JP5472555B2 - High frequency signal transmission line and electronic equipment - Google Patents
High frequency signal transmission line and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP5472555B2 JP5472555B2 JP2013552046A JP2013552046A JP5472555B2 JP 5472555 B2 JP5472555 B2 JP 5472555B2 JP 2013552046 A JP2013552046 A JP 2013552046A JP 2013552046 A JP2013552046 A JP 2013552046A JP 5472555 B2 JP5472555 B2 JP 5472555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis direction
- frequency signal
- signal transmission
- transmission line
- interlayer connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 title claims description 145
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 351
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 32
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 21
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
- H01P3/082—Multilayer dielectric
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0224—Patterned shielding planes, ground planes or power planes
- H05K1/0225—Single or multiple openings in a shielding, ground or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/025—Impedance arrangements, e.g. impedance matching, reduction of parasitic impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09709—Staggered pads, lands or terminals; Parallel conductors in different planes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09727—Varying width along a single conductor; Conductors or pads having different widths
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号が伝送される高周波信号伝送線路及び電子機器に関する。 The present invention relates to a high-frequency signal transmission line and an electronic device, and more particularly to a high-frequency signal transmission line and an electronic device through which a high-frequency signal is transmitted.
従来の高周波信号伝送線路としては、例えば、特許文献1に記載の信号線路が知られている。特許文献1に記載の信号線路は、積層体、信号線、第1のグランド導体、第2のグランド導体及びビアホール導体を備えている。積層体は、複数の絶縁体層が積層されて構成されている。信号線は、積層体内に設けられている線状の導体である。第1のグランド導体及び第2のグランド導体は、絶縁体層と共に積層され、信号線を挟んで互いに対向している。信号線、第1のグランド導体及び第2のグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。ビアホール導体は、絶縁体層を貫通しており、第1のグランド導体と第2のグランド導体とを接続している。
As a conventional high-frequency signal transmission line, for example, a signal line described in
以上のように構成された特許文献1に記載の信号線路では、積層体を湾曲させることが困難であるという問題がある。図15は、特許文献1に記載の信号線路500のビアホール導体B502,B504を示した断面構造図である。より詳細には、該信号線路では、複数のビアホール導体B502,B504が直線状に接続されている。積層体502が上側に突出するように湾曲する場合には、上側に位置する絶縁体層502aが左右方向に引っ張られ、下側に位置する絶縁体層502dが左右方向から圧縮される。これにより、ビアホール導体B502,B504は、絶縁体層502a,502dの復元力により上下方向から力Fを受ける。ビアホール導体B502,B504は、力Fを受けることにより、矢印αに示す左右方向に倒れる。以上の動作により、積層体502が湾曲する。
In the signal line described in
ところが、図15に示すように、力Fは、ビアホール導体B502、B504を左右方向に倒す成分の力を殆ど有していない。そのため、積層体502を湾曲させるためには、大きな力Fを加えてビアホール導体B502,B504を左右方向に倒す必要がある。よって、特許文献1に記載の信号線路500では、積層体502を湾曲させることが困難であった。
However, as shown in FIG. 15, the force F has almost no component force that tilts the via-hole conductors B502 and B504 in the left-right direction. Therefore, in order to bend the
そこで、本発明の目的は、容易に湾曲させることができる高周波信号伝送線路及び電子機器を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a high-frequency signal transmission line and an electronic device that can be easily bent.
本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、可撓性を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記絶縁体層を介して前記信号線と対向している第1のグランド導体と、前記信号線に沿って延在している第2のグランド導体と、前記第1のグランド導体と前記第2のグランド導体とを接続する層間接続部であって、前記絶縁体層を貫通する複数の層間接続導体が接続されることにより構成されている層間接続部と、を備えており、前記層間接続部は、積層方向において隣り合う前記絶縁体層を貫通し、積層方向から平面視したときに中心軸が重ならない2つ以上の前記層間接続導体を含んでいること、を特徴とする。 A high-frequency signal transmission line according to an aspect of the present invention is configured by laminating a plurality of insulator layers, a flexible element body, a linear signal line provided on the element body, A first ground conductor facing the signal line through an insulator layer; a second ground conductor extending along the signal line; the first ground conductor; and the second ground conductor. An interlayer connection for connecting a ground conductor, and an interlayer connection configured by connecting a plurality of interlayer connection conductors penetrating the insulator layer, and the interlayer connection is In addition, it includes two or more interlayer connection conductors that pass through the insulating layers adjacent in the stacking direction and whose central axes do not overlap when viewed in plan from the stacking direction.
本発明の一形態に係る電子機器は、高周波信号伝送線路と、前記高周波信号伝送線路を収容している電子機器と、を備えており、前記高周波信号伝送線路は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、可撓性を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記絶縁体層を介して前記信号線と対向している第1のグランド導体と、前記信号線に沿って延在している第2のグランド導体と、前記第1のグランド導体と前記第2のグランド導体とを接続する層間接続部であって、前記絶縁体層を貫通する複数の層間接続導体が接続されることにより構成されている層間接続部と、を備えており、前記層間接続部は、積層方向において隣り合う前記絶縁体層を貫通し、積層方向から平面視したときに中心軸が重ならない2つ以上の前記層間接続導体を含んでいること、を特徴とする。 An electronic device according to an aspect of the present invention includes a high-frequency signal transmission line and an electronic device that accommodates the high-frequency signal transmission line, and the high-frequency signal transmission line includes a plurality of insulating layers stacked. A flexible element body, a linear signal line provided on the element body, and a first ground conductor facing the signal line through the insulator layer, A second ground conductor extending along the signal line, and an interlayer connection portion connecting the first ground conductor and the second ground conductor, and penetrating the insulator layer. An interlayer connection portion configured by connecting a plurality of interlayer connection conductors, and the interlayer connection portion penetrates the insulating layer adjacent in the stacking direction and is viewed in plan from the stacking direction. Sometimes two or more of the above layers where the central axes do not overlap To contain connection conductors, characterized by.
本発明によれば、高周波信号伝送線路を容易に湾曲させることができる。 According to the present invention, the high-frequency signal transmission line can be easily bent.
