JP5492445B2 - Wafer dividing method - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハに貼着されてウェーハを支持する粘着テープを使用したウェーハの分割方法に関するものである。 The present invention relates to a wafer dividing method using an adhesive tape that is attached to a wafer and supports the wafer.
IC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハは、分割予定ラインに沿ってダイシングされて個々のデバイスに分割され、各種電子機器等に利用されている。 A wafer formed by dividing a device such as an IC or LSI by a scheduled division line on the surface is diced along the planned division line and divided into individual devices, which are used for various electronic devices.
ウェーハをダイシングする際には、ウェーハがダイシングテープに貼着されると共にダイシングテープの周縁部がリング状のフレームに貼着されることによりウェーハがダイシングテープを介してフレームに支持された状態となる。そして、その状態で切削装置等に保持され、分割予定ラインが切断されることにより個々のデバイスに分割される。分割されたデバイスは、ダイシングテープを伸張させてデバイス間の間隔を広げた状態としてからピックアップされる。 When dicing the wafer, the wafer is attached to the dicing tape and the periphery of the dicing tape is attached to the ring-shaped frame, whereby the wafer is supported by the frame via the dicing tape. . And it hold | maintains at the cutting apparatus etc. in the state, and it divides | segments into each device by cut | disconnecting a division | segmentation scheduled line. The divided devices are picked up after extending the dicing tape to widen the space between the devices.
また、ウェーハを個々のデバイスに分割する技術として、ウェーハの分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成した後、ウェーハの裏面を研削して裏面から分離溝を表出させることにより個々のデバイスに分割する先ダイシングと称される技術が提案され、実用に供されている。先ダイシングにより分割されたデバイスは、全体としてウェーハの形状を維持したまま裏面側がダイシングテープに貼着され、ダイシングテープを伸張させてデバイス間の間隔を広げた状態でピックアップされる(例えば特許文献1参照)。 In addition, as a technology for dividing a wafer into individual devices, after forming a separation groove with a depth corresponding to the finished thickness of the device on the planned division line of the wafer, the back surface of the wafer is ground to display the separation groove from the back surface. A technique called pre-dicing that divides the device into individual devices is proposed and put into practical use. The device divided by the pre-dicing is picked up in a state where the back side is adhered to the dicing tape while maintaining the shape of the wafer as a whole, and the dicing tape is extended to widen the space between the devices (for example, Patent Document 1). reference).
しかし、ウェーハを切削して個々のデバイスに分割した後も個々のデバイスがダイシングテープから剥離しないようにするために、ダイシングテープは強い粘着力を有している。したがって、先ダイシングにより分割されたデバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするのは容易ではなく、ピックアップ時にデバイスが破損するおそれがあるという問題がある。 However, the dicing tape has a strong adhesive force so that the individual devices do not peel from the dicing tape after the wafer is cut and divided into individual devices. Therefore, it is not easy to peel off the device divided by the previous dicing from the dicing tape and pick up, and there is a problem that the device may be damaged at the time of picking up.
また、通常のダイシングの際にはダイシングテープにも切削ブレードが切り込むため、切削ブレードが20〜30μm程度切り込んでも破断しないように、ダイシングテープは、塩化ビニール等の合成樹脂によって構成されており、90〜120μm程度の厚さを有している。したがって、ダイシングテープに切り込みが形成されない先ダイシングの手法において通常のダイシングテープと同様のものを使用すると、デバイスに分割された後に各デバイスをピックアップする際に、ダイシングテープを伸張させることが困難になり、隣り合うデバイスとデバイスとの間隔を広げることが困難になり、デバイスのピックアップに支障が生じるという問題もある。 Further, since the cutting blade is also cut into the dicing tape at the time of normal dicing, the dicing tape is made of a synthetic resin such as vinyl chloride so that the cutting blade does not break even if it is cut by about 20 to 30 μm. It has a thickness of about ~ 120 μm. Therefore, if the same dicing tape as that used in the normal dicing tape is used in the tip dicing method in which no cut is formed in the dicing tape, it becomes difficult to stretch the dicing tape when picking up each device after being divided into devices. There is also a problem that it becomes difficult to widen the distance between adjacent devices, and the pickup of the device is hindered.
そこで、本発明が解決しようとする課題は、いわゆる先ダイシングの技術を用いてウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、デバイスを破損させることなくデバイスのピックアップを円滑に行うようにすることにある。 Therefore, the problem to be solved by the present invention is to smoothly pick up a device without damaging the device when the wafer is divided into individual devices using a so-called tip dicing technique. .
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法に関するもので、分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する分離溝形成工程と、ウェーハの表面に保護部材を貼着し、ウェーハの裏面を研削して分離溝を裏面から表出させる裏面研削工程と、ウェーハを収容するための開口部を有するリング状フレームの当該開口部を塞ぐように貼着された粘着テープにウェーハの裏面を貼着し、ウェーハの表面から保護部材を剥離してウェーハをリング状フレームに移し替えるウェーハ移し替え工程と、粘着テープを伸張させて隣り合うデバイスとデバイスとの間の間隔を広げ、個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程とから構成される。ウェーハ移し替え工程においてウェーハに貼着される粘着テープは、塩化ビニールで形成され厚さが60μm〜20μmであるシート部材と、該シート部材の一方の面にドット状に敷設された粘着材とから構成される。この粘着材を構成する各粘着ドットは、密度が均等になるようにシート部材の一方の面に敷設される。 The present invention relates to a wafer processing method in which a plurality of devices are partitioned by a predetermined division line and a wafer formed on the surface is divided into individual devices. The depth corresponding to the finished thickness of the device is divided into the predetermined division lines. A separation groove forming step for forming a separation groove, a back surface grinding step for attaching a protective member to the front surface of the wafer, grinding the back surface of the wafer to expose the separation groove from the back surface, and an opening for accommodating the wafer Wafer transfer that attaches the back side of the wafer to the adhesive tape that is attached so as to close the opening of the ring-shaped frame having a part, peels off the protective member from the surface of the wafer, and transfers the wafer to the ring-shaped frame Pickup process to pick up individual devices by expanding the process and the distance between adjacent devices by stretching the adhesive tape Ru is composed of a. The adhesive tape to be attached to the wafer in the wafer transfer process is composed of a sheet member made of vinyl chloride and having a thickness of 60 μm to 20 μm, and an adhesive material laid in a dot shape on one surface of the sheet member. Composed. Each adhesive dot constituting the adhesive material is laid on one surface of the sheet member so that the density is uniform.
本発明にかかるウェーハの分割方法におけるウェーハ移し替え工程においてウェーハに貼着される粘着テープは、シート部材の一方の面にドット状の粘着材を敷設した構成となっており、粘着材を構成する各粘着ドットは密度が均等になるようにシート部材の一方の面に敷設されているため、シート部材の一面に粘着材が敷設されたタイプの粘着テープよりも粘着力が弱い。したがって、粘着テープに個々のデバイスが貼着されても、そのデバイスを保持する力が強すぎないため、デバイスをピックアップしやすい。 The pressure-sensitive adhesive tape attached to the wafer in the wafer transfer step in the wafer dividing method according to the present invention has a configuration in which a dot-shaped pressure-sensitive adhesive material is laid on one surface of the sheet member, and constitutes a pressure-sensitive adhesive material. Since each adhesive dot is laid on one surface of the sheet member so that the density is uniform, the adhesive force is weaker than the adhesive tape of the type in which the adhesive material is laid on one surface of the sheet member. Therefore, even if each device is attached to the adhesive tape, the force for holding the device is not too strong, so that it is easy to pick up the device.
また、シート部材の厚さが60μm〜20μmであると、ウェーハを分割した後のデバイスのピックアップ時に粘着テープを伸張させやすいため、ピックアップを確実に行うことができる。 In addition, when the thickness of the sheet member is 60 μm to 20 μm, the adhesive tape can be easily stretched at the time of picking up the device after dividing the wafer, so that the pickup can be reliably performed.
更に、粘着材が少量で済むこと及びシート部材の材料を節約できることから、経済的であると共に、粘着テープの廃棄量が減少して環境面でも好ましい。 Further, since a small amount of the adhesive material can be used and the material of the sheet member can be saved, it is economical and the waste amount of the adhesive tape is reduced, which is preferable in terms of the environment.
図1に示すウェーハWは、分割予定ラインSによって区画されて表面W1に複数のデバイスDが形成されて構成されている。最初に、ウェーハWを水平方向に移動させながら、分割予定ラインSに高速回転する切削ブレード1を所定深さ切り込ませることにより、図2にも示すように、デバイスDの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝Gをすべての分割予定ラインSに形成する(分離溝形成工程)。なお、溝形成工程は、レーザー光の照射によっても行うことができる。 The wafer W shown in FIG. 1 is defined by a plurality of devices D formed on the surface W1 by being partitioned by the division line S. First, by moving the wafer W in the horizontal direction and cutting the cutting blade 1 that rotates at a high speed into the division line S to a predetermined depth, as shown in FIG. Separation grooves G having a depth to be formed are formed in all the division lines S (separation groove forming step). Note that the groove forming step can also be performed by laser light irradiation.
次に、図3に示すように、分離溝Gが形成された表面W1に保護部材2が貼着され、図4に示すように、保護部材2が貼着されたウェーハWを裏返し、保護部材2側が研削装置のチャックテーブル3に保持され、裏面W2が露出した状態となる。そして、その状態で、ウェーハWを保持するチャックテーブル3が回転すると共に、スピンドル4の回転に伴い回転する研削砥石5が裏面W2に接触して研削が行われる。研削中は、研削砥石5の回転軌道が常にウェーハWの回転中心を通るようにすることにより、裏面W2が平面上に研削される。
Next, as shown in FIG. 3, the
こうして裏面W2が研削されると、図5に示すように、分離溝Gが裏面W2から表出し、個々のデバイスDに分割される。そして、個々のデバイスDは、所定の厚さに形成される。分割後のデバイスDは、保護部材2に貼着されているため、全体としてウェーハWの形状を維持している(裏面研削工程)。
When the back surface W2 is thus ground, the separation groove G is exposed from the back surface W2 and divided into individual devices D as shown in FIG. Each device D is formed to a predetermined thickness. Since the divided device D is adhered to the
次に、図4に示したチャックテーブル3からデバイスDに分割されたウェーハW及び保護部材2を取り外して裏返し、図6に示すように、デバイスDに分割されたウェーハWの裏面W2をテープ6に貼着する。
Next, the wafer W and the
テープ6は、シート部材60と、シート部材60の一方の面にドット状に敷設された粘着材61とから構成される。シート部材60は、例えば塩化ビニールによって形成され、その厚さは例えば60μm〜20μmであり、通常のダイシング時にウェーハに貼着されるダイシングテープよりも薄く形成されている。いわゆる先ダイシングの技術では、切削ブレードがテープに切り込むことがないため、このようにシート部材60を薄く形成することが可能となる。
The
一方、粘着材61は、例えば液状の粘着材を散布することによりシート部材60にドット状に敷設される。図7に示すように、粘着材61を構成する各粘着ドット610は不定形でもよく、また、各粘着ドット間の間隔も一定である必要はないが、密度が均等になるように敷設することが望ましい。
On the other hand, the
図6に示すように、テープ6の外周部分には、ウェーハWを収容するための開口部F1を有するリング状フレームFが貼着される。すなわち、リング状フレームFの開口部F1を塞ぐようにしてテープ6がフレームFの裏側から貼着される。したがって、図6に示したように、粘着材61は、少なくともウェーハWが貼着される位置に敷設されていると共に、リング状フレームFが貼着される部分に敷設されていればよい。こうしてテープ6に先ダイシングされたウェーハW及びリング状フレームFを貼着することにより、ウェーハWがテープTを介してリング状フレームFに支持された状態となる。
As shown in FIG. 6, a ring-shaped frame F having an opening F <b> 1 for accommodating the wafer W is attached to the outer peripheral portion of the
ウェーハWがテープ6に貼着された後に、図8に示すように、保護部材2を表面W1から剥離して取り外す。そうすると、全体としてウェーハWの形状を維持した状態でデバイスDの裏面がテープ6に貼着され、ウェーハWがリング状フレームFに移し替えられる(ウェーハ移し替え工程)。
After the wafer W is adhered to the
次に、図9に示すように、テープ6を介してリング状フレームFに支持されたウェーハWをピックアップ装置7の保持テーブル70に載置すると共に、フレームFをフレーム支持部71に固定する。そして、保持テーブル70を上昇させるかフレーム支持部71を下降させることによりテープ6を伸張させ、隣り合うデバイスとデバイスとの間隔を広げてピックアップをしやすい状態とする。そして、その状態でコレットによって各デバイスDをピックアップしていく(ピックアップ工程)。
Next, as shown in FIG. 9, the wafer W supported by the ring-shaped frame F via the
ピックアップ工程におけるテープ6の伸張時は、図7に示したように、シート部材60の厚さが60μm〜20μmと薄いため、テープ6を容易に伸張させることができる。そして、粘着材61がドット状に敷設され一面に敷設するよりも密度が低く粘着力が弱いため、各デバイスDを剥離してピックアップするのも容易となる。また、粘着材61が少量で済み、シート部材60の材料も節約できることから、経済的であると共に、粘着テープ6の廃棄量が減少して環境面においても好ましい。
When the
W:ウェーハ
W1:表面 D:デバイス S:分割予定ライン G:分離溝
W2:裏面
1:切削ブレード 2:保護部材 3:チャックテーブル
4:スピンドル 5:研削砥石
6:テープ 60:シート部材 61:粘着材 610:粘着ドット
7:ピックアップ装置 70:保持テーブル 71:フレーム支持部
F:リング状フレーム F1:開口部
W: Wafer W1: Surface D: Device S: Line to be divided G: Separation groove W2: Back surface 1: Cutting blade 2: Protection member 3: Chuck table 4: Spindle 5: Grinding wheel 6: Tape 60: Sheet member 61: Adhesion Material 610: Adhesive dot 7: Pickup device 70: Holding table 71: Frame support part F: Ring-shaped frame F1: Opening part
Claims (1)
該分割予定ラインに該デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの分離溝を形成する分離溝形成工程と、
該ウェーハの表面に保護部材を貼着し、該ウェーハの裏面を研削して該分離溝を該裏面から表出させる裏面研削工程と、
ウェーハを収容するための開口部を有するリング状フレームの該開口部を塞ぐように貼着された粘着テープに該ウェーハの裏面を貼着し、該ウェーハの表面から該保護部材を剥離して該ウェーハを該リング状フレームに移し替えるウェーハ移し替え工程と、
該粘着テープを伸張させて隣り合うデバイスとデバイスとの間の間隔を広げ、個々のデバイスをピックアップするピックアップ工程と
から構成され、
該ウェーハ移し替え工程において該ウェーハに貼着される粘着テープは、塩化ビニールで形成され厚さが60μm〜20μmであるシート部材と、該シート部材の一方の面にドット状に敷設された粘着材とから構成され、
該粘着材を構成する各粘着ドットは密度が均等になるように該一方の面に敷設される、ウェーハの分割方法。 A wafer processing method in which a plurality of devices are partitioned by dividing lines and a wafer formed on the surface is divided into individual devices,
A separation groove forming step of forming a separation groove having a depth corresponding to the finished thickness of the device in the division line;
A back surface grinding step of attaching a protective member to the front surface of the wafer, grinding the back surface of the wafer and exposing the separation groove from the back surface;
The back surface of the wafer is attached to an adhesive tape that is attached so as to close the opening of the ring-shaped frame having an opening for accommodating the wafer, and the protective member is peeled off from the front surface of the wafer. A wafer transfer step of transferring the wafer to the ring frame;
The adhesive tape is stretched to widen the space between adjacent devices, and a pickup process for picking up individual devices,
The adhesive tape to be attached to the wafer in the wafer transfer step includes a sheet member made of vinyl chloride and having a thickness of 60 μm to 20 μm, and an adhesive material laid in a dot shape on one surface of the sheet member And consists of
A method for dividing a wafer, wherein each adhesive dot constituting the adhesive material is laid on the one surface so that the density is uniform.
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