通常運転状態になるように制御している。そして、運転制御装置140から半導体製造装置100内の制御装置105に対して真空ポンプ120が通常運転中であることを示すポンプ通常運転中信号S3が出力される。   In the timing chart shown in FIG. 7, an example in which each operation in the semiconductor manufacturing apparatus 100, the electromagnetic valve 110, the vacuum pump 120, and the operation control apparatus 140 in FIG. 1 changes in the order of the periods T 1 → T 2 → T 3 shown in the figure. Is shown. First, in the period T1, the semiconductor manufacturing apparatus 100 is in a process with exhaust, and the electromagnetic valve 110 is in an open state. At this time, the normal operation command signal S2 is output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 to the operation control device 140, and the operation control device 140 controls the vacuum pump 120 to be in the normal operation state. Yes. Then, a normal pump operation signal S3 indicating that the vacuum pump 120 is in normal operation is output from the operation control device 140 to the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100.

次いで、半導体製造装置100は、排気を伴うプロセスが終了し、排気を伴わないプロセスに移行すると(期間T1から期間T2に移行)、半導体製造装置100は電磁弁110を閉状態とする。この時、半導体製造装置100内の制御装置105から運転制御装置140に対して生成物対策指令信号S2が出力される。運転制御装置140は真空ポンプ120を通常運転状態から生成物対策運転状態に移行するように制御する。そして、運転制御装置140から半導体製造装置100内の制御装置105に対して真空ポンプ120が生成物対策運転中であることを示す生成物対策状態信号S3が出力される。   Next, when the process with exhaust ends and the semiconductor manufacturing apparatus 100 transitions to a process without exhaust (transition from the period T1 to the period T2), the semiconductor manufacturing apparatus 100 closes the electromagnetic valve 110. At this time, the product countermeasure command signal S <b> 2 is output from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 to the operation control device 140. The operation control device 140 controls the vacuum pump 120 to shift from the normal operation state to the product countermeasure operation state. Then, a product countermeasure state signal S3 indicating that the vacuum pump 120 is in a product countermeasure operation is output from the operation control device 140 to the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100.

次いで、運転制御装置140は真空ポンプ120の生成物対策運転が終了したことを確認すると、真空ポンプ120を生成物対策運転状態から通常運転状態に移行するように制御し、生成物対策状態信号S3の出力を停止して、ポンプ通常運転中(生成物対策終了)信号S3を半導体製造装置100内の制御装置105に対して出力する。半導体製造装置100内の制御装置105は、ポンプ通常運転中(生成物対策終了)信号S3の入力を確認すると、電磁弁110を開状態として、排気を伴うプロセスに移行する(期間T2から期間T3に移行)。   Next, when the operation control device 140 confirms that the product countermeasure operation of the vacuum pump 120 is completed, the operation control device 140 controls the vacuum pump 120 to shift from the product countermeasure operation state to the normal operation state, and the product countermeasure state signal S3. Is stopped, and a pump normal operation (product countermeasure end) signal S3 is output to the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100. When the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 confirms the input of the normal pump operation (product countermeasure end) signal S3, the control device 105 opens the electromagnetic valve 110 and shifts to a process involving exhaust (from the period T2 to the period T3). To).

以上のように、本発明の第1の実施形態に係る運転制御装置140では、半導体製造装置100から排気を伴わないプロセス中に出力される生成物対策指令信号S2に応じて真空ポンプ120を生成物対策運転状態に移行する運転制御が行われる。   As described above, in the operation control apparatus 140 according to the first embodiment of the present invention, the vacuum pump 120 is generated according to the product countermeasure command signal S2 output from the semiconductor manufacturing apparatus 100 during the process without exhaust. Operation control for shifting to the physical measure operation state is performed.

次に、上述の図7を用いて説明した概要動作において、半導体製造装置100内の制御装置105において実行される真空ポンプ120に対する制御処理の具体例について図8に示すフローチャートを参照して説明する。   Next, a specific example of control processing for the vacuum pump 120 executed in the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 in the outline operation described with reference to FIG. 7 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. .

図8において、制御装置105は、自身の半導体製造工程が排気プロセスを伴うプロセス中であるかを確認する(ステップS101)。自身の半導体製造工程が排気プロセスを伴うプロセス中でない場合、すなわち、排気プロセスを伴わないプロセス中である場合(ステップS101:NO)、制御装置105は、閉信号S1を電磁弁110に出力して電磁弁110を閉じ(ステップS102)、続いて、生成物対策指令信号S2を運転制御装置140に出力する(ステップS103)。この生成物対策指令信号S2の出力により運転制御装置140側で行われる制御動作については、後述する図9の説明において補足する。   In FIG. 8, the control device 105 confirms whether its own semiconductor manufacturing process is in a process involving an exhaust process (step S101). When the semiconductor manufacturing process is not in the process with the exhaust process, that is, in the process without the exhaust process (step S101: NO), the control device 105 outputs the close signal S1 to the electromagnetic valve 110. The electromagnetic valve 110 is closed (step S102), and then a product countermeasure command signal S2 is output to the operation control device 140 (step S103). The control operation performed on the operation control device 140 side by the output of the product countermeasure command signal S2 will be supplemented in the description of FIG. 9 described later.

次いで、制御装置105は、次の半導体製造工程の準備開始中か否かを確認し(ステップS104)、次の半導体製造工程の準備開始中である場合は(ステップS104:YES)、生成物対策指令停止信号S2を運転制御装置140に対して出力する(ステップS105)。また、次の半導体製造工程の準備開始中でない場合(ステップS104:NO)、制御装置105はステップS106に移行して、運転制御装置140から生成物対策状態信号S3を受信しているかを確認する。運転制御装置140から生成物対策状態信号S3を受信している場合は(ステップS106:YES)、ステップS104に戻る。   Next, the control device 105 confirms whether or not preparation for the next semiconductor manufacturing process is being started (step S104). If preparation for the next semiconductor manufacturing process is being started (step S104: YES), product countermeasures are performed. Command stop signal S2 is output to operation control device 140 (Step S105). When the preparation for the next semiconductor manufacturing process is not in progress (step S104: NO), the control device 105 proceeds to step S106 and confirms whether or not the product countermeasure state signal S3 is received from the operation control device 140. . When the product countermeasure state signal S3 is received from the operation control device 140 (step S106: YES), the process returns to step S104.

また、運転制御装置140から生成物対策状態信号S3を受信していない場合(ステップS106:NO)、制御装置105はステップS107に移行して、運転制御装置140からポンププロセス可能状態信号S3を受信しているかを確認する。運転制御装置140からポンププロセス可能状態信号S3を受信している場合(ステップS107:YES)、制御装置105は開信号を電磁弁10に出力して電磁弁110を開状態として(ステップS108)、ステップS101に戻る。   If the product countermeasure state signal S3 is not received from the operation control device 140 (step S106: NO), the control device 105 proceeds to step S107 and receives the pump process possible state signal S3 from the operation control device 140. Make sure that When the pump process possible state signal S3 is received from the operation control device 140 (step S107: YES), the control device 105 outputs an open signal to the electromagnetic valve 10 to open the electromagnetic valve 110 (step S108). Return to step S101.

次に、上述の図7を用いて説明した概要動作において、運転制御装置140内の運転制御部150において実行される真空ポンプ120の生成物対策運転に対する制御処理の具体例について図9に示すフローチャートを参照して説明する。   Next, in the outline operation described with reference to FIG. 7 described above, a specific example of the control process for the product countermeasure operation of the vacuum pump 120 executed in the operation control unit 150 in the operation control device 140 is shown in the flowchart of FIG. Will be described with reference to FIG.

図9において、運転制御部150は、半導体製造装置100内の制御装置105から生成物対策指令信号S2を受信しているかを確認する(ステップS201)。制御装置105から生成物対策指令信号S2を受信している場合(ステップS201:YES)、運転制御部150は記憶部(図示せず)に記憶する生成物対策運転の運転シーケンス等に従って真空ポンプ120の停止シーケンスを実行し(ステップS202)、続いて、真空ポンプ120の起動シーケンスを実行する(ステップS203)。   In FIG. 9, the operation control unit 150 confirms whether or not the product countermeasure command signal S2 is received from the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 (step S201). When the product countermeasure command signal S2 is received from the control device 105 (step S201: YES), the operation control unit 150 follows the operation sequence of the product countermeasure operation stored in the storage unit (not shown) and the like. The stop sequence is executed (step S202), and then the startup sequence of the vacuum pump 120 is executed (step S203).

ここで、真空ポンプ120の停止シーケンスの具体例について、図10を参照して説明する。図10は運転制御部150において実行される停止制御パターンの一例を示す図である。   Here, a specific example of the stop sequence of the vacuum pump 120 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a stop control pattern executed in the operation control unit 150.

運転制御部150の記憶部(図示せず)には、図10に示すような停止制御パターン(真空ポンプ120を停止制御するためのタイミングパターン)が記憶されているものとする。運転制御部150は、生成物対策指令信号S2を受信して停止シーケンスを起動すると、運転制御部150に内蔵されるタイマー(図示せず)を利用して、図10に示す停止制御パターンに従って真空ポンプ120のON、OFF、すなわち、ポンプ停止開始から時間t1が経過するまで真空ポンプ120をOFF、時間t1が経過したら時間t2が経過するまで真空ポンプ120をONにする動作を繰り返すポンプ停止制御パターンを実行する。これにより真空ポンプ120のポンプロータ(図2のルーツロータ2、2、又は、図4のスクリューロータ32a、32b)の回転と停止を繰り返し実行させる。この場合、例えば、停止、正転の順にポンプロータが駆動されるようにタイマーのパターンが設定されている。一対のポンプロータが正方向へ回転すると、一対のポンプロータのうち一方はある方向(例えば、右回り)に回転し、他方は反対方向(例えば、左回り)に回転する。   It is assumed that a stop control pattern (a timing pattern for stopping the vacuum pump 120) as shown in FIG. 10 is stored in the storage unit (not shown) of the operation control unit 150. When the operation control unit 150 receives the product countermeasure command signal S2 and starts the stop sequence, the operation control unit 150 uses a timer (not shown) built in the operation control unit 150 to vacuum according to the stop control pattern shown in FIG. Pump stop control pattern in which the pump 120 is turned on and off, that is, the vacuum pump 120 is turned off until the time t1 elapses from the pump stop start, and the vacuum pump 120 is turned on until the time t2 elapses after the time t1 elapses. Execute. Thereby, the rotation and stop of the pump rotor of the vacuum pump 120 (the root rotors 2 and 2 in FIG. 2 or the screw rotors 32a and 32b in FIG. 4) are repeatedly executed. In this case, for example, the timer pattern is set so that the pump rotor is driven in the order of stop and forward rotation. When the pair of pump rotors rotate in the forward direction, one of the pair of pump rotors rotates in a certain direction (for example, clockwise), and the other rotates in the opposite direction (for example, counterclockwise).

上記のように、真空ポンプ120の停止シーケンスにより、ポンプロータを停止させた後、一旦運転して再度ポンプロータを回転させることにより、ポンプロータ(図2のルーツロータ2、2、又は、図4のスクリューロータ32a、32b)とケーシング(図2のケーシング1、又は、図4のケーシング30)との間等に真空ポンプ120の温度低下とともに析出する生成物に対し、ポンプロータの力を加えることができる。その結果、収縮に伴う生成物の噛み込みを防止することができるとともに、生成物を除去するので、真空ポンプ120の起動をスムーズに行うことが可能になる。   As described above, after the pump rotor is stopped by the stop sequence of the vacuum pump 120, the pump rotor (the root rotor 2, 2, or FIG. 4 of FIG. The force of the pump rotor can be applied to the product that precipitates with the temperature drop of the vacuum pump 120 between the screw rotors 32a and 32b) and the casing (the casing 1 in FIG. 2 or the casing 30 in FIG. 4). it can. As a result, it is possible to prevent biting of the product due to shrinkage and to remove the product, so that the vacuum pump 120 can be started up smoothly.

次いで、真空ポンプ120の起動シーケンスの具体例について説明する。   Next, a specific example of the startup sequence of the vacuum pump 120 will be described.

運転制御部150の記憶部(図示せず)には、起動制御パターン(真空ポンプ120を起動制御するためのタイミングパターン)が記憶されているものとする。運転制御部150は、上記停止シーケンスが終了すると、運転制御部150に内蔵されるタイマー(図示せず)を利用して、正転、停止、正転の順にポンプロータ(図2のルーツロータ2、2、又は、図4のスクリューロータ32a、32b)を駆動するように制御する。一対のポンプロータが正方向へ回転すると、一対のポンプロータのうち一方はある方向(例えば、右回り)に回転し、他方は反対方向(例えば、左回り)に回転する。   It is assumed that an activation control pattern (timing pattern for activation control of the vacuum pump 120) is stored in a storage unit (not shown) of the operation control unit 150. When the stop sequence ends, the operation control unit 150 uses a timer (not shown) built in the operation control unit 150 to perform forward rotation, stop, and normal rotation in the order of the pump rotor (the root rotor 2, FIG. 2). 2 or the screw rotors 32a and 32b) of FIG. 4 are controlled to be driven. When the pair of pump rotors rotate in the forward direction, one of the pair of pump rotors rotates in a certain direction (for example, clockwise), and the other rotates in the opposite direction (for example, counterclockwise).

