JP5466400B2 - Mems装置のための機械的分離 - Google Patents

Mems装置のための機械的分離 Download PDF

Info

Publication number
JP5466400B2
JP5466400B2 JP2008327692A JP2008327692A JP5466400B2 JP 5466400 B2 JP5466400 B2 JP 5466400B2 JP 2008327692 A JP2008327692 A JP 2008327692A JP 2008327692 A JP2008327692 A JP 2008327692A JP 5466400 B2 JP5466400 B2 JP 5466400B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
isolator
die
package
attached
attaching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008327692A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009154288A (ja
Inventor
マイケル・フォスター
リャズ・ジャフリ
マーク・エスクリッジ
シファン・チョウ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honeywell International Inc
Original Assignee
Honeywell International Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honeywell International Inc filed Critical Honeywell International Inc
Publication of JP2009154288A publication Critical patent/JP2009154288A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5466400B2 publication Critical patent/JP5466400B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032Packages or encapsulation
    • B81B7/0045Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0048Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

微小電気機械システム(MEMS)装置またはコンピュータチップは、しばしばダイに取り付けられる。ダイ取付による非慣性応力および機械的応力は、MEMS装置の性能に影響を与える可能性がある。加えて、これらの装置はワイヤボンディング中に応力に曝される。パッケージング応力は、安定した出力のために安定した幾何形状を必要とする容量センサに関する問題を引き起こす。また、パッケージレベルでワイヤボンディングを行なうことにより、各部品を別個に扱わなければならないので、製造費が増加し、アセンブリに対する損傷の可能性が高くなる。
MEMS装置はしばしば、構造物が受ける慣性力を測定するために、別の構造物に取り付けられる。直接取り付けられたMEMS装置は、構造物によって加えられる応力に曝され、これは、MEMS装置が不正確な測定値を生成することにつながる。
MEMS装置の分離のための装置および方法が、本発明の一実施形態によって提供される。本発明の一態様による装置は、ダイの第1の側に支持されたMEMS装置を備えている。アイソレータの第1の側は、ダイの第1の側に取り付けられている。パッケージは、アイソレータの第1の側に取り付けられており、少なくとも1つの導電性取付装置がダイをアイソレータに取り付け、アイソレータをパッケージに取り付ける。
アイソレータの実施形態は、アイソレータの周囲を通る分離枝部を備えている。他の実施形態では、ダイは分離枝部の内側にあるアイソレータの一部に取り付けられており、パッケージは分離枝部の外側にあるアイソレータの一部に取り付けられている。
別の実施形態は、ダイに取り付けられた上部カバープレートと、上部カバープレートを受けるアイソレータ内の対応するレセプタクルとを含んでいる。他の態様は、アイソレータの第2の側に角度付けされた棚部を含んでいる。
本発明による方法は、MEMS装置をダイの第1の側に取り付けるステップと、アイソレータの第1の側をダイの第1の側に取り付けるステップと、パッケージをアイソレータの第1の側に取り付けるステップと、少なくとも1つの導電性取付装置を使用して、ダイをアイソレータに取り付け、アイソレータをパッケージに取り付けるステップとを含んでいる。
本発明の好ましい実施形態および代替実施形態を、以下の図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態による装置10を示している。装置10は、パッケージ12およびアイソレータ14を備えている。アイソレータ14は、枝部である周囲分離構造16と、関連付けられたMEMS装置(図示せず)の上部カバー18を受けるレセプタクル17とを備えている。アイソレータは、非導電性、半導電性、または完全導電性材料で作製することができる。
図2は、図1の装置10のAAを通る断面図である。パッケージカバー20は、MEMS装置および意図する作動環境によって有利なように含めることができる。ダイ22は、ダイ22の上部側24でMEMS装置(図示せず)に適切に取り付けられている。ダイ22の上部側24は、金バンプなどの導電性取付装置26によって、アイソレータ14の底部側28に取り付けられている。パッケージは、MEMS装置、ダイ22、およびアイソレータ14を受ける段付き凹部19を含んでおり、アイソレータ14の底部側28は導電性取付装置26によってパッケージ12のワイヤボンディング棚部30に取り付けられている。アイソレータ14の底部側28の導電性トレース(図示せず)は、ダイ22をアイソレータ14に取り付ける装置26を、アイソレータ14をパッケージ12に取り付ける装置26と接続させる。パッケージ12上の導電性トレース(図示せず)は、アイソレータ14をパッケージ12に取り付ける装置26をパッケージ12の外側の導電性リード(図示せず)に接続させる。アイソレータ14が半導電性または完全導電性材料で作製されている場合、トレースはアイソレータ14から電気的に絶縁させなければならない。
図3は、図1の装置の一部の部分断面図である。アイソレータ14は、角度付けされた棚部32を含むことができる。アイソレータ14がパッケージ12に取り付けられている場合、角度付けされた棚部32はパッケージ12と接触している。棚部32はしたがって、パッケージ12に対するダイ22の垂直位置の変更を可能にする。また、アイソレータ14をパッケージ12に取り付ける取付装置26は、アイソレータ14の(構造16に対する)横部分に配置されており、ダイ22をアイソレータ14に取り付ける装置26はアイソレータ14の内側部分に配置されている。したがって、分離構造16は、パッケージ12からダイ22に伝達される応力の量を小さくするように働く。
図4Aは、アイソレータ14の上面斜視図である。アイソレータ14は、レセプタクル17および周囲分離枝部16を備えている。図4Bは、本発明の一実施形態によるアイソレータ14’を示している。アイソレータ14’は、MEMS装置および意図する作動環境が上部カバー18を必要としない場合に使用され、したがってレセプタクル17を備えていない。図5Aは、図4のアイソレータの部分上面斜視図である。枝部16は、様々な屈曲形状を有することができる。枝部16は、単一の折り畳み部、または2つ以上の折り畳み部を有することができ、または折り畳み部を備えていなくてもよい。枝部16は必要に応じて入れ子状にすることができ、隅部を回ることができる。枝部16は、KOHエッチング、EDP、またはTMAHによって形成することができる。図5Bは、枝部16によって可能になった変位の量を制限するように衝撃止め具15を備えた枝部16の代替実施形態を示している。
図6Aは、図2のアイソレータ14の部分底面斜視図である。アイソレータ14は、アイソレータ14の底部側28から延びている角度付けされた棚部32を備えている。図2から分かるように、棚部32の寸法、位置、および角度は、パッケージ12に対するダイ22の垂直位置を変えるために変更することができる。棚部32は、ダイ22の垂直高さおよび/または凹部19の垂直深度がダイ22の底部側25(図2)と凹部19の間に追加の間隙を必要とする場合に、パッケージ12に対してダイ22を持ち上げるために使用することができる。ダイ22の垂直高さが棚部32を必要としない場合、図6Bに示す棚部32を備えていないアイソレータ14”の実施形態を使用することができる。
図7は、本発明による過程40を示している。ブロック42では、MEMS装置がダイの第1の側に取り付けられる。ブロック44では、アイソレータの第1の側がダイの第1の側に取り付けられる。ブロック46では、アイソレータの第1の側がパッケージに取り付けられる。方法40は、分離枝部をアイソレータ内にエッチングするステップ、レセプタクルをアイソレータ内にエッチングするステップ、および角度付けされた棚部をアイソレータ内にエッチングするステップなどの追加のステップを含むことができる。方法40はまた、上部カバーをダイに取り付けるステップを含むことができる。
本発明の好ましい実施形態を図示および説明したが、上に記したように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく多くの変更を加えることが可能である。したがって、本発明の範囲は好ましい実施形態の開示によって限定されるものではない。そうではなく、本発明は全体的に頭記の特許請求の範囲を参照することによって判断すべきである。
本発明の一実施形態による装置の上面斜視図である。 AAに沿った図1の装置の断面図である。 図1の装置の一部の部分断面図である。 本発明の一実施形態によるアイソレータの上面斜視図である。 本発明の代替実施形態によるアイソレータを示す図である。 図4のアイソレータの部分上面斜視図である。 図4のアイソレータの代替実施形態を部分的に示す図である。 図4のアイソレータの底面斜視図である。 本発明の代替実施形態によるアイソレータを示す図である。 本発明の一実施形態による過程を示す図である。
10 装置
12 パッケージ
14 アイソレータ
14’ アイソレータ
14” アイソレータ
15 衝撃止め具
16 周囲分離構造
17 レセプタクル
18 上部カバー
19 段付き凹部
20 パッケージカバー
22 ダイ
24 上部側
25 底部側
26 導電性取付装置
28 底部側
30 ワイヤボンディング棚部
32 角度付けされた棚部
40 過程
42 ブロック
44 ブロック
46 ブロック

Claims (3)

  1. 微小電気機械システム装置と、
    ダイ(22)の第1の側で前記微小電気機械システム装置を支持するように構成されたダイ(22)と、
    第1の側が前記ダイ(22)の前記第1の側に取り付けられたアイソレータ(14)と、
    前記アイソレータ(14)の前記第1の側に取り付けられたパッケージ(12)と、
    前記ダイ(22)を前記アイソレータ(14)に取り付け、前記アイソレータ(14)を前記パッケージ(12)に取り付けるように構成された導電性取付装置(26)とを備え
    前記アイソレータ(14)は、角度付けされた棚部(32)を含み、前記角度付けされた棚部(32)は、前記パッケージ(12)に対するダイ(22)の垂直位置の変更を可能にする、
    装置(10)。
  2. 前記ダイ(22)に取り付けられた上部カバー(18)をさらに備えた、請求項1に記載の装置(10)。
  3. 微小電気機械システム装置をダイ(22)の第1の側に取り付けるステップと、
    アイソレータ(14)の第1の側を前記ダイ(22)の前記第1の側に取り付けるステップと、
    前記アイソレータ(14)の前記第1の側をパッケージ(12)に取り付けるステップとを含み、
    前記アイソレータ(14)は、角度付けされた棚部(32)を含み、前記角度付けされた棚部(32)は、前記パッケージ(12)に対するダイ(22)の垂直位置の変更を可能にする、
    方法。
JP2008327692A 2007-12-27 2008-12-24 Mems装置のための機械的分離 Expired - Fee Related JP5466400B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/965,623 2007-12-27
US11/965,623 US7830003B2 (en) 2007-12-27 2007-12-27 Mechanical isolation for MEMS devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009154288A JP2009154288A (ja) 2009-07-16
JP5466400B2 true JP5466400B2 (ja) 2014-04-09

Family

ID=40379781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008327692A Expired - Fee Related JP5466400B2 (ja) 2007-12-27 2008-12-24 Mems装置のための機械的分離

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7830003B2 (ja)
EP (1) EP2075221B1 (ja)
JP (1) JP5466400B2 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103221333B (zh) 2010-09-18 2017-05-31 快捷半导体公司 多晶片mems封装
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
KR20130057485A (ko) 2010-09-18 2013-05-31 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 미세 전자 기계 시스템에 미치는 응력을 감소시키기 위한 패키징
WO2012037539A1 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
CN103221779B (zh) 2010-09-18 2017-05-31 快捷半导体公司 微机械整体式六轴惯性传感器
WO2012037501A2 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Cenk Acar Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
EP2619536B1 (en) 2010-09-20 2016-11-02 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
CN101920926B (zh) * 2010-09-30 2012-11-28 无锡中微高科电子有限公司 一种不匹配封接应力释放结构
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US20130264755A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Honeywell International Inc. Methods and systems for limiting sensor motion
KR102058489B1 (ko) 2012-04-05 2019-12-23 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 멤스 장치 프론트 엔드 전하 증폭기
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
EP2647952B1 (en) 2012-04-05 2017-11-15 Fairchild Semiconductor Corporation Mems device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
KR101999745B1 (ko) 2012-04-12 2019-10-01 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 미세 전자 기계 시스템 구동기
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
US8931765B2 (en) 2012-09-27 2015-01-13 Honeywell International Inc. Systems and methods for high frequency isolation
EP2871456B1 (en) * 2013-11-06 2018-10-10 Invensense, Inc. Pressure sensor and method for manufacturing a pressure sensor
EP2871455B1 (en) 2013-11-06 2020-03-04 Invensense, Inc. Pressure sensor
DE102014210934A1 (de) * 2014-06-06 2015-12-17 Robert Bosch Gmbh Vertikal hybrid integriertes MEMS-ASIC-Bauteil mit Stressentkopplungsstruktur
US10023461B2 (en) 2014-10-31 2018-07-17 Stmicroelectronics S.R.L. Microintegrated encapsulated MEMS sensor with mechanical decoupling and manufacturing process thereof
EP3614115A1 (en) 2015-04-02 2020-02-26 InvenSense, Inc. Pressure sensor
CN104950137B (zh) * 2015-06-23 2018-01-19 西安电子科技大学 具有应力隔离结构的横向敏感加速度传感器芯片
US10278281B1 (en) * 2015-10-30 2019-04-30 Garmin International, Inc. MEMS stress isolation and stabilization system
EP3444609A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 Sensirion AG Measuring concentrations of a target gas
US20190169018A1 (en) * 2017-12-05 2019-06-06 Invensense, Inc. Stress isolation frame for a sensor
US11225409B2 (en) 2018-09-17 2022-01-18 Invensense, Inc. Sensor with integrated heater
EP3969868A1 (en) 2019-05-17 2022-03-23 InvenSense, Inc. A pressure sensor with improve hermeticity
US11795052B2 (en) 2020-09-29 2023-10-24 Te Connectivity Solutions Gmbh Constraint for a sensor assembly
GB2624843A (en) 2022-07-08 2024-06-05 Autorient Tech As Micromechanical devices and methods of manufacturing thereof

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714105B2 (en) * 2002-04-26 2004-03-30 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system method
US6946742B2 (en) * 2002-12-19 2005-09-20 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with isolator having selected modulus of elasticity
US20040041254A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Lewis Long Packaged microchip
US6768196B2 (en) * 2002-09-04 2004-07-27 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with isolation
US7166911B2 (en) * 2002-09-04 2007-01-23 Analog Devices, Inc. Packaged microchip with premolded-type package
US20050189622A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
JP4815756B2 (ja) * 2004-05-21 2011-11-16 パナソニック株式会社 アクチュエータ
JP4573695B2 (ja) * 2005-04-27 2010-11-04 三洋電機株式会社 マイクロマシンスイッチ
US20070114643A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Honeywell International Inc. Mems flip-chip packaging
US7491567B2 (en) * 2005-11-22 2009-02-17 Honeywell International Inc. MEMS device packaging methods
US8129801B2 (en) * 2006-01-06 2012-03-06 Honeywell International Inc. Discrete stress isolator attachment structures for MEMS sensor packages
JP2007242462A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Sanyo Electric Co Ltd メカニカルスイッチ
US20070246665A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Lafond Peter H Mechanical isolation for mems devices
US7280262B1 (en) * 2006-05-24 2007-10-09 Honeywell International Inc. Integrated die level isolation for a MEMS device
US8742557B2 (en) 2007-06-19 2014-06-03 Honeywell International Inc. Die mounting stress isolator
JP4851555B2 (ja) * 2008-05-13 2012-01-11 株式会社デンソー 力学量センサおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7830003B2 (en) 2010-11-09
EP2075221A3 (en) 2013-05-29
EP2075221B1 (en) 2015-12-16
JP2009154288A (ja) 2009-07-16
EP2075221A2 (en) 2009-07-01
US20090166827A1 (en) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5466400B2 (ja) Mems装置のための機械的分離
US10759659B2 (en) Stress isolation platform for MEMS devices
EP3394586B1 (en) Stress-isolated absolute pressure sensor
US9926188B2 (en) Sensor unit including a decoupling structure and manufacturing method therefor
TWI518804B (zh) Monolithic compound sensor and its package
CN106517079B (zh) 有减少的应力灵敏度的微电机传感器器件和对应制造工艺
JP5990933B2 (ja) 圧力センサパッケージの製造方法
EP3092499B1 (en) Robust inertial sensors
JP6082601B2 (ja) 応力分離付き微細構造デバイス
US11697586B2 (en) Surface micromechanical element and method for manufacturing the same
US10843917B2 (en) Micromechanical device having a decoupled micromechanical structure
US20150353345A1 (en) Vertical Hybrid Integrated MEMS ASIC Component Having A Stress Decoupling Structure
KR20150142015A (ko) 미소 전자 기계 디바이스 및 제조 방법
US20150253349A1 (en) Acceleration sensor
JP2010078425A (ja) 加速度センサ
JP2008249390A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2009079948A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130401

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130628

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130703

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130708

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5466400

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees