JP5540440B2 - 表示装置、電子機器、及び表示装置用製造方法 - Google Patents
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Description
表示装置の画面上のボタンなど所定の位置を指やペン等の接触体でタッチすると発生するタッチセンサの出力信号を計算機に入力し、計算機によって機器を制御したり、表示装置の表示内容を制御したりすることにより、マンマシン・インターフェイスとして計算機のキーボード、マウス等とともに、利用されている。タッチパネルは現在、携帯情報端末、券売機、現金自動預け払い機(ATM)、カーナビゲーション、コピー機などにおいて実用化されている。
Surface Capacitive型のタッチセンサは、透明基板とその上に形成された、均一な透明導電膜とその上に形成された薄い絶縁膜とで構成される。
コントローラがそれぞれの電流の比を求め、タッチ位置の座標を計算する。Surface Capacitive型のタッチセンサに関する技術については、特許文献1に基本装置が開示されている。
さらに、導電性セグメントを幾何学形状に配置し、セグメント間の抵抗網を表す同時線型方程式の系を反復修正することによって最適な幾何学形状とする例が開示されている(特許文献1の第5頁左下欄第13行目〜第18行目、及び特許文献1の第6図)。
これにより、通電インピーダンス表面では、平面上のあらゆる点において電流密度の大きさ及び方向が同じであるため、発生する電界が線型の抵抗性表面となる。
このため、特許文献3、4で開示された表示装置は、軽量、小型、薄型化に適すると共に、指やペンなどのタッチ位置を正確に検出するといった課題を同時に解決するものではない。
(表示装置の全体構成)
先ず、本実施の形態の表示装置の具体的構成について、全体構成から説明し、続いて各部の詳細構成について説明することとする。図1は、本発明における第1実施の形態のタッチセンサ一体型の表示装置を模式的に示した全体の概略構成の一例を示す斜視図である。
表示装置1は、液晶表示装置の他、プラズマ表示装置(PDP)有機EL表示装置等の表示装置とすることもできる。
表示装置1は、表示装置基板10と、対向基板19と、偏光板(図示せず)と、を含んで構成される。
ここで、これらの画素回路、走査線駆動回路14、信号線駆動回路15、及び蓄積容量線駆動回路などにより「表示素子の制御部」を構成することができる。また、信号線4、走査線6、蓄積容量線8などを単に「配線」(駆動用配線)と呼ぶこともできる。さらに、この駆動用配線と後述のタッチ位置検出用配線とを合わせて「配線」ということもできるし、いずれか一方を「配線」ということもできる。
ここで、リニアライゼイションパターン部の符号について定義する。図1中では、黒く塗りつぶされたパターン全てを総称してリニアライゼイションパターン部30とする。これらの中で、四隅近傍(隅部)に設けられ、配線部を構成する配線32(タッチ位置検出用配線)と接続している4つのリニアライゼイションパターン部を30a(第1のパターン部)とし、それ以外となる外周四辺(辺部)上に設けられたリニアライゼイションパターン部を30b(第2のパターン部)とする。
また、図2では、リニアライゼイションパターン部30b(第2のパターン部)は、さらに、外周側の長い外周側パターン30b−1と、内周側の短い内周側パターン30b−2とを含む。
さらに、リニアライゼイションパターン部30a(第1のパターン部)は、少なくとも2以上の隅部に形成されればよく、四隅に制限されないものである。
FPCの圧着端子は、FPC38を介して表示装置基板10の外部基板20(制御回路などを搭載可能な制御回路基板)と接続され、外部基板20の単極双投型のスイッチ21と電気的に接続されている。
同様に、リニアライゼイションパターン部30は、図3に示すように、例えばAL(アルミニウム)42とこのAL(アルミニウム)42上に積層されたITO(透明導電膜)40とからなる「ITO40/AL42」積層を構成する。
一般的に、インピーダンス面を構成する透明導電膜の抵抗に比べて、リニアライゼイションパターン部30がある領域の抵抗は低い(図3に示す低抵抗部)。
これは、リニアライゼイションパターン部領域の抵抗は、透明導電膜の抵抗とリニアライゼイションパターン部の抵抗を並列した合成抵抗と見なせるので、リニアライゼイションパターン部の抵抗の大小によらず、透明導電膜の抵抗より低くなるということである。
図18は、関連技術のリニアライゼイションパターン部が設けられたタッチセンサを有するタッチパネルの平面模式図を示す。図19は、図18のV−V´線の部分断面図を示す。
図18を参照すると、対向基板である石英基板80が、透明導電膜81によって覆われている。透明導電膜81上の外周部には、銀ペーストなどから成るリニアライゼイションパターン部82が形成されている。
また、リニアライゼイションパターン部の形状に対応させて、インピーダンス面の部分的な領域の抵抗を低減せしめることができる。あたかも、表示装置基板に形成されたリニアライゼイションパターン部が通電インピーダンス面に投影されたかのようなイメージで捉えられる。
さらに、対向基板側のリニアライゼイションパターン部を形成するための専用の領域が不要となる。