このように、真空ポンプ120の起動シーケンスにより、ポンプロータを回転させた後、一旦停止し、再度ポンプロータを回転させることにより、ポンプロータ(図2のルーツロータ2、2、又は、図4のスクリューロータ32a、32b)とケーシング(図2のケーシング1、又は、図4のケーシング30)との間等に堆積した生成物にポンプロータの力を加えることができる。その結果、例えば、固形化した生成物を脆くすることができ、真空ポンプ120を起動させることが可能になる。   As described above, after the pump rotor is rotated by the startup sequence of the vacuum pump 120, the pump rotor is temporarily stopped, and then the pump rotor is rotated again, whereby the pump rotor (the root rotor 2, 2 in FIG. 2 or the screw in FIG. The force of the pump rotor can be applied to the product accumulated between the rotors 32a and 32b) and the casing (the casing 1 in FIG. 2 or the casing 30 in FIG. 4). As a result, for example, the solidified product can be made brittle, and the vacuum pump 120 can be started.

ステップS202の停止シーケンス及びステップS203の起動シーケンスが終了すると、運転制御部150は、半導体製造装置100の制御装置105から生成物対策停止指令信号S2を受信しているかを確認する(ステップS204)。生成物対策停止指令信号S2を受信していない場合(ステップS204:NO)、運転制御部150はステップS205に移行して、生成物対策運転の継続を判定する。運転制御部150は、生成物対策運転を継続すると判定した場合は(ステップS205:YES)、ステップS202に戻り、生成物対策運転を継続しないと判定した場合は(ステップS205:NO)、真空ポンプ120の生成物対策運転を停止してステップS206に移行する。なお、生成物対策運転の継続の判定基準は、例えば、予めプログラムされた回数分の生成物対策運転を実施しているか、もしくは半導体製造装置100の制御装置105から生成物対策停止指令信号S2を受信しているか等としてもよい。   When the stop sequence in step S202 and the start sequence in step S203 are completed, the operation control unit 150 confirms whether or not the product countermeasure stop command signal S2 is received from the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 (step S204). When the product countermeasure stop command signal S2 has not been received (step S204: NO), the operation control unit 150 proceeds to step S205 and determines the continuation of the product countermeasure operation. When it is determined that the product countermeasure operation is continued (step S205: YES), the operation control unit 150 returns to step S202, and when it is determined that the product countermeasure operation is not continued (step S205: NO), the vacuum pump The product countermeasure operation at 120 is stopped and the process proceeds to step S206. Note that the determination criterion for the continuation of the product countermeasure operation is, for example, whether the product countermeasure operation is performed a preprogrammed number of times, or the product countermeasure stop command signal S2 is received from the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100. It may be received or not.

また、ステップS204において、生成物対策停止指令信号S2を受信している場合(ステップS204:YES)、運転制御部150は真空ポンプ120の生成物対策運転を停止してステップS206に移行する。ステップS206において、運転制御部150は真空ポンプ120がポンププロセス可能状態(通常運転可能状態)であるかを判定する。ポンププロセス可能状態(通常運転可能状態)であると判定した場合(ステップS206:YES)、運転制御部150はステップS207に移行して、ポンププロセス可能状態信号S3を半導体製造装置100の制御装置105に出力し、生成物対策運転に対する制御処理を終了する。なお、ポンププロセス可能状態の判定基準は、例えば、真空ポンプ120の回転数が定格回転数に上昇したこと等としてもよい。   In step S204, when the product countermeasure stop command signal S2 is received (step S204: YES), the operation control unit 150 stops the product countermeasure operation of the vacuum pump 120 and proceeds to step S206. In step S <b> 206, the operation control unit 150 determines whether the vacuum pump 120 is in a pump process enabled state (normal operation enabled state). When it is determined that the pump process is possible (normal operation is possible) (step S206: YES), the operation control unit 150 proceeds to step S207 and sends the pump process feasible state signal S3 to the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100. To finish the control process for the product countermeasure operation. The criteria for determining the pump process possible state may be, for example, that the rotational speed of the vacuum pump 120 has increased to the rated rotational speed.

以上のように、本発明の第1の実施形態に係る運転制御装置140では、半導体製造装置100からの生成物対策指令に応じて真空ポンプ120の生成物対策運転(停止シーケンス及び起動シーケンス等)を実行するようにした。また、半導体製造装置100は、真空ポンプ120の生成物対策運転中は真空ポンプ120との間に配置された電磁弁10を閉じるようにした。したがって、半導体製造装置において排気プロセスを伴わない半導体製造工程を実行中、真空ポンプ120内に生成物が堆積していたとき、または、定期的に、運転期間中でも真空ポンプ120のケーシングとポンプロータとの間等に堆積した生成物を吐き出す運転を実行することができ、半導体製造工程中の真空ポンプ120の無駄な運転を減少させることができるとともに、真空ポンプ120のオーバーホール期間を延長させることが可能になる。また、真空ポンプ120の生成物対策運転中は、電磁弁110が閉じられているため、生成物対策運転が半導体製造装置100の半導体製造工程を妨げることを防止するこが可能になる。さらに、第1の実施形態に係る運転制御装置140は、自身のポンププロセス可能状態(通常運転可能状態)信号S3を半導体製造装置100内の制御装置105に出力し、半導体製造装置100内の制御装置105はポンププロセス可能状態信号S3の受信を確認してから電磁弁110を開けるため、生成物対策運転終了前に電磁弁110を開けてしまうといったことを確実に防止することができ、真空ポンプ120の信頼性を向上させることができる。さらに、半導体製造装置100内の制御装置105は、次工程プロセス準備を開始する場合は、直ちに生成物対策停止指令信号S2を運転制御装置140に対して出力し、上述のポンププロセス可能状態(通常運転可能状態)信号S3の受信を確認してから、次工程プロセスへ移行する動作(電磁弁110を開ける動作)を実行するため、半導体製造工程の信頼性も向上させることができる。   As described above, in the operation control device 140 according to the first embodiment of the present invention, the product countermeasure operation (stop sequence, start sequence, etc.) of the vacuum pump 120 in accordance with the product countermeasure command from the semiconductor manufacturing apparatus 100. Was made to run. Further, the semiconductor manufacturing apparatus 100 is configured to close the electromagnetic valve 10 disposed between the vacuum pump 120 and the vacuum pump 120 during the product countermeasure operation. Therefore, during the semiconductor manufacturing process that does not involve the exhaust process in the semiconductor manufacturing apparatus, when the product is accumulated in the vacuum pump 120, or regularly, even during the operation period, the casing of the vacuum pump 120 and the pump rotor It is possible to perform an operation of discharging the product deposited during the period of time, and it is possible to reduce the unnecessary operation of the vacuum pump 120 during the semiconductor manufacturing process and to extend the overhaul period of the vacuum pump 120. become. Further, since the solenoid valve 110 is closed during the product countermeasure operation of the vacuum pump 120, it is possible to prevent the product countermeasure operation from interfering with the semiconductor manufacturing process of the semiconductor manufacturing apparatus 100. Furthermore, the operation control apparatus 140 according to the first embodiment outputs its own pump process possible state (normal operation possible state) signal S3 to the control apparatus 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100, and controls in the semiconductor manufacturing apparatus 100. Since the device 105 opens the electromagnetic valve 110 after confirming the reception of the pump process possible state signal S3, it is possible to reliably prevent the electromagnetic valve 110 from being opened before the end of the product countermeasure operation. The reliability of 120 can be improved. Further, when starting the preparation for the next process, the control device 105 in the semiconductor manufacturing apparatus 100 immediately outputs the product countermeasure stop command signal S2 to the operation control device 140, so that the above-described pump process possible state (normally) (Operation ready state) After confirming the reception of the signal S3, an operation to move to the next process (operation to open the electromagnetic valve 110) is executed, so that the reliability of the semiconductor manufacturing process can be improved.