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, high-frequency signal transmission lines and electronic devices according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(高周波信号伝送線路の構成)
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係る高周波信号伝送線路10の外観斜視図である。図2は、一実施形態に係る高周波信号伝送線路10の誘電体素体12の分解図である。図3は、一実施形態に係る高周波信号伝送線路10の断面構造図である。図3では、ビアホール導体B1〜B8及び接続導体25a,25b,26a,26b,27a,27bを重ねて図示した。図1ないし図3において、高周波信号伝送線路10の積層方向をz軸方向と定義する。また、高周波信号伝送線路10の長手方向をx軸方向と定義し、x軸方向及びz軸方向に直交する方向をy軸方向と定義する。(Configuration of high-frequency signal transmission line)
The configuration of the high-frequency signal transmission line according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an external perspective view of a high-frequency
高周波信号伝送線路10は、図1ないし図3に示すように、誘電体素体12、外部端子16(16a,16b)、信号線20、グランド導体22,24、層間接続部C1,C2(図3参照)及びコネクタ100a,100bを備えている。
1 to 3, the high-frequency
誘電体素体12は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、線路部12a、接続部12b,12cを含んでいる。誘電体素体12は、図2に示すように、保護層14及び誘電体シート(絶縁体層)18(18a〜18e)がz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体12のz軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体12のz軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
The
線路部12aは、x軸方向に延在している。接続部12b,12cはそれぞれ、線路部12aのx軸方向の負方向側の端部及びx軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部12b,12cのy軸方向の幅は、線路部12aのy軸方向の幅よりも広い。
The line portion 12a extends in the x-axis direction. The connecting
誘電体シート18は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向に延在しており、誘電体素体12と同じ形状をなしている。誘電体シート18は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート18の積層後の厚さは、例えば、50μmである。以下では、誘電体シート18のz軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート18のz軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
The
また、誘電体シート18aは、線路部18a−a及び接続部18a−b,18a−cにより構成されている。誘電体シート18bは、線路部18b−a及び接続部18b−b,18b−cにより構成されている。誘電体シート18cは、線路部18c−a及び接続部18c−b,18c−cにより構成されている。誘電体シート18dは、線路部18d−a及び接続部18d−b,18d−cにより構成されている。誘電体シート18eは、線路部18e−a及び接続部18e−b,18e−cにより構成されている。線路部18a−a,18b−a,18c−a,18d−a,18e−aは、線路部12aを構成している。接続部18a−b,18b−b,18c−b,18d−b,18e−bは、接続部12bを構成している。接続部18a−c,18b−c,18c−c,18d−c,18e−cは、接続部12cを構成している。
The
外部端子16aは、図1及び図2に示すように、接続部18a−bの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16bは、図1及び図2に示すように、接続部18a−cの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子16a,16bは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子16a,16bの表面には、金めっきが施されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the external terminal 16a is a rectangular conductor provided near the center of the surface of the
信号線20は、図2に示すように、誘電体素体12内に設けられている線状導体であり、誘電体シート18dの表面をx軸方向に延在している。信号線20の両端はそれぞれ、z軸方向から平面視したときに、外部端子16a,16bと重なっている。信号線20は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
As shown in FIG. 2, the
ビアホール導体b11,b13,b15はそれぞれ、誘電体シート18a〜18cの接続部18a−b〜18c−bをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体b11,b13,b15は、外部端子16aと信号線20のx軸方向の負方向側の端部を接続している。
The via-hole conductors b11, b13, and b15 pass through the connecting
ビアホール導体b12,b14,b16はそれぞれ、誘電体シート18a〜18cの接続部18a−c〜18c−cをz軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより1本のビアホール導体を構成している。そして、ビアホール導体b12,b14,b16は、外部端子16bと信号線20のx軸方向の正方向側の端部を接続している。ビアホール導体b11〜b16は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
The via-hole conductors b12, b14, and b16 pass through the
グランド導体22(第1のグランド導体)は、図2及び図3に示すように、誘電体素体12内において信号線20よりもz軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート18aの表面に設けられている。グランド導体22は、誘電体シート18aの表面において信号線20に沿ってx軸方向に延在しており、図2に示すように、誘電体シート18a〜18cを介して信号線20と対向している。
As shown in FIGS. 2 and 3, the ground conductor 22 (first ground conductor) is provided on the positive side in the z-axis direction with respect to the
また、グランド導体22は、線路部22a、端子部22b,22cにより構成されている。線路部22aは、線路部18a−aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。線路部22aには、実質的に開口が設けられていない。すなわち、線路部22aは、線路部12aにおける信号線20に沿ってx軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、線路部22aは線路部12aを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート18の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすために線路部22aの所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。線路部22aは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
The
ここで、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスは、主に、信号線20とグランド導体22との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート18a〜18eの比誘電率に基づいて定まる。そこで、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスを50Ωに設定する場合には、例えば、信号線20とグランド導体22によって高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスが50Ωよりもやや高めの55Ωとなるように設計する。そして、信号線20とグランド導体22と後述するグランド導体24とによって高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスが50Ωとなるように、後述するグランド導体24の形状を調整する。以上のように、グランド導体22は、基準グランド導体としての役割を果たす。
Here, the characteristic impedance of the high-frequency
端子部22bは、接続部18a−bの表面に設けられ、外部端子16aの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部22bは、線路部22aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部22cは、接続部18a−cの表面に設けられ、外部端子16bの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部22cは、線路部22aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。
The
グランド導体24(第2のグランド導体)は、図2及び図3に示すように、信号線20に沿ってx軸方向に延在している。より詳細には、グランド導体24は、誘電体素体12内において信号線20よりもz軸方向の負方向側(信号線20に関してグランド導体22の反対側)に設けられ、具体的には、誘電体シート18eの表面に設けられている。グランド導体24は、誘電体シート18eの表面において信号線20に沿ってx軸方向に延在しており、図2に示すように、誘電体シート18dを介して信号線20と対向している。グランド導体24は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
The ground conductor 24 (second ground conductor) extends in the x-axis direction along the
また、グランド導体24は、線路部24a及び端子部24b,24cにより構成されている。線路部24aは、線路部18e−aの表面に設けられ、x軸方向に延在している。そして、線路部24aは、導体層が形成されていない複数の開口30と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部60とが交互に信号線20に沿って等間隔に並ぶように設けられることにより、はしご状をなしている。開口30は、図2に示すように、z軸方向から平面視したときに、信号線20と重なっている。これにより、信号線20は、z軸方向から平面視したときに、開口30とブリッジ部60と交互に重なっている。
The
ここで、開口30の形状について説明する。開口30は、開口部30a〜30cにより構成されている。開口部30bは、x軸方向に延在する長方形状の開口である。開口部30aは、開口部30bのx軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口部30cは、開口部30bのx軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口部30bのy軸方向の幅W1は、開口部30a,30cのy軸方向の幅W2よりも大きい。これにより、開口30は、十字型をなしている。また、信号線20は、z軸方向から平面視したときに、開口30のy軸方向の中央を横切っている。
Here, the shape of the
