JP5544574B2 - 量子カスケードレーザー素子 - Google Patents
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000003362 semiconductor superlattice Substances 0.000 claims description 31
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 25
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 35
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 25
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3401—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers having no PN junction, e.g. unipolar lasers, intersubband lasers, quantum cascade lasers
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2302/00—Amplification / lasing wavelength
- H01S2302/02—THz - lasers, i.e. lasers with emission in the wavelength range of typically 0.1 mm to 1 mm
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0035—Simulations of laser characteristics
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0215—Bonding to the substrate
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
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Description
[1 THz−QCL素子の動作とその改良]
まず、THz領域の電磁波を放出するLOフォノン散乱アシストタイプの量子カスケードレーザー素子(THz−QCL素子)の動作原理と本実施形態における改良の原理を説明する。
図1は、本実施形態のTHz−QCL素子1000の構成の概要を示す斜視図(図1(a))、拡大断面図(図1(b))およびさらなる部分拡大断面図(図1(c))である。典型的なTHz−QCL素子1000(図1(a))は、概して、一対の電極20、30と、その間に形成された半導体超格子構造であるQCL構造100とにより構成されている。電極20、30は、QCL構造100に対し電界を形成するための電圧と放出(発光)のための電流とを受けるために利用される。また、電極20、30は、表面プラズモンによるキャビティ構造を利用する光閉じ込めの作用をも発揮する。QCL構造100は活性領域10を備えている。THz−QCL素子1000は、一対の電極20、30の間に電圧が印加された際に活性領域10に形成される一のサブバンドからそれより下位のエネルギーを有する別のサブバンドに電子が遷移することによりTHz領域の電磁波2000を放出するように動作する。図1のTHz−QCL素子1000は、レセプター基板40(以下、「レセプター40」という)に電極30が形成されている。
本願の発明者らは、LOフォノン散乱アシストタイプのTHz−QCLにおいて閾値電流密度Jthや最高動作温度Tmaxを支配する機構を解析したところ、LOフォノンの作用には、準位L2から準位L1へ電子を引き抜く以外にも、別の作用があることに気づいた。最高動作温度Tmaxおよび閾値電流密度Jthに影響するのは、特に次の二つの作用である。
熱励起電子のフォノン媒介リークを低減するために本願の発明者らが着目したのは、LOフォノンのエネルギーELOの値を変更するように、QCL構造100の材質を変更することである。端的には、QCL構造100の材質は、電磁波を放出する動作時の電圧が印加された際に、
ELO>kBT+E32
を満足するように構成される。ここで、ELOは新たな設計のQCL構造100の内部に励起されうるLOフォノンのエネルギー、E32は上位レーザー準位および下位レーザー準位それぞれの最小エネルギー値の差つまりE3−E2、そして、Tは動作温度(単位:K)である。
ELO>kBTelectron+E32
を満足するように構成される。ただし、Telectronは電子温度(単位:K)である。これらの構成により、上位レーザー準位である準位L3において熱励起された電子が、LOフォノンとの間における電子−フォノン散乱により媒介され、準位L3から下位レーザー準位である準位L2へと非発光遷移する確率が低減される。ここで、LOフォノンのエネルギーELOの値を増大させれば、準位L3から準位L2へと電子が非発光遷移しリークする確率が一層低減される。さらに、ELOの値を増大させれば、熱励起されるエネルギーの指標kBTelectronが増大しても、非発光遷移してリークが生じにくくなる。このため、ELOの値を増大することができれば、上記QCLの最高動作温度Tmaxが高温化される。
上述したLOフォノンのエネルギーELOの値を単に増大させるだけでは、サーマルバックフィリングには特段影響がない。これは、準位L1から準位L2に励起される電子に対し直接的にはLOフォノンのエネルギーELOが影響しないためである。ところが、準位L2と準位L1の最小エネルギーの差E21を、LOフォノンのエネルギーELOとの間で、準位L2から準位L1に電子引き抜きを良好に行なうための条件を満たすように維持することにより、このサーマルバックフィリングによる影響を低減することが可能となる。すなわち、サーマルバックフィリングは、準位L1から準位L2への熱的な電子の励起によるものであるため、ELOの増大に応じE21も増大するようにQCL構造100の設計を変更することにより、サーマルバックフィリングを低減することが可能となる。
上述した改良の思想を反映し、本実施形態においては、LOフォノンのエネルギーELO増大を目指すための手段としてQCL構造100の活性領域10を構成する材料が従来のものから変更される。そして、それに伴いQCL構造100の設計も変更または調整される。
具体的な本実施形態の手段は、エネルギーELOを増大させるように、活性領域10におけるアルミニウムAlを増大させる。LOフォノンのエネルギーELOを、GaAsのみの組成(従来のウェル層)と、Al0.15Ga0.85As程度、つまり原子数比で0.15程度Alを含むGaAsとAlAsの混晶の組成(従来のバリア層)の組合せにおいて、Alを増大させるのである。ここで、GaAsのLOフォノンのエネルギーは、約36meVであり、従来のウェル層/従来のバリア層の組成が、GaAs/Al0.15Ga0.85Aに対しても、LOフォノンのエネルギーは、約36meVとなる。これに対して、AlAsのLOフォノンのエネルギーは約44meVである。そして、活性領域10においてAlが増加されるのは、一つにはバリア層10Bであり、もう一つはウェル層10Wである。特に、図2(a)に示したように、単位構造10Uのうち層の割合が多いのはウェル層10Wであるため、ウェル層10Wの組成にアルミニウムAlを導入することにより、LOフォノンのエネルギーを約44meVの値に近づけることが可能となり有効である。したがって、本実施形態のTHz−QCL素子1000の活性領域10では、特にウェル層10WにアルミニウムAlを導入しLOフォノンのエネルギーの値をこれまで以上に増大させる。
本実施形態のTHz−QCL素子1000においては、単に活性領域10のAlを増大させるだけではなく、その設計も従来のものから変更または調整される。図5は、xy面でのエネルギー分散関係の説明図である。図5(a)は従来のエネルギー分散関係を示し、図5(b)は本実施形態のエネルギー分散関係を示す。材質の変更に伴い、各準位の電子の有効質量などの細部が変化するが、ここでは図示していない。図5(b)を図5(a)と対比することにより分かるように、THz−QCL素子1000においては、材料変更により増大されたエネルギーELOにあわせ、準位L2と準位L1の間を拡げるように設計が変更される。
ELO≧E21
の関係を満足するようにQCL構造100が構成されている。従来のTHz-QCL(図示しない)であれば、ELOは約36meV(GaAsの値)付近である。このLOフォノンによる準位L2からの電子の引き抜きは、準位L2を占有している電子を可能な限り素早く準位L1に遷移させる作用により実現される。本実施形態のTHz−QCL素子1000においても、この目的のために、準位L2と準位L1との間のエネルギー差E21をQCL構造100におけるフォノンのエネルギーELOに一致させるように、または、ELOよりわずかに小さくなるように、半導体超格子構造100Aの設計が変更または調整される。
本願の発明者らは、上述した材質変更と設計変更により、意図通りにレーザー発振の最高動作温度Tmaxが増大するか、また、閾値電流密度Jthが減少するかどうかを、理論計算により確かめた。
レート方程式に用いる各パラメータと閾値電流密度Jthの関係は、
である。ここで、ε0は真空の誘電率、eは電子の電荷量、Γは光閉じ込め因子(optical confinement factor)、Z32は準位L3と準位L2の間の双極子行列要素(dipole matrix element)、λは電磁波の真空中での波長、nは波長λの電磁波に対する屈折率、Lは単位構造10Uの厚み、αwはミラーのロス、αMは導波路のロス、γ32は準位L3と準位L2の間のレーザー遷移における線幅(半値全幅)、τ3は準位L3にある電子の寿命、τ2は準位L2にある電子の寿命、そして、τ32は準位L3にある電子が準位L2へサブバンド間遷移する寿命である。
が成り立つ。ここで、τe−eは電子−電子散乱の時定数(または平均寿命、以下「散乱時間」と記す)であり、τthermalLOは、熱励起電子のフォノン媒介リークの散乱時間である。そして、GaAsにAlを導入する材料系では、τe−eは無視しうるほど長いのに対しτthermalLOは短いため、準位L3から準位L2への寿命については、熱励起電子のフォノン媒介リークのτthermalLOにより支配される。そしてτthermalLOは、
により与えられる。ここで、τLOは、運動エネルギーがELO−E32であるような電子に対するLOフォノン散乱の散乱時間である。τelectronおよびτLOは、理論曲線が実験結果を説明するように決定されるフィッティングパラメータとされる。
の関係が成立する。ここで、hバーはプランク定数hを2πで除した量、ωLOは、LOフォノンの角振動数である。Tlatticeは結晶格子の温度である。ELOはLOフォノンのエネルギーであり、hバー×ωLOと同じである。格子の温度Tlatticeはヒートシンク温度と同一とする。
の関係により決定される。ここで、nはキャリア(電子)の濃度、qは、キャリア(電子)の電荷量であり、電荷素量eと同一である。理論上は、最高動作温度Tmaxは、JMAX−Jthが非負である範囲として決定される。つまり、THz−QCL素子1000は、レーザ発振において流すことが可能な電流密度の最大値Jmaxを、温度によって変化する閾値電流密度Jthが超えない場合に限り、動作することが可能である。
次に、レート方程式によるレーザー動作の計算結果について説明する。数値計算の内容は、(1)バリア層のみにAlを増加させた材質変更と(2)ウェル層とバリア層の両方にAlを増加させた材質変更とのそれぞれに対する各温度での閾値電流密度Jthである。閾値電流密度Jthを各温度で求めれば、閾値電流密度Jthの組成依存性ばかりか、最高動作温度Tmaxについての情報も得られるためである。図7は、活性領域10の組成を変更した場合の閾値電流密度Jthの数値計算結果の詳細なグラフである。変更した活性領域10の組成を、ウェル層10W/バリア層10Bの組成により示すと、図7(a)は、GaAs/AlxGa1−xAsにおいて、Alの組成比xを、x=0.15〜0.95の範囲で0.1刻みに変化させたもの、およびx=1としたものであり、図7(b)は、AlxGa1−xAs/AlyGa1−yAsにおいて、y=x+0.2を保ってAlの組成比xをx=0.2〜0.8の範囲で0.1刻みに変化させたものである。各図において、凡例ラベルは、(ウェル層におけるAl原子%)−(バリア層におけるAl原子%)としている。図7(a)および図7(b)の横軸は、ヒートシンク温度すなわちTlatticeであり、縦軸は、ウェル層10W/バリア層10Bの組成がGaAs/Al0.15Ga0.85Asである場合の4Kでの値を1とするように正規化した閾値電流密度Jthの高温域の各温度における値である。すなわち、各曲線は、各組成に対して上記のシミュレーション手順を実行し、第2ステップの時点における閾値電流密度Jthをプロットしたものである。また、図8は、図7の数値計算結果から読み取った最高動作温度Tmaxの組成依存性を示すグラフである。この図8は、上記のシミュレーション手順を実行し、第3ステップの時点で数5のTHz−QCL素子1000に流すことができる電流密度の最大値Jmaxが与えられる温度を温度Tmaxとして各組成に対してプロットしたものである。なお、Jmaxは、組成や温度に依存しないため、図7においてJmaxに直線として明示している。
次に、実際にいくつかの条件においてTHz−QCL素子1000を作製しその特性を測定した。
実施作製例として作製したTHz−QCL素子1000の作製方法を説明する。図9、10は実施形態におけるTHz−QCL素子1000の作製時の各時点における素子構造の概略図である。まず、分子線エピタキシー(MBE)装置により各時点の下地となる結晶に対しコヒーレントに結晶成長させることにより、図1(b)に示した半導体超格子構造100Aを形成する。このために、基板50には(100)面方位の単結晶GaAs基板を採用する。また、ES層60(図1(b))を形成する。ES層60は、後に基板50をエッチングにより除去する際に、基板50のためのエッチャントによりエッチングされにくい材質として、Al0.5Ga0.5Asを十分な厚みである600nm堆積させた層である。次に、コンタクト層となる高ドープGaAs層120を形成する。この際、ドーピングにより、電子密度を3×1018cm−3程度に制御しておく。次に、活性領域10を形成する。活性領域10は、図1(c)に示した単位構造10Uの繰り返し構造を形成する。バリア層10Bおよびウェル層10Wの組成は、各サンプルにあわせて調整する。膜厚も、バリア層10Bおよびウェル層10Wの組成にあわせて設計変更されるため、サンプル毎に変化させる。これらの一例を説明すれば、ウェル層10WにAl0.15Ga0.85As、バリア層10BにGaAsを採用する従来の構成を再現するサンプル(図7(a)において最も低温側の曲線に相当するサンプル)においては、具体的には、図1(c)のバリア層10B1〜ウェル層10W4の順に、9.4/2.4/14.8/3.8/6.4/2.4/7.8/5.4(nm)の膜厚に積層する。次いで高ドープGaAs層140が50nm厚に形成される。高ドープGaAs層140は、ドーピングによって、電子密度を5×1018cm−3程度に制御しておく。さらにコンタクト層となるδドープGaAs層160を形成する。δドープGaAs層160は、1nm厚GaAs層とSiのδドープ層の組合せ10セットからなる層である。そして、5nmの低温形成のGaAs層(LTG−GaAs層)180が形成される。さらに、図9(a)に示すように、メタル層30Aが形成される。このメタル層30Aは、積層順に、材質(膜厚)が、Ta(20nm)/Cu(600nm)/Au(100nm)の構成に形成する。
現時点において実験により確認したのは、バリア層の組成を変更した図7(a)に示したもののみである。具体的には、実施作製例のサンプルは、GaAs/AlxGa(1−x)Asにおいて、xを、x=0.15、0.25、0.35と変化させたものである。
次に、上述したように作製した実施作製例のサンプルにより、各温度での正規化した閾値電流密度Jthを測定した。また、図7と同様の手法により求めた理論計算も行なった。図11は、実施作製例のサンプルの測定結果を示すグラフである。図11は、THz−QCL素子の活性層のウェル層/バリア層の組成GaAs/AlxGa(1−x)Asにおいて、x=0.15としたサンプルを実際に動作させた際の電流放出特性(図11(a))と、放出される電磁波のスペクトル(図11(b))である。また、図12は、アルミニウムの組成比xを変更し作製したGaAs/AlxGa(1−x)Asの構成の実施作製例のサンプル(exp.)の特性と理論計算(sim.)の結果を示すグラフである。
[2 他の具体的構成]
上述した本実施形態におけるウェル層10Wやバリア層10Bの材質は、ウェル層10W1〜10W4、およびバリア層10B1〜バリア層10B4のそれぞれで同一としているが本発明がこのような材質の組合せに限定されるものではない。
本実施形態にてGaAs系の材料を採用するTHz−QCL素子1000に即して詳述した技術思想は、他の材料系のQCLにも適用することが可能である。例えば、InP系の化合物半導体を用いるQCLを採用する変形例について説明する。近時のInP系のQCLは、bound-to-continuumタイプにより作製されている。このため、閾値電流密度Jthを予測したり、最高動作温度Tmaxを予測することは容易ではない。これは、bound-to-continuumタイプにおいては、電子−電子散乱により緩和時間が決定されるためである。この場合、閾値電流密度Jthを予測したり、最高動作温度Tmaxを予測するために、LOフォノンのエネルギーや散乱を考慮するだけでは不十分となり、結果を一律に予測することはできない。
100 QCL構造(半導体超格子構造)
100A 半導体超格子構造
10 活性領域
10B、10B1〜10B5 バリア層
10W、10W1〜10W4 ウェル層
10U 単位構造
120、140 高ドープGaAs層
160 δドープGaAs層
20、30 電極
30A、30B メタル層
40 レセプター
50 基板
60 エッチングストッパー層
500 ワックス
L1〜L3 準位
2000 電磁波
Claims (4)
- 一対の電極と該一対の電極に挟まれている半導体超格子構造とを備える量子カスケードレーザー素子であって、
該半導体超格子構造は、前記一対の電極間に電圧が印加された際にTHz領域の電磁波を放出する活性領域を備えており、
該活性領域は、交互に積層されたウェル層とバリア層をいくつか含むある厚みの単位構造を該厚みの向きに繰り返して有しており、
該ウェル層は、AlAsとGaAsとの混晶であるAlxGa1−xAs(ただし、0<x<1)からなるものであり、
前記半導体超格子構造の材質は、前記半導体超格子構造の内部に励起されうる縦光学フォノンのエネルギーELOが、上位レーザー準位の最小エネルギー値E3と下位レーザー準位の最小エネルギー値E2との差であるE32との間で、前記電圧が印加された際に、
ELO>kBT+E32
を満足する材質とされており、
前記半導体超格子構造は、下位レーザー準位の最小エネルギー値E2と引き抜き準位の最小エネルギー値E1との差であるE21が、前記電圧が印加された際に、
E21<ELO
をさらに満足するように構成されている、ただし、Tは動作温度(単位K)、kBはボルツマン定数である、
量子カスケードレーザー素子。 - 前記半導体超格子構造の材質は、前記電磁波を放出する動作時の電圧が印加された際に、
ELO>kBTelectron+E32
ただし、Telectronは電子温度(単位K)
を満足するように決定されており、
これにより、前記上位レーザー準位において熱励起された電子が、縦光学フォノンとの間における電子−フォノン散乱により媒介されて前記上位レーザー準位から前記下位レーザー準位へと非発光遷移する確率が低減されている
請求項1に記載の量子カスケードレーザー素子。 - 前記半導体超格子構造の内部に励起されうる縦光学フォノンのエネルギーである前記ELOが、該半導体超格子構造の前記ウェル層がGaAsから構成されている場合の縦光学フォノンのエネルギーに比べて大きな値である
請求項1に記載の量子カスケードレーザー素子。 - 前記半導体超格子構造が、AlAsからなるエネルギーバリア層
を有するものである
請求項1に記載の量子カスケードレーザー素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011169455A JP5544574B2 (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 量子カスケードレーザー素子 |
PCT/JP2012/069571 WO2013018824A1 (ja) | 2011-08-02 | 2012-08-01 | 量子カスケードレーザー素子 |
CN201280042684.0A CN103797668A (zh) | 2011-08-02 | 2012-08-01 | 量子级联激光元件 |
KR1020147005130A KR20140066174A (ko) | 2011-08-02 | 2012-08-01 | 양자 폭포 레이저 소자 |
US14/236,458 US9025632B2 (en) | 2011-08-02 | 2012-08-01 | Quantum cascade laser element |
EP12819292.9A EP2747221B1 (en) | 2011-08-02 | 2012-08-01 | Quantum cascade laser element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011169455A JP5544574B2 (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 量子カスケードレーザー素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013033867A JP2013033867A (ja) | 2013-02-14 |
JP2013033867A5 JP2013033867A5 (ja) | 2014-03-13 |
JP5544574B2 true JP5544574B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=47629343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011169455A Active JP5544574B2 (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 量子カスケードレーザー素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9025632B2 (ja) |
EP (1) | EP2747221B1 (ja) |
JP (1) | JP5544574B2 (ja) |
KR (1) | KR20140066174A (ja) |
CN (1) | CN103797668A (ja) |
WO (1) | WO2013018824A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6161160B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2017-07-12 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 量子カスケードレーザー素子 |
JP6309094B2 (ja) * | 2014-06-04 | 2018-04-11 | シャープ株式会社 | 量子カスケードレーザ |
CN104410463A (zh) * | 2014-11-25 | 2015-03-11 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一三研究所 | 一种基于量子级联激光器的激光通信方法及系统 |
CN105429001B (zh) * | 2015-10-27 | 2019-06-25 | 西安电子科技大学 | Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 |
JP6371332B2 (ja) * | 2016-05-20 | 2018-08-08 | シャープ株式会社 | 量子カスケードレーザ |
US20200067281A1 (en) * | 2016-10-06 | 2020-02-27 | Christopher CURWEN | Inhomogeneous focusing and broadband metasurface quantum-cascade lasers |
JP7157995B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2022-10-21 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 量子カスケードレーザー素子 |
CN111044481A (zh) * | 2018-10-12 | 2020-04-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 近场显微系统及其搭建方法 |
CN110048302B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-06-19 | 北京工业大学 | 基于超晶格异质结构的垂直腔面发射激光器阵列及其制备方法 |
CN111446623B (zh) * | 2020-02-27 | 2021-05-11 | 电子科技大学 | 一种三端式s型环形量子级联激光器 |
JP7480987B2 (ja) * | 2020-04-06 | 2024-05-10 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 量子カスケードレーザー素子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6829269B2 (en) * | 2002-05-21 | 2004-12-07 | University Of Massachusetts | Systems and methods using phonon mediated intersubband laser |
DE102004009531B4 (de) * | 2004-02-20 | 2007-03-01 | Forschungszentrum Rossendorf E.V. | Quanten-Kaskaden-Laser-Struktur |
JP2010056105A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-08-02 JP JP2011169455A patent/JP5544574B2/ja active Active
-
2012
- 2012-08-01 EP EP12819292.9A patent/EP2747221B1/en active Active
- 2012-08-01 US US14/236,458 patent/US9025632B2/en active Active
- 2012-08-01 WO PCT/JP2012/069571 patent/WO2013018824A1/ja active Application Filing
- 2012-08-01 CN CN201280042684.0A patent/CN103797668A/zh active Pending
- 2012-08-01 KR KR1020147005130A patent/KR20140066174A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2747221A1 (en) | 2014-06-25 |
WO2013018824A1 (ja) | 2013-02-07 |
KR20140066174A (ko) | 2014-05-30 |
CN103797668A (zh) | 2014-05-14 |
US9025632B2 (en) | 2015-05-05 |
US20140153603A1 (en) | 2014-06-05 |
EP2747221B1 (en) | 2020-07-29 |
EP2747221A4 (en) | 2015-07-22 |
JP2013033867A (ja) | 2013-02-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20131206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |