JP5483168B2 - Diamond thin film and diamond field effect transistor - Google Patents
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Description
本発明は、ドレイン電流を増加させるとともに、特性を安定化させることができダイヤモンド薄膜およびダイヤモンド電界効果トランジスターに関する。 The present invention relates to a diamond thin film and a diamond field effect transistor that can increase drain current and stabilize characteristics.
ダイヤモンド半導体は、半導体最大の絶縁耐圧、熱伝導性を有するばかりでなく、電子や正孔の移動度やドリフト速度も高く、もしダイヤモンドトランジスターが実用化できれば、既存の半導体の性能を遥かに越える最高の性能を有する高周波電力トランジスターが実用可能になる。 Diamond semiconductors not only have the highest dielectric breakdown voltage and thermal conductivity of semiconductors, but also have high electron and hole mobility and drift speed. A high-frequency power transistor having the following performance becomes practical.
図2は、従来技術によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図および測定方法である。図2を使用して、従来の水素終端ダイヤモンドFETの作製工程を説明する。図2(a)は、ダイヤモンド結晶層201に水素を含む表面層を形成する工程を示す図である。図2(a)において、ダイヤモンド結晶層201をCVDリアクター内で水素プラズマにさらし、ダイヤモンド表面を水素ラジカル(Hで表す)で終端し、表面層202を形成する。
FIG. 2 is a process diagram and measurement method for a diamond field effect transistor according to the prior art. A manufacturing process of a conventional hydrogen-terminated diamond FET will be described with reference to FIG. FIG. 2A is a diagram showing a process of forming a surface layer containing hydrogen on the
図2(b)は、ダイヤモンド結晶層201に金薄膜203,204の空間的に分離して蒸着する工程を示す図である。図2(b)において、水素を含む表面層202上の一部の領域に、金薄膜203,204を空間的に分離して蒸着する。それが各々ソース電極203、ドレイン電極204になる。
FIG. 2B is a diagram showing a process of depositing the gold
図2(c)は、ダイヤモンド結晶層201にAl薄膜205を蒸着する工程を示す図である。図2(c)において、水素を含む表面層202上に、ソース電極203とドレイン電極204との間に、空間的に分離してAl薄膜205を蒸着する。これがゲート電極205になる。
FIG. 2C is a diagram showing a process of depositing an Al
図2(d)は、従来技術によるダイヤモンド電界効果トランジスターの測定方法を示す図である。図2(d)において、従来技術によるダイヤモンド電界効果トランジスターの測定方法240は、電圧源207と、電流源208と、電圧源209と、電流源210とを備える。電圧源207と電流源208は、ゲート電極205に直列に接続され、電圧源209と電流源210は、ソース電極203とドレイン電極204との間に直列に接続される。
FIG. 2 (d) is a diagram showing a method for measuring a diamond field effect transistor according to the prior art. In FIG. 2 (d), a diamond field effect
図2に示す従来技術により作製した電界効果トランジスター(ゲート長は1μm)のドレイン電流電圧特性を図3(a)に示す。従来技術によるトランジスターの特性は、ゲート電圧−3Vにおける最大ドレイン電流密度は、100mA/mmであった。 FIG. 3A shows the drain current-voltage characteristics of the field effect transistor (gate length is 1 μm) manufactured by the conventional technique shown in FIG. As for the characteristics of the transistor according to the prior art, the maximum drain current density at a gate voltage of −3 V was 100 mA / mm.
また、従来技術による作製した電界効果トランジスターのゲート電圧―3Vでのドレイン電流密度の試料温度特性を図4(a)に示す。図4(a)において、昇温すると、ドレイン電流密度は、徐々に減少し、再び室温に戻してもドレイン電流密度は元に戻らなかった(非特許文献1参照。)。以下の記述では、ドレイン電流密度が急激に減少する試料温度をTcと呼ぶ。 FIG. 4A shows the sample temperature characteristics of the drain current density at a gate voltage of −3 V of a field effect transistor manufactured according to the prior art. In FIG. 4A, when the temperature was raised, the drain current density gradually decreased, and the drain current density did not return even when the temperature was returned to room temperature again (see Non-Patent Document 1). In the following description, the sample temperature at which the drain current density rapidly decreases is referred to as Tc.
以上のように、従来技術のダイヤモンド半導体では、第1にデバイスのドレイン電流値が実用的には少なすぎ、第2に試料を昇温すると、ある温度以上でドレイン電流が劇的に減少し、元に戻らない、すなわちデバイスが劣化するという問題点があった。このように、従来技術では、根本的な問題が解決できないでいたため、ダイヤモンド電界効果トランジスターは実用化できないでいた。 As described above, in the diamond semiconductor of the prior art, first, the drain current value of the device is practically too small, and secondly, when the temperature of the sample is raised, the drain current dramatically decreases above a certain temperature, There was a problem that it was not restored, that is, the device deteriorated. As described above, the conventional technique cannot solve the fundamental problem, so that the diamond field effect transistor cannot be put into practical use.
本発明の目的は、上述の従来の根本的な問題点を解消するダイヤモンド電界効果トランジスターを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a diamond field-effect transistor that eliminates the above-described fundamental problems of the prior art.
本発明のダイヤモンド電界効果トランジスターは、ダイヤモンド上の、水素を含む第1の表面層と、前記第1の表面層の上に順に並んだソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、ソース電極−ゲート電極間、および、ゲート電極−ドレイン電極間の、前記第1の表面層上にある、フッ素を含む保護層であって、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンとの混合物、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、ペルフルオロカーボン、または、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンと、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタンと、ペルフルオロカーボンとの混合物の内のいずれかである保護層とを備えたことを特徴とする。 Diamond field effect transistor of the present invention, on the diamond, a first surface layer containing hydrogen, a source electrode arranged in this order on the first surface layer, a gate electrode and a drain electrode, a source electrode - the gate electrode during, and the gate electrode - drain electrode, in the first surface layer, a protective layer containing fluorine, 4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1, A mixture of 3-dioxole and 1,1,2,2-tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane, Perfluorocarbon or 4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole, 1,1,2,2-tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1, 1,1 , 2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane, and a protective layer that is one of a mixture of perfluorocarbons .
本発明のダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンド上の、水素を含む第1の表面層と、
前記第1の表面層上の、フッ素を含む保護層であって、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンとの混合物、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、ペルフルオロカーボン、または、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンと、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタンと、ペルフルオロカーボンとの混合物
の内のいずれかである保護層とを備えたことを特徴とする。
Diamond thin film of the present invention includes a first surface layer including on the diamond, a hydrogen,
Wherein on the first surface layer, a protective layer containing fluorine, and 4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole, 1,1,2,2 A mixture with tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane, perfluorocarbon, or 4,5-difluoro-2, 2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole, 1,1,2,2-tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1,1,1,2,3,4,4,5 , 5,5-decafluoropentane and perfluorocarbon
And a protective layer which is any one of the above.
本発明によれば、ダイヤモンド電界効果トランジスターのドレイン電流を増加させるとともに、特性を安定化させることができ、また、室温、大気中におけるトランジスター性能も向上させることができる。従って、優れたダイヤモンド半導体のトランジスターを実用化させることができる。 According to the present invention, the drain current of the diamond field effect transistor can be increased, the characteristics can be stabilized, and the transistor performance at room temperature and in the atmosphere can be improved. Therefore, an excellent diamond semiconductor transistor can be put into practical use.
本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図および測定方法である。
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a process diagram and a measurement method of a diamond field effect transistor according to an embodiment of the present invention.
図1(a)は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図であって、ダイヤモンド結晶101の表面に水素ラジカル(Hで表す)を照射する工程100を示す。
図1(a)において、工程100では、マイクロ波プラズマCVD装置のリアクター内で水素ラジカル(Hで表す)を照射し、水素を含む表面層102を形成する。マイクロ波プラズマCVD装置では、水素プラズマ雰囲気内で結晶成長したダイヤモンド結晶101の表面は、既に水素を含む表面層102を形成しており、その場合は、改めて水素ラジカル照射処理をしなくても良い。
FIG. 1A is a process diagram of a diamond field effect transistor according to an embodiment of the present invention, showing a
In FIG. 1A, in
図1(b)は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図であって、表面層102上に金薄膜103、104を蒸着する工程120を示す図である。
図1(b)において、工程120では、表面層102上の一部の領域に、空間的に分離して、厚さ600nmの金薄膜103、104を蒸着する。金薄膜103、104は、各々ソース電極103、ドレイン電極104になる。
FIG. 1B is a process diagram of a diamond field effect transistor according to an embodiment of the present invention, showing a
In FIG. 1B, in
図1(c)は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図であって、表面層102に、Al薄膜105を蒸着する工程130を示す。
図1(c)において、工程130では、表面層102上のソース電極103、ドレイン電極104との間に、空間的に分離して、Al薄膜105を蒸着する。このAl薄膜105は、ゲート電極105になる。
FIG. 1C is a process diagram of a diamond field effect transistor according to an embodiment of the present invention, showing a
In FIG. 1C, in
図1(d)は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの工程図であって、表面層102に、保護層106をスピンコートで堆積させる工程140を示す図である。
図1(d)において、工程140では、表面層102に、表面層102上全体を覆うように、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンの混合物、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、ペルフルオロカーボンからなる保護層106をスピンコートで堆積させる。
FIG. 1D is a process diagram of a diamond field effect transistor according to an embodiment of the present invention, showing a
1D, in
図1(e)は、本発明の一実施形態によるダイヤモンド電界効果トランジスターの測定方法150を示す図である。
図1(e)において、ダイヤモンド電界効果トランジスターの測定方法150は、電圧源107と、電流源108と、電圧源109と、電流源110とを備える。電圧源107と電流源108は、ゲート電極105に直列に接続され、電圧源109と電流源110は、ソース電極103とドレイン電極104との間に直列に接続される。
FIG. 1E is a diagram illustrating a
In FIG. 1 (e), a diamond field effect
図3(b)は、本発明によるダイヤモンド電界効果トランジスターのドレイン電流電圧特性を示す。図3(b)において、本発明によるトランジスターの電流電圧特性は、ゲート電圧−3Vにおける最大ドレイン電流密度は、600mA/mmとなり、従来技術による場合の約6倍に増加した。 FIG. 3B shows the drain current-voltage characteristics of the diamond field effect transistor according to the present invention. In FIG. 3B, the current-voltage characteristic of the transistor according to the present invention shows that the maximum drain current density at a gate voltage of −3 V is 600 mA / mm, which is about 6 times that in the conventional technique.
図4に、本発明によるダイヤモンド電界効果トランジスターのドレイン電流の試料温度特性を示す。従来技術において、室温から100℃にかけてドレイン電流は急激に減少したが、本発明によれば、300℃まで安定してFET動作した。 FIG. 4 shows the sample temperature characteristics of the drain current of the diamond field effect transistor according to the present invention. In the prior art, the drain current drastically decreased from room temperature to 100 ° C., but according to the present invention, the FET operation was stably performed up to 300 ° C.
表1は、このように作製したFETのドレイン電流密度(IDMAX)と最高動作温度(TC)をまとめたものである。保護層106は、4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンの混合物、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、ペルフルオロカーボンの場合も記す。いずれの場合も、従来技術による場合、(100mA/mm,100℃)より、大幅に向上することがわかった。
Table 1 summarizes the drain current density (I DMAX ) and the maximum operating temperature (T C ) of the FET thus fabricated. The
101 ダイヤモンド結晶膜
102 水素を含む第一の表面層
103 ソース電極(Au)
104 ドレイン電極(Au)
105 ゲート電極(Al)
106 本発明によるフッ素を含む保護層
101
104 Drain electrode (Au)
105 Gate electrode (Al)
106 Protective layer containing fluorine according to the invention
Claims (2)
前記第1の表面層の上に順に並んだソース電極、ゲート電極およびドレイン電極と、
ソース電極−ゲート電極間、および、ゲート電極−ドレイン電極間の、前記第1の表面層上にある、フッ素を含む保護層であって、
4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンとの混合物、
(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、
ペルフルオロカーボン、または、
4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンと、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタンと、ペルフルオロカーボンとの混合物
の内のいずれかである保護層と
を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。 On Diamond, a first surface layer containing hydrogen,
A source electrode arranged in this order on the first surface layer, a gate electrode and a drain electrode,
Source electrodes - between the gate electrodes, and the gate electrode - drain electrode, in the first surface layer, a protective layer containing fluorine,
A mixture of 4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole and 1,1,2,2-tetrafluoroethene,
(2R, 3S) -1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane,
Perfluorocarbon, or
4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole, 1,1,2,2-tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1,1,1,2 , 3,4,4,5,5,5-decafluoropentane and perfluorocarbon
A protective layer that is one of
Diamond FET which comprising the.
前記第1の表面層上の、フッ素を含む保護層であって、
4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンとの混合物、
(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタン、
ペルフルオロカーボン、または、
4,5−ジフルオロ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソールと、1,1,2,2−テトラフルオロエテンと、(2R,3S)−1,1,1,2,3,4,4,5,5,5−デカフルオロペンタンと、ペルフルオロカーボンとの混合物
の内のいずれかである保護層と
を備えたことを特徴とするダイヤモンド薄膜。 On Diamond, a first surface layer containing hydrogen,
Wherein the first surface layer, a protective layer containing fluorine,
A mixture of 4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole and 1,1,2,2-tetrafluoroethene,
(2R, 3S) -1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-decafluoropentane,
Perfluorocarbon, or
4,5-difluoro-2,2-bis (trifluoromethyl) -1,3-dioxole, 1,1,2,2-tetrafluoroethene, (2R, 3S) -1,1,1,2 , 3,4,4,5,5,5-decafluoropentane and perfluorocarbon
A protective layer that is one of
Diamond thin film, comprising the.
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