JP5471556B2 - LC filter - Google Patents

LC filter Download PDF

Info

Publication number
JP5471556B2
JP5471556B2 JP2010029454A JP2010029454A JP5471556B2 JP 5471556 B2 JP5471556 B2 JP 5471556B2 JP 2010029454 A JP2010029454 A JP 2010029454A JP 2010029454 A JP2010029454 A JP 2010029454A JP 5471556 B2 JP5471556 B2 JP 5471556B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
filter
bonding wire
inductor
substrate
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010029454A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2011166620A (en
Inventor
淳 東條
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010029454A priority Critical patent/JP5471556B2/en
Publication of JP2011166620A publication Critical patent/JP2011166620A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5471556B2 publication Critical patent/JP5471556B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/4813Connecting within a semiconductor or solid-state body, i.e. fly wire, bridge wire
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Filters And Equalizers (AREA)

Description

本発明は、LCフィルタに関し、詳しくは、コンデンサとインダクタとにより構成された共振器を含むLCフィルタに関する。   The present invention relates to an LC filter, and more particularly, to an LC filter including a resonator composed of a capacitor and an inductor.

従来、携帯電話等の高周波向けの小型LCフィルタとして、絶縁層又は誘電体層が積層されたチップ本体に、コンデンサとインダクタとにより構成された共振器を含むLCフィルタが提供されている。このようなLCフィルタにおいて、インダクタを形成する方法として、(1)絶縁層又は誘電体層に沿って面方向に延在するインダクタを形成する方法と、(b)絶縁層又は誘電体層を貫通するインダクタを形成する方法とが知られている。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a small LC filter for high frequency such as a cellular phone, an LC filter including a resonator constituted by a capacitor and an inductor is provided on a chip body in which an insulating layer or a dielectric layer is laminated. In such an LC filter, as a method of forming an inductor, (1) a method of forming an inductor extending in a plane direction along the insulating layer or the dielectric layer, and (b) penetrating the insulating layer or the dielectric layer. A method of forming an inductor is known.

例えば、図10は、前者の方法でインダクタが形成されるLCフィルタ(バンドパスフィルタ)120の分解斜視図である。図10に示すように、LCフィルタ120は、第1、第2及び第3の共振器を有する。これらの共振器は、絶縁層122に沿って面方向に形成された3つの導電体のインダクタパターン124a〜124cにより形成される3つのインダクタと、3つの対向電極(コンデンサ電極)140a〜140c、誘電体層142及び3つの対向電極(アース電極)144a〜144cにより形成される3つのコンデンサとを有する。第1の共振器のアース側は、第1のスプリアス改善用インダクタとなる第1のスプリアス改善用電極126aを介して接地される。第3の共振器のアース側は、第2のスプリアス改善用インダクタとなる第2のスプリアス改善用電極126bを介して接地される(例えば、特許文献1参照)。   For example, FIG. 10 is an exploded perspective view of an LC filter (band-pass filter) 120 in which an inductor is formed by the former method. As shown in FIG. 10, the LC filter 120 includes first, second, and third resonators. These resonators include three inductors formed by three conductor inductor patterns 124a to 124c formed in the plane direction along the insulating layer 122, three counter electrodes (capacitor electrodes) 140a to 140c, dielectrics And three capacitors formed by a body layer 142 and three counter electrodes (ground electrodes) 144a to 144c. The ground side of the first resonator is grounded via a first spurious improvement electrode 126a serving as a first spurious improvement inductor. The ground side of the third resonator is grounded via a second spurious improvement electrode 126b serving as a second spurious improvement inductor (see, for example, Patent Document 1).

図11は、後者の方法によりインダクタが形成されるLCフィルタ(積層LCフィルタ)221の分解斜視図である。図11に示すように、LCフィルタ221は、積層される絶縁層222〜228のうち内部の絶縁層223〜226に貫通孔が形成され、これらの貫通孔にはインダクタ用ビアホール導体230a〜230d,231a〜231dが形成されている。インダクタ用ビアホール導体230a〜230d,231a〜231dは、絶縁層222〜228の積み重ね方向に連接して、柱状のインダクタL201,L202を構成する。インダクタL201,L202のそれぞれの一端(ビアホール230a,231a)はそれぞれ、内部グランドパターン236,237を介してグランド外部電極G1,G2(図示せず)に個別に電気的に接続されるとともに、グランド外部電極G1,G2(図示せず)間を電気的に接続するブリッジパターン235が、インダクタL1,L2の近傍に配設されている(例えば、特許文献2参照)。   FIG. 11 is an exploded perspective view of an LC filter (laminated LC filter) 221 in which an inductor is formed by the latter method. As shown in FIG. 11, the LC filter 221 has through holes formed in the insulating layers 223 to 226 inside the laminated insulating layers 222 to 228, and the via hole conductors 230 a to 230 d for inductors are formed in these through holes. 231a to 231d are formed. The inductor via-hole conductors 230a to 230d and 231a to 231d are connected in the stacking direction of the insulating layers 222 to 228 to form columnar inductors L201 and L202. One ends (via holes 230a and 231a) of the inductors L201 and L202 are individually electrically connected to the ground external electrodes G1 and G2 (not shown) via the internal ground patterns 236 and 237, respectively, and external to the ground. A bridge pattern 235 that electrically connects the electrodes G1 and G2 (not shown) is disposed in the vicinity of the inductors L1 and L2 (see, for example, Patent Document 2).

特開平5−199006号公報JP-A-5-199006 特開2002−164761号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-164761

しかし、いずれの方法も、LCフィルタを小型化すると、所望の特性を得ることが困難になる。   However, in any of the methods, it is difficult to obtain desired characteristics when the LC filter is downsized.

すなわち、絶縁層又は誘電体層に沿って面方向に延在するインダクタを形成する方法では、LCフィルタの小型化に伴い、インダクタを形成するインダクタパターンの物理的な長さが短くなると、同じインダクタンス値を得るには、インダクタパターンの幅を細くする必要がある。しかし、インダクタパターンを細くすると、共振のQ値が悪くなる。   In other words, in the method of forming an inductor extending in the plane direction along the insulating layer or the dielectric layer, when the physical length of the inductor pattern forming the inductor is shortened along with the downsizing of the LC filter, the same inductance is formed. In order to obtain the value, it is necessary to narrow the width of the inductor pattern. However, if the inductor pattern is made thinner, the resonance Q value becomes worse.

また、インダクタの断面形状は、高周波電流が流れたときに電磁界の集中が生じないように、円形形状が電流の流れる方向に連続するのが理想である。しかし、インダクタパターンを印刷で形成すると、インダクタパターンの断面形状が矩形になってしまう。   Ideally, the cross-sectional shape of the inductor should be continuous in the direction of current flow so that the electromagnetic field does not concentrate when a high-frequency current flows. However, when the inductor pattern is formed by printing, the sectional shape of the inductor pattern becomes rectangular.

一方、絶縁層又は誘電体層を貫通するインダクタを形成する方法では、絶縁層又は誘電体層の厚み方向のビアホール導体の長さがインダクタの長さを決定する。そのため、LCフィルタを低背化すると、インダクタの絶対的な長さが不足する。複数のビアホール導体を、面内接続導体を介して直列に接続すればインダクタの長さを確保できるが、その場合、インダクタを直角に折り曲げることになり信号損失が大きくなる。   On the other hand, in the method of forming an inductor penetrating the insulating layer or dielectric layer, the length of the via-hole conductor in the thickness direction of the insulating layer or dielectric layer determines the length of the inductor. Therefore, when the LC filter is made low in height, the absolute length of the inductor is insufficient. If a plurality of via-hole conductors are connected in series via in-plane connection conductors, the length of the inductor can be secured, but in this case, the inductor is bent at a right angle, resulting in a large signal loss.

また、インダクタを形成するビアホール導体の断面形状は絶縁層又は誘電体層においては理想的な円形にすることができても、絶縁層又は誘電体層を積み重ねるときに積みずれにより、ビアホール導体の接続面に段差が生じると、インダクタの断面形状はその段差部分では理想的な円形にならないため、高周波電流が流れたときに電磁界の集中が生じ、信号損失の原因となる。   In addition, even if the cross-sectional shape of the via-hole conductor forming the inductor can be an ideal circle in the insulating layer or dielectric layer, the connection of the via-hole conductor is caused by the stacking error when the insulating layer or dielectric layer is stacked. When a step is generated on the surface, the cross-sectional shape of the inductor does not become an ideal circle at the step portion. Therefore, when a high-frequency current flows, an electromagnetic field is concentrated, which causes signal loss.

本発明は、かかる実情に鑑み、小型化しても所望の特性を容易に得ることができるLCフィルタを提供しようとするものである。   In view of such circumstances, the present invention is intended to provide an LC filter that can easily obtain desired characteristics even if it is downsized.

本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成したLCフィルタを提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides an LC filter configured as follows.

LCフィルタは、(a)誘電体層と、前記誘電体層を介して対向するように配置された対向電極とを有し、該対向電極及び該対向電極間の前記誘電体層によりコンデンサが形成された誘電体基板と、(b)前記誘電体基板が実装された実装基板とを備える。前記誘電体基板には第1のボンディングワイヤーによりインダクタが形成され、該インダクタと前記コンデンサとにより共振器が構成される。前記誘電体基板と前記実装基板とは、第2のボンディングワイヤーにより接続される。前記第1のボンディングワイヤーを含む第1の仮想面と前記第2のボンディングワイヤーを含む第2の仮想面とが、実質的に直角をなす。   The LC filter has (a) a dielectric layer and a counter electrode disposed so as to face each other with the dielectric layer interposed therebetween, and a capacitor is formed by the counter electrode and the dielectric layer between the counter electrodes. And (b) a mounting substrate on which the dielectric substrate is mounted. An inductor is formed on the dielectric substrate by a first bonding wire, and the inductor and the capacitor constitute a resonator. The dielectric substrate and the mounting substrate are connected by a second bonding wire. The first virtual surface including the first bonding wire and the second virtual surface including the second bonding wire are substantially perpendicular to each other.

上記構成において、インダクタ用の第1のボンディングワイヤーの長さや断面径を変えることにより、インダクタの特性が変わる。第1のボンディングワイヤーは、断面形状が円形であり、かつ電流が流れる方向に一定の円形形状が連続するため、高周波電流が流れたときに信号損失が小さい。そのため、所望の特性のインダクタを容易に形成することができる。   In the above configuration, the characteristics of the inductor are changed by changing the length and the cross-sectional diameter of the first bonding wire for the inductor. Since the first bonding wire has a circular cross-sectional shape and a constant circular shape continues in the direction in which the current flows, the signal loss is small when a high-frequency current flows. Therefore, an inductor having desired characteristics can be easily formed.

上記構成によれば、インダクタ用の第1のボンディングワイヤーと、接続用の第2のボンディングワイヤーとが略90°の角度をなしているため、インダクタ用の第1のボンディングワイヤーと接続用の第2のボンディングワイヤーとの電磁結合が抑えられる。そのため、所望の特性を有するLCフィルタを得ることが容易である。   According to the above configuration, since the first bonding wire for inductor and the second bonding wire for connection form an angle of approximately 90 °, the first bonding wire for inductor and the first bonding wire for connection Electromagnetic coupling with the second bonding wire is suppressed. Therefore, it is easy to obtain an LC filter having desired characteristics.

さらに、前記第1のボンディングワイヤーは、前記コンデンサを形成する前記対向電極及び前記誘電体層が重なり合う方向から見たときに、前記コンデンサに重なるように配置されている。 Furthermore, the first bonding wire is disposed so as to overlap the capacitor when viewed from the direction in which the counter electrode and the dielectric layer forming the capacitor overlap.

この場合、コンデンサの対向電極及び誘電体層の積層方向から見たときに、インダクタ用のボンディングワイヤーをコンデンサとが重なるように配置することで、インダクタ用のボンディングワイヤーをコンデンサとが重ならないように配置する場合よりも、誘電体基板を小さくすることができるので、LCフィルタの小型化が可能になる。   In this case, when viewed from the stacking direction of the counter electrode of the capacitor and the dielectric layer, the bonding wire for the inductor is arranged so as to overlap the capacitor so that the bonding wire for the inductor does not overlap with the capacitor. Since the dielectric substrate can be made smaller than the arrangement, the LC filter can be downsized.

好ましくは、前記第1のボンディングワイヤーを樹脂で覆う。   Preferably, the first bonding wire is covered with a resin.

この場合、共振器のインダクタを形成する第1のボンディングワイヤーを固定し、LCフィルタの特性や品質を安定させることができる。   In this case, the first bonding wire forming the inductor of the resonator can be fixed, and the characteristics and quality of the LC filter can be stabilized.

好ましくは、隣り合う前記第1のボンディングワイヤーは、互いに形状が異なる。   Preferably, the adjacent first bonding wires have different shapes.

この場合、隣り合う第1のボンディングワイヤー間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第1のボンディングワイヤーの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。   In this case, since the magnetic coupling between the adjacent first bonding wires can be made as small as possible, the influence on the filter characteristics can be reduced even if the shape of the first bonding wire is deformed.

好ましくは、隣り合う前記第1のボンディングワイヤーは、(a)同じ側の一端同士の間隔が、他方側の他端同士の間隔よりも大きく、かつ、(b)前記一端側が相対的に高く、前記他端側が相対的に低い。   Preferably, the adjacent first bonding wires are: (a) the interval between the ends on the same side is larger than the interval between the other ends on the other side, and (b) the one end side is relatively high, The other end side is relatively low.

隣り合う第1のボンディングワイヤーにおいて、互いに平行な部分の距離が近いほど、また、互いに平行な部分が長いほど、磁気結合が強くなる。隣り合う第1のボンディングワイヤーにおいて、相対的に高い一端側同士の間隔を、相対的に低い他端側の間隔より大きくすると、相対的に高い一端側同士の間隔を相対的に低い他端側の間隔より小さくする場合よりも、磁気結合が弱くなる。第1のボンディングワイヤー間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第1のボンディングワイヤーの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。   In the adjacent first bonding wires, the shorter the distance between the parallel parts, and the longer the parallel parts, the stronger the magnetic coupling. In the adjacent first bonding wires, when the interval between the relatively high one ends is made larger than the interval between the relatively low other ends, the interval between the relatively high ends is relatively low. The magnetic coupling is weaker than when the distance is smaller than. Since the magnetic coupling between the first bonding wires can be made as small as possible, the influence on the filter characteristics can be reduced even if the shape of the first bonding wire is deformed.

本発明のLCフィルタは、小型化しても所望の特性を容易に得ることができる。   Even if the LC filter of the present invention is downsized, desired characteristics can be easily obtained.

LCフィルタの斜視図である。(実施例1)It is a perspective view of LC filter. Example 1 誘電体基板の(a)平面図、(b)側面図である。(実施例1)It is (a) top view and (b) side view of a dielectric substrate. Example 1 LCフィルタの等価回路図である。(実施例1)It is an equivalent circuit diagram of the LC filter. Example 1 誘電体基板の平面である。(実施例2)It is a plane of a dielectric substrate. (Example 2) 誘電体基板の斜視図である。(実施例2)It is a perspective view of a dielectric substrate. (Example 2) 誘電体基板の透視図である。(実施例3)It is a perspective view of a dielectric substrate. (Example 3) 誘電体基板の(a)斜視図、(b)側面図である。(実施例4)It is (a) perspective view and (b) side view of a dielectric substrate. Example 4 誘電体基板の(a)平面図、(b)側面図である。(実施例5)It is (a) top view and (b) side view of a dielectric substrate. (Example 5) 誘電体基板の(a)平面図、(b)側面図である。(実施例6)It is (a) top view and (b) side view of a dielectric substrate. (Example 6) LCフィルタの分解斜視図である。(従来例1)It is a disassembled perspective view of LC filter. (Conventional example 1) LCフィルタの分解斜視図である。(従来例2)It is a disassembled perspective view of LC filter. (Conventional example 2)

以下、本発明の実施の形態について、図1〜図9を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.

<実施例1> 実施例1のLCフィルタ10について、図1〜図3を参照しながら説明する。   Example 1 An LC filter 10 of Example 1 will be described with reference to FIGS.

図1は、LCフィルタ10の斜視図である。図1に示すように、LCフィルタ10は、実装基板12に、誘電体基板20が実装されている。実装基板12の基板本体13や、誘電体基板20の基板本体22は、アルミナやセラミックなど、ワイヤーボンディングできるものであればよく、GaSなどの基板を用いることもできる。   FIG. 1 is a perspective view of the LC filter 10. As shown in FIG. 1, the LC filter 10 has a dielectric substrate 20 mounted on a mounting substrate 12. The substrate body 13 of the mounting substrate 12 and the substrate body 22 of the dielectric substrate 20 may be any material that can be wire-bonded, such as alumina or ceramic, and a substrate such as GaS can also be used.

図2(a)は、誘電体基板20の平面図である。図2(b)は、図2(a)の線A−Aに沿って見た側面図である。図2(a)及び(b)に示すように、誘電体基板20は、基板本体22の一方主面である上面22sに、電極パターン23とパッド電極25とが形成されている。電極パターン23は、コンデンサを形成する対向電極23a,23b,23cと、接続電極24a,24bとを含む。基板本体22の他方主面である下面22tには、裏面電極(図示せず)が形成されている。   FIG. 2A is a plan view of the dielectric substrate 20. FIG.2 (b) is the side view seen along line AA of Fig.2 (a). As shown in FIGS. 2A and 2B, the dielectric substrate 20 has an electrode pattern 23 and a pad electrode 25 formed on the upper surface 22 s which is one main surface of the substrate body 22. The electrode pattern 23 includes counter electrodes 23a, 23b, and 23c that form capacitors, and connection electrodes 24a and 24b. A back surface electrode (not shown) is formed on the lower surface 22 t which is the other main surface of the substrate body 22.

基板本体22は、1又は2以上の誘電体層を含む。誘電体層は、基板本体22の下面22t又は内部に形成された第1の対向電極(図示せず)と、基板本体22の上面22s又は内部に形成された第2の対向電極23a,23b,23cとの間に配置され、第1及び第2の対向電極と第1及び第2の対向電極の間の誘電体層とにより、コンデンサが形成される。   The substrate body 22 includes one or more dielectric layers. The dielectric layer includes a first counter electrode (not shown) formed on or under the lower surface 22t of the substrate body 22, and second counter electrodes 23a, 23b formed on the upper surface 22s or inside of the substrate body 22. The capacitor is formed by the first and second counter electrodes and the dielectric layer between the first and second counter electrodes.

基板本体22には、誘電体層を貫通するビアホール導体(図示せず)が形成されており、電極パターン23やパッド電極、コンデンサの対向電極、裏面電極と接続されている。基板本体22は、複数の絶縁層又は誘電体層が積層された基板本体にコンデンサとインダクタとが形成された従来例のLCフィルタと同様の方法で製造することができる。   A via hole conductor (not shown) penetrating the dielectric layer is formed in the substrate body 22 and is connected to the electrode pattern 23, the pad electrode, the counter electrode of the capacitor, and the back electrode. The substrate body 22 can be manufactured by a method similar to a conventional LC filter in which a capacitor and an inductor are formed on a substrate body on which a plurality of insulating layers or dielectric layers are stacked.

基板本体22の上面22sに形成された電極パターン23とパッド電極25とは、第1のボンディングワイヤー26により接続され、第1のボンディングワイヤー26により、インダクタが形成される。第1のボンディングワイヤー26には、ICチップ等の接続(ワイヤーボンディング)に用いるボンディングワイヤーを用いる。   The electrode pattern 23 and the pad electrode 25 formed on the upper surface 22 s of the substrate body 22 are connected by a first bonding wire 26, and an inductor is formed by the first bonding wire 26. As the first bonding wire 26, a bonding wire used for connection (wire bonding) of an IC chip or the like is used.

ボンディングワイヤーは、一般には、寄生インダクタンスの原因となり悪影響を与えることから、インダクタンス値を低く抑える取組みや、インダクタンス値を考慮した設計などが行われている。これに対し、本発明のLCフィルタでは、ボンディングワイヤーがインダクタを形成することを積極的に利用し、共振回路のインダクタとして用いている。   Since bonding wires generally cause parasitic inductance and have an adverse effect, efforts are made to keep the inductance value low, and designs that take the inductance value into account are being performed. On the other hand, in the LC filter of the present invention, the bonding wire actively uses the formation of an inductor and is used as an inductor of a resonance circuit.

ボンディングワイヤーは、どの位置でも断面形状が一定の円形であり、円弧状に滑らかに曲がるため、高周波電流が流れたときに電磁界の集中箇所がほとんどない。そのため、インダクタの断面形状が矩形であったり、インダクタに段差が形成され、断面形状が電流の流れる方向に一定でなかったりする場合よりも、Q値が高いLCフィルタを作ることができることができる。例えば、LCフィルタ10の試作品(2.4GHz用)では、インダクタを絶縁層に沿って面方向に延在するように印刷で形成する場合よりも、信号損失が約1dB良くなった。   The bonding wire has a circular shape with a constant cross-sectional shape at any position, and bends smoothly in an arc shape. Therefore, there is almost no concentrated electromagnetic field when a high-frequency current flows. Therefore, it is possible to make an LC filter having a higher Q value than when the cross-sectional shape of the inductor is rectangular or the step is formed in the inductor and the cross-sectional shape is not constant in the direction of current flow. For example, in the prototype of the LC filter 10 (for 2.4 GHz), the signal loss is about 1 dB better than when the inductor is formed by printing so as to extend in the plane direction along the insulating layer.

図3は、LCフィルタ10の等価回路図である。誘電体基板20の基板本体22に形成されたコンデンサC1〜C3と、第1のボンディングワイヤー26により形成されたインダクタL1〜L3と、隣り合う第1のボンディングワイヤー26間の容量結合C4,C5とにより、LC共振回路が構成される。   FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the LC filter 10. Capacitors C1 to C3 formed on the substrate body 22 of the dielectric substrate 20, inductors L1 to L3 formed by the first bonding wires 26, and capacitive couplings C4 and C5 between the adjacent first bonding wires 26 Thus, an LC resonance circuit is configured.

第1のボンディングワイヤー26の長さでインダクタL1〜L3のインダクタンス値が変わり、共振周波数が変わる。隣り合う第1のボンディングワイヤー26の距離により、容量結合C4,C5の大きさが変わる。そのため、共通の基板本体22に対して第1のボンディングワイヤー26の長さや接続位置、径等を変えるだけで、異なるフィルタ特性を実現できる。   The inductance values of the inductors L1 to L3 change depending on the length of the first bonding wire 26, and the resonance frequency changes. The size of the capacitive couplings C4 and C5 varies depending on the distance between the adjacent first bonding wires 26. Therefore, different filter characteristics can be realized only by changing the length, connection position, diameter, and the like of the first bonding wire 26 with respect to the common substrate body 22.

第1のボンディングワイヤー26の径や高さ、形状、配置間隔などを変えることにより、複数のフィルタ特性が実現できるので、基板本体22を共用化して、コストを低減できる。フィルタ特性ごとに金型やプリント用パターンなどを用意する必要がないため、個別の仕様に対応することが容易である。誘電体基板20のコンデンサC1〜C3の容量特性の製造ばらつきに対して、第2のボンディングワイヤー26の長さ、形状、径などを変更することによって、調整が可能である。   Since a plurality of filter characteristics can be realized by changing the diameter, height, shape, arrangement interval, and the like of the first bonding wire 26, the substrate body 22 can be shared and the cost can be reduced. Since it is not necessary to prepare a mold or a print pattern for each filter characteristic, it is easy to meet individual specifications. Adjustments can be made to the manufacturing variations in the capacitance characteristics of the capacitors C1 to C3 of the dielectric substrate 20 by changing the length, shape, diameter, and the like of the second bonding wire 26.

図1に示すように、誘電体基板20は、実装基板12の基板本体13の一方主面である上面13sに載置される。誘電体基板20と実装基板12とは、第2のボンディングワイヤー16a,16bにより接続される。すなわち、誘電体基板20の基板本体22の上面22sに形成されたパッド電極24a,24bと、実装基板12の基板本体13の上面13sに形成された端子電極14a,14bとが、第2のボンディングワイヤー16a,16bにより接続される。また、誘電体基板20の基板本体22の下面22tに形成された裏面電極(図示せず)と、実装基板12の基板本体13の上面13sに形成された端子電極(図示せず)とが接続される。第2のボンディングワイヤー16a,16bには、ICチップ等の接続(ワイヤーボンディング)に用いるボンディングワイヤーを用いる。   As shown in FIG. 1, the dielectric substrate 20 is placed on the upper surface 13 s that is one main surface of the substrate body 13 of the mounting substrate 12. The dielectric substrate 20 and the mounting substrate 12 are connected by the second bonding wires 16a and 16b. That is, the pad electrodes 24a and 24b formed on the upper surface 22s of the substrate body 22 of the dielectric substrate 20 and the terminal electrodes 14a and 14b formed on the upper surface 13s of the substrate body 13 of the mounting substrate 12 are second bonded. They are connected by wires 16a and 16b. Further, a back electrode (not shown) formed on the lower surface 22t of the substrate body 22 of the dielectric substrate 20 and a terminal electrode (not shown) formed on the upper surface 13s of the substrate body 13 of the mounting substrate 12 are connected. Is done. As the second bonding wires 16a and 16b, bonding wires used for connection (wire bonding) of an IC chip or the like are used.

インダクタ用の第1のボンディングワイヤー26と、接続用の第2のボンディングワイヤー16a,16bとは略90°の角度をなしている。すなわち、第1のボンディングワイヤー26を含む第1の仮想面26kと、第2のボンディングワイヤー16a,16bを含む第2の仮想面16kとは、実質的に直角をなしている。なお、第2のボンディングワイヤー16a,16bが同一の第2の仮想面16kに含まれている場合を例示しているが、第2のボンディングワイヤー16a,16bが、それぞれ別々の第2の仮想面に含まれていても構わない。第1の仮想面26kは、ボンディングワイヤー26の両端の2点26u,26vと、中間部分の1点26wとにより決定できる。また、第2の仮想面16kは、ボンディングワイヤー16a,16bの両端の2点16p,16q;16u,16vと、中間部分の1点16r,16wとにより決定できる。第1の仮想面26kと第2の仮想面16kとがなす角度は、少なくとも、60°〜120°であり、好ましくは、80°〜100°であり、より好ましくは、85°〜95°である。   The first bonding wire 26 for inductor and the second bonding wires 16a and 16b for connection form an angle of about 90 °. That is, the first virtual surface 26k including the first bonding wire 26 and the second virtual surface 16k including the second bonding wires 16a and 16b are substantially perpendicular. In addition, although the case where the 2nd bonding wires 16a and 16b are contained in the same 2nd virtual surface 16k is illustrated, the 2nd bonding wires 16a and 16b are respectively different 2nd virtual surfaces. May be included. The first virtual surface 26k can be determined by the two points 26u and 26v at both ends of the bonding wire 26 and the one point 26w at the intermediate portion. The second virtual surface 16k can be determined by the two points 16p, 16q; 16u, 16v at both ends of the bonding wires 16a, 16b and the one point 16r, 16w at the intermediate portion. The angle formed by the first virtual surface 26k and the second virtual surface 16k is at least 60 ° to 120 °, preferably 80 ° to 100 °, and more preferably 85 ° to 95 °. is there.

インダクタ用の第1のボンディングワイヤー26と、接続用の第2のボンディングワイヤー16a,16bとが略90°の角度をなしているため、インダクタ用の第1のボンディングワイヤー26と接続用の第2のボンディングワイヤー16a,16bとの電磁結合が抑えられるので、所望の特性を有するLCフィルタ10を得ることが容易である。   Since the first bonding wire 26 for inductor and the second bonding wires 16a, 16b for connection form an angle of about 90 °, the first bonding wire 26 for inductor and the second bonding wire 26 for connection are formed. Since the electromagnetic coupling with the bonding wires 16a and 16b is suppressed, it is easy to obtain the LC filter 10 having desired characteristics.

<実施例2> 実施例2のLCフィルタについて、図4及び図5を参照しながら説明する。   Example 2 An LC filter of Example 2 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

実施例2は、実施例1と略同様の構成である。以下では、実施例1との相違点を中心に説明し、実施例1と同じ構成部分には同じ符号を用いる。   The second embodiment has substantially the same configuration as the first embodiment. Below, it demonstrates centering around difference with Example 1, and uses the same code | symbol for the same component as Example 1. FIG.

実施例2のLCフィルタは、実施例1のLCフィルタ10と同様に、実装基板に誘電体基板が実装されているが、誘電体基板20aの構成が実施例1とは異なる。   In the LC filter of the second embodiment, the dielectric substrate is mounted on the mounting substrate, similarly to the LC filter 10 of the first embodiment, but the configuration of the dielectric substrate 20a is different from that of the first embodiment.

図4は、実施例2のLCフィルタの誘電体基板20aの平面である。図5は、実施例2のLCフィルタの誘電体基板20aの斜視図である。   FIG. 4 is a plan view of the dielectric substrate 20a of the LC filter according to the second embodiment. FIG. 5 is a perspective view of the dielectric substrate 20a of the LC filter according to the second embodiment.

図4及び図5に示すように、実施例2のLCフィルタの誘電体基板20aは、実施例1と同様に、基板本体22の上面22sに電極パターン23とパッド電極25とが形成され、電極パターン23とパッド電極25とは、第1のボンディングワイヤー26で接続されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the dielectric substrate 20a of the LC filter according to the second embodiment has an electrode pattern 23 and a pad electrode 25 formed on the upper surface 22s of the substrate body 22 in the same manner as the first embodiment. The pattern 23 and the pad electrode 25 are connected by a first bonding wire 26.

実施例1と異なり、電極パターン23は180°回転した位置に配置されており、第1のボンディングワイヤー26の下に、コンデンサが配置されている。すなわち、図4に示すように、コンデンサの対向電極と誘電体層とが重なり合う方向(基板本体22の上面22sの法線方向)から見ると、第1のボンディングワイヤー26は、電極パターン23に含まれる対向電極23a〜23c(すなわち、コンデンサ)に重なるように配置されている。   Unlike the first embodiment, the electrode pattern 23 is disposed at a position rotated by 180 °, and a capacitor is disposed under the first bonding wire 26. That is, as shown in FIG. 4, the first bonding wire 26 is included in the electrode pattern 23 when viewed from the direction in which the counter electrode of the capacitor and the dielectric layer overlap (normal direction of the upper surface 22 s of the substrate body 22). It arrange | positions so that it may overlap with counter electrode 23a-23c (namely, capacitor | condenser).

このように第1のボンディングワイヤー26により形成されるインダクタの下にコンデンサを配置すると、実施例1のように第1のボンディングワイヤー26により形成されるインダクタとコンデンサとが重ならないように配置する場合と比べると、誘電体基板20aを小さくすることができるので、LCフィルタの小型化が可能になる。   When the capacitor is arranged under the inductor formed by the first bonding wire 26 as described above, the inductor formed by the first bonding wire 26 and the capacitor are arranged so as not to overlap as in the first embodiment. Compared to the above, the dielectric substrate 20a can be made small, and thus the LC filter can be miniaturized.

<実施例3> 実施例3のLCフィルタについて、図6を参照しながら説明する。実施例3は、誘電体基板20bの構成が実施例1と異なる。   Example 3 An LC filter of Example 3 will be described with reference to FIG. The third embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the dielectric substrate 20b.

図6の透視図に示すように、誘電体基板20bは、基板本体22の上面22sに樹脂29が配置され、第1のボンディングワイヤー26は樹脂29によって覆われている。   As shown in the perspective view of FIG. 6, the dielectric substrate 20 b has the resin 29 disposed on the upper surface 22 s of the substrate body 22, and the first bonding wire 26 is covered with the resin 29.

基板本体の下面22tには、平面電極パッドが格子状に配置されたLGA(Land grid array)端子28が形成されている。基板本体22の上面22sの電極パターン23及びパッド電極25と、基板本体22の下面22tのLGA端子28とは、基板本体22の誘電体層を貫通するビアホール導体27で接続されている。   On the lower surface 22t of the substrate body, an LGA (Land grid array) terminal 28 in which planar electrode pads are arranged in a grid is formed. The electrode pattern 23 and the pad electrode 25 on the upper surface 22 s of the substrate body 22 and the LGA terminal 28 on the lower surface 22 t of the substrate body 22 are connected by a via-hole conductor 27 that penetrates the dielectric layer of the substrate body 22.

共振器のインダクタを形成する第1のボンディングワイヤー26は、樹脂29によって固定され、外部環境から保護されるので、LCフィルタの特性や品質を安定させることができる。   Since the first bonding wire 26 that forms the inductor of the resonator is fixed by the resin 29 and protected from the external environment, the characteristics and quality of the LC filter can be stabilized.

誘電体基板20bを実装基板に実装したとき、誘電体基板20bと実装基板とがLGA端子28を介して接続されるようにすると、誘電体基板20bと実装基板とを接続する第2のボンディングワイヤーをなくすことができる。   When the dielectric substrate 20b is mounted on the mounting substrate, if the dielectric substrate 20b and the mounting substrate are connected via the LGA terminal 28, the second bonding wire that connects the dielectric substrate 20b and the mounting substrate. Can be eliminated.

なお、図示していないが、実装基板上に樹脂を配置してもよい。例えば、誘電体基板を実装基板に実装した後に、実装基板の基板本体の上面に樹脂を配置し、この樹脂で、誘電体基板の第1のボンディングワイヤーと、誘電体基板と実装基板とを接続する第2のボンディングワイヤーとを覆うように構成してもよい。   Although not shown, a resin may be disposed on the mounting substrate. For example, after mounting the dielectric substrate on the mounting substrate, a resin is placed on the upper surface of the substrate body of the mounting substrate, and the first bonding wire of the dielectric substrate and the dielectric substrate and the mounting substrate are connected with this resin. You may comprise so that the 2nd bonding wire to be covered may be covered.

<実施例4> 実施例4のLCフィルタについて、図7を参照しながら説明する。実施例4は、誘電体基板20cの構成が実施例1と異なる。   <Example 4> The LC filter of Example 4 will be described with reference to FIG. The fourth embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the dielectric substrate 20c.

図7(a)は、誘電体基板20cの斜視図である。図7(b)は、図7(a)の線B−Bに沿って見た側面図である。   FIG. 7A is a perspective view of the dielectric substrate 20c. FIG.7 (b) is the side view seen along line BB of Fig.7 (a).

図7(a)及び(b)に示すように、誘電体基板20cの基板本体22の上面22sに形成された電極パターン23とパッド電極25a〜25cとを接続する第1のボンディングワイヤー26a〜26cは、隣り合うもの同士の形状が互いに異なっている。   As shown in FIGS. 7A and 7B, first bonding wires 26a to 26c for connecting the electrode pattern 23 formed on the upper surface 22s of the substrate body 22 of the dielectric substrate 20c and the pad electrodes 25a to 25c. Are different from each other in shape.

すなわち、第1のボンディングワイヤー26aは、一端側(電極パターン23側の半分)が相対的に高く、他端側(パッド電極25a側の半分)は相対的に低い。第1のボンディングワイヤー26aに隣接する第2のボンディングワイヤー26bは、一端側(電極パターン23側の半分)が相対的に低く、他端側(パッド電極25b側の半分)は相対的に高い。第2のボンディングワイヤー26bに隣接する第3のボンディングワイヤー26cは、一端側(電極パターン23側の半分)が相対的に高く、他端側(パッド電極25c側の半分)は相対的に低い。   That is, the first bonding wire 26a is relatively high on one end side (half on the electrode pattern 23 side) and relatively low on the other end side (half on the pad electrode 25a side). The second bonding wire 26b adjacent to the first bonding wire 26a is relatively low on one end side (half on the electrode pattern 23 side) and relatively high on the other end side (half on the pad electrode 25b side). The third bonding wire 26c adjacent to the second bonding wire 26b is relatively high on one end side (half on the electrode pattern 23 side) and relatively low on the other end side (half on the pad electrode 25c side).

例えばウェッジボンダーを用いてワイヤーボンディングすると、最初に固定する一端側のワイヤーは相対的に高くなり、後から固定する他端側は相対的に低くなるので、図7(a)に示すように、隣り合う第1のボンディングワイヤー26a〜26cにおいて、高低が交互に入れ替わるようにすることができる。   For example, when wire bonding is performed using a wedge bonder, the wire on one end side to be fixed first is relatively high, and the other end side to be fixed later is relatively low, so as shown in FIG. In the adjacent first bonding wires 26a to 26c, the heights can be alternately switched.

ボンディングワイヤーは細い金属線を用いるため、位置精度は十分であっても、傾くことがある。また、実施例3のように樹脂に埋め込む際に、変形してしまうことがある。ボンディングワイヤーの形状が変わると、隣り合うボンディングワイヤー間の磁気結合係数が変わり、フィルタとしての特性が変わってしまうため、ボンディングワイヤー間の磁気結合は、小さくなるようにするとよい。   Since the bonding wire uses a thin metal wire, it may be inclined even if the positional accuracy is sufficient. Moreover, when embedding in resin like Example 3, it may deform | transform. When the shape of the bonding wire changes, the magnetic coupling coefficient between adjacent bonding wires changes and the characteristics as a filter change. Therefore, the magnetic coupling between the bonding wires is preferably reduced.

隣り合う第1のボンディングワイヤー26a〜26cの形状が互いに異なるようにすると、隣り合う第1のボンディングワイヤー26aと26b間、26bと26c間の磁気結合を小さくすることができ、第1のボンディングワイヤー26a〜26cの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。   By making the shapes of the adjacent first bonding wires 26a to 26c different from each other, the magnetic coupling between the adjacent first bonding wires 26a and 26b and between the adjacent first bonding wires 26b and 26c can be reduced. Even if the shapes of 26a to 26c are deformed, the influence on the filter characteristics can be reduced.

<実施例5> 実施例5のLCフィルタについて、図8を参照しながら説明する。実施例5は、誘電体基板20dの構成が実施例1と異なる。   Example 5 An LC filter of Example 5 will be described with reference to FIG. The fifth embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the dielectric substrate 20d.

図8(a)は、実施例5の誘電体基板20dの平面図である。図8(b)は、図8(a)の線B−Bに沿って見た側面図である。   FIG. 8A is a plan view of the dielectric substrate 20d according to the fifth embodiment. FIG.8 (b) is the side view seen along line BB of Fig.8 (a).

図8(a)に示すように、実施例5の誘電体基板20dは、基板本体22の上面22sには、電極パターン23と、3つのパッド電極25p〜25rとが形成され、電極パターン23とパッド電極25p〜25rとは、それぞれ、第1のボンディングワイヤー26p〜26rで接続されている。パッド電極25p〜25rの間隔は、実施例1よりも大きくされている。そのため、図8(a)に示すように、第1のボンディングワイヤー26p〜26rは、パッド電極25p〜25rに接続される同じ側の一端同士の間隔が、電極パターン23に接続される他方側の他端同士の間隔よりも大きい。   As shown in FIG. 8A, in the dielectric substrate 20d of Example 5, the electrode pattern 23 and the three pad electrodes 25p to 25r are formed on the upper surface 22s of the substrate body 22, The pad electrodes 25p to 25r are connected by first bonding wires 26p to 26r, respectively. The interval between the pad electrodes 25p to 25r is larger than that in the first embodiment. Therefore, as shown to Fig.8 (a), as for the 1st bonding wires 26p-26r, the space | interval of the ends of the same side connected to the pad electrodes 25p-25r is the other side connected to the electrode pattern 23. It is larger than the distance between the other ends.

図8(a)及び(b)に示すように、第1のボンディングワイヤー26p〜26rは、パッド電極25a〜25cに接続される一端側が相対的に高く、電極パターン23に接続される他端側が相対的に低い。例えばウェッジボンダーを用いてワイヤーボンディングを行うと、最初に固定する一端側(パッド電極25a〜25c)が相対的に高くなり、他端側(電極パターン23側)が相対的に低くなるようにできる。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the first bonding wires 26p to 26r are relatively high on one end side connected to the pad electrodes 25a to 25c, and have the other end side connected to the electrode pattern 23 on the other end side. Relatively low. For example, when wire bonding is performed using a wedge bonder, one end side (pad electrodes 25a to 25c) to be fixed first is relatively high, and the other end side (electrode pattern 23 side) is relatively low. .

一端側と他端側とで高さが異なる第1のボンディングワイヤーを高低の向きを揃えて隣り合わせに配置した場合、隣接する第1のボンディングワイヤー間では、相対的に高い一端側の方が、相対的に低い他端側よりも磁気結合が強くなる。また、隣接する第1のボンディングワイヤーの中間部分については、互いに傾きを持つと、互いに平行であるときよりも磁気結合を弱めることができる。   When the first bonding wires having different heights on the one end side and the other end side are arranged adjacent to each other with the height direction aligned, between the adjacent first bonding wires, the relatively high one end side is Magnetic coupling is stronger than the relatively low end. In addition, if the intermediate portions of the adjacent first bonding wires are inclined with respect to each other, the magnetic coupling can be weakened more than when they are parallel to each other.

図8(a)及び(b)に示すように、隣り合う第1のボンディングワイヤー26aと26b、26bと26cは、一端側(パッド電極25a〜25c側の半分)が他端側(電極パターン23側の半分)より高く、高い一端側が相対的に離れ、低い他端側が相対的に近づいている。そして、隣り合う第1のボンディングワイヤー26aと26b、26bと26cの中間部分同士は、図8(a)に示すように、互いに平行ではなく、傾きを持っている。そのため、第1のボンディングワイヤー26a〜26c間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第1のボンディングワイヤー26a〜26cの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。   As shown in FIGS. 8A and 8B, the adjacent first bonding wires 26a and 26b, 26b and 26c have one end side (half of the pad electrodes 25a to 25c side) on the other end side (electrode pattern 23). The higher one end side is relatively far away, and the lower other end side is relatively closer. The intermediate portions of the adjacent first bonding wires 26a and 26b and 26b and 26c are not parallel to each other but have an inclination, as shown in FIG. Therefore, since the magnetic coupling between the first bonding wires 26a to 26c can be made as small as possible, the influence on the filter characteristics can be reduced even if the shape of the first bonding wires 26a to 26c is deformed.

隣接する第1のボンディングワイヤー26p〜26rにおいて、パッド電極25p〜25rに接続される一端間の間隔よりも、電極パターン23に接続される他端間の間隔の方が小さい場合、コンデンサを形成する電極パターン23側のエリアを広くとることができる。   In the adjacent first bonding wires 26p to 26r, a capacitor is formed when the interval between the other ends connected to the electrode pattern 23 is smaller than the interval between the one ends connected to the pad electrodes 25p to 25r. The area on the electrode pattern 23 side can be widened.

<実施例6> 実施例6のLCフィルタについて、図9を参照しながら説明する。実施例6は、誘電体基板20eの構成が実施例1と異なる。   Example 6 An LC filter of Example 6 will be described with reference to FIG. Example 6 differs from Example 1 in the configuration of the dielectric substrate 20e.

図9(a)は、誘電体基板20eの平面図である。図9(b)は、図9(a)の線B−Bに沿って見た側面図である。   FIG. 9A is a plan view of the dielectric substrate 20e. FIG.9 (b) is the side view seen along line BB of Fig.9 (a).

図9(a)に示すように、誘電体基板20eは、基板本体22の上面22sに、電極パターン23と、一つのパッド電極25xとが形成され、電極パターン23とパッド電極25xとは、第1のボンディングワイヤー26x〜26zにより接続されている。   As shown in FIG. 9A, the dielectric substrate 20e has an electrode pattern 23 and one pad electrode 25x formed on the upper surface 22s of the substrate body 22, and the electrode pattern 23 and the pad electrode 25x are 1 bonding wires 26x to 26z.

図9(a)に示すように、第1のボンディングワイヤー26x〜26zは、電極パターン23に接続される同じ側の一端同士の間隔が、パッド電極25xに接続される他方側の他端同士の間隔よりも大きい。   As shown to Fig.9 (a), as for the 1st bonding wires 26x-26z, the space | interval of the one end of the same side connected to the electrode pattern 23 is the other end of the other side connected to the pad electrode 25x. Greater than the interval.

図9(a)及び(b)に示すように、第1のボンディングワイヤー26x〜26zは、電極パターン23に接続される一端側が相対的に高く、パッド電極25xに接続される他端側が相対的に低い。   As shown in FIGS. 9A and 9B, the first bonding wires 26x to 26z are relatively high on one end side connected to the electrode pattern 23 and relatively on the other end side connected to the pad electrode 25x. Very low.

隣り合う第1のボンディングワイヤー26xと26y、26yと26zは、一端側(電極パターン23側の半分)が他端側(パッド電極25x側の半分)より高く、高い一端側が相対的に離れ、低い他端側が相対的に近づいている。これにより、第1のボンディングワイヤー25x〜25z間の磁気結合をできるだけ小さくすることができるため、第1のボンディングワイヤー25x〜25zの形状が変形してもフィルタ特性への影響を小さくできる。   The adjacent first bonding wires 26x and 26y, and 26y and 26z are higher at one end side (half on the electrode pattern 23 side) than the other end side (half on the pad electrode 25x side) and relatively higher at one end side and lower. The other end side is relatively close. Thereby, since the magnetic coupling between the first bonding wires 25x to 25z can be made as small as possible, the influence on the filter characteristics can be reduced even if the shape of the first bonding wires 25x to 25z is deformed.

第1のボンディングワイヤー25x〜25zが共通のパッド電極25xに接続されている場合、第1のボンディングワイヤー25x〜25zにより形成するインダクタの一端が共通GNDに接続されるので、高周波特性が良くなる。   When the first bonding wires 25x to 25z are connected to the common pad electrode 25x, one end of the inductor formed by the first bonding wires 25x to 25z is connected to the common GND, so that the high frequency characteristics are improved.

<まとめ> 以上に説明したように、共振回路のインダクタを第1のボンディングワイヤーを用いて形成し、誘電体基板と実装基板とを接続する第2のボンディングワイヤーと、インダクタ用の第1のボンディングワイヤーとが略90°の角度をなすように構成することにより、小型化しても、設計通りの所望の特性を有するLCフィルタを容易に得ることができる。   <Summary> As described above, the inductor of the resonance circuit is formed by using the first bonding wire, the second bonding wire for connecting the dielectric substrate and the mounting substrate, and the first bonding for the inductor. By configuring the wire so as to form an angle of approximately 90 °, an LC filter having desired characteristics as designed can be easily obtained even if the wire is downsized.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。   The present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with various modifications.

10 LCフィルタ
12 実装基板
13 基板本体
14a,14b 端子電極
16a,16b 第2のボンディングワイヤー
16k 第2の仮想面
20,20a〜20e 誘電体基板
22 基板本体
23x 電極パターン
23a〜23c 対向電極
24a,24b 接続電極
25,25a〜25b,25p〜25r,25x〜25z パッド電極
26,26a〜26c,26p〜26r,26x〜26z 第1のボンディングワイヤー
26k 第1の仮想面
27 ビアホール導体
28 LGA端子
29 樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 LC filter 12 Mounting board 13 Substrate body 14a, 14b Terminal electrode 16a, 16b Second bonding wire 16k Second virtual surface 20, 20a-20e Dielectric substrate 22 Substrate body 23x Electrode pattern 23a-23c Counter electrode 24a, 24b Connection electrode 25, 25a to 25b, 25p to 25r, 25x to 25z Pad electrode 26, 26a to 26c, 26p to 26r, 26x to 26z First bonding wire 26k First virtual surface 27 Via hole conductor 28 LGA terminal 29 Resin

Claims (4)

誘電体層と、前記誘電体層を介して対向するように配置された対向電極とを有し、該対向電極及び該対向電極間の前記誘電体層によりコンデンサが形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板が実装された実装基板と、
を備え、
前記誘電体基板には第1のボンディングワイヤーによりインダクタが形成され、該インダクタと前記コンデンサとにより共振器が構成され、
前記誘電体基板と前記実装基板とは、第2のボンディングワイヤーにより接続され、
前記第1のボンディングワイヤーを含む第1の仮想面と前記第2のボンディングワイヤーを含む第2の仮想面とが、実質的に直角をなし、
前記第1のボンディングワイヤーは、前記コンデンサを形成する前記対向電極及び前記誘電体層が重なり合う方向から見たときに、前記コンデンサに重なるように配置されていることを特徴とする、LCフィルタ。
A dielectric substrate having a dielectric layer and a counter electrode disposed so as to face each other through the dielectric layer, wherein a capacitor is formed by the dielectric layer between the counter electrode and the counter electrode;
A mounting substrate on which the dielectric substrate is mounted;
With
An inductor is formed by the first bonding wire on the dielectric substrate, and a resonator is configured by the inductor and the capacitor.
The dielectric substrate and the mounting substrate are connected by a second bonding wire,
The first and the second virtual surface which the first virtual plane bonding including a wire and comprising a second bonding wire, to substantially name a right angle,
The LC filter, wherein the first bonding wire is disposed so as to overlap the capacitor when viewed from a direction in which the counter electrode and the dielectric layer forming the capacitor overlap .
前記第1のボンディングワイヤーを樹脂で覆うことを特徴とする、請求項1に記載のLCフィルタ。 The LC filter according to claim 1, wherein the first bonding wire is covered with a resin. 隣り合う前記第1のボンディングワイヤーは、互いに形状が異なることを特徴とする、請求項1又は2に記載のLCフィルタ。 The adjacent first bonding wire is characterized in that shapes are different from each other, LC filter according to claim 1 or 2. 隣り合う前記第1のボンディングワイヤーは、
同じ側の一端同士の間隔が、他方側の他端同士の間隔よりも大きく、かつ、
前記一端側が相対的に高く、前記他端側が相対的に低いことを特徴とする、請求項1乃至のいずれか一つに記載のLCフィルタ。
The adjacent first bonding wires are
The distance between the ends on the same side is greater than the distance between the other ends on the other side; and
Wherein one end side is relatively high, the other end is characterized in that relatively low, LC filter according to any one of claims 1 to 3.
JP2010029454A 2010-02-12 2010-02-12 LC filter Active JP5471556B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010029454A JP5471556B2 (en) 2010-02-12 2010-02-12 LC filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010029454A JP5471556B2 (en) 2010-02-12 2010-02-12 LC filter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011166620A JP2011166620A (en) 2011-08-25
JP5471556B2 true JP5471556B2 (en) 2014-04-16

Family

ID=44596744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010029454A Active JP5471556B2 (en) 2010-02-12 2010-02-12 LC filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5471556B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI502802B (en) * 2011-03-25 2015-10-01 Murata Manufacturing Co Electronic Parts
CN104639083A (en) * 2015-02-27 2015-05-20 河北博威集成电路有限公司 Filter manufacturing method adopting gold-wire bonding wire
JP6649718B2 (en) * 2015-08-25 2020-02-19 日本電信電話株式会社 amplifier
US20240313735A1 (en) * 2022-06-24 2024-09-19 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Filter and method for manufacturing filter

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750314A (en) * 1993-08-06 1995-02-21 Sony Corp Semiconductor device and its wire bonding method
JP2001345344A (en) * 2000-05-31 2001-12-14 Toshiba Corp High frequency semiconductor device
JP2006024856A (en) * 2004-07-09 2006-01-26 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JP2007088217A (en) * 2005-09-22 2007-04-05 Toshiba Corp Oscillation transistor and oscillation circuit
JP4749953B2 (en) * 2006-06-29 2011-08-17 株式会社アドバンテスト Manufacturing method of high-pass filter

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011166620A (en) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9412509B2 (en) Multilayer electronic component having conductive patterns and board having the same
JP4376493B2 (en) Printed circuit board
US11133126B2 (en) Coil component
CN107785148B (en) Electronic component
JP4766354B1 (en) Multilayer bandpass filter
WO2007119356A1 (en) Layered band pass filter
JP5617635B2 (en) Multilayer electronic components
JP5471556B2 (en) LC filter
JP2010074825A (en) Multi-layered device and electronic equipment using the same
CN109817427B (en) Coil assembly
US20130164904A1 (en) Inductor structures for integrated circuit devices
CN109817426B (en) coil assembly
JP5561615B2 (en) Antenna device
JP6547655B2 (en) Coil parts
KR101548858B1 (en) Chip type coil component and board for mounting the same
JP6048229B2 (en) Antenna device
JP5617736B2 (en) Antenna device
JP6198049B2 (en) Antenna device
JP3942620B2 (en) Dielectric filter
CN110676029A (en) Inductor
CN110176343B (en) Coil electronic assembly
JP6766660B2 (en) Antenna device
JP6098810B2 (en) Antenna device
JP6057160B2 (en) Antenna device
JP2003283204A (en) Laminated filter element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131105

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5471556

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150