なお、上記第1の実施形態では、真空ポンプ120の生成物対策運転として、真空ポンプ120の停止と運転を繰り返す停止シーケンスと起動シーケンスを実行する場合を説明したが、これらの運転シーケンスに限るものではなく、例えば、真空ポンプ120の回転数を低回転に落とすアイドリング運転シーケンスを実行するようにしてもよい。このアイドリング運転シーケンスでは、例えば、半導体製造装置100から生成物対策指令信号S2を受信した後、真空ポンプ120の回転数を徐々に落として所望のアイドリング状態に移行し、所定期間アイドリング運転を継続した後、徐々に通常の回転数に上昇させるといった運転シーケンス等を実行するようにしてもよい。このようなアイドリング運転シーケンスを実行することにより、半導体製造装置100が排気を伴うプロセスに移行する際に、真空ポンプ120を直ちに通常運転状態に復帰させることが可能になる。   In the first embodiment, as the product countermeasure operation of the vacuum pump 120, the stop sequence and the start sequence for repeating the stop and operation of the vacuum pump 120 have been described. However, the operation is limited to these operation sequences. Instead, for example, an idling operation sequence in which the rotation speed of the vacuum pump 120 is reduced to a low rotation may be executed. In this idling operation sequence, for example, after receiving the product countermeasure command signal S2 from the semiconductor manufacturing apparatus 100, the rotational speed of the vacuum pump 120 is gradually decreased to shift to a desired idling state, and the idling operation is continued for a predetermined period. Thereafter, an operation sequence such as gradually increasing to a normal rotation speed may be executed. By executing such an idling operation sequence, the vacuum pump 120 can be immediately returned to the normal operation state when the semiconductor manufacturing apparatus 100 shifts to a process involving exhaust.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る運転制御装置では、真空ポンプのケーシングの温度、モータの電流、回転数、電力等を検出し、真空ポンプのメンテナンス条件を判定した後、上記第1の実施形態の図9及び図10において示した各制御処理を実行することに特徴がある。なお、第2の実施形態に係る運転制御装置、半導体製造装置、真空ポンプの各構成は、上記第1の実施形態において説明した構成と同様であるため、その図示及び構成説明は省略する。このため、第2の実施形態では、半導体製造装置100の制御装置105において実行される真空ポンプ120に対する制御処理の具体例と、運転制御装置140内の運転制御部150において実行される真空ポンプ120の生成物対策運転に対する制御処理の具体例について図11及び図12に示すフローチャートを参照して説明する。
する。
(Second Embodiment)
In the operation control apparatus according to the second embodiment of the present invention, the temperature of the casing of the vacuum pump, the current of the motor, the number of revolutions, the electric power, etc. are detected and the maintenance conditions of the vacuum pump are determined, and then the first embodiment described above. Each of the control processes shown in FIG. 9 and FIG. In addition, since each structure of the operation control apparatus which concerns on 2nd Embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus, and a vacuum pump is the same as the structure demonstrated in the said 1st Embodiment, the illustration and structure description are abbreviate | omitted. Therefore, in the second embodiment, a specific example of control processing for the vacuum pump 120 executed in the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 and the vacuum pump 120 executed in the operation control unit 150 in the operation control device 140. A specific example of the control process for the product countermeasure operation will be described with reference to the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12.
To do.

図11は第2の実施形態に係る半導体製造装置100の制御装置105において実行される真空ポンプ120に対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。なお、図11において、上述の図8に示したフローチャート内のステップと同一のステップには同一のステップ番号を付しており、その動作説明は省略する。   FIG. 11 is a flowchart showing a specific example of control processing for the vacuum pump 120 executed in the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment. In FIG. 11, the same steps as those in the flowchart shown in FIG. 8 described above are denoted by the same step numbers, and the description of the operation is omitted.

図11において、半導体製造装置100の制御装置105は、運転制御装置140からメンテ信号S3を受信しているかを確認する(ステップS301)。運転制御装置140からメンテ信号S3を受信している場合(ステップS301:YES)、制御装置105はステップS101以降の処理を実行する。   In FIG. 11, the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 confirms whether or not the maintenance signal S3 is received from the operation control device 140 (step S301). When the maintenance signal S3 is received from the operation control device 140 (step S301: YES), the control device 105 executes the processing after step S101.

図12は第2の実施形態に係る運転制御装置140内の運転制御部150において実行される真空ポンプ120の生成物対策運転に対する制御処理の具体例を示すフローチャートである。なお、図12において、上述の図9に示したフローチャート内のステップと同一のステップには同一のステップ番号を付しており、その動作説明は省略する。   FIG. 12 is a flowchart showing a specific example of the control process for the product countermeasure operation of the vacuum pump 120 executed in the operation control unit 150 in the operation control apparatus 140 according to the second embodiment. In FIG. 12, the same steps as those in the flowchart shown in FIG. 9 described above are denoted by the same step numbers, and the description of the operation is omitted.

図12において、運転制御装置140内の運転制御部150は、真空ポンプ120のケーシング(図2のケーシング1、又は、図4のケーシング30)の温度、モータ(図2のモータM、又は、図4のモータ部20)の電流、回転数、電力等を検出し、これらの検出値と運転制御部150に予め記憶されたメンテナンス条件の基準値とを比較し、当該真空ポンプ120がメンテナンス時期にあるかを判定する(ステップS401)。真空ポンプ120がメンテナンス時期にあると判定した場合はメンテナンス信号S3を半導体製造装置100の制御装置105に出力して(ステップS401:YES)、運転制御部150はステップS201以降の処理を実行する。   In FIG. 12, the operation control unit 150 in the operation control device 140 includes the temperature of the casing of the vacuum pump 120 (the casing 1 in FIG. 2 or the casing 30 in FIG. 4), the motor (the motor M in FIG. 2 or the figure). 4, the current, rotation speed, power, etc. of the motor unit 20) are detected, and these detected values are compared with the reference values of the maintenance conditions stored in advance in the operation control unit 150. It is determined whether or not there is (step S401). When it is determined that the vacuum pump 120 is in the maintenance period, the maintenance signal S3 is output to the control device 105 of the semiconductor manufacturing apparatus 100 (step S401: YES), and the operation control unit 150 executes the processes after step S201.

以上のように、本発明の第2の実施形態に係る運転制御装置140では、真空ポンプのメンテナンス時期を判定してから、生成物対策運転を実行するようにしたため、真空ポンプの生成物対策運転を更に効率良く行うことができ、真空ポンプのオーバーホール期間を更に延長させることが可能になる。なお、真空ポンプ120のメンテナンス時期の判定は、上述したケーシングの温度、モータの電流、回転数、電力等の検出値に限定するものではない。例えば、真空ポンプ120のケーシング内に生成物の堆積状態を検出するセンサを設け、このセンサの検出信号によりメンテナンス時期を判定するようにしてもよい。また、真空ポンプ120の運転状態により経時的に変化する振動モードを検出してメンテナンス時期の判定基準としてもよい。   As described above, in the operation control apparatus 140 according to the second embodiment of the present invention, the product countermeasure operation is executed after the maintenance time of the vacuum pump is determined, and therefore the product countermeasure operation of the vacuum pump is performed. Can be performed more efficiently, and the overhaul period of the vacuum pump can be further extended. The determination of the maintenance time of the vacuum pump 120 is not limited to the detected values such as the casing temperature, the motor current, the rotation speed, and the electric power described above. For example, a sensor for detecting the accumulation state of the product may be provided in the casing of the vacuum pump 120, and the maintenance time may be determined based on the detection signal of this sensor. Alternatively, a vibration mode that changes with time depending on the operating state of the vacuum pump 120 may be detected and used as a criterion for determining the maintenance time.

100…半導体製造装置、110…電磁弁、120…真空ポンプ、130…モータ、140…運転制御装置、150…運転制御部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Semiconductor manufacturing apparatus, 110 ... Solenoid valve, 120 ... Vacuum pump, 130 ... Motor, 140 ... Operation control apparatus, 150 ... Operation control part.

Claims (14)

半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプにおいて、
前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、生成物対策運転を制御する運転制御部を備えることを特徴とする真空ポンプ。
In a vacuum pump for exhausting the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by a control device of the semiconductor manufacturing apparatus
When receiving the signal output in response to the control of the solenoid valve in the closed from the control device, wherein the vacuum pump comprises a driving control unit for controlling the product measures operation.
前記運転制御部は、前記真空ポンプの運転状態を検出し、当該真空ポンプの運転状態により前記生成物対策運転時期を判定し、当該生成物対策運転時期に前記制御装置から前記信号を受信した場合に前記生成物対策運転を制御することを特徴とする請求項1に記載の真空ポンプ。 The operation control unit is configured to detect the operating state of the vacuum pump, the by the operating state of the vacuum pump to determine the product countermeasure operation timing, No. before relaxin before Symbol control device to the product measures the operating timing The vacuum pump according to claim 1, wherein the product countermeasure operation is controlled when the signal is received. 前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの運転/停止を繰り返す運転シーケンスを実行することを特徴とする請求項1又は2に記載の真空ポンプ。   The vacuum pump according to claim 1, wherein the operation control unit executes an operation sequence that repeats operation / stop of the vacuum pump as the product countermeasure operation. 前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの停止シーケンスを実行することを特徴とする請求項1又は2に記載の真空ポンプ。   The vacuum pump according to claim 1, wherein the operation control unit executes a stop sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. 前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの起動シーケンスを実行することを特徴とする請求項1又は2に記載の真空ポンプ。   The vacuum pump according to claim 1, wherein the operation control unit executes a startup sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. 前記運転制御部は、前記生成物対策運転として前記真空ポンプの停止シーケンス及び起動シーケンスを実行することを特徴とする請求項1又は2に記載の真空ポンプ。   The vacuum pump according to claim 1, wherein the operation control unit executes a stop sequence and a start sequence of the vacuum pump as the product countermeasure operation. 半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御装置において、
前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、前記真空ポンプの生成物対策運転を制御する運転制御部を備えることを特徴とする真空ポンプの運転制御装置。
In a vacuum pump operation control apparatus for controlling an operation state of a vacuum pump that exhausts the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by the control apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus .
If the solenoid valve from the control unit receives a signal outputted in response to control of the closed, operation control of the vacuum pump, characterized in that it comprises an operation control unit for controlling the product measures the operation of the vacuum pump apparatus.
半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御方法において、
前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合、生成物対策運転シーケンスに従って前記真空ポンプの生成物対策運転を制御することを特徴とする真空ポンプの運転制御方法。
In a vacuum pump operation control method for controlling an operating state of a vacuum pump that exhausts the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by a control device of the semiconductor manufacturing apparatus .
When receiving the signal output in response to the control of the solenoid valve in the closed from the control device, the operation of the vacuum pump and controlling the product measures the operation of the vacuum pump according to product protection operation sequence Control method.
半導体製造装置のチャンバ内を、前記半導体製造装置の制御装置によって開閉が制御される電磁弁が設けられた排気経路を介して排気する真空ポンプの運転状態を制御する真空ポンプの運転制御方法において、
前記真空ポンプの運転状態を検出し、
前記真空ポンプの運転状態により前記真空ポンプの生成物対策運転時期を判定し、
前記制御装置から前記電磁弁を閉にする制御に応じて出力される信号を受信した場合に、生成物対策運転シーケンスに従って前記真空ポンプの生成物対策運転を制御することを特徴とする真空ポンプの運転制御方法。
In a vacuum pump operation control method for controlling an operating state of a vacuum pump that exhausts the inside of a chamber of a semiconductor manufacturing apparatus through an exhaust path provided with an electromagnetic valve whose opening and closing is controlled by a control device of the semiconductor manufacturing apparatus .
Detecting the operating state of the vacuum pump;
Determine the product countermeasure operation timing of the vacuum pump according to the operating state of the vacuum pump,
A product control operation of the vacuum pump is controlled according to a product countermeasure operation sequence when a signal output in response to a control for closing the solenoid valve is received from the control device. Operation control method.
前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの運転/停止を繰り返すことを特徴とする請求項8又は9に記載の真空ポンプの運転制御方法。   10. The operation control method for a vacuum pump according to claim 8, wherein the product countermeasure operation sequence repeats operation / stop of the vacuum pump. 前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの停止シーケンスを実行することを特徴とする請求項8又は9に記載の真空ポンプの運転制御方法。   10. The operation control method for a vacuum pump according to claim 8, wherein the product countermeasure operation sequence executes a stop sequence of the vacuum pump. 前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの起動シーケンスを実行することを特徴とする請求項8又は9に記載の真空ポンプの運転制御方法。   The vacuum pump operation control method according to claim 8 or 9, wherein the product countermeasure operation sequence executes a startup sequence of the vacuum pump. 前記生成物対策運転シーケンスは、前記真空ポンプの停止シーケンス及び起動シーケンスを実行することを特徴とする請求項8又は9に記載の真空ポンプの運転制御方法。   The operation control method for a vacuum pump according to claim 8 or 9, wherein the product countermeasure operation sequence executes a stop sequence and a start sequence of the vacuum pump. 前記真空ポンプの生成物対策運転に移行する前に、前記電磁弁を閉じることを特徴とする請求項8乃至13のいずれか一項に記載の真空ポンプの運転制御方法。
Wherein before moving to product protection operation of the vacuum pump, the operation control method for a vacuum pump according to any one of claims 8 to 13, characterized in that closing the front SL electric solenoid valve.
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