次に、第1の実施の形態に係る表示装置の動作について図1および図6を用いて説明する。図6は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置の主な電極の電圧の様子を模式的に示したタイミングチャートである。
ここで、図6中、Vcは、透明導電膜(図1の符号12)の電圧、Vgは、走査線(図1の符号6)の電圧、SWは、スイッチ(図1の符号21)の状態を決める制御信号の電圧を示す。また、図6では、Vgを概略的に走査線2本の例としたが、任意に設計すればよい。
x=(Ic+Id)/(Ia+Ib+Ic+Id)k1+k2 ・・・・(数1)
y=(Ib+Ic)/(Ia+Ib+Ic+Id)k1+k2 ・・・(数2)
次に、上述のような構成を有する表示装置の製造方法(表示装置用製造方法)としての各種の処理手順について、図5を参照しつつ説明する。図5は、本発明の第1の実施の形態による表示装置の製造方法を説明するために、表示装置の一例を模式的に示した断面図である。ここで、図5では、ブラックマトリックス58、オーバーコート層54を記載したが、図5以外の図ではこれらの層を省略した。
ここで、通電インピーダンス面は、透明導電膜に四隅近傍から電圧を印加すると透明導電膜上に電界曲線分布(電位分布)が形成される面であり、接触体のタッチ時に電流が流れる面である。
さらに、電界の線型化とは、透明導電膜上の電位分布について、外周部の各辺に対して平行な等電位線を形成し、その等電位線の間隔が均一となるようにすること(電界の線型性、直交性を維持)をいう。
このため、リニアライゼイションパターン部によって、通電インピーダンス面の電界の線形化が可能となる。
ここで、TFTの基本構造としては、ゲート電極がチャネルのポリシリコンより上にあるコプラナー型とし、導電型としては、チャネル電流のキャリアとして電子を用いるnチャネル型とした。
ここで、ドレイン領域49a及びソース領域49bとすべきポリシリコン膜の領域にリンなどのV族元素がドープされる。
また、チャネルの領域とソース・ドレインの領域との間に、ソース・ドレイン領域よりも少ない量のリンを注入したLDD(Lightly Doped Drain)を設けても良い(図示せず)。
なお、LDDの構造のTFTは、チャネルとドレインの境界に低濃度不純物領域を設け、チャネルからドレインにかけて不純物濃度の勾配を緩やかにすることで、ドレインの境界部での電界集中を緩和することができ、リーク電流抑制効果がある。
また、このシリコン酸化膜46bにより蓄積容量を形成してもよい(図示せず)。ゲート電極52上は、シリコン酸化膜46cで覆われ、シリコン酸化膜46cにコンタクトホールを形成することにより、ゲート電極52、ドレイン領域49a及びソース領域49bが開口される。
更には、それ以外のTFTプロセス、例えば、マイクロクリスタルシリコンTFTプロセスや、酸化物TFTプロセス、有機TFTプロセス、支持基板上にシリコン薄膜を転写した後にTFTを形成するプロセス等で形成してもよい。
対向基板19のガラス23(透明基板)上に画素部として、カラーフィルタがマトリクス状に設けられる(図示せず)。画素部では、配線とその間隙、ブラックマトリクス58などのために、有効な開口部が限られている。カラーフィルタ及びブラックマトリックス58は、アクリルなどから成るオーバーコート層54で覆われており、オーバーコート層54上には透明導電膜12が形成される。さらに、透明導電膜12の上にポリイミドなどから成る配向膜が印刷される(図示せず)。
一方、図5の左側のリニアライゼイションパターン部30側においては、異方性導電体34が表示装置基板10のITO(透明導電膜)40と対向基板上の透明導電膜12との間で接触している。
以上のように本第1の実施の形態によれば、軽量、小型、薄型化に適すると共に、指のタッチ位置を正確に検出できるタッチセンサ一体型の表示装置で提供できる。
すなわち、表示装置基板に電極または配線を形成する何れかの工程と同時に、リニアライゼイションパターン部30を形成すれば、新たな工程を追加する必要が無い。さらに、表示装置基板に、電極または配線とリニアライゼイションパターン部を形成する工程が、導電膜の成膜と、PR(Photo Lithography)と、エッチングの一連の工程(以下、PR工程と略す)から構成すれば、表示画素等の形成と同一工程で形成できるため、別にリニアライゼイションパターン部を形成するために工程を変更する必要が無く、フォトマスク等のレイアウトにリニアライゼイションパターン部を追加するだけでよい。
また、表示装置は、第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を封止手段により形成して画像の表示を行うことができる。第2の基板は、通電インピーダンス面を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出することができる。第1の基板は、前記通電インピーダンス面に対向し、リニアライゼイションパターン部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成することができる。
次に、本発明にかかる第2の実施の形態について、図7に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図7は、本発明の第2の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
一方、図7においては、シール剤としての機能を有する異方性導電体34のパターンにより、表示装置基板10上のリニアライゼイションパターン部30と透明導電膜(図示せず)とを電気接続すると共に、液晶2を封止することで、シール剤36のパターン(図2の符号36)を省略できるので、シール剤36の分の占有面積が減る。この結果、LCDを狭額縁化できるという効果がある。
次に、本発明にかかる第3の実施の形態について、図8及び図9に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図8は、本発明の第3の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。図9は、図8のII−II´線の部分断面図である。
次に、本発明にかかる第4の実施の形態について、図10及び図11に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図10は、本発明の第4の実施の形態に係る表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示す平面模式図である。図11は、図10に示すIII−III´線の部分断面図である。
図10に示すように、表示装置基板10の四隅近傍から隣接する辺の中央に向けてリニアライゼイションパターン部30aが伸びており、辺の中央近傍ではリニアライゼイションパターン部30aが存在しない領域ができる。
また、前記第2のパターン部は、省略可能となっている。
抵抗が低くなる領域は、リニアライゼイションパターン部30aを四隅近傍から隣接する辺の中央に向けて伸ばした範囲による。辺の中央付近まで伸ばしてもよく他のリニアライゼイションパターン部30aと接触しない範囲まで伸ばすことができる。
この結果、LCDを狭額縁化できるという効果がある。
次に、本発明にかかる第5の実施の形態について、図12及び図13に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図12は、本発明の第5の実施の形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。図13は、透明導電膜の電位分布を示す斜視図である。
ここで、図12に示す回路部分では、指のx方向の位置検出期間中のスイッチング状況を示している。
この「検出期間切替制御手段」は、前記接触位置を検出する検出期間を、前記通電インピーダンス面の第1の方向の位置検出を行う第1の位置検出期間と、前記第1の方向と交差する第2の方向の位置検出を行う第2の位置検出期間とで区分して切替制御を行うことができる。
また、指でタッチした位置yを検出する場合も、同様に考えられる。
次に、本発明にかかる第6の実施の形態について、図14に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図14は、本発明の第6の実施の形態による表示装置の概略構成の一例を示す平面模式図である。
表示領域外部の第2の回路部が表示領域内部の第1の回路部と同一基板上に設けられる場合、表示領域外部と外部基板とを結ぶ配線部上にハイインピーダンススイッチ部16、17、18を設けられることが好ましい。
具体的には、ハイインピーダンススイッチ部16、17、18が設けられる配線部は、信号線4、走査線6、容量線8、電源線(図示せず)の少なくとも1つであることが好ましい。
表示領域の外周部には、画素マトリクス部内の回路と、表示領域の外周部の回路とを電気的にハイインピーダンスとすることを可能にするために、走査線6の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部16が設けられており、信号線4の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部17が設けられており、蓄積容量線8の信号パスにはそれぞれハイインピーダンススイッチ部18が設けられている。
図15の電圧のタイミングチャートを参照すると、各走査線6は、ハイインピーダンスであり、かつ、透明導電膜と容量結合しているため、透明導電膜の電圧振幅と同振幅で走査線6の電圧Vgが変動する。
この結果、電流検出回路13から出力される信号のS/N比が、関連技術では例えば4×10−4であるのに対して、本第6の実施の形態を用いると、例えば6×10−2と150倍になる。
次に、本発明にかかる第7の実施の形態について、図16及び図17に基づいて説明する。以下には、前記第1の実施の形態の実質的に同様の構成に関しては説明を省略し、異なる部分についてのみ述べる。図16は、本発明の第7の実施の形態による表示装置におけるリニアライゼイションパターン部と異方性導電体の関係の概略構成の一例を示した平面模式図である。図17は、図16に示すIV−IV´線の部分断面図である。
また、本発明にかかる装置及び方法は、そのいくつかの特定の実施の形態に従って説明してきたが、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく本発明の本文に記述した実施の形態に対して種々の変形が可能である。
この場合、本発明の表示装置基板は、通電可能な第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第2の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第1の基板として用いることができる。
この場合、本発明の表示装置の制御回路は、通電可能な第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行う表示装置と電気的に接続され、前記第2の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出する制御を行うことができる。
この場合、本発明の表示装置基板用製造方法は、通電可能な第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第2の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第1の基板として用いられる表示装置基板の製造を行うことができる。
この第1の工程は、前記第1の基板に画素電極を形成する工程、または、前記第1の基板に配線を形成する工程と同時に行うことができる。
すなわち、物理的構成は例えば一又は複数のCPU(或いは一又は複数のCPUと一又は複数のメモリ)等からなるコントローラではあるが、各部(回路・手段)によるソフトウエア構成は、プログラムの制御によってCPUが発揮する複数の機能を、それぞれ複数の部(手段)による構成要素として表現したものと考えることもできる。
CPUがプログラムによって実行されている動的状態(プログラムを構成する各手順を実行している状態)を機能表現した場合、CPU内に各部(手段)が構成されることになる。
プログラムが実行されていない静的状態にあっては、各手段の構成を実現するプログラム全体(或いは各手段の構成に含まれるプログラム各部)は、メモリなどの記憶領域に記憶されている。
さらに、上記各実施の形態には種々の段階が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。つまり、上述の各実施の形態同士、あるいはそれらのいずれかと各変形例のいずれかとの組み合わせによる例をも含む。この場合において、本実施形態において特に記載しなくとも、各実施の形態及びそれらの変形例に開示した各構成から自明な作用効果については、当然のことながら実施の形態の作用効果として含めることができる。逆に、本実施の形態に記載されたすべての作用効果を奏することのできる構成が、本発明の本質的特徴部分の必須構成要件であるとは限らない。また、実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除された構成による実施の形態並びにその構成に基づく技術的範囲も発明になりうる。
従って、上記に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物を含む趣旨である。
通電インピーダンス面を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出する第2の基板と、
前記通電インピーダンス面に対向し、リニアライゼイションパターン部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成した第1の基板と、
前記リニアライゼイションパターン部と前記通電インピーダンス面とを電気的に接続する導電部材と、
を含むことを特徴とする表示装置。
[付記2]付記1に記載の表示装置において、
前記導電部材は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に介在され、前記表示素子を封止するシール剤であることを特徴とする表示装置。
[付記3]付記1に記載の表示装置において、
前記導電部材は、複数に分割して形成されたものであることを特徴とする表示装置。
[付記4]付記1に記載の表示装置において、
前記導電部材は、異方性導電体であることを特徴とする表示装置。
[付記5]付記1に記載の表示装置において、
前記リニアライゼイションパターン部は、前記第1の基板上に形成する画素又は周辺回路を構成する単層もしくは複数層の導電膜と同層の導電膜にて形成されるものであることを特徴とする表示装置。
[付記6]付記1に記載の表示装置において、
前記リニアライゼイションパターン部は、
前記第1の基板の少なくとも2以上の隅部に形成され、位置検出用の電圧が供給される配線部に接続される第1のパターン部と、
前記第1の基板の辺部に形成され、前記配線部と非接続の第2のパターン部と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。
[付記7]付記6に記載の表示装置において、
前記第1のパターン部は、
前記隅部から前記辺部側に向けて延在形成し、前記延在する範囲は隅部から辺中央付近までとし、前記第2のパターン部は、省略可能であることを特徴とする表示装置。
[付記8]付記6に記載の表示装置において、
前記第2のパターン部は、前記第1の基板上に形成する画素又は周辺回路を構成する複数層の導電膜と、前記複数の導電膜間に層間絶縁膜と、有し、
前記層間絶縁膜にはコンタクトホールを形成しないことを特徴とする表示装置。
[付記9]付記1に記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間を、前記通電インピーダンス面の第1の方向の位置検出を行う第1の位置検出期間と、前記第1の方向と交差する第2の方向の位置検出を行う第2の位置検出期間とに区分し、各々の方向の位置検出時に応じて切替制御を行う検出期間切替制御手段を有することを特徴とする表示装置。
[付記10]付記1に記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間中に、前記第1の基板の表示領域内の第1の回路部を、前記表示領域外の第2の回路部に対して電気的にハイインピーダンスとし、前記第1の回路部と前記第2の回路部とを非導通とするインピーダンス制御手段をさらに有することを特徴とする表示装置。
[付記11]付記10に記載の表示装置において、
前記インピーダンス制御手段は、
前記第1の回路部と前記第2の回路部とを接続する配線部に形成されるハイインピーダンススイッチ部と、
前記ハイインピーダンススイッチ部をオンオフ制御するハイインピーダンス制御回路と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。
[付記12]付記1乃至付記11のうちいずれか一項に記載の表示装置を備えた液晶表示装置であって、
前記表示素子が液晶であり、前記第1の基板は、TFT基板であり、前記第2の基板は、対向基板であることを特徴とする液晶表示装置。
[付記13]付記1乃至付記11のうちいずれか一項に記載の表示装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
[付記14]通電可能な第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第2の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置用製造方法であって、
前記第1の基板に、前記通電インピーダンス面の電界を線型化可能とし、かつ、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する工程と、前記第1の基板に画素電極を形成する工程、又は、前記第1の基板に配線を形成する工程と、を同時に行う第1の工程と、
前記第2の基板に、前記通電インピーダンス面として機能する対向電極を形成する第2の工程と、
前記リニアライゼイションパターン部と前記対向電極との間に導電部材を形成する第3の工程と、
を含むことを特徴とする表示装置用製造方法。
[付記15]通電可能な第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を形成して表示を行うとともに、前記第2の基板側にて通電インピーダンス面を形成して接触体による接触位置を検出可能な表示装置を構成する前記第1の基板として用いられる表示装置基板用製造方法であって、
前記第1の基板に、前記通電インピーダンス面の電流検出が可能な複数の電極を含むリニアライゼイションパターン部を形成する第1の工程を有し、
前記第1の工程は、
前記第1の基板に画素電極を形成する工程、または、前記第1の基板に配線を形成する工程と同時に行うことを特徴とする表示装置基板用製造方法。
2 液晶(表示素子)
4 信号線(電極)
5 画素電極
6 走査線(電極)
8 蓄積容量線(電極)
10 表示装置基板(第1の基板)
12 透明導電膜(対向電極)
13 電流検出回路
14 走査線駆動回路
15 信号線駆動回路
16、17、18 ハイインピーダンススイッチ部
19 対向基板(第2の基板)
20 外部基板
21 スイッチ
22 交流電圧源
23 ガラス基板(プラスティック基板)
24 指
25 容量
29 電極
30 リニアライゼイションパターン部
30a リニアライゼイションパターン部(基板四隅近傍:第1のパターン部)
30b リニアライゼイションパターン部(基板外周四辺上:第2のパターン部)
32 配線(配線部)
34 異方性導電体(導電部材)
36 シール剤
38 FPC(Flexible Printed Circuits:
フレキシブルプリント基板)
39 ダミーパターン
40 ITO(透明導電膜)<画素電極及びリニアライゼイションパターン部>
41 絶縁膜(パッシベーション膜、及び平坦化膜)
42 AL(アルミニウム)〔ソース及びドレイン電極材料〕
46、46a、46b、46c シリコン酸化膜
47 導電体
48 活性層シリコン
49、49a、49b 高濃度のドーパントを含んだシリコン
54 オーバーコート層
58 ブラックマトリックス
72、74 絶縁膜
73 チャネル材料
80 石英基板
81 透明導電膜
82 銀ペースト(リニアライゼイションパターン部)
102 EPDフィルム
113 マイクロカプセル
115 溶媒
116 白粒子
117 黒粒子
521 電流検出方向切替スイッチ
Claims (14)
- 薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、
前記対向基板上に対向電極が形成され、
前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、
前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体が配され、
前記導電膜部と前記対向電極とが前記異方性導電体を介して電気的接続され、
接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
前記異方性導電体は、前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間に介在され、前記電気光学材料を封止するシール剤であることを特徴とする表示装置。 - 薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板と、対向基板との間に、電気光学材料を配して構成される画像を表示する表示装置において、
前記対向基板上に対向電極が形成され、
前記薄膜半導体基板上に、前記電気光学材料に電気信号を与えるための複数の画素電極が並ぶ画素領域部と、前記画素領域部の周辺に導電膜部と、が形成され、
前記薄膜半導体基板と前記対向基板との間の前記画素領域部の周囲の少なくとも一部に導電体が配され、
前記導電体は、複数に分割して形成され、
前記導電膜部と前記対向電極とが前記導電体を介して電気的接続され、
接触体の接触に伴う静電容量変化に基づき接触位置を検出する機能を備えることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の表示装置において、
前記導電膜部は、前記薄膜半導体基板上の複数の導電層が積層されて構成されることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載の表示装置において、
画像を表示する表示駆動期間と接触位置を検出する位置検出期間とに区分されて駆動されることを特徴とする表示装置。 - 請求項5記載の表示装置において、
前記位置検出期間中に、前記導電膜部が電圧源によってバイアスされるように、切替制御する切替制御手段を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項6記載の表示装置において、
前記電圧源は、COM、GND、交流電圧源のいずれかを含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項6又は7記載の表示装置において、
前記電圧源に流れる電流を検出する検出回路を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一つに記載の表示装置において、
前記接触位置を検出する検出期間中に、前記薄膜半導体基板の表示領域内の第1の回路部を、前記表示領域外の第2の回路部に対して電気的にハイインピーダンスとし、前記第1の回路部と前記第2の回路部とを非導通とするインピーダンス制御手段をさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項9に記載の表示装置において、
前記インピーダンス制御手段は、
前記第1の回路部と前記第2の回路部とを接続する配線部に形成されるハイインピーダンススイッチ部と、
前記ハイインピーダンススイッチ部をオンオフ制御するハイインピーダンス制御回路と、
を含むものであることを特徴とする表示装置。 - 第1、第2の基板間に電気光学応答を行う表示素子を封止手段により形成して画像の表示を行う表示装置において、
対向電極を形成し、接触体による接触点で流れる電流値を複数箇所で計測し、接触位置を検出する第2の基板と、
前記対向電極に対向し、導電膜部及び前記表示素子の制御部並びに配線を形成した第1の基板と、
前記導電膜部と前記対向電極とを電気的に接続する異方性導電体と、
を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項11のうちいずれか一項に記載の表示装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
- 薄膜半導体が上に形成される薄膜半導体基板、対向基板の基板間に電気光学材料を配して構成される画像表示を行う表示装置用製造方法であって、
前記薄膜半導体基板上に、導電膜部を形成すると同時に、前記電気光学材料に電気信号を与える複数の画素電極が並ぶ画素領域部を形成する第1の工程と、
前記対向基板に、対向電極を形成する第2の工程と、
前記薄膜半導体基板、前記対向基板の基板間の画素領域部の周囲の少なくとも一部に異方性導電体を配する第3の工程と、を含むことを特徴とする表示装置用製造方法。 - 前記第1の工程は、フォトリソグラフィ工程又はエッチング工程を有することを特徴とする請求項13に記載の表示装置用製造方法。
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