JP5455854B2 - Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device.
窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。 この様な白色光を出射する半導体発光装置においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしている。
そのため、半導体発光装置に設けられた発光部から出射する光の波長がばらついたり、発光部における発光特性に面内分布が生じた場合には、半導体発光装置の色度が異なるおそれがある。
2. Description of the Related Art A semiconductor light emitting device that emits blue light with high luminance using a group III nitride semiconductor such as gallium nitride (GaN) is known. And the technique which emits white light by providing the wavelength conversion part containing the fluorescent substance which can convert wavelength in the semiconductor light-emitting device which light-emits blue light is proposed. In such a semiconductor light emitting device that emits white light, a wavelength conversion unit is formed by simply applying or dropping a resin containing a phosphor capable of wavelength conversion onto a semiconductor light emitting device that emits blue light, and then curing the resin. Try to form.
Therefore, when the wavelength of light emitted from the light emitting portion provided in the semiconductor light emitting device varies or the in-plane distribution occurs in the light emitting characteristics of the light emitting portion, the chromaticity of the semiconductor light emitting device may be different.
本発明の実施形態は、色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。 Embodiments of the present invention provide a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the semiconductor light emitting device that can suppress variations in chromaticity.
実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有し、前記第１主面側とは反対側の面が平面となっている波長変換部と、前記発光部と、前記波長変換部と、の間であって、前記波長変換部の内部に設けられ、前記波長変換部の厚み寸法を制御する色度制御部と、を備え、前記色度制御部は、前記発光部から出射する光の波長に対して、以下の式で表される前記波長変換部から出射する光の色度が一定となるように、前記波長変換部の厚み寸法を制御することを特徴とする半導体発光装置が提供される。
前記波長変換部から出射する光の色度＝ａ・λｄ＋ｂ・Ｔ＋ｃ
ここで、Ｔは前記波長変換部の厚み寸法（ｍｍ）、λｄは前記発光部から出射する光の波長（ｎｍ）、ａ、ｂ、ｃは前記蛍光体の種類により異なる係数である。
According to the embodiment, a light emitting unit having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, provided on the first main surface side, containing a phosphor , and the wavelength converting part surface opposite that has become flat and the first main surface side, and the light emitting portion, and the wavelength converting part, be between, provided inside of the wavelength conversion unit, A chromaticity control unit that controls a thickness dimension of the wavelength conversion unit, and the chromaticity control unit is expressed by the following expression with respect to a wavelength of light emitted from the light emitting unit: There is provided a semiconductor light emitting device characterized in that the thickness dimension of the wavelength conversion unit is controlled so that the chromaticity of light emitted from the light source becomes constant .
Chromaticity of light emitted from the wavelength converter = a · λd + b · T + c
Here, T is the thickness dimension (mm) of the wavelength conversion unit, λd is the wavelength (nm) of light emitted from the light emitting unit, and a, b, and c are coefficients that differ depending on the type of the phosphor.
また、他の実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有し、前記第１主面側とは反対側の面が平面となっている波長変換部と、を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光部から出射する光の波長を前記発光部毎に測定する工程と、前記測定された発光部から出射する光の波長に基づいて前記第１主面側に前記波長変換部の厚み寸法を制御する色度制御部を設ける工程と、前記色度制御部を覆うように前記蛍光体が所定の割合で混合された樹脂を塗布し、前記第１主面側とは反対側の面を平面とする工程と、を備え、前記色度制御部を設ける工程において、前記測定された発光部から出射する光の波長に対して、以下の式で表される前記波長変換部から出射する光の色度が一定となるように、前記波長変換部の厚み寸法を制御する前記色度制御部が設けられることを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。
前記波長変換部から出射する光の色度＝ａ・λｄ＋ｂ・Ｔ＋ｃ
ここで、Ｔは前記波長変換部の厚み寸法（ｍｍ）、λｄは前記発光部から出射する光の波長（ｎｍ）、ａ、ｂ、ｃは前記蛍光体の種類により異なる係数である。
Further, according to another embodiment, a light emitting unit having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and a phosphor provided on the first main surface side. containing, wherein the first main surface a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device having a wavelength conversion portion surface opposite that has become flat, and the wavelength of the light emitted from the light emitting portion and measuring for each emission unit, a step of providing a chromaticity control unit for controlling the measured thickness of the wavelength converting portion in said first main surface based on the wavelength of the light emitted from the light emitting portion, wherein the phosphor so as to cover the chromaticity control section is coated with a resin are mixed at a predetermined ratio, and a step of a plane surface opposite to the first main surface side, the chromaticity In the step of providing the control unit, the wavelength of the light emitted from the measured light emitting unit is represented by the following formula: As the chromaticity of light emitted from the long transform section is constant, a method of manufacturing a semiconductor light-emitting device, wherein the chromaticity control section is provided for controlling the thickness of the wavelength converting part is provided .
Chromaticity of light emitted from the wavelength converter = a · λd + b · T + c
Here, T is the thickness dimension (mm) of the wavelength conversion unit, λd is the wavelength (nm) of light emitted from the light emitting unit, and a, b, and c are coefficients that differ depending on the type of the phosphor.
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
図１に示すように、半導体発光装置１には、発光部２、波長変換部４、第１電極部５、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２、第１配線部１３、第２配線部１４、接合部１５、絶縁部１６、色度制御部１７が設けられている。
Hereinafter, embodiments will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a semiconductor light emitting device according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, the semiconductor light emitting device 1 includes a light emitting unit 2, a wavelength converting unit 4, a first electrode unit 5, a first conductive unit 6, a first connecting member 7, a second electrode unit 8, and a second conductive unit. A portion 9, a second connecting member 10, an insulating portion 11, a sealing portion 12, a first wiring portion 13, a second wiring portion 14, a bonding portion 15, an insulating portion 16, and a chromaticity control portion 17 are provided.
発光部２は、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍ１の反対面である第２主面Ｍ２と、を有する。
発光部２には、半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃが設けられている。
半導体部２ａは、ｎ形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などを例示することができる。
The light emitting unit 2 includes a first main surface M1 and a second main surface M2 that is the opposite surface of the first main surface M1.
The light emitting unit 2 includes a semiconductor unit 2a, an active unit 2b, and a semiconductor unit 2c.
The semiconductor part 2a can be made of an n-type nitride semiconductor. Examples of the nitride semiconductor include GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), and the like.
活性部２ｂは、半導体部２ａと半導体部２ｃとの間に設けられている。
活性部２ｂは、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、によって構成された量子井戸構造とすることができる。
この場合、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造としてもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造としてもよい。また、単一量子井戸構造のものを複数積層するようにしてもよい。
The active part 2b is provided between the semiconductor part 2a and the semiconductor part 2c.
The active portion 2b may have a quantum well structure including a well layer that generates light by recombination of holes and electrons, and a barrier layer (clad layer) having a larger band gap than the well layer. it can.
In this case, a single quantum well (SQW) structure or a multiple quantum well (MQW) structure may be used. A plurality of single quantum well structures may be stacked.
例えば、単一量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
多重量子井戸構造のものとしては、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）からなる井戸層、ＧａＮ（窒化ガリウム）からなる障壁層がこの順で積層されたものを例示することができる。
この場合、前述した半導体部２ａを障壁層とすることもできる。
なお、活性部２ｂは量子井戸構造に限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜選択することができる。
For example, as a single quantum well structure, a barrier layer made of GaN (gallium nitride), a well layer made of InGaN (indium gallium nitride), and a barrier layer made of GaN (gallium nitride) are stacked in this order. Can be illustrated.
As the multi-quantum well structure, a barrier layer made of GaN (gallium nitride), a well layer made of InGaN (indium gallium nitride), a barrier layer made of GaN (gallium nitride), a well layer made of InGaN (indium gallium nitride) An example in which barrier layers made of GaN (gallium nitride) are stacked in this order can be exemplified.
In this case, the semiconductor part 2a described above can be used as a barrier layer.
The active portion 2b is not limited to the quantum well structure, and a structure capable of emitting light can be selected as appropriate.
半導体部２ｃは、ｐ形の窒化物半導体からなるものとすることができる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などを例示することができる。
発光部２は、例えば、ピークの発光波長が３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの発光ダイオードとすることができる。また、例えば、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜６００ｎｍの発光ダイオードとすることもできる。
The semiconductor part 2c can be made of a p-type nitride semiconductor. Examples of the nitride semiconductor include GaN (gallium nitride), AlN (aluminum nitride), AlGaN (aluminum gallium nitride), InGaN (indium gallium nitride), and the like.
The light emitting unit 2 can be, for example, a light emitting diode having a peak emission wavelength of 350 nm to 530 nm. Further, for example, a light emitting diode having an emission wavelength band of 380 nm to 600 nm can be used.
波長変換部４は、第１主面Ｍ１側に設けられ、後述する蛍光体を含有している。
波長変換部４は、波長変換可能な蛍光体が混合された樹脂などから形成されたものとすることができる。
波長変換部４の光の透過率は、例えば、４２０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において９０％以上となるようにすることができる。
蛍光体は、例えば、粒子状とすることができる。
波長変換部４は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも１つ以上を含むものとすることができる。 また、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体を含むものとすることができる。
蛍光体としては、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素が含まれるものとすることができる。
The wavelength conversion unit 4 is provided on the first main surface M1 side and contains a phosphor described later.
The wavelength conversion unit 4 can be formed of a resin mixed with a wavelength-convertable phosphor.
The light transmittance of the wavelength conversion unit 4 can be 90% or more in a wavelength region of 420 nm to 720 nm, for example.
The phosphor can be in the form of particles, for example.
The wavelength conversion unit 4 is at least one phosphor having a peak emission wavelength of 440 nm to 470 nm (blue), 500 nm to 555 nm (green), 560 nm to 580 nm (yellow), and 600 nm to 670 nm (red). The above may be included. In addition, a phosphor having an emission wavelength band of 380 nm to 720 nm may be included.
As phosphors, silicon (Si), aluminum (Al), titanium (Ti), germanium (Ge), phosphorus (P), boron (B), yttrium (Y), alkaline earth element, sulfide element, rare earth It may include at least one element selected from the group consisting of elements and nitride elements.
赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、
ＹＶＯ４：Ｅｕ、
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋
緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、
ＺｎＳ：Ｃｕ、
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ
青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
ＺｎＳ：Ａｇ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ
黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されない。
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されない。
Examples of the phosphor material that emits red fluorescence include the following. However, the phosphor emitting red fluorescence used in the embodiment is not limited to these.
Y 2 O 2 S: Eu,
Y 2 O 2 S: Eu + pigment,
Y 2 O 3 : Eu,
Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn,
(Zn, Cd) S: Ag + In 2 O 3 ,
(Y, Gd, Eu) BO 3 ,
(Y, Gd, Eu) 2 O 3 ,
YVO 4 : Eu,
La 2 O 2 S: Eu, Sm,
LaSi 3 N 5 : Eu 2+ ,
α-sialon: Eu 2+ ,
CaAlSiN 3 : Eu 2+ ,
CaSiN X : Eu 2+ ,
CaSiN X : Ce 2+ ,
M 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ ,
CaAlSiN 3 : Eu 2+ ,
(SrCa) AlSiN 3 : Eu X + ,
Sr x (Si y Al 3 ) z (O x N): Eu X +
Examples of the phosphor material that emits green fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits the green fluorescence used for embodiment is not limited to these.
ZnS: Cu, Al,
ZnS: Cu, Al + pigment,
(Zn, Cd) S: Cu, Al,
ZnS: Cu, Au, Al, + pigment,
Y 3 Al 5 O 12 : Tb,
Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb,
Y 2 SiO 5 : Tb,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
(Zn, Cd) S: Cu,
ZnS: Cu,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
ZnS: Cu + Zn 2 SiO 4 : Mn,
Gd 2 O 2 S: Tb,
(Zn, Cd) S: Ag,
ZnS: Cu, Al,
Y 2 O 2 S: Tb,
ZnS: Cu, Al + In 2 O 3 ,
(Zn, Cd) S: Ag + In 2 O 3 ,
(Zn, Mn) 2 SiO 4 ,
BaAl 12 O 19 : Mn
(Ba, Sr, Mg) O.aAl 2 O 3 : Mn,
LaPO 4 : Ce, Tb,
Zn 2 SiO 4 : Mn,
ZnS: Cu,
3 (Ba, Mg, Eu, Mn) O.8Al 2 O 3 ,
La 2 O 3 · 0.2SiO 2 · 0.9P 2 O 5: Ce, Tb,
CeMgAl 11 O 19 : Tb,
CaSc 2 O 4 : Ce,
(BrSr) SiO 4 : Eu,
α-sialon: Yb 2+ ,
β-sialon: Eu 2+ ,
(SrBa) YSi 4 N 7 : Eu 2+ ,
(CaSr) Si 2 O 4 N 7 : Eu 2+ ,
Sr (SiAl) (ON): Ce
Examples of the phosphor material that emits blue fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits the blue fluorescence used for embodiment is not limited to these.
ZnS: Ag,
ZnS: Ag + pigment,
ZnS: Ag, Al,
ZnS: Ag, Cu, Ga, Cl,
ZnS: Ag + In 2 O 3 ,
ZnS: Zn + In 2 O 3 ,
(Ba, Eu) MgAl 10 O 17 ,
(Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu,
Sr 10 (PO 4 ) 6Cl 2 : Eu,
(Ba, Sr, Eu) (Mg, Mn) Al 10 O 17 ,
10 (Sr, Ca, Ba, Eu) · 6PO 4 · Cl 2 ,
BaMg 2 Al 16 O 25 : Eu
Examples of the phosphor material that emits yellow fluorescence include the following. However, the fluorescent substance which emits yellow fluorescence used for embodiment is not limited to these.
Li (Eu, Sm) W 2 O 8 ,
(Y, Gd) 3 , (Al, Ga) 5 O 12 : Ce 3+ ,
Li 2 SrSiO 4 : Eu 2+ ,
(Sr (Ca, Ba)) 3 SiO 5 : Eu 2+ ,
SrSi 2 ON 2.7 : Eu 2+
Examples of the phosphor material that emits yellow-green fluorescence include the following. However, the phosphor emitting yellow-green fluorescence used in the embodiment is not limited to this.
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋
蛍光体の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度１００００Ｋ付近)、蛍光体の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度６５００Ｋ〜２８００Ｋ)。なお、混合する蛍光体は１種類である必要はなく、複数種類の蛍光体が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体と、緑色の蛍光を発する蛍光体と、青色の蛍光を発する蛍光体と、黄色の蛍光を発する蛍光体と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体の混合割合を変えるようにすることもできる。
SrSi 2 ON 2.7 : Eu 2+
When the phosphor mixing ratio is reduced, the color tone approaches blue (color temperature around 10000 K), and when the phosphor mixing ratio is increased, the color tone approaches yellow (color temperature 6500 K to 2800 K). Note that the phosphors to be mixed need not be one type, and a plurality of types of phosphors may be mixed. For example, a phosphor that emits red fluorescence, a phosphor that emits green fluorescence, a phosphor that emits blue fluorescence, a phosphor that emits yellow fluorescence, and a phosphor that emits yellow-green fluorescence are mixed. You may be made to do. Further, the mixing ratio of a plurality of types of phosphors can be changed in order to change the color, such as bluish white light or yellowish white light.
蛍光体が混合される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などを例示することができる。
蛍光体が混合される樹脂の屈折率は蛍光体の屈折率以下とすることが好ましい。また、蛍光体が混合される樹脂における光の透過率は９０％以上とすることが好ましい。
この場合、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には波長変換部４を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部４を形成する樹脂としては、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。
ただし、蛍光体が混合される樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
Examples of the resin mixed with the phosphor include epoxy resin, silicone resin, methacrylic resin (PMMA), polycarbonate (PC), cyclic polyolefin (COP), alicyclic acrylic (OZ), and allyl diglycol carbonate (ADC). ), Acrylic resin, fluorine resin, hybrid resin of silicone resin and epoxy resin, urethane resin, and the like.
The refractive index of the resin mixed with the phosphor is preferably set to be equal to or lower than the refractive index of the phosphor. The light transmittance in the resin mixed with the phosphor is preferably 90% or more.
In this case, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the resin forming the wavelength converting unit 4 may be deteriorated. For this reason, it is preferable that the resin forming the wavelength converting portion 4 is not easily deteriorated by blue light or the like. Examples of the resin that is hardly deteriorated by blue light and the like include methylphenyl silicone, dimethyl silicone, a hybrid resin of methylphenyl silicone and epoxy resin having a refractive index of about 1.5.
However, the resin mixed with the phosphor is not limited to the illustrated one, and can be changed as appropriate.
第１電極部５は、接合部５ａ、導電部５ｂを備えている。導電部５ｂは、接合部５ａ、接合部１５を介して半導体部２ａに電気的に接続されている。接合部５ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚み寸法を１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚み寸法を１μｍ程度とすることができる。導電部５ｂは、例えば、Ｃｕ（銅）などからなるものとすることができる。なお、接合部５ａ、導電部５ｂの材質や厚み寸法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The 1st electrode part 5 is provided with the junction part 5a and the electroconductive part 5b. The conductive part 5b is electrically connected to the semiconductor part 2a through the joint part 5a and the joint part 15. The joint 5a can be made of, for example, a Ni (nickel) / Au (gold) double layer. In this case, for example, the thickness dimension of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness dimension of the Au (gold) layer can be about 1 μm. The conductive part 5b can be made of, for example, Cu (copper). In addition, the material and thickness dimension of the junction part 5a and the electroconductive part 5b are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably.
第１導電部６は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第１導電部６は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。第１導電部６の一方の端部は導電部５ｂと電気的に接続され、第１電極部５を介して第１導電部６と半導体部２ａとが電気的に接続されている。なお、第１導電部６の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The first conductive portion 6 is provided so as to penetrate between the bottom surface of the recess 12 a and the end surface of the sealing portion 12. For example, the first conductive portion 6 may have a cylindrical shape and be made of a metal material such as Cu (copper). One end of the first conductive part 6 is electrically connected to the conductive part 5 b, and the first conductive part 6 and the semiconductor part 2 a are electrically connected via the first electrode part 5. In addition, the shape, material, etc. of the 1st electroconductive part 6 are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably.
第１接続部材７は、封止部１２から露出する第１導電部６の端面を覆うようにして設けられている。第１接続部材７は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第１接続部材７をはんだバンプとする場合には、第１接続部材７の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどを例示することができる。 The first connection member 7 is provided so as to cover the end surface of the first conductive portion 6 exposed from the sealing portion 12. The first connection member 7 can be a so-called solder bump. When the first connection member 7 is a solder bump, the shape of the first connection member 7 can be a hemispherical shape, and the material thereof can be a solder material used for surface mounting. In this case, examples of the solder material used for the surface mounting include Sn-3.0Ag-0.5Cu solder, Sn-0.8Cu solder, Sn-3.5Ag solder, and the like.
なお、第１接続部材７の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第１接続部材７の形状を薄膜状とし、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。
また、第１接続部材７は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
In addition, the shape, material, etc. of the 1st connection member 7 are not necessarily limited to what was illustrated, It can change suitably according to the method of mounting the semiconductor light-emitting device 1, etc. For example, the first connecting member 7 may be formed in a thin film shape and may be formed of a Ni (nickel) / Au (gold) double layer.
Further, the first connection member 7 is not necessarily required, and may be provided as appropriate according to a method for mounting the semiconductor light emitting device 1.
第２電極部８は、接合部８ａ、導電部８ｂを備えている。導電部８ｂは、接合部８ａを介して半導体部２ｃに電気的に接続されている。接合部８ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚み寸法を１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚み寸法を１μｍ程度とすることができる。導電部８ｂは、例えば、Ｃｕ（銅）などからなるものとすることができる。なお、接合部８ａ、導電部８ｂの材質や厚み寸法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The second electrode portion 8 includes a joint portion 8a and a conductive portion 8b. The conductive portion 8b is electrically connected to the semiconductor portion 2c through the joint portion 8a. The joint 8a can be made of, for example, a Ni (nickel) / Au (gold) double layer. In this case, for example, the thickness dimension of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness dimension of the Au (gold) layer can be about 1 μm. The conductive portion 8b can be made of, for example, Cu (copper). In addition, the material and thickness dimension of the junction part 8a and the electroconductive part 8b are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably.
第２導電部９は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第２導電部９は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。第２導電部９の一方の端部は導電部８ｂと電気的に接続され、第２電極部８を介して第２導電部９と半導体部２ｃとが電気的に接続されている。なお、第２導電部９の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 The second conductive portion 9 is provided so as to penetrate between the bottom surface of the recess 12 a and the end surface of the sealing portion 12. For example, the second conductive portion 9 has a cylindrical shape and can be made of a metal material such as Cu (copper). One end of the second conductive portion 9 is electrically connected to the conductive portion 8b, and the second conductive portion 9 and the semiconductor portion 2c are electrically connected via the second electrode portion 8. In addition, the shape, material, etc. of the 2nd electroconductive part 9 are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably.
第２接続部材１０は、封止部１２から露出する第２導電部９の端面を覆うようにして設けられている。第２接続部材１０は、いわゆるはんだバンプとすることができる。第２接続部材１０をはんだバンプとする場合には、第２接続部材１０の形状を半球形とし、その材質を表面実装に使用されるはんだ材料とすることができる。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどとすることができる。 The second connection member 10 is provided so as to cover the end surface of the second conductive portion 9 exposed from the sealing portion 12. The second connection member 10 can be a so-called solder bump. When the second connecting member 10 is a solder bump, the shape of the second connecting member 10 can be a hemispherical shape, and the material thereof can be a solder material used for surface mounting. In this case, as a solder material used for surface mounting, for example, Sn-3.0Ag-0.5Cu solder, Sn-0.8Cu solder, Sn-3.5Ag solder or the like can be used.
なお、第２接続部材１０の形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第２接続部材１０の形状を薄膜状とし、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。
また、第２接続部材１０は必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
In addition, the shape, material, etc. of the 2nd connection member 10 are not necessarily limited to what was illustrated, It can change suitably according to the method of mounting the semiconductor light-emitting device 1, etc. For example, the shape of the second connection member 10 may be a thin film, and may be a Ni (nickel) / Au (gold) double layer.
Further, the second connection member 10 is not necessarily required, and may be provided as appropriate according to a method of mounting the semiconductor light emitting device 1.
絶縁部１１は、封止部１２に設けられた凹部１２ａを埋め込むようにして設けられている。絶縁部１１は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部１１がＳｉＯ２などの無機材料や、樹脂などから形成されるものとすることができる。
この場合、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には絶縁部１１を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部１１が樹脂から形成される場合には、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどを例示することができる。
The insulating part 11 is provided so as to bury the recess 12 a provided in the sealing part 12. The insulating part 11 is formed from an insulating material. For example, the insulating part 11 can be formed of an inorganic material such as SiO 2 or a resin.
In this case, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the resin forming the insulating unit 11 may be deteriorated. For this reason, when the insulating portion 11 is formed of a resin, it is preferable that deterioration due to blue light or the like hardly occurs. Examples of the resin that hardly undergoes degradation due to blue light and the like include methylphenyl silicone and dimethyl silicone having a refractive index of about 1.5.
封止部１２は、第２主面Ｍ２側に設けられ、第１導電部６の端部および第２導電部９の端部を露出させつつ第１導電部６および第２導電部９を封止する。
封止部１２は、熱硬化性樹脂などから形成されるものとすることができる。封止部１２は、発光部２、第１電極部５、第２電極部８をも封止する役割を有している。なお、封止部１２と絶縁部１１とが一体的に形成されているようにすることもできる。
The sealing portion 12 is provided on the second main surface M2 side, and seals the first conductive portion 6 and the second conductive portion 9 while exposing the end portions of the first conductive portion 6 and the second conductive portion 9. Stop.
The sealing part 12 can be formed from a thermosetting resin or the like. The sealing part 12 has a role of sealing the light emitting part 2, the first electrode part 5, and the second electrode part 8. In addition, the sealing part 12 and the insulating part 11 can also be formed integrally.
第１配線部１３は、接合部１３ａ、導電部１３ｂを備えている。導電部１３ｂは、接合部１３ａを介して半導体部２ａに電気的に接続されている。接合部１３ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚み寸法を１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚み寸法を１μｍ程度とすることができる。導電部１３ｂは、例えば、Ｃｕ（銅）などからなるものとすることができる。なお、接合部１３ａ、導電部１３ｂの材質や厚み寸法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第１配線部１３は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。 The first wiring part 13 includes a joint part 13a and a conductive part 13b. The conductive portion 13b is electrically connected to the semiconductor portion 2a through the joint portion 13a. The joint 13a can be made of, for example, a Ni (nickel) / Au (gold) double layer. In this case, for example, the thickness dimension of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness dimension of the Au (gold) layer can be about 1 μm. The conductive portion 13b can be made of, for example, Cu (copper). In addition, the material and thickness dimension of the junction part 13a and the electroconductive part 13b are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably. The first wiring portion 13 is not necessarily required, and can be appropriately provided as necessary.
第２配線部１４は、接合部１４ａ、導電部１４ｂを備えている。導電部１４ｂは、接合部１４ａを介して半導体部２ａに電気的に接続されている。接合部１４ａは、例えば、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚み寸法を１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚み寸法を１μｍ程度とすることができる。導電部１４ｂは、例えば、Ｃｕ（銅）などからなるものとすることができる。なお、接合部１４ａ、導電部１４ｂの材質や厚み寸法は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第２配線部１４は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。 The second wiring part 14 includes a joint part 14a and a conductive part 14b. The conductive portion 14b is electrically connected to the semiconductor portion 2a through the joint portion 14a. The joint portion 14a can be made of, for example, a Ni (nickel) / Au (gold) double layer. In this case, for example, the thickness dimension of the Ni (nickel) layer can be about 1 μm, and the thickness dimension of the Au (gold) layer can be about 1 μm. The conductive portion 14b can be made of, for example, Cu (copper). In addition, the material and thickness dimension of the junction part 14a and the electroconductive part 14b are not necessarily limited to what was illustrated, and can be changed suitably. The second wiring portion 14 is not necessarily required, and can be appropriately provided as necessary.
接合部１５は、第１電極部５と半導体部２ａとの間に設けられている。接合部１５は、例えば、Ｃｕ（銅）などからなるものとすることができる。なお、接合部１５は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。
絶縁部１６は、活性部２ｂ、半導体部２ｃの側面を覆うようにして設けられている。絶縁部１６は、絶縁材料から形成されている。絶縁部１６の材質は、例えば、絶縁部１１と同じものとすることができる。また、絶縁部１６と絶縁部１１とを一体的に形成するようにすることもできる。
The joint portion 15 is provided between the first electrode portion 5 and the semiconductor portion 2a. The joining portion 15 can be made of, for example, Cu (copper). In addition, the junction part 15 is not necessarily required, and can be appropriately provided as necessary.
The insulating part 16 is provided so as to cover the side surfaces of the active part 2b and the semiconductor part 2c. The insulating part 16 is made of an insulating material. The material of the insulating part 16 can be the same as that of the insulating part 11, for example. Moreover, the insulating part 16 and the insulating part 11 can also be formed integrally.
色度制御部１７は、発光部２と波長変換部４との間に設けられている。色度制御部１７は、発光部２から出射する光の波長がばらついたり、発光部における発光特性に面内分布が生じた場合に色度のばらつきを抑制するために設けられる。
図２は、発光部から出射する光の波長が変化すると色度が変化することを例示するための模式グラフ図である。
発光部２は、例えば、エピタキシャル成長法などを用いて形成されるが、形成過程において発光部２の厚み寸法にばらつきが生じる場合がある。そして、発光部２の厚み寸法にばらつきが生じると、発光部２から出射する光の波長などの発光特性がばらつくようになる。
この場合、図２に示すように、発光部２から出射する光の波長が変化すると色度も変化することになる。
すなわち、発光部２の形成過程において発光部２毎の厚み寸法にばらつきが生じると、色度にばらつきが生じることになる。
The chromaticity control unit 17 is provided between the light emitting unit 2 and the wavelength conversion unit 4. The chromaticity control unit 17 is provided in order to suppress variations in chromaticity when the wavelength of light emitted from the light emitting unit 2 varies, or when an in-plane distribution occurs in the light emission characteristics of the light emitting unit.
FIG. 2 is a schematic graph for illustrating that the chromaticity changes as the wavelength of the light emitted from the light emitting unit changes.
The light emitting unit 2 is formed using, for example, an epitaxial growth method or the like, but there may be variations in the thickness dimension of the light emitting unit 2 during the formation process. When the thickness of the light emitting unit 2 varies, the light emission characteristics such as the wavelength of light emitted from the light emitting unit 2 vary.
In this case, as shown in FIG. 2, when the wavelength of the light emitted from the light emitting unit 2 changes, the chromaticity also changes.
That is, if the thickness of each light emitting unit 2 varies in the formation process of the light emitting unit 2, the chromaticity varies.
ここで、発光部２から出射する光の波長に基づいて波長変換部４に含まれる蛍光体の量を変化させれば、色度のばらつきを抑制することができる。しかしながら、発光部２から出射する光の波長に基づいて半導体発光装置毎に蛍光体の量を変化させるようにすることは困難である。 Here, if the amount of the phosphor contained in the wavelength conversion unit 4 is changed based on the wavelength of the light emitted from the light emitting unit 2, variations in chromaticity can be suppressed. However, it is difficult to change the amount of the phosphor for each semiconductor light emitting device based on the wavelength of the light emitted from the light emitting unit 2.
本発明者らの得た知見によれば、発光部２から出射する光の波長に基づいて波長変換部４の形状寸法（例えば、厚み寸法）を制御すれば、色度のばらつきを抑制することができる。
図３は、波長変換部の厚み寸法と色度との関係を例示するための模式グラフ図である。なお、図３に例示をしたものの場合は、波長変換部４に含まれる蛍光体の割合を略一定とした場合である。
図３に示すように、波長変換部４の厚み寸法を変化させれば色度を変化させることができる。そのため、波長変換部４に含まれる蛍光体の割合が略一定となっていても、発光部２から出射する光の波長に基づいて波長変換部４の厚み寸法を適切な範囲とすれば、色度のばらつきを抑制することができる。
According to the knowledge obtained by the present inventors, if the shape dimension (for example, thickness dimension) of the wavelength conversion unit 4 is controlled based on the wavelength of the light emitted from the light emitting unit 2, the variation in chromaticity can be suppressed. Can do.
FIG. 3 is a schematic graph for illustrating the relationship between the thickness dimension of the wavelength conversion unit and the chromaticity. In the case illustrated in FIG. 3, the ratio of the phosphors included in the wavelength conversion unit 4 is substantially constant.
As shown in FIG. 3, the chromaticity can be changed by changing the thickness dimension of the wavelength converter 4. Therefore, even if the ratio of the phosphor contained in the wavelength conversion unit 4 is substantially constant, if the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 is set to an appropriate range based on the wavelength of light emitted from the light emitting unit 2, the color Variation in degree can be suppressed.
本実施の形態においては、色度制御部１７を設けることで波長変換部４の厚み寸法を制御することができるようになっている。すなわち、発光部２から出射する光の波長に基づいて、波長変換部４の厚み寸法が適切な範囲となるような厚み寸法を有する色度制御部１７を設けるようにしている。 In the present embodiment, the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 can be controlled by providing the chromaticity control unit 17. That is, the chromaticity control unit 17 having a thickness dimension such that the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 falls within an appropriate range based on the wavelength of light emitted from the light emitting unit 2 is provided.
この場合、波長変換部４の厚み寸法Ｔ（ｍｍ）、発光部２から出射する光の波長λｄ（ｎｍ）、蛍光体の種類により異なる係数ａ、ｂ、ｃとすると、色度は下記の式（１）を満足するものとなる。
色度＝ａ・λｄ＋ｂ・Ｔ＋ｃ ・・・・・（１）
前述したように、色度制御部１７は発光部２から出射する光の波長に基づいて波長変換部４の厚み寸法を変化させる。そのため、色度制御部１７は、発光部２から出射する光が減衰することを抑制するために透明材料から形成されるようにすることができる。この場合、色度制御部１７における光の透過率が９０％以上となるようにすることが好ましい。 ただし、発光部２から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には色度制御部１７を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、色度制御部１７を樹脂で形成する場合には、青色光などによる劣化が生じにくいものとすることが好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などを例示することができる。
ただし、色度制御部１７を形成する樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
In this case, assuming that the thickness dimension T (mm) of the wavelength conversion unit 4, the wavelength λd (nm) of the light emitted from the light emitting unit 2, and the coefficients a, b, and c that vary depending on the type of phosphor, (1) is satisfied.
Chromaticity = a · λd + b · T + c (1)
As described above, the chromaticity control unit 17 changes the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 based on the wavelength of the light emitted from the light emitting unit 2. Therefore, the chromaticity control unit 17 can be formed from a transparent material in order to suppress the light emitted from the light emitting unit 2 from being attenuated. In this case, it is preferable that the light transmittance in the chromaticity control unit 17 is 90% or more. However, when the light emitted from the light emitting unit 2 is ultraviolet to blue light having a short wavelength and the luminance is high, the resin forming the chromaticity control unit 17 may be deteriorated. Therefore, when the chromaticity control unit 17 is formed of a resin, it is preferable that deterioration due to blue light or the like hardly occurs. Examples of the resin that is hardly deteriorated by blue light and the like include methylphenyl silicone, dimethyl silicone, a hybrid resin of methylphenyl silicone and epoxy resin having a refractive index of about 1.5.
However, the resin forming the chromaticity control unit 17 is not limited to the illustrated one, and can be appropriately changed.
また、色度制御部１７は、透明な無機材料から形成されるようにすることができる。例えば、色度制御部１７は、石英ガラスなどから形成されるようにすることができる。色度制御部１７を石英ガラスなどの透明な無機材料から形成するようにすれば、劣化をさらに抑制することができる。 Moreover, the chromaticity control part 17 can be formed from a transparent inorganic material. For example, the chromaticity control unit 17 can be made of quartz glass or the like. If the chromaticity control unit 17 is formed of a transparent inorganic material such as quartz glass, deterioration can be further suppressed.
図４は、透明な樹脂から形成された色度制御部における光の透過率を例示するための模式グラフ図である。なお、図４は、エポキシ樹脂などのような一般的な透明樹脂の場合である。
図５は、透明な無機材料から形成された色度制御部における光の透過率を例示するための模式グラフ図である。
図４に示すように、色度制御部１７を一般的な透明樹脂から形成するようにすれば、波長の短い紫外光の領域において光の透過率の低下が大きくなる。これは、色度制御部１７を一般的な透明樹脂から形成するようにすれば、発光部２から出射した紫外光の領域の光が色度制御部１７に吸収されてしまうことを示している。そのため、発光部２から出射した光の利用効率の低下、樹脂材料の経時的な劣化、安定性の低下などを招くことになる。
FIG. 4 is a schematic graph for illustrating the light transmittance in the chromaticity control unit formed of a transparent resin. FIG. 4 shows a case of a general transparent resin such as an epoxy resin.
FIG. 5 is a schematic graph for illustrating the light transmittance in the chromaticity control unit formed of a transparent inorganic material.
As shown in FIG. 4, when the chromaticity control unit 17 is formed of a general transparent resin, the light transmittance is greatly reduced in the ultraviolet light region having a short wavelength. This indicates that if the chromaticity control unit 17 is formed of a general transparent resin, the light in the ultraviolet region emitted from the light emitting unit 2 is absorbed by the chromaticity control unit 17. . Therefore, the utilization efficiency of the light emitted from the light emitting unit 2 is reduced, the resin material is deteriorated with time, and the stability is decreased.
これに対し、図５に示すように、色度制御部１７を石英ガラスなどの透明な無機材料から形成するようにすれば、波長の短い紫外光の領域において光の透過率が低下することを抑制することができる。これは、色度制御部１７を石英ガラスなどの透明な無機材料から形成するようにすれば、発光部２から出射した紫外光の領域の光が色度制御部１７に吸収され難くなることを示している。そのため、発光部２から出射した光の利用効率の向上、経時的な劣化の抑制、安定性の向上などを図ることができる。 On the other hand, as shown in FIG. 5, if the chromaticity control unit 17 is formed of a transparent inorganic material such as quartz glass, the light transmittance is reduced in the ultraviolet light region having a short wavelength. Can be suppressed. This is because if the chromaticity control unit 17 is formed of a transparent inorganic material such as quartz glass, the light in the ultraviolet region emitted from the light emitting unit 2 is not easily absorbed by the chromaticity control unit 17. Show. Therefore, it is possible to improve the utilization efficiency of the light emitted from the light emitting unit 2, suppress the deterioration over time, improve the stability, and the like.
次に、他の実施形態に係る色度制御部１７ａについて例示をする。
図６は、発光部の発光特性の面内分布を例示するための模式図である。なお、発光特性はモノトーン色の濃淡で表し、青色となる程濃く、黄色となる程淡くなるように表示した。
図６に例示をしたものの場合には、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となっている。この様な発光特性を有する発光部２としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体からなるものを例示することができる。
この様に発光部２の発光特性に面内分布が生じると、半導体発光装置を見る方向によって色度が異なるものとなる。
図７は、他の実施形態に係る色度制御部について例示をするための模式断面図である 。
Next, the chromaticity control unit 17a according to another embodiment is illustrated.
FIG. 6 is a schematic diagram for illustrating the in-plane distribution of the light emission characteristics of the light emitting unit. Note that the light emission characteristics are represented by light and dark shades of a monotone color, and are displayed so as to become darker as blue and lighter as yellow.
In the case of the example illustrated in FIG. 6, the central portion of the light emitting unit 2 is yellow and becomes blue as the periphery is reached. Examples of the light emitting unit 2 having such light emission characteristics include those made of a nitride semiconductor such as GaN (gallium nitride).
When an in-plane distribution occurs in the light emission characteristics of the light emitting unit 2 in this manner, the chromaticity varies depending on the direction in which the semiconductor light emitting device is viewed.
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for illustrating a chromaticity control unit according to another embodiment.
図７に示すように、半導体発光装置１ａにおいては、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて色度制御部１７ａの厚み寸法を制御するようにしている。そして、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて色度制御部１７ａの厚み寸法を変化させることで、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて波長変換部４の厚み寸法を制御するようにしている。すなわち、色度制御部１７ａは、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて波長変換部４の厚み寸法を制御する。 As shown in FIG. 7, in the semiconductor light emitting device 1a, the thickness dimension of the chromaticity control unit 17a is controlled based on the in-plane distribution of the light emission characteristics in the light emitting unit 2. Then, by changing the thickness dimension of the chromaticity control unit 17a based on the in-plane distribution of the emission characteristics in the light emitting unit 2, the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 is changed based on the in-plane distribution of the emission characteristics in the light emitting unit 2. I try to control it. That is, the chromaticity control unit 17 a controls the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 based on the in-plane distribution of the light emission characteristics in the light emitting unit 2.
例えば、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となるような場合には、発光部２の中心部分に対応する波長変換部４の厚み寸法がＴ２となり、発光部２の周縁に対応する波長変換部４の厚み寸法がＴ１となるように色度制御部１７ａの厚み寸法を変化させるようにすることができる。
この様にすれば、発光部２における発光特性に面内分布が生じたとしても色度の面内分布を均一化することができる。そのため、半導体発光装置１ａを見る方向にかかわらず色度がほぼ同じとなるようにすることができる。
すなわち、この様にすれば、半導体発光装置同士の間における色度の違いを抑制することができるとともに、半導体発光装置毎における色度の面内分布を均一化することができる。
For example, when the central portion of the light emitting unit 2 is yellow and becomes blue as the periphery is reached, the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 corresponding to the central portion of the light emitting unit 2 is T2, and the light emitting unit 2 It is possible to change the thickness dimension of the chromaticity control unit 17a so that the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 corresponding to the periphery becomes T1.
In this way, even if an in-plane distribution occurs in the light emission characteristics of the light emitting unit 2, the in-plane distribution of chromaticity can be made uniform. Therefore, the chromaticity can be made substantially the same regardless of the direction in which the semiconductor light emitting device 1a is viewed.
That is, in this way, the difference in chromaticity between the semiconductor light emitting devices can be suppressed, and the in-plane distribution of chromaticity in each semiconductor light emitting device can be made uniform.
なお、図７に例示をした色度制御部１７ａは、色度制御部１７ａの厚み寸法を連続的に変化させるようにしているが、段階的に変化させるようにしてもよい。例えば、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて色度制御部１７ａの厚み寸法を階段状に変化させるようにしてもよい。また、発光部２の中心部分に対応する部分の厚み寸法が薄く、発光部２の周縁部分に対応する部分の厚み寸法が厚い凹状の色度制御部１７ａを例示したが、発光部２の中心部分に対応する部分の厚み寸法が厚く、発光部２の周縁部分に対応する部分の厚み寸法が薄い凸状の色度制御部とすることもできる。すなわち、色度制御部の厚み寸法の変化の形態は、発光部２における発光特性の面内分布に基づいて適宜変更することができる。 In addition, although the chromaticity control part 17a illustrated in FIG. 7 is changing the thickness dimension of the chromaticity control part 17a continuously, you may make it change in steps. For example, the thickness dimension of the chromaticity control unit 17a may be changed stepwise based on the in-plane distribution of the emission characteristics in the light emitting unit 2. In addition, although the concave chromaticity control unit 17a in which the thickness corresponding to the central portion of the light emitting unit 2 is thin and the thickness corresponding to the peripheral portion of the light emitting unit 2 is thick is illustrated, A convex chromaticity control unit in which the thickness dimension of the portion corresponding to the portion is thick and the thickness dimension of the portion corresponding to the peripheral portion of the light emitting unit 2 is thin can also be provided. That is, the form of change in the thickness dimension of the chromaticity control unit can be appropriately changed based on the in-plane distribution of the light emission characteristics in the light emitting unit 2.
本実施の形態に係る半導体発光装置によれば、色度制御部を設けることで波長変換部４の厚み寸法を制御することができる。そのため、半導体発光装置における色度のばらつきを抑制することができる。この場合、半導体発光装置同士の間における色度のばらつきを抑制することもできるし、半導体発光装置毎における色度の面内分布を均一化することもできる。 According to the semiconductor light emitting device according to the present embodiment, the thickness dimension of the wavelength conversion unit 4 can be controlled by providing the chromaticity control unit. Therefore, variation in chromaticity in the semiconductor light emitting device can be suppressed. In this case, variation in chromaticity between the semiconductor light emitting devices can be suppressed, and the in-plane distribution of chromaticity in each semiconductor light emitting device can be made uniform.
次に、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をする。 Next, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to this embodiment is illustrated.
図８は、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をするためのフローチャートである。なお、図８は、図７に例示をした半導体発光装置１ａを製造する場合を例示をするためのフローチャートである。
また、図９は、図８に例示をした半導体発光装置の製造方法における模式工程断面図である。
まず、サファイアなどからなる基板上に所定の形状の半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃをこの順で積層させる（ステップＳ１）。すなわち、サファイアなどからなる基板上に所定の形状の発光部２を形成する。
この場合、既知のスパッタリング法や気相成長法などを用いてこれらの積層を行うようにすることができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などを例示することができる。
FIG. 8 is a flowchart for illustrating the method for manufacturing the semiconductor light emitting device according to this embodiment. FIG. 8 is a flowchart for illustrating the case where the semiconductor light emitting device 1a illustrated in FIG. 7 is manufactured.
FIG. 9 is a schematic process cross-sectional view in the method for manufacturing the semiconductor light emitting device illustrated in FIG.
First, a semiconductor portion 2a, an active portion 2b, and a semiconductor portion 2c having a predetermined shape are stacked in this order on a substrate made of sapphire or the like (step S1). That is, the light emitting unit 2 having a predetermined shape is formed on a substrate made of sapphire or the like.
In this case, these layers can be stacked using a known sputtering method, vapor phase growth method, or the like. Examples of the vapor phase growth method include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method, and molecular beam epitaxy (MBE) method. Etc. can be illustrated.
次に、絶縁部１６、接合部１５、絶縁部１１を形成する（ステップＳ２）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで絶縁部１６、接合部１５、絶縁部１１を形成するようにすることができる。
Next, the insulating part 16, the joining part 15, and the insulating part 11 are formed (step S2).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, and lithography and etching technologies. Etc. can be combined to form the insulating portion 16, the joint portion 15, and the insulating portion 11.
次に、第１電極部５、第２電極部８、第１配線部１３、第２配線部１４を形成する（ステップＳ３）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１電極部５、第２電極部８、第１配線部１３、第２配線部１４を形成するようにすることができる。
Next, the 1st electrode part 5, the 2nd electrode part 8, the 1st wiring part 13, and the 2nd wiring part 14 are formed (Step S3).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, and lithography and etching technologies. The first electrode unit 5, the second electrode unit 8, the first wiring unit 13, and the second wiring unit 14 can be formed by combining the above and the like.
次に、封止部１２を形成する（ステップＳ４）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで封止部１２を形成するようにすることができる。
Next, the sealing part 12 is formed (step S4).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, and lithography and etching technologies. The sealing part 12 can be formed by combining the above.
次に、第１導電部６、第２導電部９を形成する（ステップＳ５）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１導電部６、第２導電部９を形成するようにすることができる。
Next, the first conductive part 6 and the second conductive part 9 are formed (step S5).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum vapor deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, plating methods, and other lithography technologies. The first conductive portion 6 and the second conductive portion 9 can be formed by combining the etching technique and the like.
次に、第１導電部６の端面に第１接続部材７を形成し、第２導電部９の端面に第２接続部材１０を形成する（ステップＳ６）。
この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術などとを組み合わせることで第１接続部材７、第２接続部材１０を形成するようにすることができる。
Next, the 1st connection member 7 is formed in the end surface of the 1st electroconductive part 6, and the 2nd connection member 10 is formed in the end surface of the 2nd electroconductive part 9 (step S6).
In this case, various physical vapor deposition (PVD) methods such as vacuum vapor deposition and sputtering, various chemical vapor deposition (CVD) methods, plating methods, and other lithography technologies. Etc., the first connecting member 7 and the second connecting member 10 can be formed.
次に、この様にして形成された積層体を基板から剥離させる（ステップＳ７）。
この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させるようにすることができる。
図９（ａ）は、剥離させた積層体を反転させた状態を表したものである。
Next, the laminated body thus formed is peeled from the substrate (step S7).
In this case, the stacked body can be peeled off from the substrate using a laser lift-off method or the like.
FIG. 9A shows a state where the peeled laminate is inverted.
次に、第１主面Ｍ１における色度を発光部２毎に測定する（ステップＳ８）。
この場合、例えば、フォトルミネッセンス法（Photoluminescence Spectroscopy）によりＰＬ（Photoluminescence）発光の色度を発光部２毎に測定するようにすることができる。
例えば、半導体部２ａの第１主面Ｍ１側に紫外線を照射した際のＰＬ発光の色度を発光部２毎に測定する。すなわち、発光部２同士の間における色度のばらつき、発光部２毎における色度の面内分布を測定する。
Next, the chromaticity in the 1st main surface M1 is measured for every light emission part 2 (step S8).
In this case, for example, the chromaticity of PL (Photoluminescence) emission can be measured for each light emitting unit 2 by a photoluminescence method.
For example, the chromaticity of PL emission when the ultraviolet light is irradiated to the first main surface M1 side of the semiconductor unit 2a is measured for each light emitting unit 2. That is, the chromaticity variation between the light emitting units 2 and the in-plane distribution of chromaticity for each light emitting unit 2 are measured.
次に、図９（ｂ）に示すように、測定されたＰＬ発光の色度に基づいて半導体部２ａの第１主面Ｍ１側に波長変換部４の形状寸法を制御する色度制御部１７ａを設ける（ステップＳ９）。
例えば、測定された発光部２同士の間における色度のばらつき、発光部２毎における色度の面内分布に基づいて、適切な厚み寸法や適切な厚み寸法の変化の形態を有する色度制御部１７ａを半導体部２ａの第１主面Ｍ１側に設ける。この場合、シランカップリング剤を用いて半導体部２ａの第１主面Ｍ１側に色度制御部１７ａを接着するようにすることができる。
この際、厚み寸法や厚み寸法の変化の形態が異なる色度制御部を複数種類用意し、測定されたＰＬ発光の色度に基づいて適切な色度制御部を選択するようにすることができる。すなわち、色度制御部を設ける工程において、ＰＬ発光の色度に基づいて、厚み寸法および厚み寸法の変化の形態の少なくともいずれかが異なる複数種類の色度制御部から、第１主面側に設けられる色度制御部が選択されるようにすることができる。
Next, as shown in FIG. 9B, a chromaticity control unit 17a that controls the shape dimension of the wavelength conversion unit 4 on the first main surface M1 side of the semiconductor unit 2a based on the measured chromaticity of PL emission. Is provided (step S9).
For example, chromaticity control having an appropriate thickness dimension and an appropriate change in thickness dimension based on the measured chromaticity variation between the light emitting units 2 and the in-plane distribution of chromaticity for each light emitting unit 2. The part 17a is provided on the first main surface M1 side of the semiconductor part 2a. In this case, the chromaticity control unit 17a can be bonded to the first main surface M1 side of the semiconductor unit 2a using a silane coupling agent.
At this time, it is possible to prepare a plurality of types of chromaticity control units having different thickness dimensions and changes in thickness dimensions, and to select an appropriate chromaticity control unit based on the measured chromaticity of the PL emission. . That is, in the step of providing the chromaticity control unit, from the plurality of types of chromaticity control units that differ in at least one of the thickness dimension and the change in thickness dimension based on the chromaticity of PL emission, The provided chromaticity control unit can be selected.
次に、色度制御部１７ａを覆うようにして蛍光体が所定の割合で混合された樹脂を塗布する（ステップＳ１０）。
なお、蛍光体が混合された樹脂は波長変換部４となる。
この場合、スキージ法、スクリーン法やスピン法などの印刷および塗布方法などを用いて蛍光体が混合された樹脂を塗布するようにすることができる。
Next, a resin in which phosphors are mixed at a predetermined ratio is applied so as to cover the chromaticity control unit 17a (step S10).
The resin mixed with the phosphor serves as the wavelength conversion unit 4.
In this case, the resin mixed with the phosphor can be applied by using a printing and coating method such as a squeegee method, a screen method, or a spin method.
次に、各半導体発光装置を個片化する（ステップＳ１１）。
すなわち、複数の半導体発光装置を一体的に形成する工程と、一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する工程と、を備えたものとすることができる。
この場合、ブレードダイシング法などを用いて各半導体発光装置を個片化するようにすることができる。
なお、図８、図９に例示をしたものは、複数の半導体発光装置を一体的に形成する場合であるが、半導体発光装置を個別的に形成する場合も同様とすることができる。
Next, each semiconductor light emitting device is separated into pieces (step S11).
In other words, the method can include a step of integrally forming a plurality of semiconductor light emitting devices and a step of dividing the plurality of semiconductor light emitting devices formed integrally.
In this case, each semiconductor light emitting device can be singulated using a blade dicing method or the like.
8 and 9 illustrate the case where a plurality of semiconductor light emitting devices are integrally formed, but the same can be applied to the case where semiconductor light emitting devices are individually formed.
本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法によれば、ＰＬ発光の色度に基づいて適切な色度制御部を設けるようにしているので、色度のばらつきが少なくなるような厚み寸法を有する波長変換部４を形成することができる。そのため、半導体発光装置における色度のばらつきを抑制することができる。この場合、半導体発光装置同士の間における色度のばらつきを抑制することもできるし、半導体発光装置毎における色度の面内分布を均一化することもできる。 According to the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment, since an appropriate chromaticity control unit is provided based on the chromaticity of PL light emission, the thickness dimension is such that variations in chromaticity are reduced. The wavelength conversion part 4 which has can be formed. Therefore, variation in chromaticity in the semiconductor light emitting device can be suppressed. In this case, variation in chromaticity between the semiconductor light emitting devices can be suppressed, and the in-plane distribution of chromaticity in each semiconductor light emitting device can be made uniform.
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びそれと等価とみなされるものの範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 As mentioned above, although several embodiment of this invention was illustrated, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, changes, and the like can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the scope of the invention described in the claims and equivalents thereof. Further, the above-described embodiments can be implemented in combination with each other.
例えば、半導体発光装置１、半導体発光装置１ａが備える各要素の形状、寸法、材質、配置、数などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。 For example, the shape, size, material, arrangement, number, and the like of each element included in the semiconductor light emitting device 1 and the semiconductor light emitting device 1a are not limited to those illustrated, but can be changed as appropriate.
１ 半導体発光装置、１ａ 半導体発光装置、２ 発光部、２ａ 半導体部、２ｂ 活性部、２ｃ 半導体部、４ 波長変換部、５ 第１電極部、６ 第１導電部、８ 第２電極部、９ 第２導電部、１１ 絶縁部、１２ 封止部、１７ 色度制御部、１７ａ 色度制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor light-emitting device, 1a Semiconductor light-emitting device, 2 Light emission part, 2a Semiconductor part, 2b Active part, 2c Semiconductor part, 4 Wavelength conversion part, 5 1st electrode part, 6 1st electroconductive part, 8 2nd electrode part, 9 Second conductive portion, 11 insulating portion, 12 sealing portion, 17 chromaticity control portion, 17a chromaticity control portion
Claims (6)
前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有し、前記第１主面側とは反対側の面が平面となっている波長変換部と、
前記発光部と、前記波長変換部と、の間であって、前記波長変換部の内部に設けられ、前記波長変換部の厚み寸法を制御する色度制御部と、
を備え、
前記色度制御部は、前記発光部から出射する光の波長に対して、以下の式で表される前記波長変換部から出射する光の色度が一定となるように、前記波長変換部の厚み寸法を制御することを特徴とする半導体発光装置。
前記波長変換部から出射する光の色度＝ａ・λｄ＋ｂ・Ｔ＋ｃ
ここで、Ｔは前記波長変換部の厚み寸法（ｍｍ）、λｄは前記発光部から出射する光の波長（ｎｍ）、ａ、ｂ、ｃは前記蛍光体の種類により異なる係数である。 A light emitting unit having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface;
Provided on the first main surface side, it contains a phosphor, and the wavelength converting portion surface opposite that has become plane and the first major surface side,
A chromaticity control unit that is provided between the light emitting unit and the wavelength conversion unit and is provided inside the wavelength conversion unit, and controls a thickness dimension of the wavelength conversion unit;
Equipped with a,
The chromaticity control unit is configured so that the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion unit represented by the following formula is constant with respect to the wavelength of the light emitted from the light emitting unit. A semiconductor light emitting device characterized by controlling a thickness dimension .
Chromaticity of light emitted from the wavelength converter = a · λd + b · T + c
Here, T is the thickness dimension (mm) of the wavelength conversion unit, λd is the wavelength (nm) of light emitted from the light emitting unit, and a, b, and c are coefficients that differ depending on the type of the phosphor.
前記発光部から出射する光の波長を前記発光部毎に測定する工程と、
前記測定された発光部から出射する光の波長に基づいて前記第１主面側に前記波長変換部の厚み寸法を制御する色度制御部を設ける工程と、
前記色度制御部を覆うように前記蛍光体が所定の割合で混合された樹脂を塗布し、前記第１主面側とは反対側の面を平面とする工程と、
を備え、
前記色度制御部を設ける工程において、前記測定された発光部から出射する光の波長に対して、以下の式で表される前記波長変換部から出射する光の色度が一定となるように、前記波長変換部の厚み寸法を制御する前記色度制御部が設けられることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
前記波長変換部から出射する光の色度＝ａ・λｄ＋ｂ・Ｔ＋ｃ
ここで、Ｔは前記波長変換部の厚み寸法（ｍｍ）、λｄは前記発光部から出射する光の波長（ｎｍ）、ａ、ｂ、ｃは前記蛍光体の種類により異なる係数である。 A light emitting unit having a first main surface and a second main surface that is the opposite surface of the first main surface; provided on the first main surface side, containing a phosphor, and on the first main surface side surface opposite to a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device having a wavelength converter that has become flat, and the,
Measuring the wavelength of light emitted from the light emitting unit for each light emitting unit;
A step of providing a chromaticity control unit for controlling the thickness of the wavelength converting portion in said first main surface based on the wavelength of the light emitted from the measured emission unit,
Applying a resin in which the phosphor is mixed at a predetermined ratio so as to cover the chromaticity control unit, and making the surface opposite to the first main surface side a plane ;
Equipped with a,
In the step of providing the chromaticity control unit, the chromaticity of the light emitted from the wavelength conversion unit represented by the following formula is constant with respect to the wavelength of the light emitted from the measured light emitting unit. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: the chromaticity control unit that controls a thickness dimension of the wavelength conversion unit .
Chromaticity of light emitted from the wavelength converter = a · λd + b · T + c
Here, T is the thickness dimension (mm) of the wavelength conversion unit, λd is the wavelength (nm) of light emitted from the light emitting unit, and a, b, and c are coefficients that differ depending on the type of the phosphor.
前記一体的に形成された複数の半導体発光装置を個片化する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体発光装置の製造方法。 Forming a plurality of semiconductor light emitting devices integrally;
Dividing the plurality of integrally formed semiconductor light emitting devices into pieces,
The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 3 or 4, further comprising a.
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