以下では、高周波信号伝送線路10において、開口部30bが設けられている領域を領域A1とし、ブリッジ部60が設けられている領域を領域A2とし、開口部30aが設けられている領域を領域A3とし、開口部30cが設けられている領域を領域A4とする。
Hereinafter, in the high-frequency
端子部24bは、接続部18e−bの表面に設けられ、接続部18e−bの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部24bは、線路部24aのx軸方向の負方向側の端部に接続されている。
The
端子部24cは、接続部18e−cの表面に設けられ、接続部18e−cの中央を囲む矩形状の環をなしている。端子部24cは、線路部24aのx軸方向の正方向側の端部に接続されている。
The
グランド導体24は、シールドとしても機能する補助グランド導体である。また、グランド導体24は、前記の通り、高周波信号伝送線路10の特性インピーダンスが50Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。具体的には、開口30の大きさやブリッジ部60の線幅等を設計する。
The
以上のように、グランド導体22には開口が設けられず、グランド導体24には開口30が設けられている。よって、グランド導体24と信号線20とが対向している面積は、グランド導体22と信号線20とが対向している面積よりも小さい。
As described above, the
また、図2に示すように、領域A1における信号線20の線幅Waは、領域A2,A3,A4における信号線20の線幅Wbよりも大きい。領域A1では、信号線20とグランド導体24との距離が大きいので、線幅Waを大きくして信号線20の高周波抵抗値(導体損)を小さくしている。一方、領域A2,A3,A4では、信号線20とグランド導体24との距離が小さいので、線幅Wbを小さくして信号線のインピーダンスの低下を抑制している。
As shown in FIG. 2, the line width Wa of the
層間接続部C1は、グランド導体22の線路部22aとグランド導体24の線路部24aとを接続し、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。層間接続部C1は、ビアホール導体(層間接続導体)B1〜B4及び接続導体25a〜27aが接続されることにより構成されている。
The interlayer connection portion C1 connects the
ビアホール導体B1は、誘電体シート18aの線路部18a−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B2は、誘電体シート18bの線路部18b−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B2の中心軸は、ビアホール導体B1の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体B3は、誘電体シート18cの線路部18c−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B3の中心軸は、ビアホール導体B2の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体B4は、誘電体シート18dの線路部18d−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B4の中心軸は、ビアホール導体B3の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体B1〜B4は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
A plurality of via-hole conductors B1 are provided so as to penetrate the
以上のように、ビアホール導体B1〜B4において、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通しているビアホール導体B1〜B4の中心軸同士は、z軸方向から平面視したときに、全て重なっていない。すなわち、ビアホール導体B1の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B2の中心と重なっていない。また、ビアホール導体B2の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B1,B3の中心と重なっていない。ビアホール導体B3の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B2,B4の中心と重なっていない。ビアホール導体B4の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B3の中心と重なっていない。
As described above, in the via-hole conductors B1 to B4, when the central axes of the via-hole conductors B1 to B4 passing through the
更に、高周波信号伝送線路10では、全てのビアホール導体B1〜B4の中心軸は、z軸方向から平面視したときに重なっていない。そして、ビアホール導体B1〜B4の中心軸は、z軸方向から平面視したときに、信号線20に沿ってx軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
Furthermore, in the high-frequency
接続導体25aは、誘電体シート18bの線路部18b−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体25aは、x軸方向に延在する長方形状をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B1とビアホール導体B2とを接続している。接続導体25aのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B1のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体25aのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B2のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of
接続導体26aは、誘電体シート18cの線路部18c−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体26aは、x軸方向に延在する長方形状をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B2とビアホール導体B3とを接続している。接続導体26aのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B2のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体26aのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B3のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of
接続導体27aは、誘電体シート18dの線路部18d−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の正方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体27aは、L字型をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B3とビアホール導体B4とを接続している。接続導体27aのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B3のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体27aのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B4のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of connecting
以上のように構成された層間接続部C1は、図3に示すように、x軸方向の正方向側に進行するにしたがってz軸方向の負方向側に進行する階段状をなしている。また、本実施形態に係る高周波信号伝送線路10では、全ての層間接続部C1は、y軸方向から平面視したときに、同方向に傾斜している。
As shown in FIG. 3, the interlayer connection portion C <b> 1 configured as described above has a stepped shape that proceeds to the negative direction side in the z-axis direction as it proceeds to the positive direction side in the x-axis direction. Further, in the high-frequency
層間接続部C2は、グランド導体22の線路部22aとグランド導体24の線路部24aとを接続し、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。層間接続部C2は、ビアホール導体(層間接続導体)B5〜B8及び接続導体25b〜27bが接続されることにより構成されている。
The interlayer connection portion C2 connects the
ビアホール導体B5は、誘電体シート18aの線路部18a−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B6は、誘電体シート18bの線路部18b−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B6の中心軸は、ビアホール導体B5の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体B7は、誘電体シート18cの線路部18c−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B7の中心軸は、ビアホール導体B6の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。ビアホール導体B8は、誘電体シート18dの線路部18d−aをz軸方向に貫通しており、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体B8の中心軸は、ビアホール導体B7の中心軸よりもx軸方向の正方向側に位置している。
A plurality of via-hole conductors B5 are provided so as to penetrate the
以上のように、ビアホール導体B5〜B8において、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通しているビアホール導体B5〜B8の中心軸同士は、z軸方向から平面視したときに、全て重なっていない。すなわち、ビアホール導体B5の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B6の中心と重なっていない。また、ビアホール導体B6の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B5,B7の中心と重なっていない。ビアホール導体B7の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B6,B8の中心と重なっていない。ビアホール導体B8の中心は、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B7の中心と重なっていない。ビアホール導体B5〜B8は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。
As described above, in the via-hole conductors B5 to B8, when the central axes of the via-hole conductors B5 to B8 passing through the
更に、高周波信号伝送線路10では、全てのビアホール導体B5〜B8の中心軸は、z軸方向から平面視したときに重なっていない。そして、ビアホール導体B5〜B8の中心軸は、z軸方向から平面視したときに、信号線20に沿ってx軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
Furthermore, in the high-frequency
接続導体25bは、誘電体シート18bの線路部18b−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体25bは、x軸方向に延在する長方形状をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B5とビアホール導体B6とを接続している。接続導体25bのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B5のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体25bのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B6のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of
接続導体26bは、誘電体シート18cの線路部18c−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体26bは、x軸方向に延在する長方形状をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B6とビアホール導体B7とを接続している。接続導体26bのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B6のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体26bのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B7のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of
接続導体27bは、誘電体シート18dの線路部18d−aに設けられ、信号線20よりもy軸方向の負方向側において、x軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。接続導体27bは、L字型をなし、中心軸が重ならないビアホール導体B7とビアホール導体B8とを接続している。接続導体27bのx軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体B7のz軸方向の負方向側の端部が接続されている。接続導体27bのx軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体B8のz軸方向の正方向側の端部が接続されている。
A plurality of
以上のように構成された層間接続部C2は、図3に示すように、x軸方向の正方向側に進行するにしたがってz軸方向の負方向側に進行する階段状をなしている。また、本実施形態に係る高周波信号伝送線路10では、全ての層間接続部C2は、y軸方向から平面視したときに、同方向に傾斜している。
As shown in FIG. 3, the interlayer connection portion C <b> 2 configured as described above has a stepped shape that proceeds to the negative direction side in the z-axis direction as it proceeds to the positive direction side in the x-axis direction. Further, in the high-frequency
また、層間接続部C1,C2はそれぞれ、隣り合う開口30に挟まれた領域A2においてグランド導体24に接続されている。すなわち、ビアホール導体B4,B8のz軸方向の負方向側の端部は、ブリッジ部60に接続されている。
The interlayer connection portions C1 and C2 are connected to the
以上のように、信号線20及びグランド導体22,24は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。そして、信号線20とグランド導体22との間隔は、誘電体シート18a〜18cの合計の厚さと略等しく、例えば、50μm〜300μmである。本実施形態では、信号線20とグランド導体22との間隔は、150μmである。一方、信号線20とグランド導体24との間隔は、誘電体シート18dの厚さと略等しく、例えば、10μm〜100μmである。本実施形態では、信号線20とグランド導体24との間隔は、50μmである。すなわち、誘電体シート18a〜18cの合計の厚さは、誘電体シート18dの厚さよりも大きくなるように設計されている。なお、グランド導体22,24のy軸方向の幅は例えば約800μmである。このように高周波信号伝送線路10は厚みが薄く、幅が広い高周波信号伝送線路となっている。
As described above, the
保護層14は、誘電体シート18aの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層14は、グランド導体22を覆っている。保護層14は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
The
また、保護層14は、図2に示すように、線路部14a及び接続部14b,14cにより構成されている。線路部14aは、線路部18a−aの表面の全面を覆うことにより、線路部22aを覆っている。
Moreover, the
接続部14bは、線路部14aのx軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部18a−bの表面を覆っている。ただし、接続部14bには、開口Ha〜Hdが設けられている。開口Haは、接続部14bの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16aは、開口Haを介して外部に露出している。また、開口Hbは、開口Haのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hcは、開口Haのx軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hdは、開口Haのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22bは、開口Hb〜Hdを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
The connecting
接続部14cは、線路部14aのx軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部18a−cの表面を覆っている。ただし、接続部14cには、開口He〜Hhが設けられている。開口Heは、接続部14cの略中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子16bは、開口Heを介して外部に露出している。また、開口Hfは、開口Heのy軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hgは、開口Heのx軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Hhは、開口Heのy軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部22cは、開口Hf〜Hhを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
The connecting
コネクタ100a,100bはそれぞれ、接続部12b,12cの表面上に実装され、信号線20及びグランド導体22,24と電気的に接続される。コネクタ100a,100bの構成は同じであるので、以下にコネクタ100bの構成を例に挙げて説明する。図4は、高周波信号伝送線路10のコネクタ100bの外観斜視図及び断面構造図である。
The
コネクタ100bは、図1及び図4に示すように、コネクタ本体102、外部端子104,106及び中心導体108及び外部導体110により構成されている。コネクタ本体102は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
As shown in FIGS. 1 and 4, the
外部端子104は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、外部端子16bと対向する位置に設けられている。外部端子106は、コネクタ本体102の板のz軸方向の負方向側の面において、開口Hf〜Hhを介して露出している端子部22cに対応する位置に設けられている。
The
中心導体108は、コネクタ本体102の円筒の中心に設けられており、外部端子104と接続されている。中心導体108は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体110は、コネクタ本体102の円筒の内周面に設けられており、外部端子106と接続されている。外部導体110は、接地電位に保たれるグランド端子である。
The
以上のように構成されたコネクタ100bは、外部端子104が外部端子16bと接続され、外部端子106が端子部22cと接続されるように、接続部12cの表面上に実装される。これにより、信号線20は、中心導体108に電気的に接続されている。また、グランド導体22,24は、外部導体110に電気的に接続されている。
The
高周波信号伝送線路10は、以下に説明するように用いられる。図5は、高周波信号伝送線路10が用いられた電子機器200をy軸方向及びz軸方向から平面視した図である。
The high-frequency
電子機器200は、高周波信号伝送線路10、回路基板202a,202b、レセプタクル204a,204b、バッテリーパック(金属体)206及び筐体210を備えている。
The
回路基板202aには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板202bには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック206は、例えば、リチウムイオン2次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板202a、バッテリーパック206及び回路基板202bは、x軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
The
誘電体素体12の表面(より正確には、保護層14)は、バッテリーパック206に対して接触している。そして、誘電体素体12の表面とバッテリーパック206とは、接着剤等により固定されている。
The surface of the dielectric body 12 (more precisely, the protective layer 14) is in contact with the
レセプタクル204a,204bはそれぞれ、回路基板202a,202bのz軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル204a,204bにはそれぞれ、コネクタ100a,100bが接続される。これにより、コネクタ100a,100bの中心導体108には、回路基板202a,202b間を伝送される例えば2GHzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル204a,204bを介して印加される。また、コネクタ100a,100bの外部導体110には、回路基板202a,202b及びレセプタクル204a,204bを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号伝送線路10は、回路基板202a,202b間を接続している。
The
ここで、バッテリーパック206のz軸方向の負方向側の主面とレセプタクル204a,204bとの間には段差が存在する。よって、誘電体素体12の線路部12aの両端が湾曲させられることによって、コネクタ100a,100bはそれぞれ、レセプタクル204a,204bに接続されている。
Here, there is a step between the negative main surface of the
(高周波信号伝送線路の製造方法)
以下に、高周波信号伝送線路10の製造方法について図2を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号伝送線路10が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号伝送線路10が作製される。(Manufacturing method of high-frequency signal transmission line)
Below, the manufacturing method of the high frequency
まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート18を準備する。誘電体シート18の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、10μm〜20μmである。
First, a
次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示すグランド導体22及び外部端子16a,16bを誘電体シート18aの表面に形成する。具体的には、誘電体シート18aの銅箔上に、図2に示すグランド導体22及び外部端子16a,16bと同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図2に示すような、グランド導体22及び外部端子16a,16bが誘電体シート18aの表面に形成される。
Next, the
次に、フォトリソグラフィ工程により、図2に示す接続導体25a,25bを誘電体シート18bの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図2に示す接続導体26a,26bを誘電体シート18cの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図2に示す信号線20及び接続導体27a,27bを誘電体シート18dの表面に形成する。フォトリソグラフィ工程により、図2に示すグランド導体24を誘電体シート18eの表面に形成する。なお、ここでのフォトリソグラフィ工程は、グランド導体22及び外部端子16a,16bを形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。
Next,
次に、誘電体シート18a〜18dのビアホール導体B1〜B8,b11〜b16が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート18a〜18dに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。
Next, a laser beam is irradiated from the back side to the positions where the via-hole conductors B1 to B8 and b11 to b16 of the
次に、誘電体シート18a〜18eをz軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート18a〜18eに対してz軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート18a〜18eを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図2に示すビアホール導体B1〜B8,b11〜b16を形成する。なお、各誘電体シート18は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。なお、ビアホール導体B1〜B8,b11〜b16は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。
Next, the
最後に、樹脂(レジスト)ペーストを塗布することにより、誘電体シート18a上に保護層14を形成する。
Finally, a
(効果)
以上のように構成された高周波信号伝送線路10によれば、高周波信号伝送線路10を容易に湾曲させることができる。より詳細には、特許文献1に記載の信号線路では、図15に示すように、複数のビアホール導体B502,B504が直線状に接続されている。積層体502が上側に突出するように湾曲する場合には、上側に位置する絶縁体層502aが左右方向に引っ張られ、下側に位置する絶縁体層502dが左右方向から圧縮される。これにより、ビアホール導体B502,B504は、絶縁体層502a,502dの復元力により上下方向から力Fを受ける。ビアホール導体B502,B504は、力Fを受けることにより、矢印αに示す左右方向に倒れる。以上の動作により、積層体502が湾曲する。(effect)
According to the high-frequency
ところが、図15に示すように、力Fは、ビアホール導体B502、B504を左右方向に倒す成分の力を殆ど有していない。そのため、積層体502を湾曲させるためには、大きな力Fを加えてビアホール導体B502,B504を左右方向に倒す必要がある。よって、特許文献1に記載の信号線路500では、積層体502を湾曲させることが困難であった。また、大きな力Fによってグランド導体22,24にクラックが入りグランド導体22,24が断線したり、ビアホール導体B502,B504にクラックが入ったりして高周波信号伝送線路10が壊れてしまう恐れがあった。
However, as shown in FIG. 15, the force F has almost no component force that tilts the via-hole conductors B502 and B504 in the left-right direction. Therefore, in order to bend the
一方、高周波信号伝送線路10では、層間接続部C1,C2は、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通している2つのビアホール導体B1〜B8であって、z軸方向から平面視したときに中心軸が重ならないビアホール導体B1〜B8を含んでいる。高周波信号伝送線路10では、全てのビアホール導体B1〜B8の中心軸が重なっていない。これにより、層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに傾斜するようになる。その結果、図3に示すように、層間接続部C1,C2がz軸方向の正方向側から力Fを受けると、層間接続部C1,C2を反時計回りに回転させるモーメントが発生する。よって、層間接続部C1,C2が倒れて、高周波信号伝送線路10が湾曲する。以上より、高周波信号伝送線路10を容易に湾曲させることができる。
On the other hand, in the high-frequency
また、高周波信号伝送線路10では、以下の理由によっても、高周波信号伝送線路10を容易に湾曲させることができる。より詳細には、高周波信号伝送線路10では、中心軸が重ならないビアホール導体B1〜B8は、誘電体シート18b〜18d上に設けられている接続導体25a〜27a,25b〜27bにより接続されている。接続導体25a〜27a,25b〜27bは、層状の導体であるので、柱状のビアホール導体B1〜B8よりも変形しやすい。特に、高周波信号伝送線路10の厚み方向に湾曲させる方向に対して変形しやすい。よって、高周波信号伝送線路10が湾曲させられる際には、接続導体25a〜27a,25b〜27bが湾曲するようになる。その結果、高周波信号伝送線路10を容易に湾曲させることができる。
Moreover, in the high frequency
また、高周波信号伝送線路10では、誘電体素体12の表面及び裏面において、層間接続部C1,C2が設けられている部分が突出することが抑制される。図6は、比較例に係る高周波信号伝送線路610の層間接続部C600の断面構造図である。
Further, in the high-frequency
図6に示す高周波信号伝送線路610では、層間接続部C600は、ビアホール導体B601〜B604が接続されることにより直線状をなしている。ビアホール導体B601〜B604は誘電体シート618a〜618eよりも硬いので、誘電体シート618a〜618eの熱圧着時にビアホール導体B601〜B604が高周波信号伝送線路610の表面及び裏面において突出してしまう。
In the high-frequency
一方、高周波信号伝送線路10では、層間接続部C1,C2は、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通している2つのビアホール導体B1〜B8であって、z軸方向から平面視したときに中心軸が重ならないビアホール導体B1〜B8を含んでいる。すなわち、高周波信号伝送線路10では、ビアホール導体B1〜B4及びビアホール導体B5〜B8が直線状に並んでいない。これにより、誘電体素体12の表面及び裏面において、層間接続部C1,C2が設けられている部分が突出することが抑制される。
On the other hand, in the high-frequency
また、高周波信号伝送線路10では、高周波信号伝送線路10が湾曲した際に、接続導体25a〜27a,25b〜27bが湾曲するので、ビアホール導体B1〜B8に大きな力が加わることが抑制される。そのため、湾曲させられようとするビアホール導体B1〜B8の復元力がビアホール導体B1〜B8の周囲の誘電体シート18a〜18dやグランド導体22,24に伝わることが抑制される。その結果、誘電体シート18a〜18d又はグランド導体22,24に破損が発生することが抑制される。よって、高周波信号伝送線路10の挿入損失が低減される。
Further, in the high-frequency
また、高周波信号伝送線路10では、不要輻射が発生することが抑制される。より詳細には、特許文献1に記載の信号線路500では、信号線の側方には、直線状に接続されたビアホール導体B502,B504が設けられているのみである。そのため、ビアホール導体B502,B504の間から不要輻射が発生しやすい。
Moreover, in the high frequency
一方、高周波信号伝送線路10では、層間接続部C1,C2は、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通している2つのビアホール導体B1〜B8であって、z軸方向から平面視したときに中心軸が重ならないビアホール導体B1〜B8を含んでいる。すなわち、高周波信号伝送線路10では、ビアホール導体B1〜B4及びビアホール導体B5〜B8が直線状に並んでいない。そのため、層間接続部C1,C2のx軸方向の幅は、ビアホール導体B502,B504のx軸方向の幅よりも広くなる。これにより、信号線20が放射したノイズは、層間接続部C1,C2のビアホール導体B1〜B8に吸収されやすくなる。よって、高周波信号伝送線路10では、y軸方向の負方向側および正方向側の側面からの不要輻射が抑制される。
On the other hand, in the high-frequency
更に、高周波信号伝送線路10では、接続導体25a〜27a,25b〜27bが設けられている。よって、信号線20が放射したノイズは、接続導体25a〜27a,25b〜27bによっても吸収される。したがって、高周波信号伝送線路10では、y軸方向の負方向側および正方向側の側面からの不要輻射がより効果的に抑制される。
Furthermore, in the high frequency
また、高周波信号伝送線路10では、層間接続部C1,C2は、隣り合う開口30に挟まれたブリッジ部60においてグランド導体24に接続されている。これにより、ブリッジ部60の電位がグランドに近づくようになり、ブリッジ部60に不要なインダクタ成分が発生することが抑制される。
In the high-frequency
また、高周波信号伝送線路10では、領域A1における信号線20の特性インピーダンスは、領域A3,A4における信号線20の特性インピーダンスよりも高い。また、領域A3,A4における信号線20の特性インピーダンスは、領域A2における信号線20の特性インピーダンスよりも高い。より詳細には、信号線20の特性インピーダンスは、以下に説明するように、隣り合う2つのブリッジ部60間において、一方のブリッジ部60から他方のブリッジ部60に近づくにしたがって、最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1と増加した後に、最大値Z1、中間値Z3、最小値Z2へと減少するように変動する。
In the high-frequency
開口部30bのy軸方向の幅W1は、開口部30a,30cのy軸方向の幅W2よりも大きい。そのため、領域A1における信号線20とグランド導体24との距離は、領域A3,A4における信号線20とグランド導体24との距離よりも大きい。これにより、領域A1における信号線20に発生する磁界の強度が、領域A3,A4における信号線20に発生する磁界の強度よりも大きくなる。すなわち、領域A1における信号線20のインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域A1における信号線20ではL性が支配的になる。
The width W1 of the
一方、領域A2における信号線20とグランド導体24との距離は、領域A3,A4における信号線20とグランド導体24との距離よりも小さい。これにより、領域A2における信号線20に発生する容量が、領域A3,A4における信号線20に発生する容量よりも大きくなる。更に、領域A2における磁界強度が領域A3,A4における磁界強度より小さくなる。つまり、領域A2における信号線20ではC性が支配的になる。
On the other hand, the distance between the
以上より、領域A1では、信号線20とグランド導体24との間に殆ど容量が発生しないので、主に、信号線20のインダクタンスによって最大値Z1が発生する。また、領域A2では、信号線20とグランド導体24との間に大きな容量が発生しているので、主に、容量によって最小値Z2が発生する。また、領域A3,A4では、インダクタンス及び容量によって中間値Z3が発生する。その結果、信号線20の特性インピーダンスは、最大値Z1、中間値Z3、最小値Z2と減少した後に最小値Z2、中間値Z3、最大値Z1と増加する周期的変動を繰り返す。最大値Z1は、例えば、70Ωである。最小値Z2は、例えば、30Ωである。中間値Z3は、例えば、50Ωである。ただし、信号線20全体の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス(例えば、50Ω)となるように、最大値Z1、最小値Z2及び中間値Z3が設計される。
As described above, in the region A1, almost no capacitance is generated between the
また、高周波信号伝送線路10によれば、グランド導体24におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号伝送線路10では、開口部30bのy軸方向の幅W1は、開口部30a,30cのy軸方向の幅W2よりも大きい。これにより、高周波信号伝送線路10では、領域A1における信号線20の磁界エネルギーは、領域A3,A4における信号線20の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域A2における信号線20の磁界エネルギーは、領域A3,A4における信号線20の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線20の特性インピーダンスが、Z2、Z3、Z1、Z3、Z2・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線20において、x軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、開口30とブリッジ部60との境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体24のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。
Further, according to the high-frequency
(第1の変形例)
以下に、第1の変形例に係る高周波信号伝送線路10aについて図面を参照しながら説明する。図7は、第1の変形例に係る高周波信号伝送線路10aの断面構造図である。図7では、ビアホール導体B1〜B8及び接続導体25a,25b,26a,26b,27a,27bを重ねて図示した。(First modification)
Hereinafter, the high-frequency signal transmission line 10a according to the first modification will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a cross-sectional structure diagram of the high-frequency signal transmission line 10a according to the first modification. In FIG. 7, the via-hole conductors B1 to B8 and the
高周波信号伝送線路10では、全ての層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに、同じ方向に傾斜している。一方、高周波信号伝送線路10aでは、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに、反対方向に傾斜している。以上のように構成された高周波信号伝送線路10aにおいても、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果を奏することができる。
In the high-frequency
ただし、高周波信号伝送線路10の方が高周波信号伝送線路10aよりも、グランド導体22,24の電位が接地電位に安定する。より詳細には、高周波信号伝送線路10aでは、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに、反対方向に傾斜している。よって、図7に示すように、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2の間隔が相対的に広い区間E1とx軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2の間隔が相対的に狭い区間E2とが形成される。その結果、区間E2におけるグランド導体22,24の電位は接地電位に安定しやすくなり、区間E1におけるグランド導体22,24の電位は接地電位に安定しにくくなる。よって、高周波信号伝送線路10aでは、高周波信号伝送線路10と比較しして区間E1から不要輻射が発生しやすい。
However, the high-frequency
一方、高周波信号伝送線路10では、図3に示すように、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに、同方向に傾斜している。よって、図3に示すように、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2の間隔が均一となる。その結果、グランド導体22,24の電位にむらが発生しにくくなり、グランド導体22,24の電位が接地電位に安定しやすくなる。よって、高周波信号伝送線路10では、不要輻射が発生しにくい。
On the other hand, in the high-frequency
(第2の変形例)
以下に、第2の変形例に係る高周波信号伝送線路10bについて図面を参照しながら説明する。図8は、第2の変形例に係る高周波信号伝送線路10bの断面構造図である。図8では、ビアホール導体B1〜B8及び接続導体25a,25b,26a,26b,27a,27bを重ねて図示した。(Second modification)
The high frequency
高周波信号伝送線路10bでは、層間接続部C1,C2はジグザグ形状をなしている。より詳細には、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B1,B3の中心軸が重なっており、ビアホール導体B2,B4の中心軸が重なっている。そして、ビアホール導体B1,B3の中心軸は、ビアホール導体B2,B4よりもx軸方向の負方向側に位置している。同様に、z軸方向から平面視したときに、ビアホール導体B5,B7の中心軸が重なっており、ビアホール導体B6,B8の中心軸が重なっている。そして、ビアホール導体B5,B7の中心軸は、ビアホール導体B6,B8よりもx軸方向の負方向側に位置している。以上のように構成された高周波信号伝送線路10bにおいても、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果を得ることができる。
In the high-frequency
(第3の変形例)
以下に、第3の変形例に係る高周波信号伝送線路10cについて図面を参照しながら説明する。図9は、第3の変形例に係る高周波信号伝送線路10cの断面構造図である。図9では、ビアホール導体B1〜B8及び接続導体25a,25b,26a,26b,27a,27bを重ねて図示した。(Third Modification)
The high frequency
高周波信号伝送線路10cでは、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2は、y軸方向から平面視したときに、反対方向に傾斜している。更に、x軸方向に隣り合う層間接続部C1,C2同士は、ビアホール導体B1,B5及びビアホール導体B4,B8を共有している。すなわち、ビアホール導体B1,B5から2本の層間接続部C1,C2に枝分かれしている。また、ビアホール導体B4,B8から2本の層間接続部C1,C2に枝分かれしている。以上のように構成された高周波信号伝送線路10cにおいても、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果に加え、高周波信号伝送線路10と比較してy軸方向の負方向側および正方向側の側面からの不要輻射をさらに抑制できるという効果を得ることができる。
In the high-frequency
(第4の変形例)
以下に、第4の変形例に係る高周波信号伝送線路10dについて図面を参照しながら説明する。図10は、第4の変形例に係る高周波信号伝送線路10dの誘電体素体12の分解図である。図11は、第4の変形例に係る高周波信号伝送線路10dの層間接続部C1をz軸方向から透視した図である。(Fourth modification)
The high frequency
高周波信号伝送線路10dでは、ビアホール導体B1〜B4がx軸方向に一列に並んでいない。同様に、ビアホール導体B5〜B8がx軸方向に一列に並んでいない。そして、層間接続部C1,C2は、螺旋状をなしている。
In the high-frequency
より詳細には、ビアホール導体B1〜B4は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向及びy軸方向に平行な対角線を有するひし形の角に配置されている。ビアホール導体B1は、ひし形のy軸方向の正方向側の角に位置している。ビアホール導体B2は、ひし形のx軸方向の負方向側の角に位置している。ビアホール導体B3は、ひし形のy軸方向の負方向側の角に位置している。ビアホール導体B4は、ひし形のx軸方向の正方向側の角に位置している。 More specifically, the via-hole conductors B1 to B4 are arranged at the corners of a rhombus having diagonal lines parallel to the x-axis direction and the y-axis direction when viewed in plan from the z-axis direction. The via-hole conductor B1 is located at a corner on the positive side in the y-axis direction of the rhombus. The via-hole conductor B2 is located at a corner on the negative side of the rhombus in the x-axis direction. The via-hole conductor B3 is located at a corner on the negative side in the y-axis direction of the rhombus. The via-hole conductor B4 is located at a corner on the positive side in the x-axis direction of the rhombus.
また、ビアホール導体B1,B2は、接続導体125aにより接続されている。ビアホール導体B2,B3は、接続導体126aにより接続されている。ビアホール導体B3,B4は、接続導体127aにより接続されている。
The via-hole conductors B1 and B2 are connected by a connection conductor 125a. The via-hole conductors B2 and B3 are connected by a
また、ビアホール導体B5〜B8は、z軸方向から平面視したときに、x軸方向及びy軸方向に平行な対角線を有するひし形の角に配置されている。ビアホール導体B5は、ひし形のy軸方向の負方向側の角に位置している。ビアホール導体B6は、ひし形のx軸方向の負方向側の角に位置している。ビアホール導体B7は、ひし形のy軸方向の正負方向側の角に位置している。ビアホール導体B8は、ひし形のx軸方向の正方向側の角に位置している。 Further, the via-hole conductors B5 to B8 are arranged at rhombus corners having diagonal lines parallel to the x-axis direction and the y-axis direction when viewed in plan from the z-axis direction. The via-hole conductor B5 is located at a corner on the negative side of the rhombus in the y-axis direction. The via-hole conductor B6 is located at a corner on the negative side of the rhombus in the x-axis direction. The via-hole conductor B7 is located at a corner on the positive / negative direction side in the y-axis direction of the rhombus. The via-hole conductor B8 is located at a corner on the positive side of the rhombus in the x-axis direction.
また、ビアホール導体B5,B6は、接続導体125bにより接続されている。ビアホール導体B6,B7は、接続導体126bにより接続されている。ビアホール導体B7,B8は、接続導体127bにより接続されている。
The via-hole conductors B5 and B6 are connected by a
以上のように構成された高周波信号伝送線路10dにおいても、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果を得ることができる。
Also in the high-frequency
(第5の変形例)
以下に、第5の変形例に係る高周波信号伝送線路10eについて図面を参照しながら説明する。図12は、第5の変形例に係る高周波信号伝送線路10eの誘電体素体12の分解図である。図13は、第5の変形例に係る高周波信号伝送線路10eの断面構造図である。(Fifth modification)
The high frequency signal transmission line 10e according to the fifth modification will be described below with reference to the drawings. FIG. 12 is an exploded view of the
グランド導体22には、z軸方向から平面視したときに、グランド導体24に層間接続部C1,C2が接続されている部分と重なる部分に導体が設けられていない空白部P1,P2が設けられている。
The
以上のように構成された高周波信号伝送線路10eにおいても、高周波信号伝送線路10と同じ作用効果を得ることができる。また、高周波信号伝送線路10eでは、空白部P1,P2が設けられている部分において、ビアホール導体B4,B8によって誘電体素体12が突出している部分にグランド導体22,24の厚みの分だけ、誘電体素体12の薄型化が図られる。
Also in the high-frequency signal transmission line 10e configured as described above, the same effects as the high-frequency
(第6の変形例)
以下に、第6の変形例に係る高周波信号伝送線路10fについて図面を参照しながら説明する。図14は、第6の変形例に係る高周波信号伝送線路10fの誘電体素体12の分解図である。(Sixth Modification)
The high frequency signal transmission line 10f according to the sixth modification will be described below with reference to the drawings. FIG. 14 is an exploded view of the
図14の高周波信号伝送線路10fのように、グランド導体24には開口30が設けられていなくてもよい。この場合には、信号線20とグランド導体24との間に発生する容量を低減するために、信号線20は、誘電体シート18cに設けられる。
As in the high-frequency signal transmission line 10 f in FIG. 14, the
(その他の実施形態)
本発明に係る高周波信号伝送線路は、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路10,10a〜10fに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。(Other embodiments)
The high-frequency signal transmission line according to the present invention is not limited to the high-frequency
なお、層間接続部C1,C2において、例えば、ビアホール導体B1,B2の中心軸がz軸方向から平面視したときに重なっており、ビアホール導体B2,B3,B4の中心軸がz軸方向から平面視したときに重なっていなくてもよい。すなわち、z軸方向に隣り合う誘電体シート18に設けられ、かつ、中心軸が重なっているビアホール導体、及び、z軸方向に隣り合う誘電体シート18に設けられ、かつ、中心軸が重なっていないビアホール導体の両方が存在していてもよい。以上より、層間接続部C1,C2は、z軸方向において隣り合う誘電体シート18a〜18dを貫通している2つのビアホール導体B1〜B8であって、z軸方向から平面視したときに中心軸が重ならないビアホール導体B1〜B8を含んでいればよい。
In the interlayer connection portions C1 and C2, for example, the central axes of the via-hole conductors B1 and B2 overlap when viewed in plan from the z-axis direction, and the central axes of the via-hole conductors B2, B3, and B4 are planar from the z-axis direction. It does not have to overlap when viewed. That is, the via-hole conductor provided in the
また、接続導体25a〜27a,25b〜27bが存在しなくてもよい。この場合には、ビアホール導体B1〜B4は、中心軸がずらされた状態で互いに直接に接続される。同様に、ビアホール導体B5〜B8は、中心軸がずらされた状態で互いに直接に接続される。
Further, the
なお、グランド導体24は、誘電体シート18d上に設けられて、信号線20のy軸方向の両側において信号線20に沿ってx軸方向に延在していてもよい。
The
なお、高周波信号伝送線路10,10a〜10fに示した構成を組み合わせてもよい。
In addition, you may combine the structure shown to the high frequency
なお、高周波信号伝送線路10,10a〜10fは、アンテナフロントエンドモジュールなどRF回路基板における高周波信号伝送線路として用いられてもよい。
The high-frequency
以上のように、本発明は、高周波信号伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、容易に湾曲させることができる点において優れている。 As described above, the present invention is useful for high-frequency signal transmission lines and electronic devices, and is particularly excellent in that it can be easily bent.
B1〜B8 ビアホール導体
C1,C2 層間接続部
P1,P2 空白部
10,10a〜10f 高周波信号伝送線路
12 誘電体素体
14 保護層
18a〜18e 誘電体シート
20 信号線
22,24 グランド導体
25a,25b,26a,26b,27a,27b,125a,125b,126a,126b,127a,127b 接続導体
30 開口
30a〜30c 開口部
60 ブリッジ部B1 to B8 Via-hole conductors C1 and C2 Interlayer connection portions P1 and
Claims (10)
前記素体に設けられている線状の信号線と、
前記絶縁体層を介して前記信号線と対向している第1のグランド導体と、
前記信号線に沿って延在している第2のグランド導体と、
前記第1のグランド導体と前記第2のグランド導体とを接続する層間接続部であって、前記絶縁体層を貫通する複数の層間接続導体が接続されることにより構成されている層間接続部と、
を備えており、
前記層間接続部は、積層方向において隣り合う前記絶縁体層を貫通し、積層方向から平面視したときに中心軸が重ならない2つ以上の前記層間接続導体を含んでいること、
を特徴とする高周波信号伝送線路。A plurality of insulator layers, and a flexible element body;
A linear signal line provided in the element body;
A first ground conductor facing the signal line through the insulator layer;
A second ground conductor extending along the signal line;
An interlayer connection for connecting the first ground conductor and the second ground conductor, wherein the interlayer connection is formed by connecting a plurality of interlayer connection conductors penetrating the insulator layer; ,
With
The interlayer connection portion includes two or more interlayer connection conductors that pass through the insulator layers adjacent in the stacking direction and whose central axes do not overlap when viewed in plan from the stacking direction;
A high-frequency signal transmission line characterized by
を特徴とする請求項1に記載の高周波信号伝送線路。In the interlayer connection portion, the central axes of the interlayer connection conductors passing through the insulating layers adjacent in the stacking direction do not all overlap when viewed in plan from the stacking direction,
The high-frequency signal transmission line according to claim 1.
を特徴とする請求項2に記載の高周波信号伝送線路。The central axes of all the interlayer connection conductors do not overlap when viewed in plan from the stacking direction,
The high-frequency signal transmission line according to claim 2.
を特徴とする請求項2又は請求項3のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。The central axes of the plurality of interlayer connection conductors are aligned along the direction in which the signal lines extend when viewed in plan from the stacking direction,
The high-frequency signal transmission line according to claim 2 or 3, wherein
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。The interlayer connection part includes a connection conductor that connects the two interlayer connection conductors whose central axes do not overlap and is provided on the insulator layer,
The high-frequency signal transmission line according to claim 1, wherein:
を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。The second ground conductor is provided on the opposite side of the first ground conductor with respect to the signal line, and faces the signal line through the insulator layer;
The high-frequency signal transmission line according to any one of claims 1 to 5, wherein:
前記層間接続部は、隣り合う前記開口に挟まれた領域において前記第2のグランド導体に接続されていること、
を特徴とする請求項6に記載の高周波信号伝送線路。The second ground conductor is provided with a plurality of openings arranged along the signal line,
The interlayer connection portion is connected to the second ground conductor in a region sandwiched between adjacent openings;
The high-frequency signal transmission line according to claim 6.
を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。The first ground conductor is provided with a blank portion in which a conductor is not provided in a portion overlapping the portion where the interlayer connection portion is connected to the second ground conductor when viewed in plan from the stacking direction. That
The high-frequency signal transmission line according to claim 1, wherein:
を特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。The plurality of interlayer connection portions are inclined in the same direction with respect to the stacking direction when viewed in plan from the direction in which the signal lines extend and the direction orthogonal to the stacking direction;
The high-frequency signal transmission line according to claim 1, wherein:
前記高周波信号伝送線路を収容している電子機器と、
を備えており、
前記高周波信号伝送線路は、
複数の絶縁体層が積層されて構成され、可撓性を有する素体と、
前記素体に設けられている線状の信号線と、
前記絶縁体層を介して前記信号線と対向している第1のグランド導体と、
前記信号線に沿って延在している第2のグランド導体と、
前記第1のグランド導体と前記第2のグランド導体とを接続する層間接続部であって、前記絶縁体層を貫通する複数の層間接続導体が接続されることにより構成されている層間接続部と、
を備えており、
前記層間接続部は、積層方向において隣り合う前記絶縁体層を貫通し、積層方向から平面視したときに中心軸が重ならない2つ以上の前記層間接続導体を含んでいること、
を特徴とする電子機器。A high-frequency signal transmission line;
An electronic device accommodating the high-frequency signal transmission line;
With
The high-frequency signal transmission line is
A plurality of insulator layers, and a flexible element body;
A linear signal line provided in the element body;
A first ground conductor facing the signal line through the insulator layer;
A second ground conductor extending along the signal line;
An interlayer connection for connecting the first ground conductor and the second ground conductor, wherein the interlayer connection is formed by connecting a plurality of interlayer connection conductors penetrating the insulator layer; ,
With
The interlayer connection portion includes two or more interlayer connection conductors that pass through the insulator layers adjacent in the stacking direction and whose central axes do not overlap when viewed in plan from the stacking direction;
Electronic equipment characterized by
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013552046A JP5472555B2 (en) | 2012-01-31 | 2013-01-18 | High frequency signal transmission line and electronic equipment |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012018229 | 2012-01-31 | ||
JP2012018229 | 2012-01-31 | ||
JP2013552046A JP5472555B2 (en) | 2012-01-31 | 2013-01-18 | High frequency signal transmission line and electronic equipment |
PCT/JP2013/050935 WO2013114975A1 (en) | 2012-01-31 | 2013-01-18 | High frequency signal transmission line and electronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5472555B2 true JP5472555B2 (en) | 2014-04-16 |
JPWO2013114975A1 JPWO2013114975A1 (en) | 2015-05-11 |
Family
ID=48905017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013552046A Active JP5472555B2 (en) | 2012-01-31 | 2013-01-18 | High frequency signal transmission line and electronic equipment |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8975986B2 (en) |
JP (1) | JP5472555B2 (en) |
CN (1) | CN103733736B (en) |
WO (1) | WO2013114975A1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204104208U (en) * | 2011-12-02 | 2015-01-14 | 株式会社村田制作所 | High-frequency signal circuit and electronic equipment |
CN209488892U (en) * | 2017-01-05 | 2019-10-11 | 株式会社村田制作所 | Multilager base plate |
CN213342790U (en) | 2018-05-07 | 2021-06-01 | 株式会社村田制作所 | Multilayer substrate and connection structure thereof |
WO2021120194A1 (en) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Transmission line and electronic device |
US10849220B1 (en) * | 2020-01-23 | 2020-11-24 | Super Micro Computer, Inc. | Setting the impedance of signal traces of a circuit board using a reference trace |
US11297713B2 (en) | 2020-01-23 | 2022-04-05 | Super Micro Computer, Inc. | Reference metal layer for setting the impedance of metal contacts of a connector |
CN113540730A (en) * | 2020-04-17 | 2021-10-22 | 江苏嘉华通讯科技有限公司 | Flexible light and thin multi-channel transmission line |
KR102302499B1 (en) * | 2020-12-03 | 2021-09-16 | 주식회사 기가레인 | Flexible circuit board including power transmission line |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007857A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
WO2011007660A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | 株式会社村田製作所 | Signal line and circuit board |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3241019B2 (en) * | 1999-03-15 | 2001-12-25 | 日本電気株式会社 | Coplanar railway track |
KR100731544B1 (en) * | 2006-04-13 | 2007-06-22 | 한국전자통신연구원 | Multi-metal coplanar waveguide |
JP3173143U (en) * | 2010-12-03 | 2012-01-26 | 株式会社村田製作所 | High frequency signal line |
-
2013
- 2013-01-18 CN CN201380002522.9A patent/CN103733736B/en active Active
- 2013-01-18 WO PCT/JP2013/050935 patent/WO2013114975A1/en active Application Filing
- 2013-01-18 JP JP2013552046A patent/JP5472555B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-04 US US14/196,269 patent/US8975986B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007007857A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-18 | Ibiden Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board |
WO2011007660A1 (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | 株式会社村田製作所 | Signal line and circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2013114975A1 (en) | 2015-05-11 |
US20140184359A1 (en) | 2014-07-03 |
US8975986B2 (en) | 2015-03-10 |
CN103733736B (en) | 2016-01-20 |
CN103733736A (en) | 2014-04-16 |
WO2013114975A1 (en) | 2013-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5754562B1 (en) | High frequency signal lines and electronic equipment | |
JP5310949B2 (en) | High frequency signal line | |
JP5472555B2 (en) | High frequency signal transmission line and electronic equipment | |
JP5477422B2 (en) | High frequency signal line | |
JP5741781B1 (en) | High frequency signal transmission line and electronic equipment | |
JP5488774B2 (en) | High frequency signal transmission line and electronic equipment | |
JP6233473B2 (en) | High frequency signal transmission line and electronic equipment | |
JP5472553B2 (en) | High frequency signal lines and electronic equipment | |
WO2013190859A1 (en) | Layered multi-core cable | |
JPWO2013080887A1 (en) | High frequency signal line, method for manufacturing the same, and electronic device | |
JP5673898B2 (en) | High frequency signal line and electronic device equipped with the same | |
JP5472556B2 (en) | High frequency signal lines and electronic equipment | |
JP5472551B2 (en) | High frequency signal lines and electronic equipment | |
WO2014020999A1 (en) | Flat cable | |
JP5472552B2 (en) | High frequency signal lines and electronic equipment | |
US9583809B2 (en) | High-frequency signal line | |
JP2013135173A (en) | High frequency signal line |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5472555 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |