JP5492364B2 - 3次元基準マーク - Google Patents
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Description
1114 イオン源
1116 集束カラム
1119 システム・コントローラ
1121 記憶装置
1122 試料
1124 可動X−Y−Zステージ
Claims (27)
- 試料上に基準マークを形成し、前記基準マークを使用して、前記試料上の関心領域の位置を突き止める方法であって、
試料上の、前記試料上の関心領域に隣接した位置に、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックを付着させ、
前記材料ブロックの少なくとも2つの露出した面に、荷電粒子ビームを使用して所定のパターンをミリングする
ことによって基準マークを形成するステップと、
前記基準マークを形成した後に、前記基準マークの位置を検出することによって、前記関心領域の位置を検出するステップと、
前記関心領域の位置を検出した後に、荷電粒子ビームを使用して、前記関心領域を画像化またはミリングするステップと
を含む方法。 - 前記基準マークの位置を検出することが、
前記試料の表面の少なくとも一部分を荷電粒子ビームを使用して画像化すること、および
前記試料の前記一部分の画像中の前記基準マークの前記所定のパターンを検出すること
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記試料の前記一部分の画像中の前記基準マークの前記所定のパターンが、画像認識ソフトウェアによって自動的に検出される、請求項2に記載の方法。
- 前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされる、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 付着させた前記材料ブロックを、荷電粒子ビームによって、少なくとも2つの次元で画像化またはミリングすることが可能である、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも2つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に、前記基準マークが配置される、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 画像化が電子ビームによって実行され、ミリングが集束イオン・ビームによって実行される、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークであって、
試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、
前記材料ブロックの少なくとも2つの露出した面にミリングされた所定のパターンと
を含む基準マーク。 - 最大寸法が100マイクロメートル(100μm)以下である、請求項9に記載の基準マーク。
- 最大寸法が10マイクロメートル(10μm)以下である、請求項9または10に記載の基準マーク。
- 最大寸法が1マイクロメートル(1μm)以下である、請求項9から11のいずれか一項に記載の基準マーク。
- 前記材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む、請求項9から12のいずれか一項に記載の基準マーク。
- 前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされた、請求項9から13のいずれか一項に記載の基準マーク。
- 少なくとも2つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に配置された、請求項9から14のいずれか一項に記載の基準マーク。
- 付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項9から15のいずれか一項に記載の基準マーク。
- 少なくとも1つの荷電粒子ビームと、
試料ステージと、
前記試料ステージ上に配置された試料と、
前記試料上に配置された基準マークと
を備え、前記基準マークが、
試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、
前記材料ブロックの少なくとも2つの露出した面にミリングされた所定のパターンと
を含むシステム。 - 前記基準マークの最大寸法が100マイクロメートル(100μm)以下である、請求項17に記載のシステム。
- 前記基準マークの最大寸法が10マイクロメートル(10μm)以下である、請求項17または18に記載のシステム。
- 前記基準マークの最大寸法が1マイクロメートル(1μm)以下である、請求項17から19のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む、請求項17から20のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされた、請求項17から21のいずれか一項に記載のシステム。
- 少なくとも2つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に、前記基準マークが配置された、請求項17から22のいずれか一項に記載のシステム。
- 付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項17から23のいずれか一項に記載のシステム。
- 試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークを前記試料上に形成する方法であって、
前記試料を画像化位置から実質的に90度回転させるステップと、
前記試料を前記画像化位置から実質的に90度回転させた後に、前記試料の表面に対して垂直でないある角度で前記試料の表面に向かって導かれた荷電粒子ビームを使用して、前記関心領域上または前記関心領域の近くに材料ブロックを付着させるステップと、
前記材料ブロックを付着させた後、前記関心領域の位置を検出する前に、前記試料を実質的に90度回転させて、前記試料をその最初の位置に戻すステップと
を含む方法。 - 前記荷電粒子ビームが走査電子顕微鏡の電子ビームであり、前記電子ビームが、前記試料の表面に対して直角でないある角度で前記試料の表面に導かれる、請求項25に記載の方法。
- 前記基準マークを形成した後に、前記基準マークの位置を突き止めることによって前記関心領域の位置を突き止めるステップと、前記関心領域に向かって集束イオン・ビームを導くステップとをさらに含み、前記集束イオン・ビームが、前記試料の表面に対して実質的に直角なある角度で前記試料の表面に導かれる、請求項26に記載の方法。
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DE102009050521B4 (de) * | 2009-10-23 | 2023-02-16 | Pro-Beam Ag & Co. Kgaa | Thermisches Materialbearbeitungsverfahren |
DE102010024625A1 (de) * | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten eines Objekts |
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