JP5459647B2 - Pattern simulation method, apparatus thereof, and program thereof - Google Patents

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Description

本発明は、基板上に露光されて形成される基板パターンを仮想的にシミュレーションするパターンシミュレーション方法、その装置、および、そのプログラムに関する。   The present invention relates to a pattern simulation method for virtually simulating a substrate pattern formed by exposure on a substrate, an apparatus therefor, and a program therefor.

一般に、液晶表示装置は、走査線や信号線などの配線、画素電極などの電極、あるいは薄膜トランジスタなどのスイッチ素子を有している。そして、これら配線、電極およびスイッチ素子のそれぞれは、基板上に導電体あるいは誘電体などの薄膜を成膜工程にて成膜し、この成膜工程にて成膜した薄膜上にフォトレジストを塗布工程にて塗布し、この塗布工程にて塗布したフォトレジストを所定のパターンを有するレチクルを介して露光工程にて露光し、この露光工程にて露光したフォトレジストを現像工程にて現像し、このフォトレジストが除去されて露出した薄膜をエッチング工程にて除去するなどを繰り返すことによって形成される。   In general, a liquid crystal display device includes wiring such as scanning lines and signal lines, electrodes such as pixel electrodes, or switching elements such as thin film transistors. Each of these wirings, electrodes, and switch elements is formed by forming a thin film such as a conductor or a dielectric on a substrate in a film forming process, and applying a photoresist on the thin film formed in this film forming process. The photoresist applied in this process is exposed in an exposure process through a reticle having a predetermined pattern, and the photoresist exposed in this exposure process is developed in a development process. It is formed by repeatedly removing the exposed thin film by removing the photoresist in the etching process.

また、近年、液晶表示装置の大画面化に伴い、基板を複数の領域に分割して各領域のフォトレジストを順次対応するマスクを介して露光する分割露光方式による露光処理が用いられている。そして、この分割露光方法による露光処理では、ショット毎に露光される領域間に多重露光領域と呼ばれる3〜10μmの幅をもつ分割線上の領域がある。そして、この分割線上の領域では、複数回、すなわち2重に露光される。   In recent years, with the enlargement of the screen of a liquid crystal display device, an exposure process by a division exposure method is used in which a substrate is divided into a plurality of regions and the photoresist in each region is exposed sequentially through a corresponding mask. In the exposure processing by this divided exposure method, there is a region on the dividing line having a width of 3 to 10 μm called a multiple exposure region between regions exposed for each shot. In the region on the dividing line, the exposure is performed a plurality of times, that is, twice.

そして、分割露光方式による露光処理の際に使用されるフォトマスクとしてのレチクルは、一般にCADシステムを用いて設計される。そして、この分割露光方式でのレチクルパターンの設計手順としては、液晶表示装置の液晶表示パネルの大きさのパターンを、設計基準を満たすように設計した後、このパターンをレチクルの大きさ、およびこのレチクルの枚数に合うように分割する。このとき、このパターンを分割する分割線は、特性上影響のない場所に沿って形成する。   In general, a reticle as a photomask used in the exposure processing by the divided exposure method is designed using a CAD system. Then, as a reticle pattern design procedure in this divided exposure method, after designing the pattern of the size of the liquid crystal display panel of the liquid crystal display device so as to satisfy the design standard, this pattern is changed to the size of the reticle and this Divide to fit the number of reticles. At this time, the dividing line for dividing the pattern is formed along a place where there is no influence on characteristics.

さらに、この液晶表示パネルの予備分割線についての設計パターンに対応した設計データは、CADシステムの記憶媒体に記憶されて保存されている。そして、これら設計データに基づいて、液晶表示パネルおよび分割線の設計パターンに対応したレクチルパターンを形成し、遮光帯と称される遮光領域を覆う遮光帯パターンを追加することによってフォトマスクが完成する。   Furthermore, design data corresponding to the design pattern for the preliminary dividing line of the liquid crystal display panel is stored and stored in the storage medium of the CAD system. Then, based on these design data, a reticle pattern corresponding to the design pattern of the liquid crystal display panel and the dividing line is formed, and a photomask is completed by adding a shading band pattern covering a shading area called a shading band. .

そして、このフォトマスクは、露光用データと呼ばれる座標データを使って、基板上に露光される。露光用データは、レチクル上の露光領域の範囲および基準となる中心点を示すデータ、および露光される基板上の座標のデータなどを含んでおり、レチクル上の指定した範囲を基板上の指定した領域に露光する。   The photomask is exposed on the substrate using coordinate data called exposure data. The exposure data includes the range of the exposure area on the reticle and data indicating the reference center point, the coordinate data on the substrate to be exposed, and the like. The specified range on the reticle is designated on the substrate. Expose the area.

このような分割露光方式による露光処理では、遮光パターンの配置を間違えたり、露光用データの数値を間違えたりするミスが発生することがある。このため、レチクルデータ等のCADデータと露光用データを使って基板上にどのように露光されるかシミュレーションを行い確認している。   In such an exposure process using the divided exposure method, there may be a mistake that the arrangement of the light shielding pattern is wrong or the numerical value of the exposure data is wrong. For this reason, simulation is performed to confirm how the substrate is exposed using CAD data such as reticle data and exposure data.

そのシミュレーション方法の一つに露光後の形状を予想した予想パターンを作成し、その予想パターンとレチクルパターンとの差分をとり、その差分パターン差の演算結果を予想パターンと重ねて、あるいは演算して基板パターンをシミュレーションする方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2004−265386号公報
One of the simulation methods is to create a predicted pattern that predicts the shape after exposure, take the difference between the predicted pattern and the reticle pattern, and overlap or calculate the calculation result of the difference pattern difference with the predicted pattern. A method of simulating a substrate pattern is known (for example, see Patent Document 1).
JP 2004-265386 A

検図の一手法として基板パターンを別に用意しておき、シミュレーション結果と基板パターンとが一致しているかどうかを比較する方法がある。   There is a method of preparing a substrate pattern separately as one method of checking and comparing whether the simulation result matches the substrate pattern.

しかしながら、基板パターンおよび予想パターンは、それぞれ設計された複数のデータの組み合わせにより作成されるため、データが複雑化すると、パターン数が増加し、上記のシミュレーションを実施した際の演算時間が長くなってしまう問題がある。   However, since the substrate pattern and the predicted pattern are created by combining a plurality of designed data, if the data becomes complicated, the number of patterns increases, and the calculation time when the above simulation is performed becomes longer. There is a problem.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、基板パターンと予想パターンとの比較演算を高速化できるパターンシミュレーション方法、その装置、および、そのプログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a pattern simulation method, an apparatus thereof, and a program thereof capable of speeding up a comparison operation between a substrate pattern and an expected pattern.

本発明は、基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成工程と、この基板パターン作成工程で作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成工程と、少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成工程と、この予想パターン作成工程で作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成工程と、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較工程とを具備したものである。 The present invention is based on reticle data indicating a reticle pattern for each divided region obtained by dividing a pattern to be formed on a substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating a position on the substrate where the reticle pattern is shot. A pattern simulation method for simulating a substrate pattern formed by exposure on a substrate, the substrate pattern creating step for creating the substrate pattern by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell, and the substrate In the substrate pattern created in the pattern creation step, when the same pattern cell overlaps, the computation substrate pattern creation step for creating the computation substrate pattern using only any one of the pattern cells ; A plurality having at least one reticle cell In the predicted pattern creating step for creating a predicted pattern expected when the substrate pattern is formed on the substrate by the reticle data and the exposure data, and in the predicted pattern created in the predicted pattern creating step, When the same reticle cell is overlapped, a calculation predicted pattern creating step of creating a calculation predicted pattern using only one of the reticle cells , the calculation substrate pattern, and the calculation predicted pattern And a comparison step for calculating and comparing.

また、本発明は、基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション装置であって、少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成手段と、この基板パターン作成手段で作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成手段と、少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成手段と、この予想パターン作成手段で作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成手段と、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較手段とを具備したものである。 The present invention also provides reticle data indicating a reticle pattern for each divided region obtained by dividing a pattern to be formed on a substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating where on the substrate the reticle pattern is shot. A pattern simulation apparatus for simulating a substrate pattern formed by being exposed on the substrate by a substrate pattern creating means for creating the substrate pattern by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell; When the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern created by the substrate pattern creating means, the computation substrate pattern creation is created using only one of the pattern cells. Means and at least one reticle cell A predicted pattern creating means for creating a predicted pattern expected when the substrate pattern is formed on the substrate by a plurality of the reticle data and the exposure data, and the predicted pattern created by the predicted pattern creating means When the same reticle cell is overlapped, a calculation predicted pattern generation means for generating a calculation predicted pattern using only one of the reticle cells , the calculation substrate pattern, and the calculation predicted pattern Comparing means for calculating and comparing.

さらに、本発明は、基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーションプログラムであって、少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成ステップと、この基板パターン作成ステップで作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成ステップと、少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成ステップと、この予想パターン作成ステップで作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成ステップと、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較ステップとを具備したものである。 Further, the present invention provides reticle data indicating a reticle pattern for each divided area obtained by dividing a pattern to be formed on a substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating where on the substrate the reticle pattern is shot. A pattern simulation program for simulating a substrate pattern that is exposed and formed on the substrate by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell to create the substrate pattern; and When the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern created in this substrate pattern creation step, the computation substrate pattern creation is created using only one of the pattern cells. Step and at least one An expected pattern creating step for creating an expected pattern when the substrate pattern is formed on the substrate by a plurality of the reticle data having a reticle cell and the exposure data, and the predicted pattern creating step When the same reticle cell is overlapped in the predicted pattern, a predicted process pattern creation step for creating a predicted pattern for calculation using only one of the reticle cells, and the calculation substrate pattern and the calculation And a comparison step for calculating and comparing the predicted pattern for use.

そして、作成した基板パターンにて同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成し、作成した予想パターンにて同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する。 If the same pattern cell overlaps in the created substrate pattern, an arithmetic substrate pattern is created using only one of the pattern cells, and the same reticle cell is created in the created predicted pattern. If they overlap, a predicted pattern for calculation is created using only one of these reticle cells .

本発明によれば、演算用基板パターンと演算用予想パターンとを演算して比較する際の演算量を低減して、この比較演算を高速化できる。   According to the present invention, it is possible to reduce the amount of calculation when calculating and comparing the calculation substrate pattern and the calculation predicted pattern, and to speed up the comparison calculation.

以下、本発明の一実施の形態を図1ないし図3を参照して説明する。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

本実施の形態のパターンシミュレーション装置は、図示しないコンピュータ、例えば表示素子としての液晶表示素子である液晶パネルのアレイ基板の基板パターンの設計などに用いるパターンレイアウトソフトであるCADソフト、設計された基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーションプログラム、および、このパターンシミュレーションプログラムによりシミュレーションされたシミュレーションパターンと設計パターンとを比較するレイアウト検証ソフトなどを含むコンピュータシステムである。   The pattern simulation apparatus according to the present embodiment includes a computer (not shown), for example, CAD software which is pattern layout software used for designing a substrate pattern of an array substrate of a liquid crystal panel which is a liquid crystal display element as a display element, and a designed substrate pattern. The computer system includes a pattern simulation program for simulating the above and layout verification software for comparing the simulation pattern simulated by the pattern simulation program with the design pattern.

ここで、液晶パネルは、アレイ基板と、このアレイ基板に対向配置される対向基板との間に、液晶層を介在して構成され、アレイ基板上には、走査線、信号線、薄膜トランジスタなどの各種回路パターンが形成されている。また、液晶パネルは、基板としての四角形平板状の大判ガラス基板に複数、マトリクス状に形成されている。   Here, the liquid crystal panel is configured by interposing a liquid crystal layer between the array substrate and a counter substrate disposed opposite to the array substrate. Scanning lines, signal lines, thin film transistors, etc. are disposed on the array substrate. Various circuit patterns are formed. A plurality of liquid crystal panels are formed in a matrix on a rectangular flat plate large-sized glass substrate as a substrate.

また、コンピュータには、記憶手段としてのハードディスク、一時記憶手段としてのメモリ、基板パターン作成手段、予想パターン作成手段、演算用基板パターン作成手段、演算用予想パターン作成手段、比較手段およびシミュレーションパターン作成手段などを機能として有するCPUなどの制御手段がそれぞれ設けられている。   The computer also includes a hard disk as storage means, memory as temporary storage means, substrate pattern creation means, predicted pattern creation means, calculation substrate pattern creation means, calculation predicted pattern creation means, comparison means, and simulation pattern creation means. Each of the control means such as a CPU having the above functions as functions is provided.

さらに、基板パターンは、大判ガラス基板上に作成しようとするパターンに対応して予め設計された設計パターンを分割した分割領域毎の所定のCADデータであるアレイセルすなわちパターンセルを基に設計された基板パターンデータを組み合わせて作成される。ここでは、例えば図2に示すように、基板パターン1は、パターンセルa1を基にパターンセルa2、あるいはパターンセルa3を設計した基板パターンデータA1,A2と、パターンセルa1である基板パターンデータA3とを組み合わせて作成されている。なお、図2においては、基板パターン1の分割領域の1つのみを図示しているが、基板パターン1の他の部分も同様に作成されている。   Further, the substrate pattern is a substrate designed based on an array cell, that is, a pattern cell, which is predetermined CAD data for each divided region obtained by dividing a design pattern designed in advance corresponding to a pattern to be created on a large format glass substrate. Created by combining pattern data. Here, for example, as shown in FIG. 2, the substrate pattern 1 includes substrate pattern data A1 and A2 in which the pattern cell a2 or the pattern cell a3 is designed based on the pattern cell a1, and substrate pattern data A3 that is the pattern cell a1. It is created in combination with. In FIG. 2, only one divided region of the substrate pattern 1 is illustrated, but other portions of the substrate pattern 1 are similarly created.

また、予想パターンは、大判ガラス基板上に形成しようとする全体パターンに対応して予め設計された設計パターンを境界線に沿って複数に分割した分割領域毎のレチクル上のCADデータであるレチクルセルを基に設計されたレチクルデータを、基板のどの位置にショットするかを示す露光用データにより組み合わせて構成される。ここでは、例えば図3に示すように、予想パターン2は、レチクルセルb1を基にレチクルセルb2、あるいはレチクルセルb3を設計したレチクルパターンB1,B2を組み合わせたレチクルデータ3と、露光用データ4とにより作成される。なお、図3においては、予想パターン2の分割領域の1つのみを図示しているが、予想パターン2の他の部分も同様に作成されている。   In addition, the expected pattern is a reticle cell which is CAD data on the reticle for each divided region obtained by dividing a design pattern designed in advance corresponding to the entire pattern to be formed on the large-sized glass substrate into a plurality along the boundary line. The reticle data designed on the basis is combined with exposure data indicating the position on the substrate to be shot. Here, for example, as shown in FIG. 3, the predicted pattern 2 is created from the reticle data 3 based on the reticle cell b1 or the reticle pattern B1 or B2 in which the reticle cell b3 is designed based on the reticle cell b1, and the exposure data 4. Is done. In FIG. 3, only one divided region of the predicted pattern 2 is illustrated, but other portions of the predicted pattern 2 are similarly created.

レチクルは、液晶パネルを分割露光して現像あるいはエッチングするためのフォトマスクであり、例えば各液晶パネルの上側左側部、上側右側部、下側左側部および下側右側部を露光するレチクルパターンを有している。   A reticle is a photomask for developing and etching a liquid crystal panel by separately exposing it. For example, the reticle has a reticle pattern that exposes the upper left side, upper right side, lower left side, and lower right side of each liquid crystal panel. doing.

また、露光用データは、格子状に分割されたレチクルの露光領域を示すデータと、これらレチクルにより大判ガラス基板上のどこを露光するかを示すデータとを備えている。そして、この露光用データは、露光毎に入力するか同じ露光の繰り返しであれば座標の移動量のみ入力する。なお、この露光用データは、マトリクス入力データとして単一ショット毎に分解されて入力される数値データである。さらに、この露光用データは、例えばコンピュータのハードディスクなどに読み取り可能に保存されており、図示しない露光機によって大判ガラス基板上の所定位置のレチクルパターンが露光される。   Further, the exposure data includes data indicating the exposure area of the reticle divided into a lattice and data indicating where on the large glass substrate is exposed by these reticles. This exposure data is input for each exposure or only the coordinate movement amount is input if the same exposure is repeated. The exposure data is numerical data that is decomposed and inputted for each single shot as matrix input data. Further, the exposure data is stored in a readable manner on a hard disk of a computer, for example, and a reticle pattern at a predetermined position on a large-sized glass substrate is exposed by an exposure machine (not shown).

そして、パターンシミュレーションプログラムは、露光用データおよびレチクルデータに基づいて、大判ガラス基板上に露光機によって露光されて形成される基板パターンをシミュレーションしたシミュレーションパターンを作成するものである。   The pattern simulation program creates a simulation pattern that simulates a substrate pattern formed by exposure on a large glass substrate by an exposure device based on the exposure data and reticle data.

すなわち、上記パターンシミュレーションプログラムにより実行される本実施の形態のパターンシミュレーション方法は、図1のフローチャートに示すように、まず、コンピュータを起動させた状態で、基板パターン作成手段により、複数の基板パターンデータA1〜A3を組み合わせて基板パターンを作成する(ステップ1(基板パターン作成工程))。 That is, in the pattern simulation method of the present embodiment executed by the pattern simulation program, as shown in the flowchart of FIG. 1, first, a plurality of substrate pattern data is created by the substrate pattern creating means while the computer is activated. A substrate pattern 1 is created by combining A1 to A3 (step 1 (substrate pattern creation process)).

次いで、演算用基板パターン作成手段により、ステップ1で作成した基板パターン1にて、同一のパターンセルが重なっている場合には、一方のパターンセルを演算対象から外した、換言すれば同一のパターンセルのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターン5を作成する(ステップ2(演算用基板パターン作成工程))。 Next, when the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern 1 created in step 1 by the computation substrate pattern creation means, one pattern cell is excluded from the computation target , in other words, the same pattern. The calculation substrate pattern 5 is created using only one pattern cell of the cells (step 2 (calculation substrate pattern creation step)).

このとき、同一パターンセルの判断基準は、例えばセル名、最上位セルから見たときの基準点、最上位セルから見たときのセル配置角度、最上位セルから見たときの反転情報(反転なし、X軸反転、Y軸反転、XY軸反転)、最上位セルから見たときの倍率、X方向繰り返し数、Y方向繰り返し数、X軸方向ピッチ、Y軸方向ピッチ、セル方向の回転角度の10項目全てが一致しているものを同一と判断する。   At this time, the determination criteria for the same pattern cell are, for example, the cell name, the reference point when viewed from the top cell, the cell arrangement angle when viewed from the top cell, and the inversion information (inversion from the top cell). None, X-axis reversal, Y-axis reversal, XY-axis reversal), magnification when viewed from the top cell, X direction repeat count, Y direction repeat count, X axis direction pitch, Y axis direction pitch, cell direction rotation angle If all 10 items match, it is determined that they are the same.

ここでは、パターンセルa1が3つ重なっているため、パターンセルa1の2つを演算対象から外して演算用基板パターン5とする。換言すれば、重なっている3つの同一のパターンセルa1のうちのいずれか1つのパターンセルa1のみを用いて演算用基板パターン5を作成するHere, since three pattern cells a1 are overlapped, two of the pattern cells a1 are excluded from the calculation target and are used as the calculation substrate pattern 5 . In other words, the calculation substrate pattern 5 is created using only one of the three identical pattern cells a1 that overlap .

なお、重なっているパターンセルがないと判断した場合には、基板パターン1と演算用基板パターン5とは同一となる。   When it is determined that there are no overlapping pattern cells, the substrate pattern 1 and the calculation substrate pattern 5 are the same.

一方、予想パターン作成手段により、複数のレチクルセルb1,b2、あるいはレチクルセルb1,b3を有する複数のレチクルパターンB1,B2を組み合わせて予想パターン2を作成する(ステップ3(予想パターン作成工程))。   On the other hand, the predicted pattern creating means creates a predicted pattern 2 by combining a plurality of reticle cells b1, b2 or a plurality of reticle patterns B1, B2 having reticle cells b1, b3 (step 3 (predicted pattern creating step)).

ついで、演算用予想パターン作成手段により、ステップ3で作成した予想パターン2にて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、一方のレチクルセルを演算対象から外した、換言すれば同一のレチクルセルのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターン6を作成する(ステップ4(演算用予想パターン作成工程))。 Next, when the same reticle cell overlaps in the predicted pattern 2 created in step 3 by the predicted pattern creation means for calculation, one of the reticle cells is excluded from the calculation target , in other words, out of the same reticle cell. The prediction pattern 6 for calculation is created using only one of these reticle cells (step 4 (prediction pattern for calculation calculation step)).

このとき、同一レチクルセルの判断基準は、例えばセル名、最上位セルから見たときの基準点、最上位セルから見たときのセル配置角度、最上位セルから見たときの反転情報(反転なし、X軸反転、Y軸反転、XY軸反転)、最上位セルから見たときの倍率の5項目全てが一致しているものを同一と判断する。   At this time, the determination criteria for the same reticle cell are, for example, the cell name, the reference point when viewed from the top cell, the cell placement angle when viewed from the top cell, and the inversion information when viewed from the top cell (no inversion) , X-axis inversion, Y-axis inversion, XY-axis inversion), and those in which all five items of magnification when viewed from the highest cell match are determined to be the same.

ここでは、レチクルセルb1が2つ重なっているため、レチクルセルb1の1つを演算対象から外して演算用予想パターン6とする。換言すれば、重なっている2つの同一のレチクルセルb1のうちのいずれか1つのレチクルセルb1のみを用いて演算用予想パターン6を作成するHere, since the two reticle cells b1 are overlapped, one of the reticle cells b1 is excluded from the calculation target, and is set as the predicted pattern 6 for calculation . In other words, the prediction pattern 6 for calculation is created using only one of the two overlapping reticle cells b1 .

なお、重なっているレチクルセルがないと判断した場合には、予想パターン2と演算用予想パターン6とは同一となる。   When it is determined that there are no overlapping reticle cells, the predicted pattern 2 and the predicted pattern 6 for calculation are the same.

さらに、比較手段により、上記ステップ2で作成した演算用基板パターン5とステップ4で作成した演算用予想パターン6とを演算して比較するとともに、演算用基板パターン5と演算用予想パターン6とを演算してそれらの差分を示す差分パターンを作成する(ステップ5(比較工程))。   Furthermore, the comparison means calculates and compares the calculation substrate pattern 5 created in step 2 and the calculation prediction pattern 6 created in step 4, and compares the calculation substrate pattern 5 and the calculation prediction pattern 6. A difference pattern showing the difference between them is calculated (step 5 (comparison process)).

そして、シミュレーションパターン作成手段により、差分パターンを予想パターン2と演算(重ね合わせも含む)して、基板パターン1をシミュレートするシミュレーションパターンを作成する(ステップ6(シミュレーションパターン作成工程))。   Then, the difference pattern is calculated with the expected pattern 2 (including superposition) by the simulation pattern creation means to create a simulation pattern for simulating the substrate pattern 1 (step 6 (simulation pattern creation step)).

上述したように、上記一実施の形態によれば、基板パターン作成工程で作成した基板パターン1にて同一のパターンセルa1が重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルa1のみを用いて演算用基板パターン5を作成し、予想パターン作成工程で作成した予想パターン2にて同一のレチクルセルb1が重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルb1のみを用いて演算用予想パターン6を作成することで、演算用基板パターン5と演算用予想パターン6とを演算して比較する際の演算対象となるパターンを低減し、演算量(演算回数)を低減して、この比較演算を高速化できる。 As described above, according to the above embodiment, when the same pattern cell a1 is overlapped in the substrate pattern 1 created in the substrate pattern creation step, only one of the pattern cells a1 is selected. If the same reticle cell b1 is overlapped in the predicted pattern 2 created in the predicted pattern creation process, the calculation forecast is made using only one of the reticle cells b1. By creating the pattern 6, the calculation target pattern when calculating and comparing the calculation substrate pattern 5 and the predicted calculation pattern 6 is reduced, the calculation amount (the number of calculation) is reduced, and this comparison is performed. Calculation can be speeded up.

また、上記比較演算の際に演算用基板パターン5と演算用予想パターン6とを演算してそれらの差分を示す差分パターンを作成し、この差分パターンを予想パターン2と演算して、基板パターン1をシミュレートするシミュレーションパターンを作成することにより、シミュレーション時間を短縮できる。   Further, in the comparison calculation, the calculation substrate pattern 5 and the calculation predicted pattern 6 are calculated to create a difference pattern indicating the difference between them, and the difference pattern is calculated with the prediction pattern 2 to calculate the substrate pattern 1. The simulation time can be shortened by creating a simulation pattern that simulates the above.

なお、上記一実施の形態において、シミュレーションパターン作成工程(シミュレーションパターン作成手段)は、比較工程(比較手段)で比較した結果を基に、シミュレーションパターンを作成してもよい。 Incidentally, in the embodiment described above, simulation pattern creating step (simulation pattern creating means), based on the result of comparison in the comparison step (comparison means), may create a simulation pattern.

また、ステップ1およびステップ2と、ステップ3およびステップ4とは、順番を逆にしてもよく、それぞれ並列に行ってもよい。   Steps 1 and 2 and steps 3 and 4 may be reversed in order, or may be performed in parallel.

さらに、上記一実施の形態のパターンシミュレーション方法は、液晶パネル以外の任意のパターンのシミュレーションに用いることができる。   Furthermore, the pattern simulation method of the above-described embodiment can be used for simulation of any pattern other than the liquid crystal panel.

さらに、上記パターンシミュレーション方法をコンピュータにより動作可能なプログラムとしたパターンシミュレーションプログラムを、光ディスク、あるいは磁気ディスクその他の媒体にコンピュータ読み取り可能に記録し、コンピュータに自動的に動作させることも可能である。   Furthermore, it is possible to record a pattern simulation program in which the pattern simulation method is a program operable by a computer on an optical disk, a magnetic disk or other medium so as to be readable by a computer, and automatically operate the computer.

本発明の一実施の形態のパターンシミュレーション方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the pattern simulation method of one embodiment of this invention. 同上パターンシミュレーション方法の基板パターン作成工程および演算用基板パターン作成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the board | substrate pattern creation process and the board | substrate pattern creation process for a calculation of a pattern simulation method same as the above. 同上パターンシミュレーション方法の予想パターン作成工程および演算用予想パターン作成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the predicted pattern creation process and the predicted pattern creation process for a calculation of a pattern simulation method same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板パターン
2 予想パターン
3 レチクルデータ
4 露光用データ
5 演算用基板パターン
6 演算用予想パターン
a1,a2,a3 パターンセル
A1,A2,A3 基板パターンデータ
b1,b2,b3 レチクルセル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate pattern 2 Expected pattern 3 Reticle data 4 Data for exposure 5 Substrate pattern for calculation 6 Expected pattern for calculation
a1, a2, a3 Pattern cell
A1, A2, A3 PCB pattern data
b1, b2, b3 reticle cells

Claims (6)

基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション方法であって、
少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成工程と、
この基板パターン作成工程で作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成工程と、
少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成工程と、
この予想パターン作成工程で作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成工程と、
前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較工程と
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーション方法。
Exposure on the substrate by reticle data indicating a reticle pattern for each divided area obtained by dividing a pattern to be formed on the substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating where the reticle pattern is shot on the substrate A pattern simulation method for simulating a substrate pattern to be formed,
A substrate pattern creating step for creating the substrate pattern by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell;
When the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern created in this substrate pattern creation step, the computation substrate pattern creation is created using only one of the pattern cells. Process,
An expected pattern creating step for creating an expected pattern when the substrate pattern is formed on the substrate by a plurality of the reticle data having at least one reticle cell and the exposure data;
In the predicted pattern created in the predicted pattern creating step, when the same reticle cell is overlapped, a predicted pattern for calculating pattern for creating a predicted pattern for calculation using only one of the reticle cells; and ,
A pattern simulation method comprising: a comparison step of calculating and comparing the calculation substrate pattern and the calculation expected pattern.
前記比較工程にて、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算してそれらの差分を示す差分パターンを作成し、
前記差分パターンを前記予想パターンと演算して、前記基板パターンをシミュレートするシミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成工程を具備した
ことを特徴とした請求項1記載のパターンシミュレーション方法。
In the comparison step, the calculation substrate pattern and the calculation expected pattern are calculated to create a difference pattern indicating the difference between them,
The pattern simulation method according to claim 1, further comprising a simulation pattern creation step of creating a simulation pattern for simulating the substrate pattern by calculating the difference pattern with the predicted pattern.
基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーション装置であって、
少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成手段と、
この基板パターン作成手段で作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成手段と、
少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成手段と、
この予想パターン作成手段で作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成手段と、
前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較手段と
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーション装置。
Exposure on the substrate by reticle data indicating a reticle pattern for each divided area obtained by dividing a pattern to be formed on the substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating where the reticle pattern is shot on the substrate A pattern simulation apparatus for simulating a substrate pattern to be formed,
A substrate pattern creating means for creating the substrate pattern by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell;
When the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern created by the substrate pattern creating means, the computation substrate pattern creation is created using only one of the pattern cells. Means,
An expected pattern creating means for creating an expected pattern when the substrate pattern is formed on the substrate based on a plurality of the reticle data having at least one reticle cell and the exposure data;
In the predicted pattern created by the predicted pattern creating means, when the same reticle cell overlaps, the predicted pattern creation means for computation creates a predicted pattern for computation using only one of the reticle cells. ,
Comparing means for calculating and comparing the calculation substrate pattern and the calculation prediction pattern.
前記比較手段は、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算してそれらの差分を示す差分パターンを作成し、
前記差分パターンを前記予想パターンと演算して、前記基板パターンをシミュレートするシミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成手段を具備した
ことを特徴とした請求項3記載のパターンシミュレーション装置。
The comparison means calculates the calculation substrate pattern and the calculation prediction pattern and creates a difference pattern indicating a difference between them,
The pattern simulation apparatus according to claim 3, further comprising a simulation pattern creating unit that computes the difference pattern with the predicted pattern and creates a simulation pattern for simulating the substrate pattern.
基板上に形成しようとするパターンを複数に分割した分割領域毎のレチクルパターンを示すレチクルデータと、前記レチクルパターンを前記基板のどの位置にショットするかを示す露光用データとによって前記基板上に露光されて形成される基板パターンをシミュレーションするパターンシミュレーションプログラムであって、
少なくとも1つのパターンセルを有する複数の基板パターンデータを組み合わせて前記基板パターンを作成する基板パターン作成ステップと、
この基板パターン作成ステップで作成した前記基板パターンにて、同一のパターンセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのパターンセルのみを用いて演算用基板パターンを作成する演算用基板パターン作成ステップと、
少なくとも1つのレチクルセルを有する複数の前記レチクルデータと前記露光用データとにより前記基板上に前記基板パターンを形成した際に予想される予想パターンを作成する予想パターン作成ステップと、
この予想パターン作成ステップで作成した前記予想パターンにて、同一のレチクルセルが重なっている場合には、そのうちのいずれか1つのレチクルセルのみを用いて演算用予想パターンを作成する演算用予想パターン作成ステップと、
前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算して比較する比較ステップと
を具備したことを特徴としたパターンシミュレーションプログラム。
Exposure on the substrate by reticle data indicating a reticle pattern for each divided area obtained by dividing a pattern to be formed on the substrate into a plurality of areas, and exposure data indicating where the reticle pattern is shot on the substrate A pattern simulation program for simulating a substrate pattern formed by
A substrate pattern creating step for creating the substrate pattern by combining a plurality of substrate pattern data having at least one pattern cell;
When the same pattern cell is overlapped in the substrate pattern created in this substrate pattern creation step, the computation substrate pattern creation is created using only one of the pattern cells. Steps,
An expected pattern creating step of creating an expected pattern expected when the substrate pattern is formed on the substrate based on the plurality of reticle data having at least one reticle cell and the exposure data;
In the predicted pattern created in this predicted pattern creating step, when the same reticle cell is overlapped, a predicted pattern for computing pattern creating step for creating a predicted pattern for calculation using only one of these reticle cells ; ,
A pattern simulation program comprising: a comparison step for calculating and comparing the calculation substrate pattern and the calculation expected pattern.
前記比較ステップにて、前記演算用基板パターンと前記演算用予想パターンとを演算してそれらの差分を示す差分パターンを作成し、
前記差分パターンを前記予想パターンと演算して、前記基板パターンをシミュレートするシミュレーションパターンを作成するシミュレーションパターン作成ステップを具備した
ことを特徴とした請求項5記載のパターンシミュレーションプログラム。
In the comparison step, the calculation substrate pattern and the calculation prediction pattern are calculated to create a difference pattern indicating the difference between them,
The pattern simulation program according to claim 5, further comprising a simulation pattern creating step for creating a simulation pattern for simulating the substrate pattern by calculating the difference pattern with the predicted pattern